CN114318304A - 一种加热盘结构 - Google Patents
一种加热盘结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114318304A CN114318304A CN202111613976.2A CN202111613976A CN114318304A CN 114318304 A CN114318304 A CN 114318304A CN 202111613976 A CN202111613976 A CN 202111613976A CN 114318304 A CN114318304 A CN 114318304A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heating plate
- base
- air
- hole
- air receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B30/00—Energy efficient heating, ventilation or air conditioning [HVAC]
Abstract
本发明提供了一种加热盘结构,包括基座,开设有通气孔;底盘,设于所述基座,所述底盘设有与所述通气孔导通的接气孔,所述底盘远离所述基座的表面设有气流通道,所述气流通道与所述接气孔导通;驱动器,具有旋转部和伸缩部,所述旋转部可旋转的设于所述底盘,所述旋转部可带动所述伸缩部旋转;顶盘,盖合所述底盘形成气腔,所述顶盘对应所述气流通道设有若干排气孔;遮挡杆,设于所述气腔内与所述伸缩部连接,所述遮挡杆可遮挡部分所述排气孔。本发明可调节加热盘表面的温度,使加热盘表面的温度均匀,提高在晶圆上沉积薄膜时的均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体薄膜沉积的技术领域,尤其涉及一种加热盘结构。
背景技术
半导体设备在进行沉积反应时往往需要使腔室内的工作温度维持在沉积反应所需要的温度。所以,腔室内的加热盘必需具备加热结构,并且满足加热盘周围的温度均匀。
目前,大多数半导体薄膜沉积设备,在沉积过程中还会有等离子体辐射和暴露于基板表面的离子轰击参与沉积反应,因等离子体能量的释放以及化学气体间反应的能量释放,加热盘及晶圆的温度会随着射频及工艺时间的增加温度会不断的上升,存在显著的热负荷,导致晶圆表面的薄膜沉积速率不同,致使薄膜沉积不均匀,导致失败。
发明内容
本发明的目的在于提供一种加热盘结构,可调节加热盘表面的温度,使加热盘表面的温度均匀,提高在晶圆上沉积薄膜时的均匀性。
为实现上述目的,第一方面,本发明提供了一种加热盘结构,包括基座,开设有通气孔;底盘,设于所述基座,所述底盘设有与所述通气孔导通的接气孔,所述底盘远离所述基座的表面设有气流通道,所述气流通道与所述接气孔导通;驱动器,具有旋转部和伸缩部,所述旋转部可旋转的设于所述底盘,所述旋转部可带动所述伸缩部旋转;顶盘,盖合所述底盘形成气腔,所述顶盘对应所述气流通道设有若干排气孔;遮挡杆,设于所述气腔内与所述伸缩部连接,所述遮挡杆可遮挡部分所述排气孔。
本发明的有益效果在于:通过在所述基座上开设通气孔,用于接通惰性气体。所述底盘设置在所述基座,所述底盘设有与所述通气孔导通的接气孔。所述顶盘盖合所述底盘形成气腔,所以加热的惰性气体可通过接气孔导入至气腔内,并通过所述顶盘上的若干排气孔均匀排出,保证加热盘的释放的温度均匀。当加热盘某个区域温度过高,可通过驱动器控制遮挡杆运动,遮挡部分的排气孔,实现温度的调节,使加热盘表面的温度均匀,提高在晶圆上沉积薄膜时的均匀性。
可选的,还包括设于所述底盘的接气阀,所述接气阀为环形,所述接气阀具有输入孔和若干输出孔,所述输入孔与若干所述输出孔均导通,若干所述输出孔间隔设于所述接气阀的侧壁,所述输入孔与所述接气孔导通。其有益效果在于:通过设置环形的接气阀,且将若干所述输出孔间隔设于所述接气阀的侧壁,从而接气时,惰性气体可快速均匀的导入至气腔内,提高加热盘表面温度的均匀性。
可选的,所述气流通道包括若干直线形凹槽和若干环形凹槽;若干所述环形凹槽间隔设置且与所述接气阀同心度;所述直线形凹槽对应所述输出孔设置,且将相邻的所述环形凹槽导通。其有益效果在于:通过设置若干直线形凹槽和若干环形凹槽形成气流通道,并且所述环形凹槽间隔设置且与所述接气阀同心度,所述直线形凹槽对应所述输出孔设置,气体会通过直线形凹槽和环形凹槽快速均匀的导入气腔内,进一步保证了加热盘表面温度的均匀性。
可选的,所述遮挡杆与所述直线形凹槽适配;当所述伸缩部回缩时,所述遮挡杆可覆盖所述直线形凹槽,当所述伸缩部上升时,所述遮挡杆遮挡部分所述排气孔。其有益效果在于:当检测到加热盘某个区域温度过高时,将所述遮挡杆旋转至该区域对应的直线形凹槽或排气孔,通过遮挡所述直线形凹槽或排气孔,来快速降低该区域的温度。
可选的,所述接气阀上设有安装槽,所述旋转部设于所述安装槽内。其有益效果在于:通过在接气阀上开设安装槽,且将所述旋转部设于所述安装槽内,使加热盘整体结构紧凑,并且旋转部旋转时,可将遮挡杆旋转至与输出孔对应的直线形凹槽。
可选的,还包括连接件,所述连接件的一端与所述伸缩部可拆卸连接,所述连接件的另一端与所述遮挡杆可拆卸连接。其有益效果在于:通过所述连接件将所述伸缩部与所述遮挡杆连接,便于加热盘的装配,以及后续产品的维修替换。
可选的,所述顶盘与所述底盘可拆卸连接。其有益效果在于:通过将所述顶盘与所述底盘设置为可拆卸连接,进一步便于加热盘的组装,实现加热盘生产的产业化。
可选的,所述旋转部为旋转电机,所述伸缩部为电动推杆,所述电动推杆设于所述旋转电机。其有益效果在于:调节器可旋转和伸缩,实现对加热盘温度的调节。
附图说明
图1为本发明提供的实施例加热盘结构的***图;
图2为本发明提供的实施例加热盘结构不显示顶盘的结构示意图;
图3为本发明提供的实施例加热盘结构的轴侧图。
附图标记:
基座100、底盘200、环形凹槽201、直线形凹槽202、顶盘300、排气孔301、驱动器400、伸缩部401、旋转部402、遮挡杆500、接气阀600、安装槽601、输出孔602、连接件700。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。除非另外定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。
针对现有技术存在的问题,本发明的实施例提供了一种加热盘结构,参考图1至3所示,该加热盘结构包括基座100、底盘200、驱动器400、顶盘300和遮挡杆500。其中,所基座100开设有通气孔。所述底盘200设于所述基座100,所述底盘200设有与所述通气孔导通的接气孔,所述底盘200远离所述基座100的表面设有气流通道,所述气流通道与所述接气孔导通。所述驱动器400具有旋转部402和伸缩部401,所述旋转部402可旋转的设于所述底盘200,所述旋转部402可带动所述伸缩部401旋转,所述伸缩部401位于所述旋转部402的上方。所述顶盘300盖合所述底盘200形成气腔,所述顶盘300对应所述气流通道设有若干排气孔301。所述遮挡杆500设于所述气腔内与所述伸缩部401连接,所述遮挡杆500可遮挡部分所述排气孔301。
在本实施例中,通过在所述基座100上开设通气孔(图中未显示),用于接通惰性气体。所述底盘200设置在所述基座100上,所述底盘200设有与所述通气孔导通的接气孔(图中未显示)。所述顶盘300盖合所述底盘200形成气腔,所以加热的惰性气体可通过接气孔导入至气腔内,并通过所述顶盘300上的若干排气孔301均匀排出,保证加热盘的释放的温度均匀。当加热盘某个区域温度过高,可通过驱动器400控制遮挡杆500运动,遮挡部分的排气孔301,实现温度的调节,使加热盘表面的温度均匀,提高在晶圆上沉积薄膜时的均匀性。
可选的,该加热盘结构还包括设于所述底盘200的接气阀600,所述接气阀600为环形,所述接气阀600具有输入孔和若干输出孔602,所述输入孔与若干所述输出孔602均导通,若干所述输出孔602间隔设于所述接气阀600的侧壁,所述输入孔与所述接气孔导通。
在本实施例中,所述接气阀600与所述底盘200通过螺钉固定连接,所述接气阀600的底端开设所述输入孔,若干所述输出孔602均匀的设置在所述接气阀600的侧壁。通过所述输入孔将惰性气体均匀的分配给每个所述输出孔602。从而在通气后,惰性气体可快速均匀的导入至气腔内的各个方向,提高加热盘表面温度的均匀性。
在有些实施例中,也可将所述接气阀600与所述底盘200设置为一体成型。
可选的,所述气流通道包括若干直线形凹槽202和若干环形凹槽201,若干所述环形凹槽201间隔设置且与所述接气阀600同心度,所述直线形凹槽202对应所述输出孔602设置,将相邻的所述环形凹槽201导通。
在本实施例中,通过设置若干直线形凹槽202和若干环形凹槽201形成气流通道,并且所述环形凹槽201间隔设置且与所述接气阀600同心度,所述直线形凹槽202对应所述输出孔602设置,气体会通过直线形凹槽202和环形凹槽201快速均匀的导入气腔内,进一步保证了加热盘表面温度的均匀性。
可选的,所述遮挡杆500与所述直线形凹槽202适配。当所述伸缩部401回缩时,所述遮挡杆500可覆盖所述直线形凹槽202。当所述伸缩部401上升时,所述遮挡杆500遮挡部分所述排气孔301。
可以理解的是,在本实施例中,当检测到加热盘某个区域温度过高时,将所述遮挡杆500旋转至该区域对应的所述直线形凹槽202或所述排气孔301,通过遮挡所述直线形凹槽202或排气孔301,使该区域不直接排出气体,来快速降低该区域的温度。所以驱动器400的实际工作状态,可根据反馈的温度情况来控制。
可选的,所述接气阀600上设有安装槽601,所述旋转部402设于所述安装槽601内。在本实施例中,通过在接气阀600上开设安装槽601,且将所述旋转部402设于所述安装槽601内,使加热盘整体结构紧凑,并且旋转部402旋转时,可将遮挡杆500旋转至与输出孔602对应的直线形凹槽202。
可选的,该加热盘结构还包括连接件700,所述连接件700的一端与所述伸缩部401可拆卸连接,所述连接件700的另一端与所述遮挡杆500可拆卸连接。通过所述连接件700将所述伸缩部401与所述遮挡杆500连接,便于加热盘的装配,以及后续产品的维修替换。
在本实施例中,将所述连接件700的一端与所述伸缩部401螺纹连接,所述连接件700的另一端与所述遮挡杆500过盈配合。在有些实施例中,可将所述连接件700与所述遮挡杆500和所述伸缩部401进行扣合连接,实现可拆卸替换。
需要说明的是,所述旋转部402为旋转电机,所述伸缩部401为电动推杆,所述电动推杆设于所述旋转电机上。通过将所述电动推杆设于所述旋转电机上,所述调节器可旋转和伸缩,从而带动所述遮挡杆500实现对加热盘温度的调节。
以上所述,仅为本申请实施例的具体实施方式,但本申请实施例的保护范围并不局限于此,任何在本申请实施例揭露的技术范围内的变化或替换,都应涵盖在本申请实施例的保护范围之内。因此,本申请实施例的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种加热盘结构,其特征在于,包括:
基座,开设有通气孔;
底盘,设于所述基座,所述底盘设有与所述通气孔导通的接气孔,所述底盘远离所述基座的表面设有气流通道,所述气流通道与所述接气孔导通;
驱动器,具有旋转部和伸缩部,所述旋转部可旋转的设于所述底盘,所述旋转部可带动所述伸缩部旋转;
顶盘,盖合所述底盘形成气腔,所述顶盘对应所述气流通道设有若干排气孔;
遮挡杆,设于所述气腔内与所述伸缩部连接,所述遮挡杆可遮挡部分所述排气孔。
2.根据权利要求1所述的加热盘结构,其特征在于,还包括设于所述底盘的接气阀,所述接气阀为环形,所述接气阀具有输入孔和若干输出孔,所述输入孔与若干所述输出孔均导通,若干所述输出孔间隔设于所述接气阀的侧壁,所述输入孔与所述接气孔导通。
3.根据权利要求2所述的加热盘结构,其特征在于,所述气流通道包括若干直线形凹槽和若干环形凹槽;
若干所述环形凹槽间隔设置且与所述接气阀同心度;
所述直线形凹槽对应所述输出孔设置,且将相邻的所述环形凹槽导通。
4.根据权利要求3所述的加热盘结构,其特征在于,所述遮挡杆与所述直线形凹槽适配;
当所述伸缩部回缩时,所述遮挡杆可覆盖所述直线形凹槽,当所述伸缩部上升时,所述遮挡杆遮挡部分所述排气孔。
5.根据权利要求4所述的加热盘结构,其特征在于,所述接气阀上设有安装槽,所述旋转部设于所述安装槽内。
6.根据权利要求5所述的加热盘结构,其特征在于,还包括连接件,所述连接件的一端与所述伸缩部可拆卸连接,所述连接件的另一端与所述遮挡杆可拆卸连接。
7.根据权利要求6所述的加热盘结构,其特征在于,所述顶盘与所述底盘可拆卸连接。
8.根据权利要求7所述的加热盘结构,其特征在于,所述旋转部为旋转电机,所述伸缩部为电动推杆,所述电动推杆设于所述旋转电机。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111613976.2A CN114318304B (zh) | 2021-12-27 | 2021-12-27 | 一种加热盘结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111613976.2A CN114318304B (zh) | 2021-12-27 | 2021-12-27 | 一种加热盘结构 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114318304A true CN114318304A (zh) | 2022-04-12 |
CN114318304B CN114318304B (zh) | 2023-11-24 |
Family
ID=81013491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111613976.2A Active CN114318304B (zh) | 2021-12-27 | 2021-12-27 | 一种加热盘结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114318304B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114496901A (zh) * | 2022-04-15 | 2022-05-13 | 拓荆科技(北京)有限公司 | 应用于镀膜设备的机械手 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19803487C1 (de) * | 1997-11-27 | 1999-03-25 | Lg Semicon Co Ltd | Heizvorrichtung für eine Anlage zur chemischen Abscheidung aus der Gasphase |
JP2010207173A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | 温度制御装置 |
CN102041486A (zh) * | 2009-10-23 | 2011-05-04 | 周星工程股份有限公司 | 基板处理设备 |
CN103208439A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-07-17 | 游利 | 一种用于半导体介质刻蚀机的气体分配加热器 |
CN103871928A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 半导体设备及其加热器 |
CN104835766A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-08-12 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种雪花形表面结构的可控温加热盘 |
CN104835762A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-08-12 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种窗花形表面结构的可控温加热盘 |
CN104835763A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-08-12 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种花瓣形表面结构的可控温加热盘 |
CN104988472A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-10-21 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 半导体镀膜设备控温*** |
CN105047543A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-11-11 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种涡旋形表面结构的可控温加热盘 |
CN106609364A (zh) * | 2015-10-22 | 2017-05-03 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘 |
CN110620074A (zh) * | 2018-06-19 | 2019-12-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 基座组件及反应腔室 |
CN111383896A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 内衬及反应腔室 |
CN111763928A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-13 | 杭州很美网络科技有限公司 | 一种用于半导体镀膜设备的多通道控温装置 |
US20210202218A1 (en) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | Applied Materials, Inc. | Targeted heat control systems |
US20210343557A1 (en) * | 2020-04-29 | 2021-11-04 | Applied Materials, Inc. | Heater cover plate for uniformity improvement |
CN113838780A (zh) * | 2021-09-18 | 2021-12-24 | 上海芯源微企业发展有限公司 | 一种晶圆分区加热装置及控制方法 |
-
2021
- 2021-12-27 CN CN202111613976.2A patent/CN114318304B/zh active Active
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19803487C1 (de) * | 1997-11-27 | 1999-03-25 | Lg Semicon Co Ltd | Heizvorrichtung für eine Anlage zur chemischen Abscheidung aus der Gasphase |
JP2010207173A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | 温度制御装置 |
CN102041486A (zh) * | 2009-10-23 | 2011-05-04 | 周星工程股份有限公司 | 基板处理设备 |
CN103208439A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-07-17 | 游利 | 一种用于半导体介质刻蚀机的气体分配加热器 |
CN103871928A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 半导体设备及其加热器 |
CN104835766A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-08-12 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种雪花形表面结构的可控温加热盘 |
CN104835762A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-08-12 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种窗花形表面结构的可控温加热盘 |
CN104835763A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-08-12 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种花瓣形表面结构的可控温加热盘 |
CN105047543A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-11-11 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种涡旋形表面结构的可控温加热盘 |
CN104988472A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-10-21 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 半导体镀膜设备控温*** |
CN106609364A (zh) * | 2015-10-22 | 2017-05-03 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘 |
CN110620074A (zh) * | 2018-06-19 | 2019-12-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 基座组件及反应腔室 |
CN111383896A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 内衬及反应腔室 |
US20210202218A1 (en) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | Applied Materials, Inc. | Targeted heat control systems |
US20210343557A1 (en) * | 2020-04-29 | 2021-11-04 | Applied Materials, Inc. | Heater cover plate for uniformity improvement |
CN111763928A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-13 | 杭州很美网络科技有限公司 | 一种用于半导体镀膜设备的多通道控温装置 |
CN113838780A (zh) * | 2021-09-18 | 2021-12-24 | 上海芯源微企业发展有限公司 | 一种晶圆分区加热装置及控制方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
机械工业部机床研究所: "《离子渗氮指导资料》", pages: 138 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114496901A (zh) * | 2022-04-15 | 2022-05-13 | 拓荆科技(北京)有限公司 | 应用于镀膜设备的机械手 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114318304B (zh) | 2023-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101091309B1 (ko) | 플라즈마 식각장치 | |
CN202285227U (zh) | 一种用作电容耦合等离子体处理室的部件的限定环 | |
US20200066563A1 (en) | Method and apparatus for substrate transfer and radical confinement | |
US6946033B2 (en) | Heated gas distribution plate for a processing chamber | |
US10544508B2 (en) | Controlling temperature in substrate processing systems | |
TWI390605B (zh) | Processing device | |
CN103069560A (zh) | 用于控制工艺腔室中的气体流动的设备 | |
KR20140056084A (ko) | 플라즈마 균일성과 효율성 개선을 위한 인덕턴스 커플링 플라즈마 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 제조 방법 | |
US20190148121A1 (en) | Inline dps chamber hardware design to enable axis symmetry for improved flow conductance and uniformity | |
KR20150108344A (ko) | 플라즈마 균일성과 효율성 개선을 위한 인덕턴스 커플링 플라즈마 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 제조 방법 | |
TW201325325A (zh) | 電漿處理設備及蓋組件 | |
KR20120082282A (ko) | 반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 플라즈마 처리 장치 | |
CN114318304A (zh) | 一种加热盘结构 | |
TW201308501A (zh) | 具有整合均流板及改善之傳導性的下部內襯件 | |
US20180233326A1 (en) | Temperature Controlled Spacer For Use In A Substrate Processing Chamber | |
KR20150039560A (ko) | 성막 장치 및 성막 방법 | |
CN112863990A (zh) | 半导体工艺设备及其进气机构 | |
US20130153412A1 (en) | Apparatus for enabling concentricity of plasma dark space | |
US9859145B2 (en) | Cooled pin lifter paddle for semiconductor substrate processing apparatus | |
CN111261474A (zh) | 用于微通道板型光电倍增管制造的高温度均匀性的排气装置 | |
CN112750676B (zh) | 一种等离子体处理装置 | |
US12016092B2 (en) | Gas distribution ceramic heater for deposition chamber | |
KR20090060902A (ko) | 돔 온도 제어 장치 및 이를 이용한 플라즈마 식각장치 | |
CN106611733B (zh) | 一种多进口空腔加热支撑架 | |
CN114396790B (zh) | 吹扫干燥装置和吹扫干燥*** |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |