CN114184969A - 一种电芯可逆自放电容量损失测试方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种电芯可逆自放电容量损失测试方法及装置，该方法包括：获取目标电芯在初始状态的第一最大容量；基于设定电芯容量影响参数对目标电芯进行自放电老化测试，计算目标电芯的总自放电容量损失；计算目标电芯在自放电老化测试后的第二最大容量；基于第一最大容量、第二最大容量及总自放电容量损失，确定目标电芯在设定电芯容量影响参数下的可逆自放电容量损失。从而实现了可逆自放电容量损失的精准计算，从而可以准确的获取电芯在任意温度、任意SOC状态下以及存放任意时间时的可逆自放电容量，为制定更为合理的电池使用管理策略、更准确的预测电池的使用寿命以及更高效的优化电芯制成工艺，提升电芯的一致性提供准确的数据基础。
Description
技术领域
本发明涉及电池技术领域，具体涉及一种电芯可逆自放电容量损失测试方法及装置。
背景技术
锂离子电池无论是在存储还是使用状态下都存在自放电现象。自放电不仅造成电池容量下降，还会造成电芯一致性变差。电池包中含有数十甚至上百只电芯，当每只电芯的容量、SoC状态的一致性变差时，将造成整个电池包容量的快速退化，并最终导致电池包寿命快速终结。造成电芯自放电的原因有很多，如电芯制成工艺中引入的金属异物、电芯使用过程中的锂枝晶、电解质与正负极的副反应等，均会造成自放电现象。从容量退化后的可恢复性来讲，自放电可以分为可逆自放电和不可逆自放电。可逆自放电造成的容量损失被称为可逆容量损失。可逆容量损失受到制成工艺、使用条件等因素影响，具有很强的随机性，因此较难获取。
目前检测电芯自放电的方法有很多种，例如将电芯放电至荷电状态SOC＝0，然后将电芯置于不同环境温度中存储，记录电芯电压值的变化情况以及存储的时间，并通过电压的变化以及存储时间计算电池自放电率等。然而这些方法所获取的自放电容量损失均为总的容量损失，并不能区分可逆自放电和不可逆自放电容量损失。
因此，如何实现可逆自放电造成的可逆容量损失的定量计算，对研究电池一致性退化规律、寿命衰退规律以及改进电芯制成工艺等工作具有重要意义。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种电芯可逆自放电容量损失测试方法及装置，以克服现有技术中缺乏实现可逆自放电造成的可逆容量损失的定量计算方法的问题。
本发明实施例提供了一种电芯可逆自放电容量损失测试方法，包括：
获取目标电芯在初始状态的第一最大容量；
基于设定电芯容量影响参数对所述目标电芯进行自放电老化测试，计算所述目标电芯的总自放电容量损失；
计算所述目标电芯在自放电老化测试后的第二最大容量；
基于所述第一最大容量、所述第二最大容量及所述总自放电容量损失，确定所述目标电芯在设定电芯容量影响参数下的可逆自放电容量损失。
可选地，所述获取目标电芯在初始状态的第一最大容量，包括：
对所述目标电芯在初始状态下进行充放电测试，确定所述目标电芯在初始状态下的放电电动势曲线；
基于所述目标电芯的充电截止电压及所述目标电芯在初始状态下的放电电动势曲线，计算所述目标电芯在初始状态的第一最大容量。
可选地，所述设定电芯容量影响参数，包括：荷电状态、温度和恒压充电时间，所述基于设定电芯容量影响参数对所述目标电芯进行自放电老化测试，计算所述目标电芯的总自放电容量损失，包括：
在所述目标温度下将所述目标电芯恒流放电至放电截止电压；
对所述目标电芯进行恒流充电至目标荷电状态后转为恒压充电；
在恒压充电达到目标恒压充电时间后，记录总的充电容量；
将所述目标电芯再次恒流放电至放电截止电压，记录放电容量；
基于所述总的充电容量和所述放电容量，计算所述目标电芯的总自放电容量损失。
可选地，所述计算所述目标电芯在自放电老化测试后的第二最大容量，包括：
对自放电老化测试后的所述目标电芯进行充放电测试，确定所述目标电芯在自放电老化测试后的放电电动势曲线；
基于所述目标电芯的充电截止电压及所述目标电芯在自放电老化测试后的放电电动势曲线，计算所述目标电芯在自放电老化测试后的第二最大容量。
可选地，所述基于所述第一最大容量、所述第二最大容量及所述总自放电容量损失，确定所述目标电芯在设定电芯容量影响参数下的可逆自放电容量损失，包括：
基于所述第一最大容量和所述第二最大容量，计算所述目标电芯的不可逆自放电容量损失；
基于所述总自放电容量损失和所述不可逆自放电容量损失，计算所述可逆自放电容量损失。
可选地，所述初始状态包括：初始温度，所述对所述目标电芯在初始状态下进行充放电测试，确定所述目标电芯在初始状态下的放电电动势曲线，包括：
在所述初始温度下，将所述目标电芯充电至充电截止电压；
分别对所述目标电芯进行不同放电电流的充放电测试，得到所述目标电芯在不同放电电流下对应的放电电压曲线；
基于所述目标电芯在不同放电电流下对应的放电电压曲线，计算所述目标电芯在初始状态下的放电电动势曲线。
可选地，所述对自放电老化测试后的所述目标电芯进行充放电测试，确定所述目标电芯在自放电老化测试后的放电电动势曲线，包括：
在所述初始温度下，将自放电老化测试后的目标电芯充电至充电截止电压；
分别对自放电老化测试后的目标电芯进行不同放电电流的充放电测试，得到老化后的目标电芯在不同放电电流下对应的放电电压曲线；
基于老化后的目标电芯在不同放电电流下对应的放电电压曲线，计算所述目标电芯在自放电老化测试后的放电电动势曲线。
本发明实施例还提供了一种电芯可逆自放电容量损失测试装置，包括：
获取模块，用于获取目标电芯在初始状态的第一最大容量；
第一处理模块，用于基于设定电芯容量影响参数对所述目标电芯进行自放电老化测试，计算所述目标电芯的总自放电容量损失；
第二处理模块，用于计算所述目标电芯在自放电老化测试后的第二最大容量；
第三处理模块，用于基于所述第一最大容量、所述第二最大容量及所述总自放电容量损失，确定所述目标电芯在设定电芯容量影响参数下的可逆自放电容量损失。
本发明实施例还提供了一种电子设备，包括：存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行本发明实施例提供的方法。
本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储计算机指令，所述计算机指令用于使所述计算机执行本发明实施例提供的方法。
本发明技术方案，具有如下优点：
本发明实施例提供了一种电芯可逆自放电容量损失测试方法及装置，通过获取目标电芯在初始状态的第一最大容量；基于设定电芯容量影响参数对目标电芯进行自放电老化测试，计算目标电芯的总自放电容量损失；计算目标电芯在自放电老化测试后的第二最大容量；基于第一最大容量、第二最大容量及总自放电容量损失，确定目标电芯在设定电芯容量影响参数下的可逆自放电容量损失。从而通过对电芯进行自放电测试的方式得到电芯的总自放电容量，然后测试电芯在不同老化状态下的最大容量，得到电芯不可逆自放电容量损失，进而计算得到可逆自放电容量损失，实现了可逆自放电容量损失的精准计算，从而可以准确的获取电芯在任意温度、任意SOC状态下以及存放任意时间时的可逆自放电容量，为制定更为合理的电池使用管理策略、更准确的预测电池的使用寿命以及更高效的优化电芯制成工艺，提升电芯的一致性提供准确的数据基础。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中的电芯可逆自放电容量损失测试方法的流程图；
图2为本发明实施例中自放电老化测试的示意图；
图3为本发明实施例中电芯可逆自放电容量损失测试的具体工作过程示意图；
图4为本发明实施例中的电芯可逆自放电容量损失测试装置的结构示意图；
图5为本发明实施例中的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
目前检测电芯自放电的方法有很多种，例如将电芯放电至荷电状态即SOC＝0，然后将电芯置于不同环境温度中存储，记录电芯电压值的变化情况以及存储的时间，并通过电压的变化以及存储时间计算电池自放电率等。然而这些方法所获取的自放电容量损失均为总的容量损失，并不能区分可逆自放电和不可逆自放电容量损失。因此，如何实现可逆自放电造成的可逆容量损失的定量计算，对研究电池一致性退化规律、寿命衰退规律以及改进电芯制成工艺等工作具有重要意义。
基于上述问题，本发明实施例提供了一种电芯可逆自放电容量损失测试方法，如图1所示，该电芯可逆自放电容量损失测试方法具体包括如下步骤：
步骤S101：获取目标电芯在初始状态的第一最大容量。
其中，初始状态包括：初始温度，在本发明实施例中，是以初始温度为环境温度T为例进行的说明，在实际应用中，该初始温度可以根据电芯测试需求进行灵活的设置，本发明并不以此为限。
步骤S102：基于设定电芯容量影响参数对目标电芯进行自放电老化测试，计算目标电芯的总自放电容量损失。
其中，设定电芯容量影响参数，包括：荷电状态、温度和恒压充电时间。具体地，电芯容量影响参数的具体取值可以根据电芯可逆自放电容量损失测试需求进行灵活的设置，如需要测试电芯在环境温度T下、荷电状态为SOC、恒压充电时间为N即电芯放置的老化时间下电芯的可逆自放电容量损失等。
步骤S103：计算目标电芯在自放电老化测试后的第二最大容量。
在实际应用中，当电芯放置一段时间后由于不可逆自放容量损失的影响会导致电芯的最大容量减小，因此可以通过计算电芯在自放电老化测试后的最大容量来计算电芯的不可逆自放电容量损失。
步骤S104：基于第一最大容量、第二最大容量及总自放电容量损失，确定目标电芯在设定电芯容量影响参数下的可逆自放电容量损失。
具体地，通过电芯在自放电老化测试前后的最大容量来计算电芯的不可逆自放电容量损失，进而结合总自放电容量损失可近精确计算出目标电芯在设定电芯容量影响参数下的可逆自放电容量损失。
通过执行上述步骤，本发明实施例提供的电芯可逆自放电容量损失测试方法，通过对电芯进行自放电测试的方式得到电芯的总自放电容量，然后测试电芯在不同老化状态下的最大容量，得到电芯不可逆自放电容量损失，进而计算得到可逆自放电容量损失，实现了可逆自放电容量损失的精准计算，从而可以准确的获取电芯在任意温度、任意SOC状态下以及存放任意时间时的可逆自放电容量，为制定更为合理的电池使用管理策略、更准确的预测电池的使用寿命以及更高效的优化电芯制成工艺，提升电芯的一致性提供准确的数据基础。
具体地，在一实施例中，上述的步骤S101具体包括如下步骤：
步骤S201：对目标电芯在初始状态下进行充放电测试，确定目标电芯在初始状态下的放电电动势曲线。
具体地，上述步骤S201通过在初始温度下，将目标电芯充电至充电截止电压；分别对目标电芯进行不同放电电流的充放电测试，得到目标电芯在不同放电电流下对应的放电电压曲线；基于目标电芯在不同放电电流下对应的放电电压曲线，计算目标电芯在初始状态下的放电电动势曲线。
示例性地，在环境温度T下，电芯以1/3C恒流充电至充电截止电压，转恒压充电至电流将为0.05C；静置0.5小时后进行0.1C恒流放电至放电截止电压；重复上述过程，将放电电流依次改为0.2C，0.3C，0.5C。获取不同倍率下的放电电压曲线后，通过回归算法计算放电电流恒等于0时的电压曲线，此时的电压曲线即为电芯在初始状态下的放电电动势曲线即EMF。
步骤S202：基于目标电芯的充电截止电压及目标电芯在初始状态下的放电电动势曲线，计算目标电芯在初始状态的第一最大容量。
具体地，在EMF曲线上充电截止电压所对应的容量即为目标电芯在初始状态的第一最大容量。
具体地，在一实施例中，上述的步骤S102具体包括如下步骤：
在目标温度下将目标电芯恒流放电至放电截止电压；对目标电芯进行恒流充电至目标荷电状态后转为恒压充电；在恒压充电达到目标恒压充电时间后，记录总的充电容量；将目标电芯再次恒流放电至放电截止电压，记录放电容量；基于总的充电容量和放电容量，计算目标电芯的总自放电容量损失。
其中，目标温度、目标荷电状态及目标恒压充电时间可根据电芯可逆自放电容量测试需求进行灵活的设置，本发明并不以此为限。
示例性地，如图2所示，在环境温度T下，将电芯以1/3C恒流放电至截止电压，静置5分钟后，恒流充电至任意SoC(xi)状态，然后转恒压充电，恒压充电N天(N>30天)，记录总的充电容量，恒压充电时，充电电流会越来越小，电池也越来越接***衡态。若电池内部没有自放电过程，恒压充电的电流将降至0；若电池内部有自放电过程，恒压充电时电流则大于0，此充电电流用以弥补因自放电造成的电压下降。恒压充电N天后，以1/3C恒流放电至截止电压，记录放电容量。
目标电芯的总自放电容量损失通过如下公式(1)计算：
ΔQt＝Qoh-Qd (1)
其中，ΔQt表示总自放电容量损失，Qch表示总的充电容量，Qd表示放电容量。
从而通过自放电老化测试计算目标电芯的总自放电容量损失，为后续计算目标电芯的可逆自放电容量损失提供了准确的数据基础，进一步提高了最终可逆自放电容量损失计算结果的准确性。
具体地，在一实施例中，上述的步骤S103具体包括如下步骤：
步骤S401：对自放电老化测试后的目标电芯进行充放电测试，确定目标电芯在自放电老化测试后的放电电动势曲线。
具体地，上述步骤S401通过在初始温度下，将自放电老化测试后的目标电芯充电至充电截止电压；分别对自放电老化测试后的目标电芯进行不同放电电流的充放电测试，得到老化后的目标电芯在不同放电电流下对应的放电电压曲线；基于老化后的目标电芯在不同放电电流下对应的放电电压曲线，计算目标电芯在自放电老化测试后的放电电动势曲线。
示例性地，在环境温度T下，将自放电老化测试后的电芯以1/3C恒流充电至充电截止电压，转恒压充电至电流将为0.05C；静置0.5小时后进行0.1C恒流放电至放电截止电压；重复上述过程，将放电电流依次改为0.2C，0.3C，0.5C。获取不同倍率下的放电电压曲线后，通过回归算法计算放电电流恒等于0时的电压曲线，此时的电压曲线即为自放电老化测试后目标电芯的放电电动势曲线。具体过程与目标电芯在初始状态下的放电电动势曲线的原理相同，在此不再进行赘述。
步骤S402：基于目标电芯的充电截止电压及目标电芯在自放电老化测试后的放电电动势曲线，计算目标电芯在自放电老化测试后的第二最大容量。
具体地，在自放电老化测试后的电芯的放电电动势曲线上充电截止电压所对应的容量即为目标电芯在自放电老化测试后的第二最大容量。
具体地，在一实施例中，上述的步骤S104具体包括如下步骤：
步骤S501：基于第一最大容量和第二最大容量，计算目标电芯的不可逆自放电容量损失。
具体地，通过如下公式(2)计算目标电芯的不可逆自放电容量损失：
其中，ΔQir表示不可逆自放电容量损失，
表示第一最大容量，
表示第二最大容量。
步骤S502：基于总自放电容量损失和不可逆自放电容量损失，计算可逆自放电容量损失。
具体地，通过如下公式(3)计算目标电芯的可逆自放电容量损失：
ΔQre＝ΔQt-ΔQir (3)
其中，ΔQre表示可逆自放电容量损失，ΔQt表示总自放电容量损失，ΔQir表示不可逆自放电容量损失。
由于EMF曲线是电池处于平衡态时(此时电流等于0)的电压曲线，因此从EMF曲线计算得到的容量可以认为是电芯真实的容量，也是电芯能够释放的最大容量。通过初始状态的最大容量和自放电老化测试后的最大容量可以计算得到电池不可逆自放电容量。
在本发明实施例中，在上述自放电老化测试中，选择在不同的SoC状态下进行恒压充电，可以得到电芯在不同SoC下的自放电容量；调整恒压充电的时间，可以得到电芯在不同时间下的自放电容量；选择不同的测试温度，还可以得到电芯在不同温度下的自放电容量。如图3所示，结合本发明实施提供的电芯可逆自放电容量损失测试方法，可以分别在上述条件下获得相应的可逆自放电容量。大大提高了芯可逆自放电容量损失测试的灵活性，进一步为制定更为合理的电池使用管理策略、更准确的预测电池的使用寿命以及更高效的优化电芯制成工艺，提升电芯的一致性提供准确的数据基础。
通过执行上述步骤，本发明实施例提供的电芯可逆自放电容量损失测试方法，通过对电芯进行自放电测试的方式得到电芯的总自放电容量，然后测试电芯在不同老化状态下的最大容量，得到电芯不可逆自放电容量损失，进而计算得到可逆自放电容量损失，实现了可逆自放电容量损失的精准计算，从而可以准确的获取电芯在任意温度、任意SOC状态下以及存放任意时间时的可逆自放电容量，为制定更为合理的电池使用管理策略、更准确的预测电池的使用寿命以及更高效的优化电芯制成工艺，提升电芯的一致性提供准确的数据基础。
本发明实施例还提供了一种电芯可逆自放电容量损失测试装置，如图4所示，该电芯可逆自放电容量损失测试装置包括：
获取模块101，用于获取目标电芯在初始状态的第一最大容量。详细内容参见上述方法实施例中步骤S101的相关描述，在此不再进行赘述。
第一处理模块102，用于基于设定电芯容量影响参数对目标电芯进行自放电老化测试，计算目标电芯的总自放电容量损失。详细内容参见上述方法实施例中步骤S102的相关描述，在此不再进行赘述。
第二处理模块103，用于计算目标电芯在自放电老化测试后的第二最大容量。详细内容参见上述方法实施例中步骤S103的相关描述，在此不再进行赘述。
第三处理模块104，用于基于第一最大容量、第二最大容量及总自放电容量损失，确定目标电芯在设定电芯容量影响参数下的可逆自放电容量损失。详细内容参见上述方法实施例中步骤S104的相关描述，在此不再进行赘述。
通过上述各个组成部分的协同合作，本发明实施例提供的电芯可逆自放电容量损失测试装置，通过对电芯进行自放电测试的方式得到电芯的总自放电容量，然后测试电芯在不同老化状态下的最大容量，得到电芯不可逆自放电容量损失，进而计算得到可逆自放电容量损失，实现了可逆自放电容量损失的精准计算，从而可以准确的获取电芯在任意温度、任意SOC状态下以及存放任意时间时的可逆自放电容量，为制定更为合理的电池使用管理策略、更准确的预测电池的使用寿命以及更高效的优化电芯制成工艺，提升电芯的一致性提供准确的数据基础。
上述各个模块的更进一步的功能描述与上述对应方法实施例相同，在此不再赘述。
根据本发明实施例还提供了一种电子设备，如图5所示，该电子设备可以包括处理器901和存储器902，其中处理器901和存储器902可以通过总线或者其他方式连接，图5中以通过总线连接为例。
处理器901可以为中央处理器(Central Processing Unit，CPU)。处理器901还可以为其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等芯片，或者上述各类芯片的组合。
存储器902作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序、非暂态计算机可执行程序以及模块，如本发明方法实施例中的方法所对应的程序指令/模块。处理器901通过运行存储在存储器902中的非暂态软件程序、指令以及模块，从而执行处理器的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例中的方法。
存储器902可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作装置、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储处理器901所创建的数据等。此外，存储器902可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施例中，存储器902可选包括相对于处理器901远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至处理器901。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
一个或者多个模块存储在存储器902中，当被处理器901执行时，执行上述方法实施例中的方法。
上述电子设备具体细节可以对应参阅上述方法实施例中对应的相关描述和效果进行理解，此处不再赘述。
本领域技术人员可以理解，实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)、随机存储记忆体(Random Access Memory，RAM)、快闪存储器(Flash Memory)、硬盘(Hard Disk Drive，缩写：HDD)或固态硬盘(Solid-StateDrive，SSD)等；存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。
虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。
Claims (10)
1.一种电芯可逆自放电容量损失测试方法，其特征在于，包括：
获取目标电芯在初始状态的第一最大容量；
基于设定电芯容量影响参数对所述目标电芯进行自放电老化测试，计算所述目标电芯的总自放电容量损失；
计算所述目标电芯在自放电老化测试后的第二最大容量；
基于所述第一最大容量、所述第二最大容量及所述总自放电容量损失，确定所述目标电芯在设定电芯容量影响参数下的可逆自放电容量损失。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取目标电芯在初始状态的第一最大容量，包括：
对所述目标电芯在初始状态下进行充放电测试，确定所述目标电芯在初始状态下的放电电动势曲线；
基于所述目标电芯的充电截止电压及所述目标电芯在初始状态下的放电电动势曲线，计算所述目标电芯在初始状态的第一最大容量。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定电芯容量影响参数，包括：荷电状态、温度和恒压充电时间，所述基于设定电芯容量影响参数对所述目标电芯进行自放电老化测试，计算所述目标电芯的总自放电容量损失，包括：
在所述目标温度下将所述目标电芯恒流放电至放电截止电压；
对所述目标电芯进行恒流充电至目标荷电状态后转为恒压充电；
在恒压充电达到目标恒压充电时间后，记录总的充电容量；
将所述目标电芯再次恒流放电至放电截止电压，记录放电容量；
基于所述总的充电容量和所述放电容量，计算所述目标电芯的总自放电容量损失。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述计算所述目标电芯在自放电老化测试后的第二最大容量，包括：
对自放电老化测试后的所述目标电芯进行充放电测试，确定所述目标电芯在自放电老化测试后的放电电动势曲线；
基于所述目标电芯的充电截止电压及所述目标电芯在自放电老化测试后的放电电动势曲线，计算所述目标电芯在自放电老化测试后的第二最大容量。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一最大容量、所述第二最大容量及所述总自放电容量损失，确定所述目标电芯在设定电芯容量影响参数下的可逆自放电容量损失，包括：
基于所述第一最大容量和所述第二最大容量，计算所述目标电芯的不可逆自放电容量损失；
基于所述总自放电容量损失和所述不可逆自放电容量损失，计算所述可逆自放电容量损失。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述初始状态包括：初始温度，所述对所述目标电芯在初始状态下进行充放电测试，确定所述目标电芯在初始状态下的放电电动势曲线，包括：
在所述初始温度下，将所述目标电芯充电至充电截止电压；
分别对所述目标电芯进行不同放电电流的充放电测试，得到所述目标电芯在不同放电电流下对应的放电电压曲线；
基于所述目标电芯在不同放电电流下对应的放电电压曲线，计算所述目标电芯在初始状态下的放电电动势曲线。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对自放电老化测试后的所述目标电芯进行充放电测试，确定所述目标电芯在自放电老化测试后的放电电动势曲线，包括：
在所述初始温度下，将自放电老化测试后的目标电芯充电至充电截止电压；
分别对自放电老化测试后的目标电芯进行不同放电电流的充放电测试，得到老化后的目标电芯在不同放电电流下对应的放电电压曲线；
基于老化后的目标电芯在不同放电电流下对应的放电电压曲线，计算所述目标电芯在自放电老化测试后的放电电动势曲线。
8.一种电芯可逆自放电容量损失测试装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取目标电芯在初始状态的第一最大容量；
第一处理模块，用于基于设定电芯容量影响参数对所述目标电芯进行自放电老化测试，计算所述目标电芯的总自放电容量损失；
第二处理模块，用于计算所述目标电芯在自放电老化测试后的第二最大容量；
第三处理模块，用于基于所述第一最大容量、所述第二最大容量及所述总自放电容量损失，确定所述目标电芯在设定电芯容量影响参数下的可逆自放电容量损失。
9.一种电子设备，其特征在于，包括：
存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行权利要求1-7任一项所述方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使计算机执行权利要求1-7任一项所述的方法。
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