CN113884849B - 发光二极管器件的测试方法及装置 - Google Patents

Abstract

本申请适用于半导体光电技术领域，提供了一种发光二极管器件的测试方法及装置，该方法包括：向发光二极管器件输入测试电压，获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积，基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数。本申请能够提高对发光二极管器件进行测试的准确性。

Description

发光二极管器件的测试方法及装置

技术领域

本申请属于半导体光电技术领域，尤其涉及一种发光二极管器件的测试方法及装置。

背景技术

随着半导体光电技术的不断发展，各种发光二极管(Light Emitting Diode，LED)器件的应用也越来越广泛。为了确保发光二极管器件的可靠性，通常需要对发光二极管器件进行测试。

现有技术中，可以基于发光二极管器件的结构，预先设置该发光二极管器件能够发光的发光面积，然后在测试过程中，基于向该发光二极管器件提供的测试电压以及预设的发光面积，确定该发光二极管器件的性能参数。

但由于不同发光二极管器件发光的稳定性可能会存在差异，而在预设发光面积的过程中并未考虑发光稳定性这一因素，因此通过上述测试方式所测量得到的性能参数准确性较低。

发明内容

本申请实施例提供了发光二极管器件的测试方法及装置，可以解决测量得到的性能参数准确性低下的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种发光二极管器件的测试方法，包括：

向发光二极管器件输入测试电压；

获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积；

基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数。

在第一方面的一种可能的实现方式中，所述获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积，包括：

获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光图像；

基于所述发光图像确定所述发光面积。

在第一方面的一种可能的实现方式中，所述基于所述发光图像确定所述发光面积，包括：

对所述发光图像进行二值化处理，得到与所述发光图像对应的二值图像；

基于所述二值图像中白色区域的像素数目与预设映射关系，确定所述发光面积，其中，所述预设映射关系用于指示所述发光图像中每个像素所对应的所述发光二极管器件的面积。

在第一方面的一种可能的实现方式中，所述向发光二极管器件输入测试电压，包括：

分别向所述发光二极管器件输入至少一个所述测试电压；

所述获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积，包括：

分别获取所述发光二极管器件在各所述测试电压下发光的所述发光面积；

所述基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数，包括：

基于至少一个所述测试电压以及至少一个所述发光面积，分别确定与各所述测试电压对应的性能参数。

在第一方面的一种可能的实现方式中，在所述向发光二极管器件输入测试电压之前，还包括：

对所述发光二极管器件进行预烧。

在第一方面的一种可能的实现方式中，在所述向发光二极管器件输入测试电压之前，还包括：

获取所述发光二极管器件的发光光谱；

基于所述发光光谱，确定所述发光二极管器件发光正常。

在第一方面的一种可能的实现方式中，所述性能参数包括电流密度、电流效率和外量子效率中的至少一个。

第二方面，本申请实施例提供了一种发光二极管器件的测试装置，包括：

输入模块，用于向发光二极管器件输入测试电压；

第一获取模块，用于获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积；

第一确定模块，用于基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数。

在第二方面的一种可能的实现方式中，所述第一获取模块还用于：

获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光图像；

基于所述发光图像确定所述发光面积。

在第二方面的一种可能的实现方式中，所述第一获取模块还用于：

对所述发光图像进行二值化处理，得到与所述发光图像对应的二值图像；

基于所述二值图像中白色区域的像素数目与预设映射关系，确定所述发光面积，其中，所述预设映射关系用于指示所述发光图像中每个像素所对应的所述发光二极管器件的面积。

在第二方面的一种可能的实现方式中，所述输入模块还用于分别向所述发光二极管器件输入至少一个所述测试电压；

所述第一获取模块还用于分别获取所述发光二极管器件在各所述测试电压下发光的所述发光面积；

所述第一确定模块还用于基于至少一个所述测试电压以及至少一个所述发光面积，分别确定与各所述测试电压对应的性能参数。

在第二方面的一种可能的实现方式中，还包括：

预烧模块，用于对所述发光二极管器件进行预烧。

在第二方面的一种可能的实现方式中，还包括：

第二获取模块，用于获取所述发光二极管器件的发光光谱；

第二确定模块，用于基于所述发光光谱，确定所述发光二极管器件发光正常。

在第二方面的一种可能的实现方式中，所述性能参数包括电流密度、电流效率和外量子效率中的至少一个。

第三方面，本申请实施例提供了一种终端设备，包括：一种计算设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面任一项所述的方法。

第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，包括：计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如第一方面任一项所述的方法。

第五方面，本申请实施例提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在终端设备上运行时，使得终端设备执行上述第一方面中任一项所述的方法。

本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是：在本申请实施例中，可以向发光二极管器件输入测试电压，并获取该发光二极管器件基于该测试电压发光的发光面积，从而能够基于该测试电压以及该测试电压对应的发光面积，确定该发光二极管器件的性能参数。由于发光面积是基于所提供的测试电压所获取的准确值，因此该发光面积的准确性不会受到发光二极管器件发光的稳定性影响，所以基于该测试电压以及对该发光面积所确定的性能参数的准确性较高。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一实施例提供的一种发光二极管器件的测试方法的流程示意图；

图2是本申请一实施例提供的一种量子点发光二极管器件的结构示意图；

图3是本申请一实施例提供的一种测试器件的结构示意图；

图4是本申请一实施例提供的一种发光图像示意图；

图5是本申请一实施例提供的一种二值图像示意图；

图6是本申请一实施例提供的一种发光二极管器件的测试装置的功能模块示意图。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定***结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的***、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。

在对本申请进行详细地解释之前，先对本申请的应用场景予以介绍。

发光二极管器件可以包括量子点发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiodes，QLED)器件和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件等，为了确保发光二极管器件的可靠性，通常需要对发光二极管器件进行测试。且由于不同发光二极管器件发光的稳定性可能会存在差异，比如，QLED在发光(特别是蓝光)时，会出现发光区域不断变化的问题，从而导致通过现有技术中的测试方式所测试的结果准确性低下。

为解决这一问题，本申请提供了一种发光二极管器件的测试***，该***包括通信连接的测试器件和计算设备。测试器件可以用于提供对发光二极管器件进行测试的硬件环境，比如用于放置发光二极管器件的凹槽、用于向发光二极管器件提供测试电压的接触点等，测试器件可以包括积分球测量器件、硅光二极管测量器件或者其他类型的测试器件。计算设备可以用于提供对发光二极管器件进行测试的软件环境，比如设置测试电压以及进行相关的数据计算等。

其中，测试器件中可以在与发光二极管测试器件相对的位置设置图像传感器，比如电荷耦合器件(Charge-coupled Device，CCD)或者互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)，从而能够获取发光二极管器件发光时的图像，进行确定该发光二极管器件发光的区域以及该区域的面积。当然，在实际应用中，也可以通过其他方式来确定发光二极管器件的发光面积。

需要说明的是，计算设备可以包括手机、平板电脑、可穿戴设备、车载设备、笔记本电脑、超级移动个人计算机(Ultra-Mobile Personal Computer，UMPC)、上网本、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)等具有数据计算能力的设备，本申请实施例对计算设备的具体类型不作任何限制。

还需要说明的是，在实际应用中，测试器件也可以是与计算设备相集成的。

本申请所提供的发光二极管器件的测试方法可以应用于计算设备中，通过计算设备控制测试器件向发光二极管器件输入测试电压，并获取该发光二极管器件基于该测试电压发光的发光面积，从而能够基于该测试电压以及该测试电压对应的发光面积，确定该发光二极管器件的性能参数。由于发光面积是基于所提供的测试电压所获取的准确值，因此该发光面积的准确性不会受到发光二极管器件发光的稳定性影响，所以基于该测试电压以及对该发光面积所确定的性能参数的准确性较高。

以下将结合上述应用场景，对本申请进行具体说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

请参照图1，为本申请所提供的一种发光二极管器件的测试方法的流程示意图。需要说明的是，本申请所述的发光二极管器件的测试方法并不以图1以及以下所述的具体顺序为限制，应当理解，在其它实施例中，本申请所述的发光二极管器件的测试方法其中部分步骤的顺序可以根据实际需要相互交换，或者其中的部分步骤也可以省略或删除。下面将对图1所示的流程进行详细阐述。

步骤101，测试环境准备。

可以准备所要测试的发光二极管器件、测试器件以及计算设备，比如连接测试器件和计算设备、将发光二极管器件放置在测试器件内、打开计算设备中测试界面等。

例如，请参照图2，为本申请所提供的一种量子点发光二极管器件100的结构示意图，该器件包括矩形的基板110以及设置在该基板同一面的4个T形电极120，每个电极120的一端伸出基板110外且另一端伸入基板110中，其中伸入基板110内的一端设置有量子点从而能够发光并形成一个可发光的区域，示例的，该区域的面积为0.004平方厘米，但如果该区域并不完全发光，则该区域的发光面积会小于0.004平方厘米。请参照图3，为本申请所提供的一种测试器件200的结构示意图，该测试器件200包括上盖210和底座220，其中底座220设置有用于放置量子点发光二极管器件100的凹槽，且该凹槽的形状与该量子点发光二极管器件100的形状匹配，该凹槽中包括与各电极120接触的接触点。可以将如图2所示的量子点发光二极管器件100有电极220的一面朝下放置在该测试器件200的底座中，然后将上盖210闭合。

步骤102，对发光二极管器件进行预烧。

为了确保发光二极管器件能够正常发光，可以对发光二极管器件进行预烧。

其中，预烧可以指在发光二极管器件正常发光之前，向该发光二极管器件输入第一指定电压或者指定电流并持续第一预设时长的操作。

需要说明的是，第一指定电压和第一预设时长，可以基于所测试的发光二极管器件的发光材料事先确定，以如图2所示的蓝光量子点器件(即蓝色发光材料的量子点发光二极管器件)为例，第一指定电压可以为5伏，第一预设时长可以为3秒。

步骤103，获取发光二极管器件的发光光谱，基于发光光谱，确定发光二极管器件发光正常。

为了确保发光二极管器件能够正常发光，同时也为了确保测试器件能够正常对发光二极管器件进行检测，可以获取该发光二极管器件的发光光谱。

其中，可以向发光二极管器件输入第二指定电压并持续第二预设时长，通过测试器件检测该发光二极管器件的发光光谱，当该发光光谱不平滑时，可以调节该第二指定电压和第二预设时长，直至该发光光谱平滑。若能够通过该测试器件检测到该发光二极管器件的发光光谱，该发光光谱平滑且波峰处于预设波峰范围，则可以确定发光二极管器件发光正常，同时也可以确定测试器件能够正常对发光二极管器件进行检测。

需要说明的是，第二指定电压、第二预设时长和预设波峰范围，可以基于所测试的发光二极管器件事先确定，以如图2所示的量子点发光二极管器件为例，第二指定电压可以为4伏，第二预设时长可以为100毫秒，如果是对该量子点发光二极管器件发蓝光的情况进行测试，则与蓝光对应的该预设波峰范围可以为450-480纳米之间。

需要说明的是，在实际应用中，上述步骤101-103中的至少一个可以省略，比如在执行一次步骤101之后，可以进行多次的发光二极管器件测试，而在针对同一发光二极管器件进行连续测试的情况下，也可以不必重复执行步骤102来进行预烧，或者在已经通过其他方式确定发光二极管器件和测试器件正常的情况下，可以省略步骤103。

步骤104，向发光二极管器件输入测试电压。

为了对发光二极管器件的性能进行测试，可以向发光二极管器件输入电压。

其中，可以根据不同的测试模式，按照相应的方式向发光二极管器件输入不同的测试电压。比如，在恒流测试模式中，可以控制发光二极管器件的电流密度恒定，并改变输入至发光二极管器件的测试电压，因此，可以输入依次预先设置的多个不同的测试电压；在恒压测试模式中，可以控制发光二极管器件的测试电压恒定，并且改变输入至该发光二极管器件的测试电流，因此可以输入预先设置的测试电压；在恒亮度测试模式中，可以通过改变输入至该发光二极管器件的测试电压，保持该发光二极管器件的亮度恒定，因此也可以输入依次预先设置的多个不同的测试电压。

需要说明的是，上述不同测试模式中各测试电压的大小，可以通过事先根据测试需求以及所测试的发光二极管器件设置得到，本申请实施例对此测试电压的大小不做具体限定。

可选地，可以分别向发光二极管器件输入至少一个测试电压，从而通过后续步骤测试得到该发光二极管器件在不同测试电压下的性能参数。

其中，可以以电压步进的方式，以第三特定电压为起点，第四特定电压为步长，按照特定步长，依次向发光二极管器件输入测试电压，从而通过后续步骤获取得到该发光二极管器件分别在多个测试电压下的性能参数。采用电压步进的方式，对发光二极管器件进行测试，可以获取到发光二极管器件的性能参数随测试电压不断增大时变化情况，进一步提高对发光二极管器件进行测试的准确性。

需要说明的是，第三特定电压、第四特定电压以及特定步长可以通过事先设置得到，示例的，第三特定电压可以为-0.6伏，特定步长可以为0.2伏，第四特定电压可以为6伏，从而能够测量发光二极管器件分别在34个测试电压下的性能参数。

步骤105，获取发光二极管器件基于测试电压发光的发光面积。

由于不同发光二极管器件发光的稳定性存在差异，因而在同一测试电压下，不同发光二极管器件的发光情况也可能不同，那么可以获取发光二极管器件在当前测试电压下的发光面积，从而提高后续确定发光二极管器件的性能参数的准确性。

可选地，可以获取发光二极管器件基于测试电压发光的发光图像，基于发光图像确定发光面积。

发光图像可以为对发光二极管器件进行拍摄得到的图像，该发光图像可以说明该发光二极管器件的发光情况。

发光面积可以为发光二极管器件实际发光的区域的面积。由于受发光二极管器件发光的稳定性的影响，发光面积可以小于或等于该发光二极管器件可发光的总面积，以量子点发光二极管器件为例，当测试电压不断增大时，该量子点发光二极管器件的发光面积也会不断增大、黑斑(即不发光的黑色区域)不断减小，直至发光面积等于可发光的总面积，即量子点发光二极管器件可发光的区域全部发光。

由前述可知，测试器件中可以设置图像传感器，因此，当发光二极管器件基于测试电压发光时，可以通过图像传感器获取该发光二极管器件的发光图像。

需要说明的是，可以通过模数转换器对所获取的发光图像进行采样和量化，从而将发光图像转化成数字信号，然后可以将该数字信号存储至图像存储器等存储介质中。

可选地，可以对发光图像进行二值化处理，得到与发光图像对应的二值图像，基于二值图像中白色区域的像素数目与预设映射关系，确定发光面积。

其中，预设映射关系用于指示发光图像中每个像素所对应的发光二极管器件的面积。

需要说明的是，预设映射关系可以通过事先确定。由于在放置图像传感器和发光二极管器件之后，图像传感器与发光二极管器件之间的距离固定，通过该图像传感器对该发光二极管器件进行拍摄，对于拍摄所得到的不同图像，该图像中每个像素，在该发光二极管器件中所对应的实际面积是一个常量。因此在一种可选地实施方式中，可以在放置图像传感器和发光二极管器件之后，通过该图像传感器对该发光二极管器件进行拍摄，得到发光二极管器件的图像，通过发光二极管器件的面积除以该发光二极管器件的图像的像素，即可确定该发光二极管器件的面积与每个像素之间的比值，也即是，每个像素所对应的面积大小。相应的，该预设映射关系可以表示为y＝ax，其中y可以表示发光面积，x可以表示像素数目，a可以表示发光二极管器件的面积与每个像素之间的比值。

例如，发光二极管器件的面积为0.004平方厘米，对该发光二极管器件进行拍摄拍摄，所得图像中一共包括40万像素，每个像素所对应的面积大小可以为0.004/400000，预设映射关系可以表示为y＝x*0.004/400000。那么如果某一二值图像中白色区域包括20万像素，则可以基于该预设映射关系，确定发光二极管器件的发光面积为0.002平方厘米。

可以通过图像处理程序(比如PictureBox控件，一种用于图像处理的控件)获取该发光图像中的像素灰度值，然后进行二值化提取得到二值图像，包括将个像素灰度值与预设灰度值阈值进行比较，若像素灰度值小于或等于该预设灰度值阈值，则将该像素灰度值更新为0，即转换为黑色像素，若像素灰度值大于该预设灰度值阈值，则将该像素灰度值更新为1，即转换为白色像素。其中，二值图像中黑色像素表示发光二极管器件在对应的位置处不发光，白色像素表示发光二极管器件在对应的位置处发光。当确定二值图像中白色区域的面积时，可以根据该白色区域的面积，确定该白色区域所包括的像素数目(或者，该白色区域的面积可以通过该白色区域所包括的像素数目表示)，然后将该像素数目乘以该预设面积比例，从而得到发光面积。

需要说明的是，预设灰度值阈值可以通过事先确定。

例如，以图2所示的量子点发光二极管器件为例，在某测试电压下，所获取到的发光图像如图4所示，将图4转换为二值图像，得到二值图像如图5所示，由图5可知，当前发光面积仅约有30％。

可选地，由前述可知，可以分别向发光二极管器件输入至少一个测试电压，那么可以分别获取发光二极管器件在各测试电压下发光的发光面积，从而针对每个测试电压都可以获取得到相应的发光面积。

当获取到测试电压以及相应的发光面积时，即可通过后续步骤来确定发光二极管器件的性能参数，且需要说明的是，在实际应用中，可以每确定一个测试电压以及与该测试电压对应的发光面积，便通过后续步骤来确定发光二极管器件与该测试电压对应的性能参数，即循环执行步骤104-106，当然，也可以获取到多个测试电压以及与各测试电压对应的发光面积，再通过后续步骤来确定与各测试电压对应的性能参数即先循环执行步骤104-105，然后再执行步骤106。也即是，在实际应用中，可以每确定一个测试电压以及对应的发光面积，就确定相应的性能参数，也可以连续确定多个测试电压以及对应的发光面积，再确定各测试电压对应的性能参数。

步骤106，基于测试电压和发光面积，确定发光二极管器件的性能参数。

由于发光面积是发光二极管器件在测试电压下实际发光的准确面积，因而基于测试电压和该发光面积，即可准确确定发光二极管器件的性能参数。

性能参数可以用于说明发光二极管器件的性能，该性能参数可以包括电流密度、电流效率和外量子效率中的至少一个。

电流密度为电路中某点电流强弱和流动方向的物理量，发光二极管器件的电流密度可以通过下述公式1确定：

J_D＝I/a (公式1)

其中，J_D为电流密度；I为流经发光二极管器件的电流，并可以基于测试电压确定；a为发光二极管器件的发光面积。

电流效率可以为电解时在电极上实际沉积或溶解的物质的量与按理论计算出的析出或溶解量之比，发光二极管器件的电流效率可以通过下述公式2确定：

η_A＝L/J_D (公式2)

其中，η_A为电流效率；L为发光二极管器件的发光亮度，并可以通过测试器件测试得到。

外量子效率可以为当光子入射到光敏器材的表面时，部分光子激发光敏材料产生电子空穴对形成电流，所收集到的电子与所有入射的光子数之比。发光二极管器件的电流密度可以通过下述公式3确定：

其中，q为基本电荷；h为普朗克常量；c为真空中的光速；λ为波长；G(λ)为人眼明视觉函数；S(λ)为归一化电致发光光谱。

在任意测试电压下，基于该测试电压确定流经发光二极管器件的电流，并将所获取到的发光面积代入上述公式1-3，即可确定发光二极管器件的电流密度、电流效率和外量子效率等性能参数，也可以根据所确定的发光面积，实时对电流密度进行校正，以在预设的电流密度下，对发光二极管器件进行测试。

在本申请实施例中，可以向发光二极管器件输入测试电压，并获取该发光二极管器件基于该测试电压发光的发光面积，从而能够基于该测试电压以及该测试电压对应的发光面积，确定该发光二极管器件的性能参数。由于发光面积是基于所提供的测试电压所获取的准确值，因此该发光面积的准确性不会受到发光二极管器件发光的稳定性影响，所以基于该测试电压以及对该发光面积所确定的性能参数的准确性较高。

请参照图6，为本申请所提供的一种发光二极管器件的测试装置600的功能模块示意图。需要说明的是，本申请实施例所提供的发光二极管器件的测试装置600，其基本原理及产生的技术效果与前述对应的方法实施例相同，为简要描述，本申请实施例中未提及部分，可参考方法实施例中的相应内容。该发光二极管器件的测试装置600包括输入模块610，第一获取模块620和第一确定模块630。

输入模块610，用于向发光二极管器件输入测试电压；

第一获取模块620，用于获取该发光二极管器件基于该测试电压发光的发光面积；

第一确定模块630，用于基于该测试电压和该发光面积，确定该发光二极管器件的性能参数。

可选地，该第一获取模块620还用于：

获取该发光二极管器件基于该测试电压发光的发光图像；

基于该发光图像确定该发光面积。

可选地，该第一获取模块620还用于：

对该发光图像进行二值化处理，得到与该发光图像对应的二值图像；

基于该二值图像中白色区域的像素数目与预设映射关系，确定该发光面积，其中，该预设映射关系用于指示该发光图像中每个像素所对应的该发光二极管器件的面积。

可选地，该输入模块还用于分别向该发光二极管器件输入至少一个该测试电压；

该第一获取模块还用于分别获取该发光二极管器件在各该测试电压下发光的该发光面积；

该第一确定模块还用于基于至少一个该测试电压以及至少一个该发光面积，分别确定与各测试电压对应的性能参数。

可选地，该发光二极管器件的测试装置600还包括：

预烧模块，用于对该发光二极管器件进行预烧。

可选地，该发光二极管器件的测试装置600还包括：

第二获取模块，用于获取该发光二极管器件的发光光谱；

第二确定模块，用于基于该发光光谱，确定该发光二极管器件发光正常。

可选地，该性能参数包括电流密度、电流效率和外量子效率中的至少一个。

需要说明的是，上述装置/单元之间的信息交互、执行过程等内容，由于与本申请方法实施例基于同一构思，其具体功能及带来的技术效果，具体可参见方法实施例部分，此处不再赘述。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本申请的保护范围。上述***中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

本申请实施例还提供了一种计算设备，该计算设备包括：至少一个处理器、存储器以及存储在所述存储器中并可在所述至少一个处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任意各个方法实施例中的步骤。

本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现可实现上述各个方法实施例中的步骤。

本申请实施例提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在计算设备上运行时，使得移计算设备执行时实现可实现上述各个方法实施例中的步骤。

所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实现上述实施例方法中的全部或部分流程，可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质至少可以包括：能够将计算机程序代码携带到拍照装置/终端设备的任何实体或装置、记录介质、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，RandomAccess Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质。例如U盘、移动硬盘、磁碟或者光盘等。在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不可以是电载波信号和电信信号。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/网络设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/网络设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。

应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。

另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。

以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管器件的测试方法，其特征在于，包括：

向发光二极管器件输入测试电压；

获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积；

基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积，包括：

获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光图像；

基于所述发光图像确定所述发光面积。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述发光图像确定所述发光面积，包括：

对所述发光图像进行二值化处理，得到与所述发光图像对应的二值图像；

基于所述二值图像中白色区域的像素数目与预设映射关系，确定所述发光面积，其中，所述预设映射关系用于指示所述发光图像中每个像素所对应的所述发光二极管器件的面积。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向发光二极管器件输入测试电压，包括：

分别向所述发光二极管器件输入至少一个所述测试电压；

所述获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积，包括：

分别获取所述发光二极管器件在各所述测试电压下发光的所述发光面积；

所述基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数，包括：

基于至少一个所述测试电压以及至少一个所述发光面积，分别确定与各所述测试电压对应的性能参数。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述向发光二极管器件输入测试电压之前，还包括：

对所述发光二极管器件进行预烧。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述向发光二极管器件输入测试电压之前，还包括：

获取所述发光二极管器件的发光光谱；

基于所述发光光谱，确定所述发光二极管器件发光正常。

7.如权利要求1-6任一所述的方法，其特征在于，所述性能参数包括电流密度、电流效率和外量子效率中的至少一个。

8.一种发光二极管器件的测试装置，其特征在于，包括：

输入模块，用于向发光二极管器件输入测试电压；

第一获取模块，用于获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积；

第一确定模块，用于基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数。

9.一种计算设备，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述的方法。

10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的方法。

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