CN114038960A - 微发光二极管磊晶结构及其制造方法、微发光二极管 - Google Patents

微发光二极管磊晶结构及其制造方法、微发光二极管 Download PDF

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Abstract

本发明涉及微发光二极管磊晶结构及其制造方法、微发光二极管，所述微发光二极管磊晶结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层；所述有源层包括N层(AlBGa1‑B)0.5In0.5P垒和N+1层(AlAGa1‑A)0.5In0.5P阱。通过N层(AlBGa1‑B)0.5In0.5P垒和N+1层(AlAGa1‑A)0.5In0.5P阱形成3‑5对量子阱，可减少有源层对红光波段的吸收，同时减少了电子空穴的移动空间，以降低电流扩展，在微发光二极管磊晶结构在发光时，可使得光在更低的电流密度下被提取，进而提高微发光二极管磊晶结构的发光效率。

Description

微发光二极管磊晶结构及其制造方法、微发光二极管
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及微发光二极管磊晶结构及其制造方法、微发光二极管。
背景技术
高亮度发光二极管应用广泛，它是通过半导体材料中导带电子和价带空穴的辐射复合产生光子，将电能直接转化为光能的电子元器件，与传统光源相比，其具有高效、节能、环保和长寿等优点，在节能减排、绿色发展中发挥了重要作用。
微发光二极管芯片包括有源层，有源层中具有AlGaInP垒和AlGaInP阱，现有技术中，AlGaInP垒和AlGaInP阱的层数多，AlGaInP垒和AlGaInP阱形成量子阱，现有微发光二极管芯片的有源层具有25对甚至更多对量子阱，量子阱的对数越多，有源层会吸收更多的光波段，有源层具有较多对数的量子阱，电子空穴在有源层中的移动空间较大，光需要在较高的电流密度下才能被提取，使得发光二极管芯片中磊晶结构的发光效率较低。
因此，如何让微发光二极管磊晶结构在发光时，使光在电流密度较低的情况下被提前提取是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种微发光二极管磊晶结构及其制造方法，旨在解决微发光二极管磊晶结构在发光时，较高的电流密度影响发光效率的技术问题。
一种微发光二极管磊晶结构，所述微发光二极管磊晶结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层；
所述有源层包括N层(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒和N+1层(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱，所述有源层中(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒与(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱交替层叠设置，其中，B>A，2≤N≤4。
通过N层(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒和N+1层(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱形成3-5对量子阱，可减少有源层对红光波段的吸收，同时减少了电子空穴的移动空间，以降低电流扩展，在微发光二极管磊晶结构在发光时，使光在更低的电流密度下被提取，进而提高微发光二极管磊晶结构发光效率。
可选的，在所述(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱中，0.2≤A≤0.3；在所述(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒中，0.6≤B≤0.7。通过控制A和B的取值，可使得量子阱中电子和空穴复合的几率增加，提高了所述微发光二极管磊晶结构的发光效率。
可选的，所述有源层的厚度为20-50nm，使得有源层减少了对红光波段的吸收，同时使微发光二极管磊晶结构中电子空穴的移动空间减少。
可选的，所述第一半导体层包括依次层叠设置的缓冲层、腐蚀停止层和第一限制层；所述第一限制层与所述有源层接触，其中，所述缓冲层厚度为0.4-0.6um，所述腐蚀停止层厚度为2.0-4.0μm，所述第一限制层厚度为0.3-0.6um。使得第一半导体的整体厚度大幅减薄，降低生长形成所述第一半导体的原料成本，缩短了生长形成微发光二极管磊晶结构的周期。
可选地，所述第二半导体层包括第二限制层和电流扩展层，所述第二限制层与所述有源层接触；所述电流扩展层的厚度为0.5-1um。降低电流扩展层中空穴的移动，使得电流扩展层的电流扩展变差，有利于光在电流密度较低的情况下被提取。
可选的，所述第二限制层的厚度为0.3-1um。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种微发光二极管磊晶结构的制造方法，包括：
在衬底上生长形成第一半导体层；
在所述第一半导体层中背离所述衬底的表面上形成有源层，所述有源层包括交替层叠设置的(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱和(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒，其中，(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱的层数为N+1，(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒的层数为N，B>A，2≤N≤4；
在所述有源层中远离所述第一半导体层的表面生长形成第二半导体层。
通过N层(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒和N+1层(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱形成3-5对量子阱，可减少有源层对红光波段的吸收，同时减少了电子空穴的移动空间，以降低电流扩展，在磊晶结构在发光时，可使得光在更低的电流密度下被提取，进而提高微发光二极管磊晶结构发光效率。
可选的，在所述第一半导体层背离所述衬底的表面上形成有源层时，交替控制Ga以及Al的含量，以交替生长所述(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒和(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱，其中，0.2≤A≤0.3，0.6≤B≤0.7。通过控制A和B的取值，可使得量子阱中电子和空穴复合的几率增加，提高了所述微发光二极管磊晶结构的发光效率。
可选的，在衬底上生长形成第一半导体层之前，通过H2对所述衬底进行吹扫，以清洁所述衬底的表面；控制所述衬底所在的环境温度以去除附在所述衬底上的水气。通过去除衬底上的杂质以及水气，提高生长微发光二极管芯片的制造良率。
通过控制有源层的生长厚度，使得有源层减少了对光波段的吸收，同时使微发光二极管磊晶结构中电子空穴的移动空间减少。
可选的，所述第一半导体层包括第二限制层和电流扩展层；在所述有源层中远离所述第一半导体层的表面生长形成第二半导体层时：
通过控制所述电流扩展层的生长时间，使得所述电流扩展层的厚度为0.5-1um。通过控制电流扩展层的生长厚度，降低电流扩展层中空穴的移动，使得电流扩展层的电流扩展变差，有利于光在电流密度较低的情况下被提取，提高了微发光二极管芯片磊晶结构的发光效率。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种微发光二极管，所述微发光二极管包括如上任一项所述的微发光二极管磊晶结构。
通过N层(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒和N+1层(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱形成3-5对量子阱，可减少有源层对红光波段的吸收，同时减少了电子空穴的移动空间，以降低电流扩展，在微发光二极管在发光时，使光在更低的电流密度下被提取，进而提高微发光二极管的发光效率。
附图说明
图1为本申请实施例提供的在衬底生长形成的微发光二极管磊晶结构的结构示意图；
图2为微发光二极管磊晶结构的量子提取效率与电路密度的关系曲线图；
图3为本申请实施例提供的微发光二极管磊晶结构制造方法的流程示意图。
附图标记说明：
10-衬底；
20-第一半导体层；21-缓冲层；22-腐蚀停止层；23-第一限制层；
30-有源层；31-(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱；32-(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒；
40-第二半导体层；41-第二限制层；42-电流扩展层。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
现有方案的问题阐述高亮度发光二极管应用广泛，它是通过半导体材料中导带电子和价带空穴的辐射复合产生光子，将电能直接转化为光能的电子元器件，与传统光源相比，其具有高效、节能、环保和长寿等优点，在节能减排、绿色发展中发挥了重要作用。
微发光二极管芯片包括有源层，有源层中具有AlGaInP垒和AlGaInP阱，现有技术中，AlGaInP垒和AlGaInP阱的层数多，AlGaInP垒和AlGaInP阱形成量子阱，现有微发光二极管芯片的有源层具有25对甚至更多对量子阱，量子阱的对数越多，有源层会吸收更多的光波段，有源层具有较多对数的量子阱，电子空穴在有源层中的移动空间较大，光需要在较高的电流密度下才能被提取，使得发光二极管芯片中磊晶结构的发光效率较低。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
请参见图1，本申请方案的详细阐述一种微发光二极管磊晶结构，所述微发光二极管磊晶结构第一半导体层20、有源层30和第二半导体层40；具体地，所述有源层30设置于所述第一半导体层20上，所述第二半导体层40设置在所述有源层30中远离所述第一半导体层20的表面。
在本申请提供的实施例中，所述有源层30包括N层(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32和N+1层(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31，所述有源层30中(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32与(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31交替层叠设置，其中，2≤N≤4；示例性地，在形成所述有源层30时，先在第一半导体层20上形成一层(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31，然后在(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31中远离所述第一半导体层20的表面形成一层(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32，之后又在(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32中远离所述第一半导体层20的表面形成一层(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31，以此类推，最终形成N层(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32和N+1层(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31。
在本申请提供的实施例中，(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32和(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31可形成量子阱，N个(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32和N+1层(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31形成N+1对量子阱。
在本申请提供的实施例中，所述N的取值在2-4之间，有源层30中量子阱的对数在3-5之间，本申请公开的微发光二极管磊晶结构在发光的过程中，因有源层30中仅有3-5对量子阱，使得有源层对光波段的吸收较小，提高了所述微发光二极管磊晶结构的发光效率。
在本申请提供的实施例中，所述有源层30的厚度为20-50nm，其中，每层所述(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31的厚度为4-5nm，每层所述(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32的厚度为4-5nm，(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32的层数在2-4之间，(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31层数在3-5之间，使得有源层30总体厚度较薄，在有源层30中，电子空穴的移动空间较小，降低了电流扩展，使得光可在较低的电流密度下被提取，进一步提高了所述微发光二极管磊晶结构的发光效率。
在本申请提供的实施例中，在每层所述(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31和所述(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32中，当0.2≤A≤0.3；且0.6≤B≤0.7时，可使得量子阱中电子和空穴复合的几率增加，所述微发光二极管磊晶结构的发光效率。
所述第一半导体层20包括依次层叠设置的缓冲层21、腐蚀停止层22和第一限制层23；所述第一限制层23与所述有源层30接触，具体的，所述第一限制层23与所述有源层30中一(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31接触，其中，所述缓冲层21具体为GaAs Buffer，所述缓冲层21厚度为0.4-0.6um，所述腐蚀停止层22具体为GaInP，所述腐蚀停止层22的厚度为2.0-4.0μm，所述第一限制层23具体为P-AlInP，所述第一限制层23的厚度为0.3-0.6um。
在本申请提供的实施例中，通过控制缓冲层21、腐蚀停止层22、第一限制层23的厚度，控制所述第一半导体层20的总体厚度，进而控制微发光二极管磊晶结构的整体厚度，与传统的发光二极管芯片相比，所述微发光二极管磊晶结构中第一半导体20的厚度大幅减薄，降低了生成微发光二极管磊晶结构的原料成本，缩短了生长形成微发光二极管磊晶结构的生长周期。
所述第二半导体层40包括第二限制层41和电流扩展层42，所述第二限制层42与所述有源层30接触。
在本申请实施例中，所述电流扩展层42的厚度为0.5-1um；而传统的发光二极管磊晶结构中，电流扩展层的厚度为2um左右，本申请公开的微发光二极管磊晶结构中的电流扩展层42的厚度较薄，降低了所述微发光二极管芯片磊晶结构中电子空穴的移动，降低了电流在所述电流扩展层42的扩展，使得微发光二极管磊晶结构在发光时，光在更低的电流密度下被提取，以提供微发光二极管磊晶结构的发光效率，具体参见图2，图2为微发光二极管磊晶结构的量子提取效率与电路密度的关系曲线图；a为本申请提供的电流扩展层42的厚度为1um的发光二极管中电路密度(Current Density)与量子提取效率的关系曲线，b为传统的电流扩展层70的厚度为21um的发光二极管芯片中电路密度与量子提取效率的关系曲线；当电路密度为0-10A/cm2时，本申请提供的微发光二极管磊晶结构的量子提取效率更高，本申请提供的微发光二极管磊晶结构更适合应用在微型发光二极管中。
所述第二半导体层40的总体厚度偏薄，其中，所述电流扩展层42的厚度为0.5-1um，所述第二限制层41的厚度为0.3-1um，可降低生长形成所述第二半导体层40原料成本，减少生长形成微发光二极管磊晶结构的周期。
本申请还公开一种微发光二极管，所述微发光二极管所述的微发光二极管磊晶结构。所述微发光二极管磊晶结构包括N层(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32和N+1层(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31形成3-5对量子阱，可减少有源层30对红光波段的吸收，同时减少了电子空穴的移动空间，以降低电流扩展，在微发光二极管在发光时，使光在更低的电流密度下被提取，进而提高微发光二极管的发光效率。
参见图3，图3为本申请实施例提供的微发光二极管磊晶结构制造方法的流程示意图，所述方法包括步骤：
S1，在衬底10上依次形成第一半导体层20。
在本申请提供的实施例中，通过金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)生成微发光二极管磊晶结构。
具体的，将所述衬底放置于所述MOCVD设备中，所述微发光二极管磊晶结构在所述衬底10上生长形成。
在生长第一半导体层20时，使MOCVD设备中反应腔中的温度维持在预设温度范围内，具体地，可将所述MOCVD设备中反应腔的温度维持为650-750℃，可以理解的，还可将所述MOCVD设备中反应腔的温度控制在其他温度范围内。
S2，在所述第一半导体层20中背离所述衬底10的表面上形成有源层30，所述有源层30包括交替层叠设置的(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31和(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32，其中，(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31的层数为N+1，(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32的层数为N，B>A，2≤N≤4；
在本申请提供的实施例中，在形成所述有源层30时，控制MOCVD设备中反应腔的温度同时控制反应腔中的压强，同时，通过MOCVD设备控制Ga和Al通入反应腔中的量，以形成(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31和(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32，所述MOCVD设备通过控制Ga和Al通入反应腔中的量，可控制A和B的值。
在一种可能的实现方式中，在所述第一半导体层20上生长形成有源层30时，所述MOCVD设备中反应腔的温度可控制在650-750℃之间，反应腔中的压强具体为45-65mbar，可以理解的是，在所述MOCVD设备中反应腔中生长所述第一半导体层20时，所述MOCVD设备中反应腔的温度、压强还可设置在其他范围内。
在本申请提供的实施例中，(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31和(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32组成的量子阱的数量为3-5对，本申请实施例公开的量子阱的对数远低于传统的量子阱对数，使得当所述微发光二极管磊晶结构在发光时，微发光二极管磊晶结构中有源层50减少了对光波段的吸收，同时减少了电子空穴在有源层30中的移动空间，降低了电流在有源层30中的扩展，在使得微发光二极管磊晶结构在发光时，光在更低的电流密度下被提取。
S3，在所述有源层30中远离所述第一半导体层20的表面生长形成第二半导体层40。
具体地，在生长所述第二半导体层40时，控制所述MOCVD设备中反应腔的温度和压强，具体可将所述MOCVD设备中反应腔的温度控制在650-750℃之间，反应腔中的压强可控制在45-65mbar之间。可以理解的，所述MOCVD设备中反应腔的温度和压强还可控制在其他范围内，以生长所述第二半导体层40。
在本申请提供的实施例中，在所述MOCVD设备中的反应腔生长所述有源层时，交替生长(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31和(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32，通过控制切换所述(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31和生长(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32的生长时间，来控制(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31和(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32的厚度，(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31的厚度可为4-5nm，(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32可为4-5nm，所述有源层30的总体厚度为20-50nm。当然，AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31和(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32还可以为其它厚度，所述有源层30的总体厚度也可处于其它厚度范围内。
在所述MOCVD设备中的反应腔生长所述有源层30时，通过控制Ga和Al通入所述MOCVD设备中的反应腔的含量，来控制A和B的取值，在生长形成(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱31时，可使得0.2≤A≤0.3；在生长形成(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒32时，可使得0.6≤B≤0.7，可以理解的是，A和B还可以是其它取值范围。
在本申请提供的实施例中，所述第一半导体层20包括依次层叠设置的缓冲层21、腐蚀停止层22和第一限制层23；所述第一限制层22与所述有源层30接触；在生长形成第一半导体层20，先后所述衬底10上生长缓冲层21、腐蚀停止层22和第一限制层23；通过控制缓冲层21、腐蚀停止层22和第一限制层23的生长时间分别控制缓冲层21、腐蚀停止层22和第一限制层23的厚度，示例性地，所述缓冲层21厚度为0.4-0.6um，所述腐蚀停止层22厚度为2.0-4.0μm，所述第一限制层23厚度为0.3-0.6um，使得所述第一半导体层20的总体厚度偏薄，可节约生长第一半导体层20的原料，可缩短所述第一半导体层20的生长周期。可以理解的是，所述缓冲层21、腐蚀停止层22和第一限制层23的厚度还可为其它厚度。
所述第二半导体层40包括第二限制层41和电流扩展层42，所述第二限制层41与所述有源层30接触；在生长所述第二半导体层时，先后在所述有源层30中远离第一半导体层20的表面生长第二限制层41和电流扩展层42，在生长所述第二半导体层40时，先后控制生长第二限制层41和电流扩展层42的时间，进而实现控制第二限制层41和电流扩展层42的厚度，所述电流扩展层42的厚度为0.5-1um，所述第二限制层42的厚度为0.3-1um。
在本申请提供的实施例中，所述电流扩展层42的厚度被控制0.5-1um之间，而传统的发光二极管磊晶结构中，电流扩展层42的厚度为2um左右，本申请公开的微发光二极管磊晶结构中的电流扩展层42的厚度较薄，降低了所述微发光二极管芯片磊晶结构中电子空穴的移动，降低了电流在所述电流扩展层42的扩展，使得微发光二极管磊晶结构在发光时，光在更低的电流密度下被提取，提高了微发光二极管磊晶结构的发光效率。图2为微发光二极管磊晶结构的量子提取效率与电路密度的关系曲线图；a为本申请提供的电流扩展层42的厚度为1um的发光二极管中电路密度(Current Density)与量子提取效率的关系曲线，b为传统的电流扩展层70的厚度为21um的发光二极管芯片中电路密度与量子提取效率的关系曲线；当电路密度为0-10A/cm2时，本申请提供的微发光二极管磊晶结构的量子提取效率更高，本申请提供的微发光二极管磊晶结构更适合应用在微型发光二极管中。
在本申请提供的实施例中，在衬底10上生长形成第一半导体层20之前，将衬底10放置于MOCVD设备的反应腔中，通过H2对衬底10进行吹扫，以对所述衬底10进行清扫，扫除所述衬底10上的杂质，与此同时，通过高温处理掉MOCVD设备中反应腔中的水气，再在衬底10上生长形成第一半导体层20。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (11)

1.一种微发光二极管磊晶结构，其特征在于，所述微发光二极管磊晶结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层；
所述有源层包括N层(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒和N+1层(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱，所述有源层中(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒与(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱交替层叠设置，其中，B>A，2≤N≤4。
2.如权利要求1所述的微发光二极管磊晶结构，其特征在于，在所述(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱中，0.2≤A≤0.3；
在所述(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒中，0.6≤B≤0.7。
3.如权利要求1所述的微发光二极管磊晶结构，其特征在于，所述有源层的厚度为20-50nm。
4.如权利要求1所述的微发光二极管磊晶结构，其特征在于，所述第一半导体层包括依次层叠设置的缓冲层、腐蚀停止层和第一限制层；所述第一限制层与所述有源层接触，其中，所述缓冲层厚度为0.4-0.6um，所述腐蚀停止层厚度为2.0-4.0μm，所述第一限制层厚度为0.3-0.6um。
5.如权利要求1所述的微发光二极管磊晶结构，其特征在于，所述第二半导体层包括第二限制层和电流扩展层，所述第二限制层与所述有源层接触；所述电流扩展层的厚度为0.5-1um。
6.如权利要求5所述的微发光二极管磊晶结构，其特征在于，所述第二限制层的厚度为0.3-1um。
7.一种微发光二极管磊晶结构的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底上生长形成第一半导体层；
在所述第一半导体层中背离所述衬底的表面上形成有源层，所述有源层包括交替层叠设置的(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱和(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒，其中，(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱的层数为N+1，(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒的层数为N，B>A，2≤N≤4；
在所述有源层中远离所述第一半导体层的表面生长形成第二半导体层。
8.如权利要求7所述的微发光二极管磊晶结构的制造方法，其特征在于，在所述第一半导体层背离所述衬底的表面上形成有源层时：
交替控制Ga以及Al的含量，以交替生长所述(AlBGa1-B)0.5In0.5P垒和(AlAGa1-A)0.5In0.5P阱，其中，0.2≤A≤0.3，0.6≤B≤0.7。
9.如权利要求7所述的微发光二极管磊晶结构的制造方法，其特征在于，在衬底上生长形成第一半导体层之前，通过H2对所述衬底进行吹扫，以清洁所述衬底的表面；
控制所述衬底所在的环境温度以去除附在所述衬底上的水气。
10.如权利要求7所述的微发光二极管磊晶结构的制造方法，其特征在于，所述第一半导体层包括第二限制层和电流扩展层；在所述有源层中远离所述第一半导体层的表面生长形成第二半导体层时：
通过控制所述电流扩展层的生长时间，使得所述电流扩展层的厚度为0.5-1um。
11.一种微发光二极管，其特征在于，所述微发光二极管包括如权利要求1-6任一项所述的微发光二极管磊晶结构。
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