CN114300334B - 工艺腔室及半导体工艺设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，该工艺腔室包括腔室本体以及设置于腔室本体内部的基座和设置于基座上的聚焦环，还包括：多个聚焦环补充结构，多个聚焦环补充结构沿周向环绕设置于聚焦环上方，聚焦环补充结构的材质与被刻蚀的晶圆的材质相同；水平驱动机构，水平驱动机构设置于腔室本体的侧壁且与聚焦环补充结构连接，水平驱动机构用于驱动多个聚焦环补充结构沿各自径向方向同步运动，以调节各聚焦环补充结构相对于聚焦环在竖直方向上的重叠面积。实现解决大开口率刻蚀中边缘刻蚀速率过快的问题。

Description

工艺腔室及半导体工艺设备

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地，涉及一种工艺腔室及半导体工艺设备。

背景技术

目前普遍采用等离子体干法刻蚀获得具有较大的深宽比和较高的垂直度的硅深微结构，由于等离子体具有一定的平均自由程，当微结构开口较小时刻蚀反应物难以进入深微结构，反应物也难以被抽走。

因此，对于不同开口大小的微结构而言，其刻蚀的结果尤其是刻蚀速率/刻蚀深度会有显著的差异，这个现象被称作深宽比效应(Aspect ratio dependent etching)。开口越小，深宽比效应越明显，刻蚀速率下降越严重。另一方面，由于腔室中的蚀刻剂的总量是一定的，对于开口较大的微结构而言会由于蚀刻剂/反应物不足而导致刻蚀速率/刻蚀深度产生差异，这个现象被称作负载效应(Loading effect)。对于负载效应而言，开口越大硅反应物越多，刻蚀速率越慢，与深宽比效应作用结果刚好相反。

图1a和图1b分别示出了深硅刻蚀滞后效应SEM图和不同开口尺寸的刻蚀深度对比曲线图，如图1a和图1b所示，当开口率(晶圆所要刻蚀的区域占晶圆总面积的比率)较小时，深宽比效应占据主导地位。而当开口率较大时，负载效应所引起的刻蚀不均匀性显著增大，如图2a和图2b所示，晶圆边缘由于***图形少，在负载效应的作用下会增大刻蚀速率而出现“边缘翘尾”的现象。

现有技术一公开了一种反应腔室，如图3所示，反应腔室1包括下电极2，整流环3，固定孔4，射频线圈5，基座6，采用整流环3降低边缘等离子体浓度，从而减小边缘刻蚀速率，提高均匀性，进而减轻“边缘翘尾”现象。

但该技术不能灵活改变腔室结构，即当刻蚀需求从大开口率变成小开口率以后不能灵活切换。

发明内容

本发明的目的是提出一种工艺腔室及半导体工艺设备，以解决大开口率刻蚀中边缘刻蚀速率过快的问题，同时能够根据刻蚀图形开口率的变化灵活切换。

为实现上述目的，本发明提出了一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，包括腔室本体以及设置于所述腔室本体内部的基座和设置于所述基座上的聚焦环，还包括：

多个聚焦环补充结构，多个所述聚焦环补充结构沿周向环绕设置于所述聚焦环上方，所述聚焦环补充结构的材质与被刻蚀的晶圆的材质相同；

水平驱动机构，所述水平驱动机构设置于所述腔室本体的侧壁且与所述聚焦环补充结构连接，所述水平驱动机构用于驱动多个所述聚焦环补充结构沿各自径向方向同步运动，以调节各所述聚焦环补充结构相对于所述聚焦环在竖直方向上的重叠面积。

可选地，多个所述聚焦环补充结构均相接时，整体形成一个辅助环，所述辅助环与所述聚焦环同心设置，且所述辅助环的内径不小于所述晶圆直径。

可选地，所述辅助环的上表面的面积与所述晶圆的刻蚀图形的开口率正相关。

可选地，当所述开口率大于20％时，所述水平驱动机构驱动多个所述聚焦环补充结构沿水平方向同步向靠近所述聚焦环的方向移动，形成所述辅助环。

可选地，当所述开口率小于10％时，所述水平驱动机构驱动多个所述聚焦环补充结构沿水平方向同步向远离所述聚焦环的方向移动，使各所述聚焦环补充结构相对于所述聚焦环在竖直方向上完全不重叠。

可选地，所述水平驱动机构包括多个水平驱动件，每个所述水平驱动件通过连接件与一个所述聚焦环补充结构连接，所述水平驱动件驱动所述连接件在水平方向往复运动。

可选地，所述水平驱动件包括驱动源以及连接于所述驱动源的移动导向杆；所述连接件包括连接杆以及套设于所述连接杆外部的波纹管导向套；

所述水平驱动件设置于所述工艺腔室的侧壁外部的支撑部上；

所述波纹管导向套贯穿并密封固定于所述工艺腔室的侧壁；

所述连接杆的一端与所述移动导向杆连接，所述连接杆的另一端与所述聚焦环补充结构连接，所述连接杆与所述波纹管导向套密封滑动配合，并能够沿所述波纹管导向套的轴向运动。

可选地，所述水平驱动机构还包括微调机构，所述微调机构的两端分别连接所述移动导向杆和所述连接杆，所述微调机构用于调整所述移动导向杆和所述连接杆之间的距离。

可选地，所述工艺腔室的侧壁还设置有多个挡板以及与每个所述挡板连接的旋转驱动机构；所述挡板设置于所述聚焦环补充结构的上方；

所述旋转驱动机构用于：当所述聚焦环补充结构与所述聚焦环在竖直方向上完全不重叠时，驱动所述挡板旋转以遮挡所述聚焦环补充结构；

或，当所述聚焦环补充结构与所述聚焦环在竖直方向上至少部分重叠时，驱动所述挡板旋转以暴露所述聚焦环补充结构。

本发明还提出一种半导体工艺设备，包括以上所述的工艺腔室，还包括设置于所述腔室本体的顶部用于通入工艺气体的进气通路，以及设置于所述腔室本体的侧壁顶部的射频线圈，所述射频线圈环绕所述进气通路。

本发明的有益效果在于：

本发明在聚焦环上方设置能够水平移动且与被刻蚀晶圆材料相同的聚焦环补充结构，通过水平驱动机构驱动多个聚焦环补充结构沿各自径向方向同步运动，以调节各所述聚焦环补充结构相对于所述聚焦环在竖直方向上的重叠面积，当聚焦环补充结构与聚焦环重叠时，多个聚焦环补充结构能够在被刻蚀晶圆的***填补待刻蚀材料，相当于增加了晶圆边缘待刻蚀材料的量，能够使被刻蚀晶圆的中心与边缘图形的排布密度趋于一致，提高刻蚀速率的均匀性，从而从负载效应角度解决了大开口率刻蚀的边缘刻蚀速率快的问题，并且当刻蚀需求从大开口率变成小开口率时，可以通过水平驱动机构驱动多个聚焦环补充结构与聚焦环不重叠，以满足正常的小开口率图形的刻蚀需求，实现根据开口率刻蚀需求的模式切换。

本发明的装置具有其它的特性和优点，这些特性和优点从并入本文中的附图和随后的具体实施方式中将是显而易见的，或者将在并入本文中的附图和随后的具体实施方式中进行详细陈述，这些附图和具体实施方式共同用于解释本发明的特定原理。

附图说明

通过结合附图对本发明示例性实施例进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，在本发明示例性实施例中，相同的参考标号通常代表相同部件。

图1a和图1b分别示出了深硅刻蚀滞后效应SEM图和不同开口尺寸的刻蚀深度对比曲线图；

图2a和图2b分别示出了深硅刻蚀负载效应引起“边缘翘尾”的SEM图和在晶圆不同区域的刻蚀深度分布曲线图。

图3示出了现有技术一的一种反应腔室的结构示意图。

图4示出了现有技术二的一种等离子体处理装置的结构示意图。

图5示出了根据本发明的一个实施例的一种工艺腔室的结构示意图。

图6示出了根据本发明的一个实施例的一种工艺腔室中聚焦环补充结构及水平驱动机构的剖视图。

图7示出了根据本发明的一个实施例的一种工艺腔室中的聚焦环补充结构及水平驱动机构的俯视图。

图8示出了将本发明的一个实施例的一种工艺腔室应用于刻蚀机的工艺结果图。

具体实施方式

现有技术二提供了一种等离子体处理装置，如图4所示，反应腔室20上方具有绝缘盖板21。反应腔室20侧壁靠近顶部处设有用于向反应腔室20内部输入工艺气体的进气单元22。反应腔室20底部设置有用于载置待处理基片W的基座24。在绝缘盖板21的外侧上方配置电感耦合线圈23，进气单元22是形成在反应腔室20的侧壁靠近绝缘盖板处，但在其他实施例中其也可以是形成于绝缘盖板中。反应腔室20内还设置有可移动的组合式遮蔽环25和多个叉状连杆26。组合式遮蔽环25围绕基片W的外周侧设置，包括内环251和外环252，外环252的内径要大于内环251的内径。外环252和内环251的内径可以根据工艺需要设计为均大于基片直径、均小于基片直径或外环252内径大于基片直径而内环251内径小于基片直径。叉状连杆26的上端为内外两个支杆261、262，其中外侧支杆262的位置对应于外环252，内侧支杆261的位置对应于内环251。每一个支杆的顶端都具有一个能够支撑对应的外环或内环的支撑部，驱动单元30与叉状连杆26的下端连接，用于驱动叉状连杆在第一位置和第二位置之间垂直移动。该方案能够提高基片表面等离子体分布的均匀性，减轻“边缘翘尾”现象。但该技术采用垂直升降，不能处理当刻蚀需求从大开口率变成小开口率以后的情况。

大开口率(开口率为晶圆所要刻蚀的区域占晶圆总面积的比率，被光刻胶遮掩的部分越小开口率就越大，一般10％以下的开口率属于小开口率，大于20％的开口率属于大开口率)刻蚀中，边缘刻蚀速率过快的问题本质上是由于负载效应所引起的，出现负载效应的原因是腔室中可以用于反应的等离子体总量一定，待刻蚀材料越多，则反应越慢，在被刻蚀的晶圆中心图形密集排布，相当于待刻蚀材料多，边缘图形较少，相当于待刻蚀材料少，受负载效应的影响，边缘刻蚀速率会快于中心，即出现“边缘翘尾”现象。

本发明基于负载效应产生的原理，创造性地提出一种水平可移动聚焦环补充结构，在晶圆的四周(聚焦环上)再增加一圈待刻蚀材料，相当于增加了边缘待刻蚀材料的量，使得中心与边缘图形的排布密度趋于一致，从而提高刻蚀速率的均匀性，解决大开口率刻蚀中边缘刻蚀速率过快的问题，同时能够在晶圆上尽可能多的地方做好图形，提高晶圆的利用率并降低生产成本。

下面将参照附图更详细地描述本发明。虽然附图中显示了本发明的优选实施例，然而应该理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了使本发明更加透彻和完整，并且能够将本发明的范围完整地传达给本领域的技术人员。

图5示出了根据本发明的一个实施例的一种工艺腔室的结构示意图。

如图5所示，一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，包括腔室本体101以及设置于腔室本体101内部的基座和设置于基座上的聚焦环106，还包括：

多个聚焦环补充结构108，多个聚焦环补充结构108沿周向环绕设置于聚焦环106上方，聚焦环补充结构108的材质与被刻蚀的晶圆107的材质相同；

水平驱动机构109，水平驱动机构109设置于腔室本体101的侧壁且与聚焦环补充结构108连接，水平驱动机构109用于驱动多个聚焦环补充结构108沿各自径向方向同步运动，以调节各聚焦环补充结构108相对于聚焦环106在竖直方向上的重叠面积。

具体地，多个聚焦环补充结构108沿周向环绕设置于聚焦环106上方，且聚焦环补充结构108能够在水平驱动机构109的驱动下在聚焦环106的顶面水平移动，聚焦环补充结构108的材质与被刻蚀晶圆107的材料相同。基于多个聚焦环补充结构108以及水平驱动机构109的设置，在进行大开口率刻蚀时，可以使水平驱动机构109驱动多个聚焦环补充结构108与聚焦环106完全重叠，多个聚焦环补充结构108能够在被刻蚀晶圆107的***填补待刻蚀材料，相当于增加边缘待刻蚀材料的量，使得中心与边缘图形的排布密度趋于一致，从而提高刻蚀速率的均匀性，从而从负载效应角度解决了大开口率刻蚀的边缘刻蚀速率快的问题，并且当刻蚀需求从大开口率变成小开口率时，可以通过水平驱动机构109驱动多个聚焦环补充结构108与聚焦环106不重叠，不补充晶圆107边缘***的被刻蚀材料，以满足正常的小开口率图形的刻蚀需求。

如图7所示，本实施例中，多个聚焦环补充结构108均相接时，整体形成一个辅助环，辅助环与聚焦环同心设置，且辅助环的内径不小于晶圆直径。其中，辅助环的上表面的面积与晶圆107的刻蚀图形的开口率正相关。

具体地，聚焦环补充结构108呈圆弧状，多个聚焦环补充结构108共同围成辅助环，辅助环的内径应不小于晶圆107直径。聚焦环补充结构108的数量并不做具体限定，例如可以设计为四个四分之一圆弧叠加形成一个辅助环，或者设计成两个半圆叠加形成一个辅助环，或者八个八分之一圆叠加形成一个辅助环，可根据实际需求具体选择。

进一步地，根据负载效应产生的原理可知，晶圆上刻蚀图形的开口率越大，则边缘图形越少，边缘的刻蚀速率越大，因此需要根据晶圆刻蚀图形的开口率的大小，预先选择对应的辅助环的上表面面积，开口率越大则需要辅助环(聚焦环补充结构108)的上表面的面积越大。

本实施例中，当开口率大于20％时(即大开口率)，水平驱动机构109驱动多个聚焦环补充结构108沿水平方向同步向靠近聚焦环106的方向移动，形成辅助环。当开口率小于10％时(即小开口率)，水平驱动机构109驱动多个聚焦环补充结构108沿水平方向同步向远离聚焦106环的方向移动，使各聚焦环补充结构108相对于聚焦环106在竖直方向上完全不重叠。

需要说明的是，聚焦环补充结构108移入或者移出，对应开口率大或小的两种不同的图形刻蚀需求，移入过程不能遮挡晶圆107边缘，因此，极限位置即是完全移入与完全移出，可聚焦环补充结构108的内侧与聚焦环106内侧在竖直方向上完全重合时，形成辅助环，即移入的极限位置，当向外侧移出，两者无重叠区域时，即完全移出的极限位置，可以根据该要求设计水平驱动机构109的行程。因此，当刻蚀图形开口率介于10％与20％之间时，可聚焦环补充结构108的移动位置则介于完全移入与完全移出之间，根据具体的刻蚀结果实现位置的可调节。

如图6所示，本实施例中，水平驱动机构109包括多个水平驱动件，每个水平驱动件通过连接件与一个聚焦环补充结构108连接，水平驱动件驱动连接件在水平方向往复运动。

其中，水平驱动件包括驱动源112以及连接于驱动源112的移动导向杆114；连接件包括连接杆115以及套设于连接杆115外部的波纹管导向套113；

水平驱动件设置于腔室本体101的侧壁外部的支撑部上；

波纹管导向套贯穿并密封固定于工艺腔室的侧壁；

连接杆115的一端与移动导向杆114连接，连接杆115的另一端与聚焦环补充结构108连接，连接杆115与波纹管导向套113密封滑动配合，并能够沿波纹管导向套113的轴向运动。

具体地，驱动源112可以为横置的气缸，也可以为电动推杆等，气缸的推杆通过移动导向杆114、连接杆115与聚焦环补充结构108连接。波纹管导向套113外部与腔室本体101侧壁密封固定，内部与连接杆115密封滑动配合，同时起到定向作用。具体实施过程中，可以通过上位机控制多个驱动源112同步动作，带动移动导向杆114水平运动，经过连接杆115推动聚焦环补充结构108水平运动。

如图6所示，优选地，水平驱动机构还包括微调机构116，微调机构116的两端分别连接移动导向杆114和连接杆115，微调机构116用于调整移动导向杆114和连接杆115之间的距离。

具体地，微调机构116可以为螺纹调节机构，微调机构116的两端可以分别通过螺纹与移动导向杆114和连接杆115连接，从而通过手动旋拧微调机构116的方式调节水平驱动件112与连接杆115之间的距离，进而对聚焦环补充结构108与聚焦环106之间的距离进行微调。

如图5和图6所示，本实施例中，腔室本体101的侧壁还设置有多个挡板110以及与每个挡板110连接的旋转驱动机构(未示出)；挡板110设置于聚焦环补充结构108的上方；优选地，每个聚焦环补充结构108上方对应设置一个挡板110。

旋转驱动机构用于：当聚焦环补充结构108与聚焦环106在竖直方向上完全不重叠时，驱动挡板110旋转以遮挡聚焦环补充结构108；

或，当聚焦环补充结构108与聚焦环106在竖直方向上至少部分重叠时，驱动挡板110旋转以暴露聚焦环补充结构108。

具体地，当刻蚀小开口率图形时，需要将聚焦环补充结构108水平移出，此时可以通过旋转驱动机构放下挡板110，将可移动聚焦环106遮蔽，以保护聚焦环补充结构108不被刻蚀，在刻蚀大开口率图形时，需要将聚焦环补充结构108水平移入，构成辅助环，补充晶圆107四周的刻蚀材料，此时可以通过旋转驱动机构收起挡板110，将可移动聚焦环106暴露出来，以增加边缘待刻蚀材料的量，使得中心与边缘图形的排布密度趋于一致，从而提高刻蚀速率的均匀性抑制“边缘翘尾”现象。

本实施例中，旋转驱动机构为单独设置在腔室内侧壁的驱动电机，挡板110通过铰接轴与腔室本体101侧壁连接，驱动电机的转轴与挡板110的铰接轴固定连接，驱动电机驱动挡板110沿铰接轴向上翻转以暴露聚焦环补充结构108，或者驱动挡板110沿铰接轴向下遮盖聚焦环补充结构108。多个驱动电机可由上位机同步控制动作。

在另一具体实施方式中，旋转驱动机构包括齿轮轴和齿条，齿轮轴与腔室本体101内壁转动连接，挡板110与齿轮轴固定连接，齿条与连接杆115固定连接，齿条与齿轮轴的啮合，齿条与连接杆115同步运动，当连接杆115带动聚焦环补充结构108远离聚焦环106时，齿条同步带动挡板110沿齿轮轴向下旋转，以遮挡聚焦环补充结构108，当连接杆115带动聚焦环补充结构108靠近聚焦环时，齿条同步带动挡板110沿齿轮轴向上旋转，以暴露聚焦环补充结构108。

本发明实施例还提出一种半导体工艺设备，包括以上实施例的工艺腔室，还包括设置于所述腔室本体的顶部用于通入工艺气体的进气通路102，以及设置于所述腔室本体的侧壁顶部的射频线圈103，所述射频线圈103环绕所述进气通路102。

具体地，如5所示，腔室本体101顶部设有用于通入工艺气体的进气通路102，腔室本体101的侧壁顶部设有射频线圈103，射频线圈103环绕进气通路102；基座包括下电极104和设置于下电极104上的静电卡盘105，静电卡盘105用于支撑被刻蚀晶圆107，聚焦环106环绕在被刻蚀晶圆107的***。进气通路102优选设置中心进气结合边缘进气的方式，在腔室本体101顶部设置中心进气口和多个边缘进气口，并在腔室本体101侧壁顶部设置环绕进气通路102的射频线圈103，工艺气体经过射频线圈103后被离化，形成等离子体。

以刻蚀机为例，

将上述实施例的工艺腔室应用于某型号的12英寸刻蚀机中，对晶圆107进行大开口率(开口率大于20％)图形的深刻蚀工艺，控制水平驱动机构109使多个聚焦环补充结构108的位置位于聚焦环106正上方(完全重叠状态，挡板110收起状态)，此时相当于在被刻蚀的晶圆107外侧引入了一圈刻蚀图形，刻蚀过程中能够使晶圆107中心和边缘的开口率趋向一致。

采用的工艺配方如表1所示：

表1本实施例的工艺配方

*表示下电极功率从初始值递增到终末值，占空比50％；

**表示单步工艺时间从初始值递增到终末值。

其中，腔压范围5～200mTorr，上电极中心功率范围500～5000W，上电极边缘功率范围500～3000W，下电极功率范围50～500W，中心C4F8流量范围50～1000sccm，边缘C4F8流量范围50～500sccm，中心SF6流量范围50～2000sccm，边缘SF6流量范围50～1000sccm，单步工艺时间范围0.1～10s，优选值可以根据刻蚀要求而定。

工艺结果如图8所示，可以看出，采用本发明的刻蚀设备能够有效解决由负载效应引起的大开口率刻蚀中边缘刻蚀速率过快的问题，改善“边缘翘尾”现象。

综上，本发明从负载效应角度入手，提出了水平可移动的聚焦环补充结构，解决了大开口率刻蚀的边缘刻蚀速率快的问题；并且可以根据被刻蚀材料，选用与之对应的聚焦环补充结构的材料，因此本发明的工艺腔室不受刻蚀材料种类的限制，适应范围广。

以上已经描述了本发明的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。

Claims (10)

1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，包括腔室本体以及设置于所述腔室本体内部的基座和设置于所述基座上的聚焦环，其特征在于，还包括：

多个聚焦环补充结构，多个所述聚焦环补充结构沿周向环绕设置于所述聚焦环上方，所述聚焦环补充结构的材质与被刻蚀的晶圆的材质相同；

水平驱动机构，所述水平驱动机构设置于所述腔室本体的侧壁且与所述聚焦环补充结构连接，所述水平驱动机构用于驱动多个所述聚焦环补充结构沿各自径向方向同步运动，以调节各所述聚焦环补充结构相对于所述聚焦环在竖直方向上的重叠面积。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，多个所述聚焦环补充结构均相接时，整体形成一个辅助环，所述辅助环与所述聚焦环同心设置，且所述辅助环的内径不小于所述晶圆直径。

3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述辅助环的上表面的面积与所述晶圆的刻蚀图形的开口率正相关。

4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，当所述开口率大于20％时，所述水平驱动机构驱动多个所述聚焦环补充结构沿水平方向同步向靠近所述聚焦环的方向移动，形成所述辅助环。

5.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，当所述开口率小于10％时，所述水平驱动机构驱动多个所述聚焦环补充结构沿水平方向同步向远离所述聚焦环的方向移动，使各所述聚焦环补充结构相对于所述聚焦环在竖直方向上完全不重叠。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述水平驱动机构包括多个水平驱动件，每个所述水平驱动件通过连接件与一个所述聚焦环补充结构连接，所述水平驱动件驱动所述连接件在水平方向往复运动。

7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述水平驱动件包括驱动源以及连接于所述驱动源的移动导向杆；所述连接件包括连接杆以及套设于所述连接杆外部的波纹管导向套；

所述水平驱动件设置于所述腔室本体的侧壁外部的支撑部上；

所述波纹管导向套贯穿并密封固定于所述腔室本体的侧壁；

所述连接杆的一端与所述移动导向杆连接，所述连接杆的另一端与所述聚焦环补充结构连接，所述连接杆与所述波纹管导向套密封滑动配合，并能够沿所述波纹管导向套的轴向运动。

8.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述水平驱动机构还包括微调机构，所述微调机构的两端分别连接所述移动导向杆和所述连接杆，所述微调机构用于调整所述移动导向杆和所述连接杆之间的距离。

9.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体的侧壁还设置有多个挡板以及与每个所述挡板连接的旋转驱动机构；所述挡板设置于所述聚焦环补充结构的上方；

所述旋转驱动机构用于：当所述聚焦环补充结构与所述聚焦环在竖直方向上完全不重叠时，驱动所述挡板旋转以遮挡所述聚焦环补充结构；

或，当所述聚焦环补充结构与所述聚焦环在竖直方向上至少部分重叠时，驱动所述挡板旋转以暴露所述聚焦环补充结构。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括如权利要求1至9的任一所述的工艺腔室，还包括设置于所述腔室本体的顶部用于通入工艺气体的进气通路，以及设置于所述腔室本体的侧壁顶部的射频线圈，所述射频线圈环绕所述进气通路。