CN114026740B - 一种低成本的滤波器 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 248
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 128
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 53
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 26
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/2039—Galvanic coupling between Input/Output
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
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- H—ELECTRICITY
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1758—Series LC in shunt or branch path
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1766—Parallel LC in series path
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/10—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference
- H04B1/1018—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference noise filters connected between the power supply and the receiver
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
- H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
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- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
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Abstract
本申请实施例提供了一种滤波器,其输入端用于接收射频信号,输出端用于输出滤波后的射频信号。该滤波器包括第一滤波电容和第一接地过孔,其中第一滤波电容设置于基板中或基板的一表面,其第一端与滤波器的输入端或输出端耦合,第二端与设置于基板中的第一接地过孔的一端耦合,且第一接地过孔的另一端与地耦合。本申请利用第一接地过孔产生的寄生电感效应,将第一接地过孔等效的寄生电感代替现有的电感器件,减少了滤波器中电感器件的使用,从而减小了滤波器的面积并降低了其设计成本。
Description
技术领域
本申请涉及电路技术,尤其涉及一种低成本的滤波器。
背景技术
随着无线通信技术的快速发展,无线通信***中信号发射设备需要满足更加严格的要求。在信号发射设备中,由于功率放大器(Power Amplifier,PA)的非线性特性,其输出的射频(Radio Frequency,RF)信号会携带以二次谐波和三次谐波为主的谐波信号,从而影响无线通信***的性能。通过在功率放大器的输出端耦合一个匹配电路,以实现低通滤波器(Low Pass Filter,LPF),可以抑制上述二次谐波和三次谐波。LPF可以通过集成电路来实现,但其成本较高。目前,更多的厂家倾向于使用电容和电感器件来搭建LPF,从而满足相关的滤波需求。
LPF通常包括多个电容和电感。如图1所示的是现有技术中的一种LPF的电路结构图,其中串联的电容C11和电感L11,以及串联的电容C12和电感L12并联在输入端Vin和电感L14之间的节点,电容C13和电感L13串联,其中电容C13的一端与输出端Vout耦合,且与电感L14一端耦合,电感L13的一端与电容C13耦合,另一端接地。。该LPF对应三个谐振频率,因此可以调整上述电容和电感值,分别确定三个谐振频率点,从而滤除对应频率的谐波。图1中的LPF使用了3个电容器件和4个电感器件。由于贴片层叠电容和电感的成本不断上升,且层叠电感的成本高于层叠电容,因此如何在保证LPF性能的同时减少电感器件带来的成本,成为亟需解决的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种滤波器,可以通过接地过孔代替滤波电感器件,从而降低滤波器成本。
第一方面,在本申请的实施例中提供一种滤波器,包括设置于基板中或设置于基板表面的第一滤波电容,其第一端与滤波器的输入端或输出端耦合;以及设置于上述基板中的第一接地过孔,其第一端与第一滤波电容的第二端耦合,第一接地过孔的第二端与地耦合。上述输入端用于接收射频信号,输出端用于输出滤波后的射频信号。上述滤波电容可以为设置在基板信号层上的电容器件。
上述第一接地过孔产生寄生电感效应,即等效为一个寄生电感,且该第一接地过孔和第一滤波电容之间的导线也会产生寄生电感,这些寄生电感可以作为谐振时的电感。因此可以将第一接地过孔替代现有技术中基板上的滤波电感器件。在寄生电感值可以通过改变第一接地过孔的参数等方法来调节的基础上,第一接地过孔可以实现滤波电感器件的功能,减小了原本滤波电感器件占用的面积,同时降低了器件的成本。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中的至少一个与第一接地过孔并联的第二接地过孔,即每个第二接地过孔的第一端与第一滤波电容的第二端耦合,且其第二端与地耦合。在第一过孔的基础上设置第二接地过孔,可以使得等效的寄生电感值变小,便于更加灵活地调节寄生电感值。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中或基板表面的第一滤波电感,其中第一滤波电容的第一端与输出端耦合,且第一滤波电容的第一端通过第一滤波电感与输入端耦合。第一滤波电感与第一滤波电容以及第一接地过孔形成低通滤波器,可以滤除射频信号中的谐波。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中或基板表面的第一滤波电感,其中第一滤波电容的第一端与输入端耦合,且第一滤波电容的第一端通过第一滤波电感与输出端耦合。第一滤波电感与第一滤波电容以及第一接地过孔形成低通滤波器,可以滤除射频信号中的谐波。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中或基板表面的第二滤波电感,其中第一滤波电容的第一端通过第二滤波电感与输入端耦合。第二滤波电感可以进一步提高滤波器的滤波性能。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中或基板表面的第二滤波电容,以及设置于基板中的第二接地过孔,其中第二滤波电容的第一端与输出端耦合,且第二滤波电容的第一端通过第一滤波电感与上述输入端耦合;第二接地过孔的第一端与第二滤波电容的第二端耦合,第二接地过孔的第二端与地耦合。滤波器包含两个谐振频率,其中一个谐振频率主要通过第一滤波电容和第一接地过孔的寄生电感确定,另一个谐振频率主要通过第二滤波电容和第二接地过孔的寄生电感确定。将上述两个谐振频率设定在期望去除的谐波的频率上,即可滤除对应频率的谐波。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中或基板表面的第三滤波电容,以及设置于基板中的第三接地过孔,其中第三滤波电容的第一端与输入端耦合,且第三滤波电容的第一端通过第一滤波电感与输出端耦合;上述第三接地过孔的第一端与第三滤波电容的第二端耦合,第三接地过孔的第二端与地耦合。滤波器还包含第三个谐振频率,主要通过第三滤波电容和第三接地过孔的寄生电感确定。将上述三个谐振频率设定在期望去除的谐波的频率上,即可滤除对应频率的谐波。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中或基板表面的第二滤波电感,其中第二滤波电感耦合于第二滤波电容的第一端和第三滤波电容的第一端。第二滤波电感可以进一步提高滤波器的滤波性能。
在一种可能的实施方式中,上述第一滤波电容的第一端与输入端耦合,第一滤波电容的第二端与输出端耦合。第一滤波电感与第一滤波电容以及第一接地过孔形成高通滤波器,可以滤除射频信号中的低频分量。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中或基板表面的第二滤波电容和第一滤波电感,其中第一滤波电容的第一端与地耦合,第一滤波电容的第二端通过上述第一滤波电感分别与上述输出端、第一接地过孔的第一端和第二滤波电容的第一端耦合,上述第二滤波电容的第二端与上述地耦合。第二滤波电容、第一滤波电感与第一滤波电容以及第一接地过孔形成带通滤波器,可以滤除射频信号中某一频率范围以外的信号。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中或基板表面的第二滤波电容和第一滤波电感,其中第一滤波电容的第一端通过并联的第二滤波电容和第一滤波电感与输入端耦合,且第一滤波电容的第一端与输出端耦合。第二滤波电容、第一滤波电感与第一滤波电容以及第一接地过孔形成带阻滤波器,可以滤除射频信号中某一频率范围以内的信号。
在一种可能的实施方式中,上述射频信号的主频范围为1~3GHz。在射频信号处于的主频处于上述范围时,滤波器的调试一致性较好。
在一种可能的实施方式中,上述射频信号的主频带宽小于100MHz。在射频信号处于的主频带宽小于100MHz时,滤波器的滤波效果较好。
在一种可能的实施方式中,上述第一接地过孔、第二接地过孔、第三接地过孔和第四接地过孔中的至少一个为通孔。
在一种可能的实施方式中,上述基板为采用覆铜箔层压板实现的基板。
在一种可能的实施方式中,上述基板可以为采用无源硅片实现的中介层。
第二方面,在本申请的实施例中提供一种低成本的滤波器,包括第一滤波电容、第一滤波电感和第一接地过孔,该第一滤波电容的第一端与滤波器的输入端和输出端耦合,第二端通过上述第一接地过孔与地耦合;上述第一滤波电感耦合于输入端和输出端之间。上述第一滤波电容和第一滤波电感设置于基板中,或设置于基板的表面;上述第一接地过孔设置于基板中。
上述第一接地过孔产生寄生电感效应,即等效为一个寄生电感,且该第一接地过孔和第一滤波电容之间的导线也会产生寄生电感,这些寄生电感可以作为谐振时的电感。因此可以将第一接地过孔替代现有技术中基板上的滤波电感器件。在寄生电感值可以通过改变第一接地过孔的参数等方法来调节的基础上,第一接地过孔可以实现滤波电感器件的功能,减小了原本滤波电感器件占用的面积,同时降低了器件的成本。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中或基板表面的第二滤波电感,其中第一滤波电容的第一端通过第二滤波电感与输入端耦合。第二滤波电感可以进一步提高滤波器的滤波性能。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中或基板表面的第二滤波电容,以及设置于基板中的第二接地过孔,其中第二滤波电容的第一端与输出端耦合,且第二滤波电容的第一端通过第一滤波电感与上述输入端耦合;第二接地过孔的第一端与第二滤波电容的第二端耦合,第二接地过孔的第二端与地耦合。滤波器包含两个谐振频率,其中一个谐振频率主要通过第一滤波电容和第一接地过孔的寄生电感确定,另一个谐振频率主要通过第二滤波电容和第二接地过孔的寄生电感确定。将上述两个谐振频率设定在期望去除的谐波的频率上,即可滤除对应频率的谐波。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中或基板表面的第三滤波电容,以及设置于基板中的第三接地过孔,其中第三滤波电容的第一端与输入端耦合,且第三滤波电容的第一端通过第一滤波电感与输出端耦合;上述第三接地过孔的第一端与第三滤波电容的第二端耦合,第三接地过孔的第二端与地耦合。滤波器还包含第三个谐振频率,主要通过第三滤波电容和第三接地过孔的寄生电感确定。将上述三个谐振频率设定在期望去除的谐波的频率上,即可滤除对应频率的谐波。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中或基板表面的第二滤波电感,其中第二滤波电感耦合于第二滤波电容的第一端和第三滤波电容的第一端。第二滤波电感可以进一步提高滤波器的滤波性能。
在一种可能的实施方式中,上述第一滤波电容的第一端与输入端耦合,第一滤波电容的第二端与输出端耦合。第一滤波电感与第一滤波电容以及第一接地过孔形成高通滤波器,可以滤除射频信号中的低频分量。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中或基板表面的第二滤波电容和第一滤波电感,其中第一滤波电容的第一端与地耦合,第一滤波电容的第二端通过上述第一滤波电感分别与上述输出端、第一接地过孔的第一端和第二滤波电容的第一端耦合,上述第二滤波电容的第二端与上述地耦合。第二滤波电容、第一滤波电感与第一滤波电容以及第一接地过孔形成带通滤波器,可以滤除射频信号中某一频率范围以外的信号。
在一种可能的实施方式中,上述滤波器还包括设置于基板中或基板表面的第二滤波电容和第一滤波电感,其中第一滤波电容的第一端通过并联的第二滤波电容和第一滤波电感与输入端耦合,且第一滤波电容的第一端与输出端耦合。第二滤波电容、第一滤波电感与第一滤波电容以及第一接地过孔形成带阻滤波器,可以滤除射频信号中某一频率范围以内的信号。
在一种可能的实施方式中,上述射频信号的主频范围为1~3GHz。在射频信号处于的主频处于上述范围时,滤波器的调试一致性较好。
在一种可能的实施方式中,上述射频信号的主频带宽小于100MHz。在射频信号处于的主频带宽小于100MHz时,滤波器的滤波效果较好。
在一种可能的实施方式中,上述第一接地过孔、第二接地过孔、第三接地过孔和第四接地过孔中的至少一个为通孔。
在一种可能的实施方式中,上述基板为采用覆铜箔层压板实现的基板。
在一种可能的实施方式中,上述基板可以为采用无源硅片实现的中介层。
第三方面,在本申请实施例中提供一种低成本的滤波器,用于对射频信号进行滤波处理,包括第一滤波电容和第一接地过孔,该第一滤波电容的第一端与滤波器的输入端耦合,第二端与输出端耦合,并通过第一接地过孔与地耦合。上述第一滤波电容设置于基板中或设置于基板的表面,上述第一接地过孔设置于基板中。
第四方面,在本申请实施例中提供一种低成本的滤波器,用于对射频信号进行滤波处理,包括第一滤波电容、第一接地过孔、第二滤波电容和第一滤波电感,其中第一滤波电容的第一端与地耦合,第二端与滤波器的输出端耦合,并通过串联的第二滤波电容和第一滤波电感与输入端耦合;第一接地过孔的第一端与第一滤波电容的第二端耦合,且第一接地过孔的第二端与地耦合。上述第一滤波电容、第二滤波电容和第一滤波电感设置于基板中或设置于基板的表面,上述第一接地过孔设置于基板中。
第五方面,在本申请实施例中提供一种低成本的滤波器,用于对射频信号进行滤波处理,包括第一滤波电容、第一接地过孔、第二滤波电容和第一滤波电感,其中第一滤波电容的第一端通过并联的第二滤波电容和第一滤波电感与输入端耦合,且并与输出端耦合;第一滤波电容的第二端通过上述第一接地过孔与地耦合。上述第一滤波电容、第二滤波电容和第一滤波电感设置于基板中或设置于基板的表面,上述第一接地过孔设置于基板中。
第六方面,在本申请实施例中提供一种射频信号处理电路,包括信号放大器和滤波器,其中:所述信号放大器的输出端与所述滤波器的输入端耦合,所述滤波器为如第一方面至第五方面中任意一种可能的实施方式中的滤波器。
附图说明
图1为现有技术中一种LPF的电路结构图。
图2为本申请实施例中一种通信设备。
图3a为本申请实施例中一种滤波器的剖视图;
图3b为本申请实施例中另一种滤波器的剖视图。
图4a为本申请实施例中一种滤波器的电路结构图;
图4b为本申请实施例中一种滤波器的等效电路图。
图5为本申请实施例中另一种滤波器的电路结构图。
图6为本申请实施例中一种具体的滤波器的电路结构图。
图7为本申请实施例中又一种滤波器的电路结构图。
图8为本申请实施例中又一种滤波器的电路结构图。
图9为本申请实施例中又一种滤波器的电路结构图。
图10为本申请实施例中又一种滤波器的电路结构图。
图11为本申请实施例中又一种滤波器的电路结构图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
本申请实施例提供如图2所示的一种通信设备200。该通信设备200可以为手机、固定电话,或带有无线通信功能的平板电脑、便携式电脑、智能手表、智能家居等设备。通信设备200可以包括基带(Base Band,BB)芯片210、射频(Radio Frequency,RF)芯片220、低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)230、功率放大器(Power Amplifier,PA)240、天线开关(Switch)250、滤波器260和天线(Antenna)270。可以理解的是,本申请实施例示意的部件并不构成对通信设备200的具体限定。在本申请另一些实施例中,通信设备200可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者拆分某些部件,或者不同的部件布置。图示的部件可以以硬件,软件或软件和硬件的组合实现。
具体地,基带芯片210可以用于支持协议栈的处理,通过其内部的数字信号处理器(Digital Signal Processor,DSP)、微控制器(Micro Controller Unit,MCU)、内存等部件来实现支持多种通信标准,提供多媒体功能以及用于多媒体显示器、图像传感器和音频设备相关的接口。基带芯片210可以与射频芯片220进行耦合,该射频芯片220可以包括混频器、变压器和可变增益放大器等部件。射频芯片220用于将基带芯片210提供的基带或中频信号上变频为RF信号以发送给PA240,以及将LNA230发送的RF信号下变频为基带或中频信号以供基带芯片210处理。PA240可以用于发送通道的RF信号的放大,LNA230可以用于接收通道的RF信号的放大。天线开关250可以用于实现RF信号接收与发射的切换,以及不同频段间的切换。滤波器260可以用于保留特定频段内的信号,而将特定频段外的信号滤除。例如,滤波器260可以用于实现低通滤波器的功能,以滤除谐波信号;还可以用于实现高通滤波器(high pass filter)、带通滤波器(band pass filter)或带阻滤波器(band reiectfilter)的功能。天线270用于辐射和接收无线信号。通信设备200可以提供包括2G/3G/4G/5G等无线通信的解决方案。
本申请实施例提供一种滤波器260,用于对射频信号进行滤波处理,包括输入端、输出端、第一滤波电容和第一接地过孔,上述输入端、输出端和第一滤波电容设置于基板中,或基板的一表面,上述第一接地过孔设置于基板中。上述输入端用于接收射频信号,上述输出端用于输出滤波后的射频信号。第一滤波电容可以设置于信号层上,其第一端与上述输入端或输出端耦合,第二端与第一接地过孔的第一端耦合,且第一接地过孔的第二端与地层耦合。
如图3a所示的是一种滤波器260的剖视图,在一种实施方式中,上述第一滤波电容363、输入端(或输出端)266可以设置在位于基板261表面的信号层264,其中第一接地过孔262的第一端与第一滤波电容263的第二端在第一信号层264上通过导线2681耦合,第一接地过孔262的第二端与地层265耦合,第一滤波电容263的第一端与输入端(或输出端)266通过导线2682耦合。如图3b所示的是另一种滤波器260的剖视图,在另一种实施方式中,上述第一滤波电容263可以设置在位于基板261表面的信号层264,其中第一接地过孔262的第一端与第一滤波电容263的第二端在第一信号层264通过导线2681耦合。第一接地过孔262的第二端与地层265耦合。第一滤波电容263的第一端与输出端2662通过导线2682耦合,且第一滤波电容263的第一端通过导线2683、滤波电感267和导线2684与输入端2661耦合。可以理解的是,图3a和图3b所示的剖视图仅为一种示例,本申请不对基板中的布线层、地层、电源层或导线的布局和位置作任何限定。此外,在本申请中,耦合可以指各个器件、端口、节点或其他器件之间直接的连接,也可以为通过导线电连接,或者通过其他器件电连接,例如通过电阻、电容形成电连接。
在一种实施方式中,上述滤波器260可以作为分立器件设置于PCB(PrintedCircuit Board,印制电路板)上,上述第一滤波电容263可以为贴片电容,上述基板261可以为采用覆铜箔层压板实现的基板。在另一种实施方式中,上述滤波器260可以被封装于一个ASIC(Application-Specific Integrated Circuit,专用集成电路)中,上述基板261可以为采用无源硅片实现的中介层(interposer)。在一种实施方式中,上述接地过孔可以是通孔、埋孔或盲孔。
滤波器通过滤波电容和滤波电感来实现滤除某一频率范围的信号的功能。例如,通过调节低通滤波器中的滤波电容的电容值和滤波电感的电感值,从而确定低通滤波器的谐振频率f,则可以滤除频率为f的谐波。在本申请实施例中,当射频信号的频率处于一定范围时,上述第一接地过孔262产生寄生电感效应,即第一接地过孔262等效为一个与第一滤波电容串联的寄生电感。由于该寄生电感的电感值可以通过调整第一接地过孔262的高度和直径来调整,因此第一接地过孔262产生的可控的寄生电感可以用于代替现有技术中的电感器件,使得滤波器260使用更少的电感器件,从而减小滤波器260的面积,降低成本。
在一种可能的实施方式中,上述射频信号的主频的频率范围为1~3GHz,此时滤波器的调试一致性较好。
在一种可能的实施方式中,上述射频信号的主频的带宽小于100MHz。滤波器对主频带宽小于100MHz的射频信号具有较好的滤波性能。
需要注意的是,本申请实施例中的滤波电容、滤波电感可以设置于基板的一表面,例如位于基板顶层的信号层中,也可以设置于基板中,例如位于基板内部的信号层中。本申请实施例中的接地过孔设置于基板中。
如图4a所示的是本申请实施例提供的一种滤波器400,可以实现低通滤波的功能。滤波器400包括滤波电感L41,滤波电容C41,以及接地过孔VIA41,其中滤波电容C41的第一端与输出端Vout耦合,并且还通过滤波电感L41与输入端Vin耦合,接地过孔VIA41的第一端与滤波电容C41的第二端耦合,接地过孔VIA41的第二端与地耦合。上述滤波电感L41和滤波电容C41设置于基板中或基板的表面,接地过孔VIA41设置于基板中。
如图4b所示的是滤波器400的等效电路。接地过孔VIA41可以等效为并联的寄生电容Cs、寄生电感Ls和寄生电阻Rs。具体来说,寄生电感Ls的电感值可以表示为Ls=H/5×[ln(4H/D)+1]nH,其中H(单位为mm)是接地过孔VIA41的第一端(即远离地层的一端)到地层的距离,D(单位为mm)是接地过孔VIA41的钻孔直径(即内径)。从Ls的表达式可知,寄生电感值Ls受H的影响较大,受D的影响较小,因此主要可以通过调整H来改变寄生电感Ls的电感值。此外,滤波电容C41和滤波电感L41之间通过导线来耦合,该导线也会产生一个与接地过孔VIA41串联的导线寄生电感L0,且该导线寄生电感值可以表示为L0=2×l×[ln(2×l/w)+0.5+0.2235×w/l]nH,其中l是滤波电容C41和滤波电感L41之间的导线的长度(单位为cm),w是该导线的宽度(单位为cm)。综上,通过计算寄生电感Ls和导线寄生电感L0的和,可以得到总的电感值为L=Ls+L0。
在滤波器400进行滤波时,滤波电感L41和滤波电容C41会产生谐振,其两端的电压变化一个周期的时间为谐振周期,该谐振周期的倒数为谐振频率f。其中谐振频率f计算公式为:
其中L为上述总的电感值L=Ls+L0,C为滤波电容的电容值C41。因此,根据上述公式,可以通过调整L和C的值,确定滤波器400的谐振频率,从而确定可以滤除的谐波的频率。
此外,接地过孔VIA41等效的寄生电容Cs会影响上述谐振频率。具体地,接地过孔VIA41本身会产生寄生电容,其电容值可以表示为Cs≈1.41×ε×H×D1/(D2-D1)pf,其中ε为基板的介电常数,H(单位为mm)是接地过孔VIA41的第一端(即远离地的一端)到地层的距离,D1(单位为inch)为接地过孔VIA41的直径(即外径),D2(单位为inch)为接地过孔VIA41在地层上的阻焊区的直径。由于寄生电容Cs的存在,谐振频率f可能会偏移,因此需要根据实测情况调整滤波电容C41的大小。如果谐振频率f偏大,则可以增加滤波电容C41的值以减小谐振频率f;相应的,当谐振频率f偏小时,则可以减小滤波电容C41的值以增大谐振频率f。
接地过孔VIA41以及该接地过孔VIA41和滤波电容C41之间的导线可以产生寄生电感,因此可以将接地过孔VIA41替代现有技术中基板上的滤波电感器件。在寄生电感值可以通过上述方法灵活调节的基础上,接地过孔VIA41可以替代原有的滤波电感器件以实现滤波电感器件的功能,减小了原本滤波电感器件占用的面积,同时降低了滤波器的器件成本。
在一种实施方式中,滤波器400还可以包括至少一个并联接地过孔。上述并联接地过孔与接地过孔VIA41并联,即一端耦合于接地过孔VIA41与滤波电容C41的连接点,另一端与地耦合。上述至少一个并联接地过孔与接地过孔VIA41并联,使得总的电感值变小。因此,可以根据所需要滤除的谐波的频率调整并联接地过孔的个数,以减小滤波器的谐振频率。
在一种实施方式中,上述接地过孔为通孔。由于通孔形式的过孔加工的一致性比较好,且便于调试,因此可以进一步降低成本,便于量产。
可以理解的是,并联接地过孔和接地过孔VIA41的上述特征不仅限于上述滤波器400。在本申请中,上述寄生电感Ls、导线寄生电感值L0、谐振频率的计算方法,以及接地过孔VIA41和并联接地过孔的特征可以适用于本申请任一实施例。
如图5所示的是本申请实施例提供的另一种滤波器500,可以实现低通滤波的功能。滤波器500包括滤波电感L51,滤波电容C51,以及接地过孔VIA51,其中滤波电容C51的第一端与输入端Vin耦合,并且还通过滤波电感L51与输出端Vout耦合,接地过孔VIA51的第一端与滤波电容C51的第二端耦合,接地过孔VIA51的第二端与地耦合。上述滤波电感L51和滤波电容C51设置于基板中或基板的表面,接地过孔VIA51设置于基板中。
如图6所示的是本申请实施例提供的一种更为具体的滤波器600。滤波器600与滤波器500相似,不同的是,滤波器600还包括滤波电感L62,该滤波电感L62耦合于输入端Vin和滤波电感L51的第一端,即滤波电容C51的第一端通过该滤波电感L62与输入端Vin耦合。滤波电感L62使得滤波器600的滤波性能更好。上述滤波电感L62设置于基板中或基板的表面。
如图7所示的是本申请实施例提供的又一种滤波器700。滤波器700与滤波器500相似,不同的是,滤波器700还包括滤波电容C72和接地过孔VIA72。其中,滤波电容C72的第一端与输出端Vout耦合,并通过滤波电感L51与输入端Vin耦合;接地过孔VIA72的第一端与滤波电容C72的第二端耦合,且接地过孔VIA72的第二端与地耦合。上述滤波电容C72设置于基板中或基板的表面,接地过孔VIA72设置于基板中。
滤波器700包含两个谐振频率,其中一个谐振频率通过滤波电容C51,接地过孔VIA51的寄生电感,以及滤波电容C51和接地过孔VIA51之间的导线的寄生电感确定;另一个谐振频率通过滤波电容C72,接地过孔VIA72的寄生电感,以及滤波电容C72和接地过孔VIA72之间的导线的寄生电感确定。将上述两个谐振频率设定在期望去除的谐波的频率上,即可滤除对应频率的谐波。
如图8所示的是本申请实施例提供的又一种滤波器800。滤波器800与滤波器700相似,不同的是,滤波器800还包括滤波电容C83和接地过孔VIA83。其中,滤波电容C83的第一端与输入端Vin耦合,并通过滤波电感L51与输出端Vout耦合;接地过孔VIA83的第一端与滤波电容C83的第二端耦合,且接地过孔VIA83的第二端与地耦合。上述滤波电容C83设置于基板中或基板的表面,接地过孔VIA83设置于基板中。
滤波器800包含三个谐振频率,其中第一个谐振频率通过滤波电容C51,接地过孔VIA51的寄生电感,以及滤波电容C51和接地过孔VIA51之间的导线的寄生电感确定;第二个谐振频率通过滤波电容C72,接地过孔VIA72的寄生电感,以及滤波电容C72和接地过孔VIA72之间的导线的寄生电感确定;第三个谐振频率通过滤波电容C83,接地过孔VIA83的寄生电感,以及滤波电容C83和接地过孔VIA83之间的导线的寄生电感确定。将上述三个谐振频率设定在期望去除的谐波的频率上,即可滤除对应频率的谐波。
在一种实施方式中,滤波器800还可以包括一个耦合于滤波电容C83的第一端与滤波电容C51的第一端之间的滤波电感,以进一步提升滤波器800的滤波性能。
上述接地过孔的特性不仅可以实现低通滤波的功能,也可以实现高通滤波、带通滤波或带阻滤波的功能。如图9所示的是本申请实施例提供的又一种滤波器900,可以实现高通滤波的功能。滤波器900包括滤波电容C91和接地过孔VIA91,其中滤波电容C91的第一端与输入端Vin耦合,第二端与输出端Vout耦合,且并与接地过孔VIA91的第一端耦合,接地过孔VIA91的第二端与地耦合。上述滤波电容C91设置于基板中或基板的表面,接地过孔VIA91设置于基板中。
容易理解的是,图9所示的滤波器900仅为一种实现高通滤波的滤波器的实现方式。在实际应用中,可以根据需要滤除的信号的频率、性能的需求和设计成本,决定是否并联更多的接地过孔,或者串联更多的滤波电容。
如图10所示的是本申请实施例提供的又一种滤波器1000,可以实现带通滤波的功能。滤波器1000包括滤波电容C101、接地过孔VIA101、滤波电容C102和滤波电感L101。其中,滤波电容C101的第一端与地耦合,第二端通过串联的滤波电容C102和滤波电感L101与输入端Vin耦合,且并与输出端Vout耦合;接地过孔VIA101的第一端与滤波电容C101的第二端耦合,且接地过孔VIA101的第二端与地耦合。上述滤波电感L101,滤波电容C101和滤波电容C102设置于基板中或基板的表面,接地过孔VIA101设置于基板中。
容易理解的是,图10所示的滤波器1000仅为一种实现带通滤波的滤波器的实现方式。在实际应用中,可以根据需要滤除的信号的频率、性能的需求和设计成本,决定是否并联更多的接地过孔,或者串联更多的滤波电容。
如图11所示的是本申请实施例提供的又一种滤波器1100,可以实现带阻滤波的功能。滤波器1100包括滤波电容C111、接地过孔VIA111、滤波电容C112和滤波电感L111。其中,滤波电容C111的第一端与输出端Vout耦合,且并通过并联的滤波电容C112和滤波电感L111与输入端Vin耦合;接地过孔VIA111的第一端与滤波电容C111的第二端耦合,且接地过孔VIA111的第二端与地耦合。上述滤波电感L111,滤波电容C111和滤波电容C112设置于基板中或基板的表面,接地过孔VIA111设置于基板中。
容易理解的是,图11所示的滤波器1100仅为一种实现带阻滤波的滤波器的实现方式。在实际应用中,可以根据需要滤除的信号的频率、性能的需求和设计成本,决定是否并联更多的接地过孔,或者串联更多的滤波电容。
本申请实施例还提供一种滤波器,包括第一滤波电容、滤波电感和第一接地过孔,该第一滤波电容的第一端与滤波器的输入端和输出端耦合,第二端通过上述第一接地过孔与地耦合;上述滤波电感耦合于输入端和输出端之间。上述第一滤波电容和滤波电感设置于基板中,或设置于基板的表面;上述第一接地过孔设置于基板中。在一种实施方式中,上述滤波电感耦合于输入端和第一滤波电容的第一端之间;在另一种实施方式中,上述滤波电感耦合于输出端和第一滤波电容的第一端之间。具体的,上述第一滤波电容可以为本申请上述实施例中的C41或C51,滤波电感可以为本申请上述实施例中的L41或L51,第一接地过孔可以为本申请上述实施例中的VIA41或VIA51。
上述滤波器还可以包括至少一组串联的第二滤波电容和第二接地过孔,其中该第二滤波电容的第一端与上述滤波器的输入端耦合,且并通过上述滤波电感与输出端耦合,第二滤波电容的第二端通过上述第二接地过孔与地耦合。具体的,上述第二滤波电容可以为本申请实施例中的C72或C83,第二接地过孔可以为本申请实施例中的VIA72或VIA83。
本申请实施例还提供一种滤波器,包括第一滤波电容和第一接地过孔,该第一滤波电容的第一端与滤波器的输入端耦合,第二端与输出端耦合,并通过第一接地过孔与地耦合。上述第一滤波电容可以为本申请上述实施例中的C91,第一接地过孔可以为本申请上述实施例中的VIA91。
本申请实施例还提供一种滤波器,包括第一滤波电容、第一接地过孔、第二滤波电容和滤波电感,其中第一滤波电容的第一端与地耦合,第二端与滤波器的输出端耦合,并通过串联的第二滤波电容和滤波电感与输入端耦合;第一接地过孔的第一端与第一滤波电容的第二端耦合,且第一接地过孔的第二端与地耦合。上述第一滤波电容可以为本申请上述实施例中的C101,第一接地过孔可以为本申请上述实施例中的VIA101,第二滤波电容可以为本申请上述实施例中的C102,滤波电感可以为本申请上述实施例中的L101。
本申请实施例还提供一种滤波器,包括第一滤波电容、第一接地过孔、第二滤波电容和滤波电感,其中第一滤波电容的第一端通过并联的第二滤波电容和滤波电感与输入端耦合,且并与输出端耦合;第一滤波电容的第二端通过上述第一接地过孔与地耦合。上述第一滤波电容可以为本申请上述实施例中的C111,第一接地过孔可以为本申请上述实施例中的VIA111,第二滤波电容可以为本申请上述实施例中的C112,滤波电感可以本申请上述实施例中的L111。
本申请实施例还提供一种射频信号处理电路,包括信号放大器和滤波器,其中信号放大器的输出端与滤波器的输入端耦合,滤波器可以为本申请实施例所述的任意一种滤波器。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (13)
1.一种滤波器,其特征在于,所述滤波器包括:
第一滤波电容,所述第一滤波电容设置于基板中或所述基板的表面,所述第一滤波电容的第一端与所述滤波器的输入端或输出端耦合,所述输入端用于接收射频信号,所述输出端用于输出滤波后的射频信号;以及
第一接地过孔,所述第一接地过孔设置于所述基板中,所述第一接地过孔的第一端与所述第一滤波电容的第二端耦合,所述第一接地过孔的第二端与地耦合,通过调整所述第一接地过孔的第一端到地的距离,以改变所述第一接地过孔形成寄生电感的电感值以及所述第一接地过孔形成寄生电容的电容值;
至少一个第二接地过孔,所述至少一个第二接地过孔设置于所述基板中,其中每个所述第二接地过孔的第一端与所述第一滤波电容的第二端耦合,每个所述第二接地过孔的第二端与所述地耦合,通过调整所述第二接地过孔的第一端到地的距离,以改变所述第二接地过孔形成寄生电感的电感值以及所述第二接地过孔形成寄生电容的电容值;
滤波器还包括至少一个并联接地过孔,所述并联接地过孔与所述第一接地过孔并联,所述并联接地过孔的一端耦合于所述第一接地过孔与所述第一滤波电容的连接点,所述并联接地过孔的另一端与地耦合。
2.如权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述滤波器还包括第一滤波电感,其中:
所述第一滤波电感设置于所述基板中或所述基板的表面,所述第一滤波电容的第一端与所述输出端耦合,且所述第一滤波电容的第一端通过所述第一滤波电感与所述输入端耦合。
3.如权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述滤波器还包括第一滤波电感,其中:
所述第一滤波电感设置于所述基板中或所述基板的表面,所述第一滤波电容的第一端与所述输入端耦合,且所述第一滤波电容的第一端通过所述第一滤波电感与所述输出端耦合。
4.如权利要求3所述的滤波器,其特征在于,所述滤波器还包括第二滤波电感,其中:
所述第二滤波电感设置于所述基板中或所述基板的表面,所述第一滤波电容的第一端通过所述第二滤波电感与所述输入端耦合。
5.如权利要求3所述的滤波器,其特征在于,所述滤波器还包括第二滤波电容和第三接地过孔,其中:
所述第二滤波电容设置于所述基板中或所述基板的表面,所述第二滤波电容的第一端与所述输出端耦合,且所述第二滤波电容的第一端通过所述第一滤波电感与所述输入端耦合;
所述第三接地过孔设置于所述基板中,所述第三接地过孔的第一端与所述第二滤波电容的第二端耦合,所述第三接地过孔的第二端与所述地耦合。
6.如权利要求5所述的滤波器,其特征在于,所述滤波器还包括第三滤波电容和第四接地过孔,其中:
所述第三滤波电容设置于所述基板中或所述基板的表面,所述第三滤波电容的第一端与所述输入端耦合,且所述第三滤波电容的第一端通过所述第一滤波电感与所述输出端耦合;
所述第四接地过孔设置于所述基板中,所述第四接地过孔的第一端与所述第三滤波电容的第二端耦合,所述第四接地过孔的第二端与所述地耦合。
7.如权利要求5或6所述的滤波器,其特征在于,所述滤波器还包括第二滤波电感,其中:所述第二滤波电感设置于所述基板中或所述基板的表面,所述第二滤波电感耦合于所述第二滤波电容的第一端和所述第三滤波电容的第一端。
8.如权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述第一滤波电容的第一端与所述输入端耦合,所述第一滤波电容的第二端与所述输出端耦合。
9.如权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述滤波器还包括第二滤波电容和第一滤波电感,其中:
所述第二滤波电容设置于所述基板中或所述基板的表面,所述第一滤波电感设置于所述基板中或所述基板的表面,所述第一滤波电容的第一端与所述输入端耦合,所述第一滤波电容的第二端通过所述第一滤波电感分别与所述输出端、所述第一接地过孔的第一端和所述第二滤波电容的第一端耦合,所述第二滤波电容的第二端与所述地耦合。
10.如权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述滤波器还包括第二滤波电容和第一滤波电感,其中:
所述第二滤波电容设置于所述基板中或所述基板的表面,所述第一滤波电感设置于所述基板中或所述基板的表面,所述第一滤波电容的第一端通过并联的所述第二滤波电容和第一滤波电感与所述输入端耦合,且所述第一滤波电容的第一端与所述输出端耦合。
11.如权利要求1至10任意一项所述的滤波器,其特征在于,所述射频信号的主频范围为1~3GHz。
12.如权利要求1至11任意一项所述的滤波器,其特征在于,所述射频信号的主频带宽小于100MHz。
13.一种射频信号处理电路,包括信号放大器和滤波器,其中:
所述信号放大器的输出端与所述滤波器的输入端耦合,所述滤波器为如权利要求1-12任意一项所述的滤波器。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2019/093207 WO2020258137A1 (zh) | 2019-06-27 | 2019-06-27 | 一种低成本的滤波器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114026740A CN114026740A (zh) | 2022-02-08 |
CN114026740B true CN114026740B (zh) | 2023-06-27 |
Family
ID=74059894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980097910.7A Active CN114026740B (zh) | 2019-06-27 | 2019-06-27 | 一种低成本的滤波器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11996819B2 (zh) |
EP (1) | EP3982480A4 (zh) |
CN (1) | CN114026740B (zh) |
WO (1) | WO2020258137A1 (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101295808A (zh) * | 2007-04-29 | 2008-10-29 | 倪其良 | 一种可变换类别与可调频的宽带滤波器的设计方法 |
CN103595364A (zh) * | 2013-10-31 | 2014-02-19 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种准分布参数微带高通滤波器 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002368553A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器およびそれを用いた無線送信装置 |
JP2009021725A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Sharp Corp | フィルタ装置 |
KR100998720B1 (ko) * | 2007-12-07 | 2010-12-07 | 삼성전기주식회사 | 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판 |
JP4506903B2 (ja) * | 2008-01-17 | 2010-07-21 | 株式会社村田製作所 | 積層型共振器および積層型フィルタ |
JP4530181B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2010-08-25 | Tdk株式会社 | 積層型ローパスフィルタ |
CN101246983B (zh) * | 2008-03-17 | 2012-08-22 | 南京大学 | 基于简化左手传输线结构的超宽带滤波器 |
US8781430B2 (en) * | 2009-06-29 | 2014-07-15 | Qualcomm Incorporated | Receiver filtering devices, systems, and methods |
US9093731B2 (en) * | 2013-02-21 | 2015-07-28 | Empower RF Systems, Inc. | Combiner for an RF power amplifier |
WO2015119176A1 (ja) | 2014-02-10 | 2015-08-13 | 株式会社村田製作所 | フィルタ回路および無線通信装置 |
TW201611552A (zh) * | 2014-09-09 | 2016-03-16 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 訊號分離電路及前端電路 |
JP6406362B2 (ja) | 2015-02-02 | 2018-10-17 | 株式会社村田製作所 | 可変フィルタ回路、高周波モジュール回路、および、通信装置 |
CN105514094A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-04-20 | 宜确半导体(苏州)有限公司 | 一种射频天线开关芯片 |
JP6547707B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2019-07-24 | 株式会社村田製作所 | 積層フィルタ |
CN106099280B (zh) * | 2016-08-22 | 2019-10-11 | 西安电子科技大学 | 一种基于硅通孔耦合电容分配的lc带通滤波器 |
CN107658532A (zh) * | 2017-10-23 | 2018-02-02 | 石家庄创天电子科技有限公司 | 滤波器 |
CN108988816A (zh) * | 2018-10-15 | 2018-12-11 | 深圳飞骧科技有限公司 | 谐波抑制功率合成器及射频功率放大器 |
-
2019
- 2019-06-27 WO PCT/CN2019/093207 patent/WO2020258137A1/zh unknown
- 2019-06-27 CN CN201980097910.7A patent/CN114026740B/zh active Active
- 2019-06-27 EP EP19935747.6A patent/EP3982480A4/en active Pending
-
2021
- 2021-12-27 US US17/562,530 patent/US11996819B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101295808A (zh) * | 2007-04-29 | 2008-10-29 | 倪其良 | 一种可变换类别与可调频的宽带滤波器的设计方法 |
CN103595364A (zh) * | 2013-10-31 | 2014-02-19 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种准分布参数微带高通滤波器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020258137A1 (zh) | 2020-12-30 |
US11996819B2 (en) | 2024-05-28 |
EP3982480A4 (en) | 2022-05-25 |
CN114026740A (zh) | 2022-02-08 |
EP3982480A1 (en) | 2022-04-13 |
US20220123707A1 (en) | 2022-04-21 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |