CN114447016A - 显示设备 - Google Patents

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金亨俊
具素英
金亿洙
南润龙
林俊亨
全景辰
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Abstract

本申请涉及显示设备。显示设备包括：第一堤部，在衬底上并且彼此间隔开；第一电极和第二电极，在第一堤部上并且彼此间隔开；第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；以及发光元件，在第一绝缘层上，并且各自具有在第一电极和第二电极上的端。第一堤部中的每个包括第一图案部分，第一图案部分包括凹入部分和凸出部分。第一堤部的第一图案部分设置在第一堤部的侧表面上。侧表面间隔开并且面向彼此。第一电极和第二电极中的每个包括第二图案部分，第二图案部分在第一图案部分上并且在其表面上具有与第一图案部分相对应的图案形状。

Description

显示设备
技术领域
本公开涉及显示设备。
背景技术
随着多媒体的发展，显示设备变得越来越重要。因此，正在使用各种类型的显示设备，诸如有机发光显示器和液晶显示器。
显示设备是用于显示图像的设备，并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。作为发光显示面板，显示面板可以包括诸如发光二极管(LED)的发光元件。例如，LED可以是使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)，或者可以是使用无机材料作为荧光材料的无机LED。
发明内容
本公开的方面在于提供具有改善的发光效率的显示设备。
然而，本公开的方面不限于本文所阐述的方面。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
根据本公开的实施方式，显示设备可以包括：第一堤部，设置在衬底上并且彼此间隔开；第一电极和第二电极，设置在第一堤部上并且彼此间隔开；第一绝缘层，设置在第一电极和第二电极上；以及发光元件，设置在第一绝缘层上，并且各自具有在第一电极和第二电极上的端。第一堤部中的每个可以包括第一图案部分，第一图案部分包括凹入部分和凸出部分。第一堤部的第一图案部分可以设置在第一堤部的侧表面上，侧表面间隔开并且面向彼此，并且第一电极和第二电极中的每个可以包括第二图案部分，第二图案部分设置在第一图案部分上并且在第二图案部分的表面上具有与第一图案部分相对应的图案形状。
第一绝缘层可以包括第三图案部分，第三图案部分设置在第一电极和第二电极中的每个的第二图案部分上并且在第三图案部分的表面上具有与第二图案部分相对应的图案形状。
该显示设备还可以包括：第一接触电极，设置在第一电极上并接触第一电极和发光元件中的一个的端中的一个；以及第二接触电极，在第二电极上，以接触第二电极和发光元件中的所述一个的端中的另一个，其中，第一接触电极和第二接触电极中的每个包括第四图案部分，第四图案部分设置在第三图案部分上并且在第四图案部分的表面上具有与第三图案部分相对应的图案形状。
第一绝缘层可以具有比第一接触电极的折射率和第二接触电极的折射率中的每个小的折射率。
显示设备还可以包括：第二绝缘层，在发光元件上；以及第三绝缘层，在第二绝缘层和第二接触电极上，其中，第一接触电极可以在第三绝缘层上。
第三绝缘层可以包括第五图案部分，第五图案部分设置在第二接触电极的第四图案部分上并且具有与第四图案部分相对应的图案形状，以及第三绝缘层可以具有比第二接触电极的折射率小的折射率。
显示设备还可以包括：第四绝缘层，在第三绝缘层和第一接触电极上，其中，第四绝缘层可以具有比第一接触电极的折射率小的折射率。
第一图案部分的凹入部分和凸出部分中的每个的外表面可以具有弯曲的形状。
第一图案部分可以具有为从发光元件发射的光的波长的一半或更多的图案高度。图案高度可以限定为连接凹入部分的最下端的虚拟延长线与连接凸出部分的最上端的虚拟延长线之间的垂直距离。
显示设备还可以包括：通孔层，在衬底与第一堤部之间。
显示设备还可以包括：第二堤部，设置在第一堤部上并围绕其中布置有发光元件的发光区域。
第二堤部可以围绕与发光区域间隔开并且不包括发光元件的子区域，以及第一绝缘层可以在发光区域中覆盖第一电极、第二电极和第一堤部。
第一绝缘层可以包括：第一接触部分，在子区域中暴露第一电极的上表面的一部分；以及第二接触部分，在子区域中暴露第二电极的上表面的一部分，以及显示设备还可以包括：第一接触电极，设置在第一电极上并且接触发光元件中的一个的端中的一个和通过第一接触部分暴露的第一电极；以及第二接触电极，设置在第二电极上并且接触发光元件中的一个的端中的另一个和通过第二接触部分暴露的第二电极。
根据本公开的实施方式，显示设备可以包括：子像素，包括发光区域并在一方向上布置；第一堤部，设置于在所述方向上相邻的子像素中并且在发光区域中在所述方向上彼此间隔开；第一电极和第二电极，在子像素的发光区域中设置在第一堤部上并且在所述方向上彼此间隔开；第一绝缘层，设置在第一电极和第二电极上；以及发光元件，设置在第一绝缘层上，并且各自具有在第一电极和第二电极上的端。第一堤部中的每个可以包括第一图案部分，第一图案部分包括凹入部分和凸出部分。第一堤部的第一图案部分可以设置在第一堤部的侧表面上，侧表面间隔开并且面向彼此，以及第一图案部分具有为从发光元件中的一个发射的光的波长的一半或更多的图案高度，图案高度限定为连接凹入部分的最下端的虚拟延长线与连接凸出部分的最上端的虚拟延长线之间的垂直距离。
子像素可以包括：第一子像素，其中布置有发射第一颜色的光的第一发光元件，以及第二子像素，其中布置有发射第二颜色的光的第二发光元件，第二颜色不同于第一颜色，以及第一子像素中的第一图案部分可以具有为第二颜色的光的波长的一半或更多的图案高度。
第一子像素中的第一图案部分的图案高度可以为第一颜色的光的波长的一半或更多。
子像素还可以包括第三子像素，第三子像素中布置有发射第三颜色的光的第三发光元件，第三颜色不同于第一颜色和第二颜色，以及第一子像素、第二子像素和第三子像素中的第一图案部分可以具有为第三颜色的光的波长的一半或更多的图案高度。
第一子像素、第二子像素和第三子像素中的第一图案部分的图案高度可以为约390nm或更大。
第一电极和第二电极中的每个可以包括第二图案部分，第二图案部分设置在第一图案部分上并且在第二图案部分的表面上具有与第一图案部分相对应的图案形状，以及第一绝缘层可以包括第三图案部分，第三图案部分设置在第一电极和第二电极中的每个的第二图案部分上并且在第三图案部分的表面上具有与第二图案部分相对应的图案形状。
显示设备还可以包括：第一接触电极，设置在第一电极上并接触第一电极和发光元件中的一个的端中的一个；以及第二接触电极，设置在第二电极上并接触第二电极和发光元件中的一个的端中的另一个。第一接触电极和第二接触电极中的每个可以包括第四图案部分，第四图案部分设置在第三图案部分上并且在第四图案部分的表面上具有与第三图案部分相对应的图案形状，以及第一绝缘层可以具有比第一接触电极的折射率和第二接触电极的折射率中的每个小的折射率。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它方面和特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是根据实施方式的显示设备的示意性平面图；
图2是示出根据实施方式的显示设备的像素的示意性平面图；
图3是示出图2的第一子像素的示意性平面图；
图4是沿着图3的线Q1-Q1’、Q2-Q2’和Q3-Q3’截取的示意性剖视图；
图5是图4中的A部分的放大示意图；
图6是示意性地示出根据实施方式的从显示设备的发光元件发射的光的路径的示意性剖视图；
图7是示出图6的光在多层中的传播的示意图；
图8是根据实施方式的发光元件的示意图；
图9至图15是示出根据实施方式的制造显示设备的工艺的示意性剖视图；
图16是示出根据另一实施方式的显示设备的像素的示意性平面图；
图17是图16中的B部分的放大示意图；
图18是示出根据另一实施方式的显示设备的像素的示意性平面图；
图19是图18中的C部分和D部分的放大示意图；
图20是示出根据另一实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图21是示出根据另一实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图22是示出根据另一实施方式的显示设备的子像素的示意性平面图；
图23是沿着图22的线Q4-Q4’截取的示意性剖视图；以及
图24是沿着图22的线Q5-Q5’截取的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更全面地描述本公开，在附图中示出了本公开的实施方式。然而，本公开可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻和完整的，并且将本发明的范围完全传达给本领域的技术人员。
除非上下文另有明确指示，否则如本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式(并且反之亦然)。
还将理解的是，当层被称为在另一层或衬底“上”时，其可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在介于中间的层。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的部件。此外，将理解的是，术语“连接到”或“联接到”可以包括物理或电连接或联接。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的“第一”元件也可以被称为“第二”元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包括有”、“包含”、“包含有”、“具有”、“具备”、“有”及其变体指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在和/或添加。
术语“重叠”或“被重叠”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方，或者在第二对象的一侧，并且反之亦然。此外，术语“重叠”可以包括层、叠层、面向或面对、在上面延伸、覆盖或部分覆盖、或本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
出于其含义和解释的目的，在说明书和权利要求书中，短语“…中的至少一个”旨在包括“选自…的组合中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指“A、B、或A和B”。
出于其含义和解释的目的，在说明书和权利要求书中，术语“和/或”旨在包括术语“和”以及“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B、或A和B”。术语“和”以及“或”可以以结合或析取的含义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
如本文中所使用的，“约”、“大约”和“基本上”包括所陈述的值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量***的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所陈述的值的例如±30％、±20％、±10％或±5％范围内。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语，诸如在常用词典中限定的那些术语，应解释为具有与其在相关技术的语境中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的含义进行解释，除非本说明书中清楚地如此限定。
图1是根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
参照图1，显示设备10可以显示运动图像或静止图像。显示设备10可以指提供显示屏幕的任何电子设备。例如，显示设备10可以用于电视机、笔记本、监视器、广告牌、物联网、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航设备、游戏机、数码相机、可携式摄像机等。
显示设备10可以包括用于提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。在下文中，将作为示例给出使用无机发光二极管显示面板作为显示面板的情况，但是本公开不限于此。可以使用任何显示面板，只要类似的技术想法可应用即可。
可以修改显示设备10的形状。例如，显示设备10可以具有如下形状，诸如具有较长水平边的矩形、具有较长垂直边的矩形、正方形、具有圆润的拐角(顶点)的矩形、多边形或圆形。显示设备10的显示区域DPA的形状可以类似于显示设备10的整体形状。图1示出了具有矩形形状的显示设备10，该矩形形状在第二方向DR2上具有较长边。
显示设备10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是显示图像的区域，而非显示区域NDA可以是不显示图像的区域。显示区域DPA可以被称为有效区域，而非显示区域NDA可以被称为非有效区域。显示区域DPA通常可以占据显示设备10的中央。
显示区域DPA可以包括像素PX。像素PX可以以矩阵形式布置。在平面图中，像素PX中的每个可以具有矩形形状或正方形形状，但其形状不限于此。像素PX中的每个可以具有菱形形状，在该菱形形状中每条边相对于一方向倾斜。各个像素PX可以交替地布置成条纹类型和
Figure BDA0003325381480000071
类型。像素PX中的每个可以包括至少一个发光元件，其发射特定波长带的光以显示特定颜色。
非显示区域NDA可以设置为与显示区域DPA相邻。非显示区域NDA可以完全或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以具有矩形形状，并且非显示区域NDA可以设置为与显示区域DPA的四条边相邻。非显示区域NDA可以构成显示设备10的边框。包括在显示设备10中的线或电路驱动器可以设置在非显示区域NDA中，或者外部设备可以安装在非显示区域NDA中。
图2是示出根据实施方式的显示设备的像素的示意性平面图。
参照图2，显示设备10(参照图1)的像素PX中的每个可以包括子像素PXn(n可以是1到3的整数)。例如，像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射第一颜色的光，第二子像素PX2可以发射第二颜色的光，并且第三子像素PX3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是红色。然而，本公开不限于此，并且子像素PXn中的每个可以发射相同颜色的光。尽管在图2中示出了像素PX包括三个子像素PXn，但是本公开不限于此，并且像素PX可以包括更多数量的子像素PXn。
显示设备10(参照图1)的子像素PXn中的每个可以包括发光区域EMA和非发光区域。发光区域EMA限定为其中可以设置发光元件ED以发射特定波长带的光的区域，并且非发光区域限定为其中可以不设置发光元件ED并且可以不发射光的区域。除了其中可以设置发光元件ED的区域之外，发光区域EMA可以包括与发光元件ED相邻的区域，从发光元件ED发射的光可以被释放到该区域。
然而，本公开不限于此，并且发光区域EMA还可以包括其中从发光元件ED发射的光可以被另一构件反射或折射并发射的区域。发光元件ED可以布置在子像素PXn中的每个中，并且发光区域EMA可以由其中布置有发光元件ED的区域以及与该区域相邻的区域形成。
尽管在附图中示出了子像素PXn中的每个的发光区域EMA具有基本上均匀的面积，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，根据从设置在相应的子像素中的发光元件ED发射的光的颜色或波长带，子像素PXn中的每个的发光区域EMA可以具有不同的面积。
子像素PXn中的每个还可以包括设置在非发光区域中的子区域SA。子区域SA可以在第一方向DR1上设置在发光区域EMA的一侧上，并且可以设置于在第一方向DR1上相邻的子像素PXn的发光区域EMA之间。例如，发光区域EMA和子区域SA可以分别在第二方向DR2上重复布置，但是可以在第一方向DR1上交替地布置。第二堤部BNL2可以设置在子区域SA与发光区域EMA之间，并且子区域SA之间的间隔可以根据第二堤部BNL2的宽度而变化。发光元件ED可以不设置在子区域SA中，而是设置在每个子像素PXn中的电极RME的一部分可以设置在子区域SA中。设置在不同的子像素PXn中的电极RME可以设置为在子区域SA中彼此分离。
第二堤部BNL2可以包括在平面图中在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸以便以网格图案设置在显示区域DPA中的部分。第二堤部BNL2可以跨每个子像素PXn的边界设置，以区分相邻的子像素PXn。此外，第二堤部BNL2可以设置为围绕针对每个子像素PXn设置的发光区域EMA，以区分发光区域EMA。
图3是示出图2的第一子像素的示意性平面图。图4是沿着图3的线Q1-Q1’、Q2-Q2’和Q3-Q3’截取的示意性剖视图。图3示出了包括在像素PX(参照图1)中的第一子像素PX1，并且图4示出了设置在第一子像素PX1中的不同的发光元件ED的两端的剖面。
结合图1和图2参照图3和图4，显示设备10可以包括衬底SUB和半导体层、导电层和绝缘层，其可以设置在衬底SUB上。半导体层、导电层和绝缘层可以分别构成显示设备10的电路层CCL(参照图24)和显示元件层。
衬底SUB可以是绝缘衬底。衬底SUB可以由诸如玻璃、石英、聚合物树脂或其组合的绝缘材料制成。衬底SUB可以是刚性衬底，但也可以是能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性衬底。
第一导电层可以设置在衬底SUB上。第一导电层可以包括下金属层BML，并且下金属层BML可以设置为与第一晶体管T1的有源层ACT1重叠。下金属层BML可以包括阻挡光的材料，从而防止光进入第一晶体管T1的有源层ACT1。然而，可以省略下金属层BML。
缓冲层BL可以设置在下金属层BML和衬底SUB上。缓冲层BL可以形成在衬底SUB上，以保护像素PX的晶体管不受渗透通过衬底SUB(其可能易受湿气渗透)的湿气影响，并且可以执行表面平坦化功能。
半导体层可以设置在缓冲层BL上。半导体层可以包括第一晶体管T1的有源层ACT1。有源层ACT1可以设置为至少部分地与后面将描述的第二导电层的栅电极G1重叠。
半导体层可以包括多晶硅、单晶硅和氧化物半导体中的至少一种。氧化物半导体可以是包含铟(In)的氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铟镓锌氧化物(IGZO)和铟镓锌锡氧化物(IGZTO)中的任何一种。
尽管在附图中示出了一个第一晶体管T1设置在显示设备10的子像素PXn中，但是本公开不限于此，并且显示设备10可以包括更多数量的晶体管。
第一栅极绝缘层GI可以设置在半导体层和缓冲层BL上。第一栅极绝缘层GI可以用作第一晶体管T1的栅极绝缘膜。
第二导电层可以设置在第一栅极绝缘层GI上。第二导电层可以包括第一晶体管T1的栅电极G1。栅电极G1可以设置为在第三方向DR3上与有源层ACT1的沟道区重叠，第三方向DR3可以是厚度方向。尽管在附图中未示出，但是第二导电层还可以包括存储电容器的电容电极。
第一层间绝缘层IL1可以设置在第二导电层上。第一层间绝缘层IL1可以用作第二导电层和设置在其上的其它层之间的绝缘膜，并且可以保护第二导电层。
第三导电层可以设置在第一层间绝缘层IL1上。第三导电层可以包括第一晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1。
第一晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1可以分别通过穿透第一层间绝缘层IL1和第一栅极绝缘层GI的接触孔接触有源层ACT1。此外，第一晶体管T1的第一源电极S1可以通过另一接触孔接触下金属层BML。尽管在附图中未示出，但是第三导电层还可以包括数据线或存储电容器的电容电极。
第二层间绝缘层IL2可以设置在第三导电层上。第二层间绝缘层IL2可以用作第三导电层和设置在其上的其它层之间的绝缘膜，并且可以保护第三导电层。
第四导电层可以设置在第二层间绝缘层IL2上。第四导电层可以包括第一电压线VL1、第二电压线VL2和第一导电图案CDP。通过第一晶体管T1传输到第一电极RME1的高电位电压(或第一功率电压)可以被施加到第一电压线VL1，并且传输到第二电极RME2的低电位电压(或第二功率电压)可以被施加到第二电压线VL2。
第一导电图案CDP可以电连接到第一晶体管T1。第一导电图案CDP可以连接到后面将描述的第一电极RME1，并且第一晶体管T1可以将从第一电压线VL1施加的第一功率电压传输到第一电极RME1。
缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2中的每个可以由交替地堆叠的多个无机层形成。例如，缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2中的每个可以形成为其中无机层各自包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiOxNy)中的至少一个的双层，或者形成为其中这些无机层交替地堆叠的多层。然而，本公开不限于此，并且缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2中的每个也可以由包括上述绝缘材料的一个无机层形成。此外，在一些实施方式中，第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2中的每个可以由诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料制成。
第二导电层、第三导电层和第四导电层中的每个可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何或其合金的单层或多层。然而，本公开不限于此。
通孔层VIA可以设置在第四导电层上。通孔层VIA可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料，并且可以执行表面平坦化功能。
电极(RME：RME1，RME2)、第一堤部BNL1、第二堤部BNL2、发光元件ED和接触电极(CNE：CNE1，CNE2)作为显示元件层布置在通孔层VIA上。此外，绝缘层PAS1和PAS2可以设置在通孔层VIA上。
第一堤部BNL1可以直接设置在通孔层VIA上。第一堤部BNL1可以具有在第一方向DR1上延伸的形状，并且可以设置于在第二方向DR2上相邻的其它子像素PXn中。第一堤部BNL1可以设置在子像素PXn中，并且可以在发光区域EMA内在第二方向DR2上与另一第一堤部BNL1间隔开。例如，第一堤部BNL1可以形成为在第一方向DR1和第二方向DR2上具有宽度，第一堤部BNL1的一部分可以设置在发光区域EMA中，并且其另一部分可以设置于在第二方向DR2上相邻的子像素PXn的边界处。第一堤部BNL1中的每个可以形成为具有在第一方向DR1上测量的长度，该长度可以大于发光区域EMA在第一方向DR1上测量的长度，使得第一堤部BNL1的一部分可以设置为在非发光区域中与第二堤部BNL2重叠。
不同的第一堤部BNL1可以设置为在子像素PXn中彼此间隔开，并且发光元件ED可以设置在第一堤部BNL1之间。尽管在附图中示出了在每个子像素PXn的发光区域EMA中设置两个第一堤部BNL1以形成岛状图案，但是本公开不限于此。设置在每个子像素PXn的发光区域EMA中的第一堤部BNL1的数量可以根据电极RME1和RME2的数量或发光元件ED的布置而变化。
第一堤部BNL1可以具有其中其至少一部分从通孔层VIA的上表面突出的结构。第一堤部BNL1的突出部分可以具有倾斜的侧表面，并且从发光元件ED发射的光可以从设置在第一堤部BNL1上的电极RME反射，并且在通孔层VIA的向上方向上发射。然而，本公开不限于此，并且第一堤部BNL1可以具有弯曲的半圆或半椭圆形状。第一堤部BNL1可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料，但是其材料不限于此。
根据实施方式，显示设备10的第一堤部BNL1可以包括第一图案部分(图5中的“GP1”)，该第一图案部分包括在彼此间隔开并且面向彼此的倾斜侧表面上的多个凹入部分和凸出部分。第一图案部分GP1的凹入部分和凸出部分可以形成为具有弯曲的外表面，并且可以彼此交替地重复。第一堤部BNL1可以包括第一图案部分GP1，以具有其中倾斜侧表面不是线性的弯曲的形状。如后面将描述的，电极RME1和RME2、接触电极CNE1和CNE2以及绝缘层PAS1、PAS3和PAS4可以布置在第一堤部BNL1的第一图案部分GP1上，并且这些层可以分别包括图案部分(图5中的“GP2”、“GP3”、“GP4”、“GP5”和“GP6”)，这些层的图案部分包括与第一堤部BNL1的第一图案部分GP1相对应的多个凹入部分和凸出部分。设置在第一堤部BNL1的第一图案部分GP1上的层的图案部分与第一堤部BNL1的第一图案部分GP1一起可以具有散射从发光元件ED发射的光的效应。指向第一堤部BNL1的侧表面的光可以由设置在其上的图案部分中包括的凹入部分和凸出部分在不同的方向上反射或折射，并且可以在不同的方向上散射，而不是在特定的方向上散射。因此，在显示设备10中，可以提高光的发光效率和侧亮度。后面将参照其它附图描述形成在第一堤部BNL1的侧表面上的第一图案部分GP1和设置在第一图案部分GP1上的多个图案部分。
电极RME可以具有在一方向上延伸的形状，并且可以针对每个子像素PXn布置。电极RME可以具有在第一方向DR1上延伸的形状，并且可以设置为在每个子像素PXn内在第二方向DR2上彼此间隔开。
例如，子像素PXn可以包括在第一方向DR1上延伸并设置在发光区域EMA和子区域SA中的第一电极RME1和第二电极RME2。在第一方向DR1上相邻的子像素PXn的电极RME可以在子区域SA的分离部分ROP中彼此分离。在制造显示设备10的工艺中，第一电极RME1和第二电极RME2可以形成为在第一方向DR1上延伸的电极线，并且可以用于在子像素Pxn中产生电场，以便对准发光元件ED。发光元件ED可以通过接收由在电极线上产生的电场的介电泳力来对准，并且电极线可以与分离部分ROP分离以形成相应的电极RME。
在附图中，示出了其中电极RME在子区域SA的分离部分ROP中彼此间隔开的结构，但是该结构不限于此。在一些实施方式中，设置在每个子像素PXn中的电极RME可以在形成于发光区域EMA中的分离部分ROP中彼此间隔开。基于发光区域EMA的分离部分ROP，电极RME可以划分为位于分离部分ROP的一侧处的一个电极组和位于分离部分ROP的另一侧处的另一电极组。
第一电极RME1可以设置在位于发光区域EMA的左侧处的第一堤部BNL1上。第二电极RME2可以在第二方向DR2上与第一电极RME1间隔开，并且可以设置在设置于发光区域EMA的右侧处的第一堤部BNL1上。
电极RME1和RME2中的每个可以在第二方向DR2上设置在第一堤部BNL1的一侧上，并且可以设置在第一堤部BNL1的倾斜侧表面上。在实施方式中，在第二方向DR2上测量的电极RME1和RME2中的每个的宽度可以小于在第二方向DR2上测量的第一堤部BNL1的宽度。电极RME1和RME2中的每个可以设置为覆盖第一堤部BNL1的至少一个侧表面，以反射从发光元件ED发射的光。电极RME之间在第二方向DR2上的距离可以比第一堤部BNL1之间的距离窄。电极RME中的每个可以具有直接设置在通孔层VIA上的至少一些区，使得它们可以设置在相同的平面上。
第一电极RME1和第二电极RME2中的每个可以连接到下面的第四导电层。
第一电极RME1和第二电极RME2中的每个可以通过形成在与第二堤部BNL2重叠的部分中的第一电极接触孔CTD和第二电极接触孔CTS直接连接到第四导电层。例如，第一电极RME1可以通过穿透第一电极RME1之下的通孔层VIA的第一电极接触孔CTD接触第一导电图案CDP。第二电极RME2可以通过穿透第二电极RME2之下的通孔层VIA的第二电极接触孔CTS接触第二电压线VL2。第一电极RME1可以通过第一导电图案CDP电连接到第一晶体管T1以施加第一功率电压，并且第二电极RME2可以电连接到第二电压线VL2以施加第二功率电压。由于第一电极RME1和第二电极RME2可以针对每个子像素Pxn分别设置，因此不同的子像素Pxn的发光元件ED可以单独发射光。
电极RME可以电连接到发光元件ED。例如，每个电极RME可以通过将在后面描述的接触电极CNE(CNE1或CNE2)连接到发光元件ED，并且可以将从第四导电层施加的电信号传输到发光元件ED。用于允许发光元件ED发射光的电信号可以直接施加到电极RME中的每个。在还包括除第一电极RME1和第二电极RME2之外的电极的实施方式中，电信号可以通过接触电极CNE和发光元件ED传输到其它电极。
电极RME中的每个可以包括具有高反射率的导电材料。例如，每个电极RME可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)或其组合的金属作为具有高反射率的导电材料，或者可以包括包括铝(Al)、镍(Ni)和镧(La)中的至少一种的合金。每个电极RME可以反射从发光元件ED发射并在每个子像素PXn的向上方向上行进到第二堤部BNL2的侧表面的光。
然而，本公开不限于此，并且每个电极RME还可以包括透明导电材料。例如，每个电极RME可以包括诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(ITZO)或其组合的材料。在一些实施方式中，电极RME中的每个可以具有其中堆叠一个或多个透明导电材料层和一个或多个具有高反射率的金属层的结构，或者可以形成为包括所述层的一个层。例如，每个电极RME可以具有ITO/Ag/ITO/、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/IZO/IZO的堆叠结构。
第一绝缘层PAS1设置在通孔层VIA和电极RME上。第一绝缘层PAS1可以设置为部分地覆盖电极RME，并且可以设置为保护电极RME并使电极RME彼此绝缘。第一绝缘层PAS1可以防止设置在其上的发光元件ED由于与其它构件直接接触而被损坏。
在实施方式中，在第一绝缘层PAS1中可以形成台阶，使得第一绝缘层PAS1的上表面的一部分凹陷于在第二方向DR2上彼此间隔开的电极RME之间。发光元件ED可以设置在形成有台阶的第一绝缘层PAS1的上表面上，并且在发光元件ED与第一绝缘层PAS1之间可以形成空间。
第一绝缘层PAS1可以设置为暴露电极RME中的每个的上表面的一部分。例如，第一绝缘层PAS1可以覆盖电极RME1和RME2中在第一堤部BNL1之间的区和设置在第一堤部BNL1的倾斜侧表面上的部分。后面将描述的接触电极CNE可以通过电极RME的由第一绝缘层PAS1暴露的部分来与电极RME接触。然而，本公开不限于此，并且在一些实施方式中，第一绝缘层PAS1可以设置为具有这样的结构，该结构具有接触部分(图22中的“CT1”和“CT2”)，以完全覆盖通孔层VIA和第一堤部BNL1上的电极RME1和RME2并暴露第一绝缘层PAS1的上表面的一部分。
第二堤部BNL2可以设置在第一堤部BNL1上。第二堤部BNL2可以包括在平面图中在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸以便以网格图案布置的部分，并且可以跨每个子像素PXn的边界布置以区分相邻的子像素PXn。
第二堤部BNL2可以具有高度。在一些实施方式中，第二堤部BNL2的上表面的高度可以高于第一堤部BNL1的高度，并且第二堤部BNL2的厚度可以等于或大于第一堤部BNL1的厚度。由于一个第一堤部BNL1可以设置于在第一方向DR1上相邻的子像素PXn中，因此第二堤部BNL2的在第二方向DR2上延伸的部分的一部分可以设置在第一堤部BNL1上。在制造显示设备10的工艺的喷墨打印工艺中，第二堤部BNL2可以防止墨水溢出到相邻的子像素PXn。第二堤部BNL2可以防止其中对于每个像素PXn可以分散不同的发光元件ED的墨水彼此混合。与第一堤部BNL1类似，第二堤部BNL2可以包括聚酰亚胺(PI)，但其材料不限于此。
发光元件ED可以布置在第一绝缘层PAS1上。发光元件ED可以包括在与衬底SUB的上表面平行的方向上布置的层。在显示设备10中，发光元件ED设置为使得其一个延伸方向可以与衬底SUB平行，并且包括在发光元件ED中的半导体层可以沿着与衬底SUB的上表面平行的方向顺序地布置。然而，本公开不限于此。在一些情况下，在发光元件ED具有不同的结构的情况下，层可以在与衬底SUB垂直的方向上布置。
发光元件ED可以布置为沿着电极RME可以在其中延伸的第一方向DR1彼此间隔开，并且可以基本上彼此平行地对准。发光元件ED可以具有在一个方向上延伸的形状，并且电极RME中的每个在其中延伸的方向可以基本上与发光元件ED在其中延伸的方向垂直。然而，本公开不限于此，并且发光元件ED可以在电极RME中的每个在其中延伸的方向上倾斜地设置。
发光元件ED可以包括半导体层并且可以与后面将描述的接触电极CNE1和CNE2接触。在发光元件ED中，在一个方向上延伸的发光元件ED的端表面上可以不形成绝缘膜(图8中的“38”)，并且可以暴露半导体层的一部分，使得暴露的半导体层可以与接触电极CNE接触。此外，在根据实施方式的显示设备10中，可以去除位于发光元件ED的侧表面上的绝缘层38的一部分，并且接触电极CNE的一部分可以连接到发光元件ED的侧表面。发光元件ED中的每个可以通过接触电极CNE电连接到第一电极RME或在通孔层VIA之下的导电层，并且可以通过施加电信号来发射特定波长带的光。
布置在每个子像素PXn中的发光元件ED可以根据构成半导体层的材料发射不同波长带的光。然而，本公开不限于此，并且布置在每个子像素PXn中的发光元件ED可以发射相同颜色的光。发光元件ED可以包括掺杂有不同导电类型的掺杂剂的半导体层，并且可以被对准，使得发光元件ED的一端根据在电极RME上产生的电场的方向面向特定方向。
发光元件ED可以具有比第一电极RME1与第二电极RME2之间的距离更长的延伸长度，并且其端可以分别放置在第一电极RME1和第二电极RME2上。发光元件ED可以包括半导体层，并且可以基于半导体层中的任一个来限定第一端以及与第一端相对的第二端。发光元件ED可以设置为使得第一端和第二端分别设置在第一电极RME1和第二电极RME2上。然而，本公开不限于此，并且发光元件ED中的一些可以设置为使得根据在第一电极RME1和第二电极RME2之间取向的方向，仅一个端放置在电极RME1和RME2上。
第二绝缘层PAS2可以设置在发光元件ED上。例如，第二绝缘层PAS2可以设置为部分地围绕发光元件ED的外表面，而不覆盖发光元件ED的一端和另一端。在平面图中，第二绝缘层PAS2的一部分(设置在发光元件ED上的部分)可以设置为在第一绝缘层PAS1上在第一方向DR1上延伸，从而在每个子像素PXn中形成线性或岛状图案。在制造显示设备10的工艺中，第二绝缘层PAS2可以保护发光元件ED并固定发光元件ED。此外，可以设置第二绝缘层PAS2来填充发光元件ED与在发光元件ED之下的第一绝缘层PAS1之间的空间。
接触电极CNE可以布置在发光元件ED和第二绝缘层PAS2上。接触电极CNE可以设置在电极RME1和RME2中的每个上，以接触发光元件ED的端和电极RME中的任一个。
例如，接触电极CNE可以在第一方向DR1上延伸，并且可以设置在发光区域EMA中。第一接触电极CNE1可以设置在第一电极RME1上并在第一方向DR1上延伸，第二接触电极CNE2可以设置在第二电极RME2上并在第一方向DR1上延伸。在平面图中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以在发光元件ED上在第二方向DR2上彼此间隔开。第一接触电极CNE1可以与第一电极RME1和发光元件ED的第一端接触，并且第二接触电极CNE2可以与第二电极RME2和发光元件ED的第二端接触。发光元件ED可以通过第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2接收施加到电极RME的电信号，以发射特定波长带的光。
接触电极CNE可以包括导电材料。例如，接触电极CNE可以包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)或其组合。例如，接触电极CNE可以包括透明导电材料，并且从发光元件ED发射的光可以穿过接触电极CNE并朝向电极RME传播。然而，本公开不限于此。
第三绝缘层PAS3可以设置在第一接触电极CNE1与第二接触电极CNE2之间。第二接触电极CNE2可以直接设置在第二绝缘层PAS2上，并且第三绝缘层PAS3可以设置为覆盖第二绝缘层PAS2和第二接触电极CNE2。第三绝缘层PAS3可以设置在第二接触电极CNE2上，并且可以完全设置在除了其中设置有第一接触电极CNE1的区域之外的通孔层VIA上。例如，除了第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2之外，第三绝缘层PAS3还可以设置在第一堤部BNL1和第二堤部BNL2上。第三绝缘层PAS3可以使第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2彼此绝缘，以防止第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2彼此直接接触。
第四绝缘层PAS4可以设置在第一接触电极CNE1和第三绝缘层PAS3上。第四绝缘层PAS4可以基本上完全设置在通孔层VIA上，并且可以起到保护设置在衬底SUB上的构件不受外部环境影响的作用。
如上所述的第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4中的每个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。然而，本公开不限于此。
在根据实施方式的显示设备10中，设置在通孔层VIA上的层可以包括图案部分，该图案部分包括多个凹入部分和凸出部分。包括在层中的图案部分可以通过设置在第一堤部BNL1的侧表面上的第一图案部分GP1形成，并且可以散射从发光元件ED发射的光。
图5是图4中的A部分的放大示意图。图6是示意性地示出根据实施方式的从显示设备的发光元件发射的光的路径的示意性剖视图。
图7是示出图6的光在多层中传播的示意图。图5示出了第一堤部BNL1的第一图案部分GP1的形状以及形成在设置在第一图案部分GP1上的层上的图案部分的形状，以及图6和图7示意性地示出了从发光元件ED发射的光被多个图案部分散射的情况。
结合图1和图4参照图5至图7，在根据实施方式的显示设备10中，第一堤部BNL1可以包括设置在其倾斜侧表面上的第一图案部分GP1。第一堤部BNL1的第一图案部分GP1可以包括多个凹入部分和凸出部分。第一图案部分GP1的凹入部分可以是朝向第一堤部BNL1的下表面凹进的部分，并且第一图案部分GP1的凸出部分可以是朝向与第一堤部BNL1的下表面相反的方向或其倾斜侧表面的向上方向突出的部分。凹入部分和凸出部分可以形成在第一堤部BNL1的倾斜侧表面上，并且第一堤部BNL1的上表面，即设置有第二堤部BNL2的部分，可以形成平坦表面。设置于在第二方向DR2上面向彼此的第一堤部BNL1的侧表面上的第一图案部分GP1可以面向彼此。
在第一图案部分GP1中，凹入部分和凸出部分可以彼此交替地重复布置。尽管在剖视图中示出第一图案部分GP1的凹入部分和凸出部分沿着第一堤部BNL1的侧表面交替地布置，但是凹入部分和凸出部分可以具有在与第一堤部BNL1的倾斜侧表面在其中延伸的方向相同的方向上延伸的形状。例如，相应的凹入部分和凸出部分可以在第一方向DR1上延伸以具有线性形状。凹入部分和凸出部分可以彼此连接并且彼此相邻地布置，并且凹入部分和凸出部分中的每个的宽度可以限定为相邻的凹入部分之间的间隔或相邻的凸出部分之间的间隔。根据实施方式，在第一堤部BNL1的第一图案部分GP1中，凹入部分和凸出部分可以形成为具有相同的宽度。然而，本公开不限于此，并且第一图案部分GP1的凹入部分和凸出部分可以具有不同的宽度并且可以不规则地形成。
电极RME1和RME2可以设置在第一堤部BNL1上，并且其至少一部分可以直接设置在第一图案部分GP1上。电极RME1和RME2可以具有厚度并且可以设置在第一堤部BNL1的第一图案部分GP1上。根据实施方式，电极RME1和RME2可以包括第二图案部分GP2，第二图案部分GP2可以在其表面上具有与第一图案部分GP1相对应的图案形状。“表面”可以指与接触下面的图案部分的表面相对的表面，即，相应的层的上表面。例如，电极RME1和RME2中的每个的表面可以是不接触第一图案部分GP1的上表面。
电极RME1和RME2的第二图案部分GP2可以通过设置在其下表面上的第一图案部分GP1形成，并且第二图案部分GP2可以包括多个凹入部分和凸出部分，该多个凹入部分和凸出部分可以具有与第一图案部分GP1的凹入部分和凸出部分相对应的相同的形状。在电极RME1和RME2中，第二图案部分GP2可以设置在设置于第一堤部BNL1的侧表面上的表面的一部分中，并且设置在通孔层VIA和第一堤部BNL1的上表面上的部分可以形成平坦表面。形成在电极RME1和RME2的表面上的第二图案部分GP2的形状可以基本上与第一堤部BNL1的第一图案部分GP1相同。
与电极RME1和RME2类似，设置在电极RME1和RME2上的层可以包括图案部分，该图案部分可以具有通过第一堤部BNL1的第一图案部分GP1或电极RME1和RME2的第二图案部分GP2形成的多个凹入部分和凸出部分。例如，第一绝缘层PAS1可以包括设置在电极RME1和RME2的第二图案部分GP2上的第三图案部分GP3，并且在其表面上具有与第二图案部分GP2相对应的图案形状。接触电极CNE1和CNE2可以包括设置在第一绝缘层PAS1的第三图案部分GP3上的第四图案部分GP4，并且在其表面上具有与第三图案部分GP3相对应的图案形状。第三绝缘层PAS3可以包括设置在第二接触电极CNE2的第四图案部分GP4上的第五图案部分GP5，并且在其表面上具有与第四图案部分GP4相对应的图案形状。第四绝缘层PAS4可以包括设置在第三绝缘层PAS3的第五图案部分GP5上的第六图案部分GP6，并且在其表面上具有与第五图案部分GP5相对应的图案形状。
形成在设置在第一堤部BNL1上的层上的第二图案部分GP2、第三图案部分GP3、第四图案部分GP4、第五图案部分GP5和第六图案部分GP6可以具有与第一堤部BNL1的第一图案部分GP1的凹入部分和凸出部分相对应的图案形状。层中的每个形成为具有厚度，并且可以具有形成在与下表面的台阶或者凹入部分和凸出部分的形状相对应的表面上的图案形状。设置在第一堤部BNL1上的层的图案部分GP2、GP3、GP4、GP5和GP6可以包括与第一图案部分GP1的凹入部分和凸出部分具有相同形状的凹入部分和凸出部分，并且设置在第一堤部BNL1的倾斜侧表面上的部分可以形成弯曲的外表面。
另一方面，通孔层VIA和第一堤部BNL1的上表面可以具有平坦表面，因为在其上表面上可以不形成凹入部分和凸出部分。层中的设置在通孔层VIA和第一堤部BNL1的上表面上的部分可以具有如设置在其下的通孔层VIA和第一堤部BNL1的上表面一样的平坦表面。
由发光元件ED产生的光可以无方向地传播，并且光的一部分可以通过发光元件ED的端发射。由于发光元件ED可以设置在第一堤部BNL1之间，因此从发光元件ED的端发射的光可以朝向第一堤部BNL1的倾斜侧表面传播。光可以从设置在第一堤部BNL1的侧表面上的电极RME1和RME2反射并向上传播，并且反射光的传播路径可以根据可以反射光的电极RME1和RME2的表面的形状而变化。
根据实施方式的显示设备10可以包括具有与第一堤部BNL1的第一图案部分GP1相对应的图案形状的多个图案部分，并且因此从发光元件ED发射的光可以在向上的方向上反射并且在横向方向上散射。例如，从发光元件ED发射的光L1可以从设置在第一堤部BNL1的第一图案部分GP1上的电极RME1和RME2的第二图案部分GP2反射。由于电极RME1和RME2的第二图案部分GP2可以具有包括多个凹入部分和多个凸出部分的弯曲的表面，因此其中从发光元件ED发射的光可以反射和传播的方向可以变化。
从电极RME1和RME2的第二图案部分GP2反射的光的一部分可以反射到电极RME1和RME2的设置在通孔层VIA上的部分，该部分具有一个平坦表面。该光可以再次从电极RME1和RME2的平坦表面反射，并且可以在通孔层VIA向上方向上传播。相反，从电极RME1和RME2的第二图案部分GP2反射的光的另一部分可以朝向第一绝缘层PAS1的第三图案部分GP3反射，并且入射在第三图案部分GP3上的光可以被第三图案部分GP3折射，并且可以入射在接触电极CNE1和CNE2的第四图案部分GP4上。
在实施方式中，第一图案部分GP1的凹入部分和凸出部分可以具有弯曲的外表面。根据第一堤部BNL1的第一图案部分GP1的凹入部分和凸出部分的形状，可以确定电极RME1和RME2的第二图案部分GP2的凹入部分和凸出部分的形状。由于凹入部分和凸出部分的外表面可以具有弯曲的形状，因此从发光元件ED发射和从第二图案部分GP2反射的光可以在凹入部分和凸出部分中均匀地折射或反射。因此，电极RME1和RME2的第二图案部分GP2具有均匀地散射从发光元件ED发射的光的效应。
显示设备10的接触电极CNE1和CNE2可以包括与第一绝缘层PAS1、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4不同的材料，并且可以具有不同的折射率。在接触电极CNE1和CNE2中，例如，第二接触电极CNE2的第四图案部分GP4可以形成在与第三绝缘层PAS3的界面处，并且入射在第四图案部分GP4上的光可以根据第二接触电极CNE2与第三绝缘层PAS3之间的折射率差而折射或反射。尽管在附图中未示出，但是在第一接触电极CNE1的情况下，第一接触电极CNE1的第四图案部分GP4可以形成在与第四绝缘层PAS4的界面处，并且入射在第四图案部分GP4上的光可以根据第一接触电极CNE1与第四绝缘层PAS4之间的折射率差而折射或反射。从具有高折射率的层入射到具有低折射率的层的光可以根据其入射角被全反射。根据实施方式，接触电极CNE1和CNE2可以包括具有比第一绝缘层PAS1、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4高的折射率的材料。例如，第三绝缘层PAS3的折射率可以小于第二接触电极CNE2的折射率，并且第四绝缘层PAS4的折射率可以小于第一接触电极CNE1的折射率。入射在第四图案部分GP4上的光的一部分可以被第三绝缘层PAS3或第四绝缘层PAS4折射，并且其另一部分可以被第一绝缘层PAS1反射。从接触电极CNE1和CNE2折射到第三绝缘层PAS3或第四绝缘层PAS4的光可以通过第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4发射到外部(参照图7中的“L1_R”)。在设置有第二接触电极CNE2的一侧中，第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4可以包括基本上相同的材料，使得它们之间的折射率差可以很小，并且入射在设置在第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4之间的界面处的第五图案部分GP5上的光可以在不反射的情况下发射。
另一方面，在入射到第四图案部分GP4上的光中，由第一绝缘层PAS1反射的光可以入射到第三图案部分GP3上，第三图案部分GP3可以是第一绝缘层PAS1与接触电极CNE1和CNE2之间的界面。任何光都可以从第三图案部分GP3反射到各自具有大折射率的接触电极CNE1和CNE2，并且可以再次入射到第四图案部分GP4上。
这样，从发光元件ED发射的光可以从电极RME1和RME2的第二图案部分GP2反射并反射到电极RME1和RME2的其它部分，或者入射到第一绝缘层PAS1的第三图案部分GP3上。第二图案部分GP2可以包括凹入部分和凸出部分，以反射从发光元件ED发射的在各个方向上的光。入射在第一绝缘层PAS1的第三图案部分GP3上的光可以入射在接触电极CNE1和CNE2上，并且可以被第四图案部分GP4和第三图案部分GP3重复地折射和反射。从发光元件ED发射的光的一部分可以在接触电极CNE1和CNE2内在横向方向而不是向上的方向上传播。特别地，由于电极RME1和RME2的第二图案部分GP2可以包括凹入部分和凸出部分，因此从发光元件ED发射的光可以散射，使得朝向发光元件ED的两端或横向表面折射并且在接触电极CNE1和CNE2内移动的光的量可以增加。
在显示设备10中，即使在从发光元件ED发射的光朝向特定方向传播的情况下，光也可以被电极RME1和RME2的第二图案部分GP2以及具有不同的折射率的层(例如，接触电极CNE1和CNE2以及第一绝缘层PAS1的图案部分GP3和GP4)在各个方向上散射。因此，在显示设备10中，即使在发光区域EMA中的其中不布置有发光元件ED的区域中也可以发射光，使得可以提高从发光元件ED发射的光的发光效率和侧可视性。
在第一堤部BNL1的第一图案部分GP1中，图案高度GH可以由凹入部分与凸出部分之间的高度差来限定。例如，第一图案部分GP1的图案高度GH可以计算为连接凹入部分的最下端的延长线与连接凸出部分的最上端的延长线之间的垂直距离。第一图案部分GP1的图案高度GH可以等于设置在第一图案部分GP1上的其它层的图案部分中的每个的图案高度。从发光元件ED发射的光的散射程度可以根据第一图案部分GP1的图案高度GH而变化。根据实施方式，第一图案部分GP1的图案高度GH可以具有从发光元件ED发射的光的波长的一半(λ/2)或更多的尺寸。在第一图案部分GP1的图案高度GH小于从发光元件ED发射的光的波长的一半(λ/2)的情况下，反射光的量可以大于散射光的量。为了使电极RME1和RME2的第二图案部分GP2中的光的散射效应最大化，第一图案部分GP1的图案高度GH可以是从发光元件ED发射的光的波长的一半(λ/2)或更多。
在第一堤部BNL1中，可以限定其上可以设置第一图案部分GP1的侧表面的第一倾角θ。第一图案部分GP1的第一倾角θ可以限定为通孔层VIA的上表面或第一堤部BNL1的下表面与连接第一图案部分GP1的凹入部分或凸出部分彼此接触的部分的延长线之间的倾角。在其它实施方式中，第一倾角θ也可以限定为连接凹入部分的最下端的延长线或连接凸出部分的最上端的延长线与第一堤部BNL1的下表面之间的倾角。
在第一堤部BNL1中，除了第一图案部分GP1之外，可以调节第一倾角θ以有效地散射从发光元件ED发射的光。从发光元件ED发射并入射到电极RME1和RME2的第二图案部分GP2上的光的入射角可以根据第一倾角θ的大小而变化，这可以影响光在横向方向上的散射。在实施方式中，第一堤部BNL1的第一倾角θ可以具有约40°至约80°的范围。由于第一堤部BNL1具有在上述范围内的第一倾角θ，在从发光元件ED的两端发射的光中，在横向方向上散射并且在接触电极CNE1和CNE2内传播的光的量可以增加。
图8是根据实施方式的发光元件的示意图。
参照图8，发光元件ED可以是发光二极管。具体地，发光元件ED可以是具有微米或纳米的尺寸的无机发光二极管，并且由无机材料制成。在面向彼此的两个电极之间在一方向上形成电场的情况下，有机发光二极管可以在具有极性的两个电极之间对准。
发光元件ED可以具有在一方向上延伸的形状。发光元件ED可以具有圆柱体、杆、线或管的形状。然而，发光元件ED的形状不限于此，并且发光元件ED可以具有诸如立方体、长方体和六边形柱的各种形状，或者可以具有在一方向上延伸并具有部分倾斜的外表面的形状。
发光元件ED可以包括掺杂有任何导电类型(例如，p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以接收从外部功率源施加的电信号并发射特定波长带的光。发光元件ED可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。
第一半导体层31可以是n型半导体。第一半导体层31可以包括具有AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料。例如，第一半导体层31可以包括各自掺杂有n型杂质的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。掺杂在第一半导体层31中的n型掺杂剂可以是Si、Ge、Sn和Se中的至少一种。
第二半导体层32可以设置在第一半导体层31上，其中发光层36插置在第二半导体层32与第一半导体层31之间。第二半导体层32可以是p型半导体。第二半导体层32可以包括具有AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料。例如，第二半导体层32可以包括各自掺杂有p型杂质的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。掺杂在第二半导体层32中的p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca和Ba中的至少一种。
尽管在图8中示出第一半导体层31和第二半导体层32中的每个可以形成为一个层，但是本公开不限于此。第一半导体层31和第二半导体层32中的每个还可以包括更多数量的层，例如，根据发光层36的材料的覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。
发光层36可以设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包括单量子阱结构或多量子阱结构的材料。在发光层36包括多量子阱结构的材料的情况下，发光层36可以具有其中量子层和阱层交替地堆叠的结构。根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号，发光层36可以通过电子-空穴对的复合发射光。发光层36可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。特别地，在发光层36具有其中量子层和阱层交替地堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，并且阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。
发光层36可以具有其中具有高带隙能量的半导体材料和具有低带隙能量的半导体材料可以交替地堆叠的结构，并且可以包括根据光的波长带的其它3族到5族半导体材料。从发光层36发射的光不限于蓝色波长带的光，并且在一些情况下，发光层36可以发射红色或绿色波长带的光。
电极层37可以是欧姆接触电极。然而，本公开不限于此，并且电极层37可以是肖特基接触电极。发光元件ED可以包括至少一个电极层37。发光元件ED可以包括至少一个或多个电极层，但是本公开不限于此，并且可以省略电极层37。
在发光元件ED电连接到显示设备10中的电极或接触电极的情况下，电极层37可以减小发光元件ED与电极或接触电极之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。例如，电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)中的至少一种。
绝缘膜38可以设置为围绕上述半导体层和电极层的外表面。例如，绝缘膜38可以设置为至少围绕发光层36的外表面，并且可以形成为使得发光元件ED在长度方向上的端可以暴露。此外，绝缘膜38可形成为在与发光元件ED的至少一端相邻的区域中具有剖面圆形的上表面。
绝缘膜38可以包括具有绝缘特性的材料，例如，硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氮化物(AlNx)、铝氧化物(AlOx)或其组合。尽管在附图中示出绝缘层38形成为单层，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，绝缘膜38可以被形成为具有其中多个层堆叠的多层结构。
绝缘膜38可以执行保护构件的功能。在发光层36与可以通过其将电信号传输到发光元件ED的电极直接接触的情况下，绝缘膜38可以防止在发光层36中可能出现的电短路。此外，绝缘膜38可以防止发光元件ED的发光效率的劣化。
此外，绝缘膜38的外表面可以进行表面处理。发光元件ED可以通过以其中它们分散在墨水中的状态被喷涂到电极上来对准。这里，绝缘膜38的表面可以进行疏水或亲水处理，以便将发光元件ED保持在分散状态，而不与墨水中的其它相邻的发光元件ED聚集。
在下文中，将参照附加的附图描述制造显示设备10(参照图1)的工艺。
图9至图15是示出根据实施方式的制造显示设备的工艺的示意性剖视图。
首先，参照图9，可以制备衬底SUB，并且可以在衬底SUB上形成电路层CCL(参照图24)以及通孔层VIA，电路层CCL包括导电层和绝缘层。由于对电路层CCL和通孔层VIA的布置的描述可以与上面描述的相同，因此将省略其细节。
参照图10至图12，可以在通孔层VIA上形成包括第一图案部分GP1的第一堤部BNL1。形成第一堤部BNL1的工艺可以通过在通孔层VIA上形成由构成第一堤部BNL1的材料制成的堤部层BN并部分地图案化堤部层BN来执行。在实施方式中，在图案化堤部层BN的工艺期间，形成在第一堤部BNL1的倾斜侧表面上的第一图案部分GP1的形状可以根据在曝光工艺期间施加的光hv的频率和强度而改变。
如图11中所示，在图案化堤部层BN的工艺中，堤部层BN的一部分可以使用掩模用光hv照射。根据实施方式，可以通过使用具有短波长的光源的曝光装置来执行堤部层BN的曝光工艺。在施加到堤部层BN的光hv具有短波长的情况下，施加到堤部层BN的入射光和从在堤部层BN之下的层反射的反射光可能引起光干涉。由于入射光和反射光的干涉，可以在堤部层BN中形成驻波。根据驻波的波形，施加到堤部层BN的光的强度可以根据位置而变化，并且堤部层BN的显影速度可以变化。因此，在通过图案化堤部层BN形成的第一堤部BNL1中，根据显影速度的不同，可以在第一堤部BNL1的倾斜侧表面上形成多个凹入部分和多个凸出部分。形成在第一堤部BNL1中的第一图案部分GP1的图案高度GH以及凹入部分和凸出部分的周期可以根据在曝光工艺中施加的短波长光的强度和频率而变化。在短波长光的强度增加的情况下，凹入部分和凸出部分的深度可以增加，使得第一图案部分GP1的图案高度GH可以增加。在短波长光的频率增加的情况下，第一图案部分GP1的弯曲随着凹入部分和凸出部分的宽度减小而增加，使得光散射可以增加。根据实施方式，可以通过在制造显示设备10(参照图1)的工艺期间在曝光工艺中施加的光的强度和频率来调节形成在第一堤部BNL1中的第一图案部分GP1的弯曲周期和图案高度GH，并且可以优化有效光散射可能需要的第一图案部分GP1的弯曲。
参照图13和图14，可以在第一堤部BNL1上形成电极RME1和RME2、第一绝缘层PAS1和第二堤部BNL2，并且可以在第一绝缘层PAS1上设置发光元件ED。在实施方式中，以分散在墨水中的状态制备发光元件ED，并且可以通过喷墨打印工艺将墨水喷涂到每个发光区域EMA。第二堤部BNL2可以防止墨水溢出到另一相邻的子像素PXn的发光区域EMA中。在墨水被喷涂到发光区域EMA的情况下，对准信号可以被施加到电极RME1和RME2中的每个以在电极RME1和RME2上产生电场。由于分散在墨水中的发光元件ED通过电场接收介电泳力，其位置和取向方向改变，并且同时发光元件ED的端可以设置在不同的电极RME1和RME2上。
参照图15，可以在发光元件ED上形成第二绝缘层PAS2、接触电极CNE1和CNE2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4以制造显示设备10(参照图1)。
通过以上工艺，可以制造根据实施方式的显示设备10(参照图1)。在制造显示设备10的工艺中，在形成第一堤部BNL1的工艺期间，可以通过使用用于图案化堤部层BN的曝光装置的光源作为短波长光源来形成第一堤部BNL1的第一图案部分GP1。可以通过从短波长光源发射的光的强度和频率来优化第一图案部分GP1的弯曲周期和图案高度GH。在根据实施方式的显示设备10中，从发光元件ED发射的光被多个图案部分散射，使得可以提高发光效率和侧可视性。
在下文中，将参照附加的附图描述显示设备10(参照图1)的各种实施方式。
图16是示出根据另一实施方式的显示设备的像素的示意性平面图。图17是图16中的B部分的放大示意图。图17示意性地示出了可以设置在第三子像素PX3中的发光元件ED_R和第一堤部BNL1_1的第一图案部分GP1_1。
参照图16和图17，根据实施方式的显示设备10_1可以包括用于每个子像素PXn的不同的发光元件ED(ED_B、ED_G和ED_R)，并且每个发光元件ED可以发射具有不同的中心波长带的光。因此，形成在第一堤部BNL1_1的倾斜侧表面上的第一图案部分GP1_1的图案高度GH可以变化。
在显示设备10_1中，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以分别设置有用于发射不同颜色的光的发光元件ED(ED_B、ED_G和ED_R)。例如，第一子像素PX1可以设置有用于发射蓝光的第一发光元件ED_B，第二子像素PX2可以设置有用于发射绿光的第二发光元件ED_G，并且第三子像素PX3可以设置有用于发射红光的第三发光元件ED_R。根据从发光元件ED发射的光，在每个子像素PXn中可以发射彼此不同颜色的光。
如上所述，为了改善光散射效应，第一堤部BNL1_1的第一图案部分GP1_1的图案高度GH可以根据从发光元件ED发射的光的波长λ而变化。第一发光元件ED_B可以发射蓝光，第三发光元件ED_R可以发射红光，并且从第三发光元件ED_R发射的光的波长(λ)可以长于从其它发光元件ED_B和ED_G发射的光的波长。
无论设置在相应的子像素PXn中的发光元件ED的类型如何，第一堤部BNL1_1的第一图案部分GP1_1的图案高度GH可以基于从第三发光元件ED_R发射的光的波长来调整。根据实施方式，在设置在相应的子像素PXn中的第一堤部BNL1_1中，第一图案部分GP1_1的图案高度GH可以是从第三发光元件ED_R发射的光的波长的一半(λ/2)或更多。在一些实施方式中，第一发光元件ED_B可以发射具有从约450nm至约492nm的范围的中心波长带的光，第二发光元件ED_G可以发射具有从约490nm至约577nm的范围的中心波长带的光，并且第三发光元件ED_R可以发射具有从约600nm至约780nm的范围的中心波长带的光。因此，第一图案部分GP1_1的图案高度GH可以是约390nm或更大。
在第一图案部分GP1_1的图案高度GH是从发光元件ED发射的光的波长的一半(λ/2)或更多的情况下，光散射效应可以最大化。在其中子像素PXn分别包括不同类型的发光元件ED的实施方式中，可以基于第三发光元件ED_R来调整第一堤部BNL1_1的第一图案部分GP1_1的图案高度GH，第三发光元件ED_R可以是具有最长的发射光波长的发光元件ED。在根据实施方式的显示设备10_1中，子像素PXn分别包括不同类型的发光元件ED，但是可以通过调整第一堤部BNL1_1的第一图案部分GP1_1的图案高度GH来改善光散射效应。
图18是示出根据另一实施方式的显示设备的像素的示意性平面图。图19是图18中的C部分和D部分的放大示意图。图19示意性地示出了设置在第一子像素PX1和第三子像素PX3中的发光元件ED_B和ED_R以及第一堤部BNL1_2的第一图案部分GP1_B和GP1_R。
参照图18和图19，在根据实施方式的显示设备10_2中，根据从发光元件ED发射的光的中心波长带，设置在相应的子像素PXn中的第一堤部BNL1_2的第一图案部分的图案高度可以彼此不同。如上所述，显示设备10_2可以包括针对每个子像素PXn发射不同波长的光的发光元件ED(ED_B、ED_G和ED_R)，并且因此，相应的子像素PXn的第一堤部BNL1_2的第一图案部分的图案高度可以彼此不同。
以说明第一子像素PX1和第三子像素PX3作为示例，设置在第一子像素PX1中的第一发光元件ED_B可以发射蓝光，并且设置在第三子像素PX3中的第三发光元件ED_R可以发射红光。第一子像素PX1的第一堤部BNL1_B的第一图案部分GP1_B的图案高度GH_B可以小于第三子像素PX3的第一堤部BNL1_R的第一图案部分GP1_R的图案高度GH_R。尽管在附图中未示出，但是第二子像素PX2的第一堤部的第一图案部分的图案高度可以大于第一子像素PX1的第一图案部分GP1_B的图案高度，但是可以小于第三子像素PX3的第一图案部分GP1_R的图案高度。
在实施方式中，设置在第一子像素PX1中的第一堤部BNL1_B的第一图案部分GP1_B可以具有约246nm或更大的图案高度GH_B，设置在第二子像素PX2中的第一堤部的第一图案部分可以具有约288nm或更大的图案高度，并且设置在第三子像素PX3中的第一堤部BNL1_R的第一图案部分GP1_R可以具有约390nm或更大的图案高度GH_R。在显示设备10_2中，子像素PXn分别设置有不同类型的发光元件ED和第一堤部BNL1_2，并且因此可以根据相应的子像素PXn改善光散射效应。
图20是示出根据另一实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。
参照图20，在根据实施方式的显示设备10_3中，通孔层VIA和第一堤部BNL1_3可以彼此集成。如上所述，通孔层VIA和第一堤部BNL1_3可以包括相同的材料，并且可以彼此集成以形成一个层。通孔层VIA可以与第一堤部BNL1_3集成在一起并因此被省略，并且第一堤部BNL1_3可以直接设置在第四导电层和第二层间绝缘层IL2上。
第一堤部BNL1_3可以设置在第四导电层上，以具有其中其上表面的一部分部分凹进的形状。第一堤部BNL1_3的凹进部分可以具有倾斜侧表面，并且第一堤部BNL1_3可以包括设置在倾斜侧表面上的第一图案部分GP1。第一堤部BNL1_3的第一图案部分GP1可以分别设置在凹进部分的两个侧表面上。
电极RME1和RME2可以设置在第一堤部BNL1_3上，但是可以在第一堤部BNL1_3的凹进部分内彼此间隔开。第一电极RME1可以设置为覆盖第一堤部BNL1_3的第一图案部分GP1中的任何一个，并且第二电极RME2可以设置为覆盖第一堤部BNL1_3的第一图案部分GP1中的其它部分。该实施方式的不同之处可以在于，通孔层VIA与第一堤部BNL1_3集成在一起。其它元件可以与上述元件相同。
图21是示出根据另一实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。
参照图21，在根据实施方式的显示设备10_4中，第一绝缘层PAS1_4可以完全设置在第一堤部BNL1和通孔层VIA上。在显示设备10_4中，第一绝缘层PAS1_4甚至可以设置在第一堤部BNL1与第二堤部BNL2之间，并且可以覆盖在第二堤部BNL2之下的电极RME1和RME2。由于第一绝缘层PAS1_4甚至设置在第二堤部BNL2与通孔层VIA之间，因此第一电极RME1和第二电极RME2的部分(设置在第二堤部BNL2之下的部分)可以被第一绝缘层PAS1_4覆盖。由于第一绝缘层PAS1_4可以设置在更大的区域中，因此电极RME1和RME2与第一绝缘层PAS1_4之间的界面可以增加，并且可以进一步改善从发光元件ED发射的光的侧散射效应。
图22是示出根据另一实施方式的显示设备的子像素的示意性平面图。图23是沿着图22的线Q4-Q4’截取的剖视图。图24是沿着图22的线Q5-Q5’截取的示意性剖视图。图23示出了跨设置在发光区域EMA中的发光元件ED的端的剖面，并且图24示出了接触部分CT1和CT2的剖面。
参照图22至图24，在根据实施方式的显示设备10_5中，第一绝缘层PAS1_5可以包括接触部分CT1和CT2，其在子区域SA中暴露电极RME1和RME2的上表面的一部分。与图21的实施方式不同，在显示设备10_5中，电极RME1和RME2的上表面的暴露的部分可以形成为在第一方向上与设置发光元件ED的区域间隔开。在显示设备10_5中，第一绝缘层PAS1_5可以包括接触部分CT1和CT2，以在发光区域EMA中覆盖电极RME1和RME2的上表面并且在子区域SA中暴露电极RME1和RME2的上表面的一部分。
接触电极CNE1_5和CNE2_5可以设置在发光区域EMA和子区域SA中。接触电极CNE1_5和CNE2_5可以通过第一绝缘层PAS1_5的设置在子区域SA中以暴露电极RME1和RME2的上表面的一部分的接触部分CT1和CT2与电极RME1和RME2中的至少一个接触。接触电极CNE1_5和CNE2_5的一部分(设置在发光区域EMA中的部分)可以与发光元件ED接触，并且设置在子区域SA中的部分可以通过接触部分CT1和CT2与电极RME1和RME2接触。接触电极CNE1_5和CNE2_5可以部分地设置在发光区域EMA和子区域SA之间的第二堤部BNL2上。
第一接触电极CNE1_5和第二接触电极CNE2_5可以分别设置在第一电极RME1和第二电极RME2上。第一接触电极CNE1_5和第二接触电极CNE2_5中的每个可以具有在第一方向DR1上延伸的形状，并且可以在每个子像素PXn(参照图2)的发光区域EMA中形成线性图案。第一接触电极CNE1_5可以通过在子区域SA中暴露第一电极RME1的上表面的第一接触部分CT1与第一电极RME1接触，并且第二接触电极CNE2_5可以通过在子区域SA中暴露第二电极RME2的上表面的第二接触部分CT2与第二电极RME2_1接触。
因此，从发光元件ED发射并入射到接触电极CNE1_5和CNE2_5上的光可以于在第一绝缘层PAS1_5和第三绝缘层PAS3之间反射的同时散射。在第一绝缘层PAS1_5在发光区域EMA中部分地暴露电极RME1和RME2的情况下，在接触电极CNE1_5和CNE2_5内传播的光的一部分可以从电极RME1和RME2反射。相反，在根据本实施方式的显示设备10_5中，第一绝缘层PAS1_5设置为在发光区域EMA中完全覆盖电极RME1和RME2，使得可以进一步改善接触电极CNE1_5和CNE2_5、第一绝缘层PAS1_5和第三绝缘层PAS3的光散射效应。
在根据实施方式的显示设备中，即使在从发光元件发射的光朝向特定方向传播的情况下，光也可以通过电极的图案部分和具有不同的折射率的层的图案部分在各个方向上散射。因此，即使在发光区域内不设置发光元件的区域中也可以发射光，从而可以提高从发光元件发射的光的发光效率和侧可视性。
在结束详细描述时，本领域的技术人员将理解的是，在基本上不背离本公开的原理的情况下，可以对实施方式进行许多变化和修改。因此，所公开的本公开的实施方式仅用于一般性和描述性含义，而不是出于限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
第一堤部，设置在衬底上并且彼此间隔开；
第一电极和第二电极，设置在所述第一堤部上并且彼此间隔开；
第一绝缘层，设置在所述第一电极和所述第二电极上；以及
发光元件，设置在所述第一绝缘层上，并且各自具有在所述第一电极和所述第二电极上的端，其中
所述第一堤部中的每个包括第一图案部分，所述第一图案部分包括凹入部分和凸出部分，
所述第一堤部的所述第一图案部分设置在所述第一堤部的侧表面上，所述侧表面间隔开并且面向彼此，以及
所述第一电极和所述第二电极中的每个包括第二图案部分，所述第二图案部分设置在所述第一图案部分上并且在所述第二图案部分的表面上具有与所述第一图案部分相对应的图案形状。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一绝缘层包括第三图案部分，所述第三图案部分设置在所述第一电极和所述第二电极中的每个的所述第二图案部分上并且在所述第三图案部分的表面上具有与所述第二图案部分相对应的图案形状。
3.根据权利要求2所述的显示设备，还包括：
第一接触电极，设置在所述第一电极上并接触所述第一电极和所述发光元件中的一个的所述端中的一个；以及
第二接触电极，在所述第二电极上，以接触所述第二电极和所述发光元件中的所述一个的所述端中的另一个，
其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极中的每个包括第四图案部分，所述第四图案部分设置在所述第三图案部分上并且在所述第四图案部分的表面上具有与所述第三图案部分相对应的图案形状。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一绝缘层具有比所述第一接触电极的折射率和所述第二接触电极的折射率中的每个小的折射率。
5.根据权利要求3所述的显示设备，还包括：
第二绝缘层，在所述发光元件上；以及
第三绝缘层，在所述第二绝缘层和所述第二接触电极上，
其中，所述第一接触电极在所述第三绝缘层上。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，
所述第三绝缘层包括第五图案部分，所述第五图案部分设置在所述第二接触电极的所述第四图案部分上并且具有与所述第四图案部分相对应的图案形状，以及
所述第三绝缘层具有比所述第二接触电极的折射率小的折射率。
7.根据权利要求5所述的显示设备，还包括：
第四绝缘层，在所述第三绝缘层和所述第一接触电极上，
其中，所述第四绝缘层具有比所述第一接触电极的折射率小的折射率。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一图案部分的所述凹入部分和所述凸出部分中的每个的外表面具有弯曲的形状。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一图案部分具有为从所述发光元件发射的光的波长的一半或更多的图案高度，所述图案高度限定为连接所述凹入部分的最下端的虚拟延长线与连接所述凸出部分的最上端的虚拟延长线之间的垂直距离。
10.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
通孔层，在所述衬底与所述第一堤部之间。
11.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
第二堤部，设置在所述第一堤部上并围绕其中布置有所述发光元件的发光区域。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，
所述第二堤部围绕与所述发光区域间隔开并且不包括所述发光元件的子区域，以及
所述第一绝缘层在所述发光区域中覆盖所述第一电极、所述第二电极和所述第一堤部。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，
所述第一绝缘层包括：
第一接触部分，在所述子区域中暴露所述第一电极的上表面的一部分；以及
第二接触部分，在所述子区域中暴露所述第二电极的上表面的一部分，以及
所述显示设备还包括：
第一接触电极，设置在所述第一电极上并且接触所述发光元件中的一个的所述端中的一个和通过所述第一接触部分暴露的所述第一电极；以及
第二接触电极，设置在所述第二电极上并且接触所述发光元件中的所述一个的所述端中的另一个和通过所述第二接触部分暴露的所述第二电极。
14.一种显示设备，包括：
子像素，包括发光区域并在一方向上布置；
第一堤部，设置于在所述方向上相邻的所述子像素中并且在所述发光区域中在所述方向上彼此间隔开；
第一电极和第二电极，在所述子像素的所述发光区域中设置在所述第一堤部上并且在所述方向上彼此间隔开；
第一绝缘层，设置在所述第一电极和所述第二电极上；以及
发光元件，设置在所述第一绝缘层上，并且各自具有在所述第一电极和所述第二电极上的端，其中
所述第一堤部中的每个包括第一图案部分，所述第一图案部分包括凹入部分和凸出部分，
所述第一堤部的所述第一图案部分设置在所述第一堤部的侧表面上，所述侧表面间隔开并且面向彼此，以及
所述第一图案部分具有为从所述发光元件中的一个发射的光的波长的一半或更多的图案高度，所述图案高度限定为连接所述凹入部分的最下端的虚拟延长线与连接所述凸出部分的最上端的虚拟延长线之间的垂直距离。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，
所述子像素包括：
第一子像素，其中布置有发射第一颜色的光的第一发光元件；以及
第二子像素，其中布置有发射第二颜色的光的第二发光元件，所述第二颜色不同于所述第一颜色，以及
所述第一子像素中的所述第一图案部分具有为所述第二颜色的光的波长的一半或更多的图案高度。
16.根据权利要求14所述的显示设备，其中，
所述子像素包括：
第一子像素，其中布置有发射第一颜色的光的第一发光元件；以及
第二子像素，其中布置有发射第二颜色的光的第二发光元件，所述第二颜色不同于所述第一颜色，以及
所述第一子像素中的所述第一图案部分具有为所述第一颜色的光的波长的一半或更多的图案高度，以及
所述第二子像素中的所述第一图案部分具有为所述第二颜色的光的波长的一半或更多的图案高度。
17.根据权利要求15所述的显示设备，其中，
所述子像素还包括第三子像素，所述第三子像素中布置有发射第三颜色的光的第三发光元件，所述第三颜色不同于所述第一颜色和所述第二颜色，以及
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的所述第一图案部分具有为所述第三颜色的光的波长的一半或更多的图案高度。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的所述第一图案部分的所述图案高度为390nm或更大。
19.根据权利要求14所述的显示设备，其中，
所述第一电极和所述第二电极中的每个包括第二图案部分，所述第二图案部分设置在所述第一图案部分上并且在所述第二图案部分的表面上具有与所述第一图案部分相对应的图案形状，以及
所述第一绝缘层包括第三图案部分，所述第三图案部分设置在所述第一电极和所述第二电极中的每个的所述第二图案部分上并且在所述第三图案部分的表面上具有与所述第二图案部分相对应的图案形状。
20.根据权利要求19所述的显示设备，还包括：
第一接触电极，设置在所述第一电极上并接触所述第一电极和所述发光元件中的所述一个的所述端中的一个；以及
第二接触电极，设置在所述第二电极上并接触所述第二电极和所述发光元件中的所述一个的所述端中的另一个，其中
所述第一接触电极和所述第二接触电极中的每个包括第四图案部分，所述第四图案部分设置在所述第三图案部分上并且在所述第四图案部分的表面上具有与所述第三图案部分相对应的图案形状，以及
所述第一绝缘层具有比所述第一接触电极的折射率和所述第二接触电极的折射率中的每个小的折射率。
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