CN114188380A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板定义有显示区及弯折区；在所述弯折区，所述显示面板包括：衬底层；弯折金属层，设于所述衬底层上；第一平坦层，设于所述弯折金属层及所述衬底层上，其中，所述第一平坦层开设有至少一凹槽，用以暴露所述弯折金属层；第一导电层，设于所述第一平坦层上且延伸至所述凹槽的内壁；以及第一像素定义层，设于所述第一导电层上，填充所述凹槽对应的位置；其中，所述衬底层、所述第一平坦层、所述第一像素定义层所用的材质皆为有机材料。采用有机材料代替现有的无机材料，以使得位于弯折区的弯折金属层及第一导电层被有机材料包覆，从而降低应力的影响，提高显示面板的弯折寿命。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)由于重量轻、自发光、广视角、驱动电压低、发光效率高、功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛。尤其是柔性OLED显示面板由于具有可弯折、易携带的特点，成为显示技术领域研究和开发的主要领域。
由于柔性OLED显示面板包括可以使基板折叠的弯折区，并且可以通过使基板在弯折区折叠来减小边框尺寸，以实现具有窄边框的柔性OLED显示面板。
然而，随着弯折程度增加，柔性OLED显示面板具有更窄的边框，但是柔性OLED显示面板在弯折区的过程中，由于无机膜易受应力影响而可能发生断裂，以及金属走线层在弯折后存在断裂、断线的风险。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种显示面板及其制备方法，以解决显示面板弯折区因应力的影响而导致无机膜、金属走线层断裂、断线的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，所述显示面板定义有显示区及弯折区；在所述弯折区，所述显示面板包括：衬底层；弯折金属层，设于所述衬底层上；第一平坦层，设于所述弯折金属层及所述衬底层上，其中，所述第一平坦层开设有至少一凹槽，用以暴露所述弯折金属层；第一导电层，设于所述第一平坦层上且延伸至所述凹槽的内壁；以及第一像素定义层，设于所述第一导电层上，填充所述凹槽对应的位置；其中，所述衬底层、所述第一平坦层、所述第一像素定义层所用的材质皆为有机材料。
进一步的，所述显示区包括薄膜晶体管区及电容区；在所述显示区，所述显示面板包括：屏障层，设于所述衬底层上；遮光导电层，间隔设置于所述屏障层上；缓冲层，覆盖所述遮光导电层，且延伸至所述屏障层表面；半导体层，设于所述缓冲层上，其中，所述半导体层在所述衬底层上的投影，落入所述半导体层在所述衬底层上的投影范围内；绝缘层，设于所述半导体层上，且位于所述薄膜晶体管区；栅极层，设于所述绝缘层上，且位于所述薄膜晶体管区；介电层，覆盖所述栅极层及所述半导体层，且延伸至所述缓冲层表面；显示金属层，其包括源漏极层、金属连接层，所述源漏极层通过第一通孔连接至所述半导体层，所述金属连接层通过第二通孔连接至所述遮光导电层；钝化层，覆盖所述显示金属层上，且延伸至所述介电层表面；第二平坦层，设于所述钝化层上；第二导电层，通过第三通孔连接至所述源漏极层，且延伸所述第二平坦层表面；阳极层，设于所述第二平坦层上；以及第二像素定义层，设于所述阳极层上，且延伸至所述第二平坦层表面，所述第二像素定义层开设有开口，用以暴露所述阳极层。
进一步的，在所述电容区，所述金属连接层在所述衬底层上的投影，落入所述半导体层在所述衬底层上的投影范围内，以形成两个并联设置存储电容。
进一步的，在所述薄膜晶体管区，在同一薄膜晶体管中，所述栅极层为所述薄膜晶体管的前栅结构，用以驱动所述薄膜晶体管的打开或关闭；所述金属连接层为所述薄膜晶体管的后栅结构，用以调节所述薄膜晶体管的阈值电压。
进一步的，所述弯折金属层与所述遮光导电层在同一工艺步骤中形成；或者，所述弯折金属层与所述显示金属层在同一工艺步骤中形成；所述第一平坦层与所述第二平坦层在同一工艺步骤中形成；所述第一导电层与所述第二导电层在同一工艺步骤中形成；所述第一像素定义层与所述第二像素定义层在同一工艺步骤中形成。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板定义有显示区及弯折区；所述制备方法包括如下步骤：形成衬底层于一玻璃基板上，且从所述显示区延伸至所述弯折区；形成屏障层于所述衬底层上，且从所述显示区延伸至所述弯折区；形成缓冲层于所述屏障层上，且从所述显示区延伸至所述弯折区；形成介电层于所述缓冲层上，且从所述显示区延伸至所述弯折区；采用光罩对所述介电层进行图案化处理，以使位于所述弯折区的所述介电层、所述缓冲层及所述屏障层被去掉，且位于所述弯折区的所述衬底层被暴露；形成弯折金属层于所述衬底层上，且位于所述弯折区；形成第一平坦层于所述弯折金属层及所述衬底层上，且位于所述弯折区；对所述第一平坦层进行图案化处理形成至少一凹槽，用以暴露所述弯折金属层；形成第一导电层于所述第一平坦层上且延伸至所述凹槽的内壁，且位于所述弯折区；以及形成第一像素定义层于所述第一导电层上，填充所述凹槽对应的位置，且位于所述弯折区；其中，所述衬底层、所述第一平坦层、所述第一像素定义层所用的材质为有机材料。
进一步的，在所述屏障层的形成步骤之后，所述缓冲层的形成步骤之前，还包括：形成遮光导电层于所述屏障层上，且位于所述显示区；在所述缓冲层的形成步骤之后，所述介电层的形成步骤之前，还包括：形成半导体层于所述缓冲层上，且位于所述显示区；其中，所述半导体层在所述衬底层上的投影，落入所述半导体层在所述衬底层上的投影范围内；形成绝缘层所述半导体层上，且位于所述显示区的薄膜晶体管区；形成栅极层于所述绝缘层上，且位于所述显示区的薄膜晶体管区；在所述介电层进行图案化处理步骤中，还包括：采用所述光罩对所述介电层进行图案化处理，形成第一通孔和第二通孔；其中，所述第一通孔贯穿至所述半导体层表面，且位于所述显示区的薄膜晶体管区；所述第二通孔贯穿至所述遮光导电层表面，且位于所述显示区的薄膜晶体管区及电容区。
进一步的，所述光罩包括第一透光区、第二透光区以及第三透光区，透过所述第一透光区用以对位于所述弯折区的介电层进行图案化处理，以使所述衬底层被暴露；透过所述第一透光区用以对位于所述显示区的介电层进行图案化处理，以形成所述第一通孔；透光所述第二透光区用以对位于所述显示区的介电层进行图案化处理，以形成所述第二通孔；其中，所述第三透光区的透光率小于所述第一透光区的透光率；所述第二透光区的透光率小于所述第三透光区的透光率。
进一步的，在所述介电层进行图案化处理步骤之后，还包括：形成显示金属层于所述衬底层上，且位于所述显示区，所述显示金属层包括源漏极层、金属连接层，所述源漏极层通过第一通孔连接至所述半导体层，所述金属连接层通过第二通孔连接至所述遮光导电层；其中，所述弯折金属层与所述显示金属层在同一工艺步骤中形成；形成钝化层于所述显示金属层上，延伸至所述介电层表面，且位于所述显示区；形成第二平坦层于所述钝化层上，且位于所述显示区；其中，所述第一平坦层与所述第二平坦层在同一工艺步骤中形成；对所述第二平坦层进行图案化处理形成第三通孔；形成第二导电层于所述第三通孔内，且延伸所述第二平坦层表面；其中，所述第一导电层与所述第二导电层在同一工艺步骤中形成；形成阳极层于所述第二平坦层上，且位于所述显示区；形成第二像素定义层于所述阳极层上，且延伸至所述第二平坦层表面；其中，所述第一像素定义层与所述第二像素定义层在同一工艺步骤中形成；对所述第二像素定义层进行图案化处理形成开口，所述开口用以暴露所述阳极层。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板定义有显示区及弯折区；所述制备方法包括如下步骤：形成衬底层于一玻璃基板上，且从所述显示区延伸至所述弯折区；形成弯折金属层于所述衬底层上，且位于所述弯折区；形成第一平坦层于所述弯折金属层及所述衬底层上，且位于所述弯折区；对所述第一平坦层进行图案化处理形成至少一凹槽，用以暴露所述弯折金属层；形成第一导电层于所述第一平坦层上且延伸至所述凹槽的内壁，且位于所述弯折区；以及形成第一像素定义层于所述第一导电层上，填充所述凹槽对应的位置，且位于所述弯折区；其中，所述衬底层、所述第一平坦层、所述第一像素定义层所用的材质为有机材料。
进一步的，在所述衬底层的形成步骤之后，还包括：形成屏障层于所述衬底层上，且位于所述显示区；形成遮光导电层于所述屏障层上，且位于所述显示区；其中，所述遮光导电层与所述弯折金属层在同一工艺步骤中形成；形成缓冲层于所述遮光导电层，延伸至所述屏障层表面，且位于所述显示区；形成半导体层于所述缓冲层上，且位于所述显示区；其中，所述半导体层在所述衬底层上的投影，落入所述半导体层在所述衬底层上的投影范围内；形成绝缘层于所述半导体层上，且位于所述显示区的薄膜晶体管区；形成栅极层于所述绝缘层上，且位于所述显示区的薄膜晶体管区；形成介电层于所述栅极层及所述半导体层上，延伸至所述缓冲层表面，且位于所述显示区；采用所述光罩对所述介电层进行图案化处理，形成第一通孔和第二通孔；其中，所述第一通孔贯穿至所述半导体层表面，且位于所述显示区的薄膜晶体管区；所述第二通孔贯穿至所述遮光导电层表面，且位于所述显示区的薄膜晶体管区及电容区；形成显示金属层于所述衬底层上，且位于所述显示区，所述显示金属层包括源漏极层、金属连接层，所述源漏极层通过第一通孔连接至所述半导体层，所述金属连接层通过第二通孔连接至所述遮光导电层；形成钝化层于所述显示金属层上，延伸至所述介电层表面，且位于所述显示区；形成第二平坦层于所述钝化层上，且位于所述显示区；其中，所述第一平坦层与所述第二平坦层在同一工艺步骤中形成；对所述第二平坦层进行图案化处理形成第三通孔；形成第二导电层于所述第三通孔内，且延伸所述第二平坦层表面；其中，所述第一导电层与所述第二导电层在同一工艺步骤中形成；形成阳极层于所述第二平坦层上，且位于所述显示区；形成第二像素定义层于所述阳极层上，且延伸至所述第二平坦层表面；其中，所述第一像素定义层与所述第二像素定义层在同一工艺步骤中形成；对所述第二像素定义层进行图案化处理形成开口，所述开口用以暴露所述阳极层。
本发明的技术效果在于，提供一种显示面板及其制备方法，采用有机材料代替现有的无机材料，以使得位于弯折区的金属走线(弯折金属层及第一导电层)被有机材料包覆，从而降低应力的影响，提高显示面板的弯折寿命。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例1提供的显示面板的结构示意图。
图2为本申请实施例1提供的显示面板的制备方法的流程图。
图3为本申请实施例1提供的介电层形成后的结构示意图。
图4为本申请实施例1提供的介电层图案化处理后的结构示意图。
图5为本申请实施例1提供的弯折金属层、显示金属层形成后的结构示意图。
图6为本申请实施例1提供的钝化层形成后的结构示意图。
图7为本申请实施例1提供的第一、第二平坦层图案化处理后的结构示意图。
图8为本申请实施例1提供的阳极层形成后的结构示意图。
图9为本申请实施例1提供的第一、第二像素定义层形成后的结构示意图。
图10为本申请实施例1提供的第二像素定义层图案化处理后的结构示意图。
图11为本申请实施例2提供的显示面板的制备方法的流程图。
图12为本申请实施例2提供的显示面板的结构示意图。
附图部件标识如下：
100、显示面板； 101、显示区；
102、弯折区； 101a、薄膜晶体管区；
101b、电容区； 1、衬底层；
2、屏障层； 3、遮光导电层；
4、缓冲层； 5、半导体层；
6、绝缘层； 7、栅极层；
8、介电层； PV、钝化层；
9、弯折金属层； 10、显示金属层；
11a、第一平坦层； 11b、第二平坦层；
12a、第一导电层； 12c、第二导电层；
13a、第一像素定义层； 13b、第二像素定义层；
14、阳极层； 1001、源漏极层；
1002、金属连接层； 1001a、第一通孔；
1002a、第二通孔； 120c、第三通孔；
130b、开口； 110a、凹槽；
200、光罩； 201、第一透光区；
202、第二透光区； 203、第三透光区；
300、玻璃基板。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
实施例1
如图1所示，本实施例提供了一种显示面板100a，显示面板100a定义有显示区101及弯折区102。
在弯折区102，显示面板100a包括衬底层1、弯折金属层9、第一平坦层11a、第一导电层12a以及第一像素定义层13a。
具体的，衬底层1所用的材质包括但不限于聚酰亚胺、有机材料。
弯折金属层9设于衬底层1上，弯折金属层9的结构包括但不限于钼铝钼的叠层结构(Mo/Al/Mo)、钼钛铜的叠层结构(Mo/Ti/Cu)。弯折金属层9在弯折区102为信号走线。
第一平坦层11a设于弯折金属层9及衬底层1上。其中，第一平坦层11a开设有至少一凹槽110a，用以暴露弯折金属层9。第一平坦层11a所用的材质为有机材料。当显示面板100a为顶发射显示屏时，第一平坦层11a的厚度较厚，对平坦性的要求较高；当显示面板100a为低发射显示屏时，第一平坦层11a的厚度较薄，对平坦性的要求较低。
第一导电层12a设于第一平坦层11a上且延伸至凹槽110a的内壁，其中，第一导电层12a贴附于凹槽110a的侧壁和底壁。第一导电层12a可以通过PVD(Physical VaporDeposition，物理气相沉积)工艺制作而成，其所用的材料为钼钛叠层结构(Mo/Ti)或者单层的金属结构(如Al)。第一导电层12a可以作为显示面板100a的端子连接区，还可以作为弯折金属层9的保护层，用以提高弯折区102金属的耐弯折性能。
第一像素定义层13a设于第一导电层12a上，且完全填满凹槽110a对应的位置。第一像素定义层13a所用的材质为有机材料。
本实施例中，由于衬底层1、第一平坦层11a、第一像素定义层13a所用的材质皆为有机材料，使得弯折金属层9与第一导电层12a完全被有机材料包覆。因此，弯折金属层9与第一导电层12a所形成的金属走线不会受应力影响而发生断裂。尤其是，有机材料可以降低弯折金属层9与第一导电层12a被弯折后产生的裂纹的弊端。
在本实施例中，显示区101包括薄膜晶体管区101a及电容区101b。
参照图1，在显示区101，显示面板100a包括屏障层2、遮光导电层3、缓冲层4、半导体层5、绝缘层6、栅极层7、介电层8、显示金属层10、第二平坦层11b、第二导电层12c、阳极层14、第二像素定义层13b。
屏障层2设于衬底层1上，屏障层2所用的材料包括但不限于SiOX或SiNX或Al2O3等无机材料。
遮光导电层3间隔设置于屏障层2上。其中，遮光导电层3可以通过PVD(PhysicalVapor Deposition，物理气相沉积)工艺制作而成。遮光导电层3的结构包括但不限于钼铝钼的叠层结构(Mo/Al/Mo)、钼钛铜的叠层结构(Mo/Ti/Cu)。遮光导电层3在电容区101b可以充当信号金属走线。
缓冲层4覆盖遮光导电层3，且延伸至屏障层2表面。缓冲层4可以通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)工艺制作而成。缓冲层4所采用的材料包括但不限于SiOX或SiNX或Al2O3等无机材料。
半导体层5设于缓冲层4上，其为IGZO半导体层5，半导体层5可以通过溅射(Sputter)的工艺制作而成。其中，半导体层5在衬底层1上的投影，落入半导体层5在衬底层1上的投影范围内。本实施例中，遮光导电层3在薄膜晶体管区101a遮挡驱动TFT沟道区域(即半导体层5)，用以防止照光后对驱动TFT电性的影响。
绝缘层6设于半导体层5上，且位于薄膜晶体管区101a。绝缘层6所采用的材料包括但不限于SiOX或SiNX或Al2O3等无机材料。
栅极层7设于绝缘层6上，且位于薄膜晶体管区101a，栅极层7可以为扫描信号走线。栅极层7的结构包括但不限于钼铝钼的叠层结构(Mo/Al/Mo)、钼钛铜的叠层结构(Mo/Ti/Cu)。其中，绝缘层6和栅极层7是通过自对准工艺制作而成。
介电层8覆盖栅极层7及半导体层5，且延伸至缓冲层4的上表面。介电层8可以通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)工艺制作而成。介电层8所采用的材料包括但不限于SiOX或SiNX或Al2O3等无机材料。
显示金属层10包括源漏极层1001、金属连接层1002，源漏极层1001通过第一通孔1001a连接至半导体层5，金属连接层1002通过第二通孔1002a连接至遮光导电层3。显示金属层10与弯折金属层9在同一工艺步骤中形成，其所用的材料也与弯折金属层9相同。
进一步地，在薄膜晶体管区101a，半导体层5、源漏极层1001、栅极层7以及金属连接层1002形成一个双栅结构的薄膜晶体管。在同一薄膜晶体管中，栅极层7为薄膜晶体管的前栅结构，用以驱动薄膜晶体管的打开或关闭。金属连接层1002为薄膜晶体管的后栅结构，用以调节薄膜晶体管的阈值电压，用以调节显示面板100a的亮度，以提高显示画面的显示质量。
在电容区101b，金属连接层1002在衬底层1上的投影，落入半导体层5在衬底层1上的投影范围内，以形成两个并联设置存储电容。该存储电容用以为薄膜晶体管充电。
钝化层PV覆盖显示金属层10上，且延伸至介电层8表面。钝化层PV可以通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)工艺制作而成。钝化层PV所采用的材料包括但不限于SiOX或SiNX或Al2O3等无机材料。钝化层PV用以防止后段制程对薄膜晶体管电性的影响。
第二平坦层11b设于钝化层PV上。当显示面板100a为顶发射显示屏时，第二平坦层11b的厚度较厚，对平坦性的要求较高；当显示面板100a为低发射显示屏时，第二平坦层11b的厚度较薄，对平坦性的要求较低。本实施例中，第二平坦层11b与第一平坦层11a在同一工艺步骤中形成，其所用的材质也与第一平坦层11a相同。
第二导电层12c通过第三通孔120c连接至源漏极层1001，且延伸第二平坦层11b表面。第二导电层12c与第一导电层12a在同一工艺步骤中形成，其所用的材质也与第一导电层12a相同。
阳极层14设于第二平坦层11b上。阳极层14可以通过PVD(Physical VaporDeposition，物理气相沉积)工艺制作而成，其结构包括但不限于氧化ITO/Ag/ITO的叠层结构或者单层的ITO结构。
第二像素定义层13b设于阳极层14上，且延伸至第二平坦层11b的上表面，第二像素定义层13b开设有开口130b，用以暴露阳极层14。第二像素定义层13b与第一像素定义层13a在同一工艺步骤中形成，其所用的材质也与第一像素定义层13a相同。
本实施例提供一种显示面板100a，采用有机材料代替现有的无机材料，以使得位于弯折区102的金属走线(弯折金属层9及第一导电层12a)被有机材料包覆，从而降低应力的影响，提高显示面板100a的弯折寿命。
如图2所示，本实施例还提供一种显示面板100a的制备方法，所述显示面板100a定义有显示区101及弯折区102。
本实施例中，显示面板100a的制备方法包括如下步骤S11)-S117)。
S11)形成衬底层1于一玻璃基板300上，且从所述显示区101延伸至所述弯折区102，参照图3。
具体的，衬底层1所用的材质包括但不限于聚酰亚胺、有机材料。
S12)形成屏障层2于所述衬底层1上，且从所述显示区101延伸至所述弯折区102，参照图3。
具体的，在衬底层1上沉积无机材料形成屏障层2，屏障层2所用的材料包括但不限于SiOX或SiNX或Al2O3等无机材料。
S13)形成遮光导电层3于所述屏障层2上，且位于所述显示区101，参照图3。
具体的，通过PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)在屏障层2上制备遮光导电层3。遮光导电层3的结构包括但不限于钼铝钼的叠层结构(Mo/Al/Mo)、钼钛铜的叠层结构(Mo/Ti/Cu)。遮光导电层3在电容区101b可以充当信号金属走线。
S14)形成缓冲层4于所述遮光导电层3上，且从所述显示区101延伸至所述弯折区102，参照图3。
具体的，通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)在屏障层2上沉积无机材料形成缓冲层4。缓冲层4所采用的材料包括但不限于SiOX或SiNX或Al2O3等无机材料。
S15)形成半导体层5于所述缓冲层4上，且位于所述显示区101，参照图3。其中，所述半导体层5在所述衬底层1上的投影，落入所述半导体层5在所述衬底层1上的投影范围内。
具体的，通过溅射(Sputter)的方法在缓冲层4上形成半导体层5。本实施例中，遮光导电层3在薄膜晶体管区101a遮挡驱动TFT沟道区域(即半导体层5)，用以防止照光后对驱动TFT电性的影响。
S16)形成绝缘层6所述半导体层5上，且位于所述显示区101的薄膜晶体管区101a，参照图3。
具体的，通过自对准工艺制作绝缘层6。绝缘层6所采用的材料包括但不限于SiOX或SiNX或Al2O3等无机材料。
S17)形成栅极层7于所述绝缘层6上，且位于所述显示区101的薄膜晶体管区101a，参照图3。
具体的，通过自对准工艺制作栅极层7。栅极层7的结构包括但不限于钼铝钼的叠层结构(Mo/Al/Mo)、钼钛铜的叠层结构(Mo/Ti/Cu)。其中，绝缘层6和栅极层7是通过自对准工艺制作而成。
S18)形成介电层8于所述缓冲层4上，且从所述显示区101延伸至所述弯折区102。
具体的，通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)成介电层8。介电层8所采用的材料包括但不限于SiOX或SiNX或Al2O3等无机材料。
S19)采用光罩200对所述介电层8进行图案化处理，以使位于所述弯折区102的所述介电层8、所述缓冲层4及所述屏障层2被去掉，且位于所述弯折区102的所述衬底层1被暴露；并且采用所述光罩200对所述介电层8进行图案化处理，形成第一通孔1001a和第二通孔1002a。其中，所述第一通孔1001a贯穿至所述半导体层5表面，且位于所述显示区101的薄膜晶体管区101a；所述第二通孔1002a贯穿至所述遮光导电层3表面，且位于所述显示区101的薄膜晶体管区101a及所述电容区101b，参照图1及图4。
本实施例中，光罩200可以为HTM光罩(Half Tone Mask，半透式光罩)、GTM光罩(Gray Tone Mask，灰色调光罩)等。光罩200包括第一透光区201、第二透光区202以及第三透光区203。具体的，透过所述第一透光区201用以对位于所述弯折区102的介电层8进行图案化处理，以使所述衬底层1被暴露；透过所述第二透光区202用以对位于所述显示区101的介电层8进行图案化处理，以形成所述第一通孔1001a；透过所述第三透光区203用以对位于所述显示区101的介电层8进行图案化处理，以形成所述第二通孔1002a。
进一步地，第三透光区203的透光率小于第一透光区201的透光率，第二透光区202的透光率小于第三透光区203的透光率。
需要说明的是，第一透光区201、第二透光区202以及第三透光区203的透过率是根据各膜层的材料、膜厚以及制程工艺决定的。优选地，在本实施例中，第一透光区201的透光率为95-100％，第三透光区203的透光率为70-85％，第二透光区202的透光率为40-65％。
S110)形成显示金属层10、弯折金属层9于所述衬底层1上，显示金属层10位于所述显示区101，弯折金属层9位于所述弯折区102，参照图5。
具体的，弯折金属层9与显示金属层10在同一工艺步骤中形成。显示金属层10包括源漏极层1001、金属连接层1002，源漏极层1001通过第一通孔1001a连接至半导体层5，所述金属连接层1002通过第二通孔1002a连接至所述遮光导电层3。
进一步地，在薄膜晶体管区101a，半导体层5、源漏极层1001、栅极层7以及金属连接层1002形成一个双栅结构的薄膜晶体管。在同一薄膜晶体管中，栅极层7为薄膜晶体管的前栅结构，用以驱动薄膜晶体管的打开或关闭。金属连接层1002为薄膜晶体管的后栅结构，用以调节薄膜晶体管的阈值电压，用以调节显示面板100a的亮度，以提高显示画面的显示质量。
在电容区101b，金属连接层1002在衬底层1上的投影，落入半导体层5在衬底层1上的投影范围内，以形成两个并联设置存储电容。该存储电容用以为薄膜晶体管充电。
S111)形成钝化层PV于所述显示金属层10上，延伸至所述介电层8表面，且位于所述显示区101，参照图6。
具体的，通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)形成钝化层PV。钝化层PV所采用的材料包括但不限于SiOX或SiNX或Al2O3等无机材料。钝化层PV用以防止后段制程对薄膜晶体管电性的影响。
S112)形成第一平坦层11a于所述弯折金属层9及所述衬底层1上，且位于所述弯折区102；形成第二平坦层11b于所述钝化层PV上，且位于所述显示区101，参照图7。
具体的，第一平坦层11a与第二平坦层11b在同一工艺步骤中形成。
当显示面板100a为顶发射显示屏时，第一平坦层11a、第二平坦层11b的厚度较厚，对平坦性的要求较高；当显示面板100a为低发射显示屏时，第一平坦层11a、第二平坦层11b的厚度较薄，对平坦性的要求较低。
S113)对所述第一平坦层11a进行图案化处理形成至少一凹槽110a，用以暴露所述弯折金属层9；对所述第二平坦层11b进行图案化处理形成第三通孔120c，参照图7。
S114)形成第一导电层12a于所述第一平坦层11a上，且延伸至所述凹槽110a的内壁，且位于所述弯折区102；形成第二导电层12c于所述第三通孔120c内，且延伸所述第二平坦层11b表面，参照图7。
具体的，第一导电层12a与第二导电层12c在同一工艺步骤中形成。
S115)形成阳极层14于所述第二平坦层11b上，且位于所述显示区101，参照图8。
具体的，通过PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)形成阳极层14。阳极层14的结构包括但不限于氧化ITO/Ag/ITO的叠层结构或者单层的ITO结构。
S116)形成第一像素定义层13a于所述第一导电层12a上，填充所述凹槽110a对应的位置，且位于所述弯折区102；形成第二像素定义层13b于所述阳极层14上，且延伸至所述第二平坦层11b表面，参照图9。
具体的，第一像素定义层13a与第二像素定义层13b在同一工艺步骤中形成。其中，衬底层1、第一平坦层11a、第一像素定义层13a所用的材质为有机材料。采用有机材料代替现有的无机材料，以使得位于弯折区102的弯折金属层9及第一导电层12a被有机材料包覆，从而降低应力的影响，提高显示面板100a的弯折寿命。
S117)对所述第二像素定义层13b进行图案化处理形成开口130b，所述开口130b用以暴露所述阳极层14，参照图10。
本实施例提供一种显示面板的制备方法，在对所述第二像素定义层13b进行图案化处理之后，还有其他制程，例如发光器件、盖板等工艺制程，在此不一一赘述。
实施例2
本实施例提供一种显示面板及其制备方法，包括实施例1的大部分方案，其区别在于，弯折金属层与显示金属层在同一工艺步骤中形成。
具体的，如图11所示，本实施例提供一种显示面板100b的制备方法，所述显示面板100b定义有显示区101及弯折区102；所述制备方法包括如下步骤S211)-S217)。
S21)形成衬底层1于一玻璃基板300上，且从所述显示区101延伸至所述弯折区102，参照图12。
S22)形成屏障层2于所述衬底层1上，且位于所述显示区101，参照图12。
S23)形成遮光导电层3于所述屏障层2上，且位于所述显示区101；其中，所述遮光导电层3与所述弯折金属层9在同一工艺步骤中形成；形成弯折金属层9于所述衬底层1上，且位于所述弯折区102，参照图12。
S24)形成缓冲层4于所述遮光导电层3，延伸至所述屏障层2表面，且位于所述显示区101，参照图12。
S25)形成半导体层5于所述缓冲层4上，且位于所述显示区101；其中，所述半导体层5在所述衬底层1上的投影，落入所述半导体层5在所述衬底层1上的投影范围内，参照图12。
S26)形成绝缘层6于所述半导体层5上，且位于所述显示区101的薄膜晶体管区101a，参照图12。
S27)形成栅极层7于所述绝缘层6上，且位于所述显示区101的薄膜晶体管区101a，参照图12。
S28)形成介电层8于所述栅极层7及所述半导体层5上，延伸至所述缓冲层4表面，且位于所述显示区101，参照图12。
S29)采用所述光罩对所述介电层8进行图案化处理，形成第一通孔1001a和第二通孔1002a，参照图12。其中，所述第一通孔1001a贯穿至所述半导体层5表面，且位于所述显示区101的薄膜晶体管区101a；所述第二通孔1002a贯穿至所述遮光导电层3表面，且位于所述显示区101的薄膜晶体管区101a及所述电容区101b。
S210)形成显示金属层10于所述衬底层1上，且位于所述显示区101，所述显示金属层10包括源漏极层1001、金属连接层1002，所述源漏极层1001通过第一通孔1001a连接至所述半导体层5，所述金属连接层1002通过第二通孔1002a连接至所述遮光导电层3，参照图12。
S211)形成钝化层PV于所述显示金属层10上，延伸至所述介电层8表面，且位于所述显示区101，参照图12。
S212)形成第一平坦层11a于所述弯折金属层9及所述衬底层1上，且位于所述弯折区102；形成第二平坦层11b于所述钝化层PV上，且位于所述显示区101。其中，所述第一平坦层11a与所述第二平坦层11b在同一工艺步骤中形成。
S213)对所述第一平坦层11a进行图案化处理形成至少一凹槽110a，用以暴露所述弯折金属层9；对所述第二平坦层11b进行图案化处理形成第三通孔120c，参照图12。
S214)形成第一导电层12a于所述第一平坦层11a上且延伸至所述凹槽110a的内壁，且位于所述弯折区102；形成第二导电层12c于所述第三通孔120c内，且延伸所述第二平坦层11b表面，参照图12。其中，所述第一导电层12a与所述第二导电层12c在同一工艺步骤中形成。
S215)形成阳极层14于所述第二平坦层11b上，且位于所述显示区101，参照图12。
S216)形成第一像素定义层13a于所述第一导电层12a上，填充所述凹槽110a对应的位置，且位于所述弯折区102；其中，所述衬底层1、所述第一平坦层11a、所述第一像素定义层13a所用的材质为有机材料。形成第二像素定义层13b于所述阳极层14上，且延伸至所述第二平坦层11b表面，参照图12。其中，所述第一像素定义层13a与所述第二像素定义层13b在同一工艺步骤中形成。
S217)对所述第二像素定义层13b进行图案化处理形成开口130b，所述开口130b用以暴露所述阳极层14，参照图12。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板定义有显示区及弯折区；
在所述弯折区，所述显示面板包括：
衬底层；
弯折金属层，设于所述衬底层上；
第一平坦层，设于所述弯折金属层及所述衬底层上，其中，所述第一平坦层开设有至少一凹槽，用以暴露所述弯折金属层；
第一导电层，设于所述第一平坦层上且延伸至所述凹槽的内壁；以及
第一像素定义层，设于所述第一导电层上，填充所述凹槽对应的位置；
其中，所述衬底层、所述第一平坦层、所述第一像素定义层所用的材质皆为有机材料。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示区包括薄膜晶体管区及电容区；
在所述显示区，所述显示面板包括：
屏障层，设于所述衬底层上；
遮光导电层，间隔设置于所述屏障层上；
缓冲层，覆盖所述遮光导电层，且延伸至所述屏障层表面；
半导体层，设于所述缓冲层上，其中，所述半导体层在所述衬底层上的投影，落入所述半导体层在所述衬底层上的投影范围内；
绝缘层，设于所述半导体层上，且位于所述薄膜晶体管区；
栅极层，设于所述绝缘层上，且位于所述薄膜晶体管区；
介电层，覆盖所述栅极层及所述半导体层，且延伸至所述缓冲层表面；
显示金属层，其包括源漏极层、金属连接层，所述源漏极层通过第一通孔连接至所述半导体层，所述金属连接层通过第二通孔连接至所述遮光导电层；
钝化层，覆盖所述显示金属层上，且延伸至所述介电层表面；
第二平坦层，设于所述钝化层上；
第二导电层，通过第三通孔连接至所述源漏极层，且延伸所述第二平坦层表面；
阳极层，设于所述第二平坦层上；以及
第二像素定义层，设于所述阳极层上，且延伸至所述第二平坦层表面，所述第二像素定义层开设有开口，用以暴露所述阳极层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
在所述电容区，所述金属连接层在所述衬底层上的投影，落入所述半导体层在所述衬底层上的投影范围内，以形成两个并联设置存储电容。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
在所述薄膜晶体管区，在同一薄膜晶体管中，所述栅极层为所述薄膜晶体管的前栅结构，用以驱动所述薄膜晶体管的打开或关闭；所述金属连接层为所述薄膜晶体管的后栅结构，用以调节所述薄膜晶体管的阈值电压。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述弯折金属层与所述遮光导电层在同一工艺步骤中形成；或者，所述弯折金属层与所述显示金属层在同一工艺步骤中形成；
所述第一平坦层与所述第二平坦层在同一工艺步骤中形成；
所述第一导电层与所述第二导电层在同一工艺步骤中形成；
所述第一像素定义层与所述第二像素定义层在同一工艺步骤中形成。
6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板定义有显示区及弯折区；所述制备方法包括如下步骤：
形成衬底层于一玻璃基板上，且从所述显示区延伸至所述弯折区；
形成屏障层于所述衬底层上，且从所述显示区延伸至所述弯折区；
形成缓冲层于所述屏障层上，且从所述显示区延伸至所述弯折区；
形成介电层于所述缓冲层上，且从所述显示区延伸至所述弯折区；
采用光罩对所述介电层进行图案化处理，以使位于所述弯折区的所述介电层、所述缓冲层及所述屏障层被去掉，且位于所述弯折区的所述衬底层被暴露；
形成弯折金属层于所述衬底层上，且位于所述弯折区；
形成第一平坦层于所述弯折金属层及所述衬底层上，且位于所述弯折区；
对所述第一平坦层进行图案化处理形成至少一凹槽，用以暴露所述弯折金属层；
形成第一导电层于所述第一平坦层上且延伸至所述凹槽的内壁，且位于所述弯折区；以及
形成第一像素定义层于所述第一导电层上，填充所述凹槽对应的位置，且位于所述弯折区；其中，所述衬底层、所述第一平坦层、所述第一像素定义层所用的材质为有机材料。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述屏障层的形成步骤之后，所述缓冲层的形成步骤之前，还包括：
形成遮光导电层于所述屏障层上，且位于所述显示区；
在所述缓冲层的形成步骤之后，所述介电层的形成步骤之前，还包括：
形成半导体层于所述缓冲层上，且位于所述显示区；其中，所述半导体层在所述衬底层上的投影，落入所述半导体层在所述衬底层上的投影范围内；
形成绝缘层所述半导体层上，且位于所述显示区的薄膜晶体管区；
形成栅极层于所述绝缘层上，且位于所述显示区的薄膜晶体管区；
在所述介电层进行图案化处理步骤中，还包括：
采用所述光罩对所述介电层进行图案化处理，形成第一通孔和第二通孔；其中，所述第一通孔贯穿至所述半导体层表面，且位于所述显示区的薄膜晶体管区；所述第二通孔贯穿至所述遮光导电层表面，且位于所述显示区的薄膜晶体管区及电容区。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
所述光罩包括第一透光区、第二透光区以及第三透光区，
透过所述第一透光区用以对位于所述弯折区的介电层进行图案化处理，以使所述衬底层被暴露；
透过所述第二透光区用以对位于所述显示区的介电层进行图案化处理，以形成所述第一通孔；
透过所述第三透光区用以对位于所述显示区的介电层进行图案化处理，以形成所述第二通孔；
其中，所述第三透光区的透光率小于所述第一透光区的透光率；
所述第二透光区的透光率小于所述第三透光区的透光率。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述介电层进行图案化处理步骤之后，还包括：
形成显示金属层于所述衬底层上，且位于所述显示区，所述显示金属层包括源漏极层、金属连接层，所述源漏极层通过第一通孔连接至所述半导体层，所述金属连接层通过第二通孔连接至所述遮光导电层；其中，所述弯折金属层与所述显示金属层在同一工艺步骤中形成；
形成钝化层于所述显示金属层上，延伸至所述介电层表面，且位于所述显示区；
形成第二平坦层于所述钝化层上，且位于所述显示区；其中，所述第一平坦层与所述第二平坦层在同一工艺步骤中形成；
对所述第二平坦层进行图案化处理形成第三通孔；
形成第二导电层于所述第三通孔内，且延伸所述第二平坦层表面；其中，所述第一导电层与所述第二导电层在同一工艺步骤中形成；
形成阳极层于所述第二平坦层上，且位于所述显示区；
形成第二像素定义层于所述阳极层上，且延伸至所述第二平坦层表面；其中，所述第一像素定义层与所述第二像素定义层在同一工艺步骤中形成；
对所述第二像素定义层进行图案化处理形成开口，所述开口用以暴露所述阳极层。
10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板定义有显示区及弯折区；所述制备方法包括如下步骤：
形成衬底层于一玻璃基板上，且从所述显示区延伸至所述弯折区；
形成弯折金属层于所述衬底层上，且位于所述弯折区；
形成第一平坦层于所述弯折金属层及所述衬底层上，且位于所述弯折区；
对所述第一平坦层进行图案化处理形成至少一凹槽，用以暴露所述弯折金属层；
形成第一导电层于所述第一平坦层上且延伸至所述凹槽的内壁，且位于所述弯折区；以及
形成第一像素定义层于所述第一导电层上，填充所述凹槽对应的位置，且位于所述弯折区；其中，所述衬底层、所述第一平坦层、所述第一像素定义层所用的材质为有机材料。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述衬底层的形成步骤之后，还包括：
形成屏障层于所述衬底层上，且位于所述显示区；
形成遮光导电层于所述屏障层上，且位于所述显示区；其中，所述遮光导电层与所述弯折金属层在同一工艺步骤中形成；
形成缓冲层于所述遮光导电层，延伸至所述屏障层表面，且位于所述显示区；
形成半导体层于所述缓冲层上，且位于所述显示区；其中，所述半导体层在所述衬底层上的投影，落入所述半导体层在所述衬底层上的投影范围内；
形成绝缘层于所述半导体层上，且位于所述显示区的薄膜晶体管区；
形成栅极层于所述绝缘层上，且位于所述显示区的薄膜晶体管区；
形成介电层于所述栅极层及所述半导体层上，延伸至所述缓冲层表面，且位于所述显示区；
采用所述光罩对所述介电层进行图案化处理，形成第一通孔和第二通孔；其中，所述第一通孔贯穿至所述半导体层表面，且位于所述显示区的薄膜晶体管区；所述第二通孔贯穿至所述遮光导电层表面，且位于所述显示区的薄膜晶体管区及电容区；
形成显示金属层于所述衬底层上，且位于所述显示区，所述显示金属层包括源漏极层、金属连接层，所述源漏极层通过第一通孔连接至所述半导体层，所述金属连接层通过第二通孔连接至所述遮光导电层；
形成钝化层于所述显示金属层上，延伸至所述介电层表面，且位于所述显示区；
形成第二平坦层于所述钝化层上，且位于所述显示区；其中，所述第一平坦层与所述第二平坦层在同一工艺步骤中形成；
对所述第二平坦层进行图案化处理形成第三通孔；
形成第二导电层于所述第三通孔内，且延伸所述第二平坦层表面；其中，所述第一导电层与所述第二导电层在同一工艺步骤中形成；
形成阳极层于所述第二平坦层上，且位于所述显示区；
形成第二像素定义层于所述阳极层上，且延伸至所述第二平坦层表面；其中，所述第一像素定义层与所述第二像素定义层在同一工艺步骤中形成；
对所述第二像素定义层进行图案化处理形成开口，所述开口用以暴露所述阳极层。
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