CN114201080A - 电子装置 - Google Patents

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CN114201080A
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Abstract

本揭露提供了一种电子装置，其包括一基底层、设置在所述基底层上的一感测层以及设置在所述基底层上的至少两层导电层。所述感测层包括多个感测电极。所述导电层分别包括多条信号线，各所述信号线分别电连接到所述感测电极的其中一个。

Description

电子装置
技术领域
本揭露涉及一种电子装置，特别是涉及一种具有走线设计的电子装置。
背景技术
近年来，随着用户对于电子装置的要求越来越高，电子装置中的元件如传感器等可设置在屏幕下以改善电子装置中的屏占比。此外，随着传感器的分辨率(resolution)增加，其可作为电子装置中的指纹辨识元件。然而，当传感器的分辨率增加时，电连接到传感器的走线的数量亦随之增加，因此如何调整走线的设计以改善电子装置中的空间配置已成为电子产业中一个重要的议题。
发明内容
本揭露的目的之一是提供一种电子装置，所述电子装置可包括多个感测元件以及电连接到所述感测元件的多条走线，其中所述走线可设置在至少两层导电层中，进而改善电子装置中的空间配置。
在一些实施例中，本揭露提供了一种电子装置。电子装置包括一基底层、
设置在基底层上的一感测层以及设置在基底层上的至少两层导电层。感测层包括多个感测电极。导电层分别包括多条信号线，各信号线分别电连接到感测电极的其中一个。
附图说明
图1为本揭露第一实施例的电子装置的俯视示意图。
图2为本揭露第一实施例的电子装置沿切线A-A’的剖视示意图。
图3为本揭露第二实施例的电子装置的俯视示意图。
图4为本揭露第二实施例的电子装置沿切线B-B’的剖视示意图。
图5为本揭露第三实施例的电子装置的俯视示意图。
图6为本揭露第三实施例的电子装置沿切线C-C’的剖视示意图。
图7为本揭露第三实施例的电子装置沿切线D-D’的剖视示意图。
图8为本揭露第四实施例的电子装置的俯视示意图。
图9为本揭露第四实施例的电子装置沿切线E-E’的剖视示意图。
图10为本揭露第四实施例的电子装置沿切线F-F’的剖视示意图。
图11为本揭露第五实施例的电子装置的俯视示意图。
图12为本揭露第五实施例的电子装置沿切线G-G’的剖视示意图。
图13为本揭露第六实施例的电子装置的俯视示意图。
图14为本揭露第六实施例的电子装置沿切线H-H’的剖视示意图。
图15为本揭露第七实施例的电子装置的俯视示意图。
图16为本揭露第七实施例的电子装置沿切线I-I’的剖视示意图。
图17为本揭露第八实施例的电子装置的俯视示意图。
图18为本揭露第八实施例的电子装置的局部放大剖视示意图。
附图标记说明：A1-部分；BA-基底层；BF、BF2-缓冲层；C1-半导体层；CL-电路层；CO-覆盖层；COL1、COL2-导电层；CT、CT2-接触件；D1-方向；DD-显示驱动器；DL-显示层；DR-显示区域；DR1-汲极；DS-显示基板；DU-发光单元；E1-第一电极；E2-第二电极；ED-电子装置；EN-封装层；G1-闸极；GI-闸极绝缘层；IL1、IL2、IL3、IL4、IL5-绝缘层；ILD-层间介电层；L-长度；L1、L2、L3-线段；LL-切线；LM-发光层；M0-遮光层；NTP-非转向部分；OP-开口；P1-间隔；PDL-像素定义层；PR-周边区域；RE-区域；S1-源极；SB-基板；SC、SC1、SC2、SC3、SC4-感测电路；SCL-感测共同线；SE、SE1、SE2、SE3、SE4、SE5、SE6-感测电极；SEL-感测层；SL、SL1、SL2、SL3、SL4、SL5、SL6-信号线；SOL-感测输出线；SP-感测处理器；SSL-感测扫描线；SW-驱动元件；T1、T2-厚度；TP-转向部分；VH1、VH2、VH-通孔；A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’、G-G’、H-H’、I-I’-切线。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了图式的简洁，本揭露中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
本揭露通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。
在下文说明书与权利要求书中，「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「包括但不限定为…」之意。
应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层「上」，它可以直接在此另一元件或膜层上，或者两者之间存在有***的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」，两者之间不存在有***的元件或膜层。电连接可以是直接电性连接或透过其它元件间接电连接。
虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
请参考图1和图2，图1为本揭露第一实施例的电子装置的俯视示意图，图2为本揭露第一实施例的电子装置沿切线A-A’的剖视示意图。如图1所示，在本实施例中，电子装置ED可包括显示设备，可根据使用者的需求与操作而显示静态或动态的影像或画面，但不以此为限。显示设备可例如应用于笔记本电脑、公共显示器、拼接显示器、车用显示器、触控显示器、电视、监视器、智能手机、平板计算机、光源模块、照明设备或例如为应用于上述产品的电子装置，但不以此为限。如图2所示，电子装置ED可包括基底层BA，其中本实施例中的基底层BA可包括任何适合的显示面板，例如包括自发光显示面板，但不以此为限。在一些实施例中，基底层BA可为非自发光显示面板。此外，基底层BA可以为可挠曲显示面板或刚性显示面板。详细来说，基底层BA可包括基板SB、电路层CL、发光单元DU、缓冲层BF、像素定义层PDL以及封装层EN，但不以此为限。基板SB可包括可挠曲基板、硬质基板或上述基板的组合。可挠曲基板的材料可例如包括聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸(polycarbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他适合的材料、或上述材料的组合。硬质基板的材料可例如包括玻璃、陶瓷、石英、蓝宝石或上述材料的组合。此外，虽然图2中示出的基板SB为单层结构，但本揭露并不以此为限。在一些实施例中，基板SB可包括多层结构。电路层CL设置在基板SB上，例如可位于基板SB与发光单元DU之间。电路层CL可包括各种导线、电路及/或电子元件。举例来说，如图2所示，电路层CL可包括驱动元件SW，其中驱动元件SW可例如包括薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)，但本揭露并不以此为限。驱动元件SW可包括闸极G1、源极S1、汲极DR1、半导体层C1以与门极绝缘层GI，其中闸极绝缘层GI可位于闸极G1与半导体层C1之间，但不以此为限。半导体层C1的材料可例如包含非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(poly-crystalline silicon)、金属氧化物(例如为氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO))、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。闸极G1可例如包括金属材料、其他适合的导电材料或上述材料的组合，但不以此为限。源极S1和汲极DR1可例如包括掺杂非晶材料、掺杂多晶材料、金属氧化物、金属材料、其他适合的导电材料或上述材料的组合，但不以此为限。闸极绝缘层GI可例如包括氮化硅、氧化硅、其他适合的绝缘材料、介电材料或上述材料的组合，但不以此为限。须注意的是，虽然图2所示的驱动元件SW是为顶闸极式(top gate)的薄膜晶体管，但本揭露并不以此为限。在一些实施例中，驱动元件SW可例如包括底闸极式(bottom gate)的薄膜晶体管或多闸极式的薄膜晶体管(例如双闸极晶体管(dual gate/double gate))。根据本实施例，发光单元DU可设置在电路层CL上，且可例如包括发光二极管，但不以此为限。在一些实施例中，当基底层BA包括非自发光显示面板，例如液晶面板时，电子装置ED可例如包括调光单元(例如液晶层，但不以此为限)位在电路层CL上，而不包括设置在电路层CL上的发光单元DU，且电子装置ED还可包括设置在基板SB下方的背光模块，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、量子点二极管(quantum light-emitting diode,QLED或QDLED)、无机发光二极管(light emitting diode，LED)、其他任何适合的发光元件或上述的组合。无机发光二极管可例如包括次毫米发光二极管(mini LED)或微型发光二极管(micro LED)，但不以此为限。在一些实施例中，发光二极管的芯片尺寸约为300微米(μm)到10毫米(mm)，次毫米发光二极管(mini LED)的芯片尺寸约为100微米到300微米，微型发光二极管(micro LED)的芯片尺寸约为1微米到100微米，但不以此为限。如图2所示，发光单元DU可包括第一电极E1、第二电极E2以及发光层LM，其中发光层LM设置在第一电极E1与第二电极E2之间，但不以此为限。第一电极E1和第二电极E2可例如包括金属氧化物、金属材料、其他适合的导电材料或上述材料的组合，但不以此为限。举例来说，第一电极E1和第二电极E2可包括透明导电材料，例如氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)，但不以此为限。在某些实施例中，发光单元DU在非显示侧的电极(例如但不限于第一电极E1)可以包括金属材料或由金属层所构成，但不以此为限。根据本实施例，发光单元DU中的至少一个可与电路层CL中的至少一元件电性连接，举例来说，如图2所示，电路层CL中驱动元件SW的汲极DR1可例如通过接触件CT与发光单元DU的第一电极E1电连接，但不以此为限。在一些实施例中，多个驱动元件SW中的每一个驱动元件SW可分别与多个发光单元DU中的一个发光单元DU电性连接。此外，驱动元件SW的源极S1可通过接触件CT2电连接到工作电压源(VDD)或共享电压源(图2未示出)，而驱动元件SW的闸极G1可例如电连接到一开关元件(图2未示出)，其中开关元件可例如为一薄膜晶体管，但不以此为限。封装层EN可设置在发光单元DU上并覆盖发光单元DU及其下的膜层以保护发光单元DU。封装层EN可包括任何适当的绝缘材料，例如包括有机绝缘材料、无机绝缘材料或上述材料的组合，但不以此为限。此外，虽然图2中的封装层EN为单层结构，但本实施例并不以此为限。在一些实施例中，封装层EN可包括无机层、有机层和无机层的三层构造。
在一些实施例中，基底层BA还可例如包括缓冲层BF、遮光层M0以及像素定义层PDL，但不以此为限。缓冲层BF可设置在基板SB与电路层CL之间。遮光层M0可设置在基板SB上，且在电子装置ED的俯视方向(例如方向D1)上可位于电路层CL与基板SB之间。详细来说，遮光层M0可例如设置在基板SB与驱动元件SW之间以阻挡从基板SB侧进入的光线，以降低环境光线对于驱动元件SW的影响，但不以此为限。像素定义层PDL可包括至少一开口OP，而发光单元DU的发光层LM可设置于开口OP中。在一些实施例中，由于发光层LM可设置于开口OP中，因此像素定义层PDL的开口OP可定义出各发光单元DU的发光区域或发光面积，但不以此为限。此外，在一些实施例中，基底层BA还可包括设置在闸极绝缘层GI上的层间介电层ILD、设置在电路层CL与发光单元DU之间的绝缘层IL1以及设置在电路层CL与基板SB之间的绝缘层IL2，但不以此为限。缓冲层BF、绝缘层IL1、绝缘层IL2和层间介电层ILD可例如包含无机绝缘材料、有机绝缘材料或上述材料的组合，举例来说，可例如包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他适合的材料，但不以此为限。须注意的是，图2所示出的基底层BA的结构仅为示例性的，本揭露并不以此为限。在一些实施例中，基底层BA可根据不同的设计需求具有任何适合的结构或包括任何适合的元件或膜层。此外，本揭露下述各实施例中的基底层BA可参考本实施例的内容，故之后不再赘述。
根据本实施例，如图1所示，电子装置ED可包括显示区域DR和周边区域PR，其中显示区域DR可例如通过电子装置ED中的多个像素(pixel)所分布的区域而定义。详细来说，电子装置ED中的各像素或子像素(以下以像素代称)可例如通过图2中的像素定义层PDL所定义，其中多个像素中的每一个可例如对应到一个发光单元DU与其所对应到的驱动元件SW和其他相关元件，但不以此为限。在一些实施例中，当基底层BA包括非自发光显示面板时，单一个像素可例如对应到一个调光单元与其所对应到的驱动元件SW和其他相关元件。在本实施例中，显示区域DR可例如被定义为多个像素中位于最***的像素的外缘所围成的区域，而显示区域DR以外的区域则可被定义为周边区域PR，但不以此为限。显示区域DR可例如对应到电子装置ED的发光区域，而周边区域PR可例如用于设置周边元件和/或周边电路，但不以此为限。上述关于显示区域DR以及周边区域PR的定义可应用到本揭露各实施例与变化实施例中，故之后不再赘述。此外，图1所示出的显示区域DR和周边区域PR的大小仅为示例性的，本揭露并不以此为限。
根据本实施例，电子装置ED除了上述的元件或膜层外还可包括感测层。详细来说，如图2所示，电子装置ED可包括感测层SEL，其中感测层SEL可设置在基底层BA上，但不以此为限。须注意的是，上述的「感测层设置在基底层BA上」可代表感测层SEL直接设置在基底层BA上，或感测层SEL与基底层BA之间可存在中间膜层，本揭露并不以此为限。在本实施例中，如图1和图2所示，感测层SEL包含多个感测电极SE(例如感测电极SE1、感测电极SE2、感测电极SE3和感测电极SE4)，其中该些感测电极SE可例如设置在显示区域DR中，但不以此为限。感测层SEL上可设置有绝缘层IL5，其中绝缘层IL5可覆盖感测层SEL，但不以此为限。感测电极SE可例如包括透明电极，其中透明电极的材料可例如包括氧化铟锡、氧化铟锌(Indiumzinc oxide，IZO)或上述材料的组合，但不以此为限。根据本实施例，电子装置ED中的感测电极SE可例如作为触控元件，但不以此为限。举例来说，感测电极SE可作为电容式触控元件，当物体(例如手指)接触电子装置ED的表面时，对应于物体接触位置的感测电极SE可侦测到电容值的变化，进而得到物体在电子装置ED的表面上的触碰位置，但不以此为限。在一些实施例中，当感测电极SE具有较高的密度和/或分辨率(resolution)时，由于人体的手指中波峰和波谷会对电容值产生不同程度的影响，进而使感测电极SE输出不同的信号，因此可通过感测电极SE进行指纹辨识，也就是说，感测电极SE可例如作为电容式的指纹辨识元件，但不以此为限。在一些实施例中，电子装置ED的感测电极SE在不同区域可具有不同的密度，其中感测电极SE中具有较大的密度的一部分可作为指纹辨识元件，而感测电极SE的另一部分可作为触控元件，但不以此为限。上述的「感测电极SE的密度」可例如定义为单位面积中感测电极SE的数量，但不以此为限。须注意的是，图1所示的感测电极SE的图案和排列方式仅为示例性的，本揭露并不以此为限。
根据本实施例，电子装置ED中还可包括多条信号线SL，其中多条信号线SL中的每一条可例如连接到感测电极SE的其中一个，但不以此为限。详细来说，如图1所示，信号线SL1可电连接到感测电极SE1，信号线SL2可电连接到感测电极SE2，信号线SL3可电连接到感测电极SE3，而信号线SL4可电连接到感测电极SE4，但不以此为限。在本实施例中，如图1所示，为了使信号线SL可电连接到其所对应的感测电极SE，信号线SL在电子装置ED的俯视方向(方向D1)上可例如延伸至对应的感测电极SE中任何适合的位置，并可通过一通孔(图1未示出)电连接到其所对应的感测电极SE，但不以此为限。本实施例中信号线SL的材料可例如包括铜、银、金、铝、其他适合的导电材料或上述材料的组合，但不以此为限。如上文所述，本实施例中的感测电极SE可例如作为触控元件或指纹辨识元件，电连接到感测电极SE的信号线SL可将感测电极SE所侦测到的信号传送到感测电路，而感测处理器可处理来自感测电路的输出信号，并进行信号处理以辨识触控位置或获得指纹图案，但不以此为限。举例来说，如图1所示，电子装置ED还可包括感测电路SC以及感测处理器SP，其中感测电路SC和感测处理器SP可设置在电子装置ED的周边区域PR，但不以此为限。在本实施例中，分别电连接到感测电极SE1、感测电极SE2、感测电极SE3和感测电极SE4的信号线SL1、信号线SL2、信号线SL3和信号线SL4可分别电连接到感测电路SC1、感测电路SC2、感测电路SC3和感测电路SC4，并将感测电极SE所侦测到的信号传送到感测电路SC，举例来说，当感测电极SE作为电容式触控元件或电容式指纹辨识元件时，信号线SL可传送来自感测电极SE的电容信号至感测电路SC，但不以此为限。此外，在本实施例中，感测电路SC可电连接到感测处理器SP(图1未示出)，使得感测电路SC在接收来自感测电极SE的信号后可输出一对应信号至感测处理器SP，但不以此为限。感测处理器SP可处理来自感测电路SC的输出信号并进行信号的处理，以辨识触控位置或获得指纹图案，但不以此为限。须注意的是，虽然图1和以下附图中的感测电路SC仅以方格图案示出，但本揭露并不以此为限。在一些实施例中，感测电路SC可包括由任何适合的走线或导线所形成的电路。
在本实施中，电子装置ED的周边区域PR除了感测电路SC和感测处理器SP外还可包括显示驱动器DD，其中显示驱动器DD可例如用于控制驱动元件SW和驱动发光单元DU以控制电子装置ED的显示功能，但不以此为限。在本实施例中，如图1所示，显示驱动器DD与感测电路SC和感测处理器SP可设置在显示区域DR的相对两侧，以改善电子装置ED中的空间配置，但本揭露并不以此为限。在一些实施例中，显示驱动器DD、感测电路SC和感测处理器SP可根据设计需求而具有任何适合的设置方式。在一些实施例中，电子装置ED的周边区域PR除了上述元件外还可包括任何适合应用于电子装置ED的周边元件。
如上文所述，感测电极SE中的每一个可电连接至信号线SL的其中一条，并通过该信号线SL将感测电极SE所侦测到的信号传送至感测电路SC和感测处理器SP。当感测电极SE的数量和/或密度较大时，电子装置中的信号线SL的数量和/或密度(例如定义为单位面积内信号线SL的数量，但不以此为限)会随之增加。举例来说，当电子装置ED中的某一些或全部感测电极SE作为指纹辨识元件时，此些感测电极SE可具有较大的分辨率和/或密度，而电连接到此些感测电极SE的信号线SL的数量和/或密度会随之增加。在此情形下，若将信号线SL设置在同一层中，信号线SL之间可能会因彼此之间的间隔过小而互相干扰(例如产生寄生电容，但不以此为限)，进而影响电子装置ED的表现，或者，信号线SL可能会占据周边区域PR较大部分的空间，进而局限电子装置ED中的空间配置，或者，电子装置ED可不具有足够的空间以设置对应于感测电极SE的数量的信号线SL。因此，根据本实施例，电子装置ED包括至少两层导电层，例如导电层COL1和导电层COL2，导电层COL1可包括电连接到一部分感测电极SE的一部分信号线SL，导电层COL2可包括电连接到另一部分感测电极SE的另一部分信号线SL，以提高电子装置ED的空间使用率和/或降低信号线SL之间的干扰现象。举例来说，如图2所示，导电层COL1和导电层COL2可设置在基底层BA上。须注意的是，上述的「导电层设置在基底层BA上」可代表其中一层导电层直接设置在基底层BA上与基底层BA直接接触，或导电层与基底层BA之间可存在中间膜层，本揭露并不以此为限。此外，在本实施例中，导电层COL1和导电层COL2可为位于不同平面(例如垂直于方向D1的平面，但不以此为限)上或是具有不同的形成顺序的层别，但不以此为限。根据本实施例，感测层SEL可设置在导电层COL1和导电COL2的上方，换言之，导电层COL1和导电层COL2位于感测层SEL与基底层BA之间，但不以此为限。在导电层COL1与导电层COL2之间还可设置绝缘层IL3，其中绝缘层IL3覆盖导电层COL1并将导电层COL1与导电层COL2隔开。在感测层SEL与导电层COL2之间另可设置绝缘层IL4，覆盖导电层COL2并将导电层COL2与感测层SEL隔开。在一些实施例中，感测层SEL、导电层COL1和导电层COL2可依设计需求而具有不同的设置顺序。如图2所示，电子装置ED中的多条信号线SL可分别包括于导电层COL1和导电层COL2中，或是说，某些信号线SL是由导电层COL1构成，另一些信号线SL是由导电层COL2构成，导电层COL1与导电层COL2即为信号线SL所处的层别，但不以此为限。举例来说，分别电连接到感测电极SE1和感测电极SE3的信号线SL1和信号线SL3可设置在导电层COL1中，而分别电连接到感测电极SE2和感测电极SE4的信号线SL2和信号线SL4可设置在导电层COL2中，但本揭露并不以此为限。在一些实施例中，信号线SL1和信号线SL3可设置在导电层COL2中，而信号线SL2和信号线SL4可设置在导电层COL1中。由于本实施例中信号线SL可设置在至少两层位于不同平面上的导电层(导电层COL1和导电层COL2)中，因此即使邻近的(或互相对应的)信号线SL在俯视方向上的间隔变小，但因为分别位于不同的层别中，所以仍可以降低信号线SL之间的干扰，使得电子装置ED的空间配置更加有弹性。根据本实施例，位于其中一层导电层中的信号线SL在俯视方向(例如方向D1)上可例如与另外一层导电层中的对应信号线SL具有一间隔，其中该间隔可例如小于或等于2微米(micrometer)，但不以此为限。须注意的是，上述的「其中一层导电层中的信号线SL与另外一层导电层中的对应信号线SL」所代表的是指此两条信号线SL是彼此相邻的，且两条信号线SL之间可不包括其他的信号线SL，亦即，上述间隔是指在俯视方向上两条相邻信号线SL的最短间隔，此间隔的测量的方向例如垂直于信号线SL的延伸方向，但不以此为限。举例来说，图2中位于导电层COL2中的信号线SL2可对应到位于导电层COL1中的最邻近信号线SL，例如信号线SL1(或信号线SL3)，而信号线SL4可对应到信号线SL3，但不以此为限。须注意的是，当下文中提及信号线SL与其所对应的另一条信号线SL时，其「对应」的定义可参考上述内容，故之后不再赘述。如图2所示，信号线SL2与其所对应的信号线SL1之间可具有一间隔P1，而信号线SL4与其所对应的信号线SL3之间可同样具有间隔P1，但不以此为限。根据本实施例，如上文所述，间隔P1可小于或等于2微米，但不以此为限。在一些实施例中，信号线SL2与其所对应的信号线SL1之间的间隔可与信号线SL4与其所对应的信号线SL3之间的间隔不同。在一些实施例中，信号线SL2可对应到信号线SL3，而信号线SL2与信号线SL3之间可具有间隔P1，小于或等于2微米，但不以此为限。此外，在本实施例中，可通过设计绝缘层IL3的厚度以增加邻近或对应的两条信号线SL之间的垂直距离(沿方向D1的距离)，进而降低两条信号线SL之间的干扰现象，但不以此为限。举例来说，如图2所示，绝缘层IL3可具有厚度T1，其中当厚度T1越大时，信号线SL(例如信号线SL1与信号线SL2和/或信号线SL3与信号线SL4)之间的垂直距离可随之增加。根据本实施例，绝缘层IL3的厚度T1的范围可例如从2000埃
Figure BDA0002690256140000121
到4000埃，但不以此为限，上述的厚度T1是指绝缘层IL3的最底面到最顶面之间的距离，以下不再赘述。在一些实施例中，绝缘层IL3的厚度T1的范围可例如从5000埃
Figure BDA0002690256140000122
到25000埃。须注意的是，本实施例中绝缘层IL4的厚度可与绝缘层IL3的厚度相同或不同，本揭露并不以此为限。此外，虽然图2中仅示出了包括两层导电层的电子装置ED，但本揭露并不以此为限。在一些实施例中，电子装置ED可包括三层或更多层的导电层，而信号线SL可根据设计需求以任何适合的方式设置在导电层中。在一些实施例中，各层导电层上可搭配一层绝缘层，但不以此为限。上述关于电子装置ED中可包括的导电层的数量的特征可应用到本揭露各实施例与变化实施例中，故之后不再赘述。根据本实施例，由于电子装置ED中的信号线SL可设置在不同的导电层中，而邻近或对应的信号线SL之间的垂直距离可通过调整导电层之间的绝缘层(例如图2的绝缘层IL3)的厚度所控制，因此相较于信号线SL设置在同一层的情况，本实施例中的信号线SL在横向方向D2上可具有较小的间隔(例如间隔P1)，以在降低信号线SL的互相干扰的情形下改善电子装置ED的空间配置。
下文中将描述本揭露更多的实施例内容。为了简化说明，下述实施例中相同的膜层或元件会使用相同的标注，且其特征不再赘述，而各实施例之间的差异将会于下文中详细描述。
请参考图3和图4，图3为本揭露第二实施例的电子装置的俯视示意图，图4为本揭露第二实施例的电子装置沿切线B-B’的剖视示意图。为了简化附图，图3仅示出了信号线SL以及触控电极SE，其余的元件和膜层则被省略。此外，图4中基底层BA仅以单层示意，而基底层BA所包括的元件和膜层可参考上述第一实施例的内容，故不再赘述。本实施例中的信号线SL和触控电极SE的材料可参考上述第一实施例的内容，故不再赘述。图3所示的结构与图1所示的第一实施例的结构主要的差异之一在于信号线SL的设计。根据本实施例，信号线SL可设置在至少两层导电层中，而位于至少两层导电层的其中一层中的信号线SL在俯视方向上可例如与至少两层导电层的另外一层中的对应信号线SL重叠，但不以此为限。详细来说，如图3和图4所示，本实施例的电子装置ED可包括两层导电层COL1、导电层COL2，此两层导电层包括分别电连接到感测电极SE1、感测电极SE2、感测电极SE3、感测电极SE4、感测电极SE5和感测电极SE6的信号线SL1、信号线SL2、信号线SL3、信号线SL4、信号线SL5和信号线SL6，其中信号线SL1、信号线SL3和信号线SL5可包括在导电层COL1中，而信号线SL2、信号线SL4和信号线SL6可包括在导电层COL2中，但不以此为限。此外，如图3和4所示，信号线SL1在方向D1上可重叠于其所对应的信号线SL2，信号线SL3在方向D1上可重叠于其所对应的信号线SL4，而信号线SL5在方向D1上可重叠于其所对应的信号线SL6，但不以此为限。由于本实施例中信号线SL可设置在不同的导电层中，因此位于不同导电层中的信号线SL可彼此重叠，进而改善电子装置ED的空间配置，例如节省信号线SL的配置空间，或者，可增加信号线SL在电子装置ED中的设置数量，但不以此为限。此外，在本实施例中，可通过调整导电层之间绝缘层的厚度以减少信号线SL之间的干扰现象。举例来说，如图4所示，本实施例中绝缘层IL3可具有厚度T2，其中厚度T2的范围可例如从5000埃到25000埃，但不以此为限。在本实施例中，绝缘层IL3的厚度可例如大于绝缘层IL4的厚度，但不以此为限。由于本实施例中绝缘层IL3可具有较大的厚度，因此可降低彼此重叠的两条信号线SL之间的干扰现象，进而改善电子装置ED的表现。须注意的是，虽然在图4示出的结构中信号线SL1完全重叠于信号线SL2，信号线SL3完全重叠于信号线SL4，而信号线SL5完全重叠于信号线SL6，但本揭露并不以此为限。在一些实施例中，信号线SL1可部分重叠于其所对应的信号线SL2，信号线SL3可部分重叠于其所对应的信号线SL4，而信号线SL5可部分重叠于其所对应的信号线SL6。此外，在一些实施例中，如图4所示，基底层BA与导电层COL1之间还可包括缓冲层BF2，但本揭露并不以此为限。缓冲层BF2的材料可参考上述第一实施例的缓冲层BF，故不再赘述。
请参考图5到图7，图5为本揭露第三实施例的电子装置的俯视示意图，图6为本揭露第三实施例的电子装置沿切线C-C’的剖视示意图，图7为本揭露第三实施例的电子装置沿切线D-D’的剖视示意图。为了简化附图，图5仅示出了信号线SL以及触控电极SE，其余的元件和膜层则被省略。此外，图6和图7中的基底层BA仅以单层示意，而基底层BA所包括的元件和膜层可参考上述第一实施例的内容，故不再赘述。本实施例中的信号线SL和触控电极SE的材料可参考上述第一实施例的内容，故不再赘述。图5到图7所示的结构与图1所示的第一实施例的结构主要的差异之一在于导电层与感测层的设置位置。根据本实施例，电子装置ED可包括至少两层导电层，而至少两层导电层中的至少一层可设置在感测层SEL上，但不以此为限。举例来说，如图5到图7所示，电子装置ED可包括导电层COL1、导电层COL2及感测层SEL，感测层SEL中包括感测电极SE1、感测电极SE2、感测电极SE3和感测电极SE4，而导电层COL1与导电层COL2包括分别电连接到感测电极SE1、感测电极SE2、感测电极SE3和感测电极SE4的信号线SL1、信号线SL2、信号线SL3和信号线SL4。如图6、图7所示，本实施例中导电层COL2可设置在感测层SEL上，感测层SEL可设置在导电层COL1上，或是说，感测层SEL可设置在导电层COL1与导电层COL2之间，但不以此为限。在本实施例中，信号线SL1和信号线SL3可包括在导电层COL1中，而信号线SL2和信号线SL4可包括在导电层COL2中，但不以此为限。也就是说，本实例施例中的信号线SL1和信号线SL3可位于感测电极SE的下方，而信号线SL2和信号线SL4可位于感测电极SE的上方，但不以此为限。因此，如图6所示，信号线SL1位于感测电极SE1的下方，绝缘层IL3中可例如包括通孔VH1，而感测电极SE1可填入通孔VH1中并与信号线SL1电连接，但不以此为限。同样地，如图7所示，信号线SL2位于感测电极SE2的上方，绝缘层IL5中可例如包括通孔VH2，而信号线SL2可填入通孔VH2中并与感测电极SE2电连接，但不以此为限。虽然图中未示出，但本实施例中的信号线SL3和信号线SL4可通过与上述相同的方式分别电连接到感测电极SE3和感测电极SE4，故在此不再赘述。上述的信号线SL与感测电极SE的电连接方式可应用到本揭露各实施例与变化实施例中，故不再赘述。此外，本实施例中信号线SL通过通孔与感测电极SE电连接的方法仅为示例性的，本揭露并不以此为限。在一些实施例中，信号线SL可根据设计需求使用任何适合的方式电连接到感测电极SE。
在本实施例中，由于信号线SL可设置在不同的导电层中，因此可降低信号线SL在俯视方向上因间隔变小而产生的信号线SL之间的干扰影响，进而提高电子装置ED的空间配置弹性。举例来说，如图6和图7所示，位于导电层COL1中的信号线SL1在俯视方向(方向D1)上可例如与导电层COL2中的对应信号线SL2具有间隔P1，其中间隔P1可小于或等于2微米，但不以此为限。也就是说，相较于信号线SL设置在同一层导电层中的情况，本实施例中的信号线SL在俯视方向(方向D1)上可具有较小的横向间隔，以在降低信号线SL的互相干扰的情形下改善电子装置ED的空间配置，或者，可增加信号号SL在电子装置ED中的设置数量，但不以此为限。
请参考图8到图10，图8为本揭露第四实施例的电子装置的俯视示意图，图9为本揭露第四实施例的电子装置沿切线E-E’的剖视示意图，图10为本揭露第四实施例的电子装置沿切线F-F’的剖视示意图。为了简化附图，图8仅示出了信号线SL以及触控电极SE，其余的元件和膜层则被省略。此外，图9和图10中的基底层BA仅以单层示意，而基底层BA所包括的元件和膜层可参考上述第一实施例的内容，故不再赘述。本实施例中的信号线SL和触控电极SE的材料可参考上述第一实施例的内容，故不再赘述。图8到图10所示的结构与图3所示的第二实施例的结构主要的差异之一在于导电层与感测层的设置位置。根据本实施例，如图8到图10所示，电子装置ED可包括导电层COL1、导电层COL2及感测层SEL，感测层SEL包括感测电极SE1、感测电极SE2、感测电极SE3、感测电极SE4、感测电极SE5和感测电极SE6，导电层COL1与导电层COL2包括分别电连接到感测电极SE1、感测电极SE2、感测电极SE3、感测电极SE4、感测电极SE5和感测电极SE6的信号线SL1、信号线SL2、信号线SL3和信号线SL4、信号线SL5和信号线SL6。如图9、图10所示，本实施例中导电层COL2可设置在感测层SEL上，感测层SEL可设置在导电层COL1上，但不以此为限。在本实施例中，导电层COL1包括信号线SL1、信号线SL3和信号线SL5，而导电层COL2包括信号线SL2、信号线SL4和信号线SL6，但不以此为限。也就是说，本实施例中的信号线SL1、信号线SL3和信号线SL5可位于感测电极SE的下方，而信号线SL2、信号线SL4和信号线SL6可位于感测电极SE的上方，但不以此为限。如图9所示，绝缘层IL3中可例如包括通孔VH1，而感测电极SE1可填入通孔VH1中直接接触信号线SL1以与信号线SL1电连接，但不以此为限。类似地，如图10所示，绝缘层IL5中可例如包括通孔VH2，而信号线SL2可填入通孔VH2中直接接触感测电极SE2以与感测电极SE2电连接，但不以此为限。
根据本实施例，由于信号线SL可设置在不同的导电层中，因此位于不同导电层中的信号线SL可重叠于其对应到的另一信号线SL，进而改善电子装置ED的空间配置。举例来说，如图9和图10所示，信号线SL1可重叠于其所对应的信号线SL2，信号线SL3可重叠于其所对应的信号线SL4，而信号线SL5可重叠于其所对应的信号线SL6，但不以此为限。相较于信号线SL设置在同一层的情况，本实施例中信号线SL的设置方式可增加电子装置ED的空间使用率，进而改善电子装置ED的空间配置。须注意的是，图9和图10所示出的结构仅为示例性的，本揭露并不以此为限。在一些实施例中，位于不同导电层中的信号线SL可部分重叠于其对应到的另一信号线SL。
请参考图11到图12，图11为本揭露第五实施例的电子装置的俯视示意图，图12为本揭露第五实施例的电子装置沿切线G-G’的剖视示意图。为了简化附图，图11仅示出了信号线SL以及显示单元DU，其余的元件和膜层则被省略。此外，图12中省略了感测层SEL，而电子装置ED的基底层BA仅简单以三层结构示出，其中图12的基底层BA可包括显示基板DS、显示层DL以及覆盖层CO。显示基板DS可例如包括位于显示单元DU下方的任何适合的膜层或元件，例如上述的基板SB和电路层CL，但不以此为限。显示层DL中可例如包括显示单元DU，但不以此为限。覆盖层CO可例如包括位于显示单元DU上方的任何适合的膜层或元件，例如上述封装层EN，但不以此为限。上述基底层BA中的元件或膜层可参考第一实施例中的内容，故不再赘述。图11和图12所示的结构与图1所示的第一实施例的结构主要的差异之一在于信号线的设计。根据本实施例，电子装置ED中的信号线SL可例如具有非直线图形，例如包括曲折(zigzag)图形，但不以此为限。详细来说，如图11和图12所示，电子装置ED可包括信号线SL1、信号线SL2、信号线SL3和信号线SL4，其中信号线SL1和信号线SL3可包括在导电层COL1中，而信号线SL2和信号线SL4可包括导电层COL2中，但不以此为限。须注意的是，虽然图12中并未示出感测层，但本实施例中电子装置ED可包括感测层，其中感测层、导电层COL1和导电层COL2之间的设置关系可参考上述各实施例与变化实施例。举例来说，本实施例的感测层可设置在导电层COL1和导电层COL2之间，或者，感测层可设置在导电层COL1和导电层COL2上，但不以此为限。信号线SL1、信号线SL2、信号线SL3和信号线SL4可分别电连接到设置在感测层中的多个感测电极，但不以此为限。根据本实施例，信号线SL1、信号线SL2、信号线SL3和信号线SL4可例如具有锯齿图案，但不以此为限。在一些实施例中，信号线SL可包括其他适合的非直线图形，例如弧形、不规则形或上述形状的组合，但不以此为限。在本实施例中，由于信号线SL可设置在不同的导电层中，因此位于不同的导电层中的信号线SL可彼此重叠，或是说，导电层COL1和导电层COL2的其中一层中的信号线可重叠于导电层COL1和导电层COL2的另外一层中的对应的信号线SL，但不以此为限。详细来说，如图11所示，本实施例中信号线SL的每一条可包括转向部分TP以及非转向部分NTP，转向部分TP可为弧形或尖角。其中在方向D1(即俯视方向)上，位于导电层COL1中的信号线SL1和/或信号线SL3可分别与位于导电层COL2中的信号线SL2和/或信号线SL4在非转向部分NTP重叠或相交，或是说，信号线SL1和/或信号线SL3的非转向部分NTP可重叠或相交于信号线SL2和/或信号线SL4的非转向部分NTP，但不以此为限。此外，如图11所示，信号线SL中的任意一条的转向部分TP可不与其他信号线SL的转向部分TP重叠，但不以此为限。须注意的是，在本实施例中，上述的「信号线SL的转向部分TP和非转向部分NTP」可例如通过信号线SL的线段长度和位置所定义。详细来说，如图11所示，信号线SL中的每一条可包括多个转折处，其中两个相邻的转折处之间可包括信号线SL的一个线段(举例来说，如图11所示，信号线SL2可包括线段L1、线段L2和线段L3)，而一个线段的长度可例如定义为与该线段相邻的两个线段的中心之间的距离，例如，图11中线段L2的长度L可为与线段L2相邻的线段L3的中心到线段L1的中心的距离，但不以此为限。在一些实施例中，一条信号线SL中不同的线段可具有相同的线段长度，但不以此为限。在一些实施例中，一条信号线SL中不同的线段可具有不同的线段长度。在定义出线段长度后，可进一步定义出信号线SL中的转向部分TP以及非转向部分NTP。详细来说，在本实施例中，转向部分TP的两端可分别与线段中心具有线段长度的四分之一的距离，以定义出转向部分TP的两端的位置，进而定义出转向部分TP的范围，但不以此为限。举例来说，如图11所示，信号线SL2中的转向部分TP的一端(例如端E1)可例如与线段L3的中心相距线段L2的长度L的四分之一，转向部分TP的另一端(例如端E2)可与线段L2的中心(图11未示出)相距线段L3的长度的四分之一，而信号线SL2中位于端E1和端E2之间的一部份可被定义为信号线SL2的转向部分TP，但不以此为限。在本实施例中，在信号线SL的每一线段中，转换部分TP和非转向部分NTP的长度可例如皆为线段的线段长度的二分之一，举例来说，如图11所示，在线段L2中，转向部分TP的长度(L/4+L/4)可与非转向部分NTP(L/2)具有相同的长度，但不以此为限。
此外，在本实施例中，位于导电层的其中一层的信号线SL可不重叠于位于导电层的另外一层的信号线SL而切齐于该信号线SL，但不以此为限。详细来说，如图11和图12所示，位于导电层COL2中的信号线SL2在方向D1上可不重叠于位于导电层COL1中的信号线SL3，且在方向D1上，信号线SL2可与信号线SL3切齐，例如切齐于图12中的切线LL，但不以此为限。由图11与图12可知，信号线SL3与信号线SL2是在两者的转向部分TP切齐，但不以此为限。在一些实施例中，信号线SL2和信号SL3在方向D1上可不切齐，并具有一间隔，其中该间隔的大小可例如参考上述第一实施例的间隔P1，但不以此为限。如上文所述，由于本实施例中信号线SL可设置在不同的导电层中，因此位于不同导电层中的信号线SL可彼此重叠、切齐或具有较小的间隔，以增加电子装置ED的空间使用率，进而改善电子装置ED的空间配置或增加电子装置ED所能设置的信号线SL的数量。此外，由于本实施例中互相重叠或切齐的信号线SL可设置在不同的导电层中，因此可降低因信号线之间的距离减少所导致的干扰现象，但不以此为限。
此外，在本实施例中，电子装置ED中的信号线SL在俯视方向上可不与显示单元DU重叠，但不以此为限。举例来说，如图11所示，本实施例中发光单元DU可例如以pentile矩阵的方式排列，而信号线SL在电子装置ED的俯视方向(方向D1)上可例如排列并形成多个区域RE，其中发光单元DU中的每一个可例如设置在区域RE中，使得信号线SL在电子装置ED的俯视方向(方向D1)上可不与显示单元DU重叠，但不以此为限。由于本实施例的信号线SL在方向D1上不重叠于显示单元DU，因此可降低信号线SL对于电子装置ED的显示的影响，但不以此为限。须注意的是，本实施例中使信号线SL在俯视方向上不与显示单元DU重叠的概念可应用到本揭露各实施例与变化实施例中，故之后不再赘述。举例来说，虽然上述实施例及相关附图中并未示出显示单元的设置位置，但电子装置ED中信号线SL在电子装置ED的俯视方向上可不重叠于显示单元DU。此外，图11中示出的显示单元DU和信号线SL的排列方式仅为示例性的，本揭露不以此为限。在一些实施例中，显示单元DU和信号线SL可具有任何适合的排列方式，使得信号线SL在方向D1上可不重叠于显示单元DU。
须注意的是，虽然本实施例以及上述各实施例中的信号线SL皆具有相同的图形，但本揭露并不以此为限。在一些实施例中，信号线SL的其中一条可与信号线SL的另外一条具有不同的形状。举例来说，当信号线SL的其中一条包括图11所示出的曲折图案时，信号线SL的另一条可例如包括图1所示出的直线图形，本揭露并不以此为限。上述关于信号线SL可具有不同形状的概念可应用到本揭露各实施例与变化实施例中，故之后不再赘述。
请参考图13和图14，图13为本揭露第六实施例的电子装置的俯视示意图，图14为本揭露第六实施例的电子装置沿切线H-H’的剖视示意图。为了简化附图，图13仅示出了信号线SL以及显示单元DU，其余的元件和膜层则被省略。此外，图14中省略了感测层SEL，而电子装置ED的基底层BA仅简单以三层结构示出。图14中基底层BA包括的元件或膜层可参考图13的说明和上述第一实施例的内容，故不再赘述。图13和图14所示的结构与图11和图12所示的第五实施例的结构主要的差异之一在于信号线的设计。如图13和图14所示，电子装置ED可例如包括导电层COL1、导电层COL2，导电层COL1和导电层COL2可包括信号线SL1、信号线SL2、信号线SL3、信号线SL4、信号线SL5以及信号线SL6，其中信号线SL1、信号线SL3和信号线SL5可包括在导电层COL1中，而信号线SL2、信号线SL4和信号线SL6可包括在导电层COL2中，但不以此为限。根据本实施例，电子装置ED可包括至少两层导电层，而位于导电层的其中一层中的信号线SL与位于导电层的另外一层中的对应信号线SL可在信号线SL的转向部分TP重叠，但不以此为限。详细来说，在电子装置ED的俯视方向(方向D1)上，位于导电层COL2中的信号线SL可例如延伸经过位于导电层COL1中的信号线SL的转向部分TP，使得位于导电层COL2中的信号线SL可与位于导电层COL1中的信号线SL在转向部分TP重叠或相交，或是说，位于导电层COL2中的信号线SL的转向部分TP可重叠于位于导电层COL1中的信号线SL的转向部分TP，但不以此为限。举例来说，如图13所示，位于导电层COL2中的信号线SL4可延伸经过位于导电层COL1中的信号线SL1的转向部分TP，使得信号线SL4与信号线SL1可在转向部分TP彼此重叠，但不以此为限。须注意的是，本实施例中位于导电层COL1中的信号线SL亦可与位于导电层COL2中的信号线SL在非转向部分NTP重叠，举例来说，如图13所示，位于导电层COL1中的信号线SL1可与位于导电层COL2中的信号线SL2在非转向部分NTP重叠，但不以此为限。根据本实施例，由于电子装置ED中的信号线SL可设置在不同的导电层中，因此位于不同导电层中的信号线SL可彼此重叠，以增加电子装置ED的空间使用率，进而改善电子装置ED的空间配置或增加电子装置ED所能设置的信号线SL的数量。此外，由于本实施例中互相重叠的信号线SL可设置在不同的导电层中，因此可降低因信号线之间的距离减少所导致的干扰现象。
请参考图15和图16，图15为本揭露第七实施例的电子装置的俯视示意图，图16为本揭露第七实施例的电子装置沿切线I-I’的剖视示意图。为了简化附图，图15仅示出了信号线SL以及感测电极SE，其余的元件和膜层则被省略。此外，图16中基底层BA仅以单层示出，其中基底层BA所包括的元件或膜层可参考上述实施例和变化实施例，故不再赘述。根据本实施例，电子装置ED中的信号线SL可分别通过多个通孔电连接到对应的感测电极SE，但不以此为限。举例来说，如图15和图16所示，本实施例的电子装置ED可例如包括感测电极SE1、感测电极SE2、感测电极SE3、感测电极SE4以及分别电连接到感测电极SE1、感测电极SE2、感测电极SE3和感测电极SE4的信号线SL1、信号线SL2、信号线SL3和信号线SL4，其中信号线SL1可通过三个通孔VH电连接到感测电极SE1，但不以此为限。如图16所示，由于本实施例中信号线SL1设置在导电层COL1中，而导电层COL1设置在感测层SEL的下方，因此通孔VH可例如设置在绝缘层IL3中，而位于感测层SEL中的感测电极SE1可填入三个通孔VH中并电连接到信号线SL1，但不以此为限。根据本实施例，由于信号线SL可通过多于一个通孔电连接到对应的感测电极SE，因此信号线SL和感测电极SE之间的接触阻抗可降低，进而改善电子装置ED的性能，但不以此为限。此外，在本实施例中，不同的信号线SL可通过不同数量的通孔电连接到对应的感测电极SE，举例来说，如图15所示，图15中位于左侧的信号线可通过两个通孔电连接到对应的感测电极，但不以此为限。本实施例中通过多个通孔电连接信号线SL和感测电极SE的概念可应用到本揭露各实施例与变化实施例中。须注意的是，本揭露中信号线SL与感测电极SE之间的通孔数量并不以图15所示为限，而可根据设计需求而具有任何适合的数量。
请参考图17和图18，图17为本揭露第八实施例的电子装置的俯视示意图，图18为本揭露第八实施例的电子装置的部分A1的放大剖视示意图。为了简化附图，图17中仅示出了电子装置ED的一部分(例如图1所示的电子装置ED的下半部)。此外，图18中省略了感测层，而基底层BA仅以单层示意，但不以此为限。如图17和图18所示，电子装置ED可例如包括感测电极SE1、感测电极SE2、分别电连接到感测电极SE1和感测电极SE2的信号线SL1和信号线SL2以及分别电连接到信号线SL1和信号线SL2的感测电路SC1和感测电路SC2，其中感测电极SE1和感测电极SE2可设置在感测层(图17与图18未示出)中，信号线SL1可包括在导电层COL1中(图18未示出)，而信号线SL2可包括在导电层COL2中，但不以此为限。如上文所述，本实施例中的感测电极SE可例如作为触控元件或指纹辨识元件，例如电容式触控元件或电容式指纹辨识元件，电连接到感测电极SE的信号线SL可例如将感测电极SE侦测到的信号传送到位于周边区域PR的感测电路SC中，而感测电路SC可根据接收到的信号输出对应信号到感测处理器SP并进行信号处理，以得到触碰位置的信息或指纹的图案，但不以此为限。举例来说，如图17所示，感测电路SC中可包括感测扫描线SSL、感测共同线SCL以及感测输出线SOL，其中感测共同线SCL可电连接到一参考电压或一共同电压，但不以此为限。感测扫描线SSL、感测共同线SCL以及感测输出线SOL可例如包括任何适合的导电材料，例如金属材料，但不以此为限。根据本实施例，感测电极SE可通过信号线SL传送电容信号到对应的感测电路SC，而对应的感测电路SC在接收来自感测电极SE的信号后可通过感测输出线SOL传送对应的输出信号到感测处理器SP并进行信号处理。举例来说，当物体并未接触电子装置ED的表面时，感测电极SE可例如通过信号线SL传送固定的信号到对应的感测电路SC，使得感测电路SC可通过感测输出线SOL输出固定的对应信号到感测处理器SP，而当物体接触电子装置ED的表面时，对应于物体接触位置的感测电极SE所侦测到的电容值可发生改变，导致传送到对应的感测电路SC的电容信号会随之改变，进而改变传送到感测处理器SP的信号，并可经过信号处理后得到触碰位置的信息，但不以此为限。此外，当感测电极SE具有高分辨率和/或密度时，由于指纹的波峰和波谷可造成感测电极SE所侦测到的电容值不同，使得传送到感测电路SC和感测处理器SP的信号不同，因此可例如通过感测处理器SP分析出指纹的图案，以达成辨识指纹的功能，但不以此为限。
根据本实施例，电子装置ED中电连接到感测电极SE的信号线SL可设置在不同的导电层中，而设置在导电层的其中一层中的信号线SL在电连接到对应的感测电路SC之前可转接到其他导电层，以使所有的信号线SL可例如位于相同的导电层中，但不以此为限。详细来说，如图18所示，电连接到感测电极SE2以及感测电路SC2的信号线SL2可设置在导电层COL2中，其中导电层COL2可位于设置有信号线SL1的导电层COL1上，而在信号线SL2电连接到感测电路SC2之前，其可转接到导电层COL1中，使得信号线SL1和信号线SL2皆可位于导电层COL1中，但不以此为限。举例来说，信号线SL2可通过通孔VH转接到导电层COL1中，但不以此为限。由于设置在不同导电层中的信号线SL在电连接到感测电路SC之前可例如通过转接制程而位于同一导电层(例如导电层COL1)中，因此可简化信号线SL电连接到感测电路SC的走线设计和/或布局。换句话说，虽然本实施例中信号线SL可设置在导电层COL1和导电层COL2中，但将信号线SL电连接到感测电路SC的走线可例如仅设置在导电层COL1中，但不以此为限。须注意的是，本实施例中通过将信号线转接，使得信号线SL可位于同一导电层中的概念可应用到本揭露各实施例与变化实施例中。
综上所述，本揭露提供了一种电子装置，其包括了多个感测电极以及多条电连接到对应的感测电极的信号线。当电子装置中感测电极的分辨率和/或密度增加时，所需的信号线的数量可随之增加，导致信号线较难以一般方式设置在电子装置中，或是信号线之间可能会因间隔过小而产生互相干扰的情形。然而，由于本揭露的电子装置中的信号线可设置在不同的导电层中，因此可使信号线在电子装置的俯视方向上的间隔减少，以在降低信号线的互相干扰的情形下改善电子装置ED的空间配置。
以上所述仅为本揭露的实施例而已，并不用于限制本揭露，对于本领域的技术人员来说，本揭露可以有各种更改和变化。凡在本揭露的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本揭露的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一基底层；
一感测层，设置在所述基底层上，所述感测层包括多个感测电极；以及
至少两层导电层，设置在所述基底层上，所述至少两层导电层分别包括多条信号线，各所述多条信号线分别电连接到所述多个感测电极的其中一个。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述感测层设置在所述至少两层导电层上。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述至少两层导电层中的至少一导电层设置在所述感测层上。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述至少两层导电层的其中一导电层中的所述多条信号线在一俯视方向上与所述至少两层导电层的另外一导电层中的对应所述多条信号线重叠。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述至少两层导电层的其中一导电层中的所述多条信号线在一俯视方向上与所述至少两层导电层的另外一导电层中的对应的所述多条信号线具有小于或等于2微米的间隔。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多条信号线具有曲折图形。
7.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述至少两层导电层的其中一导电层中的所述多条信号线与所述至少两层导电层的另外一导电层中的对应的所述多条信号线在一转向部分重叠。
8.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述至少两层导电层的其中一导电层中的所述多条信号线与所述至少两层导电层的另外一导电层中的对应的所述多条信号线在一非转向部分重叠。
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