CN113745248B - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示面板，该显示面板包括基底、设置于基底上的薄膜晶体管层，薄膜晶体管层包括并联设置的至少两薄膜晶体管；薄膜晶体管层包括依次层叠设置在基底上的第一金属层、半导体层以及第二金属层，第一金属层至少包括各薄膜晶体管的栅极、以及将各栅极并联的第一连接部；第二金属层至少包括各薄膜晶体管的第一电极和第二电极、将各第一电极并联的第二连接部、以及将各第二电极并联的第三连接部；其中，一薄膜晶体管中，栅极在基底上的正投影覆盖第一电极和第二电极在基底上的正投影。本申请通过设置薄膜晶体管层包括并联设置的至少两薄膜晶体管，从而解决薄膜晶体管中栅极与源极之间发生短路和/或栅极与漏极之间发生短路无法修复的问题。

Description

显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。
背景技术
液晶显示器或者有源矩阵驱动有机发光二极管显示器的面板驱动技术逐渐趋向于采用GOA(Gate Drive on Array)技术，GOA技术即阵列基板驱动技术，它是一种利用薄膜晶体管阵列在基板上实现逐行扫描的驱动方式。目前，GOA电路包括数个串连的栅极驱动单元，数个栅极驱动单元依序输出扫描信号以双向驱动薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）阵列。
栅极驱动电路是由若干个移位寄存器(shiftregister)组成，而一个移位寄存器包含若干个薄膜晶体管，移位寄存器通常包括上拉控制模块、上拉模块、下拉模块以及下拉维持模块，其中，所述上拉模块包括一薄膜晶体管，为了满足GOA电路驱动需求，通常将上拉模块中的薄膜晶体管设置成大面积整块结构，当所述薄膜晶体管发生短路时，会造成显示面板画面异常，从而影响显示器良率的问题，然而由于上拉模块为整块阵列基板结构，因此在其发生短路，只能采用镭射方式将发生短路的薄膜晶体管的漏极部分切除，从而解决所述薄膜晶体管源漏极之间发生短路的情况，而对栅极与源极之间发生的短路和栅极与漏极之间发生的短路则无法修复。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板，用以改善现有显示面板中薄膜晶体管的栅极与源极之间发生短路和/或栅极与漏极之间发生短路时无法修复的问题。
为改善上述问题，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：
基底；以及
薄膜晶体管层，设置于所述基底上，所述薄膜晶体管层包括并联设置的至少两薄膜晶体管；
其中，所述薄膜晶体管层包括：依次层叠设置在所述基底上的第一金属层、半导体层以及第二金属层，所述第一金属层至少包括各所述薄膜晶体管的栅极、以及将各所述栅极并联的第一连接部；所述第二金属层至少包括各所述薄膜晶体管的第一电极和第二电极、将各所述第一电极并联的第二连接部、以及将各所述第二电极并联的第三连接部；其中，一所述薄膜晶体管中，所述栅极在所述基底上的正投影覆盖所述第一电极和所述第二电极在所述基底上的正投影。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述薄膜晶体管层包括并联设置的多个所述薄膜晶体管，任一相邻两所述薄膜晶体管沿第一方向或第二方向排列设置，所述第一方向设置成与所述第二方向呈一预设夹角；
所述薄膜晶体管层包括位于各所述薄膜晶体管之间的间隙区，所述间隙区包括切割区和非切割区；
其中，所述第一连接部位于所述切割区，所述第二连接部和所述第三连接部中的一者位于所述切割区，另一者位于所述非切割区。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述切割区包括第一切割区，所述非切割区包括第一非切割区，所述第一切割区和所述第二切割区位于沿所述第一方向排布的相邻两所述薄膜晶体管之间；
所述第一连接部包括位于所述第一切割区的第一子连接部，所述第二连接部包括位于所述第一非切割区内的第二子连接部；
其中，所述第一切割区在所述基底上的正投影与所述第一非切割区在所述基底上的正投影不重叠。
在本申请实施例所提供的显示面板中，沿所述第二方向，任一所述栅极在所述基底上正投影的宽度大于所述第一子连接部在所述基底上正投影的宽度。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述切割区包括第二切割区，所述非切割区包括第二非切割区，所述第二切割区和所述第二非切割区位于沿所述第二方向排布的相邻两所述薄膜晶体管之间，所述第二非切割区和所述第二切割区沿所述第二方向排布；
所述第一连接部包括位于所述第二切割区内的第三子连接部，所述第二连接部包括位于所述第二非切割区内的第四子连接部；
其中，所述第二切割区在所述基底上的正投影与所述第二非切割区在所述基底上的正投影不重叠。
在本申请实施例所提供的显示面板中，沿所述第二方向，所述第二切割区在所述基底上正投影的宽度大于所述第二非切割区在所述基底上正投影的宽度。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述第二切割区包括第一切割子区和第二切割子区，所述第二非切割区至少包括位于所述第一切割子区和所述二切割子区之间的第一非切割子区；其中，所述第一切割子区、所述第二切割以及所述第一切割子区沿所述第二方向设置。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述第一电极包括多条平行且间隔设置的第一齿部，多条所述第一齿部通过所述第二连接部相连通，所述第二电极包括多条平行且间隔设置的第二齿部，多条所述第二齿部通过所述第三连接部相连通，多个所述第一齿部和多个所述第二齿部沿第一方向交替设置；其中，所述第二齿部至少部分位于所述第二切割区。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述第三子连接部包括与多个所述第二齿部相对应的多个间隔设置的第一连接子部，所述第二齿部在所述基底上的正投影位于相邻所述第一连接子部的间隙处。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述薄膜晶体管层还包括位于所述第一金属层和第二金属层之间的半导体层，所述半导体层包括各所述薄膜晶体管的子半导体层、及将各所述子半导体层并联的第四连接部，所述第四连接部包括位于所述非切割区内；
其中，所述子半导体层在所述基底上的正投影位于所述栅极在所述基底上的正投影内。
本申请实施例的有益效果：本申请提供一种显示面板，该显示面板包括基底；以及薄膜晶体管层，设置于基底上，薄膜晶体管层包括并联设置的至少两薄膜晶体管；其中，薄膜晶体管层包括依次层叠设置在基底上的第一金属层、半导体层以及第二金属层，第一金属层至少包括各薄膜晶体管的栅极、以及将各栅极并联的第一连接部；第二金属层至少包括各薄膜晶体管的第一电极和第二电极、将各第一电极并联的第二连接部、以及将各第二电极并联的第三连接部；其中，一薄膜晶体管中，栅极在基底上的正投影覆盖第一电极和第二电极在基底上的正投影。本申请通过设置薄膜晶体管层包括并联设置的至少两薄膜晶体管，从而解决现有技术中，当所述薄膜晶体管中所述栅极与所述第一电极之间发生短路和所述栅极与所述第二电极之间发生短路无法修复的问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有技术中显示面板中薄膜晶体管层的结构示意图；
图2为本申请实施例所提供的显示面板的薄膜晶体管层结构示意图；
图3为本申请实施例所提供的显示面板的第一金属层的俯视图；
图4为本申请实施例所提供的显示面板的半导体层的俯视图；
图5为本申请实施例所提供的显示面板的第二金属层的俯视图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
请参阅图1，现有技术中显示面板中薄膜晶体管层的结构示意图。
在现有技术中，栅极111驱动电路是由若干个移位寄存器(shiftregister)组成，而一个移位寄存器包含若干个薄膜晶体管100，移位寄存器通常包括上拉控制模块、上拉模块、下拉模块以及下拉维持模块，其中，所述上拉模块包括一薄膜晶体管100，所述薄膜晶体管100包括依次层叠设置在基底上的栅极111、半导体层12、第一电极131和第二电极133；为了满足GOA电路驱动需求，通常将上拉模块中的薄膜晶体管100设置成大面积整块结构，当所述薄膜晶体管100发生短路时，会造成显示面板画面异常，从而影响显示器良率的问题，然而由于上拉模块为整块阵列基板结构，因此在其发生短路，只能采用镭射方式将发生短路的薄膜晶体管100的漏极部分切除，从而解决所述薄膜晶体管100源漏极之间发生短路的情况，而对栅极111与源极之间发生的短路和栅极111与漏极之间发生的短路则无法修复。基于此，本申请实施例提供一种显示面板用以改善上述缺陷。
请结合图2~图5，本申请提供一种显示面板，该显示面板包括基底（图中未画出）、设置于所述基底上的薄膜晶体管层10，薄膜晶体管层10包括并联设置的至少两薄膜晶体管100；其中，薄膜晶体管层10包括依次层叠设置在基底上的第一金属层11、半导体层12以及第二金属层13，第一金属层11至少包括各薄膜晶体管100的栅极111、以及将各栅极111并联的第一连接部112；第二金属层13至少包括各薄膜晶体管100的第一电极131和第二电极133、将各所述第一电极131并联的第二连接部132、以及将各第二电极133并联的第三连接部134；其中，一所述薄膜晶体管100中，所述栅极111在所述基底上的正投影覆盖所述第一电极131和所述第二电极133在所述基底上的正投影。本申请通过设置所述薄膜晶体管层10包括并联设置的至少两所述薄膜晶体管100，从而解决现有技术中，当所述薄膜晶体管100中所述栅极111与所述第一电极131之间发生短路、和/或所述栅极111与所述第二电极133之间发生短路无法修复的问题。
下面结合具体实施例方式对本申请所提供的显示面板的特征进行说明。
请结合图2~图5；其中，图2为本申请实施例所提供的显示面板的薄膜晶体管层结构示意图；图3为本申请实施例所提供的显示面板的第一金属层的俯视图；图4为本申请实施例所提供的显示面板的半导体层的俯视图；图5为本申请实施例所提供的显示面板的第二金属层的俯视图。
本实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括基底（图中未画出）；以及薄膜晶体管层10，设置于所述基底上，所述薄膜晶体管层10包括并联设置的至少两薄膜晶体管100；其中，所述薄膜晶体管层10包括：依次层叠设置在所述基底上的第一金属层11、半导体层12以及第二金属层13。
需要说明的是，在本实施例中，所述基底可以包括刚性衬底或柔性衬底，当基底为刚性衬底时，材料可以是金属或玻璃，当基底为柔性衬底时，材料可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂中的至少一种。本实施例对所述基底的材料不做限制。
所述第一金属层11和所述第二金属层13的材料均可包括钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)和钨(W)中的至少一种金属。本实施例对所述第一金属层11和所述第二金属层13的材料不做限制。
所述半导体层12包括但不限与氧化物半导体层和多晶硅半导体层，本实施例对此不做具体限制。
在本实施例中，所述第一电极131和所述第一电极131位于同一膜层，所述第一电极131和所述第二电极133中的一者为所述薄膜晶体管层10中的源极，另一者为所述薄膜晶体管层10中的漏极，具体地，所述第一电极131为源极，所述第二电极133为漏极。
需要说明的是，在本实施例以所述第一电极131为源极，所述第二电极133为漏极进行举例说明，但本实施例对所述第一电极131和所述第二电极133的种类不做具体限制。
在本实施例中，所述第一金属层11至少包括各所述薄膜晶体管100的栅极111、以及将各所述栅极111并联的第一连接部112；所述第二金属层13至少包括各所述薄膜晶体管100的第一电极131和第二电极133、将各所述第一电极131并联的第二连接部132、以及将各所述第二电极133并联的第三连接部134；其中，一所述薄膜晶体管100中，所述栅极111在所述基底上的正投影覆盖所述第一电极131和所述第二电极133在所述基底上的正投影。
在本实施例中，所述薄膜晶体管层10包括并联设置的多个所述薄膜晶体管100，任一相邻两所述薄膜晶体管100沿第一方向或第二方向排列设置，所述第一方向设置成与所述第二方向呈一预设夹角，如附图2所示，所述第一方向为X方向，所述第二方向为Y方向。需要说明的是，在本实施例中，对所述预设夹角的范围、及所述第一方向和所述第二方向的方向均不做限制，但为了方便描述，本实施例以所述预设夹角为90°、所述第一方向为X方向、所述第二方向为Y方向为例进行举例说明。
在本实施例中，所述薄膜晶体管层10包括位于各所述薄膜晶体管100之间的间隙区，所述间隙区包括切割区210和非切割区220；其中，所述第一连接部112位于所述切割区210，所述第二连接部132和所述第三连接部134中的一者位于所述切割区210，另一者位于所述非切割区220。
本实施例与现有技术相比，将一个面积较大的所述薄膜晶体管100替换为并联设置的多个所述薄膜晶体管100，且任一相邻两所述薄膜晶体管100沿第一方向或第二方向排列设置，所述第一方向设置成与所述第二方向呈一预设夹角；其中所述薄膜晶体管层10包括位于各所述薄膜晶体管100之间的间隙区，所述间隙区包括切割区210和非切割区220；其中，当任一所述薄膜晶体管100的所述栅极111与所述第二电极133之间发生短路时，所述第一连接部112位于所述切割区210，所述第三连接部134位于所述切割区210，所述第二连接部132位于所述非切割区220，通过将位于所述切割区210内的所述栅极111和所述第二电极133进行激光切割，使得其他完好的所述薄膜晶体管100继续工作，因此解决了现有技术中，所述薄膜晶体管层10中任一所述薄膜晶体管100的所述栅极111与所述第二电极133之间发生短路时无法修复的问题。
在一实施例中，当任一所述薄膜晶体管100的所述栅极111与所述第一电极131之间发生短路时，所述第一连接部112位于所述切割区210，所述第二连接部132位于所述切割区210，所述第三连接部134位于所述非切割区220，通过将位于所述切割区210内的所述栅极111和所述第一电极131进行激光切割，使得其他完好的所述薄膜晶体管100继续工作。
可以理解的是，在本实施例中，所述切割区210和所述非切割区220并不固定，当任一所述薄膜晶体管100中的所述栅极111和所述第一电极131之间发生短路，和/或任一所述薄膜晶体管100中的所述栅极111和所述第二电极133之间发生短路时，可以通过设置所述第一连接部112位于所述切割区210，所述第二连接部132和所述第三连接部134中的一者位于所述切割区210，通过激光切割损坏的部分，使得其他完好的所述薄膜晶体管100可以继续工作。
具体地，在本实施例中，以所述第一连接部112位于所述切割区210、所述第二连接部132位于所述非切割区220，所述第三连接部134位于所述切割区210为例进行说明。
在本实施例中，所述切割区210包括第一切割区211，所述非切割区220包括第一非切割区221，所述第一切割区211和所述第一非切割区221位于沿所述第一方向排布的相邻两所述薄膜晶体管100之间；所述第一连接部112包括位于所述第一切割区211的第一子连接部1121，所述第二连接部132包括位于所述第一非切割区221内的第二子连接部1321，所述第二子连接部1321在所述基底上正投影的长度大于所述第一子连接部1121在所述基底上正投影的长度。
具体地，在本实施例中，所述第一切割区211与所述第一非切割区221沿所述第二方向排布，且所述第一切割区211在所述基底上的正投影与所述第一非切割区221在所述基底上的正投影不重叠。
需要说明的是，在本实施例中，沿所述第二方向，任一所述栅极111在所述基底上正投影的宽度大于所述第一子连接部1121在所述基底上正投影的宽度。可以理解的是，本实施例通过设置任一所述栅极111在所述基底上正投影的宽度大于所述第一子连接部1121在所述基底上正投影的宽度，从而减少了所述薄膜晶体管100的布局尺寸，达到了节省空间的目的；同时，可以避免当所述栅极111发生短路时，所述第一子连接部1121过宽而对切割造成影响。
可以理解的是，所述第一连接部112、第二连接部132以及所述第三连接部134的宽度与其制备工艺有关，本实施例对此不做具体限制。
在本实施例中，所述切割区210包括第二切割区212，所述非切割区220包括第二非切割区222，所述第二切割区212和所述第二非切割区222位于沿所述第二方向排布的相邻两所述薄膜晶体管100之间，所述第二非切割区222和所述第二切割区212沿所述第二方向排布；所述第一连接部112包括位于所述第二切割区212内的第三子连接部1122，所述第二连接部132包括位于所述第二非切割区222内的第四子连接部1322；其中，所述第二切割区212在所述基底上的正投影与所述第二非切割区222在所述基底上的正投影不重叠。进一步地，沿所述第二方向，所述第二切割区212在所述基底上正投影的宽度大于所述第二非切割区222在所述基底上正投影的宽度，从而整加了所述第二切割区212的空间，避免在对位于所述第二切割区212内损坏的膜层进行切割时，对其他完好的膜层造成不必要的损伤。
具体地，在本实施例中，所述第二切割区212包括第一切割子区2121和第二切割子区2122，所述第二非切割区222至少包括位于所述第一切割子区2121和所述第二切割子区2122之间的第一非切割子区2221；其中，所述第一切割子区2121、所述第二切割子区2122以及所述第一非切割子区2221沿所述第二方向设置，且所述第一切割子区2121在所述基底上正投影的宽度不小于所述第一非切割子区2221在所述基底上正投影的宽度，所述第二切割子区2122在所述基底上正投影的宽度不小于所述第一非切割子区2221在所述基底上正投影的宽度。
需要说明的时，在所述实施例中，所述第二非切割区222还包括与所述第二切割区212间隔设置的第二非切割子区2222，所述第二非切割子区2222与所述第二切割区212呈一预设角度，所述第四子连接部1322位于所述第二非切割子区2222内。可以理解的时，本实施例通过将所述第二切割区212与所述第二非切割子区2222间隔设置，从而增加了所述第三子连接部1122与所述第四子连接部1322四周的空间，当需要对其中一者进行切除，可以避免对另其他膜层造成损伤。
在本实施例中，所述第二电极133至少部分位于所述第二切割区212，所述第三连接部134位于所述第一非切割子区2221；具体地，沿所述第二方向，相邻所述第二电极133中的一者至少部分位于所述第一切割子区2121，另一者位于所述第二切割子区2122，所述第三连接部134位于两者之间。
可以理解的是，本实施例通过设置沿所述第一方向，所述切割区210包括第一切割区211，所述非切割区220包括第一非切割区221；所述第一连接部112包括位于所述第一切割区211的第一子连接部1121，所述第二连接部132包括位于所述第一非切割区221内的第二子连接部1321，且所述第一切割区211在所述基底上的正投影与所述第一非切割区221在所述基底上的正投影不重叠；沿所述第二方向，所述切割区210包括第二切割区212，所述非切割区220包括第二非切割区222；所述第一连接部112包括位于所述第二切割区212内的第三子连接部1122，所述第二连接部132包括位于所述第二非切割区222内的第四子连接部1322；其中，所述第二切割区212在所述基底上的正投影与所述第二非切割区222在所述基底上的正投影不重叠，从而将所述切割区210与所述非切割区220完全隔开，增大了所述切割区210的空间，避免了当所述薄膜晶体管层10中任一所述薄膜晶体管100中的膜层之间发生短路时，切除损坏膜层的过程中会对其他完好的所述薄膜晶体管100中的膜层造成损伤。
同时，当任一所述薄膜晶体管100的所述栅极111与所述第二电极133之间发生短路时，使所述第一连接部112位于所述切割区210，所述第三连接部134位于所述切割区210，所述第二连接部132位于所述非切割区220，通过将位于所述切割区210内的所述栅极111和所述第二电极133进行激光切割，使得其他完好的所述薄膜晶体管100继续工作，因此解决了现有技术中，所述薄膜晶体管层10中任一所述薄膜晶体管100的所述栅极111与所述第二电极133之间发生短路时无法修复的问题。
在本实施例中，所述第一电极131包括多条平行且间隔设置的第一齿部135，多条所述第一齿部135通过所述第二连接部132相连通，所述第二电极133包括多条平行且间隔设置的第二齿部136，多条所述第二齿部136通过所述第三连接部134相连通，多个所述第一齿部135和多个所述第二齿部136沿所述第一方向交替设置；其中，所述第二齿部136至少部分位于所述第二切割区212。
进一步地，所述第二齿部136至少部分位于所述第二切割区212，沿所述第二方向，相邻所述第二齿部136中的一者至少部分位于所述第一切割子区2121，另一者位于所述第二切割子区2122，所述第三连接部134位于两者之间。
在本实施例中，沿所述第一方向，所述第三子连接部1122包括与多个所述第二齿部136相对应的多个间隔设置的第一连接子部（图中未标记），所述第二齿部136在所述基底上的正投影位于相邻所述第一连接子部的间隙处。可以理解的是，本实施例通过设置，所述第一电极131包括多条平行且间隔设置的第一齿部135，所述第二电极133包括多条平行且间隔设置的第二齿部136，多个所述第一齿部135和多个所述第二齿部136沿所述第一方向交替设置，从而使得所述第一电极131和所述第二电极133之间的沟道的宽度增大，同时减少了所述薄膜晶体管100的布局尺寸，达到了节省空间的目的。
在本实施例中，所述薄膜晶体管层10还包括位于所述第一金属层11和第二金属层13之间的半导体层12，所述半导体层12包括各所述薄膜晶体管100的子半导体层121、及将各所述子半导体层121并联的第四连接部122，所述第四连接部122包括位于所述非切割区220内；其中，所述子半导体层121在所述基底上的正投影位于所述栅极111在所述基底上的正投影内。
具体的，沿所述第一方向，所述第四连接部122包括位于所述第一非切割区221内的第五子连接部1221和第六子连接部1222，所述第五子连接部1221在所述基底上正投影位于所述第二子连接部1321在所述基底上正投影内，所述第六子连接部1222在所述基底上正投影位于所述第三连接部134在所述基底上正投影内；沿所述第二方向，所述第四连接部122包括位于所述第二非切割区222内的第七子连接部1223，所述第七子连接部1223在所述基底上正投影位于所述第四子连接部1322在所述基底上正投影内，可以理解的是，本实施例通过设置所述第二金属层13在所述基底上的投影覆盖所述半导体层12在所述基底上的投影，即节省了空间，同时避免了位于所述间隙区的所述半导体层对切割区210进行遮挡，给镭射修补提供了更大的操作区间。
需要说明的是，所述第五子连接部1221在所述基底上正投影位于所述第二子连接部1321在所述基底上正投影内，所述第六子连接部1222在所述基底上正投影位于所述第三连接部134在所述基底上正投影内，所述第七子连接部1223在所述基底上正投影位于所述第四子连接部1322在所述基底上正投影内均仅用于举例说明，本实施例对所述第五子连接部1221、所述第六子连接部1222以及所述第七子连接部1223的位置均不做具体限制。
在本实施例中，所述显示面板包括位于所述基底上的GOA电路，所述GOA电路包括上拉控制模块、上拉模块、下拉模块以及下拉维持模块；其中，所述上拉控制模块、所述上拉模块、所述下拉模块以及所述下拉维持模块中的至少一者包括并联设置的多个所述薄膜晶体管100。
具体地，在本实施例中，以所述上拉模块包括并联设置的多个所述薄膜晶体管100为例进行说明；其中，所述薄膜晶体管100的具体结构请参阅任一上述的显示面板的实施例，本申请实施例在此不再赘述。
可以理解的是，本申请通过设置所述上拉模块包括并联设置的至少两薄膜晶体管，从而解决了现有技术中，所述上拉模块包括一薄膜晶体管100，为了满足GOA电路驱动需求，通常将上拉模块中的所述薄膜晶体管100设置成大面积整块结构，当所述薄膜晶体管发生短路时，对所述栅极111与所述第一电极131之间发生的短路和所述栅极111与所述第二电极133之间发生的短路无法修复的缺陷；进一步地，改善了GOA电路任一所述模块失效后而导致的水平线不良问题。
本申请实施例还提供了一种移动终端，包括如任一上述的显示面板及终端主体，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
其中，所述显示面板的具体结构请参阅任一上述的显示面板的实施例，本申请实施例在此不再赘述。
本实施例中，所述终端主体可以包括中框、框胶等，在此不做具体限定。
在具体应用时，所述移动终端可以为智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能手环、智能手表、智能眼镜、智能头盔、台式机电脑、智能电视或者数码相机等。
综上所述，本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括基底；以及薄膜晶体管层，设置于基底上，薄膜晶体管层包括并联设置的至少两薄膜晶体管；其中，薄膜晶体管层包括依次层叠设置在基底上的第一金属层、半导体层以及第二金属层，第一金属层至少包括各薄膜晶体管的栅极、以及将各栅极并联的第一连接部；第二金属层至少包括各薄膜晶体管的第一电极和第二电极、将各第一电极并联的第二连接部、以及将各第二电极并联的第三连接部；其中，一薄膜晶体管中，栅极在基底上的正投影覆盖第一电极和第二电极在基底上的正投影。本申请通过设置薄膜晶体管层包括并联设置的至少两薄膜晶体管，从而解决薄膜晶体管中栅极与源极之间发生短路和栅极与漏极之间发生短路时无法修复的问题。
需要说明的是，虽然本申请以具体实施例揭露如上，但上述实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (9)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基底；以及
薄膜晶体管层，设置于所述基底上，所述薄膜晶体管层包括并联设置的至少两薄膜晶体管；
其中，所述薄膜晶体管层包括：依次层叠设置在所述基底上的第一金属层、半导体层以及第二金属层，所述第一金属层至少包括各所述薄膜晶体管的栅极、以及将各所述栅极并联的第一连接部；所述第二金属层至少包括各所述薄膜晶体管的第一电极和第二电极、将各所述第一电极并联的第二连接部、以及将各所述第二电极并联的第三连接部；其中，一所述薄膜晶体管中，所述栅极在所述基底上的正投影覆盖所述第一电极和所述第二电极在所述基底上的正投影；
其中，所述薄膜晶体管层包括并联设置的多个所述薄膜晶体管，任一相邻两所述薄膜晶体管沿第一方向或第二方向排列设置，所述第一方向设置成与所述第二方向呈一预设夹角；所述薄膜晶体管层包括位于各所述薄膜晶体管之间的间隙区，所述间隙区包括切割区和非切割区；其中，所述第一连接部位于所述切割区，所述第二连接部和所述第三连接部中的一者位于所述切割区，另一者位于所述非切割区。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述切割区包括第一切割区，所述非切割区包括第一非切割区，所述第一切割区和所述第一非切割区位于沿所述第一方向排布的相邻两所述薄膜晶体管之间；
所述第一连接部包括位于所述第一切割区的第一子连接部，所述第二连接部包括位于所述第一非切割区内的第二子连接部；
其中，所述第一切割区在所述基底上的正投影与所述第一非切割区在所述基底上的正投影不重叠。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，沿所述第二方向，任一所述栅极在所述基底上正投影的宽度大于所述第一子连接部在所述基底上正投影的宽度。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述切割区包括第二切割区，所述非切割区包括第二非切割区，所述第二切割区和所述第二非切割区位于沿所述第二方向排布的相邻两所述薄膜晶体管之间，所述第二非切割区和所述第二切割区沿所述第二方向排布；
所述第一连接部包括位于所述第二切割区内的第三子连接部，所述第二连接部包括位于所述第二非切割区内的第四子连接部；
其中，所述第二切割区在所述基底上的正投影与所述第二非切割区在所述基底上的正投影不重叠。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，沿所述第二方向，所述第二切割区在所述基底上正投影的宽度大于所述第二非切割区在所述基底上正投影的宽度。
6.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二切割区包括第一切割子区和第二切割子区，所述第二非切割区至少包括位于所述第一切割子区和所述二切割子区之间的第一非切割子区；其中，所述第一切割子区、所述第二切割以及所述第一切割子区沿所述第二方向设置。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极包括多条平行且间隔设置的第一齿部，多条所述第一齿部通过所述第二连接部相连通，所述第二电极包括多条平行且间隔设置的第二齿部，多条所述第二齿部通过所述第三连接部相连通，多个所述第一齿部和多个所述第二齿部沿第一方向交替设置；其中，所述第二齿部至少部分位于所述第二切割区。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第三子连接部包括与多个所述第二齿部相对应的多个间隔设置的第一连接子部，所述第二齿部在所述基底上的正投影位于相邻所述第一连接子部的间隙处。
9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管层还包括位于所述第一金属层和第二金属层之间的半导体层，所述半导体层包括各所述薄膜晶体管的子半导体层、及将各所述子半导体层并联的第四连接部，所述第四连接部包括位于所述非切割区内；
其中，所述子半导体层在所述基底上的正投影位于所述栅极在所述基底上的正投影内。
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