CN113755046A - 用于封装有机发光二极管的组合物和包括由其形成的有机层的有机发光二极管显示器 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 title claims description 68
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 38
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims abstract description 33
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims abstract description 32
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical group C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 claims abstract description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 21
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 12
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 12
- LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenoxy)boronic acid Chemical compound OB(O)OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 1-tetradecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=C HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- LWHOMMCIJIJIGV-UHFFFAOYSA-N (1,3-dioxobenzo[de]isoquinolin-2-yl) trifluoromethanesulfonate Chemical compound C1=CC(C(N(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)C2=O)=O)=C3C2=CC=CC3=C1 LWHOMMCIJIJIGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- SAMJGBVVQUEMGC-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2-(2-ethenoxyethoxy)ethane Chemical compound C=COCCOCCOC=C SAMJGBVVQUEMGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WVXLLHWEQSZBLW-UHFFFAOYSA-N 2-(4-acetyl-2-methoxyphenoxy)acetic acid Chemical compound COC1=CC(C(C)=O)=CC=C1OCC(O)=O WVXLLHWEQSZBLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HUGHWHMUUQNACD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoxymethylbenzene Chemical compound C=CCOCC1=CC=CC=C1 HUGHWHMUUQNACD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- CYIGRWUIQAVBFG-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(2-ethenoxyethoxy)ethane Chemical compound C=COCCOCCOCCOC=C CYIGRWUIQAVBFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MWZJGRDWJVHRDV-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(ethenoxy)butane Chemical compound C=COCCCCOC=C MWZJGRDWJVHRDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QJJDJWUCRAPCOL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxyoctadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC=C QJJDJWUCRAPCOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- INYHZQLKOKTDAI-UHFFFAOYSA-N 5-ethenylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C2C(C=C)CC1C=C2 INYHZQLKOKTDAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JQRRFDWXQOQICD-UHFFFAOYSA-N biphenylen-1-ylboronic acid Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=C1C=CC=C2B(O)O JQRRFDWXQOQICD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 29
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 19
- -1 cyano, imino Chemical group 0.000 description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- WEERVPDNCOGWJF-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(ethenyl)benzene Chemical compound C=CC1=CC=C(C=C)C=C1 WEERVPDNCOGWJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 4
- PRJNEUBECVAVAG-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(ethenyl)benzene Chemical compound C=CC1=CC=CC(C=C)=C1 PRJNEUBECVAVAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- OWZDULOODZHVCQ-UHFFFAOYSA-N diphenyl-(4-phenylsulfanylphenyl)sulfanium Chemical compound C=1C=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1SC1=CC=CC=C1 OWZDULOODZHVCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHLKSLMMWAKNBM-UHFFFAOYSA-N dodecane-1,12-diol Chemical compound OCCCCCCCCCCCCO GHLKSLMMWAKNBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- JFZKOODUSFUFIZ-UHFFFAOYSA-N trifluoro phosphate Chemical compound FOP(=O)(OF)OF JFZKOODUSFUFIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSMIOONHPKRREI-UHFFFAOYSA-N undecane-1,11-diol Chemical compound OCCCCCCCCCCCO XSMIOONHPKRREI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000834 vinyl ether Drugs 0.000 description 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 1,9-Nonanediol Chemical compound OCCCCCCCCCO ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILBBNQMSDGAAPF-UHFFFAOYSA-N 1-(6-hydroxy-6-methylcyclohexa-2,4-dien-1-yl)propan-1-one Chemical compound CCC(=O)C1C=CC=CC1(C)O ILBBNQMSDGAAPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBELHNUIWMNAFH-UHFFFAOYSA-N 12-prop-2-enoyloxydodecyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C WBELHNUIWMNAFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- HAMNKKUPIHEESI-UHFFFAOYSA-N aminoguanidine Chemical compound NNC(N)=N HAMNKKUPIHEESI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- QKQFIIOUCQZCFT-UHFFFAOYSA-O benzyl-(4-hydroxyphenyl)-methylsulfanium Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1[S+](C)CC1=CC=CC=C1 QKQFIIOUCQZCFT-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- FOTKYAAJKYLFFN-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diol Chemical compound OCCCCCCCCCCO FOTKYAAJKYLFFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- NXGAOFONOFYCNG-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphorylmethylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)(=O)CC1=CC=CC=C1 NXGAOFONOFYCNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-O diphenylsulfanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[SH+]C1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000007542 hardness measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 125000005597 hydrazone group Chemical group 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N octane-1,8-diol Chemical compound OCCCCCCCCO OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N oxidoboron Chemical class O=[B] MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001273 sulfonato group Chemical class [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
- C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
- C08F2/50—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
-
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/10—OLED displays
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Polymers & Plastics (AREA)
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种用于封装有机发光二极管的组合物以及包含其的有机发光二极管显示器。组合物包含：含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物以及光酸产生剂，其中以固体含量计，相对于约100重量份的组合物，含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物以约95重量份到99.9重量份的量存在。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2020年6月3日在韩国知识产权局(Korean Intellectual PropertyOffice)申请的韩国专利申请第10-2020-0066884号的权益，所述申请的整个公开以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种用于封装有机发光二极管的组合物和包含由其形成的有机层的有机发光二极管显示器。更具体来说，本发明涉及一种用于封装有机发光二极管的组合物和包含由其形成的有机层的有机发光二极管显示器，所述组合物具有高光固化速率、低后固化等离子体蚀刻速率以及低后固化介电常数(电容率，ε)。
背景技术
有机发光二极管会在与外部水分或氧接触时遭受可靠性劣化。因此，有机发光二极管需要用封装层(有机层和无机层的堆叠)封装，所述封装层包含由用于封装有机发光二极管的组合物形成的有机层和无机层。
有机层可通过将用于封装有机发光二极管的组合物施加到预定厚度，随后固化来形成。近来，将喷墨涂布视为施加组合物的方法。喷墨涂布允许在预定温度和预定滴落速率下通过喷嘴将组合物逐滴沉积到表面上。为了适合于喷墨涂布，组合物的粘度需要降低。然而，粘度的降低不一定确保良好的喷墨可涂布性。
在有机发光二极管显示器中，除封装层之外，各种显示元件堆叠在有机发光二极管的上侧和下侧上。从显示元件发射的电、静电或电磁波会影响有机发光二极管。这导致有机发光二极管的故障或退化。因此，需要一种用于封装有机发光二极管的组合物，其能够形成具有低介电常数的有机层，且因此可最小化堆叠在有机发光二极管上的其它元件的效应，同时具有封装有机发光二极管的基本功能。
本发明的背景技术公开于韩国专利公开案第10-2016-0150255号中。
发明内容
本发明的一个目标是提供一种用于封装有机发光二极管的组合物，其可在固化之后形成具有良好等离子体抗性的有机层。
本发明的另一目标是提供一种用于封装有机发光二极管的组合物，其可在固化之后在宽频率范围下形成具有低介电常数的有机层。
本发明的又一目标是提供一种用于封装有机发光二极管的组合物，其具有高光固化速率且因此可在固化之后形成具有高透光率的有机层。
本发明的又另一目标是提供一种用于封装有机发光二极管的组合物，其具有良好的喷墨可涂布性。
本发明的一个方面涉及一种用于封装有机发光二极管的组合物。
1.所述用于封装有机发光二极管的组合物包含：含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物；以及光酸产生剂，其中以固体含量计，相对于约100重量份的所述组合物，所述含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物以约95重量份到99.9重量份的量存在。
2.在实施例1中，所述含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物可包含选自以下当中的至少一种：具有脂环基或芳族基且在其分子结构中具有至少一个乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的化合物，以及不含脂环基或芳族基且在其分子结构中具有至少一个乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的化合物。
3.在实施例1和实施例2中，所述含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物可包含选自以下当中的至少一种：二乙烯基苯、1,4-环己烷二甲醇二乙烯基醚、烯丙基苄基醚以及5-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯、二甘醇二乙烯基醚、1-十四烯、三甘醇二乙烯基醚、十八烷基乙烯基醚、三羟甲基丙烷二烯丙基醚以及1,4-丁二醇二乙烯基醚。
4.在实施例1到实施例3中，所述光酸产生剂可包含选自以下当中的至少一种：正羟基萘酰亚胺三氟甲烷磺酸盐(N-hydroxynaphthalimide trifluoromethanesulfonate)以及硫基对亚苯基双(4,4'-二甲基二苯基锍)双-四(五氟苯基)硼酸盐(thio-p-phenylenebis(4,4'-dimethyldiphenylsulfonium)bis-tetrakis(pentafluorophenyl)borate)。
5.在实施例1到实施例4中，所述组合物可进一步包含：(甲基)丙烯酸光固化单体；以及光自由基引发剂。
6.在实施例1到实施例5中，所述组合物可具有约2.9或小于2.9的后固化介电常数。
7.在实施例1到实施例6中，所述组合物可具有约10％或小于10％的后固化等离子体蚀刻速率，如根据方程式1所计算：
后固化等离子体蚀刻速率(％)＝{(T1-T2)/T1}×100,---(1)
其中T1指示通过在硅(Si)晶片上沉积组合物，随后通过以100毫瓦/平方厘米通量进行的光照射固化10秒来获得的有机层的初始厚度(单位：微米)，且T2指示在电感耦合等离子体(inductively coupled plasma；ICP)功率：2,500瓦、RE功率：300瓦、DC偏压：200伏、Ar流量：70标准立方厘米/分钟、蚀刻时间：1分钟以及压力：10毫托的条件下通过电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP CVD)进行ICP等离子体处理之后有机层的厚度(单位：微米)。
本发明的另一方面涉及一种有机发光二极管显示器，包含由根据本发明的用于封装有机发光二极管的组合物形成的有机层。
本发明提供一种用于封装有机发光二极管的组合物，其可在固化之后形成具有良好等离子体抗性的有机层。
本发明提供一种用于封装有机发光二极管的组合物，其可在固化之后在宽频率范围下形成具有低介电常数的有机层。
本发明提供一种用于封装有机发光二极管的组合物，其具有高光固化速率且因此可在固化之后形成具有高透光率的有机层。
本发明提供一种用于封装有机发光二极管的组合物，其具有良好的喷墨可涂布性。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的有机发光二极管显示器的截面视图。
图2是根据本发明的另一实施例的有机发光二极管显示器的截面视图。
附图标号说明
10：衬底；
20：有机发光二极管；
30：障壁堆叠；
31：无机层；
32：有机层/有机障壁层；
40：内空间；
100、200：有机发光显示器。
具体实施方式
将参考附图详细描述本发明的实施例，以便由本领域的技术人员容易地实施。应理解，本发明可以不同方式体现且不限于以下实施例。在图中，为清楚起见将省略与描述无关的部分。贯穿本说明书，相同组件将由相同附图标号指示。应注意，附图不按精确比例绘制，且可仅出于描述性便利性和清晰性而放大组件的长度或大小。
如本文中所使用，术语“(甲基)丙烯基”可指“丙烯基”和/或“甲基丙烯基”。
如本文中所使用，除非另外说明，否则术语“取代”意味着根据本发明的官能团的至少一个氢原子经以下取代：卤素(例如，F、Cl、Br或I)、羟基、硝基、氰基、亚氨基(＝NH、＝NR，R是C1到C10烷基)、氨基(-NH2、-NH(R')、-N(R")(R"')，其中R'、R"以及R"'各自独立地是C1到C10烷基)、脒基、肼或腙基、羧基、C1到C20烷基、C6到C30芳基、C3到C30环烷基、C3到C30杂芳基或C2到C30杂环烷基。
如本文中为了表示具体数值范围所使用，表述“X到Y”意味着“大于或等于X且小于或等于Y(X≤且≤Y)”。
本发明提供一种用于封装有机发光二极管的组合物(下文称为“组合物”)，其具有高光固化速率和良好的可喷墨涂布性，且可在固化之后在宽频率范围下形成具有良好等离子体抗性和低介电常数的有机层。
在一个实施例中，根据本发明的组合物可形成具有约10％或小于10％，具体来说约0％到8％的等离子体蚀刻速率的有机层，如根据方程式1所计算。在这一范围内，可防止在有机层上形成无机层时对有机层的损坏，由此延长有机发光二极管的使用寿命：
后固化等离子体蚀刻速率(％)＝{(T1-T2)/T1}×100,---(1)
其中T1指示通过在硅(Si)晶片之上沉积组合物，随后通过以100毫瓦/平方厘米通量进行的光照射固化10秒来获得的有机层的初始厚度(单位：微米)，且T2指示在电感耦合等离子体(ICP)功率：2,500瓦、RE功率：300瓦、DC偏压：200伏、Ar流量：70标准立方厘米/分钟、蚀刻时间：1分钟以及压力：10毫托的条件下通过ICP CVD进行ICP等离子体处理之后有机层的厚度(单位：微米)。
这里，可使用FE-SEM(日立高科技公司(Hitachi High TechnologiesCorporation))来测量有机层的厚度(或高度)，但不限于此。
在一个实施例中，根据本发明的组合物可具有约2.9或或小于2.9(例如，0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2.0、2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6、2.7、2.8或2.9)，具体来说约1.5到约2.9或约2.0到约2.7的后固化介电常数。在这一范围内，使用组合物来封装的有机发光二极管可展现良好性能而不受外部静电或电的影响。特定来说，根据本发明的组合物形成与下文所描述的无机层交替堆叠的有机层。为了在这种交替堆叠结构中形成具有低介电常数和良好等离子体抗性的有机层，根据本发明的组合物设计成具有约2.9或小于2.9的后固化介电常数。
在一个实施例中，根据本发明的组合物的光固化速率可通过测量组合物的后固化硬度(例如，铅笔硬度)来评估。关于硬度测量的细节，参考下文所描述的实验实例。根据本发明的组合物可具有H或大于H的后固化硬度。在这一范围内，组合物可具有高光固化速率，且因此可在用于有机发光二极管的有机层时提高有机发光二极管的使用寿命和可靠性。优选地，根据本发明的组合物具有H到3H的后固化硬度。在这一范围内，组合物可归因于其高光固化速率而提高有机发光二极管的使用寿命和可靠性，同时减小有机层的介电常数。
根据本发明的组合物在宽频率范围下具有在本文中指定的范围内的后固化介电常数。举例来说，根据本发明的组合物可在约200千赫兹到约1千兆赫(例如，约200千赫兹到约500千赫兹)的频率下具有约2.9或小于2.9的后固化介电常数。
在一个实施例中，根据本发明的组合物可具有良好的喷墨可涂布性。这里，喷墨涂布是指在约2.5微米/秒到约3.5微米/秒的滴落速率和约20℃到50℃的喷墨头温度的条件下使用喷墨打印机施加组合物。
根据本发明的一个实施例的组合物包含含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物和光酸产生剂，其中以固体含量计，相对于约100重量份的组合物，含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物以约95重量份到99.9重量份(例如，95.0重量份、95.1重量份、95.2重量份、95.3重量份、95.4重量份、95.5重量份、95.6重量份、95.7重量份、95.8重量份、95.9重量份、96.0重量份、96.1重量份、96.2重量份、96.3重量份、96.4重量份、96.5重量份、96.6重量份、96.7重量份、96.8重量份、96.9重量份、97.0重量份、97.1重量份、97.2重量份、97.3重量份、97.4重量份、97.5重量份、97.6重量份、97.7重量份、97.8重量份、97.9重量份、98.0重量份、98.1重量份、98.2重量份、98.3重量份、98.4重量份、98.5重量份、98.6重量份、98.7重量份、98.8重量份、98.9重量份、99.0重量份、99.1重量份、99.2重量份、99.3重量份、99.4重量份、99.5重量份、99.6重量份、99.7重量份、99.8重量份或99.9重量份)的量存在。在这一范围内，组合物可具有高光固化速率和良好的喷墨可涂布性，且可在固化之后在宽频率范围下形成具有良好等离子体抗性和低介电常数的有机层。优选地，以固体含量计，相对于约100重量份的组合物，含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物可以约97重量份到99.9重量份的量存在。
现在，将详细描述根据本发明的组合物的每一组分。
含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物
当存在于本文中指定的范围内时，含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物增大组合物的光固化速率且减小通过固化组合物获得的有机层的介电常数。
含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物可包含选自以下当中的至少一种：具有脂环基或芳族基且在其分子结构中具有至少一个(优选地1个到2个)乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的化合物，以及不含脂环基或芳族基且在其分子结构中具有至少一个(优选地1个到2个)乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的化合物。这些化合物可单独使用或以其在组合物中的混合物形式使用。
在具有脂环基或芳族基且在其分子结构中具有至少一个(优选地1个到2个)乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的化合物中，脂环基是指仅由不含氧的碳原子组成的C5到C10环状官能团。具有脂环基或芳族基且具有至少一个(优选地1个到2个)乙烯基的化合物可包含选自以下当中的至少一种：二乙烯基苯(包含1,2-二乙烯基苯、1,3-二乙烯基苯、1,4-二乙烯基苯以及其组合)、1,4-环己烷二甲醇二乙烯基醚、烯丙基苄基醚以及5-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯。
不含脂环基或芳族基且在其分子结构中具有至少一个(优选地1个到2个)乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的化合物可包含选自以下当中的至少一种：二甘醇二乙烯基醚、1-十四烯、三甘醇二乙烯基醚、十八烷基乙烯基醚、三羟甲基丙烷二烯丙基醚以及1,4-丁二醇二乙烯基醚。
在一个实施例中，含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物可包含选自以下当中的至少一种：二乙烯基苯(包含1,2-二乙烯基苯、1,3-二乙烯基苯、1,4-二乙烯基苯以及其组合)、1-十四烯、二甘醇二乙烯基醚、1,4-环己烷二甲醇二乙烯基醚、烯丙基苄基醚以及其组合。
光酸产生剂
光酸产生剂用以使含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物光固化以形成有机层。
光酸产生剂是通过在接收光时产生阳离子物质引发阳离子可聚合化合物固化的化合物，且可包含吸收光的阳离子部分和充当酸来源的阴离子部分。
光酸产生剂可包含选自以下当中的至少一种：磺酸盐化合物、锍化合物、重氮盐化合物、碘鎓盐化合物、锍盐化合物、磷盐化合物、硒盐化合物、氧鎓盐化合物、铵盐化合物以及溴盐化合物。举例来说，光酸产生剂可包含选自以下当中的至少一种：正羟基萘酰亚胺三氟甲烷磺酸盐、硫基-对亚苯基双(4,4'-二甲基二苯基锍)双-四(五氟苯基)硼酸盐、(4-羟基苯基)甲苄基锍四(五氟苯基)硼酸盐、4-(4-联苯基硫基)苯基-4-联苯基苯基锍四(五氟苯基)硼酸盐、4-(苯硫基)苯基二苯基锍苯基三(五氟苯基)硼酸盐、[4-(4-联苯基硫基)苯基-4-联苯基苯基锍四(五氟苯基)硼酸盐、二苯基[4-(苯硫基)苯基锍]六氟锑酸盐、二苯基[4-(苯硫基)苯基]锍三(五氟乙基)三氟磷酸盐、二苯基[4-(苯硫基)苯基]锍四(五氟苯基)硼酸盐、二苯基[4-(苯硫基)苯基]锍六氟磷酸盐、4-(4-联苯基硫基)苯基-4-联苯基苯基锍三(五氟乙基)三氟磷酸盐、双[4-(二苯基锍基)苯基]硫醚苯基三(五氟苯基)硼酸盐以及[4-(2-硫杂蒽基硫基)苯基]苯基-2-硫杂蒽基锍(五氟苯基)硼酸盐，但不限于此。
优选地，光酸产生剂包含选自以下当中的至少一种：正羟基萘酰亚胺三氟甲烷磺酸盐，以及硫基-对亚苯基双(4,4'-二甲基二苯基锍)双-四(五氟苯基)硼酸盐。
以固体含量计，相对于100重量份的组合物，光酸产生剂可以0.1重量份到5重量份，优选地0.1重量份到3重量份的量存在。在这一范围内，含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物可具有高固化速率，同时防止因光酸产生剂的残余物所致的有机层的透光率降低。
组合物可进一步包含(甲基)丙烯酸光固化单体。
(甲基)丙烯酸光固化单体
(甲基)丙烯酸光固化单体可通过固化形成有机层。当(甲基)丙烯酸光固化单体以恰当量存在于组合物中以使得含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物的量落在本文中指定的范围内时，根据本发明的组合物可具有低后固化介电常数和良好的喷墨可涂布性。
以固体含量计，相对于约100重量份的组合物，(甲基)丙烯酸光固化单体可以50重量份或小于50重量份，具体来说约10重量份到28重量份的量存在。在这一范围内，组合物可具有增大的光固化速率，由此允许由组合物形成的有机层具有增大的硬度和在本文中指定的范围内的介电常数，同时具有良好的喷墨可涂布性。
(甲基)丙烯酸光固化单体可包含具有至少一个(甲基)丙烯酸酯基的光固化单体。
在一个实施例中，(甲基)丙烯酸光固化单体可包含选自以下当中的至少一种：含C1到C15烷基的单(甲基)丙烯酸酯和含C6到C15亚烷基的二(甲基)丙烯酸酯。
含C1到C15烷基的单(甲基)丙烯酸酯可包含选自以下当中的至少一种：(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯以及(甲基)丙烯酸十二烷酯((甲基)丙烯酸月桂酯)。
含C6到C15亚烷基的二(甲基)丙烯酸酯可包含在(甲基)丙烯酸酯基团之间具有经取代或未经取代，优选地未经取代的C6到C15亚烷基的二(甲基)丙烯酸酯。举例来说，二(甲基)丙烯酸酯可由式1表示：
(其中R10和R11各自独立地是氢或甲基且R12是经取代或未经取代的C6到C15亚烷基)。
举例来说，在式1中，R12可以是未经取代的C6到C12亚烷基。二(甲基)丙烯酸酯可包含选自以下当中的至少一种：1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,8-辛二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,11-十一烷二醇二(甲基)丙烯酸酯以及1,12-十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯。
组合物可进一步包含光自由基引发剂。
光自由基引发剂
光自由基引发剂可包含可引发(甲基)丙烯酸光固化单体的光固化的任何典型光自由基引发剂。举例来说，光自由基引发剂可包含三嗪引发剂、苯乙酮引发剂、二苯甲酮引发剂、噻吨酮引发剂、安息香引发剂、磷引发剂、肟引发剂或其混合物。
磷引发剂的实例可包含二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、苄基(二苯基)氧化膦或其混合物。磷光自由基引发剂有利地用于在用长波长UV照射时引发组合物的光固化。前述光自由基引发剂可单独使用或以其组合形式使用。
以固体含量计，相对于100重量份的组合物，光自由基引发剂可以0.5重量份到7重量份，具体来说1重量份到5重量份或2重量份到4重量份的量存在。在这一范围内，组合物可在暴露于光时充分固化，同时防止有机层因光自由基引发剂的残余物所致的透光率降低。
根据本发明的组合物可通过混合前述组分来制备。此外，根据本发明的组合物可以不含任何溶剂的无溶剂类型形成。
根据本发明的组合物是光固化组合物，且可以10毫瓦/平方厘米到500毫瓦/平方厘米的通量通过UV照射1秒到50秒而固化成封装层(有机层)。
根据本发明的组合物可进一步包含本领域的技术人员已知的典型添加剂。添加剂的实例可包含热稳定剂、抗氧化剂以及UV吸收剂，但不限于此。
根据本发明的组合物可用于封装有机发光二极管。具体来说，组合物可在封装结构中形成有机层，其中有机层和无机层在彼此上方依序形成。
举例来说，根据本发明的组合物可用于封装设备的部件(特定来说，显示器的部件)，其原本将归因于周围气体或液体(例如，大气氧和/或水分和/或水汽)的渗透且归因于用于制造电子产品的化学物质的渗透而遭受退化或故障。设备的部件的实例可包含灯具、金属感应垫、微盘激光器、电致变色装置、光致变色装置、微机电***、太阳能电池、集成电路、电荷耦合装置以及发光聚合物，但不限于此。
根据本发明的有机发光二极管显示器可包含由根据本发明的实施例的用于封装有机发光二极管的组合物形成的有机层。具体来说，有机发光二极管显示器可包含有机发光二极管和形成于有机发光二极管上且包含无机层和有机层的障壁堆叠，其中有机层可由根据本发明的实施例的用于封装有机发光二极管的组合物形成。因此，有机发光显示器可具有高可靠性。
现在，将参考图1描述根据本发明的一个实施例的有机发光二极管显示器。图1是根据本发明的一个实施例的有机发光二极管显示器的截面视图。
参考图1，根据这一实施例的有机发光显示器100可包含衬底10、形成于衬底10上的有机发光二极管20，以及形成于有机发光二极管20上且包含无机层31和有机层32的障壁堆叠30，其中无机层31邻接有机发光二极管20，且有机层32可由根据本发明的实施例的用于封装有机发光二极管的组合物形成。
衬底10不受特定限制，只要有机发光二极管可形成于衬底上即可。举例来说，衬底10可包含透明玻璃衬底、塑料薄片衬底、硅衬底、金属衬底以及类似物。
有机发光二极管20可包含常用于有机发光二极管显示器中的任何有机发光二极管。尽管图1中未示出，但有机发光二极管20可包含第一电极、第二电极以及形成于第一电极与第二电极之间的有机发光层。这里，有机发光层可具有其中空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层依序堆叠的结构，但不限于此。
障壁堆叠30包含有机层和无机层，其中有机层和无机层由不同材料形成，由此实现封装有机发光二极管的相应功能。
无机层可由与有机层不同的材料形成以补充由有机层提供的封装。举例来说，无机层可包含金属；非金属；至少两种金属的化合物或合金；至少两种非金属的化合物或合金；金属或非金属的氧化物；金属或非金属的氟化物；金属或非金属的氮化物；金属或非金属的碳化物；金属或非金属的氮氧化物；金属或非金属的硼化物；金属或非金属的硼氧化物；金属或非金属的硅化物；以及其混合物。金属或非金属可包含硅(Si)、铝(Al)、硒(Se)、锌(Zn)、锑(Sb)、铟(In)、锗(Ge)、锡(Sn)、铋(Bi)、过渡金属以及镧系金属，但不限于此。具体来说，无机层可以是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、硒化锌(ZnSe)、氧化锌(ZnO)、三氧化锑(Sb2O3)、包含氧化铝(Al2O3)的氧化铝(AlOx)、氧化铟(In2O3)或氧化锡(SnO2)。
无机层可通过等离子体工艺或真空工艺沉积，例如溅镀、化学气相沉积、等离子体化学气相沉积、蒸发、升华、电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积或其组合。
有机层与无机层交替地沉积，由此确保无机障壁层的平滑属性，同时防止一个无机层的缺陷扩散到其它无机层。
有机层可通过根据本发明的实施例的用于封装有机发光二极管的组合物的涂布、沉积以及固化的组合来形成。举例来说，有机层可通过以下操作形成：将组合物涂布到约1微米到约50微米的厚度，随后通过以约10毫瓦/平方厘米到约500毫瓦/平方厘米的通量进行的光照射固化组合物持续约1秒到50秒。
障壁堆叠可包含任何数目个有机层和无机层。有机层和无机层的总数目可取决于对氧和/或水分和/或水汽和/或化学物质的所需渗透抗性水平而变化。举例来说，有机层和无机层以总共10层或小于10层，例如2层到7层形成。具体来说，按以下顺序以总共7个层形成有机层和无机层：无机层/有机层/无机层/无机层/有机层/无机层/无机层/无机障壁层。
在障壁堆叠中，可交替地沉积有机障壁层和无机障壁层。这基于考虑归因于组合物的前述属性的有机层的益处。因此，就封装设备的部件来说，有机层和无机层可彼此补充或加强。
接下来，将参考图2描述根据本发明的另一实施例的有机发光二极管显示器。图2是根据本发明的另一实施例的有机发光二极管显示器的截面视图。
参考图2，根据这一实施例的有机发光二极管显示器200包含衬底10、形成于衬底10上的有机发光二极管20，以及形成于有机发光二极管20上且包含无机层31和有机层32的障壁堆叠30，其中无机层31封装在其中接纳有机发光二极管20的内空间40，且有机障壁层32可由根据本发明的实施例的用于封装有机发光二极管的组合物形成。除无机层不邻接有机发光二极管之外，根据这一实施例的有机发光显示器200与根据以上实施例的有机发光显示器大体上相同。
接下来，将参考一些实例更详细地描述本发明。应理解，提供这些实例仅为了说明，且不应以任何方式理解为限制本发明。
实例和比较例中所使用的组分的细节如下：
A：含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物
A1：1,3-二乙烯基苯与1,4-二乙烯基苯的混合物(TCI)
A2：1-十四烯(奥德里奇化学公司(Aldrich Chemical Co.,Inc.))
A3：二甘醇二乙烯基醚(奥德里奇化学公司)
A4：1,4-环己烷二甲醇二乙烯基醚(奥德里奇化学公司)
A5：烯丙基苄基醚
B：(甲基)丙烯酸光固化单体
B1：1,12-十二烷二醇二丙烯酸酯(沙多玛公司(Sartomer Co.,Inc.))
C：光酸产生剂
C1：TR-PAG-21608(硫基-对亚苯基-双(4,4'-二甲基二苯基锍)双-四(五氟苯基)硼酸盐，创力新电子材料公司(Tronly New Electronic Materials Co.,Ltd.))
C2：MIPHOTO NIT(正羟基萘酰亚胺三氟甲烷磺酸盐，美王公司(MiwonCorporation,))
D：光自由基引发剂
D1：艳佳固TPO(磷引发剂，巴斯夫公司(BASF Corporation))
实例1
将99.9重量份的(A1)和0.1重量份的(C1)放入125毫升棕色聚丙烯瓶中，随后在室温下在振荡器中混合3小时，从而制备组合物。
实例2到实例10以及比较例1到比较例5
除(A)、(B)、(C)以及(D)的类型和/或含量如表1中所列而改变(单位：重量份)之外，以与实例1相同的方式制备组合物。在表1中，“-”意味着未使用对应组分。
在实例和比较例中制备的组合物的细节示出于表1中。
表1
关于以下属性评估在实例和比较例中制备的组合物中的每一种。结果示出于表2中。
(1)有机层的硬度：将在实例和比较例中制备的组合物中的每一种涂布到玻璃衬底上，随后通过以395纳米的波长在100毫瓦/平方厘米的通量进行的UV照射固化10秒，从而制备有机层样本。对所制备的有机层样本测量铅笔硬度。在铅笔硬度的测量中，使用电铅笔硬度测试仪(Lab-Q D300A)和6B到9H的铅笔(三菱株式会社(Mitsubishi Co.,Ltd.))。具体来说，在样本上的载荷条件下测量铅笔硬度：500克，刮痕角度：45°，以及刮痕速率：48毫米/分钟。当在使用某一铅笔测试5次之后样本具有一或多个刮痕时，再次使用与先前铅笔相比具有低一级铅笔硬度的另一铅笔来测量铅笔硬度。将允许样本上所有五次均未观察到刮痕的铅笔硬度值视为样本的铅笔硬度。
(2)有机层的等离子体蚀刻速率(单位：％)：将在实例和比较例中制备的组合物中的每一种沉积在Si晶片上，随后通过以395纳米的波长在100毫瓦/平方厘米的通量进行的UV照射固化10秒，从而形成有机层。接着，测量所形成的有机层的初始厚度(T1，单位：微米)。接着，在ICP功率：2,500瓦、RE功率：300瓦、DC偏压：200伏、Ar流量：70标准立方厘米/分钟、蚀刻时间：1分钟以及压力：10毫托的条件下，使用ICP-CVD装置(BMR技术)对有机层进行ICP等离子体处理，随后测量有机层的厚度(T2，单位：微米)。根据方程式1计算出有机层的等离子体蚀刻速率：
后固化蚀刻速率(％)＝{(T1-T2)/T1}×100。
(3)介电常数：将在实例和比较例中制备的组合物中的每一种涂布到铬(Cr)板上的预定厚度，随后通过以395纳米的波长在100毫瓦/平方厘米通量进行的UV照射固化10秒，从而形成8微米厚的涂料膜。将铝电极(用于测量介电常数的电极)沉积在涂料膜上，随后使用在200千赫兹和25℃下的阻抗计(RDMS-200)来测量涂料膜的介电常数。
表2
*在表2中，“-”意味着对应组合物未能固化，且因此对硬度、等离子体蚀刻速率以及介电常数的测量是不可能的。
如表2中所示出，根据本发明的用于封装有机发光二极管的组合物具有高后固化硬度，且因此具有高光固化速率，且可在固化之后形成具有高透光率、良好等离子体抗性以及低介电常数的有机层。
相反，比较例1到比较例3的组合物(不含含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物和光酸产生剂)以及比较例4到比较例5的组合物(其虽然包含含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物和光酸产生剂两者，但以本文中所阐述的范围(相对于约100份的组合物，约95重量份到约99.9重量份)之外的量包含含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物)未能实现本发明的所有益处。
应理解，本领域的技术人员可在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改、改变、更改以及等效实施例。
Claims (8)
1.一种用于封装有机发光二极管的组合物，包括：
含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物以及光酸产生剂，
其中以固体含量计，相对于100重量份的所述组合物，所述含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物以95重量份到99.9重量份的量存在。
2.根据权利要求1所述的用于封装有机发光二极管的组合物，其中所述含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物包括选自以下当中的至少一种：具有脂环基或芳族基且在其分子结构中具有至少一个乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的化合物、以及不含脂环基或芳族基且在其分子结构中具有至少一个乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的化合物。
3.根据权利要求2所述的用于封装有机发光二极管的组合物，其中所述含乙烯基、烯丙基或乙烯基醚基的阳离子可聚合化合物包括选自以下当中的至少一种：二乙烯基苯、1,4-环己烷二甲醇二乙烯基醚、烯丙基苄基醚以及5-乙烯基双环[2.2.1]庚-2-烯、二甘醇二乙烯基醚、1-十四烯、三甘醇二乙烯基醚、十八烷基乙烯基醚、三羟甲基丙烷二烯丙基醚以及1,4-丁二醇二乙烯基醚。
4.根据权利要求1所述的用于封装有机发光二极管的组合物，其中所述光酸产生剂包括选自以下当中的至少一种：正羟基萘酰亚胺三氟甲烷磺酸盐以及硫基对亚苯基双(4,4'-二甲基二苯基锍)双-四(五氟苯基)硼酸盐。
5.根据权利要求1所述的用于封装有机发光二极管的组合物，进一步包括：
(甲基)丙烯酸光固化单体；以及
光自由基引发剂。
6.根据权利要求1所述的用于封装有机发光二极管的组合物，其中所述组合物具有2.9或小于2.9的后固化介电常数。
7.根据权利要求1所述的用于封装有机发光二极管的组合物，其中所述组合物具有根据方程式1所计算的10％或小于10％的后固化等离子体蚀刻速率：
后固化等离子体蚀刻速率(％)＝{(T1-T2)/T1}×100,---(1)
其中T1指示通过在硅晶片上沉积所述组合物，随后通过以100毫瓦/平方厘米通量进行的光照射固化10秒来获得的有机层的单位为微米的初始厚度，且T2指示在2,500瓦的电感耦合等离子体功率、300瓦的RE功率、200伏的直流偏压、70标准立方厘米/分钟的氩流量、1分钟的蚀刻时间以及10毫托的压力的条件下通过电感耦合等离子体化学气相沉积进行电感耦合等离子体等离子体处理之后所述有机层的单位为微米的厚度。
8.一种有机发光二极管显示器，包括由根据权利要求1至7中任一项所述的用于封装有机发光二极管的组合物形成的有机层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211458816.XA CN115678326A (zh) | 2020-06-03 | 2021-06-02 | 用于封装有机发光二极管的组合物和包括由其形成的有机层的有机发光二极管显示器 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2020-0066884 | 2020-06-03 | ||
| KR1020200066884A KR102541648B1 (ko) | 2020-06-03 | 2020-06-03 | 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이로부터 제조된 유기층을 포함하는 유기발광소자 표시장치 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211458816.XA Division CN115678326A (zh) | 2020-06-03 | 2021-06-02 | 用于封装有机发光二极管的组合物和包括由其形成的有机层的有机发光二极管显示器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113755046A true CN113755046A (zh) | 2021-12-07 |
| CN113755046B CN113755046B (zh) | 2022-12-13 |
Family
ID=78787391
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211458816.XA Pending CN115678326A (zh) | 2020-06-03 | 2021-06-02 | 用于封装有机发光二极管的组合物和包括由其形成的有机层的有机发光二极管显示器 |
| CN202110615130.6A Active CN113755046B (zh) | 2020-06-03 | 2021-06-02 | 用于封装有机发光二极管的组合物和包括由其形成的有机层的有机发光二极管显示器 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2021190428A (zh) |
| KR (1) | KR102541648B1 (zh) |
| CN (2) | CN115678326A (zh) |
| TW (1) | TWI794827B (zh) |
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2020
- 2020-06-03 KR KR1020200066884A patent/KR102541648B1/ko active IP Right Grant
-
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- 2021-05-28 JP JP2021089926A patent/JP2021190428A/ja active Pending
- 2021-05-31 TW TW110119661A patent/TWI794827B/zh active
- 2021-06-02 CN CN202211458816.XA patent/CN115678326A/zh active Pending
- 2021-06-02 CN CN202110615130.6A patent/CN113755046B/zh active Active
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| CN109661429A (zh) * | 2016-12-09 | 2019-04-19 | 株式会社Lg化学 | 封装组合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115678326A (zh) | 2023-02-03 |
| KR102541648B1 (ko) | 2023-06-08 |
| TW202146467A (zh) | 2021-12-16 |
| TWI794827B (zh) | 2023-03-01 |
| KR20210150021A (ko) | 2021-12-10 |
| JP2021190428A (ja) | 2021-12-13 |
| CN113755046B (zh) | 2022-12-13 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |