CN114430706A - 检查装置及检查方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的激光加工装置具备：平台，支撑晶圆；激光照射单元，对晶圆照射激光；摄像单元，检测在半导体基板中传播的光；和控制部，构成为实行：以通过激光照射于晶圆在半导体基板的内部形成一个或多个改性区域的方式，来控制激光照射单元；基于从检测光的摄像单元输出的信号，来导出从改性区域延伸向半导体基板的背面侧延伸的龟裂即上龟裂的背面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的背面侧的前端的位置，来判定是否为龟裂到达状态。

Description

检查装置及检查方法
技术领域
本发明的一个方式涉及检查装置及检查方法。
背景技术
已知有一种激光加工装置，其为了将具备半导体基板和形成于半导体基板的表面的功能元件层的晶圆沿着多条线中的各个切断，通过从半导体基板的背面侧对晶圆照射激光，沿着多条线中的各个在半导体基板的内部形成多列的改性区域。专利文献1中所记载的激光加工装置，具备红外线摄像机，能够从半导体基板的背面侧观察形成于半导体基板的内部的改性区域、形成于功能元件层的加工损伤(damage)等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-64746号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在上述的激光加工装置中，有时以形成跨多列的改性区域的龟裂的条件从半导体基板的背面侧对晶圆照射激光。在这种情况下，如果例如因激光加工装置的缺陷等而导致跨多列的改性区域的龟裂未充分至半导体基板的表面侧，则在后续的工序中，有可能无法沿着多条线中的各个将晶圆可靠地切断。
本发明的一个方式，目的在于提供一种能够确认跨改性区域的龟裂是否充分延伸至半导体基板的表面侧的检查装置及检查方法。
用于解决问题的技术手段
本发明的一个方式的检查装置具备：平台，支撑具有半导体基板的晶圆，半导体基板具有第一表面以及第二表面；激光照射部，对晶圆照射激光；摄像部，输出相对于半导体基板具有透射性的光，并检测在半导体基板中传播的光；以及控制部，构成为实行：以通过激光照射于晶圆在半导体基板的内部形成一个或多个改性区域的方式，来控制激光照射部；以及基于从检测光的摄像部输出的信号，来导出上龟裂的第二表面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的第二表面侧的前端的位置，来判定是否为从改性区域延伸的龟裂到达半导体基板的第一表面侧的龟裂到达状态，其中，上龟裂为从改性区域向半导体基板的第二表面侧延伸的龟裂；控制部，沿着晶圆的多条线中的各个，以形成与多条线中包含的其他的线形成深度为不同的改性区域的方式，来控制激光照射部；从改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从改性区域的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂的第二表面侧的前端的位置与形成有改性区域的位置的差分，并基于该差分的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。
在此检查装置中，以在半导体基板的内部形成改性区域的方式，对晶圆照射激光，在半导体基板中传播的、具有透射性的光被摄像，基于摄像结果(从摄像单元输出的信号)，来导出从改性区域向半导体基板的第二表面侧延伸的龟裂即上龟裂的第二表面侧的前端的位置。并且，基于上龟裂的前端的位置，判定是否为从改性区域延伸的龟裂到达半导体基板的第一表面侧的龟裂到达状态。更详细而言，在本检查装置中，多条线的各改性区域，设为彼此不同的形成深度，从改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从改性区域的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂的前端的位置与形成有改性区域的位置的差分，基于该差分的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。本发明人发现，在从改性区域的形成深度为浅的线(或者为深的线)起依次导出上述的差分的情况下，在龟裂到达状态与龟裂未到达半导体基板的第一表面侧的状态切换的线处，与其他的线间相比，上述的差分的变化量(距紧接于前导出差分的线的变化量)变大。基于此种观点，在本检查装置中，基于上述差分的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。由此，根据本检查装置，能够适当地确认是否为龟裂到达状态，即，跨改性区域的龟裂是否充分地延伸至半导体基板的第一表面侧。
本发明的一个方式的检查装置，具备：平台，支撑具有半导体基板的晶圆，半导体基板具有第一表面以及第二表面；激光照射部，对晶圆照射激光；摄像部，输出相对于半导体基板具有透射性的光，并检测在半导体基板中传播的光；以及控制部，构成为实行：以通过激光照射于晶圆在半导体基板的内部形成一个或多个改性区域的方式，来控制激光照射部；以及基于从检测光的摄像部输出的信号，来导出上龟裂的第二表面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的第二表面侧的前端的位置，来判定是否为从改性区域延伸的龟裂到达半导体基板的第一表面侧的龟裂到达状态，其中，上龟裂为从改性区域向半导体基板的第二表面侧延伸的龟裂；控制部，沿着晶圆的多条线中的各个，以形成与多条线中包含的其他的线形成深度为不同的改性区域的方式，来控制激光照射部；从改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从改性区域的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂的第二表面侧的前端的位置，并基于该前端的位置的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。
在此检查装置中，以在半导体基板的内部形成改性区域的方式，对晶圆照射激光，在半导体基板中传播的、具有透射性的光被摄像，基于摄像结果(从摄像单元输出的信号)，来导出从改性区域向半导体基板的第二表面侧延伸的龟裂即上龟裂的第二表面侧的前端的位置。并且，基于上龟裂的前端的位置，判定是否为从改性区域延伸的龟裂到达半导体基板的第一表面侧的龟裂到达状态。更详细而言，在本检查装置中，多条线的各改性区域，设为彼此不同的形成深度，从改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从改性区域的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂的前端的位置，基于该前端的位置的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。本发明人发现，在从改性区域的形成深度为浅的线(或者为深的线)起依次导出上述的上龟裂的前端的位置的情况下，在龟裂到达状态与龟裂未到达半导体基板的第一表面侧的状态切换的线处，与其他的线间相比，上述的上龟裂的前端的位置的变化量(距紧接于前导出上龟裂的前端的线的变化量)变大。基于此种观点，在本检查装置中，基于上述的上龟裂的前端的位置的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。由此，根据本检查装置，能够适当地确认是否为龟裂到达状态，即，跨改性区域的龟裂是否充分地延伸至半导体基板的第一表面侧。
也可以为，控制部，还考虑下龟裂的第一表面侧的前端的有无，来判定是否为龟裂到达状态，其中，下龟裂为从改性区域向半导体基板的第一表面侧延伸的龟裂。在确认下龟裂的第一表面侧的前端的存在的情况下，假定未成为龟裂到达状态。因此，通过基于下龟裂的第一表面侧的前端的有无来判定是否为龟裂到达状态，能够以高精确度来判定是否为龟裂到达状态。
也可以为，控制部构成为还实行：基于是否为龟裂到达状态的判定结果，来导出与激光照射部的照射条件的调整相关的信息。通过考虑判定结果并且导出与激光照射部的照射条件的调整相关的信息，例如，能够以在龟裂的长度短于原本的情况下龟裂的长度变长的方式，或者，以在龟裂的长度长于原本的情况下龟裂的长度变短的方式，导出用于照射条件的调整的信息。并且，如此这般，通过使用导出的用于照射条件的调整的信息来调整照射条件，能够将龟裂的长度设为期望的长度。如上所述，根据此检查装置，能够将跨改性区域的龟裂的长度设为期望的长度。
也可以为，控制部，基于判定结果，来推测龟裂的长度，并且基于推测的龟裂的长度，来导出与照射条件的调整相关的信息。通过基于推测的龟裂的长度来导出与照射条件的调整相关的信息，从而照射调节的调整精度提高，能够以更高的精度将龟裂的长度设为期望的长度。
本发明的一个方式的检查方法具备：第1工序，准备具备具有第一表面以及第二表面的半导体基板的晶圆，通过对晶圆照射激光，来在半导体基板的内部形成一个或多个改性区域；第2工序，输出相对于通过第1工序形成有改性区域的半导体基板而具有透射性的光，并检测在半导体基板中传播的光；以及第3工序，基于在第2工序中检测的光，来导出上龟裂的第二表面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的第二表面侧的前端的位置，来判断是否为从改性区域延伸的龟裂到达半导体基板的第一表面侧的龟裂到达状态，其中，上龟裂为从改性区域延伸的龟裂向第二表面侧延伸的龟裂；在第一工序中，沿着晶圆的多条线中的各个，形成与多条线中包含的其他的线形成深度为不同的改性区域；在第三工序中，从改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从改性区域的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂的第二表面侧的前端的位置与形成有改性区域的位置的差分，并基于该差分的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。
本发明的一个方式的检查方法具备：第1工序，准备具备具有第一表面以及第二表面的半导体基板的晶圆，通过对晶圆照射激光，来在半导体基板的内部形成一个或多个改性区域；第2工序，输出相对于通过第1工序形成有改性区域的半导体基板而具有透射性的光，并检测在半导体基板中传播的光；以及第3工序，基于在第2工序中检测的光，来导出上龟裂的第二表面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的第二表面侧的前端的位置，来判断是否为从改性区域延伸的龟裂到达半导体基板的第一表面侧的龟裂到达状态，其中，上龟裂为从改性区域延伸的龟裂向第二表面侧延伸的龟裂；在第一工序中，沿着晶圆的多条线中的各个，形成与多条线中包含的其他的线形成深度为不同的改性区域；在第三工序中，从改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从改性区域的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂的第二表面侧的前端的位置，并基于该前端的位置的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。
发明的效果
本发明的一个方式，目的在于提供一种能够确认跨改性区域的龟裂是否充分延伸至半导体基板的表面侧的检查装置及检查方法。
附图说明
图1是具备一个实施方式的检查装置的激光加工装置的结构图。
图2是一个实施方式的晶圆的俯视图。
图3是图2所示的晶圆的一部分的截面图。
图4是图1所示的激光照射单元的结构图。
图5是图1所示的检查用摄像单元的结构图。
图6是图1所示的对位(alignment)修正用摄像单元的结构图。
图7是用于说明由图5所示的检查用摄像单元的摄像原理的晶圆的截面图、以及由该检查用摄像单元的在各部位的图像。
图8是用于说明由图5所示的检查用摄像单元的摄像原理的晶圆的截面图、以及由该检查用摄像单元的在各部位的图像。
图9是形成于半导体基板的内部的改性区域以及龟裂的SEM图像。
图10是形成于半导体基板的内部的改性区域以及龟裂的SEM图像。
图11是示出用于说明由图5所示的检查用摄像单元的摄像原理的光路图、以及由该检查用摄像单元的焦点处的图像的示意图。
图12是示出用于对由图5所示的检查用摄像单元的摄像原理进行说明的光路图、以及由该检查用摄像单元的焦点处的图像的示意图。
图13是示出检查用的改性区域的形成影像(image)的示意图。
图14是示出通过使焦点F移动的多个图像的取得影像(image)的示意图。
图15是示出各测定点的摄像结果的一例的表。
图16是将图15所示的摄像结果图表化的图。
图17是示出在变更了聚光修正参数(聚光修正量)的情况下的成为BHC的测定点的差异的一例的图。
图18是第1检查方法的流程图。
图19是第2检查方法的流程图。
图20是第3检查方法的流程图。
图21是第4检查方法的流程图。
图22是检查条件的设定画面的一例。
图23是检查条件的设定画面的一例。
图24是检查合格画面的一例。
图25是检查不合格画面的一例。
图26是检查合格画面的一例。
图27是检查不合格画面的一例。
图28是检查合格画面的一例。
图29是检查不合格画面的一例。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行详细地说明。另外，在各图中，对相同或者是相当的部分赋予相同的符号，并省略重复的说明。
[激光加工装置的结构]
如图1所示，激光加工装置1(检查装置)具备：平台(stage)2；激光照射单元3；多个摄像单元4、5、6；驱动单元7；以及控制部8。激光加工装置1是通过将激光L照射于对象物11而在对象物11形成改性区域12的装置。
平台2，例如通过吸附贴附于对象物11的膜，来支撑对象物11。平台2能够沿着X方向以及Y方向中的各个移动，并能够将与Z方向相平行的轴线作为中心线而旋转。另外，X方向以及Y方向是相互垂直的第1水平方向以及第2水平方向，Z方向是铅直方向。
激光照射单元3将相对于对象物11具有透射性的激光L聚光并照射于对象物11。如果激光L聚光于支撑于平台2的对象物11的内部，则在与激光L的聚光点C相对应的部分，特别地吸收激光L，并在对象物11的内部形成改性区域12。
改性区域12是密度、折射率、机械性强度、其他的物理特性与周围的非改性区域不同的区域。作为改性区域12，例如，是熔融处理区域、碎裂(crack)区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等。改性区域12具有龟裂容易从改性区域12向激光L的入射侧及其相反侧延伸这样的特性。此种改性区域12的特性被利用于对象物11的切断。
作为一例，如果平台2沿着X方向移动，并相对于对象物11使聚光点C沿着X方向相对地移动，则多个改性点12s沿着X方向以排列为1列的方式形成。1个改性点12s通过1个脉冲的激光L的照射而形成。1列改性区域12是排列为1列的多个改性点12s的集合。相邻的改性点12s，根据相对于对象物11的聚光点C的相对的移动速度以及激光L的重复频率，也有时相互连接，也有时相互分离。
摄像单元4对形成于对象物11的改性区域12以及从改性区域12延伸的龟裂的前端进行摄像。
摄像单元5以及摄像单元6，基于控制部8的控制，通过透过对象物11的光来对支撑于平台2的对象物11进行摄像。通过摄像单元5、6摄像而得到的图像，作为一例，被提供以进行激光L的照射位置的对位(alignment)。
驱动单元7支撑激光照射单元3和多个摄像单元4、5、6。驱动单元7使激光照射单元3和多个摄像单元4、5、6沿着Z方向移动。
控制部8控制平台2、激光照射单元3、多个摄像单元4、5、6以及驱动单元7的动作。控制部8构成为包含处理器、内存、储存装置以及通信装置等的计算机装置。在控制部8中，处理器实行读入内存等中的软件(程序)，并控制内存以及储存装置的数据的读出以及写入和由通信装置的通信。
[对象物的结构]
本实施方式的对象物11，如图2以及图3所示，为晶圆20。晶圆20具备半导体基板21和功能元件层22。另外，在本实施方式中，虽然作为晶圆20具有功能元件层22而进行说明，但是，晶圆20具有或不具有功能元件层22均可，也可为裸晶圆。半导体基板21具有：表面21a(第一表面、激光照射背面)以及背面21b(第二表面、激光照射面)。半导体基板21例如是硅基板。功能元件层22形成于半导体基板21的表面21a。功能元件层22包含沿着表面21a二维地排列的多个功能元件22a。功能元件22a例如是光电二极管等受光元件、激光二极管等发光元件、内存等电路元件等。功能元件22a有时也多层堆叠而三维地构成。另外，在半导体基板21设置有表示结晶方向的凹槽(notch)21c，也可以设置有定向平面(orientation flat)来代替凹槽21c。
沿着多条线15中的各个，对每个功能元件22a，切断晶圆20。多条线15，在从晶圆20的厚度方向观察的情况下，通过多个功能元件22a中的各个之间。更具体而言，线15，在从晶圆20的厚度方向观察的情况下，通过切割道(street)区域23的中心(宽度方向上的中心)。切割道区域23，在功能元件层22，以通过相邻的功能元件22a之间的方式延伸。在本实施方式中，多个功能元件22a，沿着表面21a排列为矩阵状。多条线15设定为格子状。另外，线15，是虚拟的线，也可以是实际引出的线。
[激光照射单元的结构]
如图4所示，激光照射单元3具有光源31、空间光调制器32、以及聚光透镜33。光源31例如通过脉冲振荡方式来输出激光L。空间光调制器32将从光源31输出的激光L进行调制。空间光调制器32，例如是反射型液晶(LCOS：Liquid Crystal on Silicon)的空间光调制器(SLM：Spatial Light Modulator)。聚光透镜33，将通过空间光调制器32进行调制的激光L聚光。
在本实施方式中，激光照射单元3，通过沿着多条线15中的各个从半导体基板21的背面21b侧对晶圆20照射激光L，来沿着多条线15中的各个在半导体基板21的内部形成2列改性区域12a、12b。改性区域(第1改性区域)12a是2列改性区域12a、12b中最接近表面21a的改性区域。改性区域(第2改性区域)12b是2列改性区域12a、12b中的最接近改性区域12a的改性区域，并且是最接近背面21b的改性区域。
2列改性区域12a、12b在晶圆20的厚度方向(Z方向)上相邻。2列改性区域12a、12b，通过相对于半导体基板21使2个聚光点C1、C2沿着线15相对地移动而形成。例如，以相对于聚光点C1使聚光点C2位于前进方向的后侧并且位置于激光L的入射侧的方式，通过空间光调制器32调制激光L。另外，关于改性区域的形成，也可为单焦点，也可为多焦点，也可为单行程(pass)，也可为多行程(pass)。
激光照射单元3，以跨2列改性区域12a、12b的龟裂14到达半导体基板21的表面21a的条件，来沿着多条线15中的各个从半导体基板21的背面21b侧对晶圆20照射激光L。作为一例，相对于厚度775μm的单晶硅基板即半导体基板21，使2个聚光点C1、C2分别对合于距表面21a 54μm的位置以及128μm的位置，并沿着多条线15中的各个从半导体基板21的背面21b侧对晶圆20照射激光L。此时，激光L的波长是1099nm，脉冲宽度是700n秒，重复频率是120kHz。另外，聚光点C1的激光L的输出是2.7W，聚光点C2的激光L的输出是2.7W，相对于半导体基板21的2个聚光点C1、C2的相对的移动速度是800mm/秒。
此种2列改性区域12a、12b以及龟裂14的形成，在下述的情况中实施。即，在后续的工序中，有时通过研削半导体基板21的背面21b，来将半导体基板21薄化并使龟裂14露出于背面21b，并且沿着多条线15中的各个将晶圆20切断为多个半导体装置。
[检查用摄像单元的结构]
如图5所示，摄像单元4具有：光源41、反射镜42、对物透镜43、以及光检测部44。光源41输出相对于半导体基板21具有透射性的光I1。光源41，例如通过卤素灯以及滤波器构成，并输出近红外区域的光I1。从光源41输出的光I1，被反射镜42反射并通过对物透镜43，并且从半导体基板21的背面21b侧照射于晶圆20。此时，平台2，如上述地支撑形成有2列改性区域12a、12b的晶圆20。
对物透镜43使被半导体基板21的表面21a反射的光I1通过。即，对物透镜43使在半导体基板21中传播的光I1通过。对物透镜43的开口数(NA)为0.45以上。对物透镜43具备修正环43a。修正环43a，例如通过对构成对物透镜43的多个透镜的相互间的距离进行调整，来修正在半导体基板21内在光I1产生的像差。光检测部44，检测透过了对物透镜43以及反射镜42的光I1。光检测部44，例如由InGaAs摄像机构成，并检测近红外区域的光I1。
摄像单元4，能够对2列改性区域12a、12b中的各个以及多个龟裂14a、14b、14c、14d中的各个的前端摄像(详细内容后述)。龟裂14a是从改性区域12a向表面21a侧延伸的龟裂。龟裂14b是从改性区域12a向背面21b侧延伸的龟裂。龟裂14c是从改性区域12b向表面21a侧延伸的龟裂。龟裂14d是从改性区域12b向背面21b侧延伸的龟裂。控制部8，以跨2列改性区域12a、12b的龟裂14到达半导体基板21的表面21a的条件，来使激光照射单元3照射激光L(参照图4)，但是，如果因某些缺陷而导致龟裂14未到达表面21a，则形成有此种多个龟裂14a、14b、14c、14d。在本实施方式中，作为为了将晶圆20切断为多个半导体器件等而从激光照射单元3照射激光L的处理的前处理，为了应对上述的缺陷而检查龟裂的长度，并且根据检查结果来进行调整龟裂的长度的处理。具体而言，作为上述的前处理，在晶圆20形成检查用的改性区域，并判定从该改性区域延伸的龟裂的长度，并且根据龟裂的长度来进行调整龟裂的长度的处理(详细内容后述)。
[对位修正用摄像单元的结构]
如图6所示，摄像单元5具备：光源51、反射镜52、透镜53、以及光检测部54。光源51输出相对于半导体基板21具有透射性的光I2。光源51，例如通过卤素灯以及滤波器构成，并输出近红外区域的光I2。光源51也可与摄像单元4的光源41共通化。从光源51输出的光I2被反射镜52反射并通过透镜53，并且从半导体基板21的背面21b侧照射于晶圆20。
透镜53使被半导体基板21的表面21a反射的光I2通过。即，透镜53使在半导体基板21中传播的光I2通过。透镜53的开口数为0.3以下。即，摄像单元4的对物透镜43的开口数大于透镜53的开口数。光检测部54检测通过了透镜53以及反射镜52的光I2。光检测部55，例如由InGaAs摄像机构成，并检测近红外区域的光I2。
摄像单元5，在控制部8的控制下，通过从背面21b侧将光I2照射于晶圆20并且检测从表面21a(功能元件层22)返回的光I2，来对于功能元件层22进行摄像。另外，摄像单元5，同样地，在控制部8的控制下，通过从背面21b侧将光I2照射于晶圆20并且检测从半导体基板21中的改性区域12a、12b的形成位置返回的光I2，来取得包含改性区域12a、12b的区域的图像。这些图像用于激光L的照射位置的对位。摄像单元6，除了透镜53为更低倍率(例如，在摄像单元5为6倍，在摄像单元6为1.5倍)这一点以外，具备与摄像单元5相同的结构，并与摄像单元5同样地用于对位。
[检查用摄像单元的摄像原理]
使用图5所示的摄像单元4，如图7所示，相对于跨2列改性区域12a、12b的龟裂14到达表面21a的半导体基板21，使焦点F(对物透镜43的焦点)从背面21b侧朝向表面21a侧移动。在这种情况下，如果从背面21b侧使焦点F对合于从改性区域12b朝向背面21b侧延伸的龟裂14的前端14e，则能够确认该前端14e(图7中的右侧的图像)。但是，即使从背面21b侧使焦点F对合于龟裂14自身以及到达表面21a的龟裂14的前端14e，也无法对其作确认(图7中的左侧的图像)。另外，如果从背面21b侧使焦点F对合于半导体基板21的表面21a，则能够确认功能元件层22。
另外，使用图5所示的摄像单元4，如图8所示，相对于跨2列改性区域12a、12b的龟裂14未到达表面21a的半导体基板21，使焦点F从背面21b侧朝向表面21a移动。在这种情况下，即使从背面21b侧使焦点F对合于从改性区域12a朝向表面21a侧延伸的龟裂14的前端14e，也无法确认该前端14e(图8中的左侧的图像)。但是，如果从背面21b侧使焦点F对合于相对于表面21a与背面21b为相反侧的区域(即，相对于表面21a为功能元件层22侧的区域)，并使关于表面21a与焦点F对称的虚拟焦点Fv位置于该前端14e，则能够确认该前端14e(图8中的右侧的图像)。另外，虚拟焦点Fv为考虑了半导体基板21的折射率的焦点F关于表面21a的对称点。
可以假设，如上述一般无法确认龟裂14自身的原因在于，龟裂14的宽度小于作为照明光的光I1的波长。图9以及图10是形成于硅基板即半导体基板21的内部的改性区域12以及龟裂14的SEM(Scanning Electron Microscope)图像。图9的(b)是图9的(a)所示的区域A1的扩大像，图10的(a)是图9的(b)所示的区域A2的放大图像，图10的(b)是图10的(a)所示的区域A3的放大图像。如此这般，龟裂14的宽度为120nm程度，小于近红外区域的光I1的波长(例如，1.1～1.2μm)。
基于以上前提所假设的摄像原理如下。如图11的(a)所示，如果使焦点F位置于空气中，由于光I1不返回，因此得到黑暗的图像(图11的(a)中的右侧的图像)。如图11的(b)所示，如果使焦点F位置于半导体基板21的内部，由于被表面21a反射的光I1返回，因此得到泛白的图像(图11的(b)中的右侧的图像)。如图11的(c)所示，如果从背面21b侧使焦点F对合于改性区域12，由于通过改性区域12，对于被表面21a反射并返回的光I1的一部分产生吸收、散射等，因此得到在泛白的背景中改性区域12显示为黑的图像(图11的(c)中的右侧的图像)。
如图12的(a)以及(b)所示，如果从背面21b侧使焦点F对合于龟裂14的前端14e，由于例如在前端14e附近产生的光学的特异性(应力集中、变形、原子密度的不连续性等)、在前端14e附近产生的光的封闭等，对于被表面21a反射并返回的光I1的一部分产生散射、反射、干涉、吸收等，因此，得到在泛白的背景中前端14e显示为黑的图像(图12的(a)、(b)中的右侧的图像)。如图12的(c)所示，如果从背面21b侧使焦点F对合于龟裂14的前端14e附近以外的部分，由于被表面21a反射的光I1的至少一部分返回，因此得到泛白的图像(图12的(c)中的右侧的图像)。
以下，针对作为以晶圆20的切断等为目的来形成改性区域的处理的前处理而实施的龟裂的长度的检查以及调整处理进行说明。控制部8构成为实行：以通过激光L照射于晶圆20在半导体基板21的内部形成一个或多个检查用的改性区域12的方式，来控制激光照射单元3(形成处理)；基于在摄像单元4取得的图像(从摄像单元4输出的信号)，来判定从改性区域12延伸的龟裂14是否到达半导体基板21的表面21a侧的龟裂到达状态(判定处理)；以及基于判定结果，来导出与激光照射单元3的照射条件的调整相关的信息(调整处理)。
(形成处理)
如图13所示，在形成处理中，控制部8，以沿着晶圆20的多条线中的各个形成改性区域12的方式，来控制激光照射单元3，在图13中，示出在X方向上延伸并且在Y方向上相邻的多条线。控制部8，以形成在多条线间形成深度互为不同的改性区域12的方式，来控制激光照射单元3，在图13所示的例中，在标记为“Z167”的线的改性区域12的形成深度是最浅，随着在Y方向上远离标记为“Z167”的线，改性区域12的形成深度逐渐变深，在标记为“Z178”的线的改性区域的形成深度变得最深。各线的改性区域12，通过相对于从激光照射单元3输出的激光L而使晶圆20向X方向移动而形成。晶圆20的朝向X方向的移动，存在前往(去路)与返回(回路)，针对各线，形成有去路的改性区域12与回路的改性区域12。在后述的判定处理中，针对各去路的每一者以及各回路的每一者，进行是否为龟裂到达状态的判定。这是因为，由于在去路以及回路，例如激光L的光轴等没有成为相同，因此优选针对各个进行判定。另外，在图13中，作为各改性区域12，虽然仅示出1个改性区域，但是，实际上，如上述一般形成有2个改性区域12a、12b。另外，关于焦点数，也可为单焦点，也可为2焦点，也可以其以上。
(判定处理)
在判定处理中，控制部8，基于在摄像单元4取得的图像，来判定从改性区域12延伸的龟裂14是否到达半导体基板21的表面21a侧的龟裂到达状态。如图14所示，控制部8，通过控制摄像单元4，在Z方向上使焦点F移动并取得多个图像。焦点F1为拍摄有从改性区域12b向背面21b侧延伸的龟裂14的前端14e的焦点。焦点F2为拍摄有改性区域12b的上端的焦点。焦点F3为拍摄有改性区域12a的上端的焦点。焦点F4为拍摄有从改性区域12a向表面21a侧延伸的龟裂14的前端14e的虚像区域的焦点，并为关于表面21a与前端14e的位置(虚拟焦点F4v)的对称点。焦点F5为拍摄有改性区域12a的下端的虚像区域的焦点，并为关于表面21a与改性区域12a的下端的位置(虚拟焦点F5v)的对称点。
如果将表面21a作为基准位置(0点)，将朝向背面21b的方向设为正方向，将晶圆20的厚度设为T，将焦点F1距背面21b侧的距离设为A、将焦点F2距背面21b侧的距离设为B，将焦点F3距背面21b侧的距离设为D，将焦点F4距背面21b侧的距离设为G，并将焦点F5距背面21b侧的距离设为H，则成为：从改性区域12b朝向背面21b侧延伸的龟裂14的前端14e的位置a＝T-A，改性区域12b的上端的位置b＝T-B、改性区域12a的上端的位置d＝T-D、从改性区域12a朝向表面21a侧延伸的龟裂14的前端14e的位置f＝G-T，改性区域12a的下端的位置e＝H-T。
另外，改性区域12b的下端的位置c、改性区域12a的下端的位置e、改性区域12b的上端的位置c′以及改性区域12a的上端的位置e′，可根据激光加工装置1的加工深度(高度)即Z高度以及考虑了晶圆20的硅的折射率的常数(DZ率)而确定。如果将改性区域12b的下端的Z高度设为SD2下端Z高度，将改性区域12a的下端的Z高度设为SD1下端Z高度，将改性区域12b的上端的Z高度设为SD2上端Z高度，将改性区域12a的上端的Z高度设为SD1上端Z高度，则成为：改性区域12b的下端的位置c＝T-SD2下端Z高度×DZ，改性区域12a的下端的位置e＝T-SD1下端Z高度×DZ，改性区域12b的上端的位置c′＝T-SD2上端Z高度×DZ+根据激光能量预测的SD层宽，改性区域12a的上端的位置e′＝T-SD1上端Z高度×DZ+根据激光能量预测的SD层宽。
针对图像的取得作详细说明。控制部8，根据想检测的龟裂14的种类，对摄像区间、摄像开始位置、摄像结束位置以及摄像的Z间隔(Z方向的间隔)作设定。摄像单元4，从设定的摄像区间的摄像开始位置到摄像结束位置，以设定的间隔(摄像的Z间隔)来连续性地进行摄像。例如，在想检测从改性区域12b向背面21b侧延伸的龟裂14(以下，有时记载为“上龟裂”的情况)的前端14e的情况下，摄像区间，例如设定于改性区域12b～不能检测出上龟裂的前端14e的充分靠向背面21b的位置。改性区域12b的聚光位置能够根据在形成处理中的改性区域12b形成时的信息来取得。另外，摄像区间，也可设为可进行摄像的Z方向的全部区间，即，设为改性区域12a的聚光位置的虚像区域Vi(参照图14)～背面21b。摄像开始位置，例如设为摄像区间中的最为远离背面21b的位置。摄像结束位置，例如设为检测出上龟裂的前端14e的位置、在检测出上龟裂的前端14e后成为完全检测不出的位置、或者摄像区间的全部的摄像结束的位置。摄像的Z间隔(Z方向的间隔)，也可在摄像工序中为可变(例如，在刚开始摄像时以宽的摄像间隔来设为粗略的摄像，并且如果检测出上龟裂的前端14e则设为狭窄的摄像间隔并精细地摄像)，也可从摄像开始位置到摄像结束位置为一定。
另外，例如，在想检测从改性区域12a向表面21a侧延伸的龟裂14(以下，有时记载为“下龟裂”)的前端14e的情况下，摄像区间，例如设定于改性区域12a的上端位置～改性区域12b的聚光位置的虚像区域。改性区域12a的上端位置，能够根据在形成处理中的改性区域12a形成时的聚光位置的信息和改性区域12a的宽度来取得。改性区域12b的聚光位置的虚像区域，能够根据在形成处理中的改性区域12b形成时的信息来取得。另外，摄像区间，也可设为可进行摄像的Z方向的全部区间，即，设为改性区域12a的聚光位置的虚像区域Vi(参照图14)～背面21b。摄像开始位置，例如也可设为摄像区间的中的最为远离背面21b的位置，也可设为摄像区间中的最靠背面21b侧的位置。摄像结束位置，例如设为检测出下龟裂的前端14e的位置、在检测出下龟裂的前端14e后成为完全检测不出的位置、或者摄像区间的全部的摄像结束的位置。摄像的Z间隔(Z方向的间隔)，也可在摄像工序中为可变(例如，在刚开始摄像时以宽的摄像间隔来设为粗略的摄像，并且如果检测出下龟裂的前端14e则设为狭窄的摄像间隔并精细地摄像)，也可从摄像开始位置到摄像结束位置为一定。另外，针对通过摄像单元4摄像的图像的前端14e的检测(判定)处理，也可在每次摄像了1个图像时进行，也可在摄像了摄像区间的全部的图像后进行。另外，对摄像数据进行净化(cleansing)并检测(判定)前端14e的处理，也可使用人工智能等技术来实施。
针对龟裂到达状态的判定作详细说明。图15示出各测定点的摄像结果的一例。此处的各测定点是指，在形成处理中形成的、改性区域12的形成深度互为不同的多条线“Z167”～“Z178”(参照图13)。如上述一般，“Z167”的改性区域12的形成深度最浅，随着Z的值变得越大，改性区域12的形成深度变得越深，“Z178”的改性区域12的形成深度最深。控制部8，针对各测定点(各线的改性区域12)，通过控制摄像单元4，在Z方向上使焦点F移动并取得多个图像，并且根据该图像(即，根据实测值)，导出图14所示的、a：上龟裂的前端14e的位置、b：改性区域12b(SD2)的上端的位置、d：改性区域12a(SD1)的上端的位置、以及f：下龟裂的前端14e的位置。另外，控制部8，针对各测定点，基于Z高度以及DZ率，导出图14所示的、e：改性区域12a的下端的位置、e′：改性区域12a的上端的位置、c：改性区域12b的下端的位置、c′：改性区域12b的上端的位置。另外，控制部8，导出：a：上龟裂的前端14e的位置以及b：改性区域12b的上端的位置的差分a-b。另外，控制部8，导出：a：上龟裂的前端14e的位置以及e：改性区域12a的下端的位置的差分a-e。图15的表的最下段所示的“ST(Stealth)”是表示龟裂14未到达背面21b以及表面21a的状态的用语，“BHC(Bottom side half-cut)”是表示龟裂14到达表面21a的状态(即，龟裂到达状态)的用语。图15的表的最下段所示的ST以及BHC的信息是，为了对后述的由控制部8的判定处理的正确性作确认，通过显微镜观察取得的信息。
另外，在实际的激光加工装置1中，激光照射单元3与摄像单元4设置在同一装置内，检查用的改性区域12的形成处理与改性区域12的摄像处理连续地进行，但是，在得到图15所示的摄像结果的环境中，由于激光照射单元与摄像单元被设为分别的装置，因此，当在装置间搬送晶圆20时，龟裂14伸展(相比于由实际的激光加工装置1的摄像结果，龟裂14更为伸展)。然而，即使根据图15所示的摄像结果也能够进行由控制部8的判定处理的正确性(确定龟裂到达状态的处理的正确性)的说明，因此，以下，基于图15所示的摄像结果，来对控制部8的判定处理进行说明。
图16将图15所示的摄像结果图表化，横轴表示测定点，纵轴表示位置(在以表面21a作为基准位置的情况下的位置)。另外，与图15相同地，在图16中，也在最下段示出通过显微镜观察取得的ST或BHC的信息。
控制部8也可以，从改性区域12的形成深度为浅的测定点(线)起依次、或者从改性区域12的形成深度为深的测定点(线)起依次，导出从改性区域12向背面21b侧延伸的龟裂即上龟裂的背面21b侧的前端14e的位置，并且基于该前端14e的位置的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。具体而言，控制部8，在从改性区域12的形成深度为浅的测定点起依次导出上龟裂的前端14e的位置并导出前端14e的位置的变化量的情况下，在上龟裂的前端14e的位置的变化量成为了大于规定值(例如20μm)的情况下，判定在至此为止的线为ST，并判定为成为了龟裂到达状态。另外，控制部8，在从改性区域12的形成深度为深的测定点起依次导出上龟裂的前端14e的位置并导出前端14e的位置的变化量的情况下，在上龟裂的前端14e的位置的变化量成为了大于规定值(例如20μm)的情况下，判定在至此为止的线为龟裂到达状态，并判定为成为了ST。
如图16所示，如果以改性区域12的形成深度为浅起依次排列测定点，并对a：上龟裂的前端14e的位置的变化作观察，则可以得知，在Z171与Z172之间的变化量(差分)相比于在其他的测定点间的变化量而为极大。Z171是指，在成为ST的测定点中的改性区域12的形成深度为最深的测定点，Z172是指，在成为BHC的测定点中的改性区域12的形成深度为最浅的测定点。根据此，可以说，能够从改性区域12的形成深度为浅的测定点起依次、或者从改性区域的形成深度为深的测定点起依次，导出a：上龟裂的前端14e的位置，并导出该前端14e的位置的变化量，基于该变化量是否大于规定值，来判定是否为BHC(龟裂到达状态)。
控制部8也可以，从改性区域12的形成深度为浅的测定点(线)起依次、或者从改性区域12的形成深度为深的测定点(线)起依次，导出从改性区域12向背面21b侧延伸的龟裂即上龟裂的背面21b侧的前端14e的位置与形成有改性区域12的位置的差分，并且基于该差分的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。具体而言，控制部8，在从改性区域12的形成深度为浅的测定点起依次导出上述的差分的情况下，在该差分的变化量成为了大于规定值(例如20μm)的情况下，判定在至此为止的线成为ST，并判定为成为了龟裂到达状态。另外，控制部8，在从改性区域12的形成深度为深的测定点起依次导出上述的差分的情况下，在该差分的变化量成为了大于规定值(例如20μm)的情况下，判定在至此为止的线成为龟裂到达状态，并判定成为了ST。
如图16所示，如果以改性区域12的形成深度为浅起依次排列测定，并对a-b：上龟裂的前端14e的位置与改性区域12b的上端的位置的差分(以下，有时简单记载为“上龟裂的前端14e的位置与形成有改性区域12b的位置的差分”)的变化作观察，则可以得知，在Z171与Z172之间的变化量相比于在其他的测定点间的变化量而为极大。同样地，如果对a-e：上龟裂的前端14e的位置与改性区域12a的下端的位置的差分(以下，有时简单记载为“上龟裂的前端14e的位置与形成有改性区域12a的位置的差分”)的变化作观察，则可以得知，在Z171与Z172之间的变化量相比于在其他的测定点之间的变化量而为极大。根据此，可以说，能够从改性区域12的形成深度为浅的测定点起依次、或者从改性区域的形成深度为深的测定点起依次，导出a-b或者a-e，并导出这些变化量，基于该变化量是否大于规定值，来判定是否为BHC(龟裂到达状态)。
控制部8也可以，基于从改性区域12a向表面21a侧延伸的龟裂即下龟裂的表面21a侧的前端14e的有无，来判定是否为BHC(龟裂到达状态)。如图16所示，在成为ST的测定点，检测出f：下龟裂的前端14e的位置，相对在此，在成为BHC的测定点，并未检测出f：下龟裂的前端14e的位置。根据此，可以说，能够根据下龟裂的前端14e的有无，来判定是否为BHC(龟裂到达状态)。
控制部8，基于是否为BHC的判定结果，推测龟裂(详细而言，下龟裂)的长度。控制部8，在判定为BHC的情况下，也可将改性区域12a的下端的位置e(从表面21a到下端的位置e的长度)推测为下龟裂的长度L。在这种情况下，下龟裂的长度L通过以下的(1)式导出。在这种情况下，能够不使用实测值而仅根据预先赋予的条件来推测下龟裂的长度L。另外，T是晶圆20的厚度，ZH1是对应于改性区域12a的下端的Z高度，DZ是DZ率。
L＝e＝T-ZH1×DZ… (1)
另外，控制部8，在判定为BHC的情况下，也可使用预先赋予的条件与实测值，通过以下的(2)式，来导出下龟裂的长度L。另外，D是从背面21b到改性区域12a的上端的长度，SW是根据加工条件预先设定的改性区域12a的宽度。
L＝T-(D+SW)… (2)
进而，控制部8，即使在晶圆20的厚度T不明的情况下，也能够基于实测值，通过以下的(3)式，来导出下龟裂的长度L。另外，D是从背面21b到改性区域12a的上端的长度，SW是根据加工条件预先设定的改性区域12a的宽度，H是从背面21b到改性区域12a的下端的长度。
L＝(D+SW-H)/2… (3)
控制部8，基于推测的下龟裂的长度来判定检查的合格与否，在检查为不合格的情况下，确定将与激光照射单元3的照射条件的调整的相关信息导出(即，进行上述的调整处理)。控制部8，例如通过将下龟裂的长度与龟裂长度目标值比较，来判定检查的合格与否。龟裂长度目标值是指，下龟裂长度的目标值，也可为预先设定的值，例如，也可为根据至少包含与晶圆20的厚度相关的信息的检查条件而设定的值(详细内容后述)。龟裂长度目标值，也可为规定合格的龟裂长度的下限的值，也可为规定合格的龟裂长度的上限的值，也可为规定合格的龟裂长度的范围(下限以及上限)的值。控制部8，在龟裂长度目标值为规定合格的龟裂长度的下限的值的情况下，在推测的下龟裂的长度短于龟裂长度目标值的情况下，判定为作为需要进行照射条件的调整并且检查不合格。另外，控制部8，在龟裂长度目标值为规定合格的龟裂长度的上限的值的情况下，在推测的下龟裂的长度长于龟裂长度目标值的情况下，判定为检查不合格。另外，控制部8，在龟裂长度目标值为规定合格的龟裂长度的范围的值的情况下，在推测的下龟裂的长度为龟裂长度目标值的范围外的情况下，判定为检查不合格。另外，控制部8，在判定为检查合格的情况下，确定不进行照射条件的调整(即，不进行上述的调整处理)。但是，控制部8，也可根据用户要求，即使在检查为合格的情况下也进行照射条件的调整。
(调整处理)
在调整处理中，控制部8，基于在判定处理中的判定结果，导出与激光照射单元3的照射条件相关的调整的信息。更详细而言，控制部8，基于根据判定结果推测的下龟裂的长度，导出与照射条件的调整相关的信息(修正参数)。控制部8，例如在下龟裂的长度短(短于规定下限的龟裂长度目标值)的情况下，以使龟裂长度成为长于龟裂长度目标值的方式，来导出修正参数。另外，控制部8，例如在下龟裂的长度长(长于规定上限的龟裂长度目标值)的情况下，以使龟裂长度成为短于龟裂长度目标值的方式，来导出修正参数。与照射条件的调整相关的信息(修正参数)是指，例如，聚光修正量、加工输出、脉冲宽度等与激光以及光学设定值相关的信息。
控制部8，基于导出的修正参数，对激光照射单元3的照射条件进行调整。即，控制部8，将以龟裂长度成为相比于现状更长或者更短的方式导出的聚光修正量、加工输出、脉冲宽度等适当值，设定于激光照射单元3。图17是示出在变更了聚光修正参数(聚光修正量)的情况下的成为BHC的测定点的差异的一例的图。如图17的右图所示，在进行调整处理前的初始值中，在Z173初次成为了BHC，但是，如果以聚光修正量变大的方式将聚光修正参数以设为+1的方式调整，则因下龟裂变长，如图17的中央图所示，在Z172成为BHC，进而，如果将聚光修正参数以设为+3的方式调整，则如图17的左图所示，在Z170成为BHC。如此这般，通过基于判定处理中的判定结果对激光照射单元3的照射条件作调整，能够将下龟裂的长度调整为期望的长度。另外，控制部8，也可仅在用户要求中用户要求进行照射条件的调整的情况下，才进行与照射条件的调整相关的信息的导出以及照射条件的调整(详细内容后述)。
[检测方法]
针对本实施方式的检查方法，参照图18～图21进行说明。图18是第1检查方法的流程图。图19是第2检查方法的流程图。图20是第3检查方法的流程图。图21是第4检查方法的流程图。
在图18所示的第1检查方法中，在针对进行检查的所有的线形成了改性区域12后，从改性区域12的形成深度为浅的线起依次判定是否为BHC，在为BHC的情况下，基于下龟裂的长度进行照射条件的调整(修正参数调整)。
在第1检查方法中，首先，针对进行检查的所有的线，形成改性区域12(步骤S1)。在此，假设针对图13所示的“Z167”～“Z178”的各线，形成去路以及回路的改性区域12。如图13所示，以在被标记为“Z167”的线的改性区域12的形成深度最浅，随着在Y方向上逐渐远离被标记为“Z167”的线(Z的值变大)，改性区域12的形成深度变深，在被标记为“Z178”的线的改性区域12的形成深度变得最深的方式，形成各线的改性区域12。
针对步骤S1进行具体地说明。首先，准备晶圆20，并载置于激光加工装置1的平台2。另外，使用的晶圆20也可为贴附有薄膜(胶带)的状态，也可为未贴附的状态。对晶圆20的尺寸、形状、种类(素材、结晶方向等)并未作限定。接着，通过平台2在X方向、Y方向以及Θ方向(以与Z方向相平行的轴线作为中心的旋转方向)上移动，来实施对位。
然后，以“Z167”的去路的预定加工线成为激光照射单元3的正下方的方式，使平台2在Y方向上移动，并且使激光照射单元3移动至与“Z167”相对应的加工深度。接着，开始由激光照射单元3的激光L的照射，并且平台2以规定的加工速度在X方向上移动。由此，沿着在X方向上延伸的“Z167”的去路的线，形成改性区域12(2列改性区域12a、12b)。
接着，以“Z167”的回路的预定加工线成为激光照射单元3的正下方的方式，来使平台2在Y方向上移动，并且使激光照射单元3移动至与“Z167”相对应的加工深度。然后，开始由激光照射单元3的激光L的照射，并且平台2以规定的加工速度在X方向上移动。由此，沿着在X方向上延伸的“Z167”的回路的线，形成改性区域12(2列改性区域12a、12b)。这样的、将去路以及回路的改性区域12a、12b的形成，一边将加工深度设为与各线相对应的深度，一边针对所有的线(“Z167”～“Z178”)进行。以上为步骤S1的处理。
接着，通过控制部8，针对改性区域12的形成深度为最浅的线与第2浅的线，检测上龟裂的前端14e的位置(步骤S2)。具体而言，首先，以“Z167”的去路的线成为摄像单元4的正下方的方式，来使平台2在X方向以及Y方向上移动，并且使摄像单元4移动至摄像开始位置。摄像单元4，从摄像开始位置到摄像结束位置，以设定的间隔(摄像的Z间隔)连续性地摄像。控制部8，对通过摄像单元4取得的多个图像数据进行净化，并检测上龟裂的前端14e。接着，以“Z168”的去路的线成为摄像单元4的正下方的方式，来使平台2在X方向以及Y方向上移动，并且使摄像单元4移动至摄像开始位置。摄像单元4，从摄像开始位置到摄像结束位置，以设定的间隔(摄像的Z间隔)连续性地摄像。控制部8，对通过摄像单元4取得的多个图像数据进行净化，并检测上龟裂的前端14e。以上为步骤S2的处理。
接着，基于检测的信息，判定第2浅的线是否为BHC(龟裂到达状态)(步骤S3)。控制部8，基于在“Z167”的去路的线的上龟裂的前端14e的位置、和在“Z168”的去路的线的上龟裂的前端14e的位置，来判定“Z168”的去路的线是否为BHC。具体而言，控制部8，在2个线之间的上龟裂的前端14e的位置的变化量大于规定值的情况下，判定“Z168”的去路的线为BHC。另外，控制部8，也可针对“Z167”的去路的线以及“Z168”的去路的线，导出上龟裂的前端14e的位置与形成有改性区域12b的位置的差分，并在该差分的变化量大于规定值的情况下，判定“Z168”的去路的线为BHC。
当在步骤S3中判定为不是BHC的情况下，针对下一个形成深度为浅的线(第3浅的线)检测上龟裂的前端14e的位置(步骤S4)，并基于第2浅的线的上龟裂的前端14e的位置与第3浅的线的上龟裂的前端14e的位置，来判定第3浅的线是否为BHC(龟裂到达状态)(步骤S3)。以这种方式，一边逐渐朝向形成深度为深的线移动，一边反复进行步骤S3以及步骤S4的处理，直到在步骤S3中判定为BHC为止。另外，步骤S3以及步骤S4的处理，在去路以及回路分别进行。例如，在针对去路确定了BHC的线后，针对回路的线，也同样地从改性区域12的形成深度为浅的线起依次进行是否为BHC的判定，确定BHC的线。
在步骤S3中，如果针对去路、回路确定成为BHC的线，则接下来，控制部8，针对去路、回路中的各个，进行下龟裂的长度的合格与否的判定(步骤S5)。具体而言，控制部8，例如通过上述的(1)～(3)式中的任一个，导出下龟裂的长度，并通过将下龟裂的长度与龟裂长度目标值比较，来判定检查的合格与否。
控制部8，在龟裂长度目标值为规定合格的龟裂长度的下限的值的情况下，在推测的下龟裂的长度短于龟裂长度目标值的情况下，判定为检查不合格。另外，控制部8，在龟裂长度目标值为规定合格的龟裂长度的上限的值的情况下，在推测的下龟裂的长度长于龟裂长度目标值的情况下，判定为检查不合格。另外，控制部8，在龟裂长度目标值为规定合格的龟裂长度的范围的值的情况下，在推测的下龟裂的长度为龟裂长度目标值的范围外的情况下，判定为检查不合格。另外，控制部8，也可根据与成为了BHC的线相对应的Z高度，来导出成为BHC的Z高度，并将该Z高度与目标Z高度比较来判定检查的合格与否。在这种情况下，控制部8也可以，在导出的Z高度与目标Z高度相互一致的情况下，判定为检查合格，在不一致的情况下，判定为检查不合格。在步骤S5中判定为检查合格的情况下，检查结束。
另一方面，在步骤S5中，在去路、回路中的至少一个判定为检查不合格的情况下，控制部8进行激光照射单元3的照射条件的调整(修正参数调整)(步骤S6)。具体而言，控制部8，基于推测的下龟裂的长度，来导出与照射条件的调整有关的信息(修正参数)。控制部8，例如在下龟裂的长度为短(短于规定下限的龟裂长度目标值)的情况下，以龟裂长度成为长于龟裂长度目标值的方式，来导出修正参数。另外，控制部8，例如在下龟裂的长度为长(长于规定下限的龟裂长度目标值)的情况下，以龟裂长度成为短于龟裂长度目标值的方式，来导出修正参数。与照射条件的调整相关的信息(修正参数)，例如，为聚光修正量、加工输出、脉冲宽度等与激光以及光学设定值相关的信息。然后，控制部8，通过将导出的聚光修正量、加工输出、脉冲宽度等的适当值，设定于激光照射单元3，来对激光照射单元3的照射条件作调整。通过这种方法，在调整了照射条件之后，再次实行步骤S1之后的处理，并确认下龟裂的长度是否成为期望的长度。新的改性区域12形成于未形成改性区域12的晶圆20的区域。以上为第1检查方法。另外，也可替代上述的步骤S2～S3的处理，进行基于下龟裂的前端14e的有无的BHC判定。即，也可接续于步骤S1，针对最浅的线，进行基于下龟裂的前端14e的有无的BHC判定，并逐渐朝向形成深度为深的线移动，直到判定为BHC为止，并且在判定为BHC的情况下，进行步骤S5的处理。
另外，在上述的第1检查方法的说明中，虽然针对在步骤S2中从形成深度为浅的线起依次检测上龟裂的前端14e的位置并在步骤S3中进行是否为BHC的判定进行了说明，但是并不限定于此，也可为，在步骤S2中，从形成深度为深的线起依次检测上龟裂的前端14e的位置，并在步骤S3中，进行是否为ST的判定。在这种情况下，一边逐渐朝向形成深度为浅的线移动，一边反复进行步骤S3以及步骤S4的处理，直到在步骤S3中判定为ST为止。然后，也可以为，在判定为ST的情况下，例如基于最后被判定为BHC的线的信息，来推测下龟裂的长度，并进行步骤S5之后的处理。
图19所示的第2检查方法，在从改性区域12的形成深度为浅(或者为深)的线起依次进行判定是否为BHC并进行照射条件的调整(修正参数调整)这一点上，与第1检查方法相同，但是，并非在进行了针对所有的线的形成处理后再进行判定处理，而是1条线1条线地来进行形成处理以及判定处理(但是，形成处理仅在最初进行2条线)，在此点上，与第1检查方法不同。以下，主要针对与第1检查方法不同的点进行说明，将重复的说明省略。
在第2检查方法中，首先，形成形成深度为最浅的改性区域12(步骤S11)。即，形成图13所示的“Z167”的去路的线的改性区域12。接着，通过控制部8，针对改性区域12的形成深度为最浅的线即“Z167”的去路的线，检测上龟裂的前端14e的位置(步骤S12)。接着，通过控制部8，形成形成深度为第2浅的改性区域12(步骤S13)。即，形成“Z168”的去路的线的改性区域12。接着，通过控制部8，针对刚形成了改性区域12的线的“Z168”的去路的线，检测上龟裂的前端14e的位置(步骤S14)。
接着，基于检测的信息，判定第2浅的线是否为BHC(龟裂到达状态)(步骤S15)。控制部8，基于在“Z167”的去路的线的上龟裂的前端14e的位置、和在“Z168”的去路的线的上龟裂的前端14e的位置，来判定“Z168”的去路的线是否为BHC。具体而言，控制部8，在2个线之间的上龟裂的前端14e的位置的变化量大于规定值的情况下，判定为“Z168”的去路的线为BHC。另外，控制部8也可以，针对“Z167”的去路的线以及“Z168”的去路的线，导出上龟裂的前端14e的位置与形成有改性区域12b的位置的差分，并在该差分的变化量大于规定值的情况下，判定为“Z168”的去路为BHC。
当在步骤S15中判定为不是BHC的情况下，形成下一个形成深度为浅的“Z169”的去路的线的改性区域(步骤S16)，针对刚形成了改性区域12的线即“Z169”的去路的线，检测上龟裂的前端14e的位置(步骤S14)。接着，基于检测出的信息，判定“Z169”的去路的线是否为BHC(龟裂到达状态)(步骤S15)。如此这般，一边逐渐朝向形成深度为深的线移动，一边反复进行步骤S16、S14、S15的处理，直到在步骤S15中判定为BHC为止。另外，在针对去路的线确定了BHC的线之后，针对回路的线，也同样地，通过步骤S11～S15的处理，确定BHC的线。步骤S17以及S18的处理由于与上述的步骤S5以及S6的处理相同，因此省略说明。以上为第2检查方法。另外，也可替代上述的步骤S12～S16的处理，而进行基于下龟裂的前端14e的有无的BHC判定。即，也可接续于步骤S11，针对最浅的线，进行基于下龟裂的前端14e的有无的BHC判定，并逐渐朝向形成深度为深的线移动，直到判定为BHC为止，在判定为BHC的情况下，进行步骤S17的处理。
在图20所示的第3检查方法中，在被假设成为BHC的形成深度处形成改性区域12，并判定是否为BHC，在不是BHC的情况下，以下龟裂变长的方式，进行照射条件的调整(修正参数调整)。以下，主要针对与第1检查方法不同点进行说明，将重复的说明省略。
在第3检查方法中，首先，为了在被假定成为BHC的形成深度处形成改性区域12，在目标的Z高度(被假定成为BHC的Z高度)处形成改性区域12(步骤S21)。然后，判定形成有改性区域12的线是否为BHC(龟裂到达状态)(步骤S22)。控制部8，例如基于从改性区域12a向表面21a侧延伸的龟裂即下龟裂的表面21a侧的前端14e的有无，来判定是否为BHC(龟裂到达状态)。
无论是否在被假定成为BHC的形成深度处形成有改性区域12，在步骤S22中判定为不是BHC的情况下，控制部8均进行激光照射单元3的照射条件的调整(修正参数调整)(步骤S23)。反复进行步骤S23、S21、S22的处理，直到在步骤S22中判定为BHC为止。当在步骤S22中判定为BHC的情况下，检查结束。以上为第3检查方法。
在图21所示的第4检查方法中，除了第3检查方法的处理以外，还在下龟裂的长度过长的情况下，进行将下龟裂的长度缩短的逆修正处理。根据图20所示的第3检查方法，当在应成为BHC的线未成为BHC且下龟裂为短的情况下，能够通过照射条件的调整来将下龟裂设为期望的长度。然而，例如在第3检查方法中，当在未进行任何一次的修正参数调整而判定为BHC的情况下，虽然能够确认下龟裂的长度是充分长，但是，对于下龟裂的长度是否过度地变长无法进行确认，在过度地变长的情况下，无法将下龟裂的长度缩短。在第4检查方法中，当在未进行任何一次的修正参数调整而判定为BHC的情况下，在被假定未成为BHC的形成深度处形成改性区域，并判定是否为BHC，在为BHC的情况下，以下龟裂变短的方式来进行照射条件的调整(逆修正处理)。以下，主要是针对与第3检查方法的不同点进行说明，将重复的说明省略。
第4检查方法的步骤S31～S33，与上述的第3检查方法的步骤S21～S23的处理相同。在第4检查方法中，当在步骤S32中判定为形成BHC的情况下，判定是否为已完成参数调整(步骤S34)。在进行步骤S34的处理之前进行了步骤S33的修正参数调整的情况下，判定为已完成参数调整，检查结束。另一方面，在进行步骤S34的处理之前未进行步骤S33的修正参数调整的情况下，以相比于目标的Z高度而改性区域12的形成深度为更浅的Z高度(例如，为“目标的Z高度-1”的Z高度，并假定未成为BHC的Z高度)，来形成改性区域12(步骤S35)。
然后，在步骤S35中判定形成有改性区域12的线是否为BHC(龟裂到达状态)(步骤S36)。控制部8，例如基于从改性区域12a向表面21a侧延伸的龟裂即下龟裂的表面21a侧的前端14e的有无，来判定是否为BHC(龟裂到达状态)。
无论是否在被假定未成为BHC的形成深度处形成有改性区域12，在步骤S36中判定为BHC的情况下，控制部8均进行激光照射单元3的照射条件的调整(修正参数调整)(步骤S37)。此情况下的修正参数调整是将过长的下龟裂缩短的处理，并且是朝向步骤S33的修正参数调整的反方向的修正处理(逆修正处理)。反复进行步骤S37、S35、S36的处理，直到在步骤S36中判定为不是BHC为止。当在步骤S36中判定为不是BHC的情况下，检查结束。以上为第4检查方法。
[龟裂长度的检查及调整处理实行时的画面影像]
接着，针对龟裂长度的检查以及调整处理实行时的画面影像(image)，参照图22～图29进行说明。此处的“画面”是指，在实行龟裂长度的检查以及调整处理时对用户显示的画面，并且使促使用户进行用于检查的设定操作并且显示检查以及调整结果的GUI(Graphical User Interface)画面。
图22以及图23示出检查条件的设定。如图22所示，设定画面显示于显示器150(输入部、输出部)。显示器150具有作为接收来自用户的输入的输入部的功能、和作为对用户显示画面的输出部的功能。具体而言，显示器150，接收至少包含与晶圆的厚度相关的信息的检查条件的输入，并将基于判定结果的检查的合格与否输出。另外，显示器150，在检查为不合格的情况下，输出询问是否进行照射条件的调整的询问信息，并接收对询问信息应答的用户的要求即用户要求的输入。显示器150，也可为通过用户的手指直接接触来接收来自用户的输入的触控面板显示器，也可为经由鼠标等指向设备来接收来自用户的输入的显示器。
如图22所示，在显示器150的设定画面上，显示有“加工检查条件”、“晶圆厚度”、“目标ZH”、“目标下端龟裂长度”、“BHC检查-调整流程(flow)”、“BHC判定方法”、“合格与否判定方法”的各项目。针对加工检查条件、晶圆厚度、BHC检查-调整流程、BHC判定方法以及合格与否判定方法，分别准备多个模式(pattern)，用户能够从下拉列表选择1个。在设定画面中，需要输入加工检查条件以及晶圆厚度中的至少一个。加工检查条件是指，例如晶圆厚度(t775μm等)、焦点数(SD层的数量、2焦点等)以及检查种类(BHC检查等)等条件。加工检查条件，例如，将晶圆厚度、焦点数以及检查种类等条件组合，而准备多个模式。另外，在加工检查条件的多个模式中，也可包含用户能够任意地设定各种条件的模式。在选择了此种加工检查条件的情况下，如图23所示，例如，用户能够任意地设定焦点数、行程(Pass)数、加工速度、脉冲宽度、频率、ZH、加工输出、目标下端龟裂长度、其规格(目标下端龟裂长度的容许范围)、目标ZH、其规格(目标ZH的容许范围)。在用户选择了通常的加工检查条件(用户未任意地设定详细的条件的加工检查条件)的情况下，行程数等详细的SD加工条件，根据加工检查条件自动地设定。
目标ZH以及目标下端龟裂长度，如果输入有加工检查条件以及晶圆厚度中的至少一个，则自动地显示(设定)。目标ZH是指，判定为检查合格的Z高度。目标下端龟裂长度是指，判定为检查合格的下龟裂的长度。对目标ZH以及目标下端龟裂长度，分别设定容许范围(规格)。
BHC检查-调整流程是指，表示龟裂长度的检查以及调整处理以哪种检查方法进行的信息，例如是上述的第1检查方法～第4检查方法中的任一个。BHC判定方法是指，表示以哪种判定方法来判定是否为BHC的信息，例如是通过上龟裂的前端的位置的变化量的判定、通过上龟裂的前端的位置和形成有改性区域的位置的差分的变化量的判定、或者通过下龟裂的前端的有无的判定中的任一个。合格与否判定方法是指，表示通过什么来判定检查的合格与否的信息，例如是ZH以及下端龟裂长度的双方、仅ZH或者仅下端龟裂长度中的任一个。
图24示出：作为加工检查条件选择有条件1：晶圆厚度(t775μm)、焦点数(2焦点)、检查种类(BHC检查)，作为BHC检查-调整流程选择有第1检查方法，并且作为BHC判定方法选择有通过上龟裂的前端的位置的变化量的判定，作为合格与否判定方法选择有ZH以及下端龟裂长度的双方的情况下的合格画面的一例。
如图24所示，在显示器150的合格画面中，在左上方示出与在设定画面中的设定相对应的信息，在右上方示出合格与否结果，在左下方示出最浅的BHC线的上龟裂(SD2龟裂)的前端位置照片，在右下方示出检查结果(BHC余裕检查结果)的一览。在BHC余裕(margin)检查结果中，对去路、回路分别示出：在各ZH的背面状态(ST或者BHC)、上龟裂的前端的位置(SD2上端龟裂位置)、上龟裂的前端的位置的变化量、下端龟裂长度(SD1下端位置)。如BHC余裕检查结果所示，对于去路，判定为上龟裂的前端的位置的变化量大幅度地变化(38μm的变化)的“Z172”的线为最浅BHC，并导出下端龟裂长度为70μm。同样地，对于回路，判定为上龟裂的前端的位置的变化量大幅度地变化(38μm的变化)的“Z173”的线为最浅BHC，并导出下端龟裂长度为66μm。现在，由于目标下端龟裂长度是65μm±5μm，因此，如合格与否结果所示，去路、回路均在下端龟裂长度这点上成为合格。另外，由于目标ZH是ZH173(“Z173”的线的Z高度)±Z1(1个的Z高度的量)，因此，如合格与否结果所示，去路、回路均在ZH这点上也成为合格。另外，也可为，在与在设定画面的设定相对应的信息下，设置有是否设定修正参数的下拉列表，用户从该下拉列表来要求修正参数调整。
图25示出在选择了与图24相同的加工检查条件、BHC检查-调整流程、BHC判定方法、合格与否判定方法的情况下的不合格画面的一例。另外，在图25所示的检查中，在晶圆厚度是771μm并且目标ZH是ZH172这点上，与图24所示的检查不同。如BHC余裕检查结果所示，对于去路，判定为上龟裂的前端的位置的变化量大幅度地变化(40μm的变化)的“Z174”的线为最浅BHC，并导出下端龟裂长度为58μm。同样地，对于回路，判断为上龟裂的前端的位置的变化量大幅度地变化(40μm的变化)的“Z174”的线为最浅BHC，并导出下端龟裂长度为58μm。现在，由于目标下端龟裂长度是65μm±5μm，因此，如合格与否结果所示，去路、回路均在下端龟裂长度这点上成为不合格。另外，由于目标ZH是ZH172(“Z172”的线的Z高度)±Z1(1个的Z高度的量)，因此，如合格与否结果所示，去路、回路均在“ZH”这点上也成为不合格。在检查结果成为了不合格的情况下，在显示器150的不合格画面的下端部，显示有询问是否进行修正参数的调整(照射条件的调整)的询问信息，显示器150接收对该询问信息应答的用户要求的输入。然后，控制部8，在用户要求中用户要求进行照射条件的调整的情况下，导出与照射条件的调整相关的信息，并进行照射条件的调整。
图26示出：作为加工检查条件选择有条件1：晶圆厚度(t775μm)、焦点数(2焦点)、检查种类(BHC检查)，作为BHC检查-调整流程选择有第2检查方法，并且作为BHC判定方法选择有通过上龟裂的前端的位置与形成有改性区域的位置的差分的变化量的判定，作为合格与否判定方法选择有ZH以及下端龟裂长度的双方的情况下的合格画面的一例。在BHC余裕检查结果中，对去路、回路分别示出：在各ZH的背面状态(ST或者BHC)、a)上龟裂的前端的位置(SD2上端龟裂位置)、b)形成有改性区域的位置(SD1下端位置)、上龟裂的前端的位置与形成有改性区域的位置的差分(a-b)、差分的变化量。如BHC余裕检查结果所示，对于去路，判定为上龟裂的前端的位置与形成有改性区域的位置的差分的变化量大幅度地变化(42μm的变化)的“Z172”的线为最浅BHC，并导出下端龟裂长度为70μm。同样地，对于回路，判定为上龟裂的前端的位置与形成有改性区域的位置的差分变化量大幅度地变化(42μm的变化)的“Z173”的线为最浅BHC，并导出下端龟裂长度为66μm。现在，由于目标下端龟裂长度是65μm±5μm，因此，如合格与否结果所示，去路、回路均在下端龟裂长度这点上为成为合格。另外，由于目标ZH是ZH173(“Z173”的线的Z高度)±Z1(1个的Z高度的量)，因此，如合格与否结果所示，去路、回路均在ZH这点上也成为合格。
图27示出在选择了与图26相同的加工检查条件、BHC检查-调整流程、BHC判定方法、合格与否判定方法的情况下的不合格画面的一例。另外，在图27所示的检查中，在晶圆厚度是771μm并且目标ZH是ZH172这点上，与图26所示的检查不同。如BHC余裕检查结果所示，对于去路，判定为上龟裂的前端的位置与形成有改性区域的位置的差分的变化量大幅度地变化(44μm的变化)的“Z173”的线为最浅BHC，并导出下端龟裂长度为62μm。同样地，对于回路，上龟裂的前端的位置与形成有改性区域的位置的差分的变化量大幅度地变化(44μm的变化)“Z174”的线为最浅BHC，并导出下端龟裂长度为58μm。现在，由于目标下端龟裂长度是65μm±5μm，因此，如合格与否结果所示，回路未满足条件，在下端龟裂长度这点上成为不合格。另外，由于目标ZH是ZH172(“Z172”的线的Z高度)±Z1(1个的Z高度的量)，因此，如合格与否结果所示，回路未满足条件，在ZH这点上也成为不合格。在检查结果成为了不合格的情况下，在显示器150的不合格画面的下端部，显示有询问是否进行修正参数的调整(照射条件的调整)的询问信息。
图28示出：作为加工检查条件选择有条件1：晶圆厚度(t775μm)、焦点数(2焦点)、检查种类(BHC检查)，作为BHC检查-调整流程选择有第3检查方法，并且作为BHC判定方法选择有通过下龟裂的前端的有无的判定，作为合格与否判定方法选择有ZH以及下端龟裂长度的双方的情况下的合格画面的一例。在BHC余裕检查结果中，对去路、回路分别示出：在各ZH的背面状态(ST或者BHC)以及下龟裂的前端的有无。如BHC余裕检查结果所示，对于去路，判定为成为了未检测出下龟裂的前端的“Z172”的线为最浅BHC，并根据ZH导出下端龟裂长度为70μm。对于回路，判定为成为了未检测出下龟裂的前端的“Z173”的线为最浅BHC，并根据ZH导出下端龟裂长度为66μm。现在，由于目标下端龟裂长度是65μm±5μm，因此，如合格与否结果所示，去路、回路均在下端龟裂长度这点上为成为合格。另外，由于目标ZH是ZH173(“Z173”的线的Z高度)±Z1(1个的Z高度的量)，因此，如合格与否结果所示，去路、回路均在ZH这点上也成为合格。
图29示出在选择了与图28相同的加工检查条件、BHC检查-调整流程、BHC判定方法、合格与否判定方法的情况下的不合格画面的一例。另外，在图29所示的检查中，在晶圆厚度是771μm并且目标ZH是ZH172这点上，与图28所示的检查不同。如BHC余裕检查结果所示，对于去路，判定为成为了未检测出下龟裂的前端的“Z173”的线为最浅BHC，并根据ZH导出下端龟裂长度为62μm。对于回路，判定为成为了未检测出下龟裂的前端的“Z174”的线为最浅BHC，并根据ZH导出下端龟裂长度为58μm。现在，由于目标下端龟裂长度是65μm±5μm，因此，如合格与否结果所示，回路未满足条件，在下端龟裂长度这点上为成为不合格。另外，由于目标ZH是ZH172(“Z172”的线的Z高度)±Z1(1个的Z高度的量)，因此，如合格与否结果所示，回路未满足条件，在ZH这点上也成为不合格。在检查结果成为了不合格的情况下，在显示器150的不合格画面的下端部，显示有询问是否进行修正参数的调整(照射条件的调整)的询问信息。
[作用效果]
接着，针对本实施方式的作用、效果进行说明。
本实施方式的激光加工装置1，具备：平台2，支撑晶圆20，晶圆20具有：具有表面21a以及背面21b的半导体基板21与形成于表面21a的功能元件层22；激光照射单元3，从半导体基板21的背面21b侧对晶圆20照射激光；摄像单元4，输出相对于半导体基板21具有透射性的光，并检测在半导体基板21中传播的光；控制部8，构成为实行：以通过激光照射于晶圆20在半导体基板21的内部形成一个或多个改性区域12的方式，来控制激光照射单元3；以及基于从检测光的摄像单元4输出的信号，来导出从改性区域12向半导体基板21的背面21b侧延伸的龟裂14即上龟裂的背面21b侧的前端的位置，基于该上龟裂的背面21b侧的前端的位置，判定是否为从改性区域12延伸的龟裂14到达半导体基板21的表面21a侧的龟裂到达状态；控制器8，沿着晶圆20的多条线中的各个，以形成与多条线中包含的其他的线形成深度为不同的改性区域12的方式，来控制激光照射单元3；从改性区域12的形成深度为浅的线起依次、或者从改性区域12的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂12的背面21b侧的前端的位置与形成有改性区域12的位置的差分，并基于该差分的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。
在激光加工装置1中，以在半导体基板21的内部形成改性区域12的方式，对晶圆20照射激光，相对于半导体基板21输出的、具有透射性的光被摄像，基于摄像结果(从摄像单元4输出的信号)，来导出从改性区域12向半导体基板21的背面21b侧延伸的龟裂14即上龟裂的背面21b侧的前端的位置。并且，基于上龟裂的前端的位置，判定是否为从改性区域12延伸的龟裂14到达半导体基板21的表面21a侧的龟裂到达状态。更详细而言，在激光加工装置1中，多条线的各改性区域12，设为彼此不同的形成深度，从改性区域12的形成深度为浅的线起依次、或者从改性区域12的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂的前端的位置与形成有改性区域12的位置的差分，基于该差分的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。如上述一般，在从改性区域12的形成深度为浅的线(或者为深的线)起依次导出上述的差分的情况下，在龟裂到达状态与龟裂14未到达半导体基板21的表面21a侧的状态切换的线处，与其他的线间相比，上述的差分的变化量(距紧接于前导出差分的线的变化量)变大。基于此种观点，在激光加工装置1中，基于上述差分的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。由此，根据激光加工装置1，能够适当地确认是否为龟裂到达状态，即，跨改性区域12的龟裂是否充分地延伸至半导体基板21的表面21a侧。
本实施方式的激光加工装置1，具备：平台2，支撑晶圆20，晶圆20具有：具有表面21a以及背面21b的半导体基板21与形成于表面21a的功能元件层22；激光照射单元3，从半导体基板21的背面21b侧对晶圆20照射激光；摄像单元4，输出相对于半导体基板21具有透射性的光，并检测在半导体基板21中传播的光；控制部8，构成为实行：以通过激光照射于晶圆20在半导体基板21的内部形成一个或多个改性区域12的方式，来控制激光照射单元3；以及基于从检测光的摄像单元4输出的信号，来导出从改性区域12向半导体基板21的背面21b侧延伸的龟裂14即上龟裂的背面21b侧的前端的位置，基于该上龟裂的背面21b侧的前端的位置，判定是否为从改性区域12延伸的龟裂14到达半导体基板21的表面21a侧的龟裂到达状态；控制器8，沿着晶圆20的多条线中的各个，以形成与多条线中包含的其他的线形成深度为不同的改性区域12的方式，来控制激光照射单元3；从改性区域12的形成深度为浅的线起依次、或者从改性区域12的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂12的背面21b侧的前端的位置，并基于该前端位置的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。
在激光加工装置1中，以在半导体基板21的内部形成改性区域12的方式，对晶圆20照射激光，在半导体基板21中传播的、具有透射性的光被摄像，基于摄像结果(从摄像单元4输出的信号)，来导出从改性区域12向半导体基板21的背面21b侧延伸的龟裂14即上龟裂的背面21b侧的前端的位置。并且，基于上龟裂的前端的位置，判定是否为从改性区域12延伸的龟裂14到达半导体基板21的表面21a侧的龟裂到达状态。更详细而言，在激光加工装置1中，多条线的各改性区域12，设为彼此不同的形成深度，从改性区域12的形成深度为浅的线起依次、或者从改性区域12的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂的前端的位置，基于该前端的位置的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。如上述一般，在从改性区域12的形成深度为浅的线(或者为深的线)起依次导出上述的差分的情况下，在龟裂到达状态与龟裂14未到达半导体基板21的表面21a侧的状态切换的线处，与其他的线间相比，上述的上龟裂的前端的位置的变化量(距紧接于前导出差分的线的变化量)变大。基于此种观点，在激光加工装置1中，基于上述的上龟裂的前端的位置的变化量，来判定是否为龟裂到达状态。由此，根据激光加工装置1，能够适当地确认是否为龟裂到达状态，即，跨改性区域12的龟裂是否充分地延伸至半导体基板21的表面21a侧。
控制部8，基于从改性区域12向半导体基板21的表面21a侧延伸的龟裂即下龟裂的表面21a侧的前端14e的有无，来判定是否为龟裂到达状态。在确认下龟裂的表面21a侧的前端14e的存在的情况下，可假定为未成为龟裂到达状态。因此，通过基于下龟裂的表面21a侧的前端14e的有无来判定是否为龟裂到达状态，能够以高精确度来判定出是否为龟裂到达状态。
控制部8，基于是否为龟裂到达状态的判定结果，导出与激光照射单元3的照射条件的调整相关的信息。通过考虑判定结果并且导出与激光照射单元3的照射条件的调整相关的信息，例如，能够以在龟裂14的长度短于原本的情况下龟裂14的长度变长的方式，或者，以在龟裂14的长度长于原本的情况下龟裂14的长度变短的方式，导出用于照射条件的调整的信息。并且，如此这般，通过使用导出的用于照射条件的调整的信息来调整照射条件，能够将龟裂14的长度设为期望的长度。
控制部8，基于判定结果，来推测龟裂14的长度，并且基于推测的龟裂14的长度，来导出与照射条件的调整相关的信息。通过基于推测的龟裂14的长度来导出与照射条件的调整相关的信息，从而照射调节的调整精度提高，能够以更高的精度将龟裂14的长度设为期望的长度。
以上，虽然针对本实施方式作了说明，但是，本发明并不被限定于上述的实施方式。例如，作为控制部8基于导出的与调整相关的信息来调整照射条件而进行了说明，但是，并不限定于此，也可在控制部8进行了与调整相关的信息的导出后，输出部(显示器150等)输出通过控制部8导出的与调整相关的信息。在这种情况下，基于输出的、与调整相关的信息，例如，用户一边手动确认一边调整照射条件，并将龟裂的长度设为期望的长度。
符号说明
1…激光加工装置(检查装置)、2…平台、3…激光照射单元(激光照射部)、4…摄像单元(摄像部)、8…控制部、12…改性区域、14…龟裂、20…晶圆、21…半导体基板、21a…表面、21b…背面、22…功能元件层、150…显示器(输入部、输出部)。

Claims (7)

1.一种检查装置，其中，
具备：
平台，支撑具有半导体基板的晶圆，所述半导体基板具有第一表面以及第二表面；
激光照射部，对所述晶圆照射激光；
摄像部，输出相对于所述半导体基板具有透射性的光，并检测在所述半导体基板中传播的所述光；以及
控制部，构成为实行：以通过所述激光照射于所述晶圆在所述半导体基板的内部形成一个或多个改性区域的方式，来控制所述激光照射部；以及基于从检测所述光的所述摄像部输出的信号，来导出上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，来判定是否为从所述改性区域延伸的龟裂到达所述半导体基板的所述第一表面侧的龟裂到达状态，其中，所述上龟裂为从所述改性区域向所述半导体基板的所述第二表面侧延伸的龟裂，
所述控制部，
沿着所述晶圆的多条线中的各个，以形成与所述多条线中包含的其他的线形成深度为不同的所述改性区域的方式，来控制所述激光照射部，
从所述改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从所述改性区域的形成深度为深的线起依次，导出所述上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置与形成有所述改性区域的位置的差分，并基于该差分的变化量，来判定是否为所述龟裂到达状态。
2.一种检查装置，其中，
具备：
平台，支撑具有半导体基板的晶圆，所述半导体基板具有第一表面以及第二表面；
激光照射部，对所述晶圆照射激光；
摄像部，输出相对于所述半导体基板具有透射性的光，并检测在所述半导体基板中传播的所述光；以及
控制部，构成为实行：以通过所述激光照射于所述晶圆在所述半导体基板的内部形成一个或多个改性区域的方式，来控制所述激光照射部；以及基于从检测所述光的所述摄像部输出的信号，来导出上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，来判定是否为从所述改性区域延伸的龟裂到达所述半导体基板的所述第一表面侧的龟裂到达状态，其中，所述上龟裂为从所述改性区域向所述半导体基板的所述第二表面侧延伸的龟裂，
所述控制部，
沿着所述晶圆的多条线中的各个，以形成与所述多条线中包含的其他的线形成深度为不同的所述改性区域的方式，来控制所述激光照射部，
从所述改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从所述改性区域的形成深度为深的线起依次，导出所述上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，并基于该前端的位置的变化量，来判定是否为所述龟裂到达状态。
3.根据权利要求1或2所述的检查装置，其中，
所述控制部，还考虑下龟裂的所述第一表面侧的前端的有无，来判定是否为所述龟裂到达状态，其中，所述下龟裂为从所述改性区域向所述半导体基板的所述第一表面侧延伸的龟裂。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的检查装置，其中，
所述控制部构成为还实行：基于是否为所述龟裂到达状态的判定结果，来导出与所述激光照射部的照射条件的调整相关的信息。
5.根据权利要求4所述的检查装置，其中，
所述控制部，基于所述判定结果，来推测所述龟裂的长度，并且基于推测的所述龟裂的长度，来导出与所述照射条件的调整相关的信息。
6.一种检查方法，其中，
具备：
第1工序，准备具备具有第一表面以及第二表面的半导体基板的晶圆，通过对所述晶圆照射激光，来在所述半导体基板的内部形成一个或多个改性区域；
第2工序，输出相对于通过所述第1工序形成有所述改性区域的所述半导体基板而具有透射性的光，并检测在所述半导体基板中传播的所述光；以及
第3工序，基于在所述第2工序中检测的所述光，来导出上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，来判断是否为从所述改性区域延伸的龟裂到达所述半导体基板的第一表面侧的龟裂到达状态，其中，所述上龟裂为从所述改性区域延伸的龟裂向所述第二表面侧延伸的龟裂，
在所述第一工序中，沿着所述晶圆的多条线中的各个，形成与所述多条线中包含的其他的线形成深度为不同的所述改性区域，
在所述第三工序中，从所述改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从所述改性区域的形成深度为深的线起依次，导出所述上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置与形成有所述改性区域的位置的差分，并基于该差分的变化量，来判定是否为所述龟裂到达状态。
7.一种检查方法，其中，
具备：
第1工序，准备具备具有第一表面以及第二表面的半导体基板的晶圆，通过对所述晶圆照射激光，来在所述半导体基板的内部形成一个或多个改性区域；
第2工序，输出相对于通过所述第1工序形成有所述改性区域的所述半导体基板而具有透射性的光，并检测在所述半导体基板中传播的所述光；以及
第3工序，基于在所述第2工序中检测的所述光，来导出上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，来判断是否为从所述改性区域延伸的龟裂到达所述半导体基板的第一表面侧的龟裂到达状态，其中，所述上龟裂为从所述改性区域延伸的龟裂向所述第二表面侧延伸的龟裂，
在所述第一工序中，沿着所述晶圆的多条线中的各个，形成与所述多条线中包含的其他的线形成深度为不同的所述改性区域，
在所述第三工序中，从所述改性区域的形成深度为浅的线起依次、或者从所述改性区域的形成深度为深的线起依次，导出上龟裂的所述第二表面侧的前端的位置，并基于该前端的位置的变化量，来判定是否为所述龟裂到达状态。
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