CN114094838B - 一种同步整流控制方法、电路、装置、设备及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例涉及一种同步整流控制方法、电路、装置、设备及存储介质，包括：获取目标同步整流电路中第一整流管中的第一MOS管的第一漏源极电压以及第二整流管中的第二MOS管的第二漏源极电压；根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，以及根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态；根据所述第一状态和所述第二状态确定所述第一MOS管和所述第二MOS管的控制策略；基于所述控制策略对所述第一MOS管和所述第二MOS管进行控制，以控制所述目标同步整流电路。由此，可以实现使用简单的电路和算法逻辑实现同步整流控制，防止直通短路，控制效果好，实时性强。

Description

一种同步整流控制方法、电路、装置、设备及存储介质
技术领域
本发明实施例涉及同步整流技术领域，尤其涉及一种同步整流控制方法、电路、装置、设备及存储介质。
背景技术
在低压大电流输出的应用场合中，LLC谐振变换器因具有软开关特性而得到广泛应用。通过合理的设计，LLC变换器的变压器原边开关管能够实现ZVS开通，副边整流二极管能够实现ZCS关断，能够有效降低损耗，提升效率；在此基础上，变压器副边整流器的损耗成为了LLC变换器的主要损耗，极大地限制了LLC变换器效率的提升；为解决整流器损耗大的问题，当前较多的是采用同步整流技术。
现有技术中，同步整流控制方法主要分为硬件控制方案和软件控制方案两种。硬件控制方案大致包括两种，一种是使用驱动IC，一种是传统自驱动电路。使用驱动IC的控制方案受驱动芯片规格限制，调节受限，控制效果受限。传统自驱动电路，其将副边整流管漏极连接到另一路整流管栅极，以VDS作为另一路的驱动信号，其结构太过于简单，未包含任何保护逻辑电路，可靠性较低；或者使用电压偏置电路作为整流管的驱动信号来源，存在电路逻辑复杂、涉及器件多、成本高的问题。
软件控制方案主要包括基于检测整流管电流的电流型控制方案和检测整流管电压Vds的电压型控制方案两种。电流型控制方案能够实现较好的控制效果，但当流过整流管的电流较大时，检测电流所需的传感器体积大、成本高；电压型控制方案存在控制逻辑复杂、实时性差等问题。
发明内容
鉴于此，为解决上述同步整流电路复杂和控制逻辑复杂的技术问题，本发明实施例提供一种同步整流控制方法、电路、装置、设备及存储介质。
第一方面，本发明实施例提供一种同步整流控制方法，包括：
获取目标同步整流电路中第一整流管中的第一MOS管的第一漏源极电压以及第二整流管中的第二MOS管的第二漏源极电压；
根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，以及根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态；
根据所述第一状态和所述第二状态确定所述第一MOS管和所述第二MOS管的控制策略；
基于所述控制策略对所述第一MOS管和所述第二MOS管进行控制，以控制所述目标同步整流电路。
在一个可能的实施方式中，所述根据所述第一状态和所述第二状态确定所述第一MOS管和所述第二MOS管的控制策略，包括：
在所述第一状态为导通且所述第二状态为导通；或，所述第一状态为关断且所述第二状态为关断时，所述控制策略为第一控制策略；
在所述第一状态为导通且所述第二状态为关断时所述控制策略为第二控制策略；
在所述第一状态为关断且所述第二状态为导通时所述控制策略为第三控制策略。
在一个可能的实施方式中，所述基于所述控制策略对所述第一MOS管和所述第二MOS管进行控制，包括：
基于所述第一控制策略控制所述第一MOS管关断，以及控制所述第二MOS管关断；
或，
基于所述第二控制策略控制所述第一MOS管导通，以及控制所述第二MOS管关断；
或，
基于所述第三控制策略控制所述第一MOS管关断，以及控制所述第二MOS管导通。
在一个可能的实施方式中，所述根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，包括：
将所述第一漏源极电压输入第一比较器的反相端，将参考电压输入第一比较器的同相端；
将所述第一漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第一对比结果；
当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压小于所述参考电压时，所述第一比较器输出高电平，确定所述第一整流管的所述第一状态为导通；
当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压不小于所述参考电压时，所述第一比较器输出低电平，确定所述第一整流管的所述第一状态为关断。
在一个可能的实施方式中，所述根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态，包括：
将所述第二漏源极电压输入第二比较器的反相端，将参考电压输入第二比较器的同相端；
将所述第二漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第二对比结果；
当所述第二对比结果为所述第二漏源极电压小于所述参考电压时，所述第二比较器输出高电平，确定所述第二整流管的所述第二状态为导通；
当所述第二对比结果为所述第二漏源极电压不小于所述参考电压时，所述第二比较器输出低电平，确定所述第二整流管的所述第二状态为关断。
在一个可能的实施方式中，所述方法还包括：
判断同步整流控制模式是否开启，当所述同步整流控制模式未开启时，控制所述同步整流控制模式开启，并控制所述第一MOS管和所述第二MOS管关断；
当所述同步整流控制模式开启时，执行所述同步整流控制方法。
第二方面，本发明实施例提供一种同步整流控制电路，包括：
目标同步整流电路、谐振电路和控制模块，所述目标同步整流电路为变压器副边的电路，所述谐振电路为变压器原边的电路；
所述同步整流电路包括：检测模块、第一整流管和第二整流管；
所述检测模块的第一端与第一整流管的第一端连接，所述检测模块的第二端与所述第二整流管的第一端连接，所述检测模块的第三端与所述控制模块的第一端连接，所述控制单元的第二端与所述第一整流管的第二端连接，所述控制模块的第三端与所述第二整流管的第二端连接，所述控制模块的第四端与所述谐振电路的第一端连接，所述控制模块的第五端与所述谐振电路的第二端连接，所述控制模块的第六端与所述谐振电路的第三端连接，所述控制模块的第七端与所述目标同步整流电路的第一端连接。
在一个可能的实施方式中，所述检测模块包括：第一比较器、第二比较器、第一光耦、第二光耦；所述第一整流管包括第一MOS管和第一二极管，所述第一二极管的阴极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第一二极管的阳极与所述第一MOS管的源极连接，所述第二整流管包括第二MOS管和第二二极管，所述第二二极管的阴极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第二二极管的阳极与所述第二MOS管的源极连接。
所述第一比较器的反相端与所述第一MOS管的漏极连接，所述第二比较器的反相端与所述第二MOS管的漏极连接，所述第一比较器的同相端与所述第二比较器的同相端与参考电压连接，所述第一比较器的输出端经过所述第一光耦与所述控制模块的第一端连接，所述第二比较器的输出端经过所述第二光耦与所述控制模块的第一端连接，所述控制模块的第二端与所述第一MOS管的栅极连接，所述控制模块的第三端与所述第二MOS管的栅极连接。
第三方面，本发明实施例提供一种同步整流控制装置，包括：
获取模块，用于获取目标同步整流电路中第一整流管中的第一MOS管的第一漏源极电压以及第二整流管中的第二MOS管的第二漏源极电压；
确定模块，用于根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，以及根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态；
所述确定模块，用于根据所述第一状态和所述第二状态确定所述第一MOS管和所述第二MOS管的控制策略；
控制模块，用于基于所述控制策略对所述第一MOS管和所述第二MOS管进行控制，以控制所述目标同步整流电路。
第四方面，本发明实施例提供一种设备，包括：处理器和存储器，所述处理器用于执行所述存储器中存储的同步整流控制程序，以实现上述第一方面中任一项所述的同步整流控制方法。
第五方面，本发明实施例提供一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有一个或者多个程序，所述一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行，以实现上述第一方面中任一项所述的同步整流控制方法。
本发明实施例提供的同步整流控制方案，通过获取目标同步整流电路中第一整流管中的第一MOS管的第一漏源极电压以及第二整流管中的第二MOS管的第二漏源极电压；根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，以及根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态；根据所述第一状态和所述第二状态确定所述第一MOS管和所述第二MOS管的控制策略；基于所述控制策略对所述第一MOS管和所述第二MOS管进行控制，以控制所述目标同步整流电路。以通过简单的硬件电路和控制逻辑有效实现同步整流功能，防止直通短路，控制效果好，实时性强。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种同步整流控制方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种同步整流控制方法的流程示意图；
图3为本发明实施例提供的又一种同步整流控制方法的流程示意图；
图4为本发明实施例提供的再一种同步整流控制方法的流程示意图；
图5为本发明实施例提供的一种同步整流控制电路的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的检测模块的电路结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种同步整流控制装置的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为便于对本发明实施例的理解，下面将结合附图以具体实施例做进一步的解释说明，实施例并不构成对本发明实施例的限定。
图1为本发明实施例提供的一种同步整流控制方法的流程示意图，如图1所示，该方法具体包括：
S11、获取目标同步整流电路中第一整流管中的第一MOS管的第一漏源极电压以及第二整流管中的第二MOS管的第二漏源极电压。
本发明实施例提供的同步整流控制方法应用于同步整流电路，该同步整流电路可以是基于半桥LLC谐振的同步整流电路，具体通过获取同步整流电路中整流管的状态确定对应的控制方式进行同步整流控制。
在本实施例中，所述方法应用于基于半桥LLC谐振的同步整流电路，所述电路包括谐振电路和同步整流电路，变压器原边的谐振电路采用了半桥LLC拓扑，变压器副边的同步整流电路采用同步整流拓扑。谐振电路采用控制模块中算法单元的PFM调频控制算法，同步整流电路采用电压型控制算法，控制模块的采样单元对谐振电流、谐振输出电压进行实时采样，相关采样值参与算法计算，通过控制模块的PWM单元输出频率可调、占空比为50％的驱动信号，以控制第一MOS管和第二MOS管。
目标同步整流电路为同步整流拓扑，目标同步整流电路中可以包括：第一整流管和第二整流管，第一整流管中包括：第一MOS管和第一二极管，第二整流管中包括：第二MOS管和第二二极管，第一漏源极电压为第一MOS管的漏极和源极之间的电压，第二漏源极电压为第二MOS管的漏极和源极之间的电压。
进一步的，预先设置一检测模块，检测模块中包括：第一检测模块，用于获取第一MOS管漏极和源极间的电压作为第一漏源极电压；第二检测模块，用于获取第二MOS管漏极和源极间的电压作为第二漏源极电压。
S12、根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，以及根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态。
在本实施例中，第一MOS管两端反并联第一二极管作为第一整流管，也即第一MOS管漏极与第一二极管阴极连接，第一MOS管源极与第一二极管阳极连接，第二MOS管两端反并联第二二极管作为第二整流管，也即第二MOS管漏极与第二二极管阴极连接，第二MOS管源极与第二二极管阳极连接。第一状态用于指示第一整流管当前对应的工作状态，第二状态用于指示第二整流管当前对应的工作状态，工作状态可以包括导通和关断。
进一步的，在检测模块中预先设定一预设规则，用于通过漏源极电压确定整流管的工作状态，通过预设规则根据第一漏源极电压确定第一状态，通过预设规则根据第二漏源极电压确定第二状态。
S13、根据所述第一状态和所述第二状态确定所述第一MOS管和所述第二MOS管的控制策略。
在本实施例中，预先在控制模块的算法单元中预先设定一控制算法，用于根据第一状态和第二状态确定对应的控制策略，该控制模块可以是MCU。
具体的，通过控制模块中的通用I/O引脚实时获取检测模块发送的第一状态和第二状态，算法单元实时检测通用I/O引脚输入的第一状态和第二状态，算法单元根据控制算法确定对应的控制策略。
S14、基于所述控制策略对所述第一MOS管和所述第二MOS管进行控制，以控制所述目标同步整流电路。
在本实施例中，根据控制策略控制所述控制模块中的PWM单元发出对应的第一驱动信号和第二驱动信号，所述第一驱动信号用于控制第一MOS管，所述第二驱动信号用于控制第二MOS管，以通过控制第一MOS管和第二MOS管的导通或关断实现控制目标同步整流电路。
图2为本发明实施例提供的另一种同步整流控制方法的流程示意图，如图2所示，该方法具体包括：
S21、判断同步整流控制模式是否开启。
在本实施例中，同步整流模式用于指示能进行同步整流控制的模式，通过控制模块的算法单元中预先设置的判断程序判断同步整流功能是否使能，使能时用于指示所述同步整流控制模式开启，未使能时用于指示所述同步整流控制模式未开启，所述同步整流功能在初始状态是未使能。
S22、当判断结果为所述同步整流控制模式开启时，获取目标同步整流电路中第一整流管中的第一MOS管的第一漏源极电压以及第二整流管中的第二MOS管的第二漏源极电压。
在本实施例中，当判断结果为所述同步整流控制模式开启时，与上述S11步骤相同，具体内容见S11描述，在此不作描述。
在本实施例一可选方案中，当判断结果为所述同步整流控制模式未开启时，控制所述同步整流控制模式开启，也即设置同步整流功能使能，并且关断第一MOS管和第二MOS管。
具体的，算法模块生成控制指令控制同步整流功能使能，并控制关断第一MOS管和第二MOS管的驱动信号。
S23、将所述第一漏源极电压输入第一比较器的反相端，将参考电压输入第一比较器的同相端；将所述第二漏源极电压输入第二比较器的反相端，将参考电压输入第二比较器的同相端。
在本实施例中，同步整流电路包括检测模块，可以获取第一漏源极电压和第二漏源极电压，检测模块由第一比较器、第二比较器、第一光耦和第二光耦组成。参考电压以变压器副边的地为参考地，由分压电路产生，参考电压值为负电压值，参考电压值为预先设定的小电压值。第一比较器的反相端与第一MOS管的漏极连接，用于获取第一漏源极电压，第二比较器的反相端与第二MOS管的漏极连接，用于获取第二漏源极电压，第一比较器的同相端和第二比较器同相端与参考电压连接。
S24、根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，以及根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态。
在本实施例中，MOS管两端反并联二极管作为整流管，也即MOS管漏极与二极管阴极连接，MOS管源极与二极管阳极连接。同步整流是一个全波整流，当变压器同名端为高电势时，此时二极管首先导通，然后同步整流管的漏源极电压为二极管的导通压降(负电压值)。
通过第一比较器将所述第一漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第一对比结果；当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压小于所述参考电压时，此时第一比较器输出高电平，将高电平通过第一光耦发送给控制模块的通用I/O引脚，控制模块的算法单元实时检测通用I/O引脚输入的高电平，算法单元根据预设算法确定所述第一整流管当前对应的第一状态为导通；当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压不小于所述参考电压时，所述第一比较器输出低电平，确定所述第一整流管当前对应的状态为关断。
通过第二比较器将所述第二漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第二对比结果。当第二对比结果为第二漏源极电压小于参考电压时，此时第二比较器输出高电平，将高电平通过第二光耦发送给控制模块的通用I/O引脚，控制模块的算法单元实时检测通用I/O引脚输入的高电平，算法单元根据预设算法确定第二整流管当前对应的第二状态为导通；当第二对比结果为第二漏源极电压不小于参考电压时，第二比较器输出低电平，确定第二整流管当前对应的第二状态为关断。
S25、在所述第一状态为导通且所述第二状态为导通；或，所述第一状态为关断且所述第二状态为关断时，所述控制策略为第一控制策略；基于所述第一控制策略控制所述第一MOS管关断，以及控制所述第二MOS管关断。
在本实施例中，预先在控制模块的算法单元中预先设定一控制算法，用于根据第一状态和第二状态确定对应的控制策略。控制策略为第一控制策略时，根据第一控制策略控制所述控制模块中的PWM单元发出对应的第一驱动信号和第二驱动信号，所述第一驱动信号用于控制第一MOS管关断，所述第二驱动信号用于控制第二MOS管关断，以通过控制第一MOS管和第二MOS管关断实现控制目标同步整流电路。
图3为本发明实施例提供的又一种同步整流控制方法的流程示意图，如图3所示，该方法具体包括：
S31、获取目标同步整流电路中第一整流管中的第一MOS管的第一漏源极电压以及第二整流管中的第二MOS管的第二漏源极电压。
在本实施例中，与上述S11步骤相同，具体内容见S11描述，在此不作描述。
S32、将所述第一漏源极电压输入第一比较器的反相端，将参考电压输入第一比较器的同相端；将所述第二漏源极电压输入第二比较器的反相端，将参考电压输入第二比较器的同相端。
在本实施例中，与上述S23步骤相同，具体内容见S23描述，在此不作描述。
S33、根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态为导通，以及根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态为关断。
在本实施例中，MOS管两端反并联二极管作为整流管，也即MOS管漏极与二极管阴极连接，MOS管源极与二极管阳极连接。通过第一比较器将所述第一漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第一对比结果；当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压小于所述参考电压时，此时第一比较器输出高电平，将高电平通过第一光耦发送给控制模块的通用I/O引脚，控制模块的算法单元实时检测通用I/O引脚输入的高电平，算法单元根据预设算法确定所述第一整流管当前对应的第一状态为导通。
通过第二比较器将所述第二漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第二对比结果。当第二对比结果为第二漏源极电压不小于参考电压时，第二比较器输出低电平，将低电平通过第二光耦发送给控制模块的通用I/O引脚，控制模块的算法单元实时检测通用I/O引脚输入的低电平，算法单元根据预设算法确定第二整流管当前对应的第二状态为关断。
S34、在所述第一状态为导通且所述第二状态为关断时所述控制策略为第二控制策略；基于所述第二控制策略控制所述第一MOS管导通，以及控制所述第二MOS管关断。
在本实施例中，预先在控制模块的算法单元中预先设定一控制算法，用于根据第一状态和第二状态确定对应的控制策略。控制策略为第二控制策略时，根据第二控制策略控制所述控制模块中的PWM单元发出对应的第一驱动信号和第二驱动信号，所述第一驱动信号用于控制第一MOS管导通，所述第二驱动信号用于控制第二MOS管关断，以通过控制第一MOS管和第二MOS管关断实现控制目标同步整流电路。
图4为本发明实施例提供的再一种同步整流控制方法的流程示意图，如图4所示，该方法具体包括：
S41、获取目标同步整流电路中第一整流管中的第一MOS管的第一漏源极电压以及第二整流管中的第二MOS管的第二漏源极电压。
在本实施例中，与上述S11步骤相同，具体内容见S11描述，在此不作描述。
S42、将所述第一漏源极电压输入第一比较器的反相端，将参考电压输入第一比较器的同相端；将所述第二漏源极电压输入第二比较器的反相端，将参考电压输入第二比较器的同相端。
在本实施例中，与上述S23步骤相同，具体内容见S23描述，在此不作描述。
S43、根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态为关断，以及根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态为导通。
在本实施例中，MOS管两端反并联二极管作为整流管，也即MOS管漏极与二极管阴极连接，MOS管源极与二极管阳极连接。通过第一比较器将所述第一漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第一对比结果；当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压不小于所述参考电压时，第一比较器输出低电平，将低电平通过第一光耦发送给控制模块的通用I/O引脚，控制模块的算法单元实时检测通用I/O引脚输入的低电平，算法单元根据预设算法确定所述第一整流管当前对应的第一状态为关断。
通过第二比较器将所述第二漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第二对比结果。当第二对比结果为第二漏源极电压小于参考电压时，此时第二比较器输出高电平，将高电平通过第二光耦发送给控制模块的通用I/O引脚，控制模块的算法单元实时检测通用I/O引脚输入的高电平，算法单元根据预设算法确定第二整流管当前对应的第二状态为导通。
S44、在所述第一状态为关断且所述第二状态为导通时所述控制策略为第三控制策略；基于所述第三控制策略控制所述第一MOS管关断，以及控制所述第二MOS管导通。
在本实施例中，预先在控制模块的算法单元中预先设定一控制算法，用于根据第一状态和第二状态确定对应的控制策略。控制策略为第三控制策略时，根据第三控制策略控制所述控制模块中的PWM单元发出对应的第一驱动信号和第二驱动信号，所述第一驱动信号用于控制第一MOS管关断，所述第二驱动信号用于控制第二MOS管导通，以通过控制第一MOS管和第二MOS管关断实现控制目标同步整流电路。
图5为本发明实施例提供的一种同步整流控制电路的结构示意图。
图6为本发明实施例提供的检测模块的电路结构示意图。
其中，图5的附图标记说明如下：
101：PWM单元；102：算法单元；103：保护单元；104：采样单元；105：检测模块；106：负载；107：控制模块；VDC：电源；Q1：谐振电路的第一MOS管；Q2：谐振电路的第二MOS管；C1：第一电容；C2：第二电容；C3：第三电容；Lr：电感；T1：变压器；SR1：同步整流电路的第一MOS管；SR2：同步整流电路的第二MOS管；D1：同步整流电路的第一二极管；D2：同步整流电路的第二二极管；GND1：变压器原边的地；GND2：变压器副边的地。
图6的附图标记说明为：U1：第一比较器；U2：第二比较器；Vds1：第一漏源极电压；Vds2：第二漏源极电压；Vref1：参考电压；1001：第一光耦；1002第二光耦；107：控制模块。
在本实施例中，所述电路为基于半桥LLC谐振的同步整流电路，包括：目标同步整流电路、谐振电路和控制模块，所述目标同步整流电路为变压器副边的电路，所述谐振电路为变压器原边的电路；所述控制模块可以为MCU；
所述同步整流电路包括：检测模块、第一整流管和第二整流管；
所述检测模块的第一端与第一整流管的第一端连接，所述检测模块的第二端与所述第二整流管的第一端连接，所述检测模块的第三端与所述控制模块的第一端连接，所述控制单元的第二端与所述第一整流管的第二端连接，所述控制模块的第三端与所述第二整流管的第二端连接，所述控制模块的第四端与所述谐振电路的第一端连接，所述控制模块的第五端与所述谐振电路的第二端连接，所述控制模块的第六端与所述谐振电路的第三端连接，所述控制模块的第七端与所述目标同步整流电路的第一端连接。
在一个可能的实施方式中，所述控制模块包括：采样单元、保护单元、算法单元和PWM单元。所述检测模块包括：第一比较器、第二比较器、第一光耦、第二光耦；所述第一整流管包括第一MOS管和第一二极管，所述第一二极管的阴极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第一二极管的阳极与所述第一MOS管的源极连接，所述第二整流管包括第二MOS管和第二二极管，所述第二二极管的阴极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第二二极管的阳极与所述第二MOS管的源极连接；
所述第一比较器的反相端与所述第一MOS管的漏极连接，所述第二比较器的反相端与所述第二MOS管的漏极连接，所述第一比较器的同相端与所述第二比较器的同相端与参考电压连接，所述第一比较器的输出端经过所述第一光耦与所述控制模块的第一端连接，所述第二比较器的输出端经过所述第二光耦与所述控制模块的第一端连接，所述控制模块的第一端可以是MCU输入模式的通用I/O口。所述控制模块的第二端与同步整流电路的所述第一MOS管的栅极连接，所述控制模块的第三端与同步整流电路的所述第二MOS管的栅极连接，所述控制模块的第四端与谐振电路的第二MOS管的栅极连接，所述控制模块的第五端与谐振电路的第一MOS管的栅极连接，所述控制模块的第二端、第三端、第四端和第五端可以是PWM引脚。
本实施例提供的电路可以是如图5和图6中所示的电路，可执行如图1-4中方法的所有步骤，进而实现图1-4所示方法的技术效果，具体请参照图1-4相关描述，为简洁描述，在此不作赘述。
图7为本发明实施例提供的一种同步整流控制装置的结构示意图。
获取模块71，用于获取目标同步整流电路中第一整流管中的第一MOS管的第一漏源极电压以及第二整流管中的第二MOS管的第二漏源极电压；
确定模块72，用于根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，以及根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态；
所述确定模块72，还用于根据所述第一状态和所述第二状态确定所述第一MOS管和所述第二MOS管的控制策略；
控制模块73，用于基于所述控制策略对所述第一MOS管和所述第二MOS管进行控制，以控制所述目标同步整流电路。
在一个可能的实施方式中，所述确定模块72，具体用于在所述第一状态为导通且所述第二状态为导通；或，所述第一状态为关断且所述第二状态为关断时，所述控制策略为第一控制策略；
在所述第一状态为导通且所述第二状态为关断时所述控制策略为第二控制策略；
在所述第一状态为关断且所述第二状态为导通时所述控制策略为第三控制策略。
在一个可能的实施方式中，所述控制模块73，具体用于基于所述第一控制策略控制所述第一MOS管关断，以及控制所述第二MOS管关断；或，基于所述第二控制策略控制所述第一MOS管导通，以及控制所述第二MOS管关断；或，基于所述第三控制策略控制所述第一MOS管关断，以及控制所述第二MOS管导通。
在一个可能的实施方式中，所述控制模块73，具体用于将所述第一漏源极电压输入第一比较器的反相端，将参考电压输入第一比较器的同相端；
将所述第一漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第一对比结果；
当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压小于所述参考电压时，所述第一比较器输出高电平，确定所述第一整流管的所述第一状态为导通；
当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压不小于所述参考电压时，所述第一比较器输出低电平，确定所述第一整流管的所述第一状态为关断。
在一个可能的实施方式中，所述控制模块73，具体用于将所述第二漏源极电压输入第二比较器的反相端，将参考电压输入第二比较器的同相端；
将所述第二漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第二对比结果；
当所述第二对比结果为所述第二漏源极电压小于所述参考电压时，所述第二比较器输出高电平，确定所述第二整流管的所述第二状态为导通；
当所述第二对比结果为所述第二漏源极电压不小于所述参考电压时，所述第二比较器输出低电平，确定所述第二整流管的所述第二状态为关断。
在一个可能的实施方式中，所述控制模块73，具体用于判断同步整流控制模式是否开启，当所述同步整流控制模式未开启时，控制所述同步整流控制模式开启，并控制所述第一MOS管和所述第二MOS管关断；
当所述同步整流控制模式开启时，执行所述同步整流控制方法。
本实施例提供的装置可以是如图7中所示的装置，可执行如图1-4中方法的所有步骤，进而实现图1-4所示方法的技术效果，具体请参照图1-4相关描述，为简洁描述，在此不作赘述。
图8为本发明实施例提供的一种设备的结构示意图，图8所示的设备800包括：至少一个处理器801、存储器802、至少一个网络接口804和其他用户接口803。电子设备800中的各个组件通过总线***805耦合在一起。可理解，总线***805用于实现这些组件之间的连接通信。总线***805除包括数据总线之外，还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。但是为了清楚说明起见，在图8中将各种总线都标为总线***805。
其中，用户接口803可以包括显示器、键盘或者点击设备(例如，鼠标，轨迹球(trackball)、触感板或者触摸屏等。
可以理解，本发明实施例中的存储器802可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、可编程只读存储器(Programmable ROM，PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable PROM，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically EPROM，EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器(Static RAM，SRAM)、动态随机存取存储器(Dynamic RAM，DRAM)、同步动态随机存取存储器(Synchronous DRAM，SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double Data RateSDRAM，DDRSDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(Enhanced SDRAM，ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(Synch link DRAM，SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(DirectRambus RAM，DRRAM)。本文描述的存储器802旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
在一些实施方式中，存储器802存储了如下的元素，可执行单元或者数据结构，或者他们的子集，或者他们的扩展集：操作***8021和应用程序8022。
其中，操作***8021，包含各种***程序，例如框架层、核心库层、驱动层等，用于实现各种基础业务以及处理基于硬件的任务。应用程序8022，包含各种应用程序，例如媒体播放器(Media Player)、浏览器(Browser)等，用于实现各种应用业务。实现本发明实施例方法的程序可以包含在应用程序8022中。
在本发明实施例中，通过调用存储器802存储的程序或指令，具体的，可以是应用程序8022中存储的程序或指令，处理器801用于执行各方法实施例所提供的方法步骤，例如包括：
获取目标同步整流电路中第一整流管中的第一MOS管的第一漏源极电压以及第二整流管中的第二MOS管的第二漏源极电压；
根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，以及根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态；
根据所述第一状态和所述第二状态确定所述第一MOS管和所述第二MOS管的控制策略；
基于所述控制策略对所述第一MOS管和所述第二MOS管进行控制，以控制所述目标同步整流电路。
在一个可能的实施方式中，在所述第一状态为导通且所述第二状态为导通；或，所述第一状态为关断且所述第二状态为关断时，所述控制策略为第一控制策略；
在所述第一状态为导通且所述第二状态为关断时所述控制策略为第二控制策略；
在所述第一状态为关断且所述第二状态为导通时所述控制策略为第三控制策略。
在一个可能的实施方式中，基于所述第一控制策略控制所述第一MOS管关断，以及控制所述第二MOS管关断；或，基于所述第二控制策略控制所述第一MOS管导通，以及控制所述第二MOS管关断；或，基于所述第三控制策略控制所述第一MOS管关断，以及控制所述第二MOS管导通。
在一个可能的实施方式中，将所述第一漏源极电压输入第一比较器的反相端，将参考电压输入第一比较器的同相端；
将所述第一漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第一对比结果；
当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压小于所述参考电压时，所述第一比较器输出高电平，确定所述第一整流管的所述第一状态为导通；
当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压不小于所述参考电压时，所述第一比较器输出低电平，确定所述第一整流管的所述第一状态为关断。
在一个可能的实施方式中，将所述第二漏源极电压输入第二比较器的反相端，将参考电压输入第二比较器的同相端；
将所述第二漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第二对比结果；
当所述第二对比结果为所述第二漏源极电压小于所述参考电压时，所述第二比较器输出高电平，确定所述第二整流管的所述第二状态为导通；
当所述第二对比结果为所述第二漏源极电压不小于所述参考电压时，所述第二比较器输出低电平，确定所述第二整流管的所述第二状态为关断。
在一个可能的实施方式中，判断同步整流控制模式是否开启，当所述同步整流控制模式未开启时，控制所述同步整流控制模式开启，并控制所述第一MOS管和所述第二MOS管关断；
当所述同步整流控制模式开启时，执行所述同步整流控制方法。
上述本发明实施例揭示的方法可以应用于处理器801中，或者由处理器801实现。处理器801可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器801中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器801可以是通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(FieldProgrammable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本发明实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件单元组合执行完成。软件单元可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器802，处理器801读取存储器802中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
可以理解的是，本文描述的这些实施例可以用硬件、软件、固件、中间件、微码或其组合来实现。对于硬件实现，处理单元可以实现在一个或多个专用集成电路(ApplicationSpecific Integrated Circuits，ASIC)、数字信号处理器(Digital Signal Processing，DSP)、数字信号处理设备(DSPDevice，DSPD)、可编程逻辑设备(Programmable LogicDevice，PLD)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)、通用处理器、控制器、微控制器、微处理器、用于执行本申请所述功能的其它电子单元或其组合中。
对于软件实现，可通过执行本文所述功能的单元来实现本文所述的技术。软件代码可存储在存储器中并通过处理器执行。存储器可以在处理器中或在处理器外部实现。
本实施例提供的设备可以是如图8中所示的设备，可执行如图1-4中同步整流控制方法的所有步骤，进而实现图1-4所示同步整流控制方法的技术效果，具体请参照图1-4相关描述，为简洁描述，在此不作赘述。
本发明实施例还提供了一种存储介质(计算机可读存储介质)。这里的存储介质存储有一个或者多个程序。其中，存储介质可以包括易失性存储器，例如随机存取存储器；存储器也可以包括非易失性存储器，例如只读存储器、快闪存储器、硬盘或固态硬盘；存储器还可以包括上述种类的存储器的组合。
当存储介质中一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行，以实现上述在设备侧执行的同步整流控制方法。
所述处理器用于执行存储器中存储的同步整流控制程序，以实现以下在设备侧执行的同步整流控制方法的步骤：
获取目标同步整流电路中第一整流管中的第一MOS管的第一漏源极电压以及第二整流管中的第二MOS管的第二漏源极电压；
根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，以及根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态；
根据所述第一状态和所述第二状态确定所述第一MOS管和所述第二MOS管的控制策略；
基于所述控制策略对所述第一MOS管和所述第二MOS管进行控制，以控制所述目标同步整流电路。
在一个可能的实施方式中，在所述第一状态为导通且所述第二状态为导通；或，所述第一状态为关断且所述第二状态为关断时，所述控制策略为第一控制策略；
在所述第一状态为导通且所述第二状态为关断时所述控制策略为第二控制策略；
在所述第一状态为关断且所述第二状态为导通时所述控制策略为第三控制策略。
在一个可能的实施方式中，基于所述第一控制策略控制所述第一MOS管关断，以及控制所述第二MOS管关断；或，基于所述第二控制策略控制所述第一MOS管导通，以及控制所述第二MOS管关断；或，基于所述第三控制策略控制所述第一MOS管关断，以及控制所述第二MOS管导通。
在一个可能的实施方式中，将所述第一漏源极电压输入第一比较器的反相端，将参考电压输入第一比较器的同相端；
将所述第一漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第一对比结果；
当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压小于所述参考电压时，所述第一比较器输出高电平，确定所述第一整流管的所述第一状态为导通；
当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压不小于所述参考电压时，所述第一比较器输出低电平，确定所述第一整流管的所述第一状态为关断。
在一个可能的实施方式中，将所述第二漏源极电压输入第二比较器的反相端，将参考电压输入第二比较器的同相端；
将所述第二漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第二对比结果；
当所述第二对比结果为所述第二漏源极电压小于所述参考电压时，所述第二比较器输出高电平，确定所述第二整流管的所述第二状态为导通；
当所述第二对比结果为所述第二漏源极电压不小于所述参考电压时，所述第二比较器输出低电平，确定所述第二整流管的所述第二状态为关断。
在一个可能的实施方式中，判断同步整流控制模式是否开启，当所述同步整流控制模式未开启时，控制所述同步整流控制模式开启，并控制所述第一MOS管和所述第二MOS管关断；
当所述同步整流控制模式开启时，执行所述同步整流控制方法。
专业人员应该还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种同步整流控制电路，其特征在于，包括：目标同步整流电路、谐振电路和控制模块，所述目标同步整流电路为变压器副边的电路，所述谐振电路为变压器原边的电路；
所述同步整流电路包括：检测模块、第一整流管和第二整流管；所述检测模块的第一端与第一整流管的第一端连接，所述检测模块的第二端与所述第二整流管的第一端连接，所述检测模块的第三端与所述控制模块的第一端连接，所述控制模块的第二端与所述第一整流管的第二端连接，所述控制模块的第三端与所述第二整流管的第二端连接，所述控制模块的第四端与所述谐振电路的第一端连接，所述控制模块的第五端与所述谐振电路的第二端连接，所述控制模块的第六端与所述谐振电路的第三端连接，所述控制模块的第七端与所述目标同步整流电路的第一端连接；
所述检测模块包括：第一比较器、第二比较器、第一光耦和第二光耦；所述第一整流管包括第一MOS管和第一二极管，所述第一二极管的阴极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第一二极管的阳极与所述第一MOS管的源极连接；所述第二整流管包括第二MOS管和第二二极管，所述第二二极管的阴极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第二二极管的阳极与所述第二MOS管的源极连接；所述第一比较器的反相端与所述第一MOS管的漏极连接，所述第二比较器的反相端与所述第二MOS管的漏极连接，所述第一比较器的同相端与所述第二比较器的同相端与参考电压连接，所述第一比较器的输出端经过所述第一光耦与所述控制模块的第一端连接，所述第二比较器的输出端经过所述第二光耦与所述控制模块的第一端连接，所述控制模块的第二端与所述第一MOS管的栅极连接，所述控制模块的第三端与所述第二MOS管的栅极连接。
2.一种同步整流控制方法，应用于权利要求1所述的同步整流控制电路，其特征在于，包括：
获取目标同步整流电路中第一整流管中的第一MOS管的第一漏源极电压以及第二整流管中的第二MOS管的第二漏源极电压；
根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，以及根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态；
根据所述第一状态和所述第二状态确定所述第一MOS管和所述第二MOS管的控制策略；
基于所述控制策略对所述第一MOS管和所述第二MOS管进行控制，以控制所述目标同步整流电路。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一状态和所述第二状态确定所述第一MOS管和所述第二MOS管的控制策略，包括：
在所述第一状态为导通且所述第二状态为导通；或，所述第一状态为关断且所述第二状态为关断时，所述控制策略为第一控制策略；
在所述第一状态为导通且所述第二状态为关断时所述控制策略为第二控制策略；
在所述第一状态为关断且所述第二状态为导通时所述控制策略为第三控制策略。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述控制策略对所述第一MOS管和所述第二MOS管进行控制，包括：
基于所述第一控制策略控制所述第一MOS管关断，以及控制所述第二MOS管关断；
或，
基于所述第二控制策略控制所述第一MOS管导通，以及控制所述第二MOS管关断；
或，
基于所述第三控制策略控制所述第一MOS管关断，以及控制所述第二MOS管导通。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，包括：
将所述第一漏源极电压输入第一比较器的反相端，将参考电压输入第一比较器的同相端；
将所述第一漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第一对比结果；
当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压小于所述参考电压时，所述第一比较器输出高电平，确定所述第一整流管的所述第一状态为导通；
当所述第一对比结果为所述第一漏源极电压不小于所述参考电压时，所述第一比较器输出低电平，确定所述第一整流管的所述第一状态为关断。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态，包括：
将所述第二漏源极电压输入第二比较器的反相端，将参考电压输入第二比较器的同相端；
将所述第二漏源极电压与所述参考电压进行对比，得到第二对比结果；
当所述第二对比结果为所述第二漏源极电压小于所述参考电压时，所述第二比较器输出高电平，确定所述第二整流管的所述第二状态为导通；
当所述第二对比结果为所述第二漏源极电压不小于所述参考电压时，所述第二比较器输出低电平，确定所述第二整流管的所述第二状态为关断。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
判断同步整流控制模式是否开启，当所述同步整流控制模式未开启时，控制所述同步整流控制模式开启，并控制所述第一MOS管和所述第二MOS管关断；
当所述同步整流控制模式开启时，执行所述同步整流控制方法。
8.一种同步整流控制装置，用于实现权利要求2所述的同步整流控制方法，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取目标同步整流电路中第一整流管中的第一MOS管的第一漏源极电压以及第二整流管中的第二MOS管的第二漏源极电压；
确定模块，用于根据所述第一漏源极电压确定所述第一MOS管对应的第一整流管对应的第一状态，以及根据所述第二漏源极电压确定所述第二MOS管对应的第二整流管对应的第二状态；
所述确定模块，用于根据所述第一状态和所述第二状态确定所述第一MOS管和所述第二MOS管的控制策略；
控制模块，用于基于所述控制策略对所述第一MOS管和所述第二MOS管进行控制，以控制所述目标同步整流电路。
9.一种设备，其特征在于，包括：处理器和存储器，所述处理器用于执行所述存储器中存储的同步整流控制程序，以实现权利要求2～7中任一项所述的同步整流控制方法。
10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有一个或者多个程序，所述一个或者多个程序可被一个或者多个处理器执行，以实现权利要求2～7中任一项所述的同步整流控制方法。
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