CN113976864A - 一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置及方法 - Google Patents

一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113976864A
CN113976864A CN202111626154.8A CN202111626154A CN113976864A CN 113976864 A CN113976864 A CN 113976864A CN 202111626154 A CN202111626154 A CN 202111626154A CN 113976864 A CN113976864 A CN 113976864A
Authority
CN
China
Prior art keywords
seed crystal
flow channel
gas
generation
blade
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202111626154.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113976864B (zh
Inventor
宋扬
李小政
王远斌
张凡
李海军
王勇
杜小兵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Hangyu Superalloy Technology Co ltd
Original Assignee
Chengdu Hangyu Superalloy Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Hangyu Superalloy Technology Co ltd filed Critical Chengdu Hangyu Superalloy Technology Co ltd
Priority to CN202111626154.8A priority Critical patent/CN113976864B/zh
Publication of CN113976864A publication Critical patent/CN113976864A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113976864B publication Critical patent/CN113976864B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D27/00—Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
    • B22D27/04—Influencing the temperature of the metal, e.g. by heating or cooling the mould
    • B22D27/045—Directionally solidified castings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/007—Apparatus for preparing, pre-treating the source material to be used for crystal growth

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供了一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置，包括水冷盘、置于所述水冷盘上的籽晶模壳以及设于所述籽晶模壳内的籽晶，所述籽晶上表面与所述籽晶模壳顶部内壁之间留有一空腔，所述籽晶模壳顶部连通有螺旋段，所述螺旋段与所述空腔连通；所述水冷盘内开设有第一气流通道，所述籽晶中开设有第二气流通道，所述第二气流通道一端与所述第一气流通道连通，另一端与所述空腔连通；其可在在籽晶表面形成一层保护性的气膜保护籽晶表面，有效避免表面产生沉积物，从而减少夹杂或杂晶产生。

Description

一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置及方法
技术领域
本发明涉及单晶高温合金技术领域，具体而言，涉及一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置及方法。
背景技术
单晶高温合金叶片是航空发动机的核心组成部分之一。长期工作在高温、高压、复杂应力情况、高温燃气冲蚀的环境中。因此，航空发动机叶片对材料有着苛刻要求，而镍基单晶高温合金是目前较为常见的高温合金叶片材料，其制备方法通常采用定向凝固的方式。定向凝固的浇铸方式将模组底部置于水冷盘上(或液态金属中)，与在加热带中的模组上部形成纵向温度梯度，通过牵引的方式将模组拉出加热带热区，达到使模组中铸件晶粒自下而上顺序凝固的目的。
目前，制备单晶叶片的方式主要分为两种，一种是由底部添加启晶器和螺旋选晶器，通过定向凝固过程过滤掉杂晶，选出靠近<001>方向的单晶组织，称为“选晶法”；另一种是通过预制出<001>取向的籽晶，置于底座上，随后浇入的金属液在凝固过程中，“复制”籽晶的取向而生长为单晶叶片，即“籽晶法”。选晶法工艺相对简单，在工业中得到广泛应用，但由于是晶粒自然竞争生长的结果，无法精确控制单晶叶片的三维取向。籽晶法克服了这一缺点，对于叶片横向的取向也能得到有效控制。然而，在实际生产中，籽晶表面由于各种因素容易产生杂晶，因此一般采用籽晶法和选晶法相结合的方式。
预制的籽晶放入籽晶模壳底部，与螺旋段相连，螺旋段另一端再连接叶片，与炉内气氛联通。然而，在籽晶模壳的升温及保温过程中，炉内高温气氛、籽晶模壳中微量成分会沉积到水冷盘、籽晶模壳底板以及籽晶的表面上。在籽晶表面形成沉积层，沉积层的存在阻隔了籽晶与金属液的接触，严重干扰了金属液复制籽晶取向的生长过程，容易产生小角度晶界及杂晶，造成选晶失败或者最终选出不符合技术要求的单晶组织，叶片出现夹杂或杂晶缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置及方法，其可在在籽晶表面形成一层保护性的气膜保护籽晶表面，有效避免表面产生沉积物，从而减少夹杂或杂晶产生。
本发明的实施例通过以下技术方案实现：
一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置，包括水冷盘、置于所述水冷盘上的籽晶模壳以及设于所述籽晶模壳内的籽晶，所述籽晶上表面与所述籽晶模壳顶部内壁之间留有一空腔，所述籽晶模壳顶部连通有螺旋段，所述螺旋段与所述空腔连通；所述水冷盘内开设有第一气流通道，所述籽晶中开设有第二气流通道，所述第二气流通道一端与所述第一气流通道连通，另一端与所述空腔连通。
进一步地，所述第二气流通道顶部的出气端周向均匀连通有多个倾斜设置的引流通道，所述引流通道延伸至所述籽晶上表面并形成气孔。
进一步地，所述引流通道设置有3~8个。
进一步地，所述引流通道的内径为0.5~1mm。
进一步地，所述气孔距离籽晶中心1/2r~3/5r。
进一步地，所述空腔的高度占所述籽晶模壳高度的1/6~1/2。
进一步地，所述第一气流通道与所述第二气流通道同轴心设置。
进一步地，所述第二气流通道的内径小于第一气流通道的内径。
进一步地，所述螺旋段呈螺旋设置。
一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的方法，包括上述的装置，其包括以下步骤：
S1.籽晶模壳入炉后抽真空，当真空度达到10-4~10-5mbar时，向水冷盘内的第一气流通道以1~10L/min的速度通入惰性气体，惰性气体通过第二气流通道通入空腔内，同时持续抽真空；
S2.继续升温至1200~1500℃后，保温一段时间，在倒入金属液之前关闭惰性气体；
S3.真空度回升至10-4~10-5mbar后，即倒入金属液。
本发明实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果：
本发明由水冷盘的第一气流通道至籽晶表面的气孔通入氩气，在整个模组的升温过程中，氩气在籽晶顶面逸散形成一层保护性的气膜保护籽晶表面，有效避免表面产生沉积物，从而减少夹杂或杂晶产生。且在金属液浇入后，在未接近水冷盘时即迅速地全部凝固，不会流入水冷盘的第一气流通道中堵塞通道。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例1提供的采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置的结构示意图；
图2为本发明实施例1提供的籽晶的俯视图；
图3为本发明实施例1的产品的无沉积层的金相图；
图4是对比例1的产品的有沉积层的金相图。
图标：1-螺旋段，2-空腔，3-籽晶模壳，4-籽晶，5-水冷盘，6-气孔，7-引流通道，8-第二气流通道，9-第一气流通道。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
实施例1
一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置，包括水冷盘5、置于所述水冷盘5上的籽晶模壳3以及设于所述籽晶模壳3内的籽晶4，所述籽晶4上表面与所述籽晶模壳3顶部内壁之间留有一空腔2，所述籽晶模壳3顶部连通有螺旋段1，所述螺旋段1与所述空腔2连通；所述水冷盘5内开设有第一气流通道9，所述籽晶4中开设有第二气流通道8，所述第二气流通道8一端与所述第一气流通道9连通，另一端与所述空腔2连通；较优地，所述第二气流通道8顶部的出气端周向均匀连通有多个倾斜设置的引流通道7，所述引流通道7延伸至所述籽晶4上表面并形成气孔6。具体地，第一气流通道9、第二气流通道8和气孔6可以通过电火花打孔的加工方式预制而成。
由水冷盘5至籽晶4表面的气孔6，通入惰性气体比如氩气，在整个模组的升温过程中，氩气在籽晶4顶面逸散，形成一层气膜保护籽晶4表面，避免表面沉积物，从而减少杂晶产生。金属液浇入后，在靠近水冷盘5时即迅速凝固，不会流入水冷盘5的第一气流通道9中堵塞通道。螺旋段1的设置，使得籽晶4中央位置取向正常复制，通过颈缩段进入螺旋段可进一步地过滤掉杂晶，籽晶4气孔6处即使长出杂晶也不会影响正常的取向复制。
在本实施例中，引流通道7设置有3~8个。
在本实施例中，引流通道7的内径为0.5~1mm。
在本实施例中，籽晶半径为r，气孔6距离籽晶4中心1/2r~3/5r。
在本实施例中，空腔2的高度占籽晶模壳3高度的1/6~1/2，从而使得氩气在空腔2处形成充分的保护性的气膜，利用气膜保护籽晶4表面，有效防止由炉内气氛导致的沉积层产生。
在本实施例中，第一气流通道9与第二气流通道8同轴心设置，这样即可使得氩气更加畅通且快速地进入到空腔2内。
在本实施例中，第二气流通道8的内径小于第一气流通道9的内径，一方面在加工时更加方便，另一方面由于第二气流通道8的内径小，这样即可使得进入第二气流通道8的氩气的流速及压强变大，从而使得进入空腔2中的氩气可快速且稳定地在籽晶4表面逸散形成保护性的气膜，防止沉积层产生。
一种使用上述装置采用气膜法减少叶片杂晶产生的方法，其包括以下步骤：
S1.籽晶模壳入炉后抽真空，当真空度达到10-5mbar时，向水冷盘内的第一气流通道以6 L/min的速度通入惰性气体，惰性气体通过第二气流通道通入空腔内，同时持续抽真空保持气压稳定；
S2.继续升温至1500℃后，保温一段时间，在倒入金属液之前关闭惰性气体；
S3.真空度回升至10-5mbar后，即倒入金属液，完成浇铸并得到叶片。
氩气在籽晶表面逸散形成一层保护性的气膜，有效防止由炉内气氛导致的沉积层产生。在金属液倒入模组中后，籽晶表面发生熔化，金属液随气孔往下流，但在金属液未接近水冷盘时即全部凝固，不会封堵水冷盘处的第一气流通道。本实施例制得的产品的无沉积氧化物的金相图的微观无沉积层示意图，见图3，由图3可知，本发明制得的叶片很好的控制了杂晶的产生。
实施例2
本实施例与实施例1的不同之处在于：其方法包括以下步骤：
S1.籽晶模壳入炉后抽真空，当真空度达到10-4mbar时，向水冷盘内的第一气流通道以10L/min的速度通入惰性气体，惰性气体通过第二气流通道通入空腔内，同时持续抽真空保持气压稳定；
S2.继续升温至1200℃后，保温一段时间，在倒入金属液之前关闭惰性气体；
S3.真空度回升至10-4mbar后，即倒入金属液，完成浇铸并得到叶片。
对比例1
本对比例与实施例1的区别在于：没有在水冷盘内开设第一气流通道、没有在籽晶内开设第二气流通道。图4是未使用本发明而产生沉积并导致杂晶产生的金相图，由图4可知，本对比例由于没有气膜保护籽晶表面，在籽晶表面会形成沉积层，造成产品表面产生了杂晶产生，且杂晶十分明显。
综上所述，本发明实施例的方法很好的控制了杂晶的产生。通过对比可以得出，本发明的技术方案，成功的抑制了籽晶表面产生沉积层，从而减少由此导致的杂晶情况，其技术优势十分明显，市场推广前景十分广阔。
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置，其特征在于：包括水冷盘、置于所述水冷盘上的籽晶模壳以及设于所述籽晶模壳内的籽晶，所述籽晶上表面与所述籽晶模壳顶部内壁之间留有一空腔，所述籽晶模壳顶部连通有螺旋段，所述螺旋段与所述空腔连通；
所述水冷盘内开设有第一气流通道，所述籽晶中开设有第二气流通道，所述第二气流通道一端与所述第一气流通道连通，另一端与所述空腔连通。
2.根据权利要求1所述采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置，其特征在于，所述第二气流通道顶部的出气端周向均匀连通有多个倾斜设置的引流通道，所述引流通道延伸至所述籽晶上表面并形成气孔。
3.根据权利要求2所述采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置，其特征在于，所述引流通道设置有3~8个。
4.根据权利要求3所述采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置，其特征在于，所述引流通道的内径为0.5~1mm。
5.根据权利要求2所述采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置，其特征在于，所述气孔距离籽晶中心1/2r~3/5r。
6.根据权利要求1所述采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置，其特征在于，所述空腔的高度占所述籽晶模壳高度的1/6~1/2。
7.根据权利要求1所述采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置，其特征在于，所述第一气流通道与所述第二气流通道同轴心设置。
8.根据权利要求1所述采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置，其特征在于，所述第二气流通道的内径小于第一气流通道的内径。
9.一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的方法，其特征在于，使用权利要求1~8任一项所述的装置，其操作方法包括以下步骤：
S1.籽晶模壳入炉后抽真空，当真空度达到10-4~10-5mbar时，向水冷盘内的第一气流通入惰性气体，惰性气体通过第二气流通道通入空腔内，同时持续抽真空；
S2.继续升温至1200~1500℃后，保温一段时间，在倒入金属液之前关闭惰性气体；
S3.真空度回升至10-4~10-5mbar后，即倒入金属液，完成浇铸并得到叶片。
10.根据权利要求9所述采用气膜法减少叶片杂晶产生的方法，其特征在于，S1中以1~10L/min的速度通入惰性气体。
CN202111626154.8A 2021-12-29 2021-12-29 一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置及方法 Active CN113976864B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111626154.8A CN113976864B (zh) 2021-12-29 2021-12-29 一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111626154.8A CN113976864B (zh) 2021-12-29 2021-12-29 一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置及方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113976864A true CN113976864A (zh) 2022-01-28
CN113976864B CN113976864B (zh) 2022-04-12

Family

ID=79734743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111626154.8A Active CN113976864B (zh) 2021-12-29 2021-12-29 一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113976864B (zh)

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4190470A (en) * 1978-11-06 1980-02-26 M/A Com, Inc. Production of epitaxial layers by vapor deposition utilizing dynamically adjusted flow rates and gas phase concentrations
US4415401A (en) * 1980-03-10 1983-11-15 Mobil Solar Energy Corporation Control of atmosphere surrounding crystal growth zone
CA2351322A1 (en) * 1998-11-20 2000-09-08 Rolls-Royce Corporation Method and apparatus for production of a cast component
JP2002037699A (ja) * 2000-07-25 2002-02-06 Osaka Prefecture 単結晶炭化シリコン薄膜の製造方法及びその製造装置
CN1990915A (zh) * 2005-12-27 2007-07-04 中国科学院金属研究所 一种籽晶法凝固定向起始端结构及其应用
CN104616726A (zh) * 2014-12-17 2015-05-13 青岛墨烯产业科技有限公司 一种无铟透明电极及其制备方法
DE102014113806A1 (de) * 2014-03-07 2015-09-10 Ald Vacuum Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von DS/SC Gusskörpern
CN109457294A (zh) * 2018-12-27 2019-03-12 衢州晶哲电子材料有限公司 一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置及提纯掺杂方法
CN109877300A (zh) * 2019-04-04 2019-06-14 江苏永瀚特种合金技术有限公司 一种气、液双介质冷却定向/单晶凝固装置及方法
CN209412355U (zh) * 2019-03-04 2019-09-20 丽江隆基硅材料有限公司 一种籽晶夹持装置
CN110468449A (zh) * 2019-09-12 2019-11-19 宁波晨鑫维克工业科技有限公司 用于制造单晶金刚石的微波等离子体反应器及其扩散装置
CN111215605A (zh) * 2020-01-13 2020-06-02 成都航宇超合金技术有限公司 改善单晶叶片沉积物的定向凝固装置及其工艺方法
CN111360234A (zh) * 2020-03-26 2020-07-03 成都航大新材料有限公司 一种基于二次取向控制的单晶高温合金薄壁铸件及其制备方法
CN112453357A (zh) * 2020-11-25 2021-03-09 中国科学院金属研究所 台体型籽晶制备重型燃机用大尺寸单晶叶片的方法
CN112921393A (zh) * 2021-01-22 2021-06-08 成都航宇超合金技术有限公司 减少杂晶产生的单晶合金定向凝固方法及模壳结构
CN113640315A (zh) * 2021-10-15 2021-11-12 深圳市汇图技术有限公司 一种锂电池极片分切边角毛刺检测装置

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4190470A (en) * 1978-11-06 1980-02-26 M/A Com, Inc. Production of epitaxial layers by vapor deposition utilizing dynamically adjusted flow rates and gas phase concentrations
US4415401A (en) * 1980-03-10 1983-11-15 Mobil Solar Energy Corporation Control of atmosphere surrounding crystal growth zone
CA2351322A1 (en) * 1998-11-20 2000-09-08 Rolls-Royce Corporation Method and apparatus for production of a cast component
JP2002037699A (ja) * 2000-07-25 2002-02-06 Osaka Prefecture 単結晶炭化シリコン薄膜の製造方法及びその製造装置
CN1990915A (zh) * 2005-12-27 2007-07-04 中国科学院金属研究所 一种籽晶法凝固定向起始端结构及其应用
DE102014113806A1 (de) * 2014-03-07 2015-09-10 Ald Vacuum Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von DS/SC Gusskörpern
CN104616726A (zh) * 2014-12-17 2015-05-13 青岛墨烯产业科技有限公司 一种无铟透明电极及其制备方法
CN109457294A (zh) * 2018-12-27 2019-03-12 衢州晶哲电子材料有限公司 一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置及提纯掺杂方法
CN209412355U (zh) * 2019-03-04 2019-09-20 丽江隆基硅材料有限公司 一种籽晶夹持装置
CN109877300A (zh) * 2019-04-04 2019-06-14 江苏永瀚特种合金技术有限公司 一种气、液双介质冷却定向/单晶凝固装置及方法
CN110468449A (zh) * 2019-09-12 2019-11-19 宁波晨鑫维克工业科技有限公司 用于制造单晶金刚石的微波等离子体反应器及其扩散装置
CN111215605A (zh) * 2020-01-13 2020-06-02 成都航宇超合金技术有限公司 改善单晶叶片沉积物的定向凝固装置及其工艺方法
CN111360234A (zh) * 2020-03-26 2020-07-03 成都航大新材料有限公司 一种基于二次取向控制的单晶高温合金薄壁铸件及其制备方法
CN112453357A (zh) * 2020-11-25 2021-03-09 中国科学院金属研究所 台体型籽晶制备重型燃机用大尺寸单晶叶片的方法
CN112921393A (zh) * 2021-01-22 2021-06-08 成都航宇超合金技术有限公司 减少杂晶产生的单晶合金定向凝固方法及模壳结构
CN113640315A (zh) * 2021-10-15 2021-11-12 深圳市汇图技术有限公司 一种锂电池极片分切边角毛刺检测装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
熊刚等: "氢氧等离子体预处理对单晶金刚石刻蚀坑的研究", 《真空科学与技术学报》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN113976864B (zh) 2022-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3542120A (en) Apparatus for producing single crystal metallic alloy objects
JP3919256B2 (ja) 方向性凝固した鋳造物を製作する方法とこの方法を実施するための装置
EP1531020B1 (en) Method for casting a directionally solidified article
EP2921244B1 (en) Method of the directional solidification of the castings of gas turbine blades and a device for producing the castings of gas turbine blades of the directional solidified and monocrystalline structure
US9144842B2 (en) Unidirectional solidification process and apparatus and single-crystal seed therefor
US9217208B2 (en) Apparatus for producing single crystal
EP4227445A1 (en) Crystal growth device and method
US20220395897A1 (en) Substrate-triggered directional solidification process for single crystal superalloy
GB1369270A (en) Casting of directionally solidified articles
CN111318646B (zh) 一种控制等轴晶高温合金涡轮叶片晶粒度的方法
JP2010075999A (ja) 方向性凝固法及び該方法で製造される鋳造品
CN113118420B (zh) 一种超细柱晶高温合金叶片及其激光定向凝固制备方法
CN101133194B (zh) 浮法硅晶片的制作工艺和设备
EP3241632B1 (en) METHOD OF MANUFACTURING Ni ALLOY CASTING AND Ni ALLOY CASTING
CN113976864B (zh) 一种采用气膜法减少叶片杂晶产生的装置及方法
KR20010040128A (ko) 주물의 입자 간격 제어 방법 및 그에 의해 형성된 주물과,주조 주상 제품과, 액체 금속 냉각식 방향성 응고 방법과,단결정 주상-입자 제품의 주조 방법과, 평행축 입자조직을 갖는 주조 제품의 제조 방법
EP0059550B1 (en) Method of casting
JP2003311390A (ja) 鋳造物の製造装置
US6557618B1 (en) Apparatus and method for producing castings with directional and single crystal structure and the article according to the method
RU2010672C1 (ru) Способ получения монокристаллических отливок
RU2123909C1 (ru) Способ получения отливок направленной кристаллизацией и устройство для его осуществления
JP2003311391A (ja) 鋳造物の製造装置
CN114346180B (zh) 一种单晶高温合金叶片马赛克缺陷控制方法
CN216502213U (zh) 一种优化选晶效率的制备单晶叶片的蜡模组模结构
JP3288786B2 (ja) シリコン単結晶の冷却方法および冷却装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant