CN114335012A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制备方法与移动终端，所述显示面板包括衬底、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层、源漏极金属层；所述显示面板还包括隔离层，所述有源层包括设置于所述衬底上的多晶硅半导体子层和金属氧化物半导体子层，所述金属氧化物半导体子层包括金属氧化物有源段和金属氧化物导体段，所述隔离层设置于所述金属氧化物导体段上，且所述隔离层在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述金属氧化物导体段在所述衬底上的正投影，一方面，所述显示面板膜层结构简单，降低了成产成本，减薄了显示面板的厚度，另一方面，所述隔离层的设置使得所述金属氧化物半导体子层的性质并不会因与多晶硅半导体子层设置于同一层而受到影响。

Description

显示面板及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

低温多晶氧化物(Low temperature polycrystalline oxide,LTPO)背板是一种新型的显示背板技术，其将低温多晶硅(Low temperature polycrystalline silicon，LTPS)背板技术以及氧化物(oxide)背板技术相结合，不仅具有LTPS的高分辨率、高响应速度、高亮度、高开口率等优势，还兼具oxide低功耗的优势，已成为未来显示技术的重点发展方向之一。

然而，LTPO型显示背板的膜层多，导致制备成本的升高，另一方面，其厚度也随之增大，不符合未来显示面板薄型化的发展方向。

发明内容

本发明提供一种显示面板及其制备方法与移动终端，所述显示面板解决了因膜层结构复杂导致的制备成本高与显示面板厚度过厚的问题。

为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种显示面板，包括：

衬底；

有源层，设置于所述衬底上；

栅极绝缘层，设置于所述有源层上；

栅极金属层，设置于所述栅极绝缘层上；

层间绝缘层，设置于所述栅极金属层上；

源漏极金属层，设置于所述层间绝缘层上；

其中，所述显示面板还包括隔离层，所述有源层包括设置于所述衬底上的多晶硅半导体子层和金属氧化物半导体子层，所述金属氧化物半导体子层包括金属氧化物有源段和金属氧化物导体段，所述隔离层设置于所述金属氧化物导体段上，且所述隔离层在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述金属氧化物导体段在所述衬底上的正投影。

在本发明实施例提供的一显示面板中，所述隔离层设置于所述金属氧化物导体段和所述衬底上，所述隔离层在所述衬底上的正投影覆盖所述金属氧化物导体段在所述衬底上的正投影。

在本发明实施例提供的一显示面板中，所述金属氧化物导体段包括设置于所述金属氧化物有源段两侧的第一金属氧化物导体段与第二金属氧化物导体段，所述隔离层包括设置于所述第一金属氧化物导体段上的第一隔离部以及设置于所述第二金属氧化物导体段上的第二隔离部。

在本发明实施例提供的一显示面板中，所述栅极金属层包括与所述多晶硅半导体子层对应设置的第一栅极，以及与所述金属氧化物半导体子层对应设置的第二栅极，所述隔离层还包括隔离附加部，所述隔离附加部设置于所述第二栅极上。

在本发明实施例提供的一显示面板中，所述隔离层的材料包括氧化铝、氧化钛或氧化铬中的至少一者。

在本发明实施例提供的一显示面板中，所述隔离层的厚度为50-100埃。

在本发明实施例提供的一显示面板中，所述源漏极金属层包括电极板，所述电极板与所述第一栅极对应设置。

在本发明实施例提供的一显示面板中，所述显示面板还包括设置于所述有源层下的功能金属层，所述功能金属层与所述有源层之间设置有缓冲层，所述功能金属层在所述衬底上的正投影覆盖所述金属氧化物有源段在所述衬底上的正投影。

第二方面，本发明还提供了一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：

S10：提供一衬底，在所述衬底上形成有源层，所述有源层包括设置于所述衬底上的多晶硅半导体子层和金属氧化物半导体子层，所述金属氧化物半导体子层包括金属氧化物有源段和金属氧化物导体段第一金属氧化物导体段第二金属氧化物导体段；

S20：在所述有源层上形成隔离层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层以及源漏极金属层，其中，所述隔离层设置于所述金属氧化物导体段上，且所述隔离层在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述金属氧化物导体段在所述衬底上的正投影。

在本发明实施例提供的一显示面板的制备方法中，在所述步骤S20中，形成所述隔离层的步骤包括，在所述金属氧化物导体段上形成一钝化金属层，对所述钝化金属层进行热退火，所述钝化金属层夺取所述金属氧化物导体段中的氧形成所述隔离层。

有益效果：本发明提供了一种显示面板及其制备方法，所述显示面板通过将所述多晶硅半导体子层与金属氧化物半导体子层，设置于同一层，使得所述显示面板的膜层结构简单，从而简化显示面板的制备流程，降低生产制造成本，且显示面板的厚度更薄，有利于促进显示面板薄型化的发展，另一方面，增设所述隔离层，当上层的所述栅极绝缘层或所述层间绝缘层中的氢向所述第一有源部扩散，修补多晶硅中的缺陷的同时，所述隔离层阻隔上层的所述栅极绝缘层或所述层间绝缘层中的氢侵袭至所述金属氧化物导体段第一金属氧化物导体段第二金属氧化物导体段中，保证所述金属氧化物导体段的稳定性，即，所述金属氧化物导体段的性质并不会因与所述第一有源部设置于同一层而受到影响，确保了显示面板的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明现有技术提供的一种显示面板的截面结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图；

图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图；

图4是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的文字流程示意图；

图5a-5h是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的结构流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。

请参阅图1提供的现有技术中的一种常规的LTPO型显示面板的截面结构示意与，包括衬底101、与依次层叠设置于所述衬底101上的第一缓冲层102、除静电层103、第二缓冲层104、低温多晶硅半导体层105，第一绝缘层106、第一金属层107、第二绝缘层108、第二金属层109、第三绝缘层110、氧化物半导体层111、第四绝缘层112、第三金属层113、第五绝缘层114、第四金属层115以及第六绝缘层116。

在该显示面板中，包括两层缓冲层、一层除静电层、四层金属层以及六层绝缘层，共需要进行8道光罩，由于其既包含低温多晶硅型薄膜晶体管又包含氧化物半导体薄膜晶体管，膜层结构复杂，导致制备成本的升高，另一方面，其厚度也随之增大，不利于未来超薄显示技术的开发。

基于上述问题，本发明实施例提供了一种显示面板，如下结合图2提供的该显示面板的截面结构示意图进行详述：

具体地，所述显示面板包括衬底210、有源层230、栅极绝缘层240、栅极金属层260、层间绝缘层270以及源漏极金属层280；

其中，所述有源层230设置于所述衬底210上，包括多晶硅半导体子层231与金属氧化物半导体子层232；

所述多晶硅半导体子层231的材料为多晶硅，包括多晶硅有源段2311与设置于所述多晶硅有源段2311两侧的多晶硅导体段，所述多晶硅导体段包括第一多晶硅导体段2312以及第二多晶硅导体段2313；

所述金属氧化物半导体子层232的材料为金属氧化物半导体，包括金属氧化物有源段2321与设置于所述金属氧化物有源段2321两侧的金属氧化物导体段，所述金属氧化物导体段包括第一金属氧化物导体段2322以及第二金属氧化物导体段2323；

所述第一多晶硅导体段2312以及第二多晶硅导体段2313，第一金属氧化物导体段2322以及第二金属氧化物导体段2323为导体化区域，用于与对应的源极与漏极电性连接；

所述栅极金属层260包括对应所述多晶硅半导体子层231中的所述多晶硅有源段2311设置的第一栅极261，以及对应所述金属氧化物半导体子层232中的所述金属氧化物有源段2321设置的第二栅极262；

所述源漏极金属层包括第一源极281、第一漏极282、第二源极283以及第二漏极284，所述第一源极281与所述第一多晶硅导体段2312电性连接，所述第一漏极282与所述第二多晶硅导体段2313电性连接，所述第二源极283与所述第一金属氧化物导体段2322电性连接，所述第二漏极284与所述第二金属氧化物导体段2323电性连接；

所述第一源极281、第一漏极282、第一栅极261以及多晶硅半导体子层231形成第一薄膜晶体管TFT1，即多晶硅型薄膜晶体管，所述第二源极283、第二漏极284、第二栅极262以及金属氧化物半导体子层232形成第二薄膜晶体管TFT2，即氧化物型薄膜晶体管；

在本实施例所述提供的显示面板中，将两种不同类型的有源层，即所述多晶硅半导体子层231与所述金属氧化物半导体子层232设置于同一层，如此一来，可进一步地将所述第一栅极261与所述第二栅极262同层设置，亦可将所述第一源极281、第一漏极282、第二源极283以及第二漏极284同层设置，在该显示面板中，尽管包含两种类型的薄膜晶体管，但由于两种薄膜晶体管的各层均同层设置，相较前述示出的现有技术中的一常规显示面板，金属层的层数以及绝缘层的层数均减少，从而简化显示面板的制备流程，降低生产制造成本，且显示面板的厚度更薄，有利于促进显示面板薄型化的发展；

进一步地，在所述第一金属氧化物导体段2322与所述第二金属氧化物导体段2323上还设置有隔离层250，所述隔离层250包括设置于所述第一金属氧化物导体段2322上的第一隔离部251以及设置于所述第二金属氧化物导体段2323上的第二隔离部252，通过所述隔离层250的隔离作用，当上层的所述栅极绝缘层240或所述层间绝缘层270中的氢向所述多晶硅半导体子层231扩散，修补多晶硅中的缺陷的同时，所述隔离层250阻隔上层的所述栅极绝缘层240或所述层间绝缘层270中的氢侵袭至所述第一金属氧化物导体段2322与所述第二金属氧化物导体段2323中，保证所述金属氧化物半导体子层232的稳定性，即，所述金属氧化物半导体子层232的性质并不会因与所述多晶硅半导体子层231设置于同一层而受到影响。

在一些实施例中，所述多晶硅通常为低温多晶硅，所述金属氧化物半导体通常选自氧化铟镓锡、氧化铟锌锡以及氧化铟锌镓锡等本领域常规的金属氧化物半导体材料；

所述栅极金属层260以及所述源漏极金属层280的材料通常为钼、铝、钛、铜或前述金属的合金；

所述栅极绝缘层240以及所述层间绝缘层270通常为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜或氮化硅薄膜与氧化硅薄膜的堆叠膜层。

在一些实施例中，请继续参阅图2，所述隔离层250设置于所述金属氧化物导体段和所述衬底210上，所述隔离层250在所述衬底210上的正投影覆盖所述金属氧化物导体段在所述衬底210上的正投影，即，所述隔离层250将所述第一金属氧化物导体段2322与所述第二金属氧化物导体段2323暴露的表面全部覆盖，最大程度地阻隔氢原子的入侵。

在一些实施例中，所述隔离层250的包括钝化金属的氧化物，所述隔离层250由一钝化金属层经热退火夺取下层的所述金属氧化物导体段中的氧后而得到，使得所述金属氧化物导体段导体化，具体可参见后述的制备方法实施例，另一方面，形成的所述隔离层250包含有致密的金属氧化物膜层，对氢原子有着较佳的阻隔效果。

进一步地，所述钝化金属选自钛、铝与铬中的任意一种，或者为其他本领域常用的钝化金属材料，即，所述隔离层250的材料具体包括氧化钛、氧化铬以及氧化铝中的至少一者。

在一些实施例中，请继续参阅图2，所述隔离层250还包括隔离附加部253，所述隔离附加部253设置于所述第二栅极262上，所述隔离附加部253与所述第一隔离部251以及第二隔离部252一并形成，所述隔离附加部253对于显示面板的性能并无特殊的意义，主要是由于所述隔离层250的形成不需通过光罩曝光形成，使得所述隔离附加部253仍然保留于所述第二栅极262上，以此简化显示面板的制备流程，详见后述的显示面板的制备方法的实施例。

在一些实施例中，所述隔离层250的厚度为50-100埃，所需隔离层无需设置的较厚，可满足所需的隔离效果即可，具体根据实际工艺需求进行设置。

在一些实施例中，请参阅图3提供的一种显示面板的截面结构示意图，所述源漏极金属层280除了用作所述多晶硅半导体子层231与金属氧化物半导体子层232的源漏电极以外，还包括一电极板285，所述电极板285对应设置于所述第一栅极261的上方，所述电极板285与所述第一栅极261形成电容用于提升所述第一薄膜晶体管TFT1的性能，由于将所述电极板285设置于所述源漏极金属层280中，即不用增加所述显示面板膜层结构，有利于进一步简化显示面板的结构，降低制造成本，并减薄显示面板的厚度。

在一些实施例中，请继续参阅图3，所述显示面板还包括设置于所述有源层230下的功能金属层223，所述功能金属层223与所述有源层230之间设置有第二缓冲层222，所述功能金属层223与所述衬底210之间设置有第一缓冲层221；

第一方面，所述功能金属层223在所述衬底210上的正投影覆盖所述金属氧化物有源段2321在所述衬底20上的正投影，用于遮挡外界的光线照射所述金属氧化物有源段2321，避免因所述金属氧化物有源段2321被光线照射而导致所述第二薄膜晶体管TFT2出现电性偏移的问题出现；

第二方面，所述源漏极金属层280与所述功能金属层223电性连接，具体地，为所述第一薄膜晶体管TFT1中的第一源极281或第一漏极282与所述功能金属层223电性连接，所述第二薄膜晶体管TFT2中的第二源极283或第二漏极284与所述功能金属层223电性连接，使得所述第一薄膜晶体管TFT1与所述第二薄膜晶体管TFT2内部产生的静电荷通过所述功能金属层223导走，从而降低所述第一薄膜晶体管TFT1与所述第二薄膜晶体管TFT2因发生静电击伤而导致显示不良的风险；

通过所述功能金属层223这一层结构层，同时实现遮光以及防静电的作用，有利于进一步简化显示面板的结构，降低制造成本，并减薄显示面板的厚度。

在一些实施例中，所述功能金属层223的材料选自钼、铝、铜等本领域常规使用的金属材料，所述第一缓冲层221与所述第二缓冲层222的材料通常为氮化硅或氧化硅。

需要说明的是，上述显示面板实施例中仅描述了上述结构，可以理解的是，除了上述结构之外，本发明实施例显示面板中，还可以根据需要包括任何其他的必要结构，例如有机发光层或薄膜封装层等，具体此处不作限定。

本发明的另一实施例提供了一种显示面板的制备方法，如下结合图4示出的该制备方法的流程示意图进行阐述：

所述显示面板的制备方法包括如下步骤：

S10：提供一衬底，在所述衬底上形成有源层，所述有源层包括设置于所述衬底上的多晶硅半导体子层和金属氧化物半导体子层，所述金属氧化物半导体子层包括金属氧化物有源段和金属氧化物导体段第一金属氧化物导体段第二金属氧化物导体段；

S20：在所述有源层上形成隔离层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层以及源漏极金属层，其中，所述隔离层设置于所述金属氧化物导体段上，且所述隔离层在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述金属氧化物导体段在所述衬底上的正投影第一金属氧化物导体段第二金属氧化物导体段。

在一些实施例中，在所述步骤S20中，形成所述隔离层的步骤包括，在所述金属氧化物导体段上形成一钝化金属层，对所述钝化金属层进行热退火，所述钝化金属层夺取所述金属氧化物导体段中的氧后形成所述隔离层。

进一步地，如下结合图5a-5h示出的具体的结构示意图，示例性地详述该显示面板的制备方法：

首先，提供一衬底210，在所述衬底210上形成第一缓冲层221、功能金属层223以及第二缓冲层222，再在所述第二缓冲层形成有源层230，所述有源层包括多晶硅半导体子层231与金属氧化物半导体子层232，即形成如图5a所示的结构；

在所述有源层230上形成栅极绝缘层240以及栅极金属层260，所述栅极金属层260包括第一栅极261与第二栅极262，再利用所述第一栅极261的自对准，对所述多晶硅半导体子层231进行离子掺杂，使得所述多晶硅半导体子层231未被所述第一栅极261遮挡的部分导体化，形成第一多晶硅导体段2312与第二多晶硅导体段2313，所述第一源极部2312与第一漏极部2313之间被多晶硅有源段2311隔开，即形成如图5b所示的结构；

在所述栅极金属层260上形成光阻层P1，所述光阻层P1对应形成于所述多晶硅半导体子层231上，在所述光阻层P1的遮蔽下，对所述栅极绝缘层240蚀刻，使得所述金属氧化物半导体子层232未被所述第二栅极262覆盖的两侧显露，即形成如图5c所示的结构；

在所述光阻层P1上形成一钝化金属层2501，即形成如图5d所示的结构，所述钝化金属层2501的材料包括钝化金属或钝化金属氧化物，例如钛、铝、铬、氧化钛、氧化铬以及氧化铝；

剥离去除所述光阻层P1，同时形成于所述光阻层P1上的钝化金属层2501被一并去除掉，即形成如图5e所示的结构；

对所述钝化金属层2501进行热退火，所述钝化金属层2501夺取相接触的所述金属氧化物半导体子层232中的氢，使得其导体化，形成第一金属氧化物导体段2322以及第二金属氧化物导体段2323，第一金属氧化物导体段2322以及第二金属氧化物导体段2323之间被金属氧化物有源段2321隔开，热退火后的所述钝化金属层2501形成隔离层250，所述隔离层250具体包括设置于所述第一金属氧化物导体段2322上的第一隔离部251以及设置于所述第二金属氧化物导体段2323上的第二隔离部252，以及保留于所述第二栅极262上的隔离附加部253，即形成如图5f所示的结构；

在所述隔离层250上形成层间绝缘层270，并图案化所述层间绝缘层270形成接触孔，再在所述层间绝缘层270上形成源漏极金属层280，源漏极金属层280包括第一源极281、第一漏极282、第二源极283、第二漏极284以及电极板285，所述第一源极281通过所述接触孔与所述第一多晶硅导体段2312电性连接，所述第一漏极282通过所述接触孔与所述第二多晶硅导体段2313电性连接，所述第二源极283通过所述接触孔与所述第一金属氧化物导体段2322电性连接，所述第二漏极284通过所述接触孔与所述第二金属氧化物导体段2323电性连接，所述电极板285对应设置于所述第一栅极261的上方，所述即形成如图5g所示的结构；

在所述源漏极金属层280上形成钝化层290，即完成制备形成如图5h所示的结构。

可以理解的是，此处仅示例性的示出了一种具体的制备方法，本领域技术人员可根据以上具体步骤进行适当的调整，本发明对此不作特殊限定。

本发明的另一实施例提供了一种移动终端，包括前述实施例所述的显示面板及终端主体，所述终端主体与所述显示面板组合为一体，所述终端主体可以包括中框、框胶等，所述移动终端可以为手机、平板等移动显示终端，本发明实施例对此不作限定。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。

以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制备方法与移动终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

衬底；

有源层，设置于所述衬底上；

栅极绝缘层，设置于所述有源层上；

栅极金属层，设置于所述栅极绝缘层上；

层间绝缘层，设置于所述栅极金属层上；

源漏极金属层，设置于所述层间绝缘层上；

其中，所述显示面板还包括隔离层，所述有源层包括设置于所述衬底上的多晶硅半导体子层和金属氧化物半导体子层，所述金属氧化物半导体子层包括金属氧化物有源段和金属氧化物导体段，所述隔离层设置于所述金属氧化物导体段上，且所述隔离层在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述金属氧化物导体段在所述衬底上的正投影。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述隔离层设置于所述金属氧化物导体段和所述衬底上，所述隔离层在所述衬底上的正投影覆盖所述金属氧化物导体段在所述衬底上的正投影。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属氧化物导体段包括设置于所述金属氧化物有源段两侧的第一金属氧化物导体段与第二金属氧化物导体段，所述隔离层包括设置于所述第一金属氧化物导体段上的第一隔离部以及设置于所述第二金属氧化物导体段上的第二隔离部。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述栅极金属层包括与所述多晶硅半导体子层对应设置的第一栅极，以及与所述金属氧化物半导体子层对应设置的第二栅极，所述隔离层还包括隔离附加部，所述隔离附加部设置于所述第二栅极上。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述隔离层的材料包括氧化铝、氧化钛或氧化铬中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述隔离层的厚度为50-100埃。

7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述源漏极金属层包括电极板，所述电极板与所述第一栅极对应设置。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述有源层下的功能金属层，所述功能金属层与所述有源层之间设置有缓冲层，所述功能金属层在所述衬底上的正投影覆盖所述金属氧化物有源段在所述衬底上的正投影。

9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S10：提供一衬底，在所述衬底上形成有源层，所述有源层包括设置于所述衬底上的多晶硅半导体子层和金属氧化物半导体子层，所述金属氧化物半导体子层包括金属氧化物有源段和金属氧化物导体段第一金属氧化物导体段第二金属氧化物导体段；

S20：在所述有源层上形成隔离层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层以及源漏极金属层，其中，所述隔离层设置于所述金属氧化物导体段上，且所述隔离层在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述金属氧化物导体段在所述衬底上的正投影。

10.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述步骤S20中，形成所述隔离层的步骤包括，在所述金属氧化物导体段上形成一钝化金属层，对所述钝化金属层进行热退火，所述钝化金属层夺取所述金属氧化物导体段中的氧形成所述隔离层。

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