CN113897598B - 一种连续式硅碳负极包覆动态cvd沉积炉 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，属于CVD沉积炉领域。一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，包括底座和炉管，所述底座上固定连接有支撑板，所述支撑板的顶部设有用于支撑炉管的支撑件，所述支撑板上还滑动连接有与炉管相配合的罩体；所述罩体的内壁通过支撑块支撑有筒体，所述炉管上设有细孔，所述支撑板上还设有与炉管相配合的送料机构；所述筒体内设有与炉管相抵的第一密封气囊和第二密封气囊，所述罩体内设有抽风机，用于抽取筒体与炉管之间的气体；所述密封法兰与炉管密封连接；本发明可有效的进行密封操作，防止乙炔、甲烷和氢气等气体产生泄露，避免了产生***的危险，提高了使用时的安全程度。

Description

一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉
技术领域
本发明涉及CVD沉积炉技术领域，尤其涉及一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉。
背景技术
负极材料是锂离子电池的重要组成部分，直接影响电池的能量密度、循环寿命和安全性能等指标；硅碳负极是一种锂电池新型负极材料，由硅与碳复合而成，有多种反应技术，CVD即其中一种，它作为一种新兴的负极材料，其容量达到主流的石墨负极材料的数十倍，是负极材料发展的未来方向。CVD（CVD：化学气相沉积，一种反应技术）法是硅碳负极碳包覆主流制备方法，但目前并未出现成熟的生产设备。
CVD制备法中物料须快速进入加热区，加热温度高，同时循环通入反应气体，设备内部气氛纯度要求高，整体密封要求高，且硅碳负极的碳包覆过程需要通入乙炔作为反应气体，且反应过程极易氧化，对密封效果要求极高，特别是进出料密封、炉管动密封及进料器轴动密封，已有CVD沉积炉密封效果达不到硅碳负极生产密封要求，且由于存在乙炔、甲烷和氢气等危险气体，密封效果不好容易产生***，从而对工作人员造成伤害，为此，我们提出一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的密封性能不好的问题，而提出的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，包括底座和炉管，所述底座上固定连接有支撑板，所述支撑板的顶部设有用于支撑炉管的支撑件，所述支撑板上还滑动连接有与炉管相配合的罩体；
所述罩体的内壁通过支撑块支撑有筒体，所述炉管上设有细孔，所述细孔置于筒体内部，所述支撑板上还设有与炉管相配合的进料机构；
所述筒体内设有与炉管相抵的第一密封气囊和第二密封气囊，所述罩体内设有抽风机，用于抽取筒体与炉管之间的气体；
所述罩体的端部设有固定法兰，所述固定法兰上连接有密封法兰，所述密封法兰与炉管密封连接。
为了使气体方便排出，优选地，所述筒体内设有锥管，所述抽风机的抽风端设有与锥管相连通的抽风管，所述抽风机的出风端通过出风管连接有箱体，所述箱体设置在筒体与罩体之间，所述出风管上设有单向阀。
为了使第一密封气囊能够实现密封操作，进一步地，所述箱体内滑动连接有横板，所述横板的底部与箱体的底部之间设有弹性件，所述箱体上设有连接管，所述连接管与第一密封气囊相连通。
为了使气体方便排出储存，更进一步地，所述横板上设有限位块，所述横板上还设有滑动连接在罩体上的螺纹杆，所述螺纹杆上设有固定螺母，所述箱体的顶部设有排气管，所述排气管置于罩体外的一端设有控制阀，所述罩体的顶部设有挡板，所述挡板上设有与排气管相连接的连接法兰。
为了使第二密封气囊能够实现密封操作，优选地，所述筒体内设有空腔，所述空腔内滑动连接有活塞板，所述活塞板的底部设有梯形块，所述梯形块与炉管的外壁相抵，所述空腔内还设有环形挡块和第一弹簧，所述第一弹簧设置在活塞板与空腔的内壁之间，所述空腔上连接有与第二密封气囊相连通的输送管。
为了对炉管的端部实现密封，优选地，所述密封法兰的内壁设有固定板，所述固定板上滑动连接有压板，所述压板上设有橡胶垫，所述橡胶垫上设有与炉管上的通孔相配合的橡胶锥块。
为了使第三密封气囊实现密封，进一步地，所述固定板内设有凹槽，所述凹槽内滑动连接有滑板，所述滑板上固定连接有与压板相连的连杆，所述连杆上套接有第二弹簧，所述第二弹簧连接在固定板与压板之间，所述固定板内还设有长管，所述长管分别与第三密封气囊和凹槽相连通。
为了方便送料，优选地，所述送料机构包括送料箱，所述送料箱内设有填充垫，所述送料箱内转动连接有送料轴，所述送料轴上设有与填充垫相抵的转动板，所述送料箱的底部设有下料孔，所述炉管置于罩体外的一端设有与下料孔相配合的凹孔，所述炉管内设有从动轴，所述从动轴上设有螺旋片，所述送料箱的顶部转动连接有箱门。
为了使从动轴和送料轴方便转动，进一步地，所述支撑板上设有步进电机，所述步进电机的输出端设有转动轴，所述转动轴与从动轴上均设有通过第一皮带相连的第一带轮，所述从动轴与送料轴上均设有通过第二皮带相连的第二带轮。
更进一步地，所述筒体内还设有加热组件，用于加热炉管，所述炉管内设有用于支撑从动轴的立板，所述罩体上设有滑孔，所述炉管滑动连接在滑孔内。
与现有技术相比，本发明提供了一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，具备以下有益效果：
1、该连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，使用前，将罩体以及其内部的筒体移动至与炉管相配合，移动时通过梯形块可将空腔内的气体通过输送管推送至第二密封气囊内，从而使第二密封气囊膨胀，使其抵住炉管，实现密封，避免通过细孔排出的乙炔、甲烷和氢气等气体泄露，提高了密封效果。
2、该连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，使用时，可将乙炔、甲烷和氢气等气体抽出，同时可通过箱体向第一密封气囊内输送气体，使其膨胀抵住炉管，实现再次密封，密封效果好，且可将乙炔、甲烷和氢气等气体排出，避免造成危害。
3、该连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，将炉管端部的密封法兰与固定法兰配合连接，使凹槽内的气体通过长管输送至第三密封气囊内，从而使第三密封气囊膨胀，实现密封，从而对炉管的端部进行密封，避免气体泄露。
该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本发明可有效的进行密封操作，防止乙炔、甲烷和氢气等气体产生泄露，避免了产生***的危险，提高了使用时的安全程度。
附图说明
图1为本发明提出的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉的结构示意图；
图2为本发明提出的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉局部的结构示意图一；
图3为本发明提出的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉局部的结构示意图二；
图4为本发明提出的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉中送料箱的结构示意图；
图5为本发明提出的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉中罩体侧视的结构示意图；
图6为本发明提出的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉图1中A部分的放大示意图；
图7为本发明提出的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉图2中B部分的放大示意图；
图8为本发明提出的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉图3中C部分的放大示意图。
图中：1、底座；101、支撑板；102、罩体；103、滑孔；104、固定法兰；105、密封法兰；106、挡板；2、炉管；201、细孔；202、支撑件；203、立板；204、通孔；3、筒体；301、加热组件；302、抽风机；303、锥管；304、抽风管；305、出风管；306、单向阀；307、支撑块；4、步进电机；401、转动轴；402、第一带轮；403、从动轴；404、第二带轮；405、第一皮带；406、第二皮带；407、螺旋片；5、送料箱；501、送料轴；502、转动板；503、填充垫；504、下料孔；6、箱体；601、横板；602、螺纹杆；603、限位块；604、排气管；605、控制阀；606、固定螺母；607、连接法兰；608、连接管；609、第一密封气囊；7、空腔；701、活塞板；702、梯形块；703、环形挡块；704、输送管；705、第二密封气囊；706、第一弹簧；8、固定板；801、压板；802、橡胶垫；803、橡胶锥块；804、凹槽；805、滑板；806、连杆；807、第二弹簧；808、长管；809、第三密封气囊。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
实施例1：
参照图1-2和图5-7，一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，包括底座1和炉管2，底座1上固定连接有支撑板101，支撑板101的顶部设有用于支撑炉管2的支撑件202，支撑板101上还滑动连接有与炉管2相配合的罩体102，罩体102可通过滑轨等滑动连接在支撑板101上，罩体102滑动之后可使炉管2露出，方便操作；罩体102的内壁通过支撑块307支撑有筒体3，炉管2上设有细孔201，细孔201置于筒体3内部，从而使排出的气体均置于筒体3内，避免泄露，支撑板101上还设有与炉管2相配合的进料机构，方便进料；筒体3内设有与炉管2相抵的第一密封气囊609和第二密封气囊705，罩体102内设有抽风机302，用于抽取筒体3与炉管2之间的气体；罩体102的端部设有固定法兰104，固定法兰104上连接有密封法兰105，密封法兰105与炉管2密封连接，避免端部泄露。
筒体3内设有锥管303，抽风机302的抽风端设有与锥管303相连通的抽风管304，抽风机302的出风端通过出风管305连接有箱体6，箱体6设置在筒体3与罩体102之间，出风管305上设有单向阀306，其中，箱体6设置在筒体3与罩体102之间，筒体3为圆柱形，箱体6为方形，箱体6内部的横板601均为水平放置，可使其方便操作。
箱体6内滑动连接有横板601，横板601的底部与箱体6的底部之间设有弹性件，箱体6上设有连接管608，连接管608与第一密封气囊609相连通。
横板601上设有限位块603，横板601上还设有滑动连接在罩体102上的螺纹杆602，螺纹杆602上设有固定螺母606，箱体6的顶部设有排气管604，排气管604置于罩体102外的一端设有控制阀605，罩体102的顶部设有挡板106，挡板106上设有与排气管604相连接的连接法兰607。
本发明中，使用时，通过送料机构进行送料，如果炉管2内产生乙炔、甲烷和氢气等气体，则会通过细孔201排出，其次启动抽风机302，可方便其通过细孔201排出，然后乙炔、甲烷和氢气等气体通过锥管303和抽风管304进入抽风机302内，然后通过出风管305排出，然后将其输送至箱体6内，单向阀306可使进入的气体不会回流，然后气体则会推动横板601向下移动，从而使其将箱体6内的气体通过连接管608输送至第一密封气囊609内，然后使第一密封气囊609膨胀，从而使其抵住炉管2，对炉管2实现进一步的密封，避免气体泄露，然后在罩体102顶部的连接法兰607上连接储存装置，打开控制阀605，然后向上拉动螺纹杆602，使其带动横板601向上移动，从而使横板601上方的气体通过排气管604排出至储存装置内，从而对气体进行有效储存，螺纹杆602上的固定螺母606可对螺纹杆602的位置进行一定的限位，且由于出风管305上设置了单向阀306，因此在气体通过排气管604排出时，不会进入出风管305内，方便排气，横板601上设置有限位块603，可对横板601进行限位，避免其堵住出风管305，方便使用。
筒体3内设有空腔7，空腔7内滑动连接有活塞板701，活塞板701的底部设有梯形块702，梯形块702与炉管2的外壁相抵，空腔7内还设有环形挡块703和第一弹簧706，第一弹簧706设置在活塞板701与空腔7的内壁之间，空腔7上连接有与第二密封气囊705相连通的输送管704。
本发明中，使用前，将罩体102以及其内部的筒体3移动至与炉管2相配合，移动时，梯形块702则会与炉管2相抵，从而使梯形块702在空腔7内产生移动，从而使活塞板701移动，然后将空腔7内的气体通过输送管704推送至第二密封气囊705内，从而使第二密封气囊705膨胀，使其抵住炉管2，实现密封，避免通过细孔201排出的乙炔、甲烷和氢气等气体泄露，且设置的第一弹簧706可在梯形块702与炉管2不配合时，使梯形块702自动复位，设置的环形挡块703可对活塞板701进行限位，从而避免活塞板701以及梯形块702滑出空腔7。
本发明中可有效的进行密封操作，防止乙炔、甲烷和氢气等气体产生泄露，避免了产生***的危险，提高了使用时的安全程度。
实施例2：
参照图1、图3和图8，一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，包括底座1和炉管2，底座1上固定连接有支撑板101，支撑板101的顶部设有用于支撑炉管2的支撑件202，支撑板101上还滑动连接有与炉管2相配合的罩体102，罩体102可通过滑轨等滑动连接在支撑板101上，罩体102滑动之后可使炉管2露出，方便操作；罩体102的内壁通过支撑块307支撑有筒体3，炉管2上设有细孔201，细孔201置于筒体3内部，从而使排出的气体均置于筒体3内，避免泄露，支撑板101上还设有与炉管2相配合的进料机构，方便进料；筒体3内设有与炉管2相抵的第一密封气囊609和第二密封气囊705，罩体102内设有抽风机302，用于抽取筒体3与炉管2之间的气体；罩体102的端部设有固定法兰104，固定法兰104上连接有密封法兰105，密封法兰105与炉管2密封连接，避免端部泄露。
密封法兰105的内壁设有固定板8，固定板8上滑动连接有压板801，压板801上设有橡胶垫802，橡胶垫802上设有与炉管2上的通孔204相配合的橡胶锥块803。
固定板8内设有凹槽804，凹槽804内滑动连接有滑板805，滑板805上固定连接有与压板801相连的连杆806，连杆806上套接有第二弹簧807，第二弹簧807连接在固定板8与压板801之间，固定板8内还设有长管808，长管808分别与第三密封气囊809和凹槽804相连通。
本发明中，将炉管2置于筒体3以及罩体102内之后，将密封法兰105与固定法兰104配合连接，此时，密封法兰105上的固定板8则会带动压板801抵住炉管2的一端，同时橡胶垫802上的橡胶锥块803则会***通孔204内，从而对通孔204实现密封，且压板801会相当于固定板8产生移动，从而通过连杆806带动滑板805移动，从而将凹槽804内的气体通过长管808输送至第三密封气囊809内，从而使第三密封气囊809膨胀，实现密封，从而对炉管2的端部进行密封，避免气体泄露，第二弹簧807则会使压板801能够自动复位，便于重复使用。
实施例3：
参照图1和图4，一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，包括底座1和炉管2，底座1上固定连接有支撑板101，支撑板101的顶部设有用于支撑炉管2的支撑件202，支撑板101上还滑动连接有与炉管2相配合的罩体102；罩体102的内壁通过支撑块307支撑有筒体3，炉管2上设有细孔201，细孔201置于筒体3内部，支撑板101上还设有与炉管2相配合的进料机构。
送料机构包括送料箱5，送料箱5内设有填充垫503，送料箱5内转动连接有送料轴501，送料轴501上设有与填充垫503相抵的转动板502，送料箱5的底部设有下料孔504，炉管2置于罩体102外的一端设有与下料孔504相配合的凹孔，炉管2内设有从动轴403，从动轴403上设有螺旋片407，送料箱5的顶部转动连接有箱门。
支撑板101上设有步进电机4，步进电机4的输出端设有转动轴401，转动轴401与从动轴403上均设有通过第一皮带405相连的第一带轮402，从动轴403与送料轴501上均设有通过第二皮带406相连的第二带轮404。
本发明中，启动步进电机4，使其带动转动轴401转动，然后通过第一带轮402和第一皮带405带动从动轴403转动，从动轴403转动时，则会带动螺旋片407转动，从而进行输送物料，由于螺旋片407一直转动，因此，可有效的避免一部分的 气体通过炉管2的端部排出，其次，设置抽风机302可有效的将气体抽出，避免造成气体从炉管2的端部泄露，从动轴403会通过第二带轮404和第二皮带406带动送料轴501转动，从而使转动板502转动，是送料箱5内的物料能够在转动板502的拨动下分批次的进料，填充垫503与转动板502相抵，可避免物料全部落下，下料孔504可使物料方便的进入炉管2内。
实施例4：
参照图1、图2和图5，一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，与实施例3基本相同，更进一步的是，筒体3内还设有加热组件301，用于加热炉管2，炉管2内设有用于支撑从动轴403的立板203，可对从动轴403进行支撑，从而使其能够稳定转动，稳定送料，罩体102上设有滑孔103，炉管2滑动连接在滑孔103内，可使罩体102方便滑动。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，包括底座（1）和炉管（2），其特征在于，所述底座（1）上固定连接有支撑板（101），所述支撑板（101）的顶部设有用于支撑炉管（2）的支撑件（202），所述支撑板（101）上还滑动连接有与炉管（2）相配合的罩体（102）；
所述罩体（102）的内壁通过支撑块（307）支撑有筒体（3），所述炉管（2）上设有细孔（201），所述细孔（201）置于筒体（3）内部，所述支撑板（101）上还设有与炉管（2）相配合的进料机构；
所述筒体（3）内设有与炉管（2）相抵的第一密封气囊（609）和第二密封气囊（705），所述罩体（102）内设有抽风机（302），用于抽取筒体（3）与炉管（2）之间的气体；
所述罩体（102）的端部设有固定法兰（104），所述固定法兰（104）上连接有密封法兰（105），所述密封法兰（105）与炉管（2）密封连接；
所述筒体（3）内设有锥管（303），所述抽风机（302）的抽风端设有与锥管（303）相连通的抽风管（304），所述抽风机（302）的出风端通过出风管（305）连接有箱体（6），所述箱体（6）设置在筒体（3）与罩体（102）之间，所述出风管（305）上设有单向阀（306）；
所述箱体（6）内滑动连接有横板（601），所述横板（601）的底部与箱体（6）的底部之间设有弹性件，所述箱体（6）上设有连接管（608），所述连接管（608）与第一密封气囊（609）相连通；
所述筒体（3）内设有空腔（7），所述空腔（7）内滑动连接有活塞板（701），所述活塞板（701）的底部设有梯形块（702），所述梯形块（702）与炉管（2）的外壁相抵，所述空腔（7）内还设有环形挡块（703）和第一弹簧（706），所述第一弹簧（706）设置在活塞板（701）与空腔（7）的内壁之间，所述空腔（7）上连接有与第二密封气囊（705）相连通的输送管（704）。
2.根据权利要求1所述的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，其特征在于，所述横板（601）上设有限位块（603），所述横板（601）上还设有滑动连接在罩体（102）上的螺纹杆（602），所述螺纹杆（602）上设有固定螺母（606），所述箱体（6）的顶部设有排气管（604），所述排气管（604）置于罩体（102）外的一端设有控制阀（605），所述罩体（102）的顶部设有挡板（106），所述挡板（106）上设有与排气管（604）相连接的连接法兰（607）。
3.根据权利要求1所述的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，其特征在于，所述密封法兰（105）的内壁设有固定板（8），所述固定板（8）上滑动连接有压板（801），所述压板（801）上设有橡胶垫（802），所述橡胶垫（802）上设有与炉管（2）上的通孔（204）相配合的橡胶锥块（803）。
4.根据权利要求3所述的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，其特征在于，所述固定板（8）内设有凹槽（804），所述凹槽（804）内滑动连接有滑板（805），所述滑板（805）上固定连接有与压板（801）相连的连杆（806），所述连杆（806）上套接有第二弹簧（807），所述第二弹簧（807）连接在固定板（8）与压板（801）之间，所述固定板（8）内还设有长管（808），所述长管（808）分别与第三密封气囊（809）和凹槽（804）相连通。
5.根据权利要求1所述的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，其特征在于，所述进料机构包括送料箱（5），所述送料箱（5）内设有填充垫（503），所述送料箱（5）内转动连接有送料轴（501），所述送料轴（501）上设有与填充垫（503）相抵的转动板（502），所述送料箱（5）的底部设有下料孔（504），所述炉管（2）置于罩体（102）外的一端设有与下料孔（504）相配合的凹孔，所述炉管（2）内设有从动轴（403），所述从动轴（403）上设有螺旋片（407），所述送料箱（5）的顶部转动连接有箱门。
6.根据权利要求5所述的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，其特征在于，所述支撑板（101）上设有步进电机（4），所述步进电机（4）的输出端设有转动轴（401），所述转动轴（401）与从动轴（403）上均设有通过第一皮带（405）相连的第一带轮（402），所述从动轴（403）与送料轴（501）上均设有通过第二皮带（406）相连的第二带轮（404）。
7.根据权利要求6所述的一种连续式硅碳负极包覆动态CVD沉积炉，其特征在于，所述筒体（3）内还设有加热组件（301），用于加热炉管（2），所述炉管（2）内设有用于支撑从动轴（403）的立板（203），所述罩体（102）上设有滑孔（103），所述炉管（2）滑动连接在滑孔（103）内。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN205300229U (zh) * 2015-12-18 2016-06-08 内蒙古索能硅材料科技有限公司 一种密封装置
CN110005810A (zh) * 2019-03-20 2019-07-12 西安交通大学 一种高温炉窑动态密封结构
CN110500879A (zh) * 2019-08-16 2019-11-26 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种连续式硅碳负极动态cvd烧结炉
CN210036227U (zh) * 2019-04-26 2020-02-07 宁德时代新能源科技股份有限公司 回转炉
CN211739832U (zh) * 2019-12-31 2020-10-23 江苏前锦炉业设备有限公司 硅碳负极材料连续式气氛保护回转炉

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN205300229U (zh) * 2015-12-18 2016-06-08 内蒙古索能硅材料科技有限公司 一种密封装置
CN110005810A (zh) * 2019-03-20 2019-07-12 西安交通大学 一种高温炉窑动态密封结构
CN210036227U (zh) * 2019-04-26 2020-02-07 宁德时代新能源科技股份有限公司 回转炉
CN110500879A (zh) * 2019-08-16 2019-11-26 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种连续式硅碳负极动态cvd烧结炉
CN211739832U (zh) * 2019-12-31 2020-10-23 江苏前锦炉业设备有限公司 硅碳负极材料连续式气氛保护回转炉

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