CN113824315A - 电源生成电路及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电源生成电路及显示装置，该电源生成电路包括：升压子电路和电荷泵子电路；所述升压子电路的输入端连接直流电源，所述升压子电路的输出端连接所述电荷泵子电路的输入端，以将所述直流电源提供的初始电压升压为中间电压，并提供所述中间电压至所述电荷泵子电路；所述电荷泵子电路的输出端连接需供电电路，以对所述中间电压进行整数倍升压后，从所述输出端输出工作电压给所述需供电电路。通过本发明提供了一种电源效率更高的电源生成电路及显示装置。

Description

电源生成电路及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电源生成电路、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，高分辨高刷机需求成为显示面板的主流需求，进而导致对显示面板的低功耗要求更严格。
当前的电源生成方案的效率在70％左右，这种低效的电源生成方案已经逐渐不能满足显示面板的低功耗需求。
可见，目前急需一种更高效的电源生成方案。
发明内容
鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的电源生成电路、显示面板及显示装置。
第一方面，提供一种电源生成电路，包括：
升压子电路和电荷泵子电路；
所述升压子电路的输入端连接直流电源，所述升压子电路的输出端连接所述电荷泵子电路的输入端，以将所述直流电源提供的初始电压升压为中间电压，并提供所述中间电压至所述电荷泵子电路；
所述电荷泵子电路的输出端连接需供电电路，以对所述中间电压进行整数倍升压后，从所述输出端输出工作电压给所述需供电电路。
可选的，所述升压子电路包括：升压控制电路、第一电感、第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管和所述第二晶体管串联于所述升压子电路的输出端与地端之间；所述第一电感的一端连接所述直流电源，另一端连接所述第一晶体管和所述第二晶体管的串联连接节点；所述升压控制电路与所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极均连接，通过控制晶体管的开关来控制所述第一电感的充放电，以对所述初始电压升压。
可选的，所述电荷泵子电路包括第一基准端，所述电荷泵子电路的输出端包括第一输出端；所述第一输出端输出的第一工作电压为第一基准电压与第一升压电压的和值，所述第一基准电压为所述第一基准端接收的电压，所述第一升压电压为所述电荷泵子电路对所述中间电压进行整数倍升压后的电压。
可选的，所述电荷泵子电路包括：电荷泵控制电路和N组正耦合电容电路，N为正整数；每组所述正耦合电容电路包括：正耦合电容和两个MOS管；所述两个MOS管串联；所述正耦合电容的一端连接所述升压子电路的输出端，另一端连接所述两个MOS管的串联连接节点；所述N组正耦合电容电路串联于所述第一输出端和所述第一基准端之间，串联方式为相连两组正耦合电容电路中的MOS管串联；所述电荷泵控制电路与所述N组正耦合电容电路中的各MOS管的栅极均连接，以控制对所述中间电压进行N倍升压。
可选的，所述电荷泵子电路还包括第二基准端，所述电荷泵子电路的输出端还包括第二输出端；所述第二输出端输出的第二工作电压为第二基准电压减去第二升压电压的查值，所述第二基准电压为所述第二基准端接收的电压，所述第二升压电压为所述电荷泵子电路与对所述中间电压进行整数倍升压后的电压。
可选的，所述电荷泵子电路还包括：M组负耦合电容电路，M为正整数；每组所述负耦合电容电路包括：负耦合电容和两个MOS管；所述两个MOS管串联；所述负耦合电容的一端连接所述升压子电路的输出端，另一端连接所述两个MOS管的串联连接节点；所述M组负耦合电容电路串联于所述第二输出端和所述第二基准端之间，串联方式为相连两组负耦合电容电路中的MOS管串联；所述电荷泵控制电路与所述M组正耦合电容电路中的各MOS管的栅极均连接，以控制对所述中间电压进行M倍升压。
可选的，所述电路还包括：降压子电路，所述降压子电路的输入端连接直流电源，所述降压子电路的输出端连接所述第一基准端，以将所述直流电源提供的初始电压降压为所述第一基准电压，并提供所述第一基准电压至所述电荷泵电路。
可选的，所述降压子电路包括：降压控制电路、第二电感、第三晶体管和第四晶体管；所述第三晶体管和所述第四晶体管串联于直流电源与地端之间；所述第二电感的一端连接所述降压子电路的输出端，另一端连接所述第三晶体管和所述第四晶体管的串联连接节点；所述降压控制电路与所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极均连接，通过控制晶体管的开关来控制所述第二电感的充放电，以对所述初始电压降压。
可选的，所述第一基准端与以下任一端连接：所述降压子电路的输出端、所述升压子电路的输出端和地端。
可选的，所述升压子电路的输出端与地端之间，以及所述电荷泵子电路的输出端与地端之间，均设置有稳压电容。
第二方面，提供一种显示装置，包括第一方面所述的电源生成电路。
本发明实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
本发明实施例提供的电源生成电路及显示装置，设置升压子电路和电荷泵子电路级联来提高电源生成效率。具体设置升压子电路的输入端连接直流电源，输出端连接电荷泵子电路的输入端，以先将直流电源提供的初始电压升压为中间电压。因为升压电路的升压幅度越小，对应的电源转换效率越高，故先采用升压模块将直流电压转换为中间电压，由于不需要大幅度直接升压为工作电压，能保证效率。再采用电荷泵对中间电压整数升压后提供工作电压给需供电电路。由于电荷泵在整数倍升压时效率最高，故不仅能通过中间电压的设置满足不同工作电压需求，还能通过整数倍升压进一步提高效率。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1为本发明实施例中电源生成电路的结构图；
图2为本发明实施例中N组正耦合电容电路的示意图；
图3为本发明实施例中M组负耦合电容电路的示意图一；
图4为本发明实施例中M组负耦合电容电路的示意图二。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本发明提供了一种电源生成电路，请参考图1，为本发明实施例中电源生成电路01的结构图，包括：
升压子电路10和电荷泵子电路20；
升压子电路10的输入端连接直流电源DC，升压子电路10的输出端连接电荷泵子电路20的输入端，以将直流电源DC提供的初始电压升压为中间电压，并提供所述中间电压至电荷泵子电路20；
电荷泵子电路20的输出端连接需供电电路，以对中间电压进行整数倍升压后，从输出端输出工作电压给需供电电路。
需要说明的是，本申请提供的电源生成电路可以用于液晶显示(Liquid CrystalDisplay，LCD)、有机发光显示(Organic Light-Emitting Diode,OLED)或发光二极管显示(Organic Light-Emitting Diode,LED)等类型显示面板的供电，也可以用于平板探测器、光检测器等有低功耗需求的装置的供电，在此不一一列举，也不作限制。该直流电源DC可以在电源生成电路内，也可以是外接电源，在此均不作限制。
当本申请提供的电源生成电路用于显示面板的供电时，对应的需供电电路可以是显示面板阵列基板上的驱动阵列电路，提供的工作电压可以是作为驱动阵列电路的栅极驱动电压。
以下对上述电源生成电路的具体电路结构和工作原理作进一步的说明。
首先，介绍升压子电路10，如图1所示，升压子电路10可以包括升压控制电路11、第一电感L1、第一晶体管M1和第二晶体管M2。
其中，第一晶体管M1和第二晶体管M2串联于升压子电路10的输出端与地端GND之间。其具体串联方式为：第一晶体管M1与第二晶体管M2共漏极连接，第一晶体管M1的源极连接输出端，第二晶体管M2的源极连接地端GND。当然，各晶体管的源极与漏极也可以交换连接，在此不作限制。
第一电感L1的一端连接直流电源DC，另一端连接第一晶体管M1和第二晶体管M2的串联连接点，串联连接点即第一晶体管M1和第二晶体管M2的漏极。
升压控制电路11与第一晶体管M1和第二晶体管M2的栅极均连接，通过控制晶体管的开关来控制第一电感L1的充放电，以对直流电源DC提供的初始电压升压。升压控制电路11可以采用脉冲宽度调制电路，也可以采用处理器，在此不作限制。
以该升压控制电路11为脉冲宽度调制电路为例，升压控制电路11包括：外接直流电源的电源端，接收时序信号的输入端，还包括两个输出端，分别与第一晶体管M1和第二晶体管M2的栅极连接，通过对时序信号进行脉冲宽度调制后，从输出端输出控制信号，控制第一晶体管M1和第二晶体管M2的开启和关闭。升压子电路10的升压步骤为，设置升压控制电路11先控制第二晶体管M2导通，并同步控制第一晶体管M1断开，这样直流电源DC通过第一电感L1到地端GND的通路导通，开启对第一电感L1的充能。充能后升压控制电路11再控制第一晶体管M1导通，并同步控制第二晶体管M2断开，这样直流电源DC通过第一电感L1到输出端的通路导通，直流电源DC和第一电感L1同时给输出端后端连接的电荷泵子电路20充电，实现升压。
升压子电路10升压后输出的中间电压为：
Figure BDA0003313371130000061
其中，Vx为中间电压，Dx为第二晶体管M2的占空比，Vdc为直流电源DC的输出电压。可以通过选择设置第二晶体管M2的参数，来调节Dx的值，从而调节升压子电路10输出的中间电压Vx的值。
当然，升压子电路10不限于上述电路结构，可以采用现有的升压电路Boost来实现升压功能。升压子电路10中的第一晶体管M1和第二晶体管M2，可以采用三极管、可控硅器件或晶闸管等，在此均不作限制。
具体来讲，因为升压电路的升压幅度越小，对应的电源转换效率越高，故如果直接采用升压子电路10来进行工作电压的升压，往往只有70％左右的升压效率，导致功耗消耗。本申请采用升压子电路10来获得电压值更小的中间电压，据检测升压子电路10能达到93％以上的升压效率，极大的提高了效率。
接下来，介绍电荷泵子电路20，如图1所示，电荷泵子电路20的输入端接收升压子电路10提供的中间电压Vx，对Vx进行整数倍升压后，获得工作电压。该工作电压可以等于对Vx进行整数倍升压后的电压，也可以等于采用基准电压对整数倍升压后的电压进行调节后的电压。
具体来讲，可以设置电荷泵子电路20包括第一基准端21，电荷泵子电路20的输出端包括第一输出端22。第一基准端21接收的电压为第一基准电压，电荷泵子电路20对中间电压Vx进行整数倍升压后的电压为第一升压电压。第一输出端22输出的第一工作电压为第一基准电压与第一升压电压的和值。
该第一基准端21可以连接升压子电路10的输出端，即以中间电压Vx为第一基准电压。第一基准端21也可以连接地端GND，即第一基准电压为0V。第一基准端21也可以连接其余设置的电压提供端，例如，如图1所示的降压子电路30的输出端，通过降压子电路30来设置第一基准电压。通过设置第一基准端21，可以根据需要设置或调节第一基准端21所接收的第一基准电压，从而使获得的工作电压能够有更多可选择的数值，丰富了该电源生成电路的适用场景。
在一种可选的实施方式中，如图2所示，电荷泵子电路20可以包括：电荷泵控制电路23和N组正耦合电容电路24，N为正整数。
N组正耦合电容电路24串联于第一输出端22和第一基准端21之间，串联方式为相连两组正耦合电容电路中的MOS管串联。每组正耦合电容电路24包括：一个正耦合电容241和两个MOS管，两个MOS管串联。具体串联方式为：在每组正耦合电容电路24中，一个MOS管的漏极连接高压端(该高压端可以为第一输出端22，或者为连接关系更靠近第一输出端22的前一级正耦合电容电路)，源极连接另一个MOS管的漏极。该另一个MOS管的源极与低压端(该低压端可以为第一基准端21，或者为连接关系更靠近第一基准端21的后一级正耦合电容电路)连接。当然，各MOS管的源极与漏极也可以交换连接，在此不作限制。
正耦合电容241的一端连接升压子电路10的输出端，另一端连接两个MOS管的串联连接节点。两个MOS管的串联连接节点即两个MOS管的源漏极连接节点。
电荷泵控制电路23与N组正耦合电容电路24中的各MOS管的栅极均连接，以通过控制栅极的电压来控制对中间电压Vx进行N倍升压。
举例来讲，如图1和图2所示，图2中N等于2，即2组正耦合电容电路24串联连接。每组正耦合电容电路24中的正耦合电容241(即CH1和CH2)均与升压子电路10的输出端连接，接收中间电压Vx。串联后的2组正耦合电容电路24接于第一输出端22和第一基准端21之间。当N等于1、3或4时同样采用图2所示的串联方式进行连接。
在具体实施过程中，图2中的两个MOS管也可以采用二极管等器件，在此不作限制。具体来讲，在正耦合电容电路24中采用MOS管能有效消除在采用二极管等器件时，器件两侧压降带来的对转换效率的消耗，进一步提升效率，采用MOS管最高可达到约98％的转换效率。
电荷泵子电路20通过N组正耦合电容电路24升压后输出的第一工作电压VGH＝N*Vx+Vbase-h。其中，VGH为第一工作电压；N为电荷泵子电路20的正压系数，即正耦合电容电路24的组数，N也为配置的正耦合电容241的数量；Vbase-h为第一基准电压。
当然，电荷泵子电路20不限于上述电路结构，可以采用现有的电荷泵电路ChargePump来实现升压功能。电荷泵子电路20中的MOS管，可以采用三极管或二极管等，在此均不作限制。
具体来讲，因为电荷泵类电路进行整数倍升压时效率最高，非整数倍升压的效率比较低，故本申请通过升压子电路10获得的中间电压来调节输出的工作电压值，使得电荷泵子电路20进行整数倍升压不仅升压效率能达到94％以上，也能满足不同工作电压需求，极大的提高了效率。
在一种可选的实施方式中，当该电源生成电路01用于给需要两个工作电压的需供电电路提供工作电压时，需要设置两个输出端。例如，如图1所示，给阵列基板上的驱动阵列电路供电时，需要提供第一工作电压VGH作为开启电压，还需要提供第二工作电压VGL作为关闭电压。
具体来讲，可以设置电荷泵子电路20除了包括第一基准端21，还包括第二基准端25，电荷泵子电路20的输出端除了包括第一输出端22，还包括第二输出端26。第二基准端25接收的电压为第二基准电压，电荷泵子电路20对中间电压Vx进行整数倍升压后的电压为第二升压电压。第二输出端26输出的第二工作电压为第二基准电压减去第二升压电压的差值。
该第二基准端25可以连接地端GND，即第二基准电压为0V。第二基准端25也可以连接其余设置的电压提供端，例如，如图1所示的降压子电路30的输出端，通过降压子电路30来设置第二基准电压。通过设置第二基准端25，可以根据需要设置或调节第二基准端25所接收的第二基准电压，从而使获得的工作电压能够有更多可选择的数值，丰富了该电源生成电路的适用场景。
在一种可选的实施方式中，如图3所示，电荷泵子电路20除了包括电荷泵控制电路23和N组正耦合电容电路24，还可以包括：M组负耦合电容电路27，M为正整数。
M组负耦合电容电路27串联于第二输出端26和第二基准端25之间，串联方式为相连两组负耦合电容电路27中的MOS管串联。每组负耦合电容电路27包括：一个负耦合电容271和两个MOS管，两个MOS管串联。具体串联方式为：在每组负耦合电容电路27中，一个MOS管的漏极连接高压端(该高压端可以为第二基准端25，或者为连接关系更靠近第二基准端25的前一级负耦合电容电路)，源极连接另一个MOS管的漏极。该另一个MOS管的源极与低压端(该低压端可以为第二输出端26，或者为连接关系更靠近第二输出端26的后一级负耦合电容电路)连接。当然，各MOS管的源极与漏极也可以交换连接，在此不作限制。
负耦合电容271的一端连接所述升压子电路10的输出端，另一端连接两个MOS管的串联连接节点。两个MOS管的串联连接节点即两个MOS管的源漏极连接节点。
电荷泵控制电路23与M组正耦合电容电路27中的各MOS管的栅极均连接，以通过控制栅极的电压来控制对中间电压Vx进行M倍升压。
举例来讲，如图1和图3所示，M等于1，即包括1组负耦合电容电路27。每组负耦合电容电路27中的负耦合电容271(即CL)均与升压子电路10的输出端连接，接收中间电压Vx。负耦合电容电路27接于第二输出端26和第二基准端25之间。当M等于2或4时，请参考图4所示的M＝3时的串联方式进行连接。
在具体实施过程中，图3中的两个MOS管也可以采用二极管等器件，在此不作限制。具体来讲，在负耦合电容电路27中采用MOS管能有效消除在采用二极管等器件时，器件两侧压降带来的对转换效率的消耗，进一步提升效率，采用MOS管最高可达到约98％的转换效率。
电荷泵子电路20通过M组负耦合电容电路27升压后输出的第一工作电压VGL＝Vbase-l－M*Vx。其中，VGL为第二工作电压；M为电荷泵子电路20的负压系数，即负耦合电容电路27的组数，M也为配置的负耦合电容271的数量；Vbase-l为第二基准电压。
当然，电荷泵子电路20不限于上述电路结构，可以采用现有的电荷泵电路ChargePump来实现提供两种工作电压的功能。电荷泵子电路20中的MOS管，可以采用三极管或二极管等，在此均不作限制。
具体来讲，因为电荷泵类电路进行整数倍升压时效率最高，非整数倍升压的效率比较低，故本申请通过升压子电路10获得的中间电压来调节输出的两个工作电压值，使得电荷泵子电路20进行整数倍升压不仅升压效率能达到94％以上，也能满足两组不同工作电压需求，极大的提高了效率。
接下来，介绍用于提供第一基准电压和/或第二基准电压的降压子电路30。如图1所示，降压子电路30的输入端连接直流电源DC，降压子电路30的输出端连接电荷泵子电路20的基准端(包括第一基准端21和/或第二基准端25)，以将直流电源DC提供的初始电压降压为基准电压Vb(包括第一基准电压和/或第二基准电压)，并提供至电荷泵电路20。
降压子电路30可以包括：降压控制电路31、第二电感L2、第三晶体管M3和第四晶体管M4。
其中，第三晶体管M3和第四晶体管M4串联于直流电源DC与地端GND之间。其具体串联方式为：第三晶体管M3的源极与第四晶体管M4的漏极连接，第三晶体管M3的漏极连接直流电源DC，第四晶体管M4的源极连接地端GND。当然，各晶体管的源极与漏极也可以交换连接，在此不作限制。
第二电感L2的一端连接降压子电路30的输出端，另一端连接第三晶体管M3和第四晶体管M4的串联连接节点。
降压控制电路31与第三晶体管M3和第四晶体管M4的栅极均连接，通过控制晶体管的开关来控制所述第二电感L2的充放电，以对直流电源DC提供初始电压降压。降压控制电路31可以采用脉冲宽度调制电路，也可以采用处理器，在此不作限制。
降压子电路30的降压步骤为，设置降压控制电路31先控制第三晶体管M3导通，并同步控制第四晶体管M4断开，这样直流电源DC通过第二电感L2到地端GND的通路导通，开启对第二电感L2的充能。充能后降压控制电路31再控制第四晶体管M4导通，并同步控制第三晶体管M3断开，这样地端GND通过第二电感L2到输出端的通路导通，第二电感L2单独给输出端后端连接的电荷泵子电路20充电，实现降压。
降压子电路30降压后输出的基准电压为：Vb＝Db*Vdc。其中，Vb为基准电压(即第一基准电压和/或第二基准电压)，Db为第三晶体管M3的占空比，Vdc为直流电源DC的输出电压。可以通过选择设置第三晶体管M3的参数，来调节Db的值，从而调节降压子电路30输出的基准电压Vb的值。
当然，降压子电路30不限于上述电路结构，可以采用现有的降压电路Buck来实现降压功能。降压子电路30中的第三晶体管M3和第四晶体管M4，可以采用三极管、可控硅器件或晶闸管等，在此均不作限制。
具体来讲，提供降压子电路30来提供基准电压，以调节电荷泵子电路20输出的工作电压，能在保证电荷泵子电路20整数倍高效率升压的基础上，丰富工作电压的可选择范围，增加电路适用场景。
在一种可选的实施方式中，还可以在升压子电路10的输出端与地端GND之间，降压子电路30的输出端与地端GND之间，以及在电荷泵子电路20的输出端与地端GND之间，均设置稳压电容，例如图1中的Cx、Cb、Cgh和Cgl。通过稳压电容的设置实现各端口输出电压的稳定。
下面结合图1提供具体实例说明根据需要的工作电压设置其余关键参数的方式：假设该电源生成电路包括：升压子电路10、电荷泵子电路20和降压子电路30。该电源生成电路输出第一工作电压VGH作为开启电压，还提供第二工作电压VGL作为关闭电压。
举例来讲，如果需要24V的第一工作电压VGH，需要-14V的第二工作电压VGL。根据VGH＝N*Vx+Vbase-h，VGL＝Vbase-l－M*Vx，则可以设置：升压子电路10升压输出的中间电压Vx为7V，电荷泵子电路20的正压系数N＝3，电荷泵子电路20的负压系数M＝2，第一基准电压Vbase-h为3V，第二基准电压Vbase-l为0V。第一工作电压VGH＝3*7+3＝24V，第二工作电压VGL＝0－2*7＝-14V。
再例如，如果需要20V的第一工作电压VGH，需要-8V的第二工作电压VGL。则可以设置：升压子电路10升压输出的中间电压Vx为8.5V，电荷泵子电路20的正压系数N＝2，电荷泵子电路20的负压系数M＝1，第一基准电压Vbase-h为3V，第二基准电压Vbase-l为0V。第一工作电压VGH＝2*8.5+3＝20V，第二工作电压VGL＝0－1*8.5＝-8.5V。
再例如，如果需要20V的第一工作电压VGH，需要-10V的第二工作电压VGL。则可以设置：升压子电路10升压输出的中间电压Vx为10V，电荷泵子电路20的正压系数N＝2，电荷泵子电路20的负压系数M＝1，第一基准电压Vbase-h为0V，第二基准电压Vbase-l为0V。第一工作电压VGH＝2*10+0＝20V，第二工作电压VGL＝0－1*10＝-10V。
可见，通过升压子电路10、电荷泵子电路20和降压子电路30的设置，能满足不同的工作电压需求。还能通过升压子电路10和电荷泵子电路20的级联设置，使得升压子电路10的第一级升压获得中间电压的效率达到93％以上，并使得电荷泵子电路20的第二级升压获得工作电压的效率达到94％以上。这样综合使得电源生成电路生成工作电压的效率能达到90％以上。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述的电源生成电路01。同样具有与前述提供的电源生成电路01相同的结构和有益效果。
需要说明的是，该显示装置可以为LCD、OLED或LED等类型的显示面板，也可以为手机、液晶面板、OLED面板、电子纸、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
由于本发明实施例所介绍的显示装置包括的电源生成电路在前述已经进行说明，故而基于本发明实施例所介绍的电源生成电路，本领域所属人员能够了解该显示装置的具体结构及效果原理，故而在此不再赘述。凡是包括本发明实施例的电源生成电路的显示装置都属于本发明所欲保护的范围。
本发明实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
本发明实施例提供的电源生成电路及显示装置，设置升压子电路和电荷泵子电路级联来提高电源生成效率。具体设置升压子电路的输入端连接直流电源，输出端连接电荷泵子电路的输入端，以先将直流电源提供的初始电压升压为中间电压。因为升压电路的升压幅度越小，对应的电源转换效率越高，故先采用升压模块将直流电压转换为中间电压，由于不需要大幅度直接升压为工作电压，能保证效率。再采用电荷泵对中间电压整数升压后提供工作电压给需供电电路。由于电荷泵在整数倍升压时效率最高，故不仅能通过中间电压的设置满足不同工作电压需求，还能通过整数倍升压进一步提高效率。
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。
本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的装置中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个装置中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。
此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在下面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。
应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的部件或步骤。位于部件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的部件。本发明可以借助于包括有若干不同部件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

Claims (11)

1.一种电源生成电路，其特征在于，包括：
升压子电路和电荷泵子电路；
所述升压子电路的输入端连接直流电源，所述升压子电路的输出端连接所述电荷泵子电路的输入端，以将所述直流电源提供的初始电压升压为中间电压，并提供所述中间电压至所述电荷泵子电路；
所述电荷泵子电路的输出端连接需供电电路，以对所述中间电压进行整数倍升压后，从所述输出端输出工作电压给所述需供电电路。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述升压子电路包括：
升压控制电路、第一电感、第一晶体管和第二晶体管；
所述第一晶体管和所述第二晶体管串联于所述升压子电路的输出端与地端之间；
所述第一电感的一端连接所述直流电源，另一端连接所述第一晶体管和所述第二晶体管的串联连接节点；
所述升压控制电路与所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极均连接，通过控制晶体管的开关来控制所述第一电感的充放电，以对所述初始电压升压。
3.如权利要求1所述的电路，其特征在于：
所述电荷泵子电路包括第一基准端，所述电荷泵子电路的输出端包括第一输出端；
所述第一输出端输出的第一工作电压为第一基准电压与第一升压电压的和值，所述第一基准电压为所述第一基准端接收的电压，所述第一升压电压为所述电荷泵子电路对所述中间电压进行整数倍升压后的电压。
4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电荷泵子电路包括：
电荷泵控制电路和N组正耦合电容电路，N为正整数；
每组所述正耦合电容电路包括：正耦合电容和两个MOS管；所述两个MOS管串联；所述正耦合电容的一端连接所述升压子电路的输出端，另一端连接所述两个MOS管的串联连接节点；
所述N组正耦合电容电路串联于所述第一输出端和所述第一基准端之间，串联方式为相连两组正耦合电容电路中的MOS管串联；
所述电荷泵控制电路与所述N组正耦合电容电路中的各MOS管的栅极均连接，以控制对所述中间电压进行N倍升压。
5.如权利要求3所述的电路，其特征在于：
所述电荷泵子电路还包括第二基准端，所述电荷泵子电路的输出端还包括第二输出端；
所述第二输出端输出的第二工作电压为第二基准电压减去第二升压电压的查值，所述第二基准电压为所述第二基准端接收的电压，所述第二升压电压为所述电荷泵子电路与对所述中间电压进行整数倍升压后的电压。
6.如权利要求5所述的电路，其特征在于，所述电荷泵子电路还包括：
M组负耦合电容电路，M为正整数；
每组所述负耦合电容电路包括：负耦合电容和两个MOS管；所述两个MOS管串联；所述负耦合电容的一端连接所述升压子电路的输出端，另一端连接所述两个MOS管的串联连接节点；
所述M组负耦合电容电路串联于所述第二输出端和所述第二基准端之间，串联方式为相连两组负耦合电容电路中的MOS管串联；
所述电荷泵控制电路与所述M组正耦合电容电路中的各MOS管的栅极均连接，以控制对所述中间电压进行M倍升压。
7.如权利要求3或5所述的电路，其特征在于，还包括：
降压子电路，所述降压子电路的输入端连接直流电源，所述降压子电路的输出端连接所述第一基准端，以将所述直流电源提供的初始电压降压为所述第一基准电压，并提供所述第一基准电压至所述电荷泵电路。
8.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述降压子电路包括：
降压控制电路、第二电感、第三晶体管和第四晶体管；
所述第三晶体管和所述第四晶体管串联于直流电源与地端之间；
所述第二电感的一端连接所述降压子电路的输出端，另一端连接所述第三晶体管和所述第四晶体管的串联连接节点；
所述降压控制电路与所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极均连接，通过控制晶体管的开关来控制所述第二电感的充放电，以对所述初始电压降压。
9.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述第一基准端与以下任一端连接：
所述降压子电路的输出端、所述升压子电路的输出端和地端。
10.如权利要求1～9任一所述的电路，其特征在于：
所述升压子电路的输出端与地端之间，以及所述电荷泵子电路的输出端与地端之间，均设置有稳压电容。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～10任一所述的电源生成电路。
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