CN114326907A - 一种新型的por电路 - Google Patents

一种新型的por电路 Download PDF

Info

Publication number
CN114326907A
CN114326907A CN202210031845.1A CN202210031845A CN114326907A CN 114326907 A CN114326907 A CN 114326907A CN 202210031845 A CN202210031845 A CN 202210031845A CN 114326907 A CN114326907 A CN 114326907A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistor
mos tube
voltage
por
bjt
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210031845.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114326907B (zh
Inventor
耿翔
曹灿华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Southchip Semiconductor Technology Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Southchip Semiconductor Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Southchip Semiconductor Technology Co Ltd filed Critical Shanghai Southchip Semiconductor Technology Co Ltd
Priority to CN202210031845.1A priority Critical patent/CN114326907B/zh
Publication of CN114326907A publication Critical patent/CN114326907A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114326907B publication Critical patent/CN114326907B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明属于模拟电路技术领域，具体的说是涉及一种新型的POR电路。本发明用于解决一般的based BG的POR的大面积的情况，通过使用单一BJT以及PTAT based comparator可以达到用较小的面积达到POR功能的结果，同时使用高端BJT，NBL可以很好的保护BJT的电流，不然使用低端BJT，NBL的吸收少子的能力会导致电阻串的电流有影响。

Description

一种新型的POR电路
技术领域
本发明属于模拟电路技术领域，具体的说是涉及一种新型的POR电路。
背景技术
Power on reset使用简单的电路来检查电源电压的裕度，从而产生POR信号给到相应的数字电路，保证数字电路的正常工作。
现有的POR电路，通常是使用低端BJT，其数量通常为2个，因此导致存在面积较大的问题，不利于小型化，同时NBL的吸收少子的能力会导致电阻串的电流有影响。
发明内容
针对上述问题，本发明提出一种使用单一BJT的新型的POR电路。
本发明的技术方案是：
一种新型的POR电路，包括BJT管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、电流源、第一MOS管、第二MOS管和比较器；其中，BJT管的基极和集电极接电源，其发射极依次通过第二电阻和第一电阻后接地；第一MOS管的栅极接第二电阻和第一电阻的连接点，第一MOS管的源极接电流源的输出端，第一MOS管的漏极通过第三电阻后接地；电流源的输入端接电源；第二MOS管的源极接地电流源的输出端，其栅极接地，其漏极通过第四电阻后接地；比较器的负输入端接第一MOS管和第三电阻的连接点，比较器的正输入端接第二MOS管和第四电阻的连接点，比较器的输出端输出POR信号。
进一步的，所述第二电阻和第一电阻构成分压网络。
进一步的，所述第一MOS管和第二MOS管用于提供内嵌式PTAT电压。
进一步的，设M2的宽长比是W/L，M1的宽长比是m*W/L，m为比例系数，M1和M2设置在亚阈值区，可得第一MOS管的栅源电压Vgs1和第二MOS管的栅源电压Vgs2的差值为：
Figure BDA0003466725540000011
其中，Vth为阈值电压，η为非理想因子常数，VT为热电压，Id2为M2的漏电流，Id1为M1的漏电流，Kd2I0为Vgs2为0是M2的漏电流，Kd1I0为Vgs1为0时M1的漏电流；
I0＝μCox(η-1)VT 2
其中，μ为沟道迁移率，Cox为MOS管单位面积的栅氧化层电容。
进一步的，所述POR电流为基于bandgap的POR电路，则当输入电压等于Vtrig时，第一电阻上的压降等于Vgs1-Vgs2时，比较器翻转输出为高，得到POR信号，所述Vtrig为：
Figure BDA0003466725540000021
其中，R1为第一电阻阻值，R2为第二电阻的阻值，Vbe为BJT的base-emitter电压。
本发明的有益效果是：本发明用于解决一般的based BG的POR的大面积的情况，通过使用单一BJT以及PTAT based comparator可以达到用较小的面积达到POR功能的结果，同时使用高端BJT，NBL可以很好的保护BJT的电流，不然使用低端BJT，NBL的吸收少子的能力会导致电阻串的电流有影响。
附图说明
图1为本发明的电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细的描述。
本发明的电路结构如图1所示，使用M1和M2提供内嵌式PTAT电压，由于M1/M2被设置在亚阈值区，可以控制M1/M2的m比来设置M1和M2的VGS之差的大小。
假设M1的宽长比是m*W/L，M2的宽长比是W/L
由亚阈值区的电流公式可得:
Figure BDA0003466725540000022
其中
I0＝μCox(η-1)VT 2
μ为沟道迁移率，Cox为MOS管单位面积的栅氧化层电容；
所以VGS1-VGS2的值为
Figure BDA0003466725540000031
基于bandgap的POR有基本公式，
Figure BDA0003466725540000032
所以当VIN电压等于Vtrig时，R1上的压降等于Vgs1-Vgs2时，比较器翻转输出为高，这样则得到Power on reset信号。

Claims (5)

1.一种新型的POR电路，其特征在于，包括BJT管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、电流源、第一MOS管、第二MOS管和比较器；其中，BJT管的基极和集电极接电源，其发射极依次通过第二电阻和第一电阻后接地；第一MOS管的栅极接第二电阻和第一电阻的连接点，第一MOS管的源极接电流源的输出端，第一MOS管的漏极通过第三电阻后接地；电流源的输入端接电源；第二MOS管的源极接地电流源的输出端，其栅极接地，其漏极通过第四电阻后接地；比较器的负输入端接第一MOS管和第三电阻的连接点，比较器的正输入端接第二MOS管和第四电阻的连接点，比较器的输出端输出POR信号。
2.根据权利要求1所述的一种新型的POR电路，其特征在于，所述第二电阻和第一电阻构成分压网络。
3.根据权利要求1所述的一种新型的POR电路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管用于提供内嵌式PTAT电压。
4.根据权利要求3所述的一种新型的POR电路，其特征在于，设M2的宽长比是W/L，M1的宽长比是m*W/L，m为比例系数，M1和M2设置在亚阈值区，可得第一MOS管的栅源电压Vgs1和第二MOS管的栅源电压Vgs2的差值为：
Figure FDA0003466725530000011
其中，Vth为阈值电压，η为非理想因子常数，VT为热电压，Id2为M2的漏电流，Id1为M1的漏电流，Kd2I0为Vgs2为0时M2的漏电流，Kd1I0为Vgs1为0时M1的漏电流；
I0＝μCox(η-1)VT 2
其中，μ为沟道迁移率，Cox为MOS管单位面积的栅氧化层电容。
5.根据权利要求4所述的一种新型的POR电路，其特征在于，所述POR电流为基于bandgap的POR电路，则当输入电压等于Vtrig时，第一电阻上的压降等于Vgs1-Vgs2时，比较器翻转输出为高，得到POR信号，所述Vtrig为：
Figure FDA0003466725530000012
其中，R1为第一电阻阻值，R2为第二电阻的阻值，Vbe为BJT的base-emitter电压。
CN202210031845.1A 2022-01-12 2022-01-12 一种新型的por电路 Active CN114326907B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210031845.1A CN114326907B (zh) 2022-01-12 2022-01-12 一种新型的por电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210031845.1A CN114326907B (zh) 2022-01-12 2022-01-12 一种新型的por电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114326907A true CN114326907A (zh) 2022-04-12
CN114326907B CN114326907B (zh) 2024-04-12

Family

ID=81025903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210031845.1A Active CN114326907B (zh) 2022-01-12 2022-01-12 一种新型的por电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114326907B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100836900B1 (ko) * 2007-02-09 2008-06-11 한양대학교 산학협력단 전류 감지 회로
CN201097247Y (zh) * 2007-10-30 2008-08-06 东南大学 一种基准电压源电路
JP2011061262A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
CN102291110A (zh) * 2011-06-21 2011-12-21 东南大学 一种具有零静态电流消耗和稳定起拉电压的上电复位电路
CN105425012A (zh) * 2015-11-10 2016-03-23 华中科技大学 一种用于连续窄脉冲下的apd像元电压读取电路
CN105892553A (zh) * 2016-05-06 2016-08-24 芯原微电子(上海)有限公司 电源电压上电检测电路及其检测上电的实现方法
CN213690290U (zh) * 2020-12-28 2021-07-13 沃太能源股份有限公司 一种新型的mcu复位电路装置
CN113328736A (zh) * 2021-04-28 2021-08-31 漳州立达信光电子科技有限公司 一种复位时间可调的复位电路及设备

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100836900B1 (ko) * 2007-02-09 2008-06-11 한양대학교 산학협력단 전류 감지 회로
CN201097247Y (zh) * 2007-10-30 2008-08-06 东南大学 一种基准电压源电路
JP2011061262A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
CN102291110A (zh) * 2011-06-21 2011-12-21 东南大学 一种具有零静态电流消耗和稳定起拉电压的上电复位电路
CN105425012A (zh) * 2015-11-10 2016-03-23 华中科技大学 一种用于连续窄脉冲下的apd像元电压读取电路
CN105892553A (zh) * 2016-05-06 2016-08-24 芯原微电子(上海)有限公司 电源电压上电检测电路及其检测上电的实现方法
CN213690290U (zh) * 2020-12-28 2021-07-13 沃太能源股份有限公司 一种新型的mcu复位电路装置
CN113328736A (zh) * 2021-04-28 2021-08-31 漳州立达信光电子科技有限公司 一种复位时间可调的复位电路及设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN114326907B (zh) 2024-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107340796B (zh) 一种无电阻式高精度低功耗基准源
US7495505B2 (en) Low supply voltage band-gap reference circuit and negative temperature coefficient current generation unit thereof and method for supplying band-gap reference current
CN102622038B (zh) 带隙基准电压源电路和带隙基准电压源
CN101271346B (zh) 一种低功耗、高电源抑制比的带隙电压参考电路
CN104950971A (zh) 一种低功耗亚阈值型cmos带隙基准电压电路
CN109901656B (zh) 一种低功耗全mos管带隙基准电路以及基于其的转换器
CN110794913B (zh) 一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路
CN107992156A (zh) 一种亚阈值低功耗无电阻式基准电路
CN113050743B (zh) 一种输出多种温度系数的电流基准电路
CN111045470B (zh) 一种低失调电压高电源抑制比的带隙基准电路
CN109308091A (zh) 一种电压基准源电路
CN114326907B (zh) 一种新型的por电路
CN116860052A (zh) 一种负反馈稳压电路及前端稳压电路
CN115840486A (zh) 一种曲率补偿带隙基准电路
CN214623450U (zh) 一种纯场效应管低功耗过温保护电路
CN113110680B (zh) 一种基准电路的启动电路和基准电路
CN115333367A (zh) 电压转换电路
CN214253044U (zh) 一种电流源电路与电子设备
CN108279729A (zh) 用于带隙基准电路的启动电路
CN212276289U (zh) 一种带有负反馈的高性能cmos电压基准源
CN114461006A (zh) 一种基准电压及倍压电路
US7576599B2 (en) Voltage generating apparatus
CN114879793B (zh) 一种新型带隙基准电路
CN108646843A (zh) 带隙电路及电子设备
CN112379717B (zh) 一种全mos管的基准参考电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant