CN114411233B - 一种快速制备(100)单晶铜的方法 - Google Patents

一种快速制备(100)单晶铜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114411233B
CN114411233B CN202210028237.5A CN202210028237A CN114411233B CN 114411233 B CN114411233 B CN 114411233B CN 202210028237 A CN202210028237 A CN 202210028237A CN 114411233 B CN114411233 B CN 114411233B
Authority
CN
China
Prior art keywords
single crystal
twin
crystal
current
nano
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210028237.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114411233A (zh
Inventor
黄明亮
张诗楠
武洋
詹莉昕
黄斐斐
任婧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dalian University of Technology
Original Assignee
Dalian University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dalian University of Technology filed Critical Dalian University of Technology
Priority to CN202210028237.5A priority Critical patent/CN114411233B/zh
Publication of CN114411233A publication Critical patent/CN114411233A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114411233B publication Critical patent/CN114411233B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B30/00—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
    • C30B30/02—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions using electric fields, e.g. electrolysis

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种快速制备(100)单晶铜的方法，在对(111)择优取向纳米孪晶Cu薄膜进行退火的同时，对其施加电场并保持一定时间，使其晶粒快速长大，最终(111)择优取向的纳米孪晶Cu转变为(100)择优取向的单晶Cu。本发明的方法显著提高了单晶Cu的生产效率，制得具有(100)择优取向的大晶粒尺寸单晶Cu，其具有优良的力学性能、抗氧化性能、抗电迁移性能和热稳定性等优点。本发明的(100)单晶铜制备方法简单、高效、成本低，且与目前微电子封装工艺兼容性好，非常适用于大规模工业化生产。

Description

一种快速制备(100)单晶铜的方法
技术领域
本发明涉及微电子制造技术领域，具体而言，尤其涉及一种快速制备(100)单晶铜的方法。
背景技术
铜(Cu)是目前微电子封装技术中应用最广泛的导体材料，应用于凸点下金属化层(Under Bump Metallization，UBM)、重布线层(Redistribution Layer，RDL)、芯片内连线和导线等。随着半导体技术的发展，微电子封装技术持续向微型化方向发展，先进三维***级封装对所使用的Cu互连材料提出了新的要求。随着尺寸的缩小、密度的提高，微电子封装结构中电流密度提高，散热能力减弱，更容易发生电迁移失效和高温失效；同时，随着凸点尺寸的缩小，微凸点中金属间化合物(Intermetallic Compound，IMC)和UBM的晶粒数量也持续减少，甚至仅有一个晶粒，因此IMC与UBM的各向异性特征将更加凸显，可能导致微凸点早期失效和可靠性降低。传统的多晶Cu无法解决上述问题，因此需要新的材料来全面替代微电子封装技术中广泛使用的多晶Cu。
单晶铜具有单一的择优取向，消除了作为扩散通道的晶界结构，因此具有比多晶铜更优异的抗电迁移性能；同时单晶Cu不会发生晶粒长大和再结晶，具有比多晶Cu更好的热稳定性；此外其作为UBM与钎料合金反应生成的IMC晶粒也具有择优取向，同时能够减少柯肯达尔孔洞(Kirkendall Voids)的形成，提高微焊点的可靠性；单晶铜还有力学性能优异和电阻率低等优点。因此，单晶Cu是微电子封装技术中非常理想的UBM、RDL和导线等使用的材料。工业上，单晶Cu一般采用布里奇曼法等控制熔融金属液凝固过程的方法制备，然而通过这种方法难以得到微电子封装技术中所需的UBM、RDL等具有精细图案的薄膜结构，同时铸造过程的高温会使半导体器件产生严重的热损伤，因此开发出一种适用于微电子封装的单晶Cu制备方法具有重要的工程实用价值。
现有技术中适用微电子封装技术中制备单晶Cu的方法主要如下：
公开号WO2020006761国际专利申请公开了一种电沉积制备(100)单晶Cu薄膜的方法，该方法利用特定装置及电镀液，使得电镀沉积Cu过程中电极之间产生电势震荡，从而沉积出(100)单晶Cu薄膜。然而该方法使用的镀液中含有多种添加剂，一方面成分复杂使得镀液稳定性难以保证，另一方面添加剂会作为杂质残留在Cu薄膜中，影响薄膜性能；同时该方法电镀过程中需要较高的镀液搅拌速度，需使用旋转圆盘电极才能达到，旋转圆盘电极电镀面积很小，这就使得该方法难以沉积出大面积(100)单晶Cu薄膜，并且效率低下不适用于工业化生产；此外该方法制得单晶Cu晶粒约为10～20μm，意味着其中仍然具有较多的晶界，因而影响其导电性、力学性能和抗电迁移性等。
还有技术通过将制得的具有(111)择优取向的纳米孪晶Cu柱或薄膜经过长时间的高温退火后得到(100)单晶Cu柱或薄膜。但半导体芯片和器件无法承受长时间的高温退火，会产生严重的热损伤；并且过长的退火时间会引起芯片和基板翘曲等问题；此外工艺时间长，也会增加工艺成本、使生产效率低。因此，用于工业化生产经济性不高。
综上，现有适用微电子封装技术的单晶Cu制备方法存在制备装置复杂、热损伤大及制得单晶质量不高等问题，使得单晶Cu仍然难以大规模应用于微电子封装技术中。因此，有必要提供一种制备装置简单、对芯片和器件影响小、高效高质量制备单晶Cu的方法，使得单晶Cu能够应用于微电子制造领域中。
发明内容
根据上述提出现有的微电子封装技术中单晶Cu制备方法存在复杂性、制造出的单晶质量不高以及热损伤大等技术问题，而提供一种快速制备(100)单晶铜的方法。本发明主要通过在对(111)择优取向的纳米孪晶Cu退火过程中施加电场，在电流作用下使(111)方向的纳米孪晶Cu中产生应力和应变，促进(100)方向晶粒在其中形核和长大，以快速形成(100)择优取向单晶Cu。该方法以电流作为额外的能量输入，在较低工艺温度下显著加快了(111)纳米孪晶Cu转变为(100)单晶Cu的速率。
本发明采用的技术手段如下：
一种快速制备(100)单晶铜的方法，其特征在于，提供一(111)择优取向的纳米孪晶Cu，对上述纳米孪晶Cu进行退火的同时，对其直接/间接地施加一电流密度，保持一定时间，使其晶粒快速长大并转变为(100)择优取向，最终(111)择优取向的纳米孪晶Cu转变为(100)择优取向的单晶Cu。
进一步地，所述方法具体包括如下步骤：
步骤一：提供一纳米孪晶Cu，晶粒呈柱状并具有(111)择优取向；
步骤二：将步骤一所述的纳米孪晶Cu与一电流源相连，形成完整的通路；
步骤三：将步骤二所述连接好导线的纳米孪晶Cu加热进行退火，同时直接/间接地施加一定的直流或脉冲电流，保持恒定的温度和电流密度一段时间，直至所述纳米孪晶Cu全部转变为单晶Cu；其中，所述单晶Cu是由纳米孪晶Cu退火过程中晶粒快速长大而形成的，为单一(100)择优取向。
所述单晶Cu由纳米孪晶Cu退火过程中晶粒快速长大而形成，在其他条件不变的情况下，所施加的电流密度越大，则纳米孪晶Cu形成单晶Cu速度越快。
所述直接/间接地施加电流是指可以将纳米孪晶Cu直接通过导线与电流源相连，或者将纳米孪晶Cu作为UBM以钎料与另一侧的UBM形成冶金连接后再通过导线与电流源相连。
进一步地，所述电流密度定义为I/S，I为通过所述纳米孪晶Cu的电流值，S为垂直于电流方向上所述纳米孪晶Cu的截面积。
进一步地，所述电流的方向与所述纳米孪晶Cu的(111)晶面平行、垂直或呈任意角度。
进一步地，所述电流的电流密度值为1×103～5×105A/cm2，优选为5×103～105A/cm2。
进一步地，所述退火过程气氛条件为真空、惰性气体保护、氮气保护或空气氛围。
进一步地，所述退火过程中，退火温度为125～275℃，优选为150～180℃，或者225～250℃。在较低的温度下，半导体器件内热应力较小，不易出现由热应力引起的翘曲、裂纹或撕裂等问题；同时原子活动能力随着温度降低而减弱，能够有效避免半导体器件内由原子扩散引起的失效。
进一步地，所述的退火时间，即保持恒定的温度和电流的时间，为5～25min，优选为10～20min，减少退火时间能够有效减小半导体器件的热损伤。
进一步地，所述纳米孪晶Cu是通过直流或脉冲电镀的方法在金属基板或非金属基板上制备得到的，其形状无特别限制，可为柱状、线状、薄膜状、不规则形状等，其面积介于1～107μm2，其厚度为0.1～100μm，优选为20～80μm。
所述纳米孪晶Cu柱状晶平均直径大于3μm，其具有高密度孪晶界，孪晶界间距为1～100nm，优选为10～50μm。其中，所述纳米孪晶Cu基板材料可以为硅、玻璃、石英、印刷电路板、金属及其合金，但无特别限制。
进一步地，步骤二所述连接过程中，所述纳米孪晶Cu与导线可以采用钎焊连接、金属夹具夹持等方法，所采用连接方法不限于上述方法。
进一步地，所述单晶Cu为单一(100)择优取向，其平均晶粒尺寸大于50μm。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
本发明在纳米孪晶Cu退火过程中，对纳米孪晶Cu施加电场作为额外的能量输入，采用施加电流促进晶粒转变的方式，施加电流可以为基体提供能量，替代一部分高温提供的能量，从而达到在效果相当的情况下，降低工艺温度并减少工艺时间。当材料承受较大的电流(电流密度大于1×103A/cm2)时，会在材料内部产生应力和应变，并且应力和应变的大小也随着电流密度的增加而增加，这些应力和应变一方面使得材料内部能量增加，更容易发生晶粒长大和退孪晶，从而降低了纳米孪晶Cu退火过程中转变为单晶Cu所需的温度；另一方面也会使材料内部出现更多的空位和位错等缺陷，为新晶粒提供形核位点，更多的形核位点使得单晶Cu晶粒长大并取代所有纳米孪晶Cu晶粒的时间缩短。应当指出的是，虽然退火过程中施加的电流越大，其促进纳米孪晶Cu转变为单晶Cu的作用越强，但是电流密度并不能无限制地增加，当电流密度大于5×105A/cm2，电流引起的原子定向迁移将使Cu的微观组织中出现孔洞，因此本发明选择的电流密度值为103～5×105A/cm2。
本发明提供的方法实现了快速制备适用于电子封装中的单晶Cu，工艺过程中对半导体芯片和器件的热损伤小；制备单晶Cu的生产效率高；制得的单晶Cu具有(100)方向的择优取向，并具有大的晶粒尺寸，具有良好的力学性能、抗氧化性能、抗电迁移性能和热稳定性等优点；制得的单晶Cu与钎料反应时，能够调控金属间化合物的择优取向并抑制柯肯达尔孔洞的产生。
综上所述，本发明提供的方法克服了现有技术热损伤大、单晶质量不高、经济性不佳等缺点，从而在较低的工艺温度下，快速制备出单晶Cu，非常适用于单晶Cu材质的凸点下金属化层、重布线层、芯片内连线或导线等的制备。
本发明所述方法简单、高效、成本低，且与目前微电子封装工艺兼容性好，非常适用于大规模工业化生产。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做以简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1、2所使用的纳米孪晶Cu的X射线衍射(XRD)检测结果。
图2为本发明实施例1、2所使用的纳米孪晶Cu的背散射电子衍射(EBSD)照片。
图3为本发明实施例1示意图。
图4为本发明实施例2示意图。
图5为本发明实施例1得到的单晶Cu经氩离子刻蚀后的照片。
图6为本发明实施例1得到的单晶Cu的EBSD照片。
图7为本发明实施例2得到的单晶Cu的XRD检测结果。
图8为本发明实施例2得到的单晶Cu的EBSD照片。
图9为本发明实施例2得到的单晶Cu经聚焦离子束(FIB)刻蚀后的照片。
图10为对比例得到的退火后纳米孪晶Cu的XRD检测结果。
图11为对比例得到的退火后纳米孪晶Cu的EBSD照片。
图中：10、基板；20、(111)择优取向纳米孪晶Cu；30、钎料凸点；40、凸点下金属化层(UBM)。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本发明的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。同时，应当清楚，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员己知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任向具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
实施例1
如图3所示，本发明的一种快速制备(100)单晶铜的方法可以通过下述具体工艺步骤实现：
步骤一：提供一(111)择优取向纳米孪晶Cu 20(如图1和图2所示)，其具有高密度孪晶界，晶粒呈柱状并具有(111)择优取向，其柱状晶平均直径为8μm。所述纳米孪晶Cu为直流或脉冲电镀的方法在基板10上制备得到，其基板为轧制多晶Cu。所述纳米孪晶Cu厚度为30μm。
步骤二：将步骤一所述的纳米孪晶Cu作为UBM以钎料凸点30与另一侧凸点下金属化层(UBM)40形成冶金连接，形成一组合体，再将此组合体连接电流源形成完整通路。
步骤三：加热步骤二所述的组合体至225℃，同时对所述的纳米孪晶Cu施加直流电流，使通过所述的纳米孪晶Cu的电流密度为1×104A/cm2，且电流方向垂直所述的纳米孪晶Cu表面，即垂直于所述的纳米孪晶Cu的(111)面，保持上述的温度和电流密度15min，所述纳米孪晶Cu全部转变为单晶Cu。
如图5和图6所示，所形成的单晶Cu为(100)择优取向，其晶粒尺寸>50μm。
实施例2
如图4所示，本发明的一种快速制备(100)单晶铜的方法可以通过下述具体工艺步骤实现：
步骤一：提供一(111)择优取向纳米孪晶Cu 20，其具有高密度孪晶界，晶粒呈柱状并具有(111)择优取向，其柱状晶平均直径为8μm。所述纳米孪晶Cu为直流或脉冲电镀的方法在基板10上制备得到，其形状为条状。所述纳米孪晶Cu厚度为30μm。
步骤二：将步骤一所述的纳米孪晶Cu与一电流源相连，形成完整的通路。
步骤三：加热步骤二所述连接好导线的纳米孪晶Cu至160℃，同时对所述的纳米孪晶Cu施加脉冲电流，Ton/Toff为1，频率200赫兹，使通过所述的纳米孪晶Cu的电流密度为1×105A/cm2，且电流方向平行所述的纳米孪晶Cu表面，即平行于所述的纳米孪晶Cu的(111)面，保持上述恒定的温度和电流密度15min，所述纳米孪晶Cu全部转变为单晶Cu。
如图7、图8和图9所示，所形成的单晶Cu为(100)择优取向，其晶粒尺寸>50μm。
对比例
本对比例中，未对纳米孪晶Cu施加电流，即仅加热进行退火，退火温度300℃，退火时间1h，其他步骤、材料及工艺条件等均与实施例2相同，结果(111)择优取向纳米孪晶Cu未转变为(100)单晶Cu，如图10和图11所示。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (6)

1.一种快速制备(100)单晶铜的方法，其特征在于，具体包括如下步骤，
步骤一：提供一（111）择优取向的纳米孪晶Cu，晶粒呈柱状并具有(111)择优取向；
步骤二：将步骤一所述的纳米孪晶Cu连接好导线，与一电流源相连，形成完整的通路；
步骤三：将步骤二连接好导线的纳米孪晶Cu加热进行退火，同时直接/间接地施加一定的直流或脉冲电流，保持恒定的温度和电流密度一段时间，在电流作用下使（111）方向的纳米孪晶Cu中产生应力和应变，促进(100)方向晶粒在其中形核，使其晶粒快速长大并转变为(100)择优取向，直至所述(111)择优取向的纳米孪晶Cu全部转变为具有单一(100)择优取向的单晶Cu；
所述电流的电流密度值为1×103~5×105 A/cm2；
所述退火过程中，退火温度为125~275 ℃；
退火时间，即保持恒定的温度和电流密度的时间，为5~25 min。
2.根据权利要求1所述的快速制备(100)单晶铜的方法，其特征在于，所述电流密度定义为I/S，I为通过所述纳米孪晶Cu的电流值，S为垂直于电流方向所述纳米孪晶Cu的截面积。
3.根据权利要求2所述的快速制备(100)单晶铜的方法，其特征在于，所述电流方向与所述纳米孪晶Cu的(111)晶面平行、垂直或呈任意角度。
4.根据权利要求1所述的快速制备(100)单晶铜的方法，其特征在于，所述退火过程气氛条件为真空、惰性气体保护、氮气保护或空气氛围。
5.根据权利要求1所述的快速制备(100)单晶铜的方法，其特征在于，所述纳米孪晶Cu是通过直流或脉冲电镀的方法在金属基板或非金属基板上制备得到的，其面积介于1~107μm2，其厚度为0.1~100 μm；所述纳米孪晶Cu柱状晶平均直径大于3 μm，其具有高密度孪晶界，孪晶界间距为1~100 nm。
6.根据权利要求1所述的快速制备(100)单晶铜的方法，其特征在于，所述单晶Cu具有单一(100) 择优取向，其平均晶粒尺寸大于50 μm。
CN202210028237.5A 2022-01-11 2022-01-11 一种快速制备(100)单晶铜的方法 Active CN114411233B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210028237.5A CN114411233B (zh) 2022-01-11 2022-01-11 一种快速制备(100)单晶铜的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210028237.5A CN114411233B (zh) 2022-01-11 2022-01-11 一种快速制备(100)单晶铜的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114411233A CN114411233A (zh) 2022-04-29
CN114411233B true CN114411233B (zh) 2023-05-26

Family

ID=81273390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210028237.5A Active CN114411233B (zh) 2022-01-11 2022-01-11 一种快速制备(100)单晶铜的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114411233B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115029769B (zh) * 2022-06-28 2023-11-21 江苏科技大学 一种纳米孪晶铜膜转变为单晶铜膜的制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2657624B1 (fr) * 1990-01-26 1992-04-24 Saint Louis Inst Procede pour la fabrication de plaques en metal ductile et ses applications.
CN100503880C (zh) * 2007-03-08 2009-06-24 复旦大学 一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法
TWI432613B (zh) * 2011-11-16 2014-04-01 Univ Nat Chiao Tung 電鍍沉積之奈米雙晶銅金屬層及其製備方法
TWI486970B (zh) * 2013-01-29 2015-06-01 Tung Han Chuang 銅基合金線材及其製造方法
TWI507569B (zh) * 2013-08-30 2015-11-11 Univ Nat Chiao Tung 單晶銅、其製備方法及包含其之基板
TWI545231B (zh) * 2014-12-11 2016-08-11 國立交通大學 具有大晶粒之銅薄膜、包含其之銅箔基板、以及該銅箔基板之製備方法
CN107354506B (zh) * 2017-06-30 2019-06-18 北京大学 一种制备超平整铜单晶薄膜的方法
WO2020006761A1 (zh) * 2018-07-06 2020-01-09 力汉科技有限公司 电解液、使用该电解液以电沉积制备单晶铜的方法以及电沉积设备
TWI743525B (zh) * 2019-07-30 2021-10-21 國立陽明交通大學 類單晶薄膜及其製造方法
US20230212773A1 (en) * 2020-05-18 2023-07-06 Lam Research Corporation Surface pretreatment for electroplating nanotwinned copper
CN112317972B (zh) * 2020-09-30 2021-07-20 厦门大学 一种单向性耐高温焊接接头的低温快速制造方法
CN113621999B (zh) * 2021-05-08 2023-03-24 中国科学院金属研究所 一种高延伸性电解铜箔及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114411233A (zh) 2022-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11488920B2 (en) Silver nano-twinned thin film structure and method for forming the same
JP2020031238A (ja) 半導体装置用ボンディングワイヤ
JP6734033B2 (ja) 無酸素銅板、無酸素銅板の製造方法およびセラミック配線基板
Jhan et al. Electrodeposition of nanocrystalline Cu for Cu-Cu direct bonding
CN114411233B (zh) 一种快速制备(100)单晶铜的方法
WO2012049893A1 (ja) 高温半導体素子用平角状銀（Ａｇ）クラッド銅リボン
US20180076167A1 (en) Metallic ribbon for power module packaging
JP2007327081A (ja) 接着方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP5281191B1 (ja) パワ−半導体装置用アルミニウム合金細線
JP6799701B1 (ja) 金属粒子
Huang et al. Growth mechanism of interfacial IMCs on (111) preferred orientation nanotwinned Cu UBM for 3D IC packaging
CN111435646A (zh) 半导体装置及其制造方法
Xiao et al. Comparison of interfacial reactions and isothermal aging of cone Ni-P and flat Ni-P with Sn3. 5Ag solders
Fang et al. Low temperature fine-pitch Cu-Cu bonding using Au nanoparticles as intermediate
JP5691901B2 (ja) パワーモジュールの製造方法
Wang et al. Silver microstructure control for fluxless bonding success using Ag-In system
JP7168008B2 (ja) はんだ接合部
JP2015203148A (ja) 銅合金材、セラミック配線基板及びセラミック配線基板の製造方法
WO2017138639A1 (ja) 接合材、接合材の製造方法、接合構造体の作製方法
Jiang et al. Defect formation and mitigation in Cu/Cu joints formed through transient liquid phase bonding with Cu-Sn nanocomposite interlayer
JP6205083B1 (ja) 接合構造部
Sakai et al. A low temperature Cu-Cu direct bonding method with VUV and HCOOH treatment for 3D integration
TWI396756B (zh) 電子封裝合金線材及其製造方法
JP2010126766A (ja) Ｓｎめっき層を有するめっき基材およびその製造方法
Chen et al. Improved Cu/Sn interface reliability using double-layer stacked nano-twinned Cu

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant