CN113933945B - 一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦 - Google Patents

一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦 Download PDF

Info

Publication number
CN113933945B
CN113933945B CN202111170124.0A CN202111170124A CN113933945B CN 113933945 B CN113933945 B CN 113933945B CN 202111170124 A CN202111170124 A CN 202111170124A CN 113933945 B CN113933945 B CN 113933945B
Authority
CN
China
Prior art keywords
beam splitter
variable ratio
gold
conduction band
ratio beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111170124.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113933945A (zh
Inventor
胡锐兴
张广涵
龚磊
欧熠
张�浩
张怡
石云莲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETC 44 Research Institute
Original Assignee
CETC 44 Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 44 Research Institute filed Critical CETC 44 Research Institute
Priority to CN202111170124.0A priority Critical patent/CN113933945B/zh
Publication of CN113933945A publication Critical patent/CN113933945A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113933945B publication Critical patent/CN113933945B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
    • G02B6/4237—Welding
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4274—Electrical aspects
    • G02B6/4277—Protection against electromagnetic interference [EMI], e.g. shielding means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4286—Optical modules with optical power monitoring

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

本发明属于线性光电隔离器件技术领域，一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，该器件包括：底座、光敏集成板、可变比光束分离器、盖板以及封装管壳；光敏集成板设置在底座上；可变比光束分离器设置在光敏集成板上，且器件的信号输出端与可变比光束分离器的输入端对应；盖板设置在光敏集成板上，且盖板与光敏集成板形成电学导通；封装管壳用于对底座、光敏集成板、可变比光束分离器以及盖板进行气密性封装；本发明设计了一种包含LED发光二极管、光电探测器及可变比光束分离器的线性光耦结构，该结构通过立体式对射光学结构和可变比光束分离器内部光纤光路传输实现线性光耦的高精度传输增益，同时提高了器件的抗电磁干扰能力和高可靠性。

Description

一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦
技术领域
本发明属于线性光电隔离器件技术领域，一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦。
背景技术
在信号隔离传输领域，由于光电隔离通过发光器件和光敏器件以光信号为传输媒介，具有单向传输、抗干扰能力强、使用寿命长、无触点等诸多优点，因此在各种测量***中被广泛使用。其中，在模拟信号光电隔离传输领域，常用的电路由线性光耦、反馈电路和跨阻放大输出电路组成，模拟信号的传输增益取决于线性光耦器件的传输增益，而线性光耦器件的传输增益取决于输出光电探测器与输入光电探测器光电流的比值。
目前，典型线性光耦产品如美国VISHAY公司的IL300系列、美国Agilent公司的HCNR200/2001、美国TI公司的TIL300/300A系列产品均为塑封器件产品，由于受到生产工艺、塑封模具、内部结构及光电探测器批次性差异的影响，使得每个器件的传输增益及分布区间较大，传输增益偏差大于5％；例如HCNR200传输增益为0.85～1.15，HCNR201传输增益为0.93～1.07，IL300传输增益为0.56～1.65，TIL300传输增益为0.75～1.25，TIL300A传输增益为0.9～1.1，并且器件内部灌胶导致高低温环境下传输增益偏差较大，使得在实际电路使用中每只线性光耦都需要配置不同的高精度调试电阻解决传输精度不足的问题，使用起来相对复杂，另外传输增益不能根据实际使用电路进行调整，无法满足模拟信号传输灵活调整的使用需求。而陶瓷结构线性光耦传输精度虽然可以通过耦合工艺进行优化调整，但器件结构复杂且生产效率相对较低，不便于批量生产，且无法解决高低温环境下LED光场变化不均匀引起传输精度变化的技术问题。
发明内容
为解决以上现有技术存在的问题，本发明提出了一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，该器件包括：底座1、光敏集成板2、可变比光束分离器3、盖板4以及封装管壳5；光敏集成板2设置在底座1上；可变比光束分离器3设置在光敏集成板2上，且可变比光束分离器3的信号输出端与可变比光束分离器3的输入端对应；盖板4设置在光敏集成板2上，且盖板4与光敏集成板2形成电学导通；所述封装管壳5用于对底座1、光敏集成板2、可变比光束分离器3以及盖板4进行气密性封装。
优选的，底座1为长方体结构，在该底座的中心设置有凹槽，该凹槽用于固定光敏集成板2和盖板3。
优选的，光敏集成板2包括：底板21、左金焊盘22、右金焊盘23、左金导带24、右金导带25、左光电探测器芯片26、右光电探测器芯片27、第一陶瓷台阶28和第二陶瓷台阶29；左金焊盘22、右金焊盘23、左金导带24、右金导带25、第一陶瓷台阶28和第二陶瓷台阶29设置在底板21上，且第一陶瓷台阶28和第二陶瓷台阶29上表面镀有金属层；左光电探测器芯片26设置在左金焊盘22上，并通过导线与左金导带24导通；右光电探测器芯片27设置在右金焊盘23上，并通过导线与右金导带25导通；左金焊盘22、右金焊盘23、左金导带24以及右金导带25分别与封装外壳对应金属外引脚连接。
进一步的，光敏集成板2还包括第三陶瓷台阶281和第四陶瓷台阶291；第三陶瓷台阶281固定在第一陶瓷台阶28的侧面，第四陶瓷台阶291固定在第二陶瓷台阶29的侧面。
进一步的，第三陶瓷台阶281和第四陶瓷台阶291的上表面均设置有固定槽，固定槽表面镀有金属层。
优选的，光束分离器3包括支架31、左光纤34以及右光纤35；支架31为内部中空的门型结构，左光纤34和右光纤35分别设置在支架31的内部。
进一步的，光束分离器3还包括左支撑架32和右支撑架33；左支撑架32固定在支架31的左侧，右支撑架33固定在支架(31)的右侧；在将光束分离器3设置在光敏集成板2上时，通过将左支撑架32固定在光敏集成板2的第三陶瓷台阶281的固定槽上，将右支撑架33固定在光敏集成板2的第四陶瓷台阶291的上表面固定槽上。
优选的，盖板4包括：固定板41、短金导带42、长金导带43以及LED发光二极管芯片44；短金导带42和长金导带43设置在固定板41的上，且短金导带42和长金导带43之间不导通；LED发光二极管芯片44设置在长金导带43上，并通过导线与短金导带42连接。
进一步的，盖板4放置在光敏集成板2上，且盖板4上的短金导带42与第一陶瓷台阶28上的金属层导通，盖板4上的长金导带43与第二陶瓷台阶29的金属层导通，盖板4上的LED发光二极管芯片44对应于光束分离器3的光纤输入口。
进一步的，LED发光二极管芯片44为AlGaAs/GaAs/AlGaAs正面发光的双异质结发光二极管。
本发明的有益效果：
(1)采用LED发光二极管芯片为AlGaAs/GaAs/AlGaAs正面发光的双异质结发光二极管，将GaAs作为有源区，不同组份AlGaAs作为限制层；在衬底上生长分布布拉格反射层DBR；采用圆形电极结构为光源提供均匀分布电流，可以提高线性光耦的精度和非线性度；
(2)PIN硅基光电探测器芯片对芯片的退火温度及退火时间，离子注入能量和剂量等工艺条件进行了优化，优化了光谱响应一致性和量子效率，有效降低暗电流，并采用同批次晶圆芯片，提高参数一致性，有利于提高线性光耦传输增益的精度并降低温漂；
(3)本发明设计了一种可变比光束分离器，外框架为金属结构，光路传输采用内径为100μm的多模光纤进行，将光纤固定在金属框架内部，具体实施时，光源芯片发光面位于两个入口正上方，且完全覆盖两个入光口，两个光纤内径相等，保证等比例的光束通过光纤出口入射到探测器光面上，通过探测器转换为等比例的光电流，两个光电流的比值即为线性光耦的传输增益，基于该创新设计，可以有效解决线性光耦耦合工艺问题，提高传输精度和生产效率，传输精度降低到0.5％以内，另外，通过对可变比光束分离器内部光纤直径大小调整，可以形成不同传输增益的线性光耦，通过内部光纤传输，可以有效解决输入电流变化、温度变化对线性光耦传输精度的影响；
(4)本发明设计了一种包含AlGaAs LED发光二极管、PIN光电探测器及可变比光束分离器的线性光耦结构，基于陶瓷内腔结构，通过立体式对射光学结构和可变比光束分离器内部光纤光路传输实现线性光耦的高精度传输增益，同时提高了器件的抗电磁干扰能力和高可靠性。
附图说明
图1为本发明的线性光耦中光敏集成板的结构示意图；
图2为本发明的线性光耦中可变比光束分离器的结构示意图；
图3为本发明的线性光耦中可变比光束分离器的内视图；
图4为本发明的光敏集成板和可变比光束分离器的结构示意图；
图5为本发明的线性光耦中盖板结构图；
图6为本发明的线性光耦内部结构示意图；
图7为本发明的盖板与光敏集成板的固定位置示意图；
图8为本发明的线性光耦的整体结构示意图；
其中，1、底座；2、光敏集成板，21、底板，22、左金焊盘，23、右金焊盘，24、左金导带，25、右金导带，26、左光电探测器芯片，27、右光电探测器芯片，28、第一陶瓷台阶，29、第二陶瓷台阶，281、第三陶瓷台阶，291、第四陶瓷台阶；3、可变比光束分离器，31、支架，32、左支撑架，33、右支撑架，34、左光纤，35、右光纤，36、左光纤入光口，37、左光纤出光口，38、右光纤出光口，39、右光纤入光口；4、盖板，41、固定板，42、短金导带，43、长金导带，44、LED发光二极管芯片；5、封装管壳。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在不付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，该器件包括：底座1、光敏集成板2、可变比光束分离器3、盖板4以及封装管壳5；光敏集成板2设置在底座1上；可变比光束分离器3设置在光敏集成板2上，且可变比光束分离器3的信号输出端与可变比光束分离器3的输入端对应；盖板4设置在光敏集成板2上，且盖板4与光敏集成板2形成电学导通；所述封装管壳5用于对底座1、光敏集成板2、可变比光束分离器3以及盖板4进行气密性封装。
一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦的底座具体实施方式，该底座为长方体结构；在底座上设置有凹槽，该凹槽用于放置光敏集成板2和盖板3。
一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦的光敏集成板的具体实施方式，如图1所示，该光敏集成板包括：底板21、左金焊盘22、右金焊盘23、左金导带24、右金导带25、左光电探测器芯片26、右光电探测器芯片27、第一陶瓷台阶28和第二陶瓷台阶29；左金焊盘22、右金焊盘23、左金导带24、右金导带25、第一陶瓷台阶28和第二陶瓷台阶29设置在底板21上，且第一陶瓷台阶28和第二陶瓷台阶29上表面镀有金属层；左光电探测器芯片26设置在左金焊盘22上，并通过导线与左金导带24导通；右光电探测器芯片27设置在右金焊盘23上，并通过导线与右金导带25导通；左金焊盘22、右金焊盘23、左金导带24以及右金导带25分别与封装外壳对应金属外引脚连接。
可选的，光敏集成板2还包括第三陶瓷台阶281和第四陶瓷台阶291；第三陶瓷台阶281固定在第一陶瓷台阶28的侧面，第四陶瓷台阶291固定在第二陶瓷台阶29的侧面。所述第三陶瓷台阶281和所述第四陶瓷台阶291用于固定光束分离器3。
进一步的，第三陶瓷台阶281和第四陶瓷台阶291的上表面均设置有固定槽，固定槽表面镀有金属层。通过设置的固定槽将光束分离器3固定在指定的位置。
优选的，光敏集成板2为左右对称结构。
优选的，光电探测器芯片为PIN光电探测器芯片。PIN硅基光电探测器芯片对芯片的退火温度及退火时间，离子注入能量和剂量等工艺条件进行了优化，优化了光谱响应一致性和量子效率，有效降低暗电流，并采用同批次晶圆芯片，提高参数一致性，有利于提高线性光耦传输增益的精度并降低温漂。
优选的，光敏集成板2的左金焊盘22、右金焊盘23、左金导带24、右金导带25均设置在底板21的上部平面，且左金焊盘22、右金焊盘23、左金导带24、右金导带25与封装外壳的对应金属外引脚连接；左PIN光电探测器芯片26、右PIN光电探测器芯片27分别设置在左金焊盘22和右金焊盘23上，左、右两个PIN光电探测器芯片背面电极通过左、右金焊盘分别与封装外壳对应金属外引脚连接，正面电极通过金丝键合到左金导带24、右金导带25上，分别与封装外壳对应金属外引脚连接。
一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦的光束分离器的具体实施方式，如图2所示，该光束分离器包括支架31、左光纤34以及右光纤35；支架31为内部中空的门型结构，左光纤34和右光纤35分别设置在支架31的内部。
可选的，光束分离器3还包括左支撑架32和右支撑架33；左支撑架32固定在支架31的左侧，右支撑架33固定在支架(31)的右侧；如图4所示，左支撑架32、右支撑架33分别安装在第三陶瓷台阶281和第四陶瓷台阶291顶部上段设置的凹槽内，通过焊接实现固定。左光纤出光口37、右光纤出光口38分别位于左PIN光电探测器芯片26和右PIN光电探测器芯片27光敏面的正上方。
如图3所示，光束分离器3的支架31内部设置有两条光纤通道，在支架31的顶部设置有光纤入口，光纤入口分为左光纤入光口36和右光纤入光口39；在支架31的底部设置有两条光纤出口，该出口为左光纤出光口37和右光纤出光口38。
优选的，左光纤34和右光纤35相同，且左光纤34和右光纤35均设置为“ㄣ”的折线形状，在光纤的转折部分设置为一定的弧度，保证通过该光纤的信号能有效传输。
优选的，可变比光束分离器3中的支架31、左支撑架32、右支撑架33均为金属框架，左光纤34、右光纤35均为多模光纤，为了保证光源入射效率，光纤直径设计为100μm。
本发明设计的可变比光束分离器，外框架为金属结构，光路传输采用内径为100μm的多模光纤进行，将光纤固定在金属框架内部，具体实施时，光源芯片发光面位于两个入口正上方，且完全覆盖两个入光口，两个光纤内径相等，保证等比例的光束通过光纤出口入射到探测器光面上，通过探测器转换为等比例的光电流，两个光电流的比值即为线性光耦的传输增益；通过该可变比光束分离器可以有效解决线性光耦耦合工艺问题，提高传输精度和生产效率，传输精度降低到0.5％以内，另外，通过对可变比光束分离器内部光纤直径大小调整，可以形成不同传输增益的线性光耦，通过内部光纤传输，可以有效解决输入电流变化、温度变化对线性光耦传输精度的影响。
一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦的盖板，如图5所示，盖板4包括固定板41、短金导带42、长金导带43以及LED发光二极管芯片44；所述短金属导片42设置在固定板41上部平面的下部；所述长金属导片43设置在在固定板41上部平面的上部；所述LED发光二极管芯片44设置在长金导带43上，芯片背面电极与长金导带43连接，正面电极通过金丝与短金导带42连接。
如图6～7所示，盖板4上设置有金属导片的一面放置在光敏集成板2正上方，且盖板4上的短金属导片42与光敏集成板2的第一陶瓷台阶28上的金属导片接触导通，盖板上的长金属导片43与光敏集成板第二陶瓷台阶29上的金属导片接触导通；盖板4上的LED发光二极管芯片44的出光处位于左、右光纤入光口33、34的正上方。
优选的，LED发光二极管芯片44为AlGaAs/GaAs/AlGaAs正面发光的双异质结发光二极管，将GaAs作为有源区，不同组份AlGaAs作为限制层；在衬底上生长分布布拉格反射层；采用圆形电极结构为光源提供均匀分布电流的同时，增大光源广场分布范围，将光源发光面设计为直径为400μm的圆形结构。采用AlGaAs/GaAs/AlGaAs正面发光的双异质结发光二极管，将GaAs作为有源区，不同组份AlGaAs作为限制层；在衬底上生长分布布拉格反射层DBR；采用圆形电极结构为光源提供均匀分布电流，可以提高线性光耦的精度和非线性度
进一步的，放置LED光源芯片44时，LED光源芯片44发光面位于左光纤入光口33和右光纤入光口34的正上方，并且发光面完全覆盖左、右两个入光口。
为了保证探测器输出光电流的响应一致性，左PIN光电探测器芯片和右PIN光电探测器芯片取自同一晶圆，且探测器芯片的光敏面设计为圆形结构，光敏面直径大于左光纤出光口37和右光纤出光口38的直径，光敏面直径设计为300μm。
如图8所示，封装外壳5为无引线贴片式可密封陶瓷金属化壳体，壳体上的金属外引脚通过内部金属焊盘和金属导带分别与LED光源芯片44和两个光电探测器形成电气连接。
本发明的一种包含AlGaAs LED发光二极管、PIN光电探测器及可变比光束分离器的线性光耦结构，基于陶瓷内腔结构，通过立体式对射光学结构和可变比光束分离器内部光纤光路传输实现线性光耦的高精度传输增益，同时提高了器件的抗电磁干扰能力和高可靠性。
本发明的描述中，需要理解的是，术语“顶部”、“底部”、“一端”、“上”、“一侧”、“内”、“前部”、“后部”、“中心”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (9)

1.一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，包括：底座(1)、光敏集成板(2)、可变比光束分离器(3)、盖板(4)以及封装管壳(5)；光敏集成板(2)设置在底座(1)上；可变比光束分离器(3)设置在光敏集成板(2)上，且可变比光束分离器(3)的信号输出端与可变比光束分离器(3)的输入端对应；盖板(4)设置在光敏集成板(2)上，且盖板(4)与光敏集成板(2)形成电学导通；所述封装管壳(5)用于对底座(1)、光敏集成板(2)、可变比光束分离器(3)以及盖板(4)进行气密性封装；光束分离器(3)包括支架(31)、左光纤(34)以及右光纤(35)；支架(31)为门型结构，左光纤(34)和右光纤(35)分别设置在支架(31)的内部；其中支架(31)内部的光纤直径的可以调整，从而形成不同传输增益的线性光耦。
2.根据权利要求1所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，底座(1)为长方体结构，在该底座的中心设置有凹槽，该凹槽用于固定光敏集成板(2)和盖板(4)。
3.根据权利要求1所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，光敏集成板(2)包括：底板(21)、左金焊盘(22)、右金焊盘(23)、左金导带(24)、右金导带(25)、左光电探测器芯片(26)、右光电探测器芯片(27)、第一陶瓷台阶(28)和第二陶瓷台阶(29)；左金焊盘(22)、右金焊盘(23)、左金导带(24)、右金导带(25)、第一陶瓷台阶(28)和第二陶瓷台阶(29)设置在底板(21)上，且第一陶瓷台阶(28)和第二陶瓷台阶(29)上表面镀有金属层；左光电探测器芯片(26)设置在左金焊盘(22)上，并通过导线与左金导带(24)导通；右光电探测器芯片(27)设置在右金焊盘(23)上，并通过导线与右金导带(25)导通；左金焊盘(22)、右金焊盘(23)、左金导带(24)以及右金导带(25)分别与封装外壳对应金属外引脚连接。
4.根据权利要求3所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，光敏集成板(2)还包括第三陶瓷台阶(281)和第四陶瓷台阶(291)；第三陶瓷台阶(281)固定在第一陶瓷台阶(28)的侧面，第四陶瓷台阶(291)固定在第二陶瓷台阶(29)的侧面。
5.根据权利要求4所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，第三陶瓷台阶(281)和第四陶瓷台阶(291)的上表面均设置有固定槽，固定槽表面镀有金属层。
6.根据权利要求1所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，光束分离器(3)还包括左支撑架(32)和右支撑架(33)；左支撑架(32)固定在支架(31)的左侧，右支撑架(33)固定在支架(31)的右侧。
7.根据权利要求1所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，盖板(4)包括：固定板(41)、短金导带(42)、长金导带(43)以及LED发光二极管芯片(44)；短金导带(42)和长金导带(43)设置在固定板(41)的上，且短金导带(42)和长金导带(43)之间不导通；LED发光二极管芯片(44)设置在长金导带(43)上，并通过导线与短金导带(42)连接。
8.根据权利要求7所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，盖板(4)放置在光敏集成板(2)上，且盖板(4)上的短金导带(42)与第一陶瓷台阶(28)上的金属层导通，盖板(4)上的长金导带(43)与第二陶瓷台阶(29)的金属层导通，盖板(4)上的LED发光二极管芯片(44)对应于光束分离器(3)的光纤输入口。
9.根据权利要求7所述的一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦，其特征在于，LED发光二极管芯片(44)为AlGaAs/GaAs/AlGaAs正面发光的双异质结发光二极管。
CN202111170124.0A 2021-10-08 2021-10-08 一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦 Active CN113933945B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111170124.0A CN113933945B (zh) 2021-10-08 2021-10-08 一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111170124.0A CN113933945B (zh) 2021-10-08 2021-10-08 一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113933945A CN113933945A (zh) 2022-01-14
CN113933945B true CN113933945B (zh) 2023-02-07

Family

ID=79278141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111170124.0A Active CN113933945B (zh) 2021-10-08 2021-10-08 一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113933945B (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4859029A (en) * 1986-07-03 1989-08-22 Durell William E Variable ratio beam splitter and beam launcher
CN209046614U (zh) * 2018-12-06 2019-06-28 陕西群力电工有限责任公司 一种1.27mm窄引线间距光MOS固体继电器
CN211828768U (zh) * 2020-08-11 2020-10-30 北京瑞普北光电子有限公司 一种双通道低电压型光电耦合器
CN112162352A (zh) * 2020-09-09 2021-01-01 山东建筑大学 一种基于宇称-时间对称的连续可调分光比定向耦合器
CN112271163A (zh) * 2020-10-23 2021-01-26 中国电子科技集团公司第四十四研究所 高精度线性光电耦合器结构
CN112331644A (zh) * 2020-11-09 2021-02-05 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种抗辐照的高速光电耦合器及其制作方法
CN112505847A (zh) * 2020-11-26 2021-03-16 华为技术有限公司 一种分光比可调的分光器、光纤分纤箱和光配线网络

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3860782B2 (ja) * 2002-03-18 2006-12-20 松下電器産業株式会社 光デバイス
US6782167B2 (en) * 2002-05-14 2004-08-24 Health Research, Inc. Light beam splitter
CN101216606B (zh) * 2008-01-07 2011-06-08 岑松原 一种分光比可调的白光分束器
US10557990B2 (en) * 2017-11-27 2020-02-11 Cisco Technology, Inc. Dynamic photonic waveguide splitter/coupler

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4859029A (en) * 1986-07-03 1989-08-22 Durell William E Variable ratio beam splitter and beam launcher
CN209046614U (zh) * 2018-12-06 2019-06-28 陕西群力电工有限责任公司 一种1.27mm窄引线间距光MOS固体继电器
CN211828768U (zh) * 2020-08-11 2020-10-30 北京瑞普北光电子有限公司 一种双通道低电压型光电耦合器
CN112162352A (zh) * 2020-09-09 2021-01-01 山东建筑大学 一种基于宇称-时间对称的连续可调分光比定向耦合器
CN112271163A (zh) * 2020-10-23 2021-01-26 中国电子科技集团公司第四十四研究所 高精度线性光电耦合器结构
CN112331644A (zh) * 2020-11-09 2021-02-05 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种抗辐照的高速光电耦合器及其制作方法
CN112505847A (zh) * 2020-11-26 2021-03-16 华为技术有限公司 一种分光比可调的分光器、光纤分纤箱和光配线网络

Also Published As

Publication number Publication date
CN113933945A (zh) 2022-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4945400A (en) Subassembly for optoelectronic devices
KR920003708B1 (ko) 광전자 소자용 서브어셈블리
WO2020155965A1 (zh) 一种光模块
JP3058077B2 (ja) 半導体受発光装置
JPH02295176A (ja) 単一パッケージ光電発光―受光デバイスおよびその形成方法
JP3277876B2 (ja) 光送受信モジュ−ル
CN215416012U (zh) 一种400g硅光集成模块
JPH0715030A (ja) 線形集積光結合素子およびその製造方法
JPWO2002063730A1 (ja) 光送信器
CN113933945B (zh) 一种基于可变比光束分离器的高精度线性光耦
CN112331644B (zh) 一种抗辐照的高速光电耦合器及其制作方法
JPH02254783A (ja) 半導体レーザ装置
JP2012242694A (ja) 光ファイバ用ソケット
CN212207763U (zh) 一种硅光芯片与有源芯片的耦合结构
CN112271163B (zh) 高精度线性光电耦合器结构
CN116203682A (zh) 一种小型化光收发器件及其制作方法
CN113589445A (zh) 一种硅光芯片与有源芯片的耦合结构
KR102486332B1 (ko) 표면발광 레이저패키지 및 이를 포함하는 광 모듈
CN113922207B (zh) 基于量子点激光器及InGaAs探测器的高速高精度线性光耦
CN113725207A (zh) 一种传输增益可调的高精度线性光耦结构及其耦合方法
WO2023199403A1 (ja) 受光素子
CN218412978U (zh) 一种光器件
CN117293248B (zh) 一种具有光能自反馈的uv led器件及其制备方法
JP3420452B2 (ja) 光結合装置
CN217879740U (zh) 一种单纤双向光器件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant