CN113828881A - 一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，所述钎焊方法对多晶硅靶材和铜背板分别采用不同的预处理方式和浸润处理方式提高二者的浸润效果，之后在处理后铜背板上放置铜丝，将所述处理后多晶硅靶材扣合在上面，并依次叠合处理后铜背板、铜丝、处理后多晶硅靶材、耐高温硅胶、木块和金属压块，冷却后完成钎焊。本发明提供的多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法解决了多晶硅靶材与铜背板焊接时不能有效浸润、焊料易流失导致形成的焊接层厚度很薄的问题，得到的多晶硅靶材与铜背板的钎焊结合率高、焊接结合强度高且焊接抗拉强度高，可满足多晶硅溅射靶材使用要求。

Description

一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法
技术领域
本发明涉及半导体溅射靶材技术领域，尤其涉及一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法。
背景技术
在大规模集成电路的制作中，靶材组件是由符合溅射性能的靶材和与所述靶材结合、具有一定强度的背板构成。所述背板可以在所述靶材组件装配至溅射基台中起到支撑作用，并具有传导热量的功效，可以有效保证靶材在磁场、电场作用下进行溅射控制。但是，随着半导体技术的发展，靶材越来越精密，尺寸越来越大，使用寿命越来越长，导致靶材组件工作温度高达300℃至500℃；另外，靶材组件的一侧充以冷却水强冷，而另一侧则处于高真空环境下，由此在靶材组件的上下两侧形成有巨大的压力差；再有，靶材组件处在高压电场、磁场中，受到各种粒子的轰击。因此，在如此恶劣的环境下，如果靶材组件中靶材与背板之间的结合度较差，将导致靶材在受热条件下变形、开裂、并与结合的背板相脱落，使得溅射无法达到溅射均匀的效果，同时还可能会对溅射基台造成损伤。
常用的靶材焊接方法有扩散焊接和钎焊。扩散焊接是指相互接触的材料表面，在温度和压力的作用下相互靠近，局部发生塑性变形，原子间产生相互扩散，在界面处形成新的扩散层，从而实现可靠连接。钎焊是指低于焊件熔点的钎料和焊件同时加热到钎料熔化温度后，利用液态钎料填充固态工件的缝隙使金属连接的焊接方法。
CN102554455A公开了一种钨钛合金靶材与铜合金背板扩散焊接方法，采用热等静压工艺将钨钛合金靶材和铜合金背板实施扩散焊接；由于所述扩散焊接是在真空包套中进行，隔绝了空气。因此能够有效防止焊接金属的接触面被氧化，提高钨钛合金靶材、铝扩散辅助层和铜合金背板之间的结合强度，避免溅射过程中靶材脱离背板，从而正常进行溅射镀膜。
CN101543923A公开了一种靶材与背板的焊接方法，包括：提供钽靶材和背板；在钽靶材的焊接面上形成金属中间层；在背板的焊接面上添加钎料；进行钎焊加热熔化钎料将钽靶材焊接至背板形成靶材组件；然后保温热扩散处理；冷却靶材组件，并进行机械加工去除多余的钎料。该焊接方法通过金属中间层改善了焊接工件与钎料难以浸润的问题，有效提高钽靶材和背板之间的结合强度，在溅射过程中钽靶材不会脱开，可以正常进行溅射镀膜。
CN110756937A公开了一种靶材与背板的钎焊方法，所述钎焊方法包括如下步骤：(1)在背板坯料的焊接面加工与靶材配套的焊接槽，得到预加工背板；(2)预热步骤(1)所得预加工背板，然后在焊接槽内铺设钎料，升温使钎料熔化后压入靶材；(3)在步骤(2)所述靶材表面施压，冷却后完成靶材与背板的结合，得到靶材半成品组件；(4)加工步骤(3)所得靶材半成品组件，使背板尺寸满足工艺需要。该钎焊方法通过在背板坯料焊接面设置凹槽，避免了一次性焊接夹具的使用，降低了钎焊成本；而且，通过先将靶材与背板进行钎焊焊接，再对背板和/或靶材进行加工，减少了对背板以及靶材尺寸进行加工的次数以及难度，进一步降低了钎焊成本。
但是对于多晶硅靶材这样材料浸润性相对较低的非金属靶材，直接进行钎焊难以在表面扩散形成焊料层；而且焊接后靶材焊接层厚度很薄，甚至流失殆尽，导致靶材抗拉强度低，缺陷多，容易产生脱焊风险。
因此，开发一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，使靶材冷却后焊接层具有足够的厚度，进而提高多晶硅靶材与铜背板的焊接结合率、焊接强度及抗拉强度。
发明内容
鉴于现有技术中存在的问题，本发明提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，通过对多晶硅靶材和铜背板分别采用不同的预处理方式和浸润处理方式提高二者的浸润效果，使得多晶硅靶材与铜背板之间的焊料不流失或极少流失，从而达到保障焊接层厚度，提高多晶硅靶材与铜背板的焊接结合率、焊接强度及抗拉强度。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，所述钎焊方法包括如下步骤：
(1)对多晶硅靶材和铜背板均进行打磨处理，分别得到多晶硅靶材粗糙面和铜背板粗糙面；
(2)对所述多晶硅靶材粗糙面进行镀镍处理，得到镀镍多晶硅靶材；
(3)对所述镀镍多晶硅靶材进行第一超声波浸润处理，得到处理后多晶硅靶材；对砂纸打磨处理后的铜背板依次进行第一浸润处理和第二超声波浸润处理，得到处理后铜背板；
(4)依次叠合处理后铜背板、铜丝和处理后多晶硅靶材，并在所述处理后多晶硅靶材上放置压块，冷却后完成钎焊。
本发明中钎焊原料多晶硅靶材为非金属靶材，质地较脆，且浸润性较差，先进行打磨处理增加粗糙度可提高其浸润效果；对所述多晶硅靶材粗糙面进行镀镍处理，由于镍附着力强，可进一步提高多晶硅靶材后续浸润效果；依次叠合处理后铜背板、铜丝和处理后多晶硅靶材，利用铜丝之间的间隙形成毛细作用，使铟焊料不流失或极少流失，从而保障多晶硅靶材和铜背板的焊接层厚度，提高钎焊结合率，并提高焊接结合强度和焊接抗拉强度。
本发明中对多晶硅靶材和铜背板的所有处理过程只针对二者的焊接面进行，非焊接面采取本领域技术人员公知的保护方式进行保护，例如可以是包套保护等。
优选地，步骤(1)所述打磨处理为砂纸打磨处理。
本发明中钎焊原料多晶硅靶材为脆性材料，不宜采用常规喷砂处理，采用砂纸打磨处理既可保证不对多晶硅靶材产生损伤，又可以提高多晶硅靶材的粗糙度，便于后续浸润处理；对铜背板也进行砂纸打磨处理可简化钎焊工艺流程，降低钎焊成本。
优选地，所述砂纸打磨处理使用的砂纸型号依次是240#、400#、600#和800#。
优选地，所述多晶硅靶材粗糙面的粗糙度为3～5μm，例如可以是3μm、3.2μm、3.5μm、3.8μm、4μm、4.5μm或5μm。
本发明所述多晶硅靶材粗糙面是指多晶硅靶材的焊接面，所述多晶硅靶材的焊接面的粗糙度为3～5μm。
优选地，所述铜背板粗糙面的粗糙度为5～10μm，例如可以是5μm、5.3μm、5.5μm、5.7μm、6μm、6.5μm、7μm、8μm、9μm或10μm。
本发明所述铜背板粗糙面是指铜背板的焊接面，所述铜背板的焊接面的粗糙度为5～10μm。
优选地，步骤(2)所述镀镍处理在物理气相沉积炉炉中进行。
优选地，所述镀镍多晶硅靶材的镀镍层厚度为3～5μm，例如可以是3μm、3.5μm、4μm、4.5μm或5μm。
本发明进一步限定所述镀镍多晶硅靶材的镀镍层厚度为3～5μm，具有厚度均匀，镀镍层不易脱落的优势。当镀镍层厚度大于5μm，容易发生脱落；当镀镍层厚度小于3μm，会降低浸润效果。
优选地，步骤(3)所述第一超声波浸润处理的时间为20～40min，例如可以是20min、25min、30min、35min或40min。
优选地，所述第一超声波浸润处理的超声功率为1100～1300W，例如可以是1100W、1150W、1170W、1200W、1230W、1250W或1300W。
优选地，所述第一超声波浸润处理的过程中加入铟焊料。
优选地，步骤(3)所述第一浸润处理为钢刷处理。
本发明进一步优选对砂纸打磨处理后的铜背板先进行钢刷处理再进行第二超声波浸润处理，因为铜背板为金属材料，质地较硬，可以先用钢刷处理增大其粗糙度，之后再进行超声波浸润处理，可提高铜背板的浸润效果。
优选地，所述钢刷处理的时间为10～30min，例如可以是10min、15min、20min、25min或30min。
优选地，所述钢刷处理的过程中加入铟焊料。
优选地，步骤(3)所述第二超声波浸润处理的时间为20～40min，例如可以是20min、25min、30min、35min或40min。
优选地，所述第二超声波浸润处理的超声功率为1100～1300W，例如可以是1100W、1150W、1170W、1200W、1230W、1250W或1300W。
优选地，所述第二超声波处理的过程中加入铟焊料。
优选地，步骤(4)所述铜丝的直径为0.3～0.6mm，例如可以是0.3mm、0.35mm、0.4mm、0.45mm、0.5mm或0.6mm。
本发明所述铜丝的直径决定了最后得到的焊接层的厚度，但铜丝的直径不能大于0.6mm，会增大焊接层厚度，降低焊接强度，铜丝的直径不能小于0.3mm，会降低焊接强度。
优选地，所述铜丝的数量为2～5根，例如可以是2根、3根、4根或5根，优选为3根。
本发明优选在所述处理后铜背板上放置3根铜丝，既能利用铜丝之间的间隙形成毛细作用，使铟焊料不流失或极少流失，进而提高钎焊结合率、焊接结合强度和焊接抗拉强度，又能减少人工操作难度。
优选地，步骤(4)所述铜丝等间距放置在所述处理后铜背板上。
优选地，步骤(4)所述压块包括依次放置在所述处理后多晶硅靶材上的耐高温硅胶、木块和金属压块。
本发明中在多晶硅靶材与铜背板扣合之后先依次放置耐高温硅胶和木块，再放置一定重量的压块，其主要作用是对多晶硅靶材表面起到防护作用，并且防止压块对焊接面的压力不均，出现边角翘起卷曲现象。
优选地，所述金属压块的质量为15～30kg，例如可以是15kg、20kg、25kg或30kg。
本发明所述的数值范围不仅包括上述列举的点值，还包括没有列举出的上述数值范围之间的任意的点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
作为本发明优选的技术方案，所述钎焊方法包括如下步骤：
(1)对多晶硅靶材和铜背板均依次采用型号为240#、400#、600#和800#的砂纸进行打磨处理，分别得到粗糙度为3～5μm的多晶硅靶材粗糙面和粗糙度为5～10μm铜背板粗糙面；
(2)对所述多晶硅靶材粗糙面在物理气相沉积炉炉中进行镀镍处理，得到镀镍多晶硅靶材；所述镀镍多晶硅靶材的镀镍层厚度为3～5μm；
(3)加入铟焊料，对所述镀镍多晶硅靶材进行超声功率为1100～1300W的第一超声波浸润处理20～40min，得到处理后多晶硅靶材；加入铟焊料，对砂纸打磨处理后的铜背板依次进行钢刷处理10～30min和超声功率为1100～1300W的第二超声波浸润处理20～40min，得到处理后铜背板；
(4)在所述处理后铜背板上放置直径为0.3～0.6mm的铜丝2～5根后，将所述处理后多晶硅靶材扣合在上面，并依次放置耐高温硅胶、木块和质量为15～30kg的金属压块，冷却后完成钎焊。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
(1)本发明提供的多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法对多晶硅靶材和铜背板分别采用不同的预处理方式和浸润处理方式提高了二者的浸润效果，保证焊接层具有足够的厚度；
(2)本发明提供的多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法得到的多晶硅靶材与铜背板的焊接结合率可达90％以上，焊接结合强度可达5MPa以上，焊接抗拉强度可达5MPa以上，可满足多晶硅溅射靶材使用要求。
附图说明
图1是本发明提供的多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法中焊接后多晶硅靶材与铜背板扣合加压示意图。
图中：1-铜背板；2-焊接层；3-多晶硅靶材；4-耐高温硅胶；5-木块；6-金属压块。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
下面对本发明进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明的保护范围以权利要求书为准。
实施例1
本实施例提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，所述钎焊方法包括如下步骤：
(1)对多晶硅靶材和铜背板均依次采用型号为240#、400#、600#和800#的砂纸进行打磨处理，分别得到粗糙度为4μm的多晶硅靶材粗糙面和粗糙度为8μm铜背板粗糙面；
(2)对所述多晶硅靶材粗糙面在物理气相沉积炉炉中进行镀镍处理，得到镀镍多晶硅靶材；所述镀镍多晶硅靶材的镀镍层厚度为3μm；
(3)加入铟焊料，对所述镀镍多晶硅靶材进行超声功率为1200W的第一超声波浸润处理30min，得到处理后多晶硅靶材；加入铟焊料，对砂纸打磨处理后的铜背板依次进行钢刷处理20min和超声功率为1200W的第二超声波浸润处理30min，得到处理后铜背板；
(4)在所述处理后铜背板1上放置直径为0.5mm的铜丝3根后，将所述处理后多晶硅靶材3扣合在上面，并依次放置耐高温硅胶4、木块5和质量为20kg的金属压块6，扣合加压示意图如图1所示，冷却后完成钎焊。
实施例2
本实施例提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，所述钎焊方法包括如下步骤：
(1)对多晶硅靶材和铜背板均依次采用型号为240#、400#、600#和800#的砂纸进行打磨处理，分别得到粗糙度为3μm的多晶硅靶材粗糙面和粗糙度为10μm的铜背板粗糙面；
(2)对所述多晶硅靶材粗糙面在物理气相沉积炉炉中进行镀镍处理，得到镀镍多晶硅靶材；所述镀镍多晶硅靶材的镀镍层厚度为5μm；
(3)加入铟焊料，对所述镀镍多晶硅靶材进行超声功率为1100W的第一超声波浸润处理20min，得到处理后多晶硅靶材；加入铟焊料，对砂纸打磨处理后的铜背板依次进行钢刷处理10min和超声功率为1300W的第二超声波浸润处理20min，得到处理后铜背板；
(4)在所述处理后铜背板上放置直径为0.3mm的铜丝5根后，将所述处理后多晶硅靶材扣合在上面，并依次放置耐高温硅胶、木块和质量为15kg的金属压块，冷却后完成钎焊。
实施例3
本实施例提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，所述钎焊方法包括如下步骤：
(1)对多晶硅靶材和铜背板均依次采用型号为240#、400#、600#和800#的砂纸进行打磨处理，分别得到粗糙度为5μm的多晶硅靶材粗糙面和粗糙度为5μm的铜背板粗糙面；
(2)对所述多晶硅靶材粗糙面在物理气相沉积炉炉中进行镀镍处理，得到镀镍多晶硅靶材；所述镀镍多晶硅靶材的镀镍层厚度为4μm；
(3)加入铟焊料，对所述镀镍多晶硅靶材进行超声功率为1300W的第一超声波浸润处理40min，得到处理后多晶硅靶材；加入铟焊料，对砂纸打磨处理后的铜背板依次进行钢刷处理30min和超声功率为1100W的第二超声波浸润处理40min，得到处理后铜背板；
(4)在所述处理后铜背板上放置直径为0.6mm的铜丝2根后，将所述处理后多晶硅靶材扣合在上面，并依次放置耐高温硅胶、木块和质量为30kg的金属压块，冷却后完成钎焊。
实施例4
本实施例提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，所述钎焊方法除步骤(2)中所述镀镍多晶硅靶材的镀镍层厚度为1μm外，其余均与实施例1相同。
实施例5
本实施例提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，所述钎焊方法除步骤(2)中所述镀镍多晶硅靶材的镀镍层厚度为7μm外，其余均与实施例1相同。
实施例6
本实施例提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，所述钎焊方法除步骤(4)中在所述处理后铜背板上放置直径为0.5mm的铜丝2根外，其余均与实施例1相同。
实施例7
本实施例提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，所述钎焊方法除步骤(4)中在所述处理后铜背板上放置直径为0.5mm的铜丝7根外，其余均与实施例1相同。
对比例1
本对比例提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，所述钎焊方法除步骤(2)中对所述多晶硅靶材粗糙面进行镀钛处理外，其余均与实施例1相同。
对比例2
本对比例提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，所述钎焊方法除步骤(3)中对砂纸打磨处理后的铜背板仅进行第二超声波浸润处理外，其余均与实施例1相同。
采用超声波检测方法对以上实施例和对比例中完成钎焊的多晶硅靶材和铜背板的焊接面进行检测，其焊接结合率、焊接结合强度和焊接抗拉强度的结果如表1所示。
表1
Figure BDA0003312491070000111
从表1可以看出以下几点：
(1)综合实施例1～7可以看出，本发明提供的多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法得到的多晶硅靶材与铜背板的钎焊结合率高、焊接结合强度高且焊接抗拉强度高，焊接结合率可达90％以上，焊接结合强度可达5MPa以上，焊接抗拉强度可达5MPa以上；
(2)综合实施例1与实施例4～5可以看出，实施例1步骤(2)中所述镀镍多晶硅靶材的镀镍层厚度为3μm，相较于实施例4和5镀镍层厚度为1μm和7μm而言，实施例1中多晶硅靶材和铜背板的焊接结合率为98.5％，焊接结合强度为8MPa，焊接抗拉强度为10MPa，而实施例4中多晶硅靶材和铜背板的焊接结合率仅为93％，焊接结合强度仅为5MPa，焊接抗拉强度仅为5MPa，实施例5中多晶硅靶材和铜背板的焊接结合率虽然与实施例1相差较小，为98％，但焊接结合强度仅为5MPa，且焊接抗拉强度仅为6MPa；由此表明，本发明进一步限定所述镀镍多晶硅靶材的镀镍层厚度在特定范围，可以得到钎焊结合率高且焊接结合强度高、焊接抗拉强度高的多晶硅靶材与铜背板；
(3)综合实施例1与实施例6～7可以看出，实施例1步骤(4)中在所述处理后铜背板上放置直径为0.5mm的铜丝3根，相较于实施例6和7分别放置2根和7根铜丝而言，实施例1中多晶硅靶材和铜背板的焊接结合率为98.5％，焊接结合强度为8MPa，焊接抗拉强度为10MPa，而实施例6和实施例7中多晶硅靶材和铜背板的焊接结合率、焊接结合强度和焊接抗拉强度均较实施例1低；由此表明，本发明进一步限定在处理后铜背板上放置铜丝的数量在特定范围，既能利用铜丝之间的间隙形成毛细作用，使铟焊料不流失或极少流失，进而提高钎焊结合率、焊接结合强度和焊接抗拉强度，又能减少人工操作难度；
(4)综合实施例1与对比例1可以看出，实施例1步骤(2)中对所述多晶硅靶材粗糙面进行镀镍处理，相较于对比例1步骤(2)中对所述多晶硅靶材粗糙面进行镀钛处理而言，对比例1中多晶硅靶材和铜背板的焊接结合率仅为90％，焊接结合强度为4MPa，焊接抗拉强度为4MPa，均小于实施例1中的数据；由此表明，本发明对多晶硅靶材粗糙面进行镀镍处理可以大幅度提高多晶硅靶材的浸润效果，进而提高多晶硅靶材与铜背板的焊接结合率、焊接结合强度和焊接抗拉强度；
(5)综合实施例1与对比例2可以看出，实施例1步骤(3)中对砂纸打磨处理后的铜背板依次进行钢刷处理和第二超声波浸润处理，相较于对比例2步骤(3)中对砂纸打磨处理后的铜背板仅进行第二超声波浸润处理而言，对比例2中多晶硅靶材和铜背板的焊接结合率仅为91％，焊接结合强度为5MPa，焊接抗拉强度为4MPa；由此表明，本发明对砂纸打磨处理后的铜背板依次进行钢刷处理和第二超声波浸润处理可以大幅度提高铜背板的浸润效果，进而提高多晶硅靶材与铜背板的焊接结合率、焊接结合强度和焊接抗拉强度。
综上所述，本发明提供的多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法解决了多晶硅靶材与铜背板焊接时不能有效浸润、焊料易流失导致形成的焊接层厚度很薄的问题，得到的多晶硅靶材与铜背板的钎焊结合率高、焊接结合强度高且焊接抗拉强度高，可满足多晶硅溅射靶材使用要求。
申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，其特征在于，所述钎焊方法包括如下步骤：
(1)对多晶硅靶材和铜背板均进行打磨处理，分别得到多晶硅靶材粗糙面和铜背板粗糙面；
(2)对所述多晶硅靶材粗糙面进行镀镍处理，得到镀镍多晶硅靶材；
(3)对所述镀镍多晶硅靶材进行第一超声波浸润处理，得到处理后多晶硅靶材；对砂纸打磨处理后的铜背板依次进行第一浸润处理和第二超声波浸润处理，得到处理后铜背板；
(4)依次叠合处理后铜背板、铜丝和处理后多晶硅靶材，并在所述处理后多晶硅靶材上放置压块，冷却后完成钎焊。
2.根据权利要求1所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(1)所述打磨处理为砂纸打磨处理；
优选的，所述多晶硅靶材粗糙面的粗糙度为3～5μm；
优选地，所述铜背板粗糙面的粗糙度为5～10μm。
3.根据权利要求1或2所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(2)所述镀镍处理在物理气相沉积炉中进行；
优选地，所述镀镍多晶硅靶材的镀镍层厚度为3～5μm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(3)所述第一超声波浸润处理的时间为20～40min；
优选地，所述第一超声波浸润处理的超声功率为1100～1300W；
优选地，所述第一超声波浸润处理的过程中加入铟焊料。
5.根据权利要求1～4任一项所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(3)所述第一浸润处理为钢刷处理；
优选地，所述钢刷处理的时间为10～30min；
优选地，所述钢刷处理的过程中加入铟焊料。
6.根据权利要求1～5任一项所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(3)所述第二超声波浸润处理的时间为20～40min；
优选地，所述第二超声波浸润处理的超声功率为1100～1300W；
优选地，所述第二超声波处理的过程中加入铟焊料。
7.根据权利要求1～6任一项所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(4)所述铜丝的直径为0.3～0.6mm；
优选地，所述铜丝的数量为3～5根，优选为3根。
8.根据权利要求1～7任一项所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(4)所述铜丝等间距放置在所述处理后铜背板上。
9.根据权利要求1～8任一项所述的钎焊方法，其特征在于，步骤(4)所述压块包括依次放置在所述处理后多晶硅靶材上的耐高温硅胶、木块和金属压块；
优选地，所述金属压块的质量为15～30kg。
10.根据权利要求1～9任一项所述的钎焊方法，其特征在于，所述钎焊方法包括如下步骤：
(1)对多晶硅靶材和铜背板均依次采用型号为240#、400#、600#和800#的砂纸进行打磨处理，分别得到粗糙度为3～5μm的多晶硅靶材粗糙面和粗糙度为5～10μm铜背板粗糙面；
(2)对所述多晶硅靶材粗糙面在物理气相沉积炉炉中进行镀镍处理，得到镀镍多晶硅靶材；所述镀镍多晶硅靶材的镀镍层厚度为3～5μm；
(3)加入铟焊料，对所述镀镍多晶硅靶材进行超声功率为1100～1300W的第一超声波浸润处理20～40min，得到处理后多晶硅靶材；加入铟焊料，对砂纸打磨处理后的铜背板依次进行钢刷处理10～30min和超声功率为1100～1300W的第二超声波浸润处理20～40min，得到处理后铜背板；
(4)在所述处理后铜背板上放置直径为0.3～0.6mm的铜丝2～5根后，将所述处理后多晶硅靶材扣合在上面，并依次放置耐高温硅胶、木块和质量为15～30kg的金属压块，冷却后完成钎焊。
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