CN114115605B - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板及显示装置，显示面板包括：阵列基板；第一电极层，位于阵列基板的一侧；挡墙结构，位于第一电极层远离阵列基板的一侧；发光元件，位于第一电极层远离阵列基板的一侧，且位于非挡墙区域；第一电极层包括连接电极部和第一触控部，发光元件与连接电极部电连接；第一触控部在阵列基板上的正投影与挡墙结构在阵列基板上的正投影交叠；第二电极层，位于挡墙结构远离阵列基板的一侧；第二电极层包括多个第二触控部；部分第二触控部与第一触控部在挡墙结构上的正投影交叠，且通过挡墙结构上的导电过孔电连接。本发明实施例的技术方案可以在保证集成显示和触控功能的同时，降低显示面板的厚度，提高显示面板的集成度。

Description

一种显示面板及显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

在显示技术领域，无论是设计者还是使用者，一直致力于追求显示面板的薄型化。

但是，随着显示装置功能的多样化发展，显示面板的膜层越来越多，例如，集成触控功能的显示面板需要设置触控功能层，而触控功能层通常不止于一层导电膜层(如金属层)，导致显示面板的薄型化设计难度增大。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，以在保证集成显示和触控功能的同时，降低显示面板的厚度，提高显示面板的集成度。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：

阵列基板；

第一电极层，位于阵列基板的一侧；

挡墙结构，部分位于第一电极层远离阵列基板的一侧；

发光元件，位于第一电极层远离阵列基板的一侧，且位于非挡墙区域；第一电极层包括连接电极部和第一触控部，发光元件与连接电极部电连接；第一触控部在阵列基板上的正投影与挡墙结构在阵列基板上的正投影交叠；

第二电极层，位于挡墙结构远离阵列基板的一侧；第二电极层包括多个第二触控部；部分第二触控部与第一触控部在挡墙结构上的正投影交叠，且通过挡墙结构上的导电过孔电连接。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第一方面提供的显示面板。

本发明实施例提供的显示面板，通过设置第一电极层包括与挡墙结构正投影交叠的第一触控部，挡墙结构远离阵列基板的一侧形成有第二触控部，使部分第二触控部与第一触控部在挡墙结构上的正投影交叠，并通过挡墙结构上的导电过孔电连接，可以将第一触控部复用为触控功能层中的部分导电结构，利用第二触控部形成触控功能层中的其余导电结构，利用挡墙结构作为第一触控部和第二触控部之间的介质层，使第一触控部与第二触控部配合实现触控功能，有利于降低显示面板的厚度，实现显示面板的薄型化设计；此外，由于第一触控部和第二触控部设置于挡墙结构的相对两侧，实现了发光元件以外空余空间的充分利用，有利于提高显示面板的空间利用率，实现显示面板的高集成度设置。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；

图2是本发明实施例提供的显示面板中一种触控电极的结构示意图；

图3是图2中A区域的一种放大结构示意图；

图4是图2中A区域的另一种放大结构示意图；

图5是图2中A区域的又一种放大结构示意图；

图6是图2中A区域的再一种放大结构示意图；

图7是本发明实施例提供的显示面板的局部俯视示意图；

图8是本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；

图9是图2中A区域的再一种放大结构示意图；

图10是本发明实施例提供的显示面板中另一种触控电极的结构示意图；

图11是图10中B区域的一种放大结构示意图；

图12是图10中B区域的另一种放大结构示意图；

图13是图10中B区域的又一种放大结构示意图；

图14是图10中B区域的再一种放大结构示意图；

图15是图10中B区域的再一种放大结构示意图；

图16是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构，且附图中各元件的形状和大小不反映其真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图，参见图1，显示面板100包括阵列基板1、第一电极层2、挡墙结构3、发光元件4以及第二电极层5。其中，第一电极层2位于阵列基板1的一侧；挡墙结构3部分位于第一电极层2远离阵列基板1的一侧；发光元件4位于第一电极层2远离阵列基板1的一侧，且位于非挡墙区域；第一电极层2包括连接电极部21和第一触控部22，发光元件4与连接电极部21电连接；第一触控部22在阵列基板1上的正投影与挡墙结构3在阵列基板1上的正投影交叠；第二电极层5位于挡墙结构3远离阵列基板1的一侧；第二电极层5包括多个第二触控部51；部分第二触控部51与第一触控部22在挡墙结构3上的正投影交叠，且通过挡墙结构3上的导电过孔321电连接。

其中，阵列基板1中可以设置用于驱动发光元件4发光的像素电路，用于为像素电路提供扫描信号的栅极驱动电路，以及静电防护电路、多路选择电路等具有各种功能的电路结构，本发明实施例对阵列基板1的具体结构不作限定，本领域技术人员可以根据实际需求进行设置。

本实施例中，可选发光元件4为微型发光二极管，微型发光二极管可以通过巨量转移技术转运至阵列基板1上，通过第一电极层2中的连接电极部21与像素电路电连接。其中，第一电极层2例如可以是共晶层或者导电胶，通过刻蚀处理可以形成连接电极部21，该连接电极部21与像素电路电连接，将微型二极管与连接电极部21键合后，即可实现微型发光二极管与像素电路电连接，实现发光状态的控制。

本实施例中，阵列基板1上还设置有挡墙结构3，如图1所示，挡墙结构3位于阵列基板1和盖板7之间，可以起到支撑作用，保证显示面板的结构稳定性。进一步的，本实施例中，发光元件4位于非挡墙区域，换而言之，发光元件4及其对应的连接电极部21位于阵列基板1上未设置挡墙结构3的区域。如此，还可以通过挡墙结构3避免发光元件4的出射光束相互串扰，保证显示面板的显示效果。

进一步的，如图1所示，本实施例中，第一电极层2还包括第一触控部22，第一触控部22在阵列基板1上的正投影与挡墙结构3在阵列基板1上的正投影交叠；挡墙结构3远离阵列基板1的一侧还设置有第二电极层5，第二电极层5包括多个第二触控部51，部分第二触控部51与第一触控部22在挡墙结构3上的正投影交叠，且通过挡墙结构3上的导电过孔321电连接。

其中，第一触控部22可以与连接电极部21在同一刻蚀工艺中形成。其中，第二触控部51可以通过刻蚀处理第二电极层5得到，各个第二触控部51的形状可以相同，可以不同，本实施例对此不作特殊限定。其中，导电过孔321为沿厚度方向贯穿挡墙结构3，并且内部填充有第二电极层5相同导电材料的过孔，该导电过孔321将挡墙结构3沿厚度方向相对两侧的第二触控部51和第一触控部22电连接。

采用上述方案，可以将第一触控部22复用为触控功能层中的部分导电结构，利用第二电极层5(第二触控部51)形成触控功能层中的其余导电结构，利用挡墙结构3作为第一触控部22和第二触控部51之间的介质层，使第一触控部22与第二触控部51配合实现触控功能。示例性的，第一触控部22可以复用为跨桥结构，第二触控部51可以用于形成触控电极，存在相邻触控电极通过导电过孔321与第一触控部22实现电连接，以实现互容式触控方案。当然，第一触控部22还可以复用为其他触控结构，例如用于传输触控信号的走线，后续结合具体触控方案对此做详细说明。

相比于将触控功能层设置于显示面板出光侧，使触控功能层与显示层叠层设置的方案而言，由于本发明实施例的方案复用部分第一电极层2(即第一触控部22)和挡墙结构3作为触控功能层中的部分膜层，因而有利于降低显示面板的厚度，实现显示面板的薄型化设计；此外，本发明实施例将触控功能层中的导电结构设置于挡墙结构3的相对两侧，实现了发光元件4以外空余空间(即挡墙区域)的充分利用，有利于提高显示面板的空间利用率，实现显示面板的高集成度设置。

本发明实施例提供的显示面板，通过设置第一电极层包括与挡墙结构正投影交叠的第一触控部，挡墙结构远离阵列基板的一侧形成有第二触控部，使部分第二触控部与第一触控部在挡墙结构上的正投影交叠，并通过挡墙结构上的导电过孔电连接，可以将第一触控部复用为触控功能层中的部分导电结构，利用第二触控部形成触控功能层中的其余导电结构，利用挡墙结构作为第一触控部和第二触控部之间的介质层，使第一触控部与第二触控部配合实现触控功能，有利于降低显示面板的厚度，实现显示面板的薄型化设计；此外，由于第一触控部和第二触控部设置于挡墙结构的相对两侧，实现了发光元件以外空余空间的充分利用，有利于提高显示面板的空间利用率，实现显示面板的高集成度设置。

在上述实施例的基础上，下面结合不同的触控方案，对本发明实施例的技术方案做进一步详细说明。

具体的，触控技术中，触控功能层的设计可以采用互容式触控方案或自容式触控方案。下面，首先以互容式触控方案为例，进一步详细介绍本发明实施例的技术方案。

在互容式触控方案中，图2是本发明实施例提供的显示面板中一种触控电极的结构示意图，参见图2，可选显示面板包括触控跨桥(如第一触控跨桥612和第二触控跨桥622)，触控跨桥复用第一触控部22。

图3是图2中A区域的一种放大结构示意图，参见图2和图3，可选的，显示面板包括触控发射电极61和触控接收电极62；触控发射电极61沿第一方向x延伸且沿第二方向y排列，触控接收电极62沿第二方向y延伸且沿第一方向x排列；第一方向x和第二方向y相交且均平行于阵列基板1所在平面；触控发射电极61包括多个触控发射电极块611，相邻触控发射电极块611通过第一触控跨桥612电连接；触控接收电极62包括多个触控接收电极块621，相邻触控接收电极块621通过第二触控跨桥622电连接；第一触控跨桥612在阵列基板1上的正投影与第二触控跨桥622在阵列基板1上的正投影交叠；触控发射电极块611与触控接收电极块621均包括至少一个第二触控部51；第一触控跨桥612和第二触控跨桥622中的一者复用第一触控部22，另一者至少部分与第二触控部51同层设置。

如图3所示，本实施例中，触控发射电极块611与触控接收电极块621同层设置，均位于第二电极层5，触控发射电极块611包括一个第二触控部51，触控接收电极块621包括一个第二触控部51，此时，触控发射电极块611和触控接收电极块621中的第二触控部51的形状均整体呈现网格状。

进一步地，由于相邻触控发射电极块611之间的第一触控跨桥612与相邻触控接收电极块621之间的第二触控跨桥622具有交叠部分，因此，至少需要第一触控跨桥612和第二触控跨桥622中的交叠部分异层设置，可选第一触控跨桥612和第二触控跨桥622中的一者复用第一触控部22，另一者至少部分与第二触控部51同层设置。

示例性的，图3以第一触控跨桥612复用第一触控部22，第二触控跨桥622与第二触控部51同层设置为例进行示意。具体的，用于形成触控发射电极块611的第二触控部51通过挡墙结构3中的导电过孔321(图中实心圆表示导电过孔)与第一触控部22电连接，以将第一触控部22复用为第一触控跨桥。当第二触控跨桥622与第二触控部51同层设置时，第二触控跨桥622可以与相邻两个触控接收电极块621一体成型，以简化工艺步骤。

本实施例通过将第一触控部22复用为触控跨桥(第一触控跨桥612或第二触控跨桥622)，利用第二触控部51形成触控电极块(触控发射电极块611或触控接收电极块621)，通过第一触控部22实现相邻两个触控电极块电连接，有利于降低显示面板的厚度，实现显示面板的薄型化设计。

需要说明的是，图3所示结构仅为示例，并非限定。在其他实施例中，参见图4，图4是图2中A区域的另一种放大结构示意图，可选第二触控跨桥622的局部与第二触控部51同层设置，其余部分则复用第一触控部22，只要保证第一触控跨桥612和第二触控跨桥622投影交叠部分异层设置即可。另外，在其他实施例中，可选第二触控跨桥622复用第一触控部22，第一触控跨桥612的至少部分与第二触控部51同层设置。

继续参见图4，可选一个触控电极块包括多个第二触控部51，同一触控电极块中，相邻第二触控部51通过触控连接部601电连接，触控连接部601复用第一触控部22。

在互容式触控方案相关实施例中，“触控电极块”均指触控发射电极块611和触控接收电极块621。如图4所示，触控发射电极块611包括多个第二触控部51，同一触控发射电极块611中，相邻第二触控部51通过挡墙结构3中的导电过孔321与第一触控部22电连接，同样地，触控接收电极块621包括多个第二触控部51，同一触控接收电极块621中，相邻第二触控部51通过挡墙结构3中的导电过孔321与第一触控部22电连接。此时，除了复用为触控跨桥以外，第一触控部22还可以复用为触控电极块中用于连接相邻第二触控部51的触控连接部601。

进一步地，图5是图2中A区域的又一种放大结构示意图，参见图5，可选多个第二触控部51包括多个第二触控主体部511和多个第二触控虚拟部512，第二触控虚拟部512位于第二触控主体部511的设置区域以外的挡墙区域，且与第二触控主体部511绝缘设置。其中，第二触控主体部511至少用于形成触控电极块(如触控发射电极块611和触控接收电极块621)，即一个触控电极块包括至少一个第二触控主体部511；第二触控虚拟部512则用于形成虚拟电极，即一个触控电极包括至少一个第二触控虚拟部512。

其中，各个第二触控主体部511可根据实际情况设置是否与第一触控部22通过挡墙结构3中的导电过孔321电连接，各个第二触控虚拟部512与第一触控部22在挡墙结构3上的正投影不交叠，且与第一触控部22之间没有电连接关系。

可以理解的，环境光进入显示面板后，会被第二触控部51反射，并再次射出显示面板，若仅在局部设置第二触控部51，人眼则容易察觉出差异，导致触控电极块可见。本实施例通过设置第二触控部51包括第二触控主体部511和第二触控虚拟部512，将第二触控虚拟部512设置于第二触控主体部511以外的挡墙区域，可以通过第二触控虚拟部512均匀第二触控主体部511在显示面板中的分布情况，使第二触控部51均匀地分布在挡墙区域，降低触控电极块的可视度。

进一步地，为了降低第二触控部51对环境光的反射，可选第二触控部51的材料采用透明的氧化铟锡(ITO)。

需要说明的是，图5仅以触控电极块包括多个第二触控主体部511为例进行示意，在其他实施例中，可参照图3设置触控电极块包括一个第二触控主体部511，在此不再过多示意。

进一步地，当过孔(如导电过孔321)在挡墙结构3中零星设置或者大周期设置时，人眼同样容易察觉处差别(在导电过孔321所在位置会察觉到阴影)，导致导电过孔321可见，进而会暴露触控电极块的位置，导致触控电极块人眼可见。为解决此问题，本申请提供两种可选方案。

作为其中一种可行的方案，图6是图2中A区域的再一种放大结构示意图，参见图6，显示面板包括多个触控电极块(如触控发射电极块611和触控接收电极块621)；一个触控电极块包括至少一个第二触控部51(即第二触控主体部511)，各触控电极块中第二触控部51的形状相同，且挡墙结构3中的过孔32在各第二触控部51上的投影位置相同；其中，过孔32包括导电过孔321和虚拟过孔322。图6以实心圆表示导电过孔321，空心圆表示虚拟过孔322。

其中，虚拟过孔322是指内部填充有与第二触控部51相同的导电材料，但不会将第二触控部51与第一触控部22电连接的过孔。

参见图6，触控发射电极块611和触控接收电极块621均包括多个第二触控主体部511，且第二触控主体部的形状相同。以触控接收电极块621为例，将第二触控主体部511-1和第二触控主体部511-3与第二触控主体部511-2做对比，本发明实施通过在挡墙结构3对应第二触控主体部511-1和第二触控主体部511-3不需要设置导电过孔321的位置设置了虚拟过孔322，从而使得挡墙结构3中的过孔32在各个第二触控主体部511上的投影位置相同。如此设置，可使各个触控电极块在阵列基板1上的投影形状相同，且过孔32相对于各个触控电极块的设置位置相同，提高过孔32设置的规律性，在一定程度上降低过孔32和触控电极块的可视度。

进一步的，参见图6，第二触控部51可以包括第二触控主体部511和第二触控虚拟部512，此时，可选第二触控虚拟部512的形状与第二触控主体部511的形状相同；挡墙结构3中的过孔32在第二触控虚拟部512以及第二触控主体部511上的投影位置相同；其中，过孔32包括导电过孔321和虚拟过孔322，导电过孔321与第二触控主体部511对应设置，虚拟过孔322至少与第二触控虚拟部512对应设置。

如上所述，通过设置第二触控虚拟部512可以均匀第二触控主体部511的分布情况，使第二触控部51在显示面板中均匀分布，降低触控电极的可视度。在此基础上，本实施例通过设置第二触控虚拟部512的形状与第二触控主体部511的形状相同，挡墙结构3中的过孔32在第二触控虚拟部512以及第二触控主体部511上的投影位置相同，可使第二电极层5中各个第二触控部51的形状相同，并且，挡墙结构3中的过孔32相对于各个第二触控部51的设置位置相同，进一步降低触控电极块以及过孔32的可视度。

如图6所示，对比第二触控主体部511-2，挡墙结构3对应第二触控主体部511-1和第二触控主体部511-3不需要设置导电过孔321的位置设置了虚拟过孔322，同时还在第二触控虚拟部512不需要设置导电过孔321的位置设置了虚拟过孔322，从而使得挡墙结构3中的过孔32在第二触控虚拟部512以及第二触控主体部511上的投影位置相同，可以大大降低过孔32和触控电极块的可视度。

需要说明的是，图6仅以每个触控电极块(触控发射电极块611或触控接收电极块621)包括多个第二触控主体部511，第二触控主体部511和第二触控虚拟部512的形状均为十字形为例进行示意，如此设置，可使挡墙结构3中的过孔32以小周期规律性排布，进一步降低过孔32和触控电极块的可视度。当然，此结构并非限定，在其他实施例中，触控电极块中的第二触控主体部511还可以是其他形状，数量也可以仅为一个(如图3所示的触控接收电极块621)，相应的，第二触控虚拟部512设置与第二触控主体部511相同的形状即可。

还需要说明的是，图6仅以第二触控虚拟部512设置于相邻且绝缘设置的触控电极块(如触控发射电极块611和触控接收电极块621)之间为例进行示意，该结构仅为示意，并非限定。图7是本发明实施例提供的显示面板的局部俯视示意图，在其他实施例中，如图7所示，可选第二触控主体部511位于触控电极块(611/612)所在区域中的边缘区域，第二触控虚拟部512位于触控电极块所在区域中的中心区域，只要保证第二触控虚拟部512位于第二触控主体部511的设置区域以外的挡墙区域，且与第二触控主体部511绝缘设置即可。

图8是本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图，示出了虚拟过孔322的设置方式。具体的，参见图6和图8，当虚拟过孔322远离第二触控部51的一侧未设置第一触控部22时，可选虚拟过孔322贯穿挡墙结构3，例如对于图6中第二触控虚拟部512对应的虚拟过孔322，可以采用图8中虚拟过孔322-1的设置方式。当虚拟过孔322远离第二触控部51的一侧设置有第一触控部22，且该第二触控部51不能与该第一触控部22电连接时，可选虚拟过孔322不贯穿挡墙结构3，例如对于图6中椭圆虚线框标识的虚拟过孔322，可以采用图8中虚拟过孔322-2的设置方式，如此，可以保证挡墙结构3中的过孔32相对于各个第二触控部51的设置位置相同，降低过孔32和触控电极块的可视度。示例性的，可以采用half-tone工艺同时形成图8所示的虚拟过孔322-1和虚拟过孔322-2。

作为另一种可行的方案，图9是图2中A区域的再一种放大结构示意图，参见图9，可选多个第二触控部51包括多个第二触控主体部511和多个第二触控虚拟部512，第二触控虚拟部512位于第二触控主体部511的设置区域以外的挡墙区域，且与第二触控主体部511绝缘设置，挡墙结构3上还设置有虚拟过孔322，导电过孔321与虚拟过孔322在阵列基板1上的正投影均匀分布。

如上所述，通过设置第二触控虚拟部512，可以均匀第二触控主体部511在显示面板中的分布情况，使第二触控部51均匀地分布在挡墙区域，降低触控电极块的可视度。进一步地，本实施例通过在挡墙结构3上设置虚拟过孔322，使导电过孔321与虚拟过孔322在阵列基板1上的正投影均匀分布，可以降低过孔32的可视度，进而解决因过孔32零星设置导致过孔可见，并引发触控电极块可见的问题，降低触控电极块的可视度。

如图9所示，可以参照原有导电过孔321的设置位置，均匀地/等间距地在挡墙结构3中的其他位置设置虚拟过孔322，以使挡墙结构3中的过孔32(即导电过孔321和虚拟过孔322)在阵列基板1上的正投影均匀分布。

需要说明的是，图9中过孔32之间的距离仅为示意，并非限定，本领域技术人员可以根据需求设置过孔32之间的距离，以使过孔32均匀分布在挡墙结构3中。可选适当减小过孔32之间的距离，以使过孔32在挡墙结构3中以小周期均匀地分布，提升弱化过孔32和触控电极块可视度的效果。

还需要说明的是，图9仅以触控电极块包括一个第二触控主体部511为例进行示意，在其他实施例中，可选触控电极块包括多个第二触控主体部511，相邻第二触控主体部511通过导电过孔321以及第一触控部22电连接，另外，各个第二触控主体部511的形状是否相同，第二触控主体部511与第二触控虚拟部512的形状是否相同，本实施例均不作限定，只要保证导电过孔321与虚拟过孔322在阵列基板1上的正投影均匀分布即可。

综上，上述实施例以互容式触控方案对第一触控部22、第二触控部51以及过孔32的设置方式做了详细说明，下面以自容式触控方案为例，对本发明实施例的技术方案做详细说明，参照互容式触控方案所作的相同设置方式，可以带来相同的有益效果，对此在自容式触控方案中不再做过多解释，具体可以参考互容式触控方案相关实施例。

对于自容式触控方案，图10是本发明实施例提供的显示面板中另一种触控电极的结构示意图，参见图10，可选显示面板包括触控走线631，触控走线631复用第一触控部22。

图11是图10中B区域的一种放大结构示意图，参见图10和图11，可选的，显示面板包括多个触控电极块63，触控电极块63包括至少一个第二触控主体部511，且与触控走线631一一对应电连接。

在自容式触控方案中，触控电极块63用于接收触控驱动信号并发送触控感应信号，触控驱动信号和触控感应信号通过触控走线631进行传输。

如图11所示，可选触控电极块63包括一个第二触控部51(即第二触控主体部511)。该第二触控主体部511通过导电过孔321与第一触控部22电连接，此时，第一触控部22复用为触控走线631。

图12是图10中B区域的另一种放大结构示意图，参见图12，可选一个触控电极块63包括多个第二触控部51，同一触控电极块63中，相邻第二触控部51通过触控连接部601电连接，触控连接部601复用第一触控部22。本实施例中，第一触控部22还可以复用为触控电极块63中连接相邻第二触控主体部511的触控连接部601。

参见图11或图12，可选显示面板包括多个触控电极块63和多个虚拟电极；多个第二触控部51包括多个第二触控主体部511和多个第二触控虚拟部512，一个触控电极块63包括至少一个第二触控主体部511，一个虚拟电极包括至少一个第二触控虚拟部512；第二触控虚拟部512位于第二触控主体部511的设置区域以外的挡墙区域，且与第二触控主体部511绝缘设置。如此设置，可以通过第二触控虚拟部512均匀第二触控主体部511在显示面板中的分布情况，使第二触控部51均匀地分布在挡墙区域，降低触控电极块63的可视度。

图13是图10中B区域的又一种放大结构意图，参见图13，一个触控电极块63包括至少一个第二触控部51，各触控电极块63中第二触控部51的形状相同，且挡墙结构3中的过孔32在各第二触控部51上的投影位置相同；其中，过孔32包括导电过孔321和虚拟过孔322。如此设置，可使各个触控电极块63在阵列基板1上的投影形状相同，且过孔32相对于各个触控电极块63的设置位置相同，提高过孔32设置的规律性，在一定程度上降低过孔32和触控电极块63的可视度。

进一步地，继续参见图13，可选第二触控虚拟部512的形状与第二触控主体部511的形状相同；挡墙结构3中的过孔32在第二触控虚拟部512以及第二触控主体部511上的投影位置相同；其中，过孔32包括导电过孔321和虚拟过孔322，导电过孔321与第二触控主体部511对应设置，虚拟过孔322至少与第二触控虚拟部512对应设置。如此设置，可使第二电极层5中各个第二触控部51的形状相同，并且，挡墙结构3中的过孔32相对于各个第二触控部51的设置位置相同，显著降低触控电极块63以及过孔32的可视度。而且，参见图13，当触控电极块63包括多个第二触控主体部511时，使得挡墙结构3中的过孔32以小周期规律性排布，可以进一步降低过孔32和触控电极块63的可视度。

图14是图10中B区域的再一种方法结构示意图，参见图14，可选多个第二触控部51包括多个第二触控主体部511和多个第二触控虚拟部512，第二触控虚拟部512位于第二触控主体部511的设置区域以外的挡墙区域，且与第二触控主体部511绝缘设置，挡墙结构3上还设置有虚拟过孔322，导电过孔321与虚拟过孔322在阵列基板1上的正投影均匀分布。如此设置，可使第二触控部51均匀地分布在挡墙区域，降低触控电极块63的可视度，同时，由于导电过孔321与虚拟过孔322在阵列基板1上的正投影均匀分布，从而能够降低过孔32的可视度，进而可以降低触控电极块63的可视度。

需要说明的是，对于图13和图14中椭圆标识的虚拟过孔322，由于第一触控部22复用为触控走线631，延伸长度较长，使得这些虚拟过孔322远离第二触控虚拟部512以及其他触控电极块63中的第二触控主体部511的一侧均设置有第一触控部22，因此，为避免上述第二触控虚拟部512以及第二触控主体部511与该第一触控部22(触控走线631)电连接，椭圆标识的虚拟过孔322可以采用图8中虚拟过孔322-2的设置方式。如此，可以在保证触控功能正常的情况下，实现挡墙结构3中的过孔32相对于各个第二触控部51的设置位置相同，以降低过孔32和触控电极块63的可视度。

综上，上述实施例结合自容式触控方案对第一触控部22、第二触控部51和过孔32的设置方式做了详细说明。在上述任意实施例的基础上，本发明实施例的技术方案可做如下细化。

参照图13，可选挡墙结构3在阵列基板1上的正投影的形状为网格状，发光元件4位于网格网孔31内。需要说明的是，网格网孔31内可以设置一个或多个发光元件4，本发明实施例对网格网孔31中发光元件4的数量不作限定。

作为一种可选方案，一个网格网孔31内可以包括至少两个发光颜色不同的发光元件4。如此，一方面可以减小挡墙结构3所占据的面积，提高显示分辨率；另一方面，可以在保证分辨率的情况下，适当增大挡墙结构3的宽度，降低第二触控部51的制备难度。示例性的，图13以网格网孔31内设置有红色发光元件R、绿色发光元件G和蓝色发光元件B为例进行示意。

参照图13，可选相邻第二触控部51之间的间隙在挡墙结构3上的正投影与挡墙结构3的非网格交叉区域302交叠。

其中，相邻第二触控部51至少包括相邻的第二触控主体部511，此外还可以包括相邻的第二触控虚拟部512，或者相邻的第二触控主体部511和第二触控虚拟部512。如图13所示，挡墙结构3的非网格交叉区域302位于相邻两个网格交叉区域301之间，通过设置相邻第二触控部51之间的间隙在在挡墙结构3上的正投影与挡墙结构3的非网格交叉区域302交叠，可使第二触控部51与网格交叉区域301交叠，而一个网格交叉区域301与多个其他网格交叉区域301相邻(本申请实施例附图中一个网格交叉区域301与上下左右四个网格交叉区域301相邻)，因而便于第二触控部51与其他相邻的第二触控部51电连接，便于第一触控部22的设置和布局。

进一步地，在一具体的实施例中，参照图13，可选第二触控部51在挡墙结构3上的正投影与挡墙结构3中的一个网格交叉区域301交叠。换而言之，每个网格交叉区域301设置一个第二触控部51。此时，可由多个第二触控部51通过第一触控部22电连接，以构成一个触控电极块(如上述互容方案中的触控发射电极块611和触控接收电极块621以及自容方案中的触控电极块63)。从图13可以看出，如此设置，可以增加导电过孔321的数量。进一步地，可选各第二触控部51在阵列基板1上的投影形状相同，例如第二触控部51包括第二触控主体部511和第二触控虚拟部512时，设置各个第二触控主体部511以及各个第二触控虚拟部512的形状相同，以使第二触控部51在显示面板中均匀排布，进而可以根据已有导电过孔321的排布，在不需要设置导电过孔321的位置(如第二触控虚拟部512对应位置以及触控电极块边缘处的第二触控主体部511的边缘位置)设置虚拟过孔322，使过孔32以小周期规律性的方式排布，降低过孔32的可见度，进而降低触控电极块的可见度。

示例性的，参照图13，可选第二触控部51在挡墙结构3上的正投影与挡墙结构3中的一个网格交叉区域301交叠，且第二触控部51在阵列基板1上的投影形状为十字形；挡墙结构3中的过孔32在第二触控部51上的正投影位于第二触控部51的端部；其中，过孔32包括导电过孔321和/或虚拟过孔322。

如图13所示，第二触控主体部511和第二触控虚拟部512分别位于各个网格交叉区域301，且形状均为十字形，使得第二触控部51在显示面板中均匀分布。另外，十字形的第二触控部51设计，不仅便于第二触控主体部511与其他相邻的第二触控主体部511电连接，而且可以减小相邻第二触控部51之间的距离，增加所有第二触控部51在挡墙区域的面积占比，降低第二触控部51的可见度，即降低触控电极块的可见度。进一步地，通过在挡墙结构3中对应第二触控部51的端部所在位置设置过孔32(导电过孔321或虚拟过孔322)，可以保证过孔32在各个第二触控部51的投影位置相同，使过孔32在挡墙结构3中以小周期规律性的方式排布，降低过孔32的可见度，进而可以避免因过孔32零星设置导致过孔32可见，并且引发触控电极块可见的问题，降低触控电极块的可见度。参照图13，可以理解的，对于一个第二触控部51，其对应设置的过孔可能只包括导电过孔321，也可能只包括虚拟过孔322，也可能既包括导电过孔321又包括虚拟过孔322，具体可以根据该第二触控部51所处位置及功能进行设置。

需要说明的是，图13所示结构仅为示意，并非限定，在其他实施例中，参照图15，图15是图10中B区域的再一种放大结构示意图，可选第二触控部51在挡墙结构3上的正投影与挡墙结构3中的一个网格交叉区域301交叠，且第二触控部51在阵列基板1上的投影形状为T字形，挡墙结构3中的过孔32在第二触控部51上的正投影位于第二触控部51的端部以及交叉位置。对于互容式触控方案，第二触控部51以及过孔32同样可以做此设置，在此不再赘述。

当然，在其他实施例中，第二触控部51在阵列基板1上的投影形状可以既包括十字形又包括T字型，本领域技术人员可以根据需求进行设置。

参照图15，可选挡墙结构3在阵列基板1上的正投影覆盖第一触控部22在阵列基板1上的正投影，以避免第一触控部22可见。示例性的，挡墙结构3可以采用不透光的材料。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，图16是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，该显示装置200包括上述任一实施例提供的显示面板100，因而具备与上述显示面板相同的有益效果，相同之处可参照上述显示面板实施例的描述，在此不再赘述。本发明实施例提供的显示装置200可以为图16所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (19)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板；

第一电极层，位于所述阵列基板的一侧；

挡墙结构，部分位于所述第一电极层远离所述阵列基板的一侧；

发光元件，位于所述第一电极层远离所述阵列基板的一侧，且位于非挡墙区域；所述第一电极层包括连接电极部和第一触控部，所述发光元件与所述连接电极部电连接；所述第一触控部在所述阵列基板上的正投影与所述挡墙结构在所述阵列基板上的正投影交叠；

第二电极层，位于所述挡墙结构远离所述阵列基板的一侧；所述第二电极层包括多个第二触控部；部分所述第二触控部与所述第一触控部在所述挡墙结构上的正投影交叠，且通过所述挡墙结构上的导电过孔电连接。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括触控跨桥，所述触控跨桥复用所述第一触控部。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括触控发射电极和触控接收电极；所述触控发射电极沿第一方向延伸且沿第二方向排列，所述触控接收电极沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列；所述第一方向和所述第二方向相交且均平行于所述阵列基板所在平面；

所述触控发射电极包括多个触控发射电极块，相邻所述触控发射电极块通过第一触控跨桥电连接；所述触控接收电极包括多个触控接收电极块，相邻所述触控接收电极块通过第二触控跨桥电连接；所述第一触控跨桥在所述阵列基板上的正投影与所述第二触控跨桥在所述阵列基板上的正投影交叠；

所述触控发射电极块与所述触控接收电极块均包括至少一个所述第二触控部；所述第一触控跨桥和所述第二触控跨桥中的一者复用所述第一触控部，另一者至少部分与所述第二触控部同层设置。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括触控走线，所述触控走线复用所述第一触控部。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个触控电极块，所述触控电极块包括至少一个第二触控主体部，且与所述触控走线一一对应电连接。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个触控电极块；

一个所述触控电极块包括多个所述第二触控部，同一所述触控电极块中，相邻所述第二触控部通过触控连接部电连接，所述触控连接部复用所述第一触控部。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个触控电极块；

一个所述触控电极块包括至少一个所述第二触控部，各所述触控电极块中所述第二触控部的形状相同，且所述挡墙结构中的过孔在各所述第二触控部上的投影位置相同；其中，所述过孔包括所述导电过孔和虚拟过孔。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个触控电极块和多个虚拟电极；

多个所述第二触控部包括多个第二触控主体部和多个第二触控虚拟部，一个所述触控电极块包括至少一个所述第二触控主体部，一个所述虚拟电极包括至少一个所述第二触控虚拟部；所述第二触控虚拟部位于所述第二触控主体部的设置区域以外的挡墙区域，且与所述第二触控主体部绝缘设置。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二触控虚拟部的形状与所述第二触控主体部的形状相同；

所述挡墙结构中的过孔在所述第二触控虚拟部以及所述第二触控主体部上的投影位置相同；其中，所述过孔包括所述导电过孔和虚拟过孔，所述导电过孔与所述第二触控主体部对应设置，所述虚拟过孔至少与所述第二触控虚拟部对应设置。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙结构上还设置有虚拟过孔，所述导电过孔与所述虚拟过孔在所述阵列基板上的正投影均匀分布。

11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙结构在所述阵列基板上的正投影的形状为网格状，所述发光元件位于网格网孔内。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，一个所述网格网孔内包括至少两个发光颜色不同的发光元件。

13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，相邻所述第二触控部之间的间隙在所述挡墙结构上的正投影与所述挡墙结构的非网格交叉区域交叠。

14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述第二触控部在所述挡墙结构上的正投影与所述挡墙结构中的一个网格交叉区域交叠。

15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述第二触控部在所述阵列基板上的投影形状为十字形和T字型中的至少一种。

16.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，各所述第二触控部在所述阵列基板上的投影形状相同。

17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，所述第二触控部在所述阵列基板上的投影形状为十字形；

所述挡墙结构中的过孔在所述第二触控部上的正投影位于所述第二触控部的端部；其中，所述过孔包括所述导电过孔和/或虚拟过孔。

18.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙结构在所述阵列基板上的正投影覆盖所述第一触控部在所述阵列基板上的正投影。

19.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-18任一项所述的显示面板。