CN113823753A - 光致发光材料、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种光致发光材料、显示面板及显示装置。该光致发光材料，包括：光致发光半导体材料和第一纳米粒子；第一纳米粒子具有表面等离子体共振效应；第一纳米粒子的吸收峰的波长与光致发光半导体材料的发射峰的波长之间的差值绝对值不大于10纳米。本申请实施例可以利用表面等离子体具有近场局域增强的特点，提高光致发光半导体材料的激发光强度(即出射光强度)，进而提高光致发光材料对入射光的提取效率，降低入射光的漏光概率，提高显示品质，也利于降低能耗。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种光致发光材料、显示面板及显示装置。
背景技术
量子点是一种纳米级别的半导体，通过对这种纳米半导体材料施加一定的电场或光压，它们便会发出特定频率的光，即单色光，该单色光的光谱能量集中、色彩纯正，质量高。
采用量子点的显示技术，可以准确输送光线，高效提升显示产品的色域值，让显示色彩更加纯净鲜艳，使色彩表现更具张力，因此受到广泛欢迎。
现有的量子点显示技术常采用背光源+量子点彩膜的显示结构，但是在量子点进行色转化的过程中，存在光损现象，即背光提取效率低的缺陷，影响显示品质。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种光致发光材料、显示面板及显示装置，用以解决或改善现有技术中量子点进行色转化的过程存在背光提取效率低、影响显示品质的技术问题。
第一个方面，本申请实施例提供了一种光致发光材料，包括：光致发光半导体材料和第一纳米粒子；
第一纳米粒子具有表面等离子体共振效应；
第一纳米粒子的吸收峰的波长与光致发光半导体材料的发射峰的波长之间的差值绝对值不大于10纳米。
在一个实施例中，第一纳米粒子的粒径不小于10纳米、且不大于100纳米。
在一个实施例中，第一纳米粒子的平均粒径小于50纳米。
在一个实施例中，第一纳米粒子浓度不小于0.01克每立方厘米、且不大于0.1克每立方厘米。
在一个实施例中，第一纳米粒子包括：金、银、铝、锌、铜、铬、镉和铂中的至少一种材料。
在一个实施例中，第一纳米粒子包括：金和银中的至少一种材料；
或，第一纳米粒子包括：铝、锌、铜、铬、镉和铂中的至少一种材料，与金材料的合金；
或，第一纳米粒子包括：铝、锌、铜、铬、镉和铂中的至少一种材料，与银材料的合金。
在一个实施例中，第一纳米粒子中的金材料或银材料的重量，不低于第一纳米粒子的总重量的80％。
第二个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：
发光模组；
光致发光层，位于发光模组的出光侧，包括如上述第一个方面提供的光致发光材料。
在一个实施例中，发光模组用于产生第一原色光；
光致发光层包括第二原色光致发光单元和第三原色光致发光单元；
第二原色光致发光单元用于接收第一原色光，并发出第二原色激发光；
第三原色光致发光单元用于接收第一原色光，并发出第三原色激发光。
在一个实施例中，光致发光层还包括：通孔单元；
通孔单元用于发光模组产生的第一原色光通过；
通孔单元、第二原色光致发光单元和第三原色光致发光单元阵列排布。
在一个实施例中，发光模组包括依次层叠的：薄膜晶体管层、电致发光层和封装层；
光致发光层位于封装层远离电致发光层的一侧。
在一个实施例中，电致发光层包括：像素界定结构和有机发光单元；
像素界定结构具有阵列排布的像素位；
有机发光单元布设于像素位中，有机发光单元包括依次层叠的阳极结构、电致发光结构和阴极结构。
第三个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括：如上述第二个方面提供的显示面板。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：光致发光材料包括光致发光半导体材料、和具有表面等离子体共振效应的第一纳米粒子的混合物，可以利用表面等离子体具有近场局域增强的特点，提高光致发光半导体材料的激发光强度(即出射光强度)，进而提高光致发光材料对入射光的提取效率，降低入射光的漏光概率，提高显示品质，也利于降低能耗。
具体地，当第一纳米粒子表面的自由电子的振荡频率与入射光(例如背光)频率一致时会出现共振效应，表面等离子体共振能提高局域电磁场态密度，从而提高光致发光半导体材料的激发光强度。
并且，第一纳米粒子会引起进入光致发光材料的入射光发生散射，有利于改变在衬底模式、波导模式中全反射损耗的光传输路径，降低光致发光材料临界面的反射率、提高透射率，从而提高光提取。
光致发光材料中第一纳米粒子的吸收峰的波长与光致发光半导体材料的发射峰的波长之间的差值绝对值不大于10纳米，有利于第一纳米粒子发生共振效应所提高的局域电磁场态密度、与光致发光半导体材料的最佳激发环境需求更匹配，进一步提高光致发光材料对入射光的提取效率。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种光致发光材料的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
图中：
10-光致发光材料；11-光致发光半导体材料；12-第一纳米粒子；
100-显示面板；
110-发光模组；
111-薄膜晶体管层；
112-电致发光层；1121-像素界定结构；1122-有机发光单元；
113-封装层；
120-光致发光层；121-第二原色光致发光单元；122-第三原色光致发光单元；123-通孔单元；124-黑矩阵。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本申请的发明人进行研究发现，现有的量子点显示技术常采用背光源+量子点彩膜的显示结构。例如，大尺寸OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板受制于FMM MASK(精细金属掩模板)应用，无法采用side by side(并排布设)的显示像素结构。采用量子点显示技术的大尺寸OLED，可以采用蓝色背光OLED+QD(量子点)彩膜的显示结构。但是在量子点进行色转化的过程中，无法实现100％的色转化，出射光中仍存在少量蓝光，存在光损现象，即背光提取效率低的缺陷，影响显示品质。
本申请提供的光致发光材料、显示面板及显示装置，旨在解决或减轻现有技术的如上技术问题。
下面以具体的实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例提供了一种光致发光材料10，如图1所示，包括：光致发光半导体材料11和第一纳米粒子12。
第一纳米粒子12具有表面等离子体共振效应。
第一纳米粒子12的吸收峰的波长与光致发光半导体材料11的发射峰的波长之间的差值绝对值不大于10纳米。
在本实施例中，光致发光材料10包括光致发光半导体材料11、和具有表面等离子体共振效应的第一纳米粒子12的混合物，可以利用表面等离子体具有近场局域增强的特点，提高光致发光半导体材料11的激发光强度(即出射光强度)，进而提高光致发光材料10对入射光的提取效率，降低入射光的漏光概率，提高显示品质，也利于降低能耗。
需要说明的是，表面等离子体通常是一种电磁表面波，由入射光和第一纳米粒子12中自由电子间的相互作用产生。表面等离子体因介质损耗，在表面处场强最大，在垂直于界面方向是指数衰减场，因此传播距离短，具有近场局域增强的特点。
基于此，当入射光照射到第一纳米粒子12时，光场将导致第一纳米粒子12的电子云偏离正电荷中心，随后产生恢复力，引起电子振荡。当第一纳米粒子12表面的自由电子的振荡频率与入射光(例如背光)频率一致时会出现共振效应，表面等离子体共振能提高局域电磁场态密度，从而提高光致发光半导体材料11的激发光强度。
需要说明的是，发光器件中的出光效率通常会受制于衬底模式及波导模式的损耗。具体地，衬底模式为电致发光层112产生的光到达玻璃衬底和空气界面时,一部分光线的入射角大于临界角而发生全反射,光线被限制在玻璃衬底内部,该损耗占总损耗值的23％左右。波导模式损耗是由于不同层之间的折射率不同,所以电致发光层112产生的光会有部分因全反射束缚在器件各层中。
而在本公开实施例中，第一纳米粒子12可以作为光散射粒子，使得进入光致发光材料10的入射光产生干涉现象，进而引起入射光发生散射，有利于改变在衬底模式、波导模式中全反射损耗的光传输路径，降低光致发光材料10临界面的反射率、提高透射率，从而提高光提取。
光致发光材料10中第一纳米粒子12的吸收峰的波长与光致发光半导体材料11的发射峰的波长之间的差值绝对值不大于10纳米，有利于第一纳米粒子12发生共振效应所提高的局域电磁场态密度、与光致发光半导体材料11的最佳激发环境需求更匹配，进一步提高光致发光材料10对入射光的提取效率。
本申请的发明人考虑到，第一纳米粒子12会引起进入光致发光材料10的入射光发生散射，因此第一纳米粒子12的粒径可以影响进入光致发光材料10的入射光发生散射的程度。例如，当第一纳米粒子12的平均粒径相对较小时，光致发光材料10的通透性更高，利于提高光散射效率，从而使显示的亮度更均匀和更高；当第一纳米粒子12的粒径过大时，容易导致光致发光材料10的浑浊度增大，影响量子点色转化薄膜的质量和光转化效率的提升。为此，本申请为光致发光材料10提供如下一种可能的实现方式：
本申请实施例的光致发光材料10中，第一纳米粒子12的粒径不小于10纳米、且不大于100纳米。
第一纳米粒子12采用本实施例提供的粒径尺寸，可以使得进入光致发光材料10的入射光能够发生散射，并且有利于保证光致发光材料10具备足够的通透性，利于提高光散射效率，从而使显示的亮度更均匀和更高，提高显示品质。
在一些可能的实施方式中，第一纳米粒子12的平均粒径小于50纳米。
在本实施例中，将第一纳米粒子12的粒径进一步控制在50纳米范围以内，例如：10纳米、20纳米、30纳米或者40纳米等，可以进一步实现窄带的共振峰及较高的散射效率。
具体地，当第一纳米粒子12的平均粒径较小时，更易受到波长范围更大的光激发，且第一纳米粒子12共振峰的半峰宽仍能保持窄带状态，共振效应增强。此外第一纳米粒子12的平均粒径变小，光散射层变薄，散射效率提高。
本申请的发明人考虑到，光致发光材料10可以采用向光致发光半导体溶液中引入第一纳米粒子12制备得到，而引入的第一纳米粒子12的量可能会对混合溶液的稳定性产生影响。为此，本申请为光致发光材料10提供如下一种可能的实现方式：
本申请实施例的光致发光材料10中，第一纳米粒子12浓度不小于0.01克每立方厘米、且不大于0.1克每立方厘米。
在本实施例中，第一纳米粒子12采用本实施例提供的浓度，有利于提高光致发光半导体材料11与第一纳米粒子12的混合溶液的稳定性，降低生产成本，提高光致发光材料10的成型产品的质量；同时也有利于提高光致发光材料10对入射光的提取效率。
本申请的发明人考虑到，第一纳米粒子12具有表面等离子体共振效应，第一纳米粒子12的表面需要具有自由电子，因此可以选择金属材料。
为此，本申请为光致发光材料10提供如下一种可能的实现方式：
本申请实施例的光致发光材料10中，第一纳米粒子12包括：金、银、铝、锌、铜、铬、镉和铂中的至少一种材料。
本实施例为第一纳米粒子12提供的可选金属材料，可以满足吸收峰的波长与光致发光半导体材料11的发射峰的波长之间的差值绝对值不大于10纳米的需求，有利于第一纳米粒子12发生共振效应所提高的局域电磁场态密度、与光致发光半导体材料11的最佳激发环境需求更匹配，进一步提高光致发光材料10对入射光的提取效率。
而且，本实施例提供各金属种类或组合，相对容易获得，有利于控制成本、以及降低再现难度。
在一些可能的实施方式中，第一纳米粒子12包括：金和银中的至少一种材料。
在一个示例中，第一纳米粒子12包括金粒子，即光致发光材料10包括光致发光半导体材料11，以及引入的金粒子。
在另一个示例中，第一纳米粒子12包括银粒子，即光致发光材料10包括光致发光半导体材料11，以及引入的银粒子。
在又一个示例中，第一纳米粒子12是包括金和银的合金纳米粒子，即光致发光材料10包括光致发光半导体材料11，以及引入的包括金和银的合金纳米粒子。
在一些可能的实施方式中，第一纳米粒子12包括：铝、锌、铜、铬、镉和铂中的至少一种材料，与金材料的合金。
在本实施例中，光致发光材料10包括光致发光半导体材料11，以及引入的包括铝、锌、铜、铬、镉和铂中的至少一种材料和金材料的合金纳米粒子。
在一些可能的实施方式中，第一纳米粒子12包括：铝、锌、铜、铬、镉和铂中的至少一种材料，与银材料的合金。
在本实施例中，光致发光材料10包括光致发光半导体材料11，以及引入的包括铝、锌、铜、铬、镉和铂中的至少一种材料和银材料的合金纳米粒子。
在一些可能的实施方式中，第一纳米粒子12中的金材料或银材料的重量，不低于第一纳米粒子12的总重量的80％。
在本实施例中，第一纳米粒子12中的金材料或银材料的重量占到合金总重量的80％及以上，此时合金纳米粒子可以表现出优良的光散射效果。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种显示面板100，该显示面板100的结构示意图如图2所示，包括：发光模组110和光致发光层120。
光致发光层120位于发光模组的出光侧，包括如上述各实施例提供的任一种光致发光材料10。
在本实施例中，在本实施例中发光模组110为光致发光层120提供背光，光致发光层120由于采用了上述各实施例提供的任一种光致发光材料10，因而可以较高的背光提取率激发出更高强度的激发光(即出射光)，能够有效降低入射光的漏光概率，提高显示面板100的显示品质，也利于降低显示面板100的能耗。
由于显示面板100采用了前述各实施例提供的任一种光致发光材料10，其原理和技术效果请参阅前述各实施例，在此不再赘述。
本申请的发明人考虑到，光致发光层120可以在背光的激发作用下发出其他波长的光，即出射光的颜色可以发生改变。为此，本申请为显示面板100提供如下一种可能的实现方式：
本申请实施例的显示面板100中，发光模组用于产生第一原色光。
光致发光层120包括第二原色光致发光单元121和第三原色光致发光单元122。
第二原色光致发光单元121用于接收第一原色光，并发出第二原色激发光。
第三原色光致发光单元122用于接收第一原色光，并发出第三原色激发光。
在本实施例中，发光模组用于产生第一原色光，即为光致发光层120提供单色背光，有利于降低发光模组的设计、生产成本。
光致发光层120包括的第二原色光致发光单元121和第三原色光致发光单元122中的光致发光材料10，可以分别采用不同的光致发光半导体材料11，以在第一原色光的激发下，发出不同颜色的出射光的，以满足显示需要。
在一个示例中，第一原色光是蓝光，第二原色激发光是红光，第三原色激发光是绿光。
本申请的发明人考虑到，可以将一部分发光模组产生第一原色光直接参与显示，这样有利于提高显示色域同时，还有利于减少光损，提高背光利用率。为此，本申请为显示面板100提供如下一种可能的实现方式：
本申请实施例的显示面板100中，光致发光层120还包括：通孔单元123。
通孔单元123用于发光模组产生的第一原色光通过。
通孔单元123、第二原色光致发光单元121和第三原色光致发光单元122阵列排布。
在本实施例中，光致发光层120中的通孔单元123可以让一部分发光模组产生的第一原色光不经过颜色转换而直接通过，实现了发光模组产生第一原色光直接参与显示。
通孔单元123、第二原色光致发光单元121和第三原色光致发光单元122阵列排布，利于三原色光的融合，提高显示质量。
可选地，通孔单元123、第二原色光致发光单元121和第三原色光致发光单元122之间可以用黑矩阵124隔开。
本申请的发明人为显示面板100中的发光模组110提供如下一种可能的实现方式：
本申请实施例的显示面板100中，发光模组110包括依次层叠的：薄膜晶体管层111、电致发光层112和封装层113。
光致发光层120位于封装层113远离电致发光层112的一侧。
在本实施例中，电致发光层112用于产生背光，薄膜晶体管层111可以根据需要而控制电致发光层112的工作，封装层113可以为电致发光层112以及薄膜晶体管层111提供必要的防水隔氧。
另外，光致发光层120可以直接在发光模组的封装层113上制备，有利于整个显示面板100的膜层减薄，也有利于简化生产工序，降低成本。
本申请的发明人为发光模组110中的电致发光层112提供如下一种可能的实现方式：
本申请实施例的显示面板100中，电致发光层112包括：像素界定结构1121和有机发光单元1122。
像素界定结构1121具有阵列排布的像素位。
有机发光单元1122布设于像素位中，有机发光单元1122包括依次层叠的阳极结构、电致发光结构和阴极结构。
在本实施例中，电致发光层112采用OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)的发光结构，有利于使得发光模组110的结构更轻薄，背光亮度更高、功耗更低、响应更快、柔性更好、发光效率更高，提高显示面板100的显示质量。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种显示装置如上述各实施例提供的任一种显示面板100。在一些实施方式中，显示装置还包括用于驱动显示面板100的驱动电路和电源电路等结构。
在本实施例中，由于显示装置采用了前述各实施例提供的任一种显示面板100，其原理和技术效果请参阅前述各实施例，在此不再赘述。
显示装置可以为电视、数码相框、手机、智能手表、平板电脑等任何曲面或平面显示产品，或可弯折显示产品，或相关显示部件中至少一种。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
1、光致发光材料10包括光致发光半导体材料11、和具有表面等离子体共振效应的第一纳米粒子12的混合物，可以利用表面等离子体具有近场局域增强的特点，提高光致发光半导体材料11的激发光强度(即出射光强度)，进而提高光致发光材料10对入射光的提取效率，降低入射光的漏光概率，提高显示品质，也利于降低能耗。
2、第一纳米粒子12的粒径不小于10纳米、且不大于100纳米，可以使得进入光致发光材料10的入射光能够发生散射，并且有利于保证光致发光材料10具备足够的通透性，利于提高光散射效率，从而使显示的亮度更均匀和更高，提高显示品质。
3、将第一纳米粒子12的粒径进一步控制在50纳米范围以内，可以进一步实现窄带的共振峰及较高的散射效率。
4、第一纳米粒子12的浓度不小于0.01克每立方厘米、且不大于0.1克每立方厘米，有利于提高光致发光半导体材料11与第一纳米粒子12的混合溶液的稳定性，降低生产成本，提高光致发光材料10的成型产品的质量；同时也有利于提高光致发光材料10对入射光的提取效率。
5、第一纳米粒子12包括：金、银、铝、锌、铜、铬、镉和铂中的至少一种材料，可以满足吸收峰的波长与光致发光半导体材料11的发射峰的波长之间的差值绝对值不大于10纳米的需求，有利于第一纳米粒子12发生共振效应所提高的局域电磁场态密度、与光致发光半导体材料11的最佳激发环境需求更匹配，进一步提高光致发光材料10对入射光的提取效率。
6、发光模组用于产生第一原色光，即为光致发光层120提供单色背光，有利于降低发光模组的设计、生产成本。光致发光层120包括的第二原色光致发光单元121和第三原色光致发光单元122中的光致发光材料10，可以分别采用不同的光致发光半导体材料11，以在第一原色光的激发下，发出不同颜色的出射光的，以满足显示需要。
7、光致发光层120中的通孔单元123可以让一部分发光模组产生的第一原色光不经过颜色转换而直接通过，实现了发光模组产生第一原色光直接参与显示。通孔单元123、第二原色光致发光单元121和第三原色光致发光单元122阵列排布，利于三原色光的融合，提高显示质量。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中的术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (13)
1.一种光致发光材料，其特征在于，包括：光致发光半导体材料和第一纳米粒子；
所述第一纳米粒子具有表面等离子体共振效应；
所述第一纳米粒子的吸收峰的波长与所述光致发光半导体材料的发射峰的波长之间的差值绝对值不大于10纳米。
2.根据权利要求1所述的光致发光材料，其特征在于，所述第一纳米粒子的粒径不小于10纳米、且不大于100纳米。
3.根据权利要求2所述的光致发光材料，其特征在于，所述第一纳米粒子的平均粒径小于50纳米。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的光致发光材料，其特征在于，所述第一纳米粒子浓度不小于0.01克每立方厘米、且不大于0.1克每立方厘米。
5.根据权利要求1所述的光致发光材料，其特征在于，所述第一纳米粒子包括：金、银、铝、锌、铜、铬、镉和铂中的至少一种材料。
6.根据权利要求5所述的光致发光材料，其特征在于，所述第一纳米粒子包括：金和银中的至少一种材料；
或，所述第一纳米粒子包括：铝、锌、铜、铬、镉和铂中的至少一种材料，与金材料的合金；
或，所述第一纳米粒子包括：铝、锌、铜、铬、镉和铂中的至少一种材料，与银材料的合金。
7.根据权利要求5或6所述的光致发光材料，其特征在于，所述第一纳米粒子中的金材料或银材料的重量，不低于所述第一纳米粒子的总重量的80％。
8.一种显示面板，其特征在于，包括：
发光模组；
光致发光层，位于所述发光模组的出光侧，包括如上述权利要求1-7中任一项所述的光致发光材料。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述发光模组用于产生第一原色光；
所述光致发光层包括第二原色光致发光单元和第三原色光致发光单元；
所述第二原色光致发光单元用于接收所述第一原色光，并发出第二原色激发光；
所述第三原色光致发光单元用于接收所述第一原色光，并发出第三原色激发光。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述光致发光层还包括：通孔单元；
所述通孔单元能够使所述发光模组产生的所述第一原色光通过；
所述通孔单元、第二原色光致发光单元和第三原色光致发光单元阵列排布。
11.根据权利要求8-10中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述发光模组包括依次层叠的：薄膜晶体管层、电致发光层和封装层；
所述光致发光层位于所述封装层远离所述电致发光层的一侧。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述电致发光层包括：像素界定结构和有机发光单元；
所述像素界定结构具有阵列排布的像素位；
所述有机发光单元布设于所述像素位中，所述有机发光单元包括依次层叠的阳极结构、电致发光结构和阴极结构。
13.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求8-11中任一项所述的显示面板。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100659900B1 (ko) * | 2006-02-21 | 2006-12-20 | 엘지전자 주식회사 | 백색 발광 소자 및 그 제조방법 |
| CN102771188A (zh) * | 2010-02-25 | 2012-11-07 | 夏普株式会社 | 发光元件、显示器和显示装置 |
| CN103869391A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-06-18 | 明天 | 色彩增强膜、使用结构、使用方法和制作方法 |
| CN104470846A (zh) * | 2013-05-23 | 2015-03-25 | 三星Total株式会社 | 使用各向异性金属纳米粒子而具有增强的发光效率的光变换发光装置 |
| US20150285969A1 (en) * | 2014-04-03 | 2015-10-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including a color conversion layer |
| CN110164910A (zh) * | 2018-05-28 | 2019-08-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 颜色转换层及其制备方法、显示装置 |
| CN110797447A (zh) * | 2018-08-01 | 2020-02-14 | 中华映管股份有限公司 | 波长转换膜 |
-
2021
- 2021-09-23 CN CN202111116826.0A patent/CN113823753A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100659900B1 (ko) * | 2006-02-21 | 2006-12-20 | 엘지전자 주식회사 | 백색 발광 소자 및 그 제조방법 |
| CN102771188A (zh) * | 2010-02-25 | 2012-11-07 | 夏普株式会社 | 发光元件、显示器和显示装置 |
| CN104470846A (zh) * | 2013-05-23 | 2015-03-25 | 三星Total株式会社 | 使用各向异性金属纳米粒子而具有增强的发光效率的光变换发光装置 |
| CN103869391A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-06-18 | 明天 | 色彩增强膜、使用结构、使用方法和制作方法 |
| US20150285969A1 (en) * | 2014-04-03 | 2015-10-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including a color conversion layer |
| CN110164910A (zh) * | 2018-05-28 | 2019-08-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 颜色转换层及其制备方法、显示装置 |
| CN110797447A (zh) * | 2018-08-01 | 2020-02-14 | 中华映管股份有限公司 | 波长转换膜 |
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