CN113946006B - 大面积微纳米光栅及其制备方法与应用 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 76
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 239000004984 smart glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- QYMFNZIUDRQRSA-UHFFFAOYSA-N dimethyl butanedioate;dimethyl hexanedioate;dimethyl pentanedioate Chemical compound COC(=O)CCC(=O)OC.COC(=O)CCCC(=O)OC.COC(=O)CCCCC(=O)OC QYMFNZIUDRQRSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/01—Head-up displays
- G02B27/017—Head mounted
- G02B27/0172—Head mounted characterised by optical features
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1809—Diffraction gratings with pitch less than or comparable to the wavelength
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/01—Head-up displays
- G02B27/017—Head mounted
- G02B2027/0178—Eyeglass type
Abstract
本发明涉及一种大面积微纳米光栅及其制备方法与应用。上述制备方法包括如下步骤：在衬底上形成金属层；在衬底及金属层上形成抗蚀层，抗蚀层覆盖金属层；在抗蚀层表面点涂导电金属浆料作为聚焦点；聚焦点于抗蚀层预设曝光区域外周间隔设置；调整电子束设备的子场和主场的尺寸为大面积微纳米光栅周期的整数倍，并且使场拼接线落在曝光区域内；将抗蚀层进行曝光和显影，得到预设结构，曝光在电子束设备进行；以经过曝光和显影的抗蚀层作为第一掩膜，对金属层进行离子刻蚀；去除抗蚀层，以经离子刻蚀的金属层作为第二掩膜，对衬底进行离子刻蚀。上述制备方法得到的光栅面积可达到平方厘米级，同时光栅的精度可达纳米尺寸。
Description
技术领域
本发明涉及光栅制备技术领域，具体涉及一种大面积微纳米光栅及其制备方法与应用。
背景技术
光栅是常用的光学元件，随着智能眼镜，例如虚拟现实Virtual Reality(VR)和增强现实Augmented Reality(AR)眼镜的逐渐普及，大面积微纳米光栅的应用也越来越普遍。传统大面积光栅普遍采用机械机床加工，最小的尺寸在微米量级。而为了获得更小尺寸的纳米光栅，通常使用电子束曝光来实现纳米级光栅的制备。但是，随着光栅面积的增大，传统电子束曝光制备的光栅存在拼接场误差明显，聚焦不良导致图形变形等一系列的问题，导致光栅脊、光栅槽的宽度均一性差。
发明内容
基于此，有必要提供一种兼具大面积及较高的光栅脊、光栅槽宽度均一性，且适合大规模生产的大面积微纳米光栅及其制备方法与应用。
本发明的一个方面，提供了一种大面积微纳米光栅的制备方法，包括如下步骤：
在衬底上形成金属层；所述金属层的厚度为30nm～80nm；
在所述衬底及所述金属层上形成抗蚀层，所述抗蚀层覆盖所述金属层；
在所述抗蚀层的表面点涂导电金属浆料作为聚焦点；所述聚焦点有多个，多个所述聚焦点于所述抗蚀层表面预设曝光区域的外周间隔设置；
调整电子束设备的子场和主场的尺寸为待制备的所述大面积微纳米光栅的预设周期的整数倍，并且使场拼接线落在所述预设曝光区域内；
对所述抗蚀层进行曝光和显影，得到预设结构，所述曝光在所述电子束设备进行；
以经过曝光和显影的所述抗蚀层作为第一掩膜，对所述金属层进行离子刻蚀；
去除所述抗蚀层，以经离子刻蚀的所述金属层作为第二掩膜，对所述衬底进行离子刻蚀。
在其中一些实施例中，相邻的所述聚焦点之间的间隔为1mm～10mm。
在其中一些实施例中，所述抗蚀层的厚度为200nm～300nm。
在其中一些实施例中，所述金属层的材料选自铬、铝及钛中的至少一种。
在其中一些实施例中，所述子场尺寸为所述预设周期的1～73倍；
在其中一些实施例中，所述主场尺寸为所述预设周期的1～1470倍。
在其中一些实施例中，在对抗蚀层进行曝光和显影的步骤中，曝光剂量为1C/m2～10C/m2。
在其中一些实施例中，在以经过曝光和显影的抗蚀层作为第一掩膜，对金属层进行离子刻蚀的步骤中，刻蚀气体包括O2和Cl2，所述O2的流量为10sccm～20sccm，所述Cl2的流量为30sccm～80sccm，刻蚀功率为100W～1200W。
在其中一些实施例中，在以经离子刻蚀的金属层作为第二掩膜，对衬底进行离子刻蚀的步骤中，刻蚀气体包括O2和CHF3，所述O2的流量为3sccm～20sccm，所述CHF3的流量为30sccm～80sccm，刻蚀功率为100W～1200W。
本发明的另一方面，还提供了一种大面积微纳米光栅，所述大面积微纳米光栅由上述的大面积微纳米光栅的制备方法制备得到。
本发明的另一方面，还提供了上述的大面积微纳米光栅在制备智能眼镜或制备光学器件中的应用。
上述的大面积微纳米光栅的制备方法通过调节电子束设备的主场、子场的尺寸为光栅周期的整数倍，并使拼接线落在曝光区域内，能够减小制备大面积光栅时由于拼接场误差导致的光栅脊偏移、不连续等问题；通过在曝光区域外周设置均匀间隔的导电金属浆料作为聚焦点，对聚焦点进行聚焦，能够改善大面积曝光聚焦不良的问题，提升光刻图形的精度，制备得到的大面积微纳米光栅面积可达到平方厘米级，同时光栅线宽的精度可达到纳米尺寸。
附图说明
图1为本发明一实施方式的大面积微纳米光栅的制备方法的工艺流程图；
图2为图1所述的大面积微纳米光栅的制备方法的工艺流程图中步骤S110得到的金属层和衬底的示意图；
图3为图1所述的大面积微纳米光栅的制备方法的工艺流程图中步骤S120得到的抗蚀层、金属层和衬底的示意图；
图4为图1所述的大面积微纳米光栅的制备方法的工艺流程图中步骤S130得到的抗蚀层和聚焦点的示意图；
图5为图1所述的大面积微纳米光栅的制备方法的工艺流程图中步骤S150得到的抗蚀层、金属层和衬底的示意图；
图6为图1所述的大面积微纳米光栅的制备方法的工艺流程图中步骤S160得到的抗蚀层、金属层和衬底的示意图；
图7为图1所述的大面积微纳米光栅的制备方法的工艺流程图中步骤S170去除抗蚀层得到的金属层和衬底的示意图；
图8为图1所述的大面积微纳米光栅的制备方法的工艺流程图中步骤S170离子刻蚀得到的金属层和衬底的示意图；
图9为图1所述的大面积微纳米光栅的制备方法的工艺流程图中步骤S170之后去除金属层得到的衬底的示意图；
图10为实施例1的大面积微纳米光栅的制备方法制备得到的大面积微纳米光栅的扫描电子显微镜(SEM)照片；比例尺为2μm；
图11为对比例2的大面积微纳米光栅的制备方法制备得到的大面积微纳米光栅的扫描电子显微镜(SEM)照片；比例尺为200nm。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
参阅图1，本发明一实施方式提供了一种大面积微纳米光栅的制备方法，包括步骤S110～步骤S170。
步骤S110：在衬底上形成金属层，金属层的厚度为30nm～80nm。
图2为步骤S110得到的金属层220和衬底210的示意图。
在衬底上形成的金属层可提升导电性使电子聚集，并且可作为衬底的蚀刻掩膜。在其中一些实施例中，金属层的材料选自铬、铝及钛中的至少一种。
金属层的厚度太小，会导致导电性较差，蚀刻效果较差，拼接处误差较大；而金属层的厚度太厚，则不易于后续离子刻蚀被刻蚀透，且需要更大厚度的抗蚀层作为掩膜。具体地，金属层的厚度为30nm、40nm、50nm、60nm、70nm或80nm。
在一些实施方式中，采用电子束蒸镀设备蒸镀金属，以形成衬底上的金属层。
在其中一些实施例中，在步骤S110之前，还包括：清洗衬底的步骤。
具体地，清洗衬底的步骤包括：先用SC1清洗液清洗衬底，再用SC2清洗液清洗衬底。其中，SC1清洗液包括NH4OH、H2O2及水。SC1清洗液中NH4OH、H2O2及水的体积之比为1：1：(5～10)。SC2清洗液包括HCl、H2O2及水。SC2清洗液中HCl、H2O2及水的体积之比为1：1：(5～10)。
SC1清洗液能够去除衬底上的颗粒物质，SC2清洗液能够去除衬底上的重金属，以防止后续对光栅的制备造成污染。
在本实施方式中，衬底为石英衬底，可以理解，在其他实施方式中，衬底还可以根据要制备的大面积微纳米光栅的用途进行选择。
在清洗衬底的步骤之后，还包括：烘烤衬底的步骤。
具体地，烘烤衬底的步骤中，烘烤温度为120℃～180℃，烘烤的时间为1min～30min。
步骤S120：在衬底及金属层上形成抗蚀层，抗蚀层覆盖金属层。
图3为步骤S120得到的抗蚀层230、金属层220和衬底210的示意图。
在其中一些实施例中，抗蚀层由电子束抗蚀剂制备得到。具体地，电子束抗蚀剂选自聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、ZEP520及AR-P6200中的一种。其中，ZEP520为日本zeon公司生产的电子束抗蚀剂，AR-P6200为德国All resist公司生产的电子束抗蚀剂。可以理解，电子束抗蚀剂并不限于上述电子束抗蚀剂，还可以为本领域常用的电子束抗蚀剂。
具体地，采用旋涂的方式在衬底上形成抗蚀层。
在其中一些实施例中，抗蚀层的厚度为200nm～300nm。具体地，抗蚀层的厚度为200nm、210nm、220nm、230nm、240nm、250nm、260nm、270nm、280nm、290nm或300nm。
在其中一些实施例中，电子束抗蚀剂为AR-P6200，抗蚀层与金属层的厚度比为(4～8)：1。优选地，电子束抗蚀剂为AR-P6200，抗蚀层与金属层的厚度比为5:1。
步骤S130：在抗蚀层的表面点涂导电金属浆料作为聚焦点。聚焦点有多个，多个聚焦点于抗蚀层表面预设曝光区域的外周间隔设置。图4为步骤S130得到的抗蚀层230和聚焦点240的示意图。
由于大面积光栅的曝光区域较大，容易发生聚焦不良的情况，导致光刻图形尺寸变形，影响产品精度。通过在曝光区域外周间隔设置导电金属作为聚焦点，能够改善聚焦情况，提升光刻精度，避免刻蚀图形变形的问题。
在其中一些实施例中，导电金属可选自金、银、铜、锡等金属。在本发明实施方式中，导电金属浆料为银浆。
在其中一些实施例中，考虑到片子的翘曲度以及和景深的关系，相邻聚焦点之间的间隔为1mm～10mm。聚焦点间隔在此范围内电子束聚焦良好，且曝光效率高。进一步地，相邻聚焦点之间的间隔为5mm。
步骤S140：调整电子束设备的子场和主场的尺寸为待制备的大面积微纳米光栅的预设周期的整数倍，并且使场拼接线落在预设曝光区域内。通过调节电子束设备的主场、子场的尺寸为光栅周期的整数倍，并使拼接线落在曝光区域内，能够减小制备大面积光栅时由于拼接场导致的光栅脊的条形偏移、不连续等问题。
在其中一些实施例中，子场尺寸为预设周期的1～73倍。
在其中一些实施例中，主场尺寸为预设周期的1～1470倍。
例如，光栅预设周期为340nm，设置电子束设备的子场尺寸为24.82μm，主场尺寸为499.8μm。即子场尺寸为光栅预设周期的73倍，主场尺寸为光栅预设周期的1470倍。需要说明的是，例举的子场尺寸及主场尺寸相对于光栅预设周期的整数倍范围根据本发明实施方式采用的电子束设备(nanobeam NB5)设置。可以理解，根据采用电子束设备的不同，可以调整场尺寸及主场尺寸相对于光栅预设周期的整数倍范围。
步骤S150：对抗蚀层进行曝光和显影，得到预设结构，曝光在电子束设备进行。
图5为步骤S150得到的衬底210、金属层220和经过曝光和显影的抗蚀层230的示意图。
在其中一些实施例中，在步骤S150中，曝光剂量为1C/m2～10C/m2。曝光过程中的加速电压为80kV。电子束流为1nA～15nA。采用上述参数进行曝光，能够使抗蚀层的光刻图案精度为纳米尺度。
在本发明实施方式中，电子束设备型号为nanobeam NB5。该曝光设备的曝光精度能够达到纳米尺度。
在其中一些实施例中，在步骤S150中，使用显影液进行显影。在其中一些实施例中，显影液为AR 600-546，显影时间为1min～10min。
步骤S160：以经过曝光和显影的抗蚀层作为第一掩膜，对金属层进行离子刻蚀。图6为步骤S160得到的抗蚀层230、金属层220和衬底210的示意图。
在其中一些实施例中，在步骤S160中，刻蚀气体包括O2和Cl2，O2的流量为10sccm～20sccm，Cl2的流量为30sccm～80sccm，刻蚀功率为100W～1200W。腔体压力为3mTorr～15mTorr。偏置电压为0～600W。此时，衬底可以为石英衬底。可以理解，当衬底为其他衬底或采用的设备不同时，步骤S160中的各参数并不限于上述值。具体地，刻蚀时间根据电子束抗蚀剂和金属的蚀刻速率比来设定。
在其中一些实施例中，在步骤S160中，离子刻蚀的参数为：刻蚀气体为O2和Cl2的混合气体，O2的流量为15sccm，Cl2的流量为50sccm，刻蚀功率为500W。腔体压力为10mTorr。偏置电压为600W。
步骤S170：去除抗蚀层，以经离子刻蚀的金属层作为第二掩膜，对衬底进行离子刻蚀。图7为去除抗蚀层的金属层220和衬底210的示意图。图8为经过步骤S170离子刻蚀的金属层220和衬底210的示意图。
在其中一些实施例中，采用去胶剂去除抗蚀层。去胶剂选自丙酮、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N-乙基吡咯烷酮(NEP)及二价酸酯(NME)中的至少一种。
在其中一些实施例中，在步骤S170中，刻蚀气体包括O2和CHF3，O2的流量为3sccm～20sccm，CHF3的流量为30sccm～80sccm，刻蚀功率为100W～1200W。腔体压力为3mTorr～15mTorr。偏置电压为20W～600W。此时，衬底可以为石英衬底。可以理解，当衬底为其他衬底或采用的设备不同时，步骤S160中的各参数并不限于上述值。
在其中一些实施例中，以在步骤S170中，离子刻蚀的参数为：刻蚀气体为O2和CHF3的混合气体，O2的流量为10sccm，CHF3的流量为50sccm，刻蚀功率为500W。腔体压力为10mTorr。偏置电压为600W。
在其中一些实施例中，在步骤S170之后，还包括：去除金属层的步骤。图9为去除金属层得到的衬底210的示意图，即通过上述制备方法制备得到的大面积微纳米光栅的示意图。经过上述处理，衬底210具有大量等宽等间距的平行条形凸起的光栅结构，即光栅脊。
具体地，采用金属清洗液去除金属层。具体地，金属清洗液选自去铬液、王水及盐酸中的至少一种。金属能够溶解在上述溶液中，从而除去金属层，但上述溶液不会对衬底及得到的光栅的结构造成影响。
上述的大面积微纳米光栅的制备方法通过调节电子束设备的主场、子场的尺寸为光栅周期的整数倍，并使拼接线落在曝光区域内，能够减小制备大面积光栅时由于拼接场导致的光栅脊的条形偏移、不连续等问题；通过在曝光区域外周设置均匀间隔的银浆作为聚焦点，对银浆点进行聚焦，能够改善大面积曝光聚焦不良的问题，提升光刻图形的精度，制备得到的大面积微纳米光栅面积可达到平方厘米级，同时光栅的精度可达50nm左右。
另外，上述大面积微纳米光栅的制备方法制备精度高，良品率高，尤其适合于大规模生产。
本发明另一实施方式还提供了一种大面积微纳米光栅，大面积微纳米光栅由上述的大面积微纳米光栅的制备方法制备得到。
在其中一些实施例中，大面积微纳米光栅包括多个光栅脊，多个光栅脊间隔排列，形成大量等宽等间距的平行条形。光栅脊的宽度为大于50nm，光栅周期大于100nm。
本发明另一实施方式还提供了上述的大面积微纳米光栅在制备智能眼镜或制备光学器件中的应用。
具体地，上述大面积微纳米光栅可作为智能眼镜中的光学器件。
以下为具体实施例部分：
实施例1：
本实施例的大面积微纳米光栅的制备过程具体如下：
(1)根据要制备的大面积微纳米光栅，绘制版图。
(2)先用NH4OH、H2O2及水体积比为1:1:10的SC1清洗液清洗衬底10min，再用HCl、H2O2及水的体积之比为1:1:10的SC2清洗液清洗衬底10min。烘烤清洗后的衬底，最后用水清洗并干燥衬底。衬底为石英片。
(3)在衬底上通过蒸镀金属Cr形成厚度为50nm的金属层。
(4)利用涂胶机在衬底上旋涂电子束抗蚀剂AR-P 6200，形成厚度为250nm的抗蚀层覆盖在金属层表面。
(5)根据预设光栅周期为340nm，调整电子束设备的子场和主场的尺寸为光栅周期整数倍，并使场拼接线落在曝光区域内。其中，子场尺寸为24.82μm，主场尺寸为499.8μm，即子场尺寸为光栅周期的73倍，主场尺寸为光栅周期的1470倍。
(6)在抗蚀层曝光区域的外周每间隔5mm点涂一个银浆点作为聚焦点。
(7)将步骤(6)得到的含抗蚀层的衬底放在电子束设备(型号为nanobeam NB5)中进行曝光，其中曝光过程中加速电压为80kV，电子束束流为10nA，曝光剂量为2.5C/m2。然后用AR 600-546显影，显影时间为5min。
(8)将衬底放入电感耦合等离子体(ICP)刻蚀***中进行刻蚀，以光刻后的抗蚀层作为掩膜刻蚀金属层，其中刻蚀气体为O2和Cl2的混合气体，O2的流量为15sccm，Cl2的流量为50sccm，刻蚀功率为300W。腔体压力为10mTorr。偏置电压为0W。
(9)用丙酮作为去胶剂去除抗蚀层，然后以刻蚀后的金属层作为掩膜刻蚀衬底，其中刻蚀气体为O2和CHF3的混合气体，O2的流量为5sccm，CHF3的流量为50sccm，刻蚀功率为150W。腔体压力为10mTorr。偏置电压为50W。
(10)用去铬液清洗去除金属层，得到大面积微纳米光栅。
实施例2：
实施例2的大面积微纳米光栅的制备过程与实施例1的大面积微纳米光栅的制备过程基本相同，区别在于：本实施例的步骤(6)中，相邻聚焦点的间隔为1mm。
实施例3：
实施例3的大面积微纳米光栅的制备过程与实施例1的大面积微纳米光栅的制备过程基本相同，区别在于：本实施例的步骤(6)中，相邻聚焦点的间隔为10mm。
对比例1：
对比例1的大面积微纳米光栅的制备过程与实施例1的大面积微纳米光栅的制备过程基本相同，区别在于：本对比例的步骤(3)中，金属层的厚度为20nm。
对比例2：
对比例2的大面积微纳米光栅的制备过程与实施例1的大面积微纳米光栅的制备过程基本相同，区别在于：本对比例的步骤(5)中，拼接线落在非曝光区域中间。
对比例3：
对比例3的大面积微纳米光栅的制备过程与实施例1的大面积微纳米光栅的制备过程基本相同，区别在于：本对比例的步骤(5)中，子场尺寸为光栅周期的73.5倍，主场尺寸为光栅周期的1470.5倍。
上述实施例1～实施例3及对比例1～3的大面积光栅的预设周围均为340nm。上述实施例1～实施例3及对比例1～3的大面积光栅的制备过程中的工艺参数如表1所示。
表1
采用扫描电子显微镜(SEM)对上述实施例1～实施例3及对比例1～3中制备得到的大面积微纳米光栅进行观测，观察的形貌特征记录在下表2。
表2
从表2数据可以看出，实施例1～3制备的大面积微纳米光栅脊的条形基本无偏移，且光栅槽宽度统一。对比例1制备的大面积微纳米光栅由于金属层厚度相对较小，作为掩膜厚度太小，导致石英的刻蚀深度不够导致光栅的形貌不佳，并且由于金属层较薄，导电性不足，场拼接处存在误差。对比例2及对比例3制备的大面积微纳米光栅脊的条形有明显误差，光栅槽的宽度存在变大或变小情况，制备精度较差。
参阅图10，为实施例1制备得到的大面积微纳米光栅的扫描电子显微镜照片。可以看出，实施例1制备得到的大面积微纳米光栅脊的条形连续性好，无明显的偏移现象；光栅槽的宽度均一性良好，制备精度高。
参阅图11，为对比例2制备得到的面积微纳米光栅的扫描电子显微镜照片。可以看出，对比例2制备得到的大面积微纳米光栅的误差明显，光栅槽的宽度均一性差，在拼接处的光栅槽宽度变大。对比例3制备得到的面积微纳米光栅的形貌与对比例2的光栅形貌相近，光栅槽的宽度不均一，在拼接处存在变大或变小的情况，影响制备的精度。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，便于具体和详细地理解本发明的技术方案，但并不能因此而理解为对发明专利保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。应当理解，本领域技术人员在本发明提供的技术方案的基础上，通过合乎逻辑的分析、推理或者有限的试验得到的技术方案，均在本发明所述附权利要求的保护范围内。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求的内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。
Claims (9)
1.一种大面积微纳米光栅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在衬底上形成金属层；所述金属层的厚度为30nm～80nm；
在所述衬底及所述金属层上形成抗蚀层，所述抗蚀层覆盖所述金属层；
在所述抗蚀层的表面点涂导电金属浆料作为聚焦点；所述聚焦点有多个，多个所述聚焦点于所述抗蚀层表面预设曝光区域的外周间隔设置；
调整电子束设备的子场和主场的尺寸为待制备的所述大面积微纳米光栅的预设周期的整数倍，并且使场拼接线落在所述预设曝光区域内；所述子场的尺寸为所述预设周期的1～73倍，及/或，所述主场的尺寸为所述预设周期的1～1470倍；对所述抗蚀层进行曝光和显影，得到预设结构，所述曝光在所述电子束设备进行；
以经过曝光和显影的所述抗蚀层作为第一掩膜，对所述金属层进行离子刻蚀；
去除所述抗蚀层，以经离子刻蚀的所述金属层作为第二掩膜，对所述衬底进行离子刻蚀。
2.根据权利要求1所述的大面积微纳米光栅的制备方法，其特征在于，相邻的所述聚焦点之间的间隔为1mm～10mm。
3.根据权利要求1所述的大面积微纳米光栅的制备方法，其特征在于，所述抗蚀层的厚度为200nm～300nm。
4.根据权利要求1所述的大面积微纳米光栅的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料选自铬、铝及钛中的至少一种。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的大面积微纳米光栅的制备方法，其特征在于，在对抗蚀层进行曝光和显影的步骤中，曝光剂量为1C/m2～10C/m2。
6.根据权利要求1～4中任意一项所述的大面积微纳米光栅的制备方法，其特征在于，在以经过曝光和显影的抗蚀层作为第一掩膜，对金属层进行离子刻蚀的步骤中，刻蚀气体包括O2和Cl2，所述O2的流量为10sccm～20sccm，所述Cl2的流量为30sccm～80sccm，刻蚀功率为100W～1200W。
7.根据权利要求1～4中任意一项所述的大面积微纳米光栅的制备方法，其特征在于，在以经离子刻蚀的金属层作为第二掩膜，对衬底进行离子刻蚀的步骤中，刻蚀气体包括O2和CHF3，所述O2的流量为3sccm～20sccm，所述CHF3的流量为30sccm～80sccm，刻蚀功率为100W～1200W。
8.一种大面积微纳米光栅，其特征在于，所述大面积微纳米光栅由权利要求1～7任意一项所述的大面积微纳米光栅的制备方法制备得到。
9.权利要求8所述的大面积微纳米光栅在制备智能眼镜或制备光学器件中的应用。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113946006A CN113946006A (zh) | 2022-01-18 |
| CN113946006B true CN113946006B (zh) | 2024-04-05 |
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ID=79329411
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202111176238.6A Active CN113946006B (zh) | 2021-10-09 | 2021-10-09 | 大面积微纳米光栅及其制备方法与应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN113946006B (zh) |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |