CN114073996B - 一种嵌套式微井阵列芯片及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种嵌套式可寻址微井阵列芯片，包括阵列分布的微井单元，所述微井单元包括阵列分布的微井，所述微井包括细胞捕获微井和设置在所述细胞捕获微井上方且与所述细胞捕获微井相连通的细胞培养微井，所述细胞培养微井的尺寸大于细胞捕获微井的尺寸，所述微井单元上设置有编码。本发明还提供了一种嵌套式可寻址微井阵列芯片的制备方法。本发明提供的芯片不会影响单细胞捕获率，同时提供细胞较大培养空间，有利于细胞的进一步培养。同时每个微井单元上设置有编码，可以实现单细胞准确追踪观测。

Description

一种嵌套式微井阵列芯片及其制备方法
技术领域
本发明属于微流控芯片技术领域，具体涉及一种嵌套式可寻址微井阵列芯片、模具及其制备方法。
背景技术
近年来，在单细胞分析相关的研究中，主要的高通量单细胞分析平台为微流控芯片，即利用芯片上集成的微流道、微孔或微电极等微米级功能元件将单细胞分离并捕获，再对其进行芯片上的培养和追踪。高通量分析有助于获取具有统计学意义的单细胞信息，对确定差异性结果源于随机波动或具有特殊生物功能意义具有重要作用。
基于微流控芯片的单细胞捕获与培养方法主要包括：微井阵列法、微液滴法、水力捕获法及外加场操控法。其中，微井阵列法因其操作方便，芯片设计简单，无需引入大量流道设计，具有较高通量等优点而得到广泛应用。在现有技术中，微井阵列法中微井尺寸与细胞大小接近，以利用尺寸排除原理提高单细胞捕获率，但微井的狭小空间限制了细胞生长及迁移，不利于单细胞长期培养与观测。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种嵌套式可寻址微井阵列芯片、模具及其制备方法，兼顾单细胞捕获率和培养空间。
为实现上述目的，本发明提供了一种嵌套式可寻址微井阵列芯片，所述嵌套式可寻址微井阵列芯片包括阵列分布的微井单元，所述微井单元包括阵列分布的微井，所述微井包括细胞捕获微井和设置在所述细胞捕获微井上且与所述细胞捕获微井相连通的细胞培养微井，所述细胞培养微井的尺寸大于所述细胞捕获微井的尺寸，所述微井单元上设置有编码。
在一个实施例中，所述微井单元编码位于所述微井单元的中心。
在一个实施例中，所述细胞培养微井的高度为20-30μm，所述细胞捕获微井的高度为20-30μm。
在一个实施例中，所述细胞捕获微井横截面的中垂线和所述细胞培养微井横截面的中垂线重合。
在一个实施例中，所述细胞捕获微井横截面为圆形，直径为15-30μm；所述细胞培养微井横截面为正方形，边长为80-120μm。
在一个实施例中，所述嵌套式可寻址微井阵列芯片包括十行十列的微井单元，相邻微井单元的间隔为200-220μm。
在一个实施例中，所述微井单元包括五行五列微井，相邻微井中心间隔为170-190μm。
在一个实施例中，所述编码设置在微井单元第三行第三列的位置。
本发明还提供了一种嵌套式可寻址微井阵列芯片的制备方法，包括：
提供模具，所述模具包括基底和设置在所述基底上且呈阵列分布的微结构阵列单元，所述微结构阵列单元包括阵列分布的微结构，所述微结构包括设置在所述基底上的细胞培养微井阴模和设置在所述细胞培养微井阴模上的细胞捕获微井阴模；所述细胞培养微井阴模的尺寸大于所述细胞捕获微井阴模的尺寸；所述微结构阵列单元上设置有编码阴模。
向所述模具中加入芯片成型材料，成型后脱模，得到芯片。
在一个实施例中，芯片成型材料为聚二甲基硅氧烷预聚体，其组分A和组分B重量比为5:1-15:1。
本发明还提供了一种模具，包括基底和设置在所述基底上且呈阵列分布的微结构阵列单元，所述微结构阵列单元包括阵列分布的微结构，所述微结构包括设置在所述基底上的细胞培养微井阴模和设置在所述细胞培养微井阴模上的细胞捕获微井阴模；所述细胞培养微井阴模的尺寸大于所述细胞捕获微井阴模的尺寸；所述微结构阵列单元上设置有编码阴模。
本发明提供的芯片包括阵列分布的微井单元，所述微井单元包括阵列分布的微井，所述微井包括细胞捕获微井和设置在所述细胞捕获微井上且与所述细胞捕获微井相连通的细胞培养微井；所述细胞培养微井的尺寸大于所述细胞捕获微井的尺寸；所述微井单元上设置有编码。本发明提供的芯片可以实现单细胞的高通量培养，芯片设置有细胞培养微井和细胞捕获微井，其中细胞培养微井的尺寸大于细胞捕获微井的尺寸，且细胞培养微井设置在细胞捕获微井上方，不会影响单细胞捕获率，同时可以为细胞提供较大培养空间，有利于细胞的进一步培养。另外，每个微井单元上设置有编码，可以实现单细胞准确追踪观测。本发明提供的嵌套式可寻址微井阵列芯片可应用于单细胞捕获、培养与观测中，在生命科学、医学、细胞生物学等领域具有广泛的应用前景。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的嵌套式可寻址微井阵列芯片的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的嵌套式可寻址微井阵列芯片微井单元的俯视显微图片，标尺100μm；
图3为本发明实施例提供的嵌套式可寻址微井阵列芯片的横切显微图片，标尺100μm；
图4为本发明实施例提供的嵌套式可寻址微井阵列芯片捕获单细胞的流程示意图；
图5为本发明实施例提供的嵌套式可寻址微井阵列芯片捕获荧光微球的显微图片，标尺100μm；
图6为本发明实施例提供的嵌套式可寻址微井阵列芯片捕获单细胞的显微图片，图中左图为FDA/PI染色的活细胞的显微图片，右图为同一区域FDA/PI染色的死细胞的显微图片，标尺100μm；
图7为本发明实施例提供的嵌套式可寻址微井阵列芯片进行单细胞培养的显微图片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。但本发明不限于以下实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种嵌套式可寻址微井阵列芯片，包括阵列分布的微井单元，所述微井单元包括阵列分布的微井，所述微井包括细胞捕获微井和设置在所述细胞捕获微井上且与所述细胞捕获微井相连通的细胞培养微井；所述细胞培养微井的尺寸大于所述细胞捕获微井的尺寸；所述微井单元上设置有编码。
参见图1、图2和图3，图1为实施例提供的嵌套式可寻址微井阵列芯片结构示意图，图2为实施例提供的嵌套式可寻址微井阵列芯片微井单元的俯视显微图，图3为实施例提供的嵌套式可寻址微井阵列芯片的横切显微图片，图中11表示微井单元，111表示微井，112表示编码，1111表示细胞培养微井，1112表示细胞捕获微井。
本发明中所述嵌套式可寻址微井阵列芯片包括微井单元11，微井单元11呈阵列分布，每个微井单元11包括呈阵列分布的微井111，微井111包括细胞培养微井1111和细胞捕获微井1112，细胞培养微井尺寸1111大于细胞捕获微井尺寸1112，微井单元11设置有编码112。
在一个实施例中，所述细胞培养微井1111高度为20-30μm，优选为25-30μm，更优选为25μm，其横截面可以为正方形，边长为80-120μm，优选为90-110μm，更优选为100μm；所述细胞捕获微井1112高度为20-30μm，优选为22-25μm，更优选为25μm，其横截面可以为圆形，直径为15-30μm，优选为22-25μm，更优选为25μm。
在一个实施例中，细胞捕获微井1112横截面的中垂线和细胞培养微井1111横截面的中垂线重合，即所述细胞培养微井1111在所述细胞捕获微井1112正上方，以便于细胞通过所述细胞培养微井被所述细胞捕获微井捕获。
在一个实施例中，一个微井单元11可以包括五行五列的微井111，相邻微井111的中心间隔为170-190μm，优选为170-180μm，更优选为180μm。
本发明中所述微井单元11设置有编码112，所述编码112可以设置在微井单元11的任意位置，优选设置在微井单元11的中心位置。在一个实施例中，微井单元11包括五行五列的微井111，所述编码112可以设置在微井单元11第三行第三列的位置。在本发明中，编码可以为数字编码，例如从00开始，按照微井单元的排列方式进行编码。
本发明中微井单元11呈阵列分布在所述嵌套式可寻址微井阵列芯片上，在一个实施例中，可以包括十行十列的微井单元11，相邻微井单元间隔为200-220μm，优选为200-210μm，更优选为210μm。
在本发明的一个实施例中，所述芯片包括十行十列的微井单元，每个微井阵列包括五行五列阵列，其中，第三行第三列为数字编码，其他24个位置为微井，此时，在显微镜10倍物镜下的同一观察视野可观测到整个芯片，微井单元和微井单元中的微井都能够被准确编码、识别及追踪。例如，含数字编码00的微井单元中，位于第一行第二列的微井具有编码00-A2，如图1所示。因此，本申请提供的芯片中，每一个被嵌套微井捕获的单细胞也能被一一编码和识别，解决了传统微井培养芯片中高密度、周期性排列的微井及其捕获的单细胞因无特殊标记易混淆失址，故难以实现对所有单细胞的准确追踪的问题。
本发明中所述微井阵列数、相邻微井中心间隔、微井单元阵列数、相邻微井单元间隔与所述嵌套式可寻址微井阵列芯片大小相关。在一个实施例中，嵌套式可寻址微井阵列芯片中包括十行十列微井单元，相邻微井单元间隔为200-220μm，每个微井单元中包括五行五列微井，相邻微井中心间隔为170-190μm。在其他实施例中，为了实现在同一视野观测，本领域技术人员可对微井阵列数、相邻微井中心间隔、微井单元阵列数和相邻微井单元间隔进行调整，本发明对此并无特殊限制。
本发明提供的芯片可以用于单细胞捕获，将其与单细胞悬液混合离心后，上层细胞培养微井和下层细胞捕获微井均可捕获细胞，但上层细胞培养微井中的细胞比下层细胞捕获微井中的细胞更易被冲走，因此经过多次溶液冲洗后上层细胞培养微井中的细胞将被冲走，而下层细胞捕获微井中的细胞得以保留。该方法解决了传统单层式微井为提高单细胞捕获率而缩小微井尺寸，从而限制了细胞生长的问题，同时也克服了使用大尺寸微井时为避免微井中同时捕获多个单细胞而使用稀细胞悬液，造成单细胞捕获效率低的弊端。在一个实施例中，采用浓度为300,000/mL的单细胞悬液，该芯片的单细胞捕获率高达35.0±18.2％，是传统利用自然沉积的单层大微井的捕获率(～0.8％)的44倍。
本发明还提供了一种模具，包括基底和设置在所述基底上且呈阵列分布的微结构阵列单元，所述微结构阵列单元包括阵列分布的微结构，所述微结构包括设置在所述基底上的细胞培养微井阴模和设置在所述细胞培养微井阴模上的细胞捕获微井阴模；所述细胞培养微井阴模的尺寸大于所述细胞捕获微井阴模的尺寸；所述微结构阵列单元上设置有编码阴模。
本发明提供的模具用于制备上述技术方案所述的嵌套式可寻址微井阵列芯片，模具的结构、尺寸与上述技术方案所述嵌套式可寻址微井阵列芯片相适应，本发明不再赘述。
在本发明中，所述模具可以按以下方式制备：
在基底上形成第一层光刻胶，覆盖第一掩模版，进行第一次紫外曝光，得到第一层具有潜在图形的光刻胶；
在所述第一层具有潜在图形的光刻胶上形成第二层光刻胶，覆盖第二掩模版，进行第二次紫外曝光，得到第二层具有潜在图形的光刻胶；
将所述基底上两层具有潜在图形的光刻胶进行显影处理，后处理后得到模具。
本发明首先在基底上形成第一层光刻胶，用于制备细胞培养微井阴模。本发明中，基底可以为硅片，第一层光刻胶可以为负性光刻胶。本发明可以采用旋涂的方式在基底上形成第一层光刻胶，旋涂参数为：以转速500rpm旋涂12s，接着以3000rpm旋涂30s。
形成所述第一层光刻胶后，进行前烘，去除溶剂；覆盖第一掩模版，掩模版的图案与光刻胶相关。在本发明中，光刻胶为负性光刻胶，掩模版的图案部分暴露；覆盖所述第一掩模版后进行紫外曝光，所述第一掩模版的图案部分的光刻胶发生交联，未发生交联的光刻胶后续去除；紫外曝光后进行后烘，得到第一层具有潜在图形的光刻胶，第一潜在图形即为包括细胞培养微井阵列的图形。其中，第一掩膜版可以按照以下方法制备：
利用AutoCAD画出包括呈阵列分布的微井单元的芯片的平面图形，所述微井单元包括呈阵列分布的细胞培养微井；
该上述平面图形制作成为第一掩膜版。
在所述第一层具有潜在图形的光刻胶上形成第二层光刻胶，用于制备细胞捕获微井阴模。本发明中，第二层光刻胶可以为负性光刻胶。本发明可以采用旋涂的方式形成第二层光刻胶，旋涂参数为：以转速500rpm旋涂12s，接着以3000rpm旋涂30s。
形成所述第二层光刻胶后，进行前烘，覆盖掩模版，进行紫外曝光，后烘，得到第二层具有潜在图形的光刻胶，第二潜在图形即为包括细胞捕获微井阵列的图形。其中，第二掩膜版可以按照以下方法制备：
利用AutoCAD画出包括呈阵列分布的微井单元的芯片的平面图形，所述微井单元包括呈阵列分布的细胞捕获微井；
该上述平面图形制作成为第二掩膜版。
将所述基底上两层具有潜在图形的光刻胶用显影液进行显影处理，去除未发生交联的光刻胶，得到具有两层图案的光刻胶。
显影处理之后，进行后处理。后处理具体为：将所述两层图案的光刻胶用硅烷化试剂处理，以便于消除表面活性基团，得到光刻胶模具。
本发明还提供了一种嵌套式可寻址微井阵列芯片的制备方法，包括：
提供模具；
向所述模具中加入芯片成型材料，成型后脱模，得到芯片。
在制备嵌套式可寻址微井阵列芯片的过程中，模具为上述技术方案所述的模具或者按照上述技术方案所述的方法制备得到的模具，本发明在此不再赘述。
得到模具后，向所述模具中加入芯片成型材料，成型后脱模，即可得到芯片。
在本发明中，采用的芯片成型材料可以为聚二甲基硅氧烷预聚体，包括组分A和组分B。在一个实施例中，聚二甲基硅氧烷预聚体组分A和组分B的重量比为5:1-15:1，优选为5:1-10:1，更优选为10:1，向所述模具中加入聚二甲基硅氧烷预聚体后，脱除气泡，常温下静置过夜，固化后分离模具，得到嵌套式可寻址微井阵列芯片。
得到嵌套式可寻址微井阵列芯片之后，对其进行灭菌，具体为：将嵌套式可寻址微井阵列芯片置于高温蒸汽锅中进行高温灭菌，在无菌环境下保存。
在一个实施例，对芯片进行灭菌之前，还包括对其进行切割，将整块的聚二甲基硅氧烷芯片切割为1cm×1cm大小的独立芯片。
本发明提供的芯片可以用于捕获细胞和培养细胞，参见图4，图4为实施例提供的嵌套式可寻址微井阵列芯片捕获单细胞的流程示意图，将芯片置于单细胞悬液中，离心的作用下单细胞进入细胞培养微井和细胞捕获微井，用PBS缓冲液冲洗，上层细胞培养微井中多余的细胞除去，而下层细胞捕获微井中的单细胞得以保留，从而实现单细胞捕获。
本发明以荧光微球作为细胞模型进行微球捕获实验，本发明提供的芯片对荧光微球的捕获率为64.8±12.6％；采用本发明提供的芯片进行单细胞捕获，单细胞捕获效率为35.0±18.2％，单细胞捕获率与最高单微球捕获率存在差异，其原因在于细胞间尺寸差异大于荧光微球；采用本发明提供的芯片进行单细胞捕获之后，测得单细胞活率为98.3±3.4％，说明该方法对细胞安全；捕获单细胞之后进行培养，观察到单细胞逐渐从下层细胞捕获微井中迁移出，进入上层细胞培养微井进行正常生长和增殖。
以下结合实施例对本发明提供的嵌套式可寻址微井阵列芯片、模具及其制备方法进行进一步说明。
实施例1：
按照以下步骤制备嵌套式可寻址微井阵列芯片：
制作光刻掩模版，包括以下步骤：利用AutoCAD画出第一层方形阵列对应的平面图形，正方形边长为100μm,相邻正方形中心的间隔为180μm，每24个正方形为一组构成一个方阵单元，方阵单元中心按照顺序绘制数字，相邻方阵相隔210μm；在1cm×1cm面积范围内绘制共十行十列的方阵单元，共含有100个方阵单元；根据第一层方形阵列图形的相对坐标，利用AutoCAD画出第二层圆形阵列对应的平面图形，图形参数为：圆形直径为20μm,相邻正方形中心的间隔为180μm，每24个圆形为一组构成一个方阵单元，方阵单元中心按照顺序绘制数字，相邻方阵单元相隔210μm；在1cm×1cm面积范围内绘制共十行十列的方阵单元，共含有100个方阵单元；将第一层方形阵列对应的平面图形制作为第一掩模版；将第二层可寻址圆形阵列对应的平面图形制作为第二掩模版。
制备光刻胶模具，包括以下步骤：将洁净的硅片作为基底，在基底上旋涂第一层SU-8 3050光刻胶，旋涂参数为：以转速500rpm旋涂12s，接着以转速3000rpm旋涂30s；再进行前烘，前烘参数为：在温度65℃下加热1min，再于温度95℃下加热12min；将第一掩模版置于SU-8 3050光刻胶层上方，利用曝光机进行紫外曝光，曝光时间为18s，曝光功率为9.5mW/cm2，再进行后烘，后烘参数为：在温度65℃下加热1min，再于温度95℃下加热3min；在第一层SU-8 3050光刻胶上旋涂第二层SU-8 2025光刻胶，旋涂参数为：以转速500rpm旋涂12s，接着以转速3000rpm旋涂30s；进行前烘，前烘参数：在温度65℃下加热1min，再于温度95℃下加热10min；将第二掩模版置于第二层SU-8 2025光刻胶层上方，利用曝光机进行紫外对准曝光，曝光时间为15s，曝光功率为9.5mW/cm2；进行后曝光，曝光时间为18s，曝光功率为9.5mW/cm2，然后进行后烘，后烘参数为：在温度65℃下加热1min，再于温度95℃下加热3min，得到双层具有潜在图形的光刻胶；将基底上双层具有潜在图形的光刻胶用显影液处理3min后显影，得到具有双层图形的光刻胶；用硅烷化试剂处理具有双层图形的光刻胶，得到模具。
制备嵌套式可寻址微井阵列芯片，包括以下步骤：将聚二甲基硅氧烷预聚体组分A和组分B按照重量比10:1混合，倾倒在光刻胶模具上；利用真空泵抽气约30min脱除气泡；将脱除气泡后的预聚体混合物静置，常温下放置过夜使之固化；将固化后的聚二甲基硅氧烷芯片从模具上脱除，，将整块的聚二甲基硅氧烷芯片切割为1cm×1cm大小的独立芯片，得到嵌套式可寻址微井阵列芯片；将嵌套式可寻址微井阵列芯片置于高温蒸汽锅中进行高温灭菌；将灭菌后的芯片置于无菌环境下保存。
实施例2～4：
以直径为15μm、密度为1.08g/cm3的荧光微球模拟细胞进行捕获实验：
将实施例1提供的嵌套式可寻址微井阵列芯片放入含有PDMS桩体的离心管中；将5mL浓度为3×105/mL的荧光微球悬液、嵌套式可寻址微井阵列芯片和离心管进行离心，离心转速为600g，时间为1s；离心结束后将芯片取出，冲洗除去芯片上多余的荧光微球；参见图5，计算得到芯片的单荧光微球捕获率为64.8±12.6％，其中，捕获效率按照公式(I)计算：
捕获效率＝每个阵列中含单个荧光微球的微井数/24*100％。将离心转速600g替换为300g，计算得到荧光微球捕获率为1.6±2.1％。
将离心转速600g替换为450g，计算得到荧光微球捕获率为21.3±9.8％。
实施例5：
将实施例1提供的芯片放入无菌的含有PDMS桩体的离心管中；将5mL浓度为3×105/mL的单细胞悬液、嵌套式可寻址微井阵列芯片和离心管进行离心，离心转速为600g，离心时间为1s；离心结束后将芯片取出，用PBS缓冲液冲洗除去多余的细胞；计算芯片的单细胞捕获率为35.0±18.2％。
测定单细胞存活率，利用二乙酸荧光素(FDA)/碘化丙啶(PI)染色实验确定细胞死活，其中FDA最终浓度为2μg/mL，PI最终浓度为10μg/mL，染色时间为30min；参见图6，计算得到捕获的单细胞存活率为98.3±3.4％，说明该方法对细胞安全。
进行单细胞培养，将捕获单细胞的芯片置于活细胞工作站中培养，并进行连续观测；分别在0h、2h、4h、6h、8h、10h、12h、18h、24h、36h、48h、60h、72h、84h和96h对初始捕获单细胞的微井进行追踪拍摄；参见图7，可观察到细胞形态正常且可正常增殖，同时观察到单细胞将逐渐从下层细胞捕获微井中迁移出，进入上层细胞培养微井。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (9)

1.一种嵌套式可寻址微井阵列芯片，其特征在于，包括阵列分布的微井单元，所述微井单元包括阵列分布的微井，所述微井包括细胞捕获微井和设置在所述细胞捕获微井上且与所述细胞捕获微井相连通的细胞培养微井；
所述细胞培养微井的尺寸大于所述细胞捕获微井的尺寸；
所述微井单元上设置有编码；
所述细胞培养微井设置有细胞悬液入口和细胞培养液出口；
所述细胞捕获微井横截面的中垂线和所述细胞培养微井横截面的中垂线重合。
2.根据权利要求1所述的嵌套式可寻址微井阵列芯片，其特征在于，所述微井单元中，所述编码位于所述微井单元的中心。
3.根据权利要求1所述的嵌套式可寻址微井阵列芯片，其特征在于，所述微井中，所述细胞培养微井的高度为20-30μm，所述细胞捕获微井的高度为20-30μm。
4.根据权利要求3所述的嵌套式可寻址微井阵列芯片，其特征在于，所述细胞捕获微井的横截面为圆形，直径为15-30μm；
所述细胞培养微井的横截面为正方形，边长为80-120μm。
5.根据权利要求4所述的嵌套式可寻址微井阵列芯片，其特征在于，所述嵌套式可寻址微井阵列芯片包括十行十列微井单元，相邻微井单元间隔为200-220μm；
每个微井单元包括五行五列微井，相邻微井中心间隔为170-190μm。
6.根据权利要求5所述的嵌套式可寻址微井阵列芯片，其特征在于，所述微井单元中，编码设置在第三行第三列的位置。
7.权利要求1~6任意一项所述的嵌套式可寻址微井阵列芯片的制备方法，包括：
提供模具，所述模具包括基底和设置在所述基底上、且呈阵列分布的微结构阵列单元，所述微结构阵列单元包括阵列分布的微结构，所述微结构包括设置在所述基底上的细胞培养微井阴模和设置在所述细胞培养微井阴模上的细胞捕获微井阴模；所述细胞培养微井阴模的尺寸大于所述细胞捕获微井阴模的尺寸；所述微结构阵列单元上设置有编码阴模；所述细胞培养微井阴模上设置有细胞悬液入口和细胞培养液出口；
所述细胞捕获微井阴模横截面的中垂线和所述细胞培养微井阴模横截面的中垂线重合；
向所述模具中加入芯片成型材料，成型后脱模，得到芯片。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述芯片成型材料为聚二甲基硅氧烷预聚体。
9.一种模具，其特征在于，包括基底和设置在所述基底上且呈阵列分布的微结构阵列单元，所述微结构阵列单元包括阵列分布的微结构，所述微结构包括设置在所述基底上的细胞培养微井阴模和设置在所述细胞培养微井阴模上的细胞捕获微井阴模；
所述细胞培养微井阴模的尺寸大于所述细胞捕获微井阴模的尺寸；
所述微结构阵列单元上设置有编码阴模；
所述细胞培养微井阴模上设置有细胞悬液入口和细胞培养液出口；
所述细胞捕获微井阴模横截面的中垂线和所述细胞培养微井阴模横截面的中垂线重合。
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