CN114300821A

CN114300821A - 一种移相器、天线

Info

Publication number: CN114300821A
Application number: CN202111658255.3A
Authority: CN
Inventors: 郭景文; 吴倩红; 李春昕; 曲峰
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Priority date: 2021-12-30
Filing date: 2021-12-30
Publication date: 2022-04-08
Anticipated expiration: 2041-12-30
Also published as: CN114300821B

Abstract

一种移相器、天线，移相器包括基底、设置在所述基底上的共面波导传输线以及设置在共面波导传输线远离所述基底一侧的至少一个电容桥，所述共面波导传输线包括相对设置的第一地线和第二地线，所述第一地线与所述第二地线互相绝缘，所述第一地线和所述第二地线中至少一个包括锚点区域、***区域以及将所述锚点区域与所述***区域隔开的绝缘区域，所述至少一个电容桥与所述锚点区域电连接。

Description

一种移相器、天线

技术领域

本公开实施例涉及但不限于通信技术领域，具体涉及一种移相器、天线。

背景技术

随着信息时代迅速发展，具备高集成、小型化、多功能以及低成本的无线终端逐渐成为通信技术的发展趋势。在通信和雷达应用中，移相器是必不可少的关键组件。传统的移相器主要包括铁氧体移相器和半导体移相器，其中铁氧体移相器有较大的功率容量，且***损耗比较小、但工艺复杂、制造成本昂贵、体积庞大等因素限制了其大规模应用；半导体移相器体积小，工作速度快，但功率容量比较小，功耗较大，工艺难度高。MEMS移相器相比于传统移相器在插损、功耗、体积与成本等方面均具有明显优势，在无线电通讯和微波技术等领域应用受到了广泛关注。但是MEMS移相器在具体工作过程中由于电容变化会产生明显的调相寄生调幅现象。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

第一方面，本公开实施例提供了一种移相器，包括基底、设置在所述基底上的共面波导传输线以及设置在共面波导传输线远离所述基底一侧的至少一个电容桥，所述共面波导传输线包括相对设置的第一地线和第二地线，所述第一地线与所述第二地线互相绝缘，所述第一地线和所述第二地线中至少一个包括锚点区域、***区域以及将所述锚点区域与所述***区域隔开的绝缘区域，所述至少一个电容桥与所述锚点区域电连接。

在示例性实施方式中，所述第一地线和所述第二地线均包括锚点区域、***区域以及将所述锚点区域与所述***区域隔开的绝缘区域，所述至少一个电容桥的第一端与所述第一地线的锚点区域电连接，所述至少一个电容桥的第二端与所述第二地线的锚点区域电连接。

在示例性实施方式中，在平行于所述基底所在平面上，所述绝缘区域呈U形、V形、圆弧状、梯形中的至少一种。

在示例性实施方式中，所述绝缘区域为开槽结构或绝缘介质层。

在示例性实施方式中，所述移相器包括至少两个电容桥，所述至少两个电容桥的第一端均与所述第一地线的一个锚点区域电连接，和/或所述至少两个电容桥的第二端均与所述第二地线的一个锚点区域电连接。

在示例性实施方式中，所述移相器包括至少n个电容桥，所述至少n个电容桥的第一端均与所述第一地线的一个锚点区域电连接，和/或所述至少n个电容桥的第二端均与所述第二地线的一个锚点区域电连接，所述n为大于等于1小于等于5的自然数。

在示例性实施方式中，所述移相器包括至少n个电容桥，所述至少n个电容桥的第一端均与所述第一地线的一个锚点区域电连接，和/或所述至少n个电容桥的第二端均与所述第二地线的一个锚点区域电连接，所述n为2或3。

在示例性实施方式中，所述共面波导传输线还包括信号线，所述信号线位于所述第一地线和所述第二地线之间，所述信号线均与所述第一地线和所述第二地线绝缘，至少部分所述电容桥悬空设置在所述信号线远离所述基底一侧，且至少部分所述电容桥悬空的部分在所述基底的正投影与所述信号线在所述基底的正投影交叠，至少部分所述电容桥悬空的部分与所述信号线形成电容单元。

在示例性实施方式中，所述信号线靠近所述电容桥一侧设置有第一绝缘层。

在示例性实施方式中，还包括第一电压控制线，所述第一电压控制线与所述信号线电连接。

在示例性实施方式中，还包括控制单元，所述控制单元通过所述锚点区域与所述电容桥电连接，所述控制单元配置为控制与所述锚点区域电连接的电容桥电压。

在示例性实施方式中，所述锚点区域的数目为至少两个，所述控制单元的数目为至少两个，所述至少两个控制单元与所述至少两个锚点区域一一对应连接。

在示例性实施方式中，还包括第二电压控制线，所述第二电压控制线的第一端与所述控制单元连接，所述第二电压控制线的第二端与所述锚点区域电连接。

在示例性实施方式中，所述第一地线和所述第二地线均包括锚点区域、***区域以及将所述锚点区域与所述***区域隔开的绝缘区域，至少部分所述第二电压控制线在所述基底的正投影与所述第一地线的***区域在所述基底的正投影交叠，所述第二电压控制线与所述第一地线的***区域之间设置有第二绝缘层。

第二方面，本公开实施例还提供了一种天线，包括前述的移相器。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。

图1为相关技术移相器的结构示意图；

图2为本公开实施例移相器的结构示意图一；

图3为本公开实施例移相器的剖视图；

图4为本公开实施例移相器中绝缘区域的尺寸示意图；

图5为本公开实施例移相器的结构示意图二；

图6为本公开实施例移相器的结构示意图三；

图7为本公开实施例移相器的结构示意图四；

图8为本公开实施例移相器的结构示意图五；

图9为本公开实施例移相器的结构示意图六。

具体实施方式

下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

图1为相关技术移相器的结构示意图。如图1所示，相关技术移相器可以采用MEMS移相器。相关技术移相器包括基底、设置在基底上的共面波导传输线200以及设置在共面波导传输线200远离基底一侧的电容桥300。共面波导传输线200包括相对设置的第一地线21、第二地线22，以及位于第一地线21和第二地线22之间的信号线23，信号线23均与第一地线21和第二地线22之间绝缘，一个电容桥300的第一端与第一地线21连接，一个电容桥300的第二端与第二地线22连接，一个电容桥300由信号线23远离基底一侧跨过，一个电容桥300在基底的正投影与信号线23在基底的正投影交叠，使一个电容桥300与信号线23之间形成一个电容单元。

经过本公开发明人的研究发现，相关技术移相器在具体工作过程中由于电容变化会产生明显的调相寄生调幅现象。将相关技术移相器一个电容单元在仿真软件中进行计算，仿真结果如表1所示。其中，电容桥300与信号线23之间的间距为h；移相器的回波损耗为S11；移相器工作状态下插损损耗为S21；移相器的移相度数为Cand-deg。

表1为相关技术移相器的仿真结果

根据相关技术移相器的仿真结果可知，相关技术移相器一个电容单元的移相度达到28°，相关技术的移相器工作状态下插损达到1.38dB，相关技术的移相器工作状态切换下插损变化达到1.37dB。

本公开实施例提供了一种移相器，包括基底、设置在所述基底上的共面波导传输线以及设置在共面波导传输线远离所述基底一侧的至少一个电容桥，所述共面波导传输线包括相对设置的第一地线和第二地线，所述第一地线与所述第二地线互相绝缘，所述第一地线和所述第二地线中至少一个包括锚点区域、***区域以及将所述锚点区域与所述***区域隔开的绝缘区域，所述至少一个电容桥与所述锚点区域电连接。

图2为本公开实施例移相器的结构示意图一；图3为本公开实施例移相器的剖视图。其中，图3为图2中A-A处的剖视图。如图2和图3所示，本公开实施例移相器包括基底100、设置在基底100上的共面波导传输线200以及设置在共面波导传输线200远离基底100一侧的电容桥300，共面波导传输线200包括相对设置的第一地线21、第二地线22以及位于第一地线21和第二地线22之间的信号线23。第一地线21在基底的正投影与第二地线22在基底的正投影不交叠，且第一地线21与第二地线22互相绝缘。信号线23在基底的正投影均与第一地线21在基底的正投影和第二地线22在基底的正投影不交叠，且信号线23均与第一地线21和第二地线22绝缘，即第一地线21、第二地线22以及信号线23在基底的正投影均互相不交叠，且均互相绝缘。第一地线21和第二地线22均包括锚点区域24、***区域25以及将锚点区域24与***区域25隔开的绝缘区域26。绝缘区域26将锚点区域24与***区域25分离成互相绝缘的两部分。电容桥300的第一端与第一地线21的锚点区域24电连接，电容桥300的第二端与第二地线22的锚点区域24电连接，

至少部分电容桥300悬空设置在信号线23远离基底100一侧，且至少部分电容桥23悬空的部分在基底100的正投影与信号线23在基底100的正投影交叠，至少部分电容桥23的悬空部分与信号线23形成电容单元，即电容桥23的悬空部分作为电容单元的一个电极板，信号线23作为电容单元的另一个电极板，电容桥23的悬空部分与信号线23交叠的区域形成电容。其中，电容桥300的第一端与电容桥300的第二端位于电容桥300的相对两端。

在一些实施方式中，第一地线可以包括锚点区域、***区域以及将锚点区域与***区域隔开的绝缘区域，第二地线不包括锚点区域、***区域以及绝缘区域；或者，第二地线可以包括锚点区域、***区域以及将所述锚点区域与所述***区域隔开的绝缘区域，第一地线不包括锚点区域、***区域以及绝缘区域，本公开实施例在此不再赘述。

本公开实施例移相器通过绝缘区域26将第一地线21和/或第二地线22分成锚点区域24和***区域25，实现移相度的精确控制，并有效降低器件***损耗，减小调相寄生调幅的影响。绝缘区域26可以将电容桥300与***区域25进行物理隔离，有效降低器件高压击穿风险，提升器件稳定性。提升移相器位数，降低最小移相度数，提升器件bit数，同时降低***损耗以及调相寄生调幅现象，提升器件耐压性。

本公开实施例移相器通过绝缘区域26将锚点区域24与***区域25隔离，在不改变驱动电压以及不提高驱动精度的情况下，有效缩减移相器的单元移相度，实现个位数移相度，提高移相器的单元移相精度，从而提高移相器bit位数。

本公开实施例移相器通过绝缘区域26将锚点区域24与***区域25隔离，有效降低移相器的***损耗，而且更重要的是降低移相器工作过程中的***损耗变化，极大程度地降低调相寄生调幅的现象。

本公开实施例移相器通过绝缘区域26将锚点区域24与***区域25隔离，有效实现物理隔离，即可以有效实现直流驱动信号隔离，避免驱动电压太高导致器件击穿的问题，提升器件的稳定性。

本公开实施例移相器可以通过控制绝缘区域26的长、宽等参数，调节移相器中电容单元移相度变化。改变电容桥宽度等方案也有类似效果，但单元驱动电压会发生变化，而且当需要实现高精度小度数移相时，电容桥宽度太窄存在工艺难度加大的问题。

本公开实施例移相器可以为MEMS移相器。本公开实施例移相器的工作原理为：在由信号线和第一地线、第二地线形成的共面波导传输线上周期性地设置具有高电容比率的电容桥，从而增加了共面波导传输线与地之间的分布电容。这使得共面波导传输线成为一个慢波***，起到相位延迟的作用。在共面波导传输线上施加直流偏压，可以改变分布电容，引起共面波导传输线参数的变化，从而改变电磁波的相位。电容桥的宽度和周期间隔的大小决定了共面波导传输线的阻抗、传输相速度和布拉格反射截止频率。

当不施加控制电压时，本公开实施例移相器处于开态，电容桥的悬空部分不受静电力并且具有开态电容C_on。当施加控制电压时，移相器从开态切换到关态，电容桥的悬空部分受到静电力作用下沉并且具有关态电容C_off，引起负载电容值的增加。这种效应在每单元长度的共面波导传输线中一直增加，共面波导传输线上负载的分布电容以及传输特性随之改变，因此，在相速和特征阻抗上发生变化，相速变化导致相移。相移的大小由电容桥的电容比率C_off/Con和共面波导传输线自身电容所决定。

在示例性实施方式中，第一地线21、第二地线22、电容桥23的材料可以是电阻率较低的导电金属，例如铝、银、铜等导电金属中的至少一种。

在示例性实施方式中，基底100可以采用多种材质。例如基底100可以采用为石英衬底、玻璃衬底和硅衬底中的至少一种。

在示例性实施方式中，如图2和图3所示，信号线23靠近电容桥300一侧设置有第一绝缘层27。第一绝缘层27在基底的正投影与电容桥300在基底的正投影交叠，第一绝缘层27能够将信号线23与电容桥300隔开，避免电容单元被电压击穿。

在示例性实施方式中，如图2所示，本公开实施例移相器还包括第一电压控制线28，第一电压控制线28位于第一地线21靠近基底一侧，至少部分第一电压控制线28在基底的正投影与第一地线21在基底的正投影交叠，即第一电压控制线28由第一地线21靠近基底一侧穿过。第一电压控制线28与第一地线21之间设置有第三绝缘层29，第三绝缘层29将第一电压控制线28与第一地线21隔开。第一电压控制线28与信号线23电连接，第一电压控制线28能够向信号线23提供电压控制信号，控制信号线23的电压。

在示例性实施方式中，如图2所示，本公开实施例移相器还包括控制单元30，控制单元30通过第一地线21中的锚点区域24与第一地线21中的锚点区域24上的电容桥300电连接，控制单元30配置为控制锚点区域24上电容桥300的电压。

在示例性实施方式中，如图2和图3所示，第一地线21中的锚点区域24的数目为至少两个，控制单元30的数目为至少两个，至少两个控制单元30与第一地线21中的至少两个锚点区域24一一对应连接。即，每一个控制单元30对应一个锚点区域24，每一个控制单元30给与其对应的锚点区域24上的一个或多个电容桥300提供信号。

本公开实施例移相器通过使每个锚点区域24上的一个或多个电容桥300独立接收各自对应的控制单元30的控制信号，能够较精确地改变共面波导传输线上不同区域的电场，进而能够较精确地改变共面波导传输线上传输的微波信号的相位。

在示例性实施方式中，如图2和图3所示，本公开实施例移相器还包括第二电压控制线31，第二电压控制线31位于第一地线21靠近基底一侧。第二电压控制线31的第一端与控制单元30连接，第二电压控制线31的第二端与第一地线21的锚点区域24电连接，至少部分第二电压控制线31在基底的正投影与第一地线21的***区域25在基底的正投影交叠，第二电压控制线31与第一地线21的***区域25之间设置有第二绝缘层32，第二绝缘层32将第二电压控制线31与第一地线21的***区域25隔开。

图4为本公开实施例移相器中绝缘区域的尺寸示意图。本公开实施例移相器可以通过控制绝缘区域26的尺寸，调节移相器中电容单元移相度变化。具体地，如图4所示，以绝缘区域为开槽结构，在平行于基底所在平面上，绝缘区域呈U形为例。绝缘区域外侧边缘的宽度为Ws，绝缘区域外侧边缘的高度为Ls，绝缘区域内侧边缘的宽度为Wp，绝缘区域内侧边缘的高度为Lp。将绝缘区域的Ws和Ls的尺寸固定，对绝缘区域开槽的宽度(环宽)为20um、50um、100um进行仿真试验，仿真结果如表2所示。其中，电容桥300与信号线23之间的间距为h；移相器的回波损耗为S11；移相器工作状态下插损损耗为S21；移相器的移相度数为Cand-deg。

表2改变绝缘区域开槽宽度的仿真结果

根据仿真结果可知，绝缘区域开槽的宽度越大，电容单元移相度越小，从而可以实现小角度精细调控。并且本公开实施例移相器工作状态切换下插损变化均小于0.1dB，有效降低调相寄生调幅的问题，且工作状态下插损绝对值也低于0.2dB，实现了器件低插损设计，有效提高整个移相器的工作效能，降低能量损耗。

本公开实施例移相器将绝缘区域开槽的宽度(环宽)的尺寸固定，改变绝缘区域在地线所占的面积进行仿真试验、改变Ls的尺寸进行仿真试验以及改变Ws的尺寸进行仿真试验，仿真结果如表3、表4和表5所示。

表3改变绝缘区域在地线所占面积的仿真结果

表4改变绝缘区域Ls尺寸的仿真结果

表5改变绝缘区域Ws尺寸的仿真结果

根据表3、表4和表5的仿真结果可知，在保持绝缘区域开槽的宽度(环宽)的尺寸不变的情况下，Ls和Ws越大，即绝缘区域在地线所占面积的比例越大，电容单元移相度越大；Ls和/或Ws的减小，都会降低电容单元移相度。而且通过Ls和/或Ws尺寸调整，可以将工作状态切换下插损变化控制到小于0.01dB。同时，需要指出的是本公开实施例移相器对电容桥驱动电压几乎不产生影响，说明在不增加驱动***复杂性的条件下可以实现不同移相度的电容单元设计。

由上述仿真结果可知，本公开实施例移相器通过绝缘区域将锚点区域与***区域隔离，使电容桥与***区域分离，从而引入新的并联电容，改变电容单元的等效电路结构，提升移相器位数，降低最小移相度数，提升器件bit数，同时降低***损耗以及调相寄生调幅现象，提升器件耐压性。

在示例性实施方式中，本公开实施例移相器包括至少两个电容桥，至少两个电容桥的第一端均与第一地线的一个锚点区域电连接，至少两个电容桥的第二端均与第二地线的一个锚点区域电连接，使第一地线和第二地线中的一个锚点区域上连接有至少两个电容桥，一个锚点区域上的至少两个电容桥与信号线形成至少两个子电容单元，即一个电容桥与信号线形成一个子电容单元，一个锚点区域上的至少两个子电容单元形成一个电容单元。

在示例性实施方式中，本公开实施例移相器包括至少n个电容桥，至少n个电容桥的第一端均与第一地线的一个锚点区域电连接，至少两个电容桥的第二端均与第二地线的一个锚点区域电连接，使第一地线和第二地线中的一个锚点区域上连接有至少两个电容桥。其中，n为大于等于1小于等于5的自然数。优选地，n为2或3。

在一些实施例中，至少两个电容桥的第一端仅与第一地线的一个锚点区域电连接；或者，至少两个电容桥的第一端仅与第二地线的一个锚点区域电连接，本公开在此不再赘述。

图5为本公开实施例移相器的结构示意图二。在示例性实施方式中，以一个锚点区域上连接有三个电容桥为例。如图5所示，一个锚点区域24上连接有电容桥300的数目可以为三个，三个电容桥300沿着信号线23的延伸方向间隔排列，且三个电容桥300相互平行排列。三个电容桥300的第一端均可以与第一地线21的一个锚点区域24连接，三个电容桥300的第二端均可以与第二地线22的一个锚点区域24连接，从而使三个电容桥300悬空设置在信号线23远离基底一侧。一个锚点区域24上的三个电容桥300与信号线23形成一个电容单元，即一个锚点区域24上的三个电容桥300与信号线23形成三个子电容单元，一个锚点区域24上的三个电容桥300形成的三个子电容单元形成一个电容单元。

将上述本公开实施例移相器，即三个电容桥形成三个子电容单元，三个子电容单元形成一个电容单元，进行仿真试验，仿真结果如表6所示。

表6三个子电容单元形成一个电容单元的仿真结果

根据表6的仿真结果可知，本公开实施例移相器通过多个子电容单元形成一个电容单元，在满足降低插损要求情况下，相比一个电容桥形成一个电容单元，提高电容单元的移相度。需要说明的是，本公开实施例移相器需要注意控制相邻电容桥之间的间距S，防止相邻电容桥之间产生干扰。S的取值范围大于100um，但也不能取值太大，增加器件面积，并且增加线长带来的插损。

图6为本公开实施例移相器的结构示意图三；图7为本公开实施例移相器的结构示意图四；图8为本公开实施例移相器的结构示意图五。在示例性实施方式中，在平行于所述基底所在平面上，所述绝缘区域可以采用多种形状。且第一地线21中的绝缘区域的形状与第二地线22中的绝缘区域的形状可以相同，也可以不相同。例如，在平行于所述基底所在平面上，第一地线21中的绝缘区域的形状与第二地线22中的绝缘区域的形状均可以呈U形，且第一地线21中的绝缘区域的形状与第二地线22中的绝缘区域的形状以信号线的中心线为轴镜像设置，如图2所示；或者，在平行于所述基底所在平面上，第一地线21中的绝缘区域的形状与第二地线22中的绝缘区域的形状均可以呈V形，且第一地线21中的绝缘区域的形状与第二地线22中的绝缘区域的形状以信号线的中心线为轴镜像设置，如图6所示；或者，在平行于所述基底所在平面上，第一地线21中的绝缘区域的形状与第二地线22中的绝缘区域的形状均可以呈圆弧状，且第一地线21中的绝缘区域的形状与第二地线22中的绝缘区域的形状以信号线的中心线为轴镜像设置，如图7所示；或者，在平行于所述基底所在平面上，第一地线21中的绝缘区域的形状与第二地线22中的绝缘区域的形状均可以呈梯形，且第一地线21中的绝缘区域的形状与第二地线22中的绝缘区域的形状以信号线的中心线为轴镜像设置，如图8所示。

图9为本公开实施例移相器的结构示意图六。在示例性实施方式中，绝缘区域可以采用多种结构。例如，绝缘区域可以采用开槽结构，如图2所示。或者，绝缘区域可以采用绝缘介质层，如图9所示。其中，绝缘介质层可以采用无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如，无机绝缘材料可以采用SiNx、SiO、a-Si等，有机绝缘材料可以采用PI、PDMS、OC等。本公开实施例移相器通过绝缘介质层能够改变开槽结构带来的电容影响，从而实现对移相度和***损耗的调控。

本公开实施例还提供了一种天线，包括前面任一所述的移相器。

本公开实施例还提供了一种移相器的制备方法，包括：

在基底上形成共面波导传输线；所述共面波导传输线包括相对设置的第一地线和第二地线，所述第一地线和所述第二地线互相绝缘，所述第一地线和/或所述第二地线包括锚点区域、***区域以及将所述锚点区域与所述***区域隔开的绝缘区域；

在所述共面波导传输线远离所述基底一侧形成至少一个电容桥；所述至少一个电容桥的第一端与所述第一地线的锚点区域电连接，和/或所述至少一个电容桥的第二端与所述第二地线的锚点区域电连接。

本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。

Claims

1.一种移相器，其特征在于，包括基底、设置在所述基底上的共面波导传输线以及设置在共面波导传输线远离所述基底一侧的至少一个电容桥，所述共面波导传输线包括相对设置的第一地线和第二地线，所述第一地线与所述第二地线互相绝缘，所述第一地线和所述第二地线中至少一个包括锚点区域、***区域以及将所述锚点区域与所述***区域隔开的绝缘区域，所述至少一个电容桥与所述锚点区域电连接。

2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一地线和所述第二地线均包括锚点区域、***区域以及将所述锚点区域与所述***区域隔开的绝缘区域，所述至少一个电容桥的第一端与所述第一地线的锚点区域电连接，所述至少一个电容桥的第二端与所述第二地线的锚点区域电连接。

3.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，在平行于所述基底所在平面上，所述绝缘区域呈U形、V形、圆弧状、梯形中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述绝缘区域为开槽结构或绝缘介质层。

5.根据权利要求2所述的移相器，其特征在于，所述移相器包括至少两个电容桥，所述至少两个电容桥的第一端均与所述第一地线的一个锚点区域电连接，所述至少两个电容桥的第二端均与所述第二地线的一个锚点区域电连接。

6.根据权利要求5所述的移相器，其特征在于，所述移相器包括至少n个电容桥，所述至少n个电容桥的第一端均与所述第一地线的一个锚点区域电连接，所述至少n个电容桥的第二端均与所述第二地线的一个锚点区域电连接，所述n为大于等于1小于等于5的自然数。

7.根据权利要求5所述的移相器，其特征在于，所述移相器包括至少n个电容桥，所述至少n个电容桥的第一端均与所述第一地线的一个锚点区域电连接，所述至少n个电容桥的第二端均与所述第二地线的一个锚点区域电连接，所述n为2或3。

8.根据权利要求1至7任一所述的移相器，其特征在于，所述共面波导传输线还包括信号线，所述信号线位于所述第一地线和所述第二地线之间，所述信号线均与所述第一地线和所述第二地线绝缘，至少部分所述电容桥悬空设置在所述信号线远离所述基底一侧，且至少部分所述电容桥悬空的部分在所述基底的正投影与所述信号线在所述基底的正投影交叠，至少部分所述电容桥的悬空部分与所述信号线形成电容单元。

9.根据权利要求8所述的移相器，其特征在于，所述信号线靠近所述电容桥一侧设置有第一绝缘层。

10.根据权利要求8所述的移相器，其特征在于，还包括第一电压控制线，所述第一电压控制线与所述信号线电连接。

11.根据权利要求1至7任一所述的移相器，其特征在于，还包括控制单元，所述控制单元通过所述锚点区域与所述电容桥电连接，所述控制单元配置为控制所述电容桥的电压。

12.根据权利要求11所述的移相器，其特征在于，所述锚点区域的数目为至少两个，所述控制单元的数目为至少两个，所述至少两个控制单元与所述至少两个锚点区域一一对应连接。

13.根据权利要求12所述的移相器，其特征在于，还包括第二电压控制线，所述第二电压控制线的第一端与所述控制单元连接，所述第二电压控制线的第二端与所述锚点区域电连接。

14.根据权利要求13所述的移相器，其特征在于，所述第一地线和所述第二地线均包括锚点区域、***区域以及将所述锚点区域与所述***区域隔开的绝缘区域，至少部分所述第二电压控制线在所述基底的正投影与所述第一地线的***区域在所述基底的正投影交叠，所述第二电压控制线与所述第一地线的***区域之间设置有第二绝缘层。

15.一种天线，其特征在于，包括权利要求1至14任一所述的移相器。