CN113741673A - 一种应用于热插拔服务器的保护装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种应用于热插拔服务器的保护装置，包括IC芯片，IC芯片上设置有电流检测模块和输入电流控制模块；其中，电流检测模块，用于监测热插拔服务器中MOSFET的目标电流变化率；输入电流控制模块，用于当MOSFET的运行电流大于预设电流时，则根据目标电流变化率和MOSFET的SOA曲线图对IC芯片的输入电流进行控制，以使MOSFET工作于安全区域。显然，相较于现有技术而言，由于该方法可以避免MOSFET在遭遇大电流时IC芯片对MOSFET关断时间的影响，这样就可以进一步提高MOSFET在运行过程中的安全性与可靠性。相应的，本申请所提供的一种热插拔服务器同样具有上述有益效果。
Description
技术领域
本发明涉及服务器技术领域，特别涉及一种应用于热插拔服务器的保护装置以及一种热插拔服务器。
背景技术
在具有热插拔功能的服务器中，通常会选用MOSFET(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor，金属氧化层半导体场效晶体管)作为热插拔器件的导通开关。当MOSFET遇到大电流时，服务器内部的IC芯片(Integrated Circuit Chip，微型电子器件)会关断MOSFET，从而达到对MOSFET进行保护的目的。但是，此种保护方式容易受到MOSFET关断时间的影响，如果IC芯片对MOSFET关断不及时，就会将MOSFET烧毁。目前，针对这一技术问题，还没有较为有效的解决办法。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种应用于热插拔服务器的保护装置以及一种热插拔服务器，以进一步提高MOSFET在使用过程中的安全性与可靠性。其具体方案如下：
一种应用于热插拔服务器的保护装置，包括IC芯片，所述IC芯片上设置有电流检测模块和输入电流控制模块；
其中，所述电流检测模块，用于监测热插拔服务器中MOSFET的目标电流变化率；
所述输入电流控制模块，用于当所述MOSFET的运行电流大于预设电流时，则根据所述目标电流变化率和所述MOSFET的SOA曲线图对所述IC芯片的输入电流进行控制，以使所述MOSFET工作于安全区域。
优选的，还包括：
与所述输入电流控制模块相连的存储器，用于对所述SOA曲线图进行存储。
优选的，所述电流检测模块包括：
电流检测单元，用于对所述热插拔服务器中所述MOSFET的运行状态进行监测，得到目标运行信息；
逻辑计算单元，用于根据所述目标运行信息确定所述MOSFET的所述目标电流变化率。
优选的，所述IC芯片包括：精密电阻、电流监控器、电流控制器和闸极开关控制器；
其中，所述精密电阻的第一端分别与Vin、所述热插拔服务器中第一电容的第一端和所述电流监控器的第一输入端相连，所述第一电容的第二端接地，所述精密电阻的第二端分别与所述MOSFET的漏极和所述电流监控器的第二输入端相连，所述电流监控器的输出端与所述电流控制器的输入端相连，所述电流控制器的输出端与闸极开关控制器的输入端相连，所述闸极开关控制器的输出端分别与所述MOSFET的栅极、所述热插拔服务器中第一电阻的第一端相连，所述第一电阻的第二端与所述热插拔服务器中第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端接地，所述MOSFET的源极与所述热插拔服务器中第三电容的第一端相连，所述第三电容的第二端接地；
相应的，所述MOSFET的源极为所述热插拔服务器的输出端。
优选的，所述输入电流控制模块包括：第一与门、比较器以及具有多个电流输出通道的开关控制单元；
其中，所述比较器的输出端与所述电流监控器的输出端相连，所述比较器的第一输入端与所述第一与门的第一输入端相连，所述比较器的第二输入端与所述电流控制器的第一输入端相连，所述电流控制器的第二输入端与所述第一与门的触发端相连，所述第一与门的第二输入端与Vin相连，所述第一与门的输出端与所述开关控制单元的输入端相连，所述开关控制单元的输出端与所述精密电阻的第一端相连；
相应的，所述电流检测模块的输出信号为所述比较器的基准信号。
优选的，所述多个电流输出通道的电流输出值按照预设规则逐级降低；且所述多个电流输出通道的最大电流输出值小于或等于目标电流值，所述目标电流值为根据所述SOA曲线图和所述目标电流变化率能够使得所述MOSFET安全运行的极限电流值。
相应的，本发明还公开了一种热插拔服务器，包括如前述所公开的一种应用于热插拔服务器的保护装置。
可见，在本发明所提供的保护装置中，是在IC芯片上设置电流检测模块和输入电流控制模块，因为电流检测模块能够检测热插拔服务器中MOSFET的目标电流变化率，这样当MOSFET的运行电流大于预设电流时，输入电流控制模块就可以根据MOSFET的目标电流变化率和MOSFET的SOA曲线对IC芯片的输入电流进行控制，并使得MOSFET工作于安全区域。显然，相较于现有技术而言，由于该方法可以避免MOSFET在遭遇大电流时IC芯片对MOSFET关断时间的影响，这样就可以进一步提高MOSFET在运行过程中的安全性与可靠性。相应的，本发明所提供的一种热插拔服务器同样具有上述有益效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的一种应用于热插拔服务器的保护装置的结构图；
图2为本发明实施例所提供的一种热插拔服务器的结构图；
图3为MOSFET在遭受大电流冲击时的运行参数示意图；
图4为图2所示热插拔服务器中MOSFET的SOA曲线图；
图5为本发明实施例所提供的另一种应用于热插拔服务器的保护装置的结构图；
图6为图5所示保护装置中MOSFET的SOA曲线图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参见图1，图1为本发明实施例所提供的一种应用于热插拔服务器的保护装置的结构图，该保装置包括IC芯片，IC芯片上设置有电流检测模块11和输入电流控制模块12；
其中，电流检测模块11，用于监测热插拔服务器中MOSFET的目标电流变化率；
输入电流控制模块12，用于当MOSFET的运行电流大于预设电流时，则根据目标电流变化率和MOSFET的SOA曲线图对IC芯片的输入电流进行控制，以使MOSFET工作于安全区域。
在本实施例中，是提供了一种应用于热插拔服务器的保护装置，通过该保护装置能够进一步提高MOSFET在运行过程中的安全性与可靠性。在该保护装置中，是在热插拔服务器的IC芯片上设置了电流检测模块11和输入电流控制模块12。
其中，IC芯片上的电流检测模块11用于监测热插拔服务器中MOSFET的目标电流变化率，当检测检测模块监测到热插拔服务器中MOSFET的目标电流变化率时，会将MOSFET的目标电流变化率反馈至IC芯片的输入电流控制模块12。如果输入电流控制模块12检测到MOSFET的运行电流大于预设电流，此时输入电流控制模块12就会根据MOSFET的目标电流变化率和MOSFET的SOA曲线图对IC芯片的输入电流进行控制，从而使得MOSFET工作于安全区域内。
可以理解的是，因为利用该方法能够使得输入电流控制模块12根据MOSFET的目标电流变化率和MOSFET的SOA曲线图对IC芯片的输入电流进行控制，在此情况下就相当于强行改变了IC芯片的输出电流以及输入至MOSFET的电流，这样就可以相对减少MOSFET遭受大电流时的冲击力，由此就可以保证MOSFET的安全运行。
可见，在本实施例所提供的保护装置中，是在IC芯片上设置电流检测模块和输入电流控制模块，因为电流检测模块能够检测热插拔服务器中MOSFET的目标电流变化率，这样当MOSFET的运行电流大于预设电流时，输入电流控制模块就可以根据MOSFET的目标电流变化率和MOSFET的SOA曲线对IC芯片的输入电流进行控制，并使得MOSFET工作于安全区域。显然，相较于现有技术而言，由于该方法可以避免MOSFET在遭遇大电流时IC芯片对MOSFET关断时间的影响，这样就可以进一步提高MOSFET在运行过程中的安全性与可靠性。
基于上述实施例，本实施例对技术方案作进一步的说明与优化，作为一种优选的实施方式，上述保护装置还包括：
与输入电流控制模块相连的存储器，用于对SOA曲线图进行存储。
在本实施例中，还可以在该保护装置中设置用于存储MOSFET的SOA曲线图的存储器。能够想到的是，当将MOSFET的SOA曲线图存储至存储器时，输入电流控制模块在对IC芯片的输入电流进行控制时，就可以直接从存储器中去调用MOSFET的SOA曲线图，并根据MOSFET的SOA曲线图和MOSFET的目标电流变化率对IC芯片的输入电流进行控制，这样就可以避免输入电流控制器从远端调取MOSFET的SOA曲线图的繁琐步骤，由此就可以相对提升输入电流控制模块的执行效率。
基于上述实施例，本实施例对技术方案作进一步的说明与优化，作为一种优选的实施方式，电流检测模块包括：
电流检测单元，用于对热插拔服务器中MOSFET的运行状态进行监测，得到目标运行信息；
逻辑计算单元，用于根据目标运行信息确定MOSFET的目标电流变化率。
可以理解的是，MOSFET的目标电流变化率并不能直接通过电流传感器所直接测量得到，因此，在本实施例所提供的电流检测模块中，是在其内部设置了电流检测单元和逻辑计算单元。其中，电流检测模块是用于对热插拔服务器中MOSFET的运行状态进行监测，得到MOSFET的目标运行信息，之后，再利用逻辑计算单元根据MOSFET的目标运行信息来确定MOSFET的目标电流变化率，也即，根据MOSFET的目标运行信息来确定MOSFET在单位时间内的电流变化率。
显然，通过本实施例所提供的技术方案，就可以相对提升电流检测模块在确定MOSFET电流变化率时的准确性。
基于上述实施例，本实施例对技术方案作进一步的说明与优化，请参见图2，图2为本发明实施例所提供的一种热插拔服务器的结构图。作为一种优选的实施方式，IC芯片包括：精密电阻Rr、电流监控器、电流控制器和闸极开关控制器；
其中，精密电阻Rr的第一端分别与Vin、热插拔服务器中第一电容C1的第一端和电流监控器的第一输入端相连，第一电容C1的第二端接地，精密电阻Rr的第二端分别与MOSFET的漏极和电流监控器的第二输入端相连，电流监控器的输出端与电流控制器的输入端相连，电流控制器的输出端与闸极开关控制器的输入端相连，闸极开关控制器的输出端分别与MOSFET的栅极、热插拔服务器中第一电阻R1的第一端相连，第一电阻R1的第二端与热插拔服务器中第二电容C2的第一端相连，第二电容C2的第二端接地，MOSFET的源极与热插拔服务器中第三电容C3的第一端相连，第三电容C3的第二端接地；
相应的，MOSFET的源极为热插拔服务器的输出端。
在本实施例所提供的IC芯片中，如果热插拔服务器的输入电压Vin为12V，在热插拔服务器的正常运行状态下，MOSFET的漏极电压VD为12V，MOSFET的源极电压VS等于12V，在此情况下，MOSFET漏极与源极之间的电压差为0；在热插拔服务器发生大电流的瞬间，输入电压Vin为12V，MOSFET的漏极电压VD为12V，MOSFET的源极电压VS因短路或者是其它原因导致其输出电压为0，此时MOSFET漏极与源极之间的电压差在理想情况下为12V。
但是，在实际应用中，热插拔服务器发生大电流的瞬间，MOSFET漏极与源极之间的电压差会达到13.32V。具体请参见图3，图3为MOSFET在遭受大电流冲击时的运行参数示意图。当MOSFET漏极与源极之间的电压差达到13.32V时，其内部的瞬时电流值会达到75.2A，在此情况下，MOSFET能够承受瞬时电流值75.2A的持续时间ΔT为120us。请参见图4，图4为图2所示热插拔服务器中MOSFET的SOA曲线图，当MOSFET漏极与源极之间的电压差VDS＝13.32V，瞬间电流Current＝75.2A时，MOSFET在大电流的冲击下持续时间不会超过5ms。
通过上述分析可知，在MOSFET遭遇大电流冲击时，MOSFET在前120us的时间内其会处于安全状态，但是，如果IC芯片没有在5ms的时间内将MOSFET关断，MOSFET就会被烧毁。并且，IC芯片在对MOSFET进行关断的过程中，还会受到IC芯片内部参数与误差的影响，从而使得IC芯片关断MOSFET的时间更加不稳定，这样就导致MOSFET存在极大的安全隐患。
请参见图5，图5为本发明实施例所提供的另一种应用于热插拔服务器的保护装置的结构图。作为一种优选的实施方式，输入电流控制模块包括：第一与门、比较器N以及具有多个电流输出通道的开关控制单元；
其中，比较器N的输出端与电流监控器的输出端相连，比较器N的第一输入端与第一与门的第一输入端相连，比较器N的第二输入端与电流控制器的第一输入端相连，电流控制器的第二输入端与第一与门的触发端相连，第一与门的第二输入端与Vin相连，第一与门的输出端与开关控制单元的输入端相连，开关控制单元的输出端与精密电阻Rr的第一端相连；
相应的，电流检测模块的输出信号为比较器的基准信号。
在本实施例所提供的保护装置中，是对图2所示的IC芯片进行改进，并以此来进一步提高MOSFET在运行过程中的安全性与可靠性。在本实施例所提供的IC芯片中，是在IC芯片上添加了输入电流控制模块，其中，输入电流控制模块包括第一与门、比较器以及具有多个电流输出通道的开关控制单元。
在图5所示的IC芯片中，电流检测模块用于监测MOSFET的目标电流变化率，当电流检测模块监测到MOSFET的目标电流变化率之后，会将MOSFET的目标电流变化率反馈至比较器。如果MOSFET正常运行，电流控制器还是会按照现有技术中的控制方式来对IC芯片进行控制；如果MOSFET的运行电流大于预设电流，则说明MOSFET正在遭受大电流的冲击，此时输入电流控制模块中的开关控制单元就会选择适合的电流输出通道来控制IC芯片的输入电流。
作为一种优选的实施方式，多个电流输出通道的电流输出值按照预设规则逐级降低；且多个电流输出通道的最大电流输出值小于或等于目标电流值，目标电流值为根据SOA曲线图和目标电流变化率能够使得MOSFET安全运行的极限电流值。
具体的，在本实施例中，开关控制单元中多个电流输出通道的电流输出值会按照用户自定义的规则逐级降低，并且，开关控制单元中电流输出通道的最大电流输出值小于或等于目标电流值，其中，目标电流值是根据MOSFET的SOA曲线图和MOSFET的目标电流变化率所计算得到能够使得MOSFET安全运行的极限电流值。
此时，还是以前述实施例所记载的例子进行详细说明。在图2所示的IC芯片中，当MOSFET漏极与源极之间的电压差VDS＝13.32V时，其内部的瞬时电流值Current＝75.2A，MOSFET能够承受瞬时电流值75.2A的持续时间ΔT为120us。假设开关控制单元中有三个电流输出通道，其中，第一个电流输出通道的电流输出值为40A，第二个电流输出通道的电流输出值为20A，第三个电流输出通道的电流输出值为15A。
当MOSFET的运行电流大于预设电流时，输入电流控制模块会将IC芯片的输入电流值切换到40A，此时MOSFET内部的瞬时电流值Current＝40A。请参见图6，图6为图5所示保护装置中MOSFET的SOA曲线图。根据图6所示的参数可知，当将IC芯片的输入电流值切换为40A时，MOSFET能够遭受40A电流冲击的持续时间会变为90ms，相较于之前MOSFET只能遭受大电流冲击持续时间5ms而言，通过此种设置方式就可以使得输入电流控制模块能够拥有更多的电流输出通道的切换时间，这样相当于是对MOSFET的第一重保护。
之后，输入电流控制模块会将IC芯片的输入电流值切换到20A，此时MOSFET内部的瞬时电流值Current＝20A，根据图6所示的参数可知，当将IC芯片的输入电流值切换为20A时，MOSFET能够遭受20A电流冲击的持续时间已经没有了任何限制。在此情况下，MOSFET即使一直处于运行状态，MOSFET也不会被大电流所烧毁，这样就相当于是对MOSFET进行了第二重保护。当然，在实际应用中，用户还可以根据实际情况的需要，将IC芯片的输入电流值切换为15A，此处不作具体赘述。
显然，通过本实施例所提供的技术方案，就可以进一步提高MOSFET在运行过程中的安全性以及可靠性。
相应的，本发明还公开了一种热插拔服务器，包括如前述所公开的一种应用于热插拔服务器的保护装置。
本发明实施例所提供的一种热插拔服务器，具有前述所公开的一种应用于热插拔服务器的保护装置所具有的有益效果。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种应用于热插拔服务器的保护装置以及一种热插拔服务器进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (7)
1.一种应用于热插拔服务器的保护装置，包括IC芯片，其特征在于，所述IC芯片上设置有电流检测模块和输入电流控制模块；
其中，所述电流检测模块，用于监测热插拔服务器中MOSFET的目标电流变化率；
所述输入电流控制模块，用于当所述MOSFET的运行电流大于预设电流时，则根据所述目标电流变化率和所述MOSFET的SOA曲线图对所述IC芯片的输入电流进行控制，以使所述MOSFET工作于安全区域。
2.根据权利要求1所述的保护装置，其特征在于，还包括：
与所述输入电流控制模块相连的存储器，用于对所述SOA曲线图进行存储。
3.根据权利要求1所述的保护装置，其特征在于，所述电流检测模块包括：
电流检测单元，用于对所述热插拔服务器中所述MOSFET的运行状态进行监测，得到目标运行信息；
逻辑计算单元，用于根据所述目标运行信息确定所述MOSFET的所述目标电流变化率。
4.根据权利要求1至3任一项所述的保护装置，其特征在于，所述IC芯片包括：精密电阻、电流监控器、电流控制器和闸极开关控制器；
其中，所述精密电阻的第一端分别与Vin、所述热插拔服务器中第一电容的第一端和所述电流监控器的第一输入端相连，所述第一电容的第二端接地，所述精密电阻的第二端分别与所述MOSFET的漏极和所述电流监控器的第二输入端相连，所述电流监控器的输出端与所述电流控制器的输入端相连，所述电流控制器的输出端与闸极开关控制器的输入端相连，所述闸极开关控制器的输出端分别与所述MOSFET的栅极、所述热插拔服务器中第一电阻的第一端相连，所述第一电阻的第二端与所述热插拔服务器中第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端接地，所述MOSFET的源极与所述热插拔服务器中第三电容的第一端相连，所述第三电容的第二端接地；
相应的，所述MOSFET的源极为所述热插拔服务器的输出端。
5.根据权利要求4所述的保护装置，其特征在于，所述输入电流控制模块包括：第一与门、比较器以及具有多个电流输出通道的开关控制单元；
其中，所述比较器的输出端与所述电流监控器的输出端相连，所述比较器的第一输入端与所述第一与门的第一输入端相连，所述比较器的第二输入端与所述电流控制器的第一输入端相连，所述电流控制器的第二输入端与所述第一与门的触发端相连，所述第一与门的第二输入端与Vin相连，所述第一与门的输出端与所述开关控制单元的输入端相连，所述开关控制单元的输出端与所述精密电阻的第一端相连；
相应的，所述电流检测模块的输出信号为所述比较器的基准信号。
6.根据权利要求5所述的保护装置，其特征在于，所述多个电流输出通道的电流输出值按照预设规则逐级降低；且所述多个电流输出通道的最大电流输出值小于或等于目标电流值，所述目标电流值为根据所述SOA曲线图和所述目标电流变化率能够使得所述MOSFET安全运行的极限电流值。
7.一种热插拔服务器，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的一种应用于热插拔服务器的保护装置。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114389247A (zh) * | 2022-01-17 | 2022-04-22 | 苏州联讯仪器有限公司 | 一种热插拔保护装置、方法、设备及介质 |
| CN114530829A (zh) * | 2022-02-25 | 2022-05-24 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种用于前瞻式动态温度监测的热***保护装置与方法 |
| EP4390620A1 (en) * | 2022-12-19 | 2024-06-26 | GE Precision Healthcare LLC | Electromechanical mechanism for a spark-free electrical connection in an elevated oxygen environment |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106129980A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-11-16 | 山东超越数控电子有限公司 | 一种带有功率限制功能的热拔插电路 |
| CN109361383A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-02-19 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种基于半导体模块驱动的电流保护装置 |
| CN110995221A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-04-10 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种热插拔关断电路及服务器供电*** |
| CN112463688A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-03-09 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种服务器的热***保护装置及*** |
-
2021
- 2021-08-27 CN CN202110997801.XA patent/CN113741673B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106129980A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-11-16 | 山东超越数控电子有限公司 | 一种带有功率限制功能的热拔插电路 |
| CN109361383A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-02-19 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种基于半导体模块驱动的电流保护装置 |
| CN110995221A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-04-10 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种热插拔关断电路及服务器供电*** |
| CN112463688A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-03-09 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种服务器的热***保护装置及*** |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114389247A (zh) * | 2022-01-17 | 2022-04-22 | 苏州联讯仪器有限公司 | 一种热插拔保护装置、方法、设备及介质 |
| CN114530829A (zh) * | 2022-02-25 | 2022-05-24 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种用于前瞻式动态温度监测的热***保护装置与方法 |
| CN114530829B (zh) * | 2022-02-25 | 2023-08-08 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种用于前瞻式动态温度监测的热***保护装置与方法 |
| EP4390620A1 (en) * | 2022-12-19 | 2024-06-26 | GE Precision Healthcare LLC | Electromechanical mechanism for a spark-free electrical connection in an elevated oxygen environment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113741673B (zh) | 2023-08-18 |
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