CN114267685B - 显示面板及显示装置 - Google Patents

显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114267685B
CN114267685B CN202111527032.3A CN202111527032A CN114267685B CN 114267685 B CN114267685 B CN 114267685B CN 202111527032 A CN202111527032 A CN 202111527032A CN 114267685 B CN114267685 B CN 114267685B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light
sub
light shielding
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111527032.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114267685A (zh
Inventor
金蒙
吕磊
杨林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202111527032.3A priority Critical patent/CN114267685B/zh
Priority to PCT/CN2021/140619 priority patent/WO2023108776A1/zh
Publication of CN114267685A publication Critical patent/CN114267685A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114267685B publication Critical patent/CN114267685B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示面板及显示装置。显示面板包括常规显示区以及与常规显示区邻接的功能显示区,显示面板还包括驱动电路层、第一电极层、发光层以及第二电极层;第一电极层设置于驱动电路层中;发光层设置在驱动电路层的一侧,发光层包括:设置在功能显示区的第一发光像素和设置在常规显示区的第二发光像素;第二电极层,设置在发光层远离驱动电路层的一侧,第二电极层在功能显示区中设置有位于相邻第一发光像素之间的透光开口;其中,驱动电路层对应透光开口位置,朝向第二电极层的一侧设置有凹凸结构。本发明可以提高功能显示区内的光透过率,并降低第二电极层图案化时受到的应力,提高第二电极层的良品率。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及具有该显示面板的显示装置。
背景技术
随着消费者对屏占比需求的提高,屏下摄像头式有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)显示面板已成为OLED显示面板领域主流设计方案之一。
对屏下摄像头来说,必须保证摄像头正上方的透光区域中的各膜层有足够的光透过率。在传统的顶发射OLED显示面板中,考虑到电子注入势垒,阴极层通常选用半透明的金属薄层,如Mg-Ag合金等。对于金属薄层阴极来说,通过减薄其厚度能够在一定程度上提升阴极的光透过率,但是依然难以满足摄像头的进光需求。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,能够提高功能显示子区的透光率,降低第二电极层图案化受到的应力,提高显示面板的良率。
本发明实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括常规显示区以及与所述常规显示区邻接的功能显示区,所述显示面板还包括:
驱动电路层;
第一电极层,设置在所述驱动电路层中;
发光层,设置在所述驱动电路层的一侧,所述发光层包括:设置在所述功能显示区的第一发光像素和设置在所述常规显示区的第二发光像素;
第二电极层,设置在所述发光层远离所述驱动电路层的一侧,所述第二电极层在所述功能显示区中设置有位于相邻所述第一发光像素之间的透光开口;
其中,所述驱动电路层对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有凹凸结构。
在本发明的一种实施例中,所述驱动电路层包括:
有机隔垫层,对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有凹凸结构。
在本发明的一种实施例中,所述驱动电路层包括:
有机衬底层;
薄膜晶体管层,设置在所述有机衬底层的一侧;
像素定义层,设置在所述薄膜晶体管层远离所述有机衬底层的一侧,所述像素定义层包括多个对应所述第一发光像素或所述第二发光像素的像素开口;
其中,所述像素定义层对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有凹凸结构。
在本发明的一种实施例中,所述驱动电路层包括:
有机衬底层;
薄膜晶体管层,设置在所述有机衬底层的一侧;
像素定义层,设置在所述薄膜晶体管层远离所述有机衬底层的一侧,
其中,所述驱动电路层对应所述透光开口位置设置有凹槽,所述凹槽的底面延伸至所述有机衬底层,所述有机衬底层对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有凹凸结构。
在本发明的一种实施例中,在相同单位面积内,所述第一发光像素的数量与所述第二发光像素的数量相同。
在本发明的一种实施例中,所述功能显示区包括透光子区以及位于所述透光子区与所述常规显示区之间的过渡子区;
所述驱动电路层还包括遮光层,所述遮光层包括设置于所述功能显示区内的多个第一遮光部、多个第二遮光部以及围绕多个所述第一遮光部和多个所述第二遮光部设置的第三遮光部,所述第二遮光部连接于相邻的两所述第一遮光部之间,或连接于所述第一遮光部与所述第三遮光部之间,其中,一所述第一遮光部对应一所述第一发光像素设置,且所述第三遮光部与所述过渡子区至少部分重叠设置。
在本发明的一种实施例中,所述第二电极层在所述功能显示区中,对应相邻所述第一遮光部和所述第二遮光部围绕的区域,和/或,对应相邻的所述第一遮光部、所述第二遮光部、所述第三遮光部围绕的区域,设置有所述透光开口,所述透光开口与所述遮光层不重叠。
在本发明的一种实施例中,所述第二电极层包括与所述第一遮光部对应设置的第一子电极以及与所述第二遮光部对应设置的第二子电极,且相邻的所述第一子电极与所述第二子电极围绕所述透光开口设置;
其中,所述第一子电极的形状与所述第一遮光部的形状相同,所述第二子电极的形状与所述第二遮光部的形状相同。
在本发明的一种实施例中,所述第一遮光部、所述第二遮光部以及所述第三遮光部的边缘为波浪状或锯齿状。
在本发明的一种实施例中,所述第二遮光部的形状为弯曲状。
在本发明的一种实施例中,所述驱动电路层还包括对应所述功能显示区设置的第一晶体管以及对应所述常规显示区设置的第二晶体管;
所述遮光层还包括位于所述常规显示区内并与所述第二晶体管对应设置的第四遮光部,相同单位面积中所述第一遮光部的数量与所述第四遮光部的数量相同。
在本发明的一种实施例中,所述驱动电路层还包括与所述第一晶体管电连接并为所述第一晶体管提供驱动信号的第一走线、连接于所述第一晶体管与所述第一发光像素之间的第二走线;
其中,在所述透光子区,所述第二遮光部与所述第一走线和/或所述第二走线重叠设置。
在本发明的一种实施例中,所述第一晶体管设置于所述过渡子区,在所述透光子区内,所述第二遮光部与所述第二走线重叠设置,且所述第二遮光部的宽度大于所述第二走线的宽度。
在本发明的一种实施例中,所述第一走线在所述过渡子区绕所述透光子区边缘设置,所述第三遮光部与绕所述透光子区边缘设置的所述第一走线至少部分重叠设置。
在本发明的一种实施例中,所述第一晶体管设置在所述透光子区,所述第一遮光部与所述第一晶体管重叠设置,所述第二遮光部与所述第一走线重叠设置,且所述第二遮光部的宽度大于所述第一走线的宽度。
根据本发明的上述目的,提供一种显示装置,所述显示装置包括所述显示面板,和感光元件,所述感光元件与所述显示面板的所述功能显示区对应设置。
本发明的有益效果:本发明通过在驱动电路层朝向第二电极层的一侧设置位于功能显示区内的凹凸结构,且第二电极层对应凹凸结构的位置形成有透光开口,进而在第二电极层中形成透光开口过程中,对位于凹凸结构上的第二电极层进行剥离时,凹凸结构可以降低第二电极层受到的垂直应力,降低第二电极层边缘剥离时形成的翘起的高度,进而提高显示面板的良品率;且本发明将功能显示区内的第二电极层进行图案化处理,以提高功能显示区的透光率。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的显示面板的平面结构示意图;
图2为本发明实施例提供的显示面板的一种结构示意图;
图3为本发明实施例提供的显示面板的功能显示区内遮光层的一种结构示意图;
图4为本发明实施例提供的显示面板的功能显示区内遮光层的另一种结构示意图;
图5为本发明实施例提供的显示面板的功能显示区内遮光层的另一种结构示意图;
图6为本发明实施例提供的显示面板的功能显示区内第二电极层的一种结构示意图;
图7为本发明实施例提供的显示面板的提供的功能显示区内第二电极层的侧边结构示意图;
图8为本发明实施例提供的显示面板的另一种结构示意图;
图9为本发明实施例提供的显示面板的制作方法流程图;
图10为本发明实施例提供的显示面板的透光区内制程结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明实施例提供一种显示面板,请参照图1、图2以及图3,显示面板包括常规显示区101以及与常规显示区101邻接的功能显示区102,显示面板还包括驱动电路层、第一电极层61、发光层63以及第二电极层20。
进一步地,第一电极层61设置于驱动电路层中,发光层63设置于驱动电路层的一侧,第二电极层20设置于发光层63远离驱动电路层的一侧;且发光层63包括设置在功能显示区102内的第一发光像素631和设置在常规显示区101内的第二发光像素632;第二电极层在功能显示区102中设置有位于相邻第一发光像素631之间的透光开口201。
其中,驱动电路层朝向第二电极层20的一侧设置有对应透光开口201的凹凸结构11。
在实施应用过程中,本发明实施例通过在驱动电路层朝向第二电极层20的一侧设置位于功能显示区102内的凹凸结构11,且第二电极层20对应凹凸结构11的位置形成有透光开口201,进而在第二电极层20中形成透光开口201过程中,对位于凹凸结构11上的第二电极层20进行剥离时,凹凸结构11可以降低第二电极层20受到的垂直应力,降低第二电极层20边缘剥离时形成的翘起的高度,进而提高显示面板的良品率;且本发明将功能显示区102内的第二电极层20进行图案化处理,以提高功能显示区102的透光率。
需要说明的是,在本发明实施例中,驱动电路层包括有机隔垫层10,且有机隔垫层10可为驱动电路层中的任一有机膜层,其中,凹凸结构11设置于有机隔垫层10朝向第二电极层20一侧的表面上,且透光开口201可露出凹凸结构11的上表面。
具体地,在本发明的一种实施例中,请继续参照图1、图2以及图3,显示面板包括常规显示区101以及与常规显示区101邻接的功能显示区102,且功能显示区102包括透光子区1021以及位于透光子区1021与常规显示区101之间的过渡子区1022。其中,功能显示区102可用于放置摄像头的感光器件,可选的,功能显示区102的形状包括圆形、椭圆形、方形或其他多边形,在此不作限定,且本发明实施例中以功能显示区102为椭圆形为例,进行说明,具体地,其中透光子区1021为圆形,而过渡子区1022为椭圆环形。
进一步地,显示面板包括驱动电路层以及设置于驱动电路层上的发光层63和第二电极层20。具体地,驱动电路层包括有机衬底层40、设置于有机衬底层40上的薄膜晶体管层50、设置于薄膜晶体管层50上的第一电极层61和像素定义层70;且发光层63设置于像素定义层70上,第二电极层20设置于发光层63和像素定义层70上。
需要说明的是,在本实施例中,像素定义层70为有机隔垫层10,且第一电极层61可为阳极层,而第二电极层20可为阴极层。
其中,有机衬底层40包括层叠设置的至少一有机柔性子层与至少一水氧阻挡子层,且本实施例中以两层有机柔性子层以及两层水氧阻挡子层为例,进行说明。具体地,有机衬底层40包括层叠设置的第一有机柔性子层41、第一水氧阻挡子层43、第二有机柔性子层42以及第二水氧阻挡子层44。
薄膜晶体管层50包括设置于有机衬底层40上的薄膜晶体管器件51以及包覆薄膜晶体管器件51的绝缘层;进一步地,绝缘层包括依次设置于有机衬底层40上的钝化层53、第一栅极绝缘层54、第二栅极绝缘层55以及层间绝缘层56;薄膜晶体管器件51包括设置于有机衬底层40上并被钝化层53覆盖的有源层、设置于钝化层53上并被第一栅极绝缘层54覆盖的第一栅极、设置于第一栅极绝缘层54上并被第二栅极绝缘层55覆盖的第二栅极以及设置于第二栅极绝缘层55上并被层间绝缘层56覆盖的源漏极。
在本实施例中,显示面板还包括设置于驱动电路层中的遮光层30,遮光层30设置于有机衬底层40中,且可位于有机衬底层40中的任一有机柔性子层或任一水氧阻挡子层上,且本实施例中以遮光层30设置于第二有机柔性子层42上为例,进行说明,即遮光层30设置于第二有机柔性子层42与第二水氧阻挡子层44之间。具体地,遮光层30包括设置于功能显示区102内的多个第一遮光部31、多个第二遮光部32和第三遮光部33,以及位于常规显示区101内的第四遮光部34;其中,任意相邻两个第一遮光部31之间设置有一第二遮光部32,第三遮光部33围绕多个第一遮光部31和多个第二遮光部32设置,且第一遮光部31与第二遮光部32设置于透光子区1021内,而第三遮光部33围绕透光子区1021设置并与过渡子区1022至少部分重叠设置。
在本发明实施例中,薄膜晶体管器件51包括对应功能显示区102的第一晶体管以及对应常规显示区101的第二晶体管,其中,遮光层30还包括设置于常规显示区101内的第四遮光部34,且每一第二晶体管对应设置有一第四遮光部34,第四遮光部34设置于第二晶体管下方,可以起到遮光的作用,以防止环境光照射至薄膜晶体管器件51上,且薄膜晶体管层50还包括连接于第四遮光部34的导通部52,其中,导通部52可将薄膜晶体管层50中任一层中的电压信号加载到第四遮光部34中,以改善静电现象对第二晶体管的损伤。
可选的,遮光层30的材料包括Al、Pt、Pd、Ag、Mo、Li、W等金属材料,遮光层30的厚度为至/>
像素定义层70设置于薄膜晶体管层50上,且像素定义层70形成有多个像素开口701,其中,多个像素开口701可位于常规显示区101以及透光子区1021内。
其中,位于透光子区1021内的像素开口701的形状可与常规显示区101内的像素开口701的形状相同或不同,且相同单位面积中,位于透光子区1021内的像素开口的数量与位于常规显示区101内像素开口的数量相同。
进一步地,显示面板还包括第一电极层61、发光层63以及公共层62,第一电极层61设置于层间绝缘层56上并对应像素开口701设置,公共层62包括设置于像素定义层70上并覆盖多个像素开口701的第一公共层621与第二公共层622,发光层63包括设置于各像素开口701内并位于第一公共层621与第二公共层622之间的发光像素,且发光像素包括位于透光子区1021内的第一发光像素631以及位于常规显示区101内的第二发光像素632。可以理解的是,第一公共层621可包括空穴注入层与空穴传输层,而第二公共层622可包括电子注入层与电子传输层。
承上,在本发明实施例中,第一晶体管与第一发光像素631电性连接,第二晶体管与第二发光像素632电性连接,以分别向第一发光像素631和第二发光像素632传输电信号,对应的,每一第一遮光部31对应一个第一发光像素631设置,每一个第四遮光部34对应一个第二晶体管设置,即每一个第四遮光部34对应一个第二发光像素632设置,进而在相同单位面积中,第一遮光部31的数量与第四遮光部34的数量相同。
进一步地,薄膜晶体管层50还包括与第一晶体管电连接并提供驱动信号的第一走线、连接于第一晶体管与第一发光像素631之间的第二走线。其中,在透光子区1021中,第二遮光部32与第一走线和/或第二走线重叠设置。
具体地,当第一晶体管设置于过渡子区1022中时,在透光子区1021内,第二遮光部32与第二走线重叠设置,且第二遮光部32的宽度大于第二走线的宽度,且本实施例中可将第一晶体管设置于过渡子区1022,进而透光子区1021内不需要设置晶体管器件,可以进一步提高透光子区1021的透光率。
此外,第一走线在过渡子区1022内绕透光子区1021边缘设置,且第三遮光部33与绕透光子区1021边缘设置的第一走线至少部分重叠设置。
当第一晶体管设置于透光子区1021内时,则每一第一晶体管与一第一遮光部31重叠设置,且第二遮光部32与第一走线重叠设置,第二遮光部32的宽度大于第一走线的宽度。
第二电极层20设置于发光层63上,并覆盖于第二公共层622远离第一公共层621的一侧,在本实施例中,第二电极层20在功能显示区102内,对应相邻的第一遮光部31和第二遮光部32所围绕的区域以及对应相邻的第一遮光部31、第二遮光部32、第三遮光部33围绕的区域形成有透光开口201,即透光开口201与遮光层30不重叠设置。进一步地,第二电极层20包括位于透光子区1021内的多个第一子电极21和连接于任意相邻两个第一子电极21之间的第二子电极22、以及位于常规显示区101内并整面覆盖于第二公共层622上的第三子电极23,在本发明实施例中,对位于功能显示区102内的第二电极层20进行图案化设计以形成透光开口201,以提高功能显示区102内第二电极层20的透光率,进而可以满足功能显示区102的透光需求。
此外,像素定义层70朝向第二电极层20的一侧设置有凹凸结构11,且凹凸结构11位于透光子区1021内,且透光开口201暴露出凹凸结构11,其与多个第一子电极21以及第二子电极22错开设置。其中,在对第二电极层20进行图案化以形成透光开口201的过程中,常采用激光剥离的方法进行制备,而本发明实施例中将需要剥离第二电极层20的区域(即透光子区1021)内设置凹凸结构11,进而可以降低第二电极层20在剥离过程中受到的垂直应力,以提高第二电极层20图案化的良品率。
可选的,凹凸结构11可为形成于有机隔垫层10表面的多个凸起,且多个凸起之间相间隔或相连接,各凸起的截面形状可为弧形,以使得凹凸结构呈波浪形结构。
进一步地,在本发明实施例中,遮光层30包括位于功能显示区102内的多个第一遮光部31和多个第二遮光部32以及围绕多个第一遮光部31和多个第二遮光部32设置的第三遮光部33,其中,每一个第一子电极21设置于对应的一个第一遮光部31上,每一个第二子电极22设置于对应的一个第二遮光部32上,即在制程中,本发明实施例以第一遮光部31、第二遮光部32以及第三遮光部33作为掩膜板,对第二电极层20进行图案化处理。
各第一子电极21在遮光层30上的正投影位于对应的第一遮光部31的覆盖范围以内,各第二子电极22在遮光层30上的正投影位于对应的第二遮光部的覆盖范围以内,即各第一子电极21的面积小于对应的第一遮光部31的面积,而各第二子电极22的面积小于对应的第二遮光部的面积。此外,各第一子电极21在遮光层30上的正投影形状与对应的第一遮光部31的形状相同,各第二子电极22在遮光层30上的正投影形状与对应的第二遮光部32的形状相同,如图4和图6所示。
需要说明的是,各第二遮光部32的宽度大于对应第二子电极22的宽度,且至少多出2微米以上,以防止激光损伤第二子电极22。此外,在本发明实施例中,为提高功能显示区102内的透光率,进而将功能显示区102内的第一发光像素631对应的第一晶体管以及第一走线皆设置于过渡子区1022内,且第一走线可绕透光子区1021设置,并通过第二走线将第一晶体管与第一发光像素631连接起来,且第三遮光部33包括靠近功能显示区102一侧的内边界,第一走线在遮光层30上的正投影位于第三遮光部33的内边界远离功能显示区102的一侧,以及第二走线在功能显示区102内与第二遮光部32重叠设置,第二走线的宽度小于第二遮光部32的宽度,以防止激光损伤第一走线、第二走线以及第一晶体管。
可选的,第一走线在遮光层30上的正投影到第三遮光部33的内边界的距离大于或等于1微米。
承上,在本发明实施例中,通过在遮光层30中设置位于功能显示区102内的第一遮光部31、第二遮光部32以及围绕功能显示区102的第三遮光部33,且第一遮光部31和第二遮光部32位于透光子区1021内,进而在第二电极层20采用激光剥离进行图案化过程中,可直接采用遮光层30作为掩膜板,以去除透光子区1021内未被第一遮光部31和第二遮光部32遮挡的第二电极层20,提高功能显示区102内的透光率;进一步地,本发明实施例中,像素定义层70在透光子区1021内形成凹凸结构11,进而可以减小第二电极层20在剥离过程中受到的垂直应力,以提高第二电极层20图案化的良品率。
可选的,各第二遮光部32可呈曲线排布,如图4所示,由于第二子电极22的形状与第二遮光部32的形状相同,则各第二子电极22也可呈曲线排布,进而可以降低第二子电极22对于光线的衍射,提高功能显示区102内的出光和透光效果。
可选的,第一遮光部31、第二遮光部32以及第三遮光部33的边缘皆呈锯齿状,如图5所示,则第一子电极21、第二子电极22以及第三子电极23的边缘皆可呈锯齿状,以进一步降低第二电极层20在功能显示区102内对于光线的衍射,以进一步提高功能显示区102内的出光和透光效果;可选的,第一遮光部31、第二遮光部32以及第三遮光部33的边缘还可呈波浪状。
进一步地,由于本发明实施例中在像素定义层70对应透光子区1021内的位置形成有凹凸结构11,可以降低第二电极层20在图案化过程中受到的垂直应力,进而可以降低第二电极层20边缘形成翘起的高度,如图7所示,第二电极层20(可包括第一子电极21、第二子电极22以及第三子电极23)的边缘形成有凸部201,且凸部201设置于第二电极层20远离有机隔垫层10的一侧,相对于相关技术中,对阴极或其他金属膜层进行图案化处理时,直接采用激光剥离在金属膜层边缘形成的尖锐凸起,本发明实施例中第二电极层20图案化过程中形成的第四凸起201呈圆弧形,且高度较小,进而可以提高后续封装制程的良品率。
在本发明的另一种实施例中,请参照图8,本实施例与上一实施例的区别之处在于,有机隔垫层10为有机衬底层40中的有机柔性子层。
在本实施例中,有机隔垫层10为第二有机柔性子层42,且遮光层30设置于第一有机柔性子层41与水氧阻挡子层43上,且凹凸结构11形成于第二有机柔性子层42远离第一有机柔性子层41的表面,并位于透光子区1021内。进一步地,凹凸结构11沿第一方向到第二电极层20的距离小于或等于遮光层30沿第一方向到第二电极层20的距离,其中,第一方向为显示面板的厚度方向,以使得遮光层30可以作为第二电极层20图案化过程中的掩膜板。
此外,显示面板还包括设置于透光子区1021内的多个凹槽501,在本实施例中,各凹槽501穿过第二电极层20、像素定义层70以及薄膜晶体管层50,以露出第二有机柔性子层42的上表面,即凹凸结构11设置于凹槽501的底部。
在本实施例中,第二电极层20在有机隔垫层10上的正投影与多个凹槽501在有机隔垫层10上的正投影相错开。
承上,本实施例中在透光子区1021中进行挖槽,进而相对于上一实施例中,进一步提高了透光子区1021内的透光率;同理,本实施例中,有机隔垫层10在透光子区1021内形成凹凸结构11,进而可以减小第二电极层20在剥离过程中受到的垂直应力,以提高第二电极层20图案化的良品率。
需要说明的是,有机隔垫层10还可以为第二电极层20与有机衬底层40中的任一有机膜层,且可在该有机膜层与第二电极层20之间开设挖槽,以使得第二电极层20在制程中可以覆盖于有机隔垫层10上。
在本发明实施例中,透光子区1021占功能显示区102的占比为70%至90%,且可以提高功能显示区102的透光率为30%至60%。
另外,本发明实施例还提供一种上述实施例中所述显示面板的制作方法,请参照图1、图2、图3、图9以及图10,该显示面板包括常规显示区101以及与常规显示区101邻接的功能显示区102。
该显示面板的制作方法包括:
S10、形成驱动电路层,驱动电路层上形成有位于功能显示区102内的凹凸结构11。
S20、在驱动电路层的一侧形成发光层63,发光层63包括:形成于功能显示区102的第一发光像素631和形成于常规显示区101的第二发光像素632。
S30、在发光层63远离驱动电路层的一侧形成第二电极层20,第二电极层20在功能显示区102中形成有位于相邻第一发光像素631之间并对应凹凸结构11的透光开口201。
具体地,在本发明的一种实施例中,请继续参照图1、图2、图3、图9以及图10。
提供有机衬底层40,有机衬底层40包括层叠的第一有机柔性子层41、第一水氧阻挡子层43、第二有机柔性子层42以及第二水氧阻挡子层44;其中,有机衬底层40中形成有位于第二有机柔性子层42与第二水氧阻挡子层44之间的遮光层30。
其中,遮光层30包括第一遮光部31、第二遮光部32、第三遮光部33以及第四遮光部34,其中,第一遮光部31与第二遮光部32位于透光子区1021内,第三遮光部33围绕透光子区1021设置,而第四遮光部34位于常规显示区101内。
可选的,遮光层30的材料包括Al、Pt、Pd、Ag、Mo、Li、W等金属材料,遮光层30的厚度为至/>
在有机衬底层40上形成薄膜晶体管层50,薄膜晶体管层50包括设置于有机衬底层40上的薄膜晶体管器件51以及包覆薄膜晶体管器件51的绝缘层;进一步地,绝缘层包括依次设置于有机衬底层40上的钝化层53、第一栅极绝缘层54、第二栅极绝缘层55以及层间绝缘层56;薄膜晶体管器件51包括设置于有机衬底层40上并被钝化层53覆盖的有源层、设置于钝化层53上并被第一栅极绝缘层54覆盖的第一栅极、设置于第一栅极绝缘层54上并被第二栅极绝缘层55覆盖的第二栅极以及设置于第二栅极绝缘层55上并被层间绝缘层56覆盖的源漏极。
需要说明的是,在本发明实施例中,薄膜晶体管器件51包括对应功能显示区102的第一晶体管以及对应常规显示区101的第二晶体管,其中,遮光层30还包括设置于常规显示区101内的第四遮光部34,且每一第二晶体管对应设置有一第四遮光部34,第四遮光部34设置于第二晶体管下方,可以起到遮光的作用,以防止环境光照射至薄膜晶体管器件51上,且薄膜晶体管层50还包括连接于第三遮光部33的导通部52,其中,导通部52可将薄膜晶体管层50中任一层中的电压信号加载到第四遮光部34中,以改善静电现象对薄膜晶体管器件51的损伤。
在薄膜晶体管层50上形成多个第一电极层61,且多个第一电极层61可位于透光子区1021内和常规显示区101内。
在薄膜晶体管层50与多个第一电极层61上形成有机隔垫层10(即像素定义层70),且在像素定义层70中形成位于透光子区1021内和常规显示区101的多个像素开口701,以及形成位于透光子区1021内的凹凸结构11,且每个像素开口701对应露出一第一电极层61的上表面,凹凸结构11与各像素开口701错开设置。
需要说明的是,凹凸结构11可在制程中采用半透掩膜板进行制备。
在像素定义层70上形成图案化的金属牺牲层12,以形成位于透光子区1021内且位于凹凸结构11上的金属牺牲层12,且金属牺牲层12保形地设置于凹凸结构11上,即金属牺牲层12贴合凹凸结构11设置,同样形成有凹凸的膜层形貌。
可选的,金属牺牲层12的材料包括Al、Pt、Pd、Ag、Mo、Li、W等金属材料,且金属牺牲层12的厚度可为至/>
在金属牺牲层12以及像素定义层70上形成公共层62以及发光层63,且公共层62包括第一公共层621以及第二公共层622,然后在第二公共层622上形成金属电极层,承上,公共层62以及金属电极层皆保形地设置于金属牺牲层12上,进而在公共层62以及金属电极层上也形成凹凸的膜层形貌。
在有机衬底层40远离薄膜晶体管层50的一侧,采用激光照射功能显示区102,具体可为透光子区1021,且遮光层30作为掩膜板,激光由未被遮光层30覆盖的区域照射至金属牺牲层12上,以使得金属牺牲层12以及位于金属牺牲层12上的公共层62和金属电极层被剥离,得到位于功能显示区102内图案化的第二电极层20,其中包括位于透光子区1021内的多个第一子电极21以及连接于任意相邻两个第一子电极21之间的第二子电极22。
可以理解的是,激光的能量不能多低,否则会导致金属电极层剥离不彻底,有残留,且激光的能量也不能过高,否则会损伤第二电极层20以及第二电极层20以下的其他膜层,同时,过高的能量带来的热效应会使得膜层边缘发生大面积卷曲,甚至撕裂起大部分膜层,从而影响到未被照射区域的第二电极层20,进而造成后续封装失效和显示异常。
其中,在透光子区1021内,有机隔垫层10、金属牺牲层12、公共层62以及第二电极层20的层叠结构如图10所示,由于被剥离的金属牺牲层12、公共层62以及第二电极层20位于凹凸结构11上,且金属牺牲层12、公共层62以及第二电极层20在凹凸结构11上同样形成有凹凸的膜层形貌,进而可以减少金属牺牲层12、公共层62以及第二电极层20被剥离时受到的垂直应力,以提高第二电极层20图案化过程中的良品率。
在本发明的另一种实施例中,请参照图1、图3、图8、图9以及图10,其与上一实施例的区别之处在于,有机隔垫层10为有机衬底层40中的第二有机柔性子层42,即凹凸结构11可采用半透掩膜板制备于第二有机柔性子层42上。
在形成像素定义层70之后,可在透光子区1021内开设穿过像素定义层70、薄膜晶体管层50以及第二水氧阻挡子层44的凹槽501,以露出第二有机柔性子层42的上表面,即露出凹凸结构11。
且后续可按照上述实施例中,在像素定义层70上形成公共层62、发光层63以及金属电极层,然后采用激光照射功能显示区102,以将透光子区1021内的金属牺牲层12以及位于金属牺牲层12上的公共层62和金属电极层剥离,得到位于功能显示区102内图案化的第二电极层20,其中包括位于透光子区1021内的多个第一子电极21以及连接于任意相邻两个第一子电极21之间的第二子电极22。
其中,在透光子区1021内,有机隔垫层10、金属牺牲层12、公共层62以及第二电极层20的层叠结构如图10所示,由于被剥离的金属牺牲层12、公共层62以及第二电极层20位于凹凸结构11上,且金属牺牲层12、公共层62以及第二电极层20在凹凸结构11上同样形成有凹凸的膜层形貌,进而可以减少第二电极层20被剥离时受到的垂直应力,以提高第二电极层20图案化过程中的良品率。
另外,本发明实施例还提供一种显示装置,该显示装置包括上述实施例中所述的显示面板和感光元件,且感光元件与显示面板的功能显示区102对应设置;可选的,该感光元件可包括摄像头组件、指纹识别组件、红外组件等,且本发明实施例提供的显示面板可以有效提高功能显示区102的透光率,进而可以有效提高感光元件的感光效果。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (15)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括常规显示区以及与所述常规显示区邻接的功能显示区,所述功能显示区包括透光子区以及位于所述透光子区与所述常规显示区之间的过渡子区,所述显示面板还包括:
驱动电路层,所述驱动电路层包括遮光层,所述遮光层包括设置于所述功能显示区内的多个第一遮光部、多个第二遮光部以及围绕多个所述第一遮光部和多个所述第二遮光部设置的第三遮光部,所述第二遮光部连接于相邻的两所述第一遮光部之间,或连接于所述第一遮光部与所述第三遮光部之间,其中,所述第三遮光部与所述过渡子区至少部分重叠设置;
第一电极层,设置在所述驱动电路层中;
发光层,设置在所述驱动电路层的一侧,所述发光层包括:设置在所述功能显示区的第一发光像素和设置在所述常规显示区的第二发光像素,一所述第一遮光部对应一所述第一发光像素设置;
第二电极层,设置在所述发光层远离所述驱动电路层的一侧,所述第二电极层在所述功能显示区中设置有位于相邻所述第一发光像素之间的透光开口;
其中,所述驱动电路层对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有凹凸结构。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层包括:
有机隔垫层,对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有所述凹凸结构。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层包括:
有机衬底层;
薄膜晶体管层,设置在所述有机衬底层的一侧;
像素定义层,设置在所述薄膜晶体管层远离所述有机衬底层的一侧,所述像素定义层包括多个对应所述第一发光像素或所述第二发光像素的像素开口;
其中,所述像素定义层为所述有机隔垫层,所述像素定义层对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有所述凹凸结构。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层包括:
有机衬底层;
薄膜晶体管层,设置在所述有机衬底层的一侧;
像素定义层,设置在所述薄膜晶体管层远离所述有机衬底层的一侧,
其中,所述有机隔垫层为所述有机衬底层中的有机柔性子层,所述驱动电路层对应所述透光开口位置设置有凹槽,所述凹槽的底面延伸至所述有机衬底层,所述有机衬底层对应所述透光开口位置,朝向所述第二电极层的一侧设置有所述凹凸结构。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在相同单位面积内,所述第一发光像素的数量与所述第二发光像素的数量相同。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层在所述功能显示区中,对应相邻所述第一遮光部和所述第二遮光部围绕的区域,和/或,对应相邻的所述第一遮光部、所述第二遮光部、所述第三遮光部围绕的区域,设置有所述透光开口,所述透光开口与所述遮光层不重叠。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层包括与所述第一遮光部对应设置的第一子电极以及与所述第二遮光部对应设置的第二子电极,且相邻的所述第一子电极与所述第二子电极围绕所述透光开口设置;
其中,所述第一子电极的形状与所述第一遮光部的形状相同,所述第二子电极的形状与所述第二遮光部的形状相同。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一遮光部、所述第二遮光部以及所述第三遮光部的边缘为波浪状或锯齿状。
9.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二遮光部的形状为弯曲状。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层还包括对应所述功能显示区设置的第一晶体管以及对应所述常规显示区设置的第二晶体管;
所述遮光层还包括位于所述常规显示区内并与所述第二晶体管对应设置的第四遮光部,相同单位面积中所述第一遮光部的数量与所述第四遮光部的数量相同。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层还包括与所述第一晶体管电连接并为所述第一晶体管提供驱动信号的第一走线、连接于所述第一晶体管与所述第一发光像素之间的第二走线;
其中,在所述透光子区,所述第二遮光部与所述第一走线和/或所述第二走线重叠设置。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述第一晶体管设置于所述过渡子区,在所述透光子区内,所述第二遮光部与所述第二走线重叠设置,且所述第二遮光部的宽度大于所述第二走线的宽度。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述第一走线在所述过渡子区绕所述透光子区边缘设置,所述第三遮光部与绕所述透光子区边缘设置的所述第一走线至少部分重叠设置。
14.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述第一晶体管设置在所述透光子区,所述第一遮光部与所述第一晶体管重叠设置,所述第二遮光部与所述第一走线重叠设置,且所述第二遮光部的宽度大于所述第一走线的宽度。
15.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1至14任一项所述的显示面板,和感光元件,所述感光元件与所述显示面板的所述功能显示区对应设置。
CN202111527032.3A 2021-12-14 2021-12-14 显示面板及显示装置 Active CN114267685B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111527032.3A CN114267685B (zh) 2021-12-14 2021-12-14 显示面板及显示装置
PCT/CN2021/140619 WO2023108776A1 (zh) 2021-12-14 2021-12-22 显示面板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111527032.3A CN114267685B (zh) 2021-12-14 2021-12-14 显示面板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114267685A CN114267685A (zh) 2022-04-01
CN114267685B true CN114267685B (zh) 2023-07-25

Family

ID=80827000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111527032.3A Active CN114267685B (zh) 2021-12-14 2021-12-14 显示面板及显示装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN114267685B (zh)
WO (1) WO2023108776A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114927551A (zh) * 2022-06-10 2022-08-19 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示面板制备方法及显示装置
CN115000146A (zh) * 2022-06-29 2022-09-02 云谷(固安)科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN115148933A (zh) * 2022-06-30 2022-10-04 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112764258A (zh) * 2020-12-22 2021-05-07 厦门天马微电子有限公司 一种显示装置及其控制方法
CN113161398A (zh) * 2021-04-01 2021-07-23 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113299859A (zh) * 2021-05-24 2021-08-24 合肥维信诺科技有限公司 显示面板、显示面板制备方法及显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109065585B (zh) * 2018-08-06 2021-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、和显示装置
KR20200039866A (ko) * 2018-10-05 2020-04-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200099251A (ko) * 2019-02-13 2020-08-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110993563B (zh) * 2019-11-22 2023-05-19 福建华佳彩有限公司 一种oled面板及制作方法
KR20210082316A (ko) * 2019-12-24 2021-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
CN114864651A (zh) * 2019-12-31 2022-08-05 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111326560B (zh) * 2020-01-23 2023-08-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
KR20210105782A (ko) * 2020-02-19 2021-08-27 삼성전자주식회사 디스플레이를 포함하는 전자 장치
CN113497092A (zh) * 2020-04-01 2021-10-12 华为技术有限公司 一种显示面板、显示屏及终端设备
KR20210142030A (ko) * 2020-05-14 2021-11-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN111708195A (zh) * 2020-06-01 2020-09-25 Oppo广东移动通信有限公司 显示面板及电子设备
CN111710707B (zh) * 2020-06-30 2023-04-28 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板和显示装置
CN113035916A (zh) * 2021-03-04 2021-06-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其加工方法、显示装置
CN113555411A (zh) * 2021-07-29 2021-10-26 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112764258A (zh) * 2020-12-22 2021-05-07 厦门天马微电子有限公司 一种显示装置及其控制方法
CN113161398A (zh) * 2021-04-01 2021-07-23 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113299859A (zh) * 2021-05-24 2021-08-24 合肥维信诺科技有限公司 显示面板、显示面板制备方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023108776A1 (zh) 2023-06-22
CN114267685A (zh) 2022-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114267685B (zh) 显示面板及显示装置
KR101980780B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9478594B2 (en) Organic electroluminescence display device and method of manufacturing organic electroluminescence display device
US10797124B2 (en) Organic light emitting display substrate and manufacturing method thereof
US20170345882A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR101348408B1 (ko) 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
CN114512520B (zh) 显示面板和显示装置
CN105742324A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
KR101878187B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN111554831B (zh) 柔性显示基板及其制备方法、显示装置
JP7416940B2 (ja) ディスプレイパネル、フレキシブルディスプレイ、電子デバイスおよびディスプレイパネルの製造方法
US20220359632A1 (en) Display substrate and display panel
CN109841749B (zh) 有机发光装置
KR20190126018A (ko) 디스플레이 장치
KR102410426B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US20240196721A1 (en) Display panel and display device
KR102482986B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN112259560B (zh) 显示基板和显示装置
CN111162112A (zh) 一种双面oled显示结构及制作方法
CN114464750B (zh) 显示面板、显示装置
US11315953B2 (en) Substrate and method for manufacturing the same, and display device
JP2016054046A (ja) 表示装置および電子機器
CN115552650A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN112750846A (zh) 一种oled显示面板及oled显示装置
WO2019171873A1 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant