CN113765538B - 切换电路 - Google Patents

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CN113765538B CN202010709270.5A CN202010709270A CN113765538B CN 113765538 B CN113765538 B CN 113765538B CN 202010709270 A CN202010709270 A CN 202010709270A CN 113765538 B CN113765538 B CN 113765538B
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Abstract

本发明提出一种切换电路。切换电路包括第一传输端、第二传输端、第三传输端以及第一可变阻抗电路。第一传输端及第二传输端耦接共接点，以形成第一传输路径。第三传输端耦接共接点，并且与第一传输端之间形成第二传输路径。第一可变阻抗电路具有第一端耦接在共接点以及第三传输端之间，并且具有第二端耦接第一参考电位端。当第一传输路径传输第一信号时，第一可变阻抗电路所提供的第一带宽范围依据第一信号的第一频率来决定，使得第一可变阻抗电路在第一带宽范围内提供较低的阻抗，并且第一带宽范围涵盖第一频率。

Description

切换电路
技术领域
本发明是有关于一种电路，且特别是有关于一种切换电路。
背景技术
在传统用于传输射频信号的切换电路中，通常是经由多个晶体管开关的导通切换，来实现切换不同的传输路径进行信号传输。对此，传统的切换电路通常仅经由被关闭的晶体管开关来隔离不同的传输路径之间的信号能量。然而，由于晶体管开关可能发生电流泄漏情况，因此传统的切换电路中的不同的传输路径之间通常具有信号隔离度不佳的问题。有鉴于此，以下将提出几个实施例的解决方案。
须注意的是，「背景技术」段落的内容是用来帮助了解本发明。在「背景技术」段落所揭露的部份内容(或全部内容)可能不是所属技术领域中具有通常知识者所知道的习知技术。在「背景技术」段落所揭露的内容，不代表该内容在本发明申请前已被所属技术领域中具有通常知识者所知悉。
发明内容
本发明提供一种切换电路可提供多个传输端以及多个传输路径，以切换传输不同频率的信号，并且不同的传输路径之间可具有良好的信号传输质量。
本发明的切换电路包括第一传输端、第二传输端、第三传输端以及第一可变阻抗电路。第一传输端耦接共接点。第二传输端耦接共接点，并且与第一传输端之间形成第一传输路径。第三传输端耦接共接点，并且与第一传输端之间形成第二传输路径。第一可变阻抗电路具有第一端耦接在共接点以及第三传输端之间，并且具有第二端耦接第一参考电位端。当第一传输路径传输第一信号时，第一可变阻抗电路所提供的第一带宽范围依据第一信号的第一频率来决定，使得第一可变阻抗电路在第一带宽范围内提供较低的阻抗。第一带宽范围涵盖第一频率。
基于上述，本发明的切换电路可藉由第二信号传输电路上所耦接可变阻抗电路来有效降低由第一传输路径泄漏至第二信号传输电路的信号能量，以使第一传输路径以及第二传输路径之间可具有良好的信号隔离度。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的切换电路的示意图。
图2A是依照本发明的第一实施例的可变阻抗电路的示意图。
图2B是依照本发明的第二实施例的可变阻抗电路的示意图。
图2C是依照本发明的第三实施例的可变阻抗电路的示意图。
图3是依照本发明的一实施例的控制电压产生电路的示意图。
图4是依照本发明的一实施例的带宽范围的调整示意图。
图5是依照本发明的另一实施例的切换电路的示意图。
符号说明
100、700:切换电路
101、701:共接点
110、120、130、710、720、730:传输端
140、740、770:可变阻抗电路
150、160、343、443、750、760、780、790:晶体管
241:可变电容
242、342、442:电感
341:电容
344、345、444、445:反相器
441:晶体管电容
500:控制电压产生电路
501:传输路径
510:定向耦合器
520:频率侦测器
530:比较器
f1、f2:频率
N1、P1:第一端
N2、P2:第二端
Vbs、Vbs1、Vbs2、Vbs3:控制电压
Vref1、Vref2:参考电位端
NC:控制端
具体实施方式
在本案说明书全文(包括权利要求)中所使用的「耦接(或连接)」一词可指任何直接或间接的连接手段。举例而言，若文中描述第一装置耦接(或连接)于第二装置，则应该被解释成该第一装置可以直接连接于该第二装置，或者该第一装置可以透过其他装置或某种连接手段而间接地连接至该第二装置。本案说明书全文(包括权利要求)中提及的「第一」、「第二」等用语是用以命名组件(element)的名称，或区别不同实施例或范围，而并非用来限制组件数量的上限或下限，亦非用来限制组件的次序。另外，凡可能之处，在图式及实施方式中使用相同标号的组件/构件/步骤代表相同或类似部分。不同实施例中使用相同标号或使用相同用语的组件/构件/步骤可以相互参照相关说明。
图1是依照本发明的一实施例的切换电路的示意图。参考图1，切换电路100可例如应用于不同频段的射频信号(Radio Frequency，RF)传输路径切换，但本发明并不限于此。在本实施例中，切换电路100包括传输端110、120、130、可变阻抗电路140以及晶体管150、160。传输端110、120分别耦接至共接点101，并且传输端130经由晶体管150耦接至共接点101。可变阻抗电路140经由晶体管160耦接至传输端130。晶体管150具有第一端N1耦接共接点101，并且具有第二端N2耦接传输端130。晶体管160具有第一端N1耦接晶体管150的第二端N2，并且具有第二端N2耦接可变阻抗电路140。可变阻抗电路140具有第一端N1耦接在晶体管160的第二端N2，并且具有第二端N2耦接参考电位端Vref1。
在本实施例中，传输端110、120之间可形成第一传输路径，并且传输端110、130之间形成第二传输路径。举例而言，传输端110可耦接至天线，以作为信号传输端(Transmitter，TX)或信号接收端(Receiver，RX)，并且传输端120、130可例如各自耦接至不同的后端信号处理电路，以作为信号接收端或信号传输端。所述天线的操作频段可例如是3G、4G、5G或Wi-Fi等，本发明并不加以限制。当传输端110接收信号，以欲经由传输端120输出至后端信号处理电路时，晶体管150以及晶体管160各别的控制端NC可接收控制信号，以使晶体管150被关闭，且晶体管160被导通，以避免所述信号的信号能量泄漏至传输端130。并且，可变阻抗电路140可作为泄漏的信号能量的释放路径。对此，可变阻抗电路140可依据所述信号的频率来对应调整阻抗，以使可变阻抗电路140在带宽范围内提供较低的阻抗，其中所述带宽范围涵盖所述频率。因此，泄漏的信号能量可被导向至可变阻抗电路140，而有效避免或降低泄漏的信号能量传输至传输端130。
换言之，切换电路100除了可透过关闭晶体管150来避免所述信号被传输至传输端130，并且切换电路100还可依据当前传输的信号的频率来调整可变阻抗电路140的带宽范围，使其对应于所述信号的所述频率而提供较低的阻抗。因此，在第一传输路径传输信号的过程中，若所述信号的一部分能量被泄漏至晶体管150的第二端N2，则可变阻抗电路140可将泄漏至晶体管150的第二端N2的能量释放至参考电位端Vref1。因此，本实施例的切换电路100的第一传输路径以及第二传输路径之间可具有良好的信号隔离度。值得注意的是，本发明的切换电路100的传输端110、120、130不限于上述的信号传输方向，并且晶体管150、160可为P型半导体或N型半导体，本发明亦不加以限制。此外，关于可变阻抗电路140的具体实施方式，以下将由图2A至图2C的实施例来具体说明。
图2A是依照本发明的第一实施例的可变阻抗电路的示意图。参考图1及图2A，可变阻抗电路140可例如包括可变电容241以及电感242。可变电容241的第一端耦接可变阻抗电路140的第一端P1，并且可变电容241的第二端耦接电感242的第一端。电感242的第二端耦接可变阻抗电路140的第二端P2。在本实施例中，可变电容241以及电感242组成串联谐振电路，并且可变电容241可依据控制电压Vbs1来决定电容值，其中控制电压Vbs1是依据在传输端110、120之间传输的信号的频率来决定。因此，当图1的切换电路100的传输端110、120之间进行信号传输时，可变阻抗电路140可经由控制电压Vbs1调整可变电容241的电容值大小，以对应调整串联谐振频率，而使可变阻抗电路140在对应于所述信号的所述频率的带宽范围内可提供较低的阻抗。另外，在另一实施例中，可变电容241与电感242之间还可额外串联具有固定电容值的电容器。
图2B是依照本发明的第二实施例的可变阻抗电路的示意图。参考图1及图2B，可变阻抗电路140可例如包括电容341、电感342、晶体管343以及反相器344、345。电容341的第一端耦接可变阻抗电路140的第一端P1，并且电容341的第二端耦接电感342的第一端。电感342的第二端耦接可变阻抗电路140的第二端P2。在本实施例中，电容341以及电感342组成串联谐振电路。晶体管343的第一端N1耦接可变阻抗电路140的第一端P1，并且晶体管343的第二端N2耦接电容341的第二端。晶体管343的控制端NC耦接反相器344的输出端，并且反相器344的输入端耦接反相器345的输出端。反相器345的输入端接收控制电压Vbs2。在本实施例中，晶体管343可为P型半导体或N型半导体，本发明并不加以限制。
在本实施例中，控制电压Vbs2的大小可决定晶体管343的导通程度，以对应改变电容341的等效电容值。控制电压Vbs2是依据在传输端110、120之间传输的信号的频率来决定。因此，当图1的切换电路100的传输端110、120之间进行信号传输时，可变阻抗电路140可经由控制电压Vbs2调整电容341的等效电容值大小，以对应调整串联谐振频率，而使可变阻抗电路140在对应于所述信号的频率的带宽范围内可提供较低的阻抗。
然而，在另一实施例中，控制电压Vbs2也可仅用于控制晶体管343导通或关闭，而反相器344、345的电源端(图中未示)分别所接收的第一***电压与第二***电压的大小可依据在传输端110、120之间传输的信号的频率来决定，以对应调经由反相器344、345输入至晶体管343的控制端NC的控制电压Vbs2的电压大小。此外，电容341与电感342之间还可额外串联具有固定电容值的电容器。
图2C是依照本发明的第三实施例的可变阻抗电路的示意图。参考图1及图2C，可变阻抗电路140可例如包括晶体管电容441、电感442、晶体管443以及反相器444、445。晶体管电容441的控制端NC耦接可变阻抗电路140的第一端P1，并且晶体管电容441的第一端N1及第二端N2耦接电感442的第一端。电感442的第二端耦接可变阻抗电路140的第二端P2。在本实施例中，晶体管电容441以及电感442组成串联谐振电路。晶体管443的第一端N1耦接可变阻抗电路140的第一端P1，并且晶体管443的第二端N2耦接晶体管电容441的第一端N1及第二端N2。晶体管443的控制端NC耦接反相器444的输出端，并且反相器444的输入端耦接反相器445的输出端。反相器445的输入端接收控制电压Vbs3。在本实施例中，晶体管443可为P型半导体或N型半导体，本发明并不加以限制。
在本实施例中，控制电压Vbs3的大小可决定晶体管443的导通程度，以对应改变晶体管电容441的等效电容值。控制电压Vbs3是依据在传输端110、120之间传输的信号的频率来决定。因此，当图1的切换电路100的传输端110、120之间进行信号传输时，可变阻抗电路140可经由控制电压Vbs3调整电容441的等效电容值大小，以对应调整串联谐振频率，而使可变阻抗电路140在对应于所述信号的频率的带宽范围内可提供较低的阻抗。
然而，在另一实施例中，控制电压Vbs3也可仅用于控制晶体管443导通或关闭，而反相器444、445的电源端(图中未示)分别所接收的第一***电压与第二***电压的大小可依据在传输端110、120之间传输的信号的频率来决定，以对应调经由反相器444、445输入至晶体管443的控制端NC的控制电压Vbs3的电压大小。此外，晶体管电容441与电感442之间还可额外串联具有固定电容值的电容器。
图3是依照本发明的一实施例的控制电压产生电路的示意图。参考图3，图3的控制电压产生电路500可适用于产生上述图2A至图2C各实施例中的控制电压Vbs1、Vbs2、Vbs3。在本实施例中，控制电压产生电路500包括定向耦合器(Directional coupler)510、频率侦测器520以及比较器530。定向耦合器510耦接传输路径501，其中传输路径501可例如是指图1实施例的传输端110至传输端120之间的第一传输路径。频率侦测器520耦接定向耦合器510。比较器530的第一输入端耦接频率侦测器520，并且比较器530的第二输入端耦接参考电位端Vref2。比较器530的输出端输出控制电压Vbs。参考电位端Vref2的电压可对应于传输路径501所传输的信号的频率大小来设计。当传输路径501传输信号时，频率侦测器520侦测所述信号的频率来产生电压，并且比较器530比较所述电压与参考电位端Vref2的电压，以产生控制电压Vbs。因此，控制电压Vbs可有效地对应于传输路径501所传输的信号来产生。在另一实施例中，定向耦合器及/或比较器530可被省略。频率侦测器520耦接传输路径501。当传输路径501传输信号时，频率侦测器520侦测所述信号的频率来产生侦测信号，并且控制电压Vbs根据侦测信号而被产生。
图4是依照本发明的一实施例的带宽范围的调整示意图。参考图1、图2A、图3以及图4。如图1所示，当传输端110、120之间传输具有频率f1的信号时，晶体管150被关闭，并且晶体管160被导通。可变阻抗电路140可依据在传输端110、120之间传输的所述信号的频率来对应地调整其阻抗。进一步而言，如图3所示，控制电压产生电路500可依据传输路径501所传输的所述信号来产生控制电压Vbs，以使图2A的可变电容241可依据控制电压Vbs来决定其电容值。可变阻抗电路140的串联谐振频率可被调整为频率f1，以使可变阻抗电路140在对应于频率f1的带宽范围内可提供较低的阻抗。因此，切换电路100的第一传输路径与第二传输路径之间的信号隔离度可如图4中对应于频率f1的曲线变化。切换电路100的第一传输路径与第二传输路径之间对于具有频率f1的信号可具有良好的信号隔离度。
接着，当传输端110、120之间经切换以传输具有频率f2的另一信号时，晶体管150同样被关闭，并且晶体管160同样被导通。并且，可变阻抗电路140可依据在传输端110、120之间传输的所述信号的频率来对应地调整其阻抗。进一步而言，如图3所示，控制电压产生电路500可依据传输路径501所传输的所述另一信号来调整控制电压Vbs，以使图2A的可变电容241可依据控制电压Vbs来改变其电容值。可变阻抗电路140的串联谐振频率可被调整为频率f2，以使可变阻抗电路140在对应于频率f2的带宽范围内同样可提供较低的阻抗。因此，切换电路100的第一传输路径与第二传输路径之间的信号隔离度可如图4中对应于频率f2的曲线变化。切换电路100的第一传输路径与第二传输路径之间对于具有频率f2的信号同样可具有良好的信号隔离度。
换言之，本实施例的切换电路100可依据当前传输的信号的频率来动态调整可变阻抗电路140的阻抗，以当切换电路100经切换以传输不同频段的信号时，切换电路100当中的不同传输路径之间可仍维持有良好的信号隔离度。此外，在另一实施例中，切换电路100的可变阻抗电路140亦可采用如图2B或图2C的方式来实现如上述图2A所述的可动态调整其阻抗的效果，并且在此不多加赘述。
图5是依照本发明的另一实施例的切换电路的示意图。参考图5，切换电路700包括传输端710、720、730、可变阻抗电路740、770以及晶体管750、760、780、790。传输端710耦接至共接点701。传输端720经由晶体管780耦接至共接点701，并且传输端730经由晶体管750耦接至共接点701。可变阻抗电路740经由晶体管760耦接至传输端730，并且可变阻抗电路770经由晶体管790耦接至传输端720。晶体管750具有第一端N1耦接共接点701，并且具有第二端N2耦接传输端730。晶体管760具有第一端N1耦接晶体管750的第二端N2，并且具有第二端N2耦接可变阻抗电路740。晶体管780具有第一端N1耦接共接点701，并且具有第二端N2耦接传输端720。晶体管790具有第一端N1耦接晶体管780的第二端N2，并且具有第二端N2耦接可变阻抗电路770。可变阻抗电路740具有第一端耦接在晶体管760的第二端N2，并且具有第二端耦接参考电位端Vref1。可变阻抗电路770具有第一端耦接在晶体管790的第二端N2，并且具有第二端耦接参考电位端Vref1。
在本实施例中，传输端710、720之间可形成第一传输路径，并且传输端710、730之间形成第二传输路径。举例而言，传输端710可耦接至天线，以作为信号传输端或信号接收端，并且传输端720、730可例如各自耦接至不同的后端信号处理电路，以作为信号接收端或信号传输端。当传输端710接收第一信号，以欲经由传输端720输出至后端信号处理电路时，晶体管750、790被关闭，且晶体管760、780被导通，以传输第一信号至传输端720，并且避免第一信号的信号能量泄漏至传输端730。并且，可变阻抗电路740可作为泄漏的信号能量的传输电路。对此，可变阻抗电路740可依据所述信号的频率来对应调整阻抗，以使可变阻抗电路740在第一带宽范围内提供较低的阻抗，其中第一带宽范围涵盖第一频率。因此，泄漏的信号能量可经由可变阻抗电路740释放，而有效避免或降低泄漏的信号能量传输至传输端730。
同理，当传输端710接收第二信号，以欲经由传输端730输出至后端信号处理电路时，晶体管760、780被关闭，且晶体管750、790被导通，以传输第二信号至传输端730，并且避免第二信号的信号能量泄漏至传输端720。并且，可变阻抗电路770可作为泄漏的信号能量的传输电路。对此，可变阻抗电路770可依据所述信号的频率来对应调整阻抗，以使可变阻抗电路770在第二带宽范围内提供较低的阻抗，其中第二带宽范围涵盖第二频率。因此，泄漏的信号能量可经由可变阻抗电路770释放，而有效避免或降低泄漏的信号能量传输至传输端720。
因此，相较于上述图1的切换电路100，切换电路700可在第一传输路径以及第二传输路径上分别耦接有可变阻抗电路740、770。因此，在第一传输路径传输第一信号的过程中，若第一信号的一部分能量被泄漏至晶体管750的第二端N2，则可变阻抗电路740可将泄漏至晶体管750的第二端N2的能量释放至参考电位端Vref1。在第二传输路径传输第二信号的过程中，若第二信号的一部分能量被泄漏至晶体管780的第二端N2，则可变阻抗电路770可将泄漏至晶体管780的第二端N2的能量释放至参考电位端Vref1。因此，本实施例的切换电路700的第一传输路径以及第二传输路径之间可具有良好的信号隔离度。值得注意的是，本发明的切换电路700的传输端710、720、730不限于上述的信号传输方向，并且晶体管750、760、780、790可为P型半导体或N型半导体，本发明亦不加以限制。
另外，关于切换电路700以及可变阻抗电路740、770的具体实施方式、电路特征以及技术功效，可参考上述图1至图4实施例的说明而获致足够的教示、建议以及实施说明，因此不再多加赘述。
综上所述，本发明的切换电路可当两个传输路径的其中之一在传输信号的过程中，藉由两个传输路径的另一个所耦接的可变阻抗电路来对应所述信号的频率来调整其阻抗，以有效地将泄漏至两个传输路径的另一个的信号能量释放至参考电位端，以使在不同频段的信号切换传输过程中，所述两个传输路径之间仍可维持良好的信号隔离度。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。

Claims (14)

1.一种切换电路，其特征在于，包括:
一第一传输端，耦接一共接点；
一第二传输端，耦接该共接点，并且与该第一传输端之间形成一第一传输路径；
一第三传输端，耦接该共接点，并且与该第一传输端之间形成一第二传输路径；以及
一第一可变阻抗电路，具有一第一端耦接在该共接点以及该第三传输端之间，并且具有一第二端耦接一第一参考电位端，
其中当该第一传输路径传输一第一信号时，该第一可变阻抗电路所提供的一第一带宽范围依据该第一信号的一第一频率来决定，使得该第一可变阻抗电路在该第一带宽范围内提供较低的阻抗，并且该第一带宽范围涵盖该第一频率。
2.如权利要求1所述的切换电路，其特征在于，更包括:
一第一晶体管，具有一第一端耦接该共接点，并且具有一第二端耦接该第三传输端；以及
一第二晶体管，具有一第一端耦接该第一晶体管的该第二端，并且具有一第二端耦接该第一可变阻抗电路，
其中当该第一传输路径传输该第一信号时，该第一晶体管被关闭，并且该第二晶体管被导通。
3.如权利要求1所述的切换电路，其特征在于，其中该第一可变阻抗电路包括:
一可变电容，具有一第一端耦接该第一可变阻抗电路的该第一端，用以依据一第一控制电压来决定一电容值；以及
一电感，具有一第一端耦接该可变电容的一第二端，并且具有一第二端耦接该第一可变阻抗电路的该第二端。
4.如权利要求3所述的切换电路，其特征在于，更包括:
一定向耦合器，耦接该第一传输路径；
一频率侦测器，耦接该定向耦合器；以及
一比较器，具有一第一输入端耦接该频率侦测器，具有一第二输入端耦接一第二参考电位端，并且具有一输出端，
其中当该第一传输路径传输该第一信号时，该频率侦测器侦测该第一信号的该第一频率来产生一第一电压，并且该比较器比较该第一电压与该第二参考电位端，以产生该第一控制电压。
5.如权利要求3所述的切换电路，其特征在于，更包括:
一频率侦测器，耦接该第一传输路径；
其中当该第一传输路径传输该第一信号时，该频率侦测器侦测该第一信号的该第一频率来产生一侦测信号，并且该控制电压根据该侦测信号而被产生。
6.如权利要求3所述的切换电路，其特征在于，其中该可变电容与该电感之间更包括串联一电容器。
7.如权利要求1所述的切换电路，其特征在于，其中该第一可变阻抗电路包括:
一电容，具有一第一端耦接该第一可变阻抗电路的该第一端；
一第三晶体管，具有一第一端耦接该第一可变阻抗电路的该第一端；以及
一电感，具有一第一端耦接该电容的一第二端以及该第三晶体管的一第二端，并且具有一第二端耦接该第一可变阻抗电路的该第二端，
其中该电容与该第三晶体管为并联，并且该第三晶体管的一控制端接收的一第二控制电压依据该第一信号的该第一频率来决定。
8.如权利要求1所述的切换电路，其特征在于，其中该第一可变阻抗电路包括:
一晶体管电容，具有一控制端耦接该第一可变阻抗电路的该第一端；
一第三晶体管，具有一第一端耦接该第一可变阻抗电路的该第一端；以及
一电感，具有一第一端耦接该晶体管电容的一第一端、一第二端以及该第三晶体管的一第二端，并且具有一第二端耦接该第一可变阻抗电路的该第二端，
其中该晶体管电容与该第三晶体管为并联，并且该第三晶体管的一控制端接收的一第二控制电压依据该第一信号的该第一频率来决定。
9.如权利要求7或8所述的切换电路，其特征在于，其中该第一可变阻抗电路更包括:
一第一反相器，具有一输出端耦接该第三晶体管的一控制端，用以输出该第二控制电压；以及
一第二反相器，具有一输出端耦接该第一反相器的一输入端。
10.如权利要求9所述的切换电路，其特征在于，其中该第二反相器更包括一输入端，用以接收一第三控制电压，并且该第三控制电压是依据该第一信号的该第一频率来决定。
11.如权利要求9所述的切换电路，其特征在于，其中该第一反相器与该第二反相器更分别包括一电源端，用以分别接收一第一***电压与一第二***电压，并且该第一***电压与该第二***电压***是依据该第一信号的该第一频率来决定。
12.如权利要求1所述的切换电路，其特征在于，其中当该第一传输路径被切换以传输一第二信号时，该第一可变阻抗电路所提供的该第一带宽范围依据该第二信号的一第二频率而改变，以使该第一带宽范围涵盖该第二频率。
13.如权利要求1所述的切换电路，其特征在于，更包括:
一第二可变阻抗电路，具有一第一端耦接在该共接点以及该第二传输端之间，并且具有一第二端耦接该第一参考电位端，其中当天线切换电路被切换以经由该第二传输路径传输一第二信号时，该第二可变阻抗电路所提供的一第二带宽范围依据该第二信号的一第二频率来决定，使得该第二可变阻抗电路在该第二带宽范围内提供较低的阻抗，并且该第二带宽范围涵盖该第二频率。
14.如权利要求13所述的切换电路，其特征在于，更包括:
一第四晶体管，具有一第一端耦接该共接点，并且具有一第二端耦接该第二传输端；以及
一第五晶体管，具有一第一端耦接该第四晶体管的该第二端，并且具有一第二端耦接该第二可变阻抗电路，
其中当该第二传输路径传输该第二信号时，该第四晶体管为被关闭，并且该第五晶体管被导通。
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