CN113737127B - 掩模的制造方法、掩模支撑模板的制造方法及框架一体型掩模的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及掩模的制造方法、掩模支撑模板的制造方法及框架一体型掩模的制造方法。本发明涉及的掩模的制造方法包括：(a)在掩模金属膜的一面上形成图案化的第一绝缘部的步骤；(b)在掩模金属膜的一面利用湿蚀刻以预定深度形成第一掩模图案的步骤；(c)至少在位于第一绝缘部的垂直下部的第一掩模图案内形成第二绝缘部的步骤；(d)在掩模金属膜的一面利用湿蚀刻形成从第一掩模图案贯通掩模金属膜的另一面的第二掩模图案的步骤；在步骤(a)中，在第一绝缘部图案之间进一步形成宽度小于第一绝缘部宽度的辅助绝缘部。

Description

掩模的制造方法、掩模支撑模板的制造方法及框架一体型掩 模的制造方法

技术领域

本发明涉及掩模的制造方法、掩模支撑模板的制造方法及框架一体型掩模的制造方法。更具体地，涉及能够准确地控制掩模图案的尺寸和位置的掩模的制造方法、掩模支撑模板的制造方法及框架一体型掩模的制造方法。

背景技术

作为OLED(有机发光二极管)制造工艺中形成像素的技术，主要使用FMM(FineMetal Mask，精细金属掩模)方法，该方法将薄膜形式的金属掩模(Shadow Mask，阴影掩模)紧贴于基板并且在所需位置上沉积有机物。

现有的掩模制造方法准备用作掩模的金属薄板，在金属薄板上进行PR涂布之后进行图案化或进行PR涂布使具有图案之后通过蚀刻制造具有图案的掩模。然而，为了防止阴影效果(Shadow Effect)，难以使掩模图案倾斜地形成锥形(Taper)，而且需要执行额外的工艺，因此导致工艺时间、费用增加，生产性下降。

在超高画质的OLED中，现有的QHD画质为500-600PPI(pixel per inch，每英寸像素)，像素的尺寸达到约30-50μm，而4KUHD、8KUHD高画质具有比之更高的-860PPI，-1600PPI等的分辨率。因此，急需开发能够精准地调节掩模图案的尺寸的技术。

另外，在现有的OLED制造工艺中，将掩模制造成条状、板状等之后，将掩模焊接固定到OLED像素沉积框架并使用。为了制造大面积OLED，可将多个掩模固定于OLED像素沉积框架，在固定于框架的过程中，拉伸各个掩模，以使其变得平坦。在将多个掩模固定于一个框架过程中，仍然存在掩模之间及掩模单元之间对准不好的问题。此外，在将掩模焊接固定于框架的过程中，掩模膜的厚度过薄且面积大，因此存在掩模因荷重而下垂或者扭曲的问题。

如此，考虑到超高画质的OLED的像素尺寸，需要将各单元之间的对准误差缩减为数μm左右，超出这一误差将导致产品的不良，所以收率可能极低。因此，需要开发能够防止掩模的下垂或者扭曲等变形并使对准精确的技术以及将掩模固定于框架的技术等。

发明内容

技术问题

因此，本发明是为解决上述现有技术的诸多问题而提出的，目的在于提供一种能够准确地控制掩模图案尺寸掩模的制造方法、掩模支撑模板的制造方法及框架一体型掩模的制造方法。

技术方案

本发明的上述目的可通过掩模的制造方法来实现，所述方法包括：(a)在掩模金属膜的一面上形成图案化的第一绝缘部的步骤；(b)在掩模金属膜的一面利用湿蚀刻以预定深度形成第一掩模图案的步骤；(c)至少在位于第一绝缘部的垂直下部的第一掩模图案内形成第二绝缘部的步骤；(d)在掩模金属膜的一面利用湿蚀刻形成从第一掩模图案贯通掩模金属膜的另一面的第二掩模图案的步骤；在步骤(a)中，在第一绝缘部图案之间进一步形成宽度小于第一绝缘部宽度的辅助绝缘部。

在步骤(b)中，可以对第一绝缘部与辅助绝缘部之间露出的掩模金属膜进行湿蚀刻。

当第一绝缘部的图案之间的间隔为26μm至34μm且辅助绝缘部的宽度为12μm至16μm时，步骤(b)之后的第一绝缘部图案之间的垂直区域所对应的掩模金属膜的厚度至少小于4μm且超过0。

步骤(c)可包括：(c1)至少在第一掩模图案内填充第二绝缘部的步骤；(c2)利用烘焙挥发掉第二绝缘部的至少一部分的步骤；(c3)在第一绝缘部的上部进行曝光，并只留下位于第一绝缘部的垂直下部的第二绝缘部的步骤。

在步骤(d)之后，第一掩模图案的厚度大于第二掩模图案的厚度，第一掩模图案的上部宽度大于第二掩模图案的下部宽度，第一掩模图案的下部宽度小于第二掩模图案的下部宽度。

第一掩模图案的两侧面可形成为具有凹陷的曲率，第二掩模图案的两侧面可形成为具有凸状曲率。

此外，本发明的上述目的可通过掩模支撑模板的制造方法来实现，所述方法包括：(a)将掩模金属膜粘合在模板上部面的步骤；(b)将掩模图案形成于掩模金属膜并制造掩模的步骤；步骤(b)包括：(b1)在掩模金属膜的一面上形成图案化的第一绝缘部的步骤；(b2)在掩模金属膜的一面利用湿蚀刻以预定的深度形成第一掩模图案的步骤；(b3)至少在位于第一绝缘部的垂直下部的第一掩模图案内形成第二绝缘部的步骤；(b4)在掩模金属膜的一面利用湿蚀刻形成从第一掩模图案贯通至掩模金属膜的另一面的第二掩模图案的步骤；在步骤(b1)中，在第一绝缘部图案之间进一步形成宽度小于第一绝缘部宽度的辅助绝缘部。

在步骤(a)中，掩模金属膜可通过夹设隔板绝缘部和临时粘合部粘合于模板上部面。

隔板绝缘部可包括固化负型光刻胶、含有环氧树脂的负型光刻胶中至少一个。

此外，本发明的上述目的可通过框架一体型掩模的制造方法来实现，该框架一体型掩模由至少一个掩模及用于支撑掩模的框架一体形成，所述方法包括：(a)将掩模金属膜粘合在模板上部面的步骤；(b)将形成于掩模金属膜并制造掩模的步骤；(c)将模板装载到具有至少一个掩模单元区域的框架上，以使掩模对应到框架的掩模单元区域的步骤；以及(d)将掩模附着到框架的步骤，步骤(b)包括：(b1)在掩模金属膜的一面上形成图案化的第一绝缘部的步骤；(b2)在掩模金属膜的一面利用湿蚀刻以预定的深度形成第一掩模图案的步骤；(b3)至少在位于第一绝缘部的垂直下部的第一掩模图案内形成第二绝缘部的步骤；(b4)在掩模金属膜的一面利用湿蚀刻形成从第一掩模图案贯通掩模金属膜的另一面的第二掩模图案的步骤；在步骤(b1)中，在第一绝缘部图案之间进一步形成宽度小于第一绝缘部宽度的辅助绝缘部。

一种框架一体型掩模的制造方法，该框架一体型掩模由至少一个掩模及用于支撑掩模的框架一体形成，所述方法可包括：

(a)在具有至少一个掩模单元区域的框架上装载利用权利要求7所述的制造方法制造的模板,以使掩模对应到框架的掩模单元区域的步骤；以及(b)将掩模附着到框架的步骤。

有益效果

根据如上所述的结构，本发明具有能够准确地控制掩模图案的尺寸和位置的效果。

附图说明

图1是现有的将掩模附着到框架的过程的示意图。

图2是根据本发明一实施例的框架一体型掩模的主视图及侧截面图。

图3是根据本发明一实施例的掩模的示意图。

图4是根据本发明一实施例的通过在模板上粘合掩模金属膜来形成掩模以制造掩模支撑模板的过程的示意图。

图5是根据现有的掩模制造过程和比较例的掩模的蚀刻程度的示意图。

图6至图7是根据本发明一实施例的掩模的制造过程的示意图。

图8是根据本发明一实施例的掩模金属膜的蚀刻程度的示意图。

图9是根据本发明一实施例的掩模支撑模板的制造过程的示意图。

图10是根据比较例和本发明一实施例的掩模金属膜的蚀刻形态的示意图。

图11是对比比较例和根据本发明一实施例的掩模金属膜的蚀刻形态的示意图。

图12是用于显示比较例和根据本发明一实施例的掩模金属膜的蚀刻形态的SEM照片。

图13是用于显示比较例和根据本发明一实施例的掩模金属膜的残留厚度、台坎高度(Step height)的曲线图。

图14是用于显示根据本发明一实施例的掩模金属膜的残留厚度、台坎高度、第一绝缘部图案间隔、辅助绝缘部图案间隔的曲线图。

图15是用于显示继图11之后制造掩模的过程的示意图。

图16是用于显示根据本发明一实施例的掩模的示意图。

图17是根据本发明一实施例的将模板装载于框架上以使掩模对应到框架的单元区域的状态的示意图。

图18是根据本发明的一实施例的将掩模附着到框架上之后使掩模和模板分离的过程的示意图。

图19是根据本发明一实施例的将掩模附着到框架的单元区域并去除绝缘部的状态的示意图。

附图标记:

3：隔板绝缘部

25：绝缘部

50：模板

55：临时粘合部

100：掩模

110：掩模金属膜

200：框架

C：单元、掩模单元

CR：掩模单元区域

M1、M2、M3：第一、二、三绝缘部

M4：辅助绝缘部

P：掩模图案

P1、P1-1、P1-2：第一掩模图案

P2、P2-1、P2-2：第二掩模图案

SN：孔

WE1、WE2、WE3：湿蚀刻

具体实施方式

对本发明的后述详细说明，可参照作为本发明可实施的特定实施例图示的附图。为了使本领域技术人员能够实施本发明，下面具体说明这些实施例。充分详细地说明这些实施例，以使所属技术领域中具有通常知识者能够实施本发明。本发明的各实施例应理解为互为不同但不相排斥。例如，在此记载的特定形状、结构及特性可将一实施例在不超出本发明的精神及范围的情况下实现为其他实施例。另外，公开的每一个实施例中的个别组成要素的位置或布置应理解为在不超出本发明精神及范围情况下可进行变更。因此，以下详细说明并非用于限定本发明，本发明的范围仅由所附的权利要求和与其等同的所有范围限定。附图中类似的附图标记通过各个方面指代相同或类似的功能，为了方便起见，长度、面积及厚度等及其形态还可夸张表示。

下面，为了能够使本领域技术人员容易实施本发明，参照附图对本发明涉及的优选实施例进行详细说明。

图1是现有的将掩模10附着到框架20的过程的示意图。

现有的掩模10为条型(Stick-Type)或者板型(Plate-Type)，图1的条型掩模10可以将条的两侧焊接固定到OLED像素沉积框架上并使用。掩模10的主体(Body，或者掩模膜11)中具有多个显示单元C。一个单元C与智能手机等的一个显示器对应。单元C中形成有像素图案P，以便与显示器的各个像素对应。

参照图1的(a)，沿着条型掩模10的长轴方向施加拉伸力F1-F2，并在展开的状态下将条型掩模10装载在方框形状的框架20上。框架20的尺寸可以足以使一个条型掩模10的单元C1-C6位于框内部空白区域，也可以足以使多个条型掩模10的单元C1-C6位于框内部空白区域。

参照图1的(b)，微调施加到条型掩模10各侧的拉伸力F1-F2的同时进行对准，之后通过焊接W条型掩模10侧面的一部分，使条型掩模10和框架20彼此连接。图1的(c)示出彼此连接的条型掩模10和框架的侧截面。

尽管微调施加到条型掩模10各侧的拉伸力F1-F2，但是仍发生掩模单元C1-C3彼此之间对准不好的问题。例如，单元C1-C6的图案P之间的距离彼此不同或者图案P歪斜。由于条型掩模10具有包括多个单元C1-C6的大面积，并且具有数十μm的非常薄的厚度，所以容易因荷重而下垂或者扭曲。另外，调节拉伸力F1-F2使各个单元C1-C6全部变得平坦的同时通过显微镜实时确认各个单元C1-C6之间的对准状态是非常困难的作业。但是为了避免尺寸为数μm至数十μm的掩模图案P对超高画质OLED的像素工艺造成坏影响，对准误差优选不大于3μm。将如此相邻的单元之间的对准误差称为像素定位精度(pixel position accuracy，PPA)。

进一步而言，将各条型掩模10分别连接到一个框架20，同时使多个条型掩模10之间及条型掩模10的多个单元C-C6之间的对准状态精确是非常困难的作业，而且只会增加基于对准的工艺时间，成为降低生产效率的重要原因。

另外，将条型掩模10连接固定到框架20后，施加到条型掩模10的拉伸力F1-F2作为张力会反向地作用于框架20。该张力会导致框架20细微变形，而且会发生多个单元C1-C6间的对准状态扭曲的问题。

鉴于此，本发明提出能够使掩模100与框架200形成一体型结构的框架200及框架一体型掩模。与框架200形成一体的掩模100不仅可以防止下垂或者扭曲等变形，而且可以与框架200准确地对准。

图2是根据本发明一实施例的框架一体型掩模的主视图[图2的(a)]及侧截面图[图2的(b)]。

下面，本说明书对框架一体型掩模的配置进行说明，但框架一体型掩模的结构、制造过程可理解为包括韩国专利申请第2018-0016186号的全部内容。

参照图2，框架一体型掩模可以包括多个掩模100及一个框架200。换而言之，是将多个掩模100分别附着至框架200的形态。下面为了便于说明，以四角形状的掩模100为例进行说明，但是掩模100附着到框架200之前，可以是两侧具有用于夹持的突出部的条型掩模形状，附着到框架200上后可以去除突出部。

各个掩模100上形成有多个掩模图案P，一个掩模100可以形成有一个单元C。一个掩模单元C可以与智能手机等的一个显示器对应。

掩模100也可以为因瓦合金(invar)、超因瓦合金(super invar)、镍(Ni)、镍-钴(Ni-Co)等材料。掩模100可使用由轧制(rolling)工艺或者电铸(electroforming)生成的金属片材(sheet)。

框架200可以以附着多个掩模100的形式形成。考虑到热变形，框架200优选由与掩模具有相同热膨胀系数的因瓦合金、超级因瓦合金、镍、镍-钴等材料形成。框架200可以包括大概呈四角形状、方框形状的边缘框架部210。边缘框架部210的内部可以是中空形状。

另外，框架200具有多个掩模单元区域CR，并且可以包括连接到边缘框架部210的掩模单元片材部220。掩模单元片材部220可以由边缘片材部221及第一栅格片材部223、第二栅格片材部225组成。边缘片材部221及第一栅格片材部223、第二栅格片材部225是指在同一片材上划分的各个部分，而且它们彼此之间形成一体。

边缘框架部210的厚度可以大于掩模单元片材部220的厚度，可以以数mm至数cm的厚度形成。掩模单元片材部220的厚度虽然薄于边缘框架部210的厚度，但比掩模100厚，厚度可约为0.1mm至1mm。第一栅格片材部223、第二栅格片材部225的宽度可以约为1-5mm。

在平面状片材中，除了边缘片材部221及第一栅格片材部223、第二栅格片材部225占据的区域以外，可以提供多个掩模单元区域CR(CR11～CR56)。

掩模200具有多个掩模单元区域CR，各掩模100能够以各掩模单元C与各掩模单元区域CR分别对应的方式附着。掩模单元C与框架200的掩模单元区域CR对应，虚设部的局部或者全部可以附着到框架200(掩模单元片材部220)上。由此，掩模100和框架200可以形成一体式结构。

图3是根据本发明的一实施例的掩模100的示意图。

掩模100可包括形成有多个掩模图案P的掩模单元C及掩模单元C周边的虚设部DM。可利用轧制工艺、电铸等生成的金属片材制造掩模100，掩模100中可形成有一个单元C。虚设部DM对应于除了单元C以外的掩模膜110[掩模金属膜110]部分，可以只包括掩模膜110或可包括形成有与掩模图案P相似形态的预定的虚设部图案的掩模膜110。虚设部DM对应掩模100的边缘且虚设部DM的局部或者全部可附着在框架200(掩模单元片材部220)上。

掩模图案P的宽度可小于40μm，而且掩模100的厚度可为5-20μm。由于框架200具有多个掩模单元区域CR(CR11～CR56)，因此也可以具有多个包括与各个掩模单元区域CR(CR11～CR56)分别对应的掩模单元C(C11～C 56)的掩模100。此外，具有分别用于支撑后述的多个掩模100的多个模板50。

图4是根据本发明一实施例的通过在模板50上粘合掩模金属膜110来形成掩模100以制造掩模支撑模板的过程的示意图。

参照图4的(a)，可提供模板(template)50。模板50是一种媒介，其一面上附着有掩模100并以支撑掩模100的状态使掩模100移动。中心部50a可对应掩模金属膜110的掩模单元C，边缘部50b可对应掩模金属膜110的虚设部DM。为了能够整体上支撑掩模金属膜110，模板50为面积大于或者等于掩模金属膜110的平板状。

模板50可以使用晶圆、玻璃(glass)、二氧化硅(silica)、耐热玻璃、石英(quartz)、氧化铝(Al₂O₃)、硼硅酸玻璃(borosilicate glass)、氧化锆(zirconia)等材料。作为一示例，模板50可使用硼硅酸玻璃中具有优秀的耐热性、耐化学性、机械强度、透明性等的33的材料。此外，/>33的热膨胀系数约为3.3，与因瓦合金掩模金属膜110的热膨胀系数差异不大，具有便于控制掩模金属膜110的优点。

为了使从模板50的上部照射的激光L能够到达掩模100的焊接部WP(执行焊接的区域)，模板50上可形成有激光通过孔51。激光通过孔51能够以与焊接部WP的位置和数量对应的方式形成在模板50上。由于在掩模100的边缘或者虚设部DM部分上以预定的间隔布置多个焊接部WP，因此与之对应地也可以以预定间隔形成多个激光通过孔51。作为一示例，由于在掩模100的两侧(左侧/右侧)虚设部DM部分上以预定间隔布置多个焊接部WP，因此激光通过孔51也可以在模板50的两侧(左侧/右侧)以预定间隔形成多个。

激光通过孔51的位置和数量不必一定与焊接部WP的位置和数量对应。例如，也可以仅对部分激光通过孔51照射激光L以进行焊接。此外，不与焊接部WP对应的部分激光通过孔51在对准掩模100与模板50时也可作为对准标记而使用。如果模板50的材料对激光L透明，则也可以不形成激光通过孔51。

模板50的一面可形成临时粘合部55。掩模100附着到框架200之前，临时粘合部55可使掩模100(或者掩模金属膜110')临时附着在模板50的一面并支撑在模板50上。

临时粘合部55可使用基于加热可分离的粘合剂或者粘合片材及基于照射UV可分离的粘合剂或者粘合片材。

作为一示例，临时粘合部55可使用液蜡(liquid wax)。液蜡可使用与半导体晶圆的抛光步骤等中使用的相同的蜡，其类型没有特别限制。作为主要用于控制与维持力有关的粘合力、耐冲击性等的树脂成分，液蜡可包括如丙烯酸、醋酸乙烯酯，尼龙及各种聚合物的物质及溶剂。作为一示例，临时粘合部55作为树脂成份可使用丙烯腈-丁二烯橡胶(ABR，Acrylonitrile butadiene rubber)且作为溶剂成份可使用含有n-丙醇的SKYLIQUIDABR-4016。液蜡可以通过旋涂方法形成在临时粘合部55上。

作为液蜡的临时粘合部55在高于85℃-100℃的温度下粘性下降，而在低于85℃的温度下粘性增加，一部分被固化成固体，从而可将掩模金属膜110'与模板50固定粘合。

其次，参照图4的(b)，可以在模板50上粘合掩模金属膜110。可以将液蜡加热到85℃以上，并将掩模金属膜110接触到模板50，之后使掩模金属膜110与模板50通过滚轴之间以进行粘合。

根据一实施例，在约120℃下对模板50执行60秒的烘焙(baking)，从而使临时粘合部55的溶剂气化之后可马上进行掩模金属膜层压(lamination)工艺。层压通过在一面上形成有临时粘合部55的模板50上装载掩模金属膜110并使其通过约100℃的上部滚轴(roll)和约0℃的下部滚轴之间来执行。其结果，掩模金属膜110可通过夹设临时粘合部55与模板50接触。

作为又一示例，临时粘合部55可使用热剥离胶带(thermal release tape)。热剥离胶带可以是中间布置有PET薄膜等芯膜(Core Film)，芯膜的两面布置有可热剥离的粘着层(thermal release adhesive)，且为粘着层的外廓布置有剥离薄膜/离型膜(releasingfilm)的形态。在此，布置于芯膜的两面的粘着层可具有相互不同的可剥离温度。

根据一实施例，在剥离薄膜/离型膜被去除的状态下，热剥离胶带的下部面(芯膜的下部第二粘着层)粘合于薄膜50，热剥离胶带的上部面(芯膜的上部第二粘着层)可粘合在掩模金属膜110'。第一粘着层与第二粘着层的剥离温度互不相同，因此在后面所述的图18中，从掩模100分离模板50时，随着对第一粘着层施加可剥离热量，掩模100可从模板50及临时粘合部55分离出来。

另外，掩模金属膜110可使用一面或者两面经表面缺陷去除工艺和厚度缩减工艺处理的掩模金属膜。掩模金属膜110的厚度可约为5μm至20μm。也可以将掩模金属膜110粘合到模板50上之后再执行表面缺陷去除工艺和厚度缩减工艺。另外，厚度缩减工艺可只针对掩模单元C部分进行。在CMP等表面缺陷去除工艺之后，只在与掩模金属膜的焊接部WP对应的区域形成光刻胶等绝缘部(未图示)，或者在掩模金属膜110被粘合支撑于模板50的状态下，只在与掩模金属膜110的焊接部WP对应的区域形成光刻胶等绝缘部(未图示)之后，对掩模单元C部分进行用于缩减厚度的蚀刻工艺，使焊接部WP较厚地形成并与掩模单元C产生段差，同时用于形成掩模图案P的掩模单元C部分的表面可形成为无缺陷状态。

然后，参照图4的(c)，可以在掩模金属膜110上形成图案化的绝缘部25。绝缘部25可利用打印法等由光刻胶材料形成。

接着，可进行掩模金属膜110的蚀刻。可使用干蚀刻、湿蚀刻等方法，对其没有特别限制，进行蚀刻的结果，在绝缘部25之间的空位置26上露出的掩模金属膜110部分被蚀刻。掩模金属膜110中被蚀刻部分构成掩模图案P，从而可制造形成有多个掩模图案P的掩模100。

然后，参照图4的(d)，可通过去除绝缘部25完成支撑掩模100的模板50的制造。

下面，将对通过在掩模金属膜110上形成掩模图案P来制造掩模100的过程进行说明。

图5是根据现有的掩模制造过程[(a)至(c)]及比较例的掩模的蚀刻程度(d)的示意图。

参照图5，现有的掩模的制造过程仅进行湿蚀刻(wet etching)。

首先，如图5的(a)所示，可以在平面膜110'(sheet)上形成图案化的光刻胶M。然后，如图5的(b)，可通过图案化的光刻胶M之间的空间执行湿蚀刻WE。进行湿蚀刻WE之后，膜110'的部分空间被贯穿，从而可形成掩模图案P'。然后，如果清洗光刻胶M，则可完成形成有掩模图案P'的膜110'即掩模100'的制造。

如图5的(c)所示，现有的掩模100'具有掩模图案P'的尺寸不一定的问题。由于湿蚀刻WE以各向同性进行，因此蚀刻后的形态大概呈现圆弧形状。而且，由于湿蚀刻WE过程中很难使各部分的蚀刻速度保持一致，因此贯穿膜110'之后的贯穿图案的宽度R1'、R1″、R1″′只能各不相同。特别是，在频繁发生底切UC(undercut)的图案中，不仅掩模图案P'的下部宽度R1″形成地较宽，而且上部宽度R2″也会形成地较宽，而较少发生底切UC的图案中下部宽度R1'、R1″′及上部宽度R2'、R2″′相对形成地较窄。

结果，现有的掩模100'存在各个掩模图案P'的尺寸不均匀的问题。就超高画质的OLED而言，目前QHD画质为500-600PPI，像素的尺寸达到约30-50μm，而4KUHD、8KUHD高画质具有比其更高的-860PPI、-1600PPI等的分辨率，因此细微的尺寸差异也有可能导致产品不良。

参照图5的(d)，由于湿蚀刻WE以各向同性进行，因此蚀刻后的形态大概呈现圆弧形状。此外，进行湿蚀刻的过程中，各个部分蚀刻的速度很难完全相同，如果仅通过1次湿蚀刻贯穿掩模金属膜110以形成掩模图案，则其偏差会更大。例如，掩模图案111与掩模图案112的湿蚀刻速度虽不同，但上部宽度(底切)的差异却不是很大。然而，通过形成掩模图案111所贯穿的掩模金属膜110的下部宽度PD1与通过形成掩模图案112所贯穿的掩模金属膜110的下部宽度PD2的差远远大于上部宽度的差。这是由于湿蚀刻以各向同性进行而产生的结果。换而言之，决定像素尺寸的宽度是掩模图案111、112的下部宽度PD1、PD2，而不是上部宽度，因此，可考虑采用不同于1次湿蚀刻的其它湿蚀刻方法控制下部宽度PD1、PD2的方案。

因此，根据本发明的一方面，通过多次湿蚀刻可提高湿蚀刻过程中掩模图案的精准度。

图6至图7是根据本发明一实施例的掩模的制造过程的示意图。

参照图6的(a)，首先可提供作为金属片材的掩模金属膜110。掩模金属膜110可利用轧制工艺、电铸等生成，掩模金属膜110的材料可以是因瓦合金(invar)、超因瓦合金(super invar)、镍(Ni)、镍-钴(Ni-Co)等。

然后，可以在掩模金属膜110的一面(上表面)形成图案化的第2-1绝缘部M1。第2-1绝缘部M1可通过打印法等由光刻胶材料形成。需要说明的是，图6至图7的绝缘部M1、M2及M3作为用于形成掩模图案P的绝缘部，对应于后述的绝缘部25，有别于隔板绝缘部23。

第一绝缘部M1可以是黑色矩阵光刻胶(black matrix photoresist)或者上部形成有金属镀膜的光刻胶材料。此外，第一绝缘部M1的材料可以是不同于后述的第二绝缘部M2或者第三绝缘部M3的光刻胶材料，可优选为环氧树脂系的光刻胶材料。黑色矩阵光刻胶可以是包含黑色矩阵树脂(resin black matrix)的材料，该黑色矩阵树脂(resin blackmatrix)用于形成显示面板的黑色矩阵。黑色矩阵光刻胶的遮光效果会比一般的光刻胶优秀。此外，上部形成有金属镀膜的光刻胶通过金属镀膜遮挡从上部照射的光的遮光效果也较佳。第一绝缘部M1可以是正型(positive type)光刻胶材料。

然后，参照图6的(b)，可以在掩模金属膜110的一面(上表面)上通过湿蚀刻WE1形成预定深度的第一掩模图案P1'。虽然第一掩模图案P1'以未贯穿掩模金属膜110且以大致为圆弧状形成，但是在根据图11说明的本发明中第一掩模图案(对应主蚀刻图案P1-2)的特征是包括孔SN。为了便于说明，对图6进行说明时排除了孔部分。即，除去孔SN以外的第一掩模图案P1'的深度值可小于掩模金属膜110的厚度。

湿蚀刻WE1由于具有各向同性的蚀刻特性，第一掩模图案P1的宽度R2与第一绝缘部M1的图案间的间距R3不同，可具有比第一绝缘部M1的图案间的间距R3更宽的宽度。换而言之，由于在第一绝缘部M1的两侧下部形成底切UC(undercut)，因此第一掩模图案P1'的宽度R2相比于第一绝缘部M1的图案之间的间距R3，可多出形成底切UC的宽度。

然后，参照图6的(c)，可以在掩模金属膜110的一面(上表面)形成第二绝缘部M2。第二绝缘部M2可通过打印法等由光刻胶材料形成。对于第二绝缘部M2，由于其需要保留在后面所述的形成底切UC的空间上，因此优选为正型光刻胶材料。

由于第二绝缘部M2形成于掩模金属膜110的一面(上表面)上，因此一部分形成于第一绝缘部M1上，而另一部分填充到第一掩模图案P1内部。

第二绝缘部M2可使用稀释(dilution)于溶剂中的光刻胶。如果高浓度的光刻胶溶液形成在掩模金属膜110与第一绝缘部M1上，则所述高浓度的光刻胶溶液与第一绝缘部M1的光刻胶反应，从而有可能会使第一绝缘部M1的一部分溶解。因此，为了对第一绝缘部M1不产生影响，第二绝缘部M2可使用通过在溶剂中稀释浓度下降的光刻胶。

然后，参照图7的(d)，可去除第二绝缘部M2的一部分。作为一示例，可通过烘焙(baking)以挥发的形式去除第二绝缘部M2的一部分。第二绝缘部M2的溶剂通过烘焙处理被挥发后只剩下光刻胶成分。因此，第二绝缘部M2'在第一掩模图案P1的露出部分及第一绝缘部M1的表面剩下较薄部分，如涂覆的膜。留下的第二绝缘部M2'的厚度优选为小于数μm左右，从而不会影响第一绝缘部M1的图案宽度R3或者第一掩模图案P1的图案宽度R2。

然后，参照图7的(e)，可以在掩模金属膜110的一面(上表面)上进行曝光L。在第一绝缘部M1的上部进行曝光L时，第一绝缘部M1可起到曝光掩模的作用。由于第一绝缘部M1是黑色矩阵光刻胶(black matrix photoresist)或者上部形成有金属镀膜的光刻胶材料，因此遮光效果优秀。因此，位于第一绝缘部M1的垂直下部的第二绝缘部M2″[参照图7的(f)]不会被曝光L，而其他的第二绝缘部M2'会被曝光L。

然后，参照图7的(f)，如果曝光L后进行显影，则会留下没有被曝光L的第二绝缘部M2″部分，而其他第二绝缘部M2'会被去除。由于第二绝缘部M2'为正型光刻胶，因此曝光L的部分会被去除。第二绝缘部M2″保留的空间能够与在第一绝缘部M1的两侧下部形成底切UC[参照图6的(b)步骤]的空间对应。

然后，参照图7的(g)，在掩模金属膜110的第一掩模图案P1上可进行湿蚀刻WE2。湿蚀刻液可渗透到第一绝缘部M1的图案之间的空间及第一掩模图案P1的空间，从而进行湿蚀刻WE2。第二掩模图案P2可贯穿掩模金属膜110而形成。即，通过从第一掩模图案P1的下端贯穿掩模金属膜110的另一面而形成。

此时，第一掩模图案P1上留下第二绝缘部M2″。留下的第二绝缘部M2″可起到湿蚀刻的掩模的作用。即，第二绝缘部M2″掩蔽(masking)蚀刻液并防止蚀刻液向第一掩模图案P1的侧面方向蚀刻，而是向第一掩模图案P1的下部表面方向进行蚀刻。

由于第二绝缘部M2″布置于第一绝缘部M1的垂直下部的底切UC空间，因此第二绝缘部M2″的图案宽度实质上与第一绝缘部M1的图案宽度R3对应。由此，第二掩模图案P2相当于对第一绝缘部M1的图案之间的间距R3进行湿蚀刻WE2。因此，第二掩模图案P2的宽度R1可小于第一掩模图案P1的宽度R2。

由于第二掩模图案P2的宽度界定像素的宽度，因此第二掩模图案P2的宽度优选小于35μm。如果第二掩模图案P2的厚度过厚，则难以控制第二掩模图案P2的宽度R1，且宽度R1的均匀性下降，掩模图案P的形状整体上有可能不是锥形/倒锥形，因此第二掩模图案P2的厚度优选为小于第一掩模图案P1的厚度。第二掩模图案P2的厚度优选是接近于0，当考虑到像素的尺寸时，例如，第二掩模图案P2的厚度优选约为0.5至3.0μm，更优选为0.5至2.0μm。

相连的第一掩模图案P1与第二掩模图案P2形状的和可构成掩模图案P。

然后，参照图7的(h)，通过去除第一绝缘部M1和第二绝缘部M2″可完成掩模100的制造。第一掩模图案P1、P2包括倾斜的面，而且第二掩模图案P2的高度非常低，因此如果将第一掩模图案P1与第二掩模图案P2的形状加起来，则整体上呈现锥形或者倒锥形。

另外，在图6的(b)与(c)步骤之间，还可进行(b2)和(b3)步骤。

参照图6的(b2)，第一掩模图案P1'中可形成第三绝缘部M3。在第一绝缘部M1之间露出的第一掩模图案P1'的至少一部分上可形成有第三绝缘部M3。例如，在相邻的一对第一绝缘部M1的图案的间隔内，即第一掩模图案P1'上可形成具有宽度R3的第三绝缘部M3。

为了便于曝光，第三绝缘部M3优选使用负型(negative type)光刻胶材料。在第一掩模图案P1'内填充负型光刻胶并对上部进行曝光时，第一绝缘部M1相对于第三绝缘部M3起到曝光掩模的作用，并且可做到只剩下在第一绝缘部M1的图案之间曝光的第三绝缘部M3。此时，如图6的(c)所图示，在第一掩模图案P1'上可形成具有宽度R3的第三缘部M3。

然后，参照图6的(b3)，可进一步对第一掩模图案P1'进行湿蚀刻WE2。由于第一掩模图案P1'的局部为形成有第三绝缘部M3的状态，因此不会进一步向下蚀刻第一掩模图案P1'而是进行侧方向的蚀刻。因此，第一掩模图案P1'的宽度可大于R2(P1'->P1)。

执行图6的(b2)和(b3)步骤的具体理由如下。

如果省略图6的(b2)和(b3)步骤并在形成第一掩模图案P1'之后形成第一掩模图案P2，则会导致很难降低掩模图案P'(P1'、P2)的锥角。基于第一掩模图案P1'的各向同性的蚀刻工艺的特征，侧面很难具有较小的角度(水平面与掩模图案的侧形成的角度)，由于角度超过60°或者接近垂直，即使进行两次湿蚀刻仍然存在角度超过70°的情况。整体上，掩模图案P的侧面与水平面形成的角度只有形成30°至70°左右时，才能够防止阴影效果(ShadowEffect)，如果超出上述角度，则仍然会产生阴影效果，从而导致很难均匀地形成OLED像素。

此外，为了使掩模图案P的表面不粗糙且均匀地形成，湿蚀刻工艺需要在短时间内进行。然而，如果湿蚀刻工艺在短时间内进行，则第一掩模图案P1'侧面角度很难形成小角度。最终，如果为了使第一掩模图案P1'侧面角度形成小角度而延长湿蚀刻工艺的时间，则会出现掩模图案的表面粗糙且形态不均匀的问题。

因此，在第一掩模图案P1'内进一步形成第三绝缘部M3以防止第一掩模图案P1'的下部受到蚀刻，随着朝向第一掩模图案P1'的侧面方向进一步进行湿蚀刻WE3(P1'->P1)，具有可减小第一掩模图案P1的侧面与水平面形成的角度(a1->a2)的效果。由于分两次进行湿蚀刻来形成第一掩模图案P1，因此每次蚀刻工艺无需持续长时间，从而也可使掩模图案P的表面形态均匀地形成。

进一步进行湿蚀刻WE3并形成降低侧面与水平面形成的角度a2的第一掩模图案P1之后，可去除第三绝缘部M3。

图8是根据本发明的一实施例的掩模金属膜110的示意图。

图8的(a)为止的过程与图6的(a)至(b)中说明的过程相同。但，图8的(a)中对第一绝缘部M1的湿蚀刻WE1中蚀刻程度不同的第一掩模图案P1-1与第一掩模图案P1-2进行比较说明。

参照图8的(a)，即使是同样的湿蚀刻WE1-1、WE1-2，根据蚀刻部分不同也会出现度不同的蚀刻程，如第一掩模图案P1-1与第一掩模图案P1-2所示。第一掩模图案P1-1的图案宽度R2-1小于第一掩模图案P1-2的图案宽度R2-2，这种图案宽度R2-1、R2-2的差异将对像素的分辨率带来坏影响。

然后，参照图8的(b)，可以确认的是，执行图6的(c)至图7的(f)中说明的过程之后，第一绝缘部M1的垂直下部空间上可分别形成第二绝缘部M2″-1、M2″-2。根据第一绝缘部M1下部的底切空间的尺寸不同，各个第二绝缘部M2″-1、M2″-2的形成大小会不同。第二绝缘部M2″-1的尺寸虽小于第二绝缘部M2″-2的尺寸，但第二绝缘部M2″-1、M2″-2的图案宽度会相同。各第二绝缘部M2″-1、M2″-2的图案宽度R3可相同，以对应于第一绝缘部M1的图案宽度R3。

然后，参照图8的(c)，将第二绝缘部M2″-1、M2″-2分别作为湿蚀刻的掩模使用并进行湿蚀刻WE2，从而可贯穿掩模金属膜110。其结果，所形成的第二掩模图案P2-1、P2-2的宽度R1-1、R1-2的偏差会明显小于第一掩模图案P1-1、P1-2的宽度R2-1、R2-2的偏差。这是因为以第一掩模图案P1-1、P1-2深度对掩模金属膜110进行第一次湿蚀刻之后再对剩下的掩模金属膜110的厚度进行第二次湿蚀刻，同时进行第二次湿蚀刻的第二绝缘部M2″-1、M2″-2的图案宽度与进行第一次湿蚀刻的第一绝缘部M1的图案宽度实质上相同的缘故。

如上所述，本发明的掩模制造方法通过进行多次湿蚀刻具有可形成所需尺寸的掩模图案P的效果。具体地，随着部分第二绝缘部M2″被保留，形成第二掩模图案P2的湿蚀刻WE2相比于形成第一掩模图案P1的湿蚀刻WE1、WE2，将在更薄的宽度及更薄的厚度上进行，因此具有容易控制第二掩模图案P2的宽度R1的优点。另一方面，由于可通过湿蚀刻形成倾斜面，因此能够形成可防止阴影效果的掩模图案P。

图9是根据本发明一实施例的掩模支撑模板的制造过程的示意图。

本发明可将图6至图7的掩模图案P的形成过程在将掩模金属膜110粘合到模板50上之后进行。图9的(a)、(b)、(c)的过程对应图4的(b)、(c)、(d)过程，因此相同部分的说明将被省略。

参照图9的(a)，掩模金属膜110可通过夹设临时粘合部55粘合到模板上。只是，应该防止蚀刻液进入掩模金属膜110与临时粘合部55的界面使临时粘合部55/模板50损伤从而引起掩模图案P的蚀刻误差。由此，在掩模金属膜110的一面上形成隔板绝缘部23的状态下，可将掩模金属膜110粘合到模板50的上部面。即，可使形成有隔板绝缘部23的掩模金属膜110的面朝向模板50的上部面。掩模金属膜110与模板50可以通过夹设隔板绝缘部23和临时粘合部55相互粘合。

隔板绝缘部23可由不受蚀刻液蚀刻的光刻胶材料通过打印方法等形成于掩模金属膜110上。此外，为了经多次湿蚀刻工艺后仍保持圆形，隔板绝缘部23可包括固化负型光刻胶、含有环氧树脂的负型光刻胶中的至少一个。作为一示例，优选使用环氧树脂系的SU-8光刻胶、黑色矩阵光刻胶(black matrix)，从而使其在临时粘合部55的烘培、第二绝缘部M2的烘培(参照图7的(d))等过程中一并固化。

然后，参照图9的(b)，可以在掩模金属膜110上形成图案化的绝缘部25。绝缘部25对应图5(d)的绝缘部25，或者可对应图6至图7的绝缘部M1、M2及M3。

接着，可进行掩模金属膜110的蚀刻。可使用图4(d)的蚀刻方法或者图6至图7的蚀刻方法形成掩模图案P。

然后，参照图9的(c)，可通过去除绝缘部25完成支撑掩模100的模板50的制造。可制造包括掩模100/隔板绝缘部23/临时粘合部55/模板50的掩模支撑模板。

下面，对制造进一步包括隔板绝缘部23的掩模支撑模板的理由进行更详细的说明。

图10是根据比较例和本发明一实施例的掩模金属膜的蚀刻程度的示意图。

如图6至图7所示，只在掩模金属膜110的一面(例如，上表面)进行蚀刻更为有利。如果在两面同时进行蚀刻，则可能会导致掩模金属膜110厚度不均匀，很难得到期待的掩模图案P的形态。在一面进行湿蚀刻WE，且由于进行多次湿蚀刻，因此蚀刻液***露到掩模金属膜110的另一面(例如，下表面)是非常重要的。

图10(a)是无隔板绝缘部23的情况下掩模金属膜110通过夹设临时粘合部55粘合到模板50上的比较例。如图7的(g)中详述，由于第一掩模图案P1(P1-1、P1-2)的厚度比较厚而且第二掩模图案P2的宽度界定像素的宽度，因此第二掩模图案P2的宽度优选接近0μm。

因此，虽然第一掩模图案P1优选以最大的深度形成，但是即使是同样的湿蚀刻WE1-1、WE1-2，根据蚀刻部位不同，其蚀刻程度也会不同，如第一掩模图案P1-1与第一掩模图案P1-2'所示。而且，通过准确地控制蚀刻WE1-1、WE1-2速度来保留最小厚度是十分困难的工艺。如同图10(a)右侧的第一掩模图案P1-2'，可能会发生形成孔SN程度的蚀刻WE1-2的情况。

这种情况下，下部露出的临时粘合部55也可能会产生由于湿蚀刻WE1-2而受到损伤(55->55')的问题。除了临时粘合部55'，模板50也会受到损伤。

此外，当蚀刻液进入受损的临时粘合部55'与掩模金属膜110的界面之间时WE1-2'，会进一步蚀刻第一掩模图案P1的下部，进而引发图案的尺寸形成过大或者局部不定形缺陷的问题。

因此，如图10的(b)所示，本发明通过在掩模金属膜110与临时粘合部55之间进一步夹设隔板绝缘部23，在第一湿蚀刻WE1(WE1-1、WE1-2)过程中即使第一掩模图案P1-2形成贯通掩模金属膜110的孔SN，仍然能够防止蚀刻液进入掩模金属膜110的下部面。由此，在即将形成孔SN之前、形成孔SN之后，第一掩模图案P1的深度可形成地最深，即使形成孔SN，也能防止蚀刻液进入掩模金属膜110的下部面。

隔板绝缘部23由于包括固化负型光刻胶、含有环氧树脂的负型光刻胶、黑色矩阵光刻胶(black matrix)中至少一个，因此即使执行第一湿蚀刻WE1工艺、第二湿蚀刻WE2、第三湿蚀刻WE3等后续的蚀刻工艺，也能够承受而不会被蚀刻液熔化。由此，即使第一掩模图案P1-2贯穿掩模金属膜110，图案的宽度也不会被扩大，并具有可保持与第2-1绝缘部M1的宽度对应的效果。

此外，如图10的(c)所示，在此基础上，本发明可在第一绝缘部M1的图案之间进一步形成宽度小于第一绝缘部M1宽度的辅助绝缘部M4。如图10的(b)所示，即使第一掩模图案P1-2'以形成孔SN的深度形成，第一掩模图案P1-2'也能够以各向同性蚀刻的形态形成。因此，在隔板绝缘部23和掩模金属膜110的界面部分即掩模金属膜110的下部，可能会发生锥角变大的问题。而且，如果中间形成有穿孔SN，则会加大朝向孔SN侧面的蚀刻程度的同时使孔SN过度地变大，进而会导致掩模图案P的尺寸很难得到控制。

因此，本发明如图10的(c)所示，通过在第一绝缘部M1的图案之间进一步形成有宽度小于第一绝缘部M1的宽度的辅助绝缘部M4，从而使孔SN或者第一掩模图案P1(P1-1，P1-2)的中间部分穿透较晚。辅助绝缘部M4布置于第一绝缘部M1的图案之间，从而可防止蚀刻液从第一绝缘部M1的图案中间进入并以中间为起点进行蚀刻。由此，如图10的(c)中用虚线表示，在(1)左侧第一绝缘部M1与辅助绝缘部M4之间以及(2)辅助绝缘部M4与右侧第一绝缘部M1之间的两处进行蚀刻从而可形成底切。其结果，蚀刻液进入的起点变为辅助绝缘部M4的左/右侧，从而第一掩模图案P1(P1-1，P1-2)相比于图10的(b)的第一掩模图案P1-1'，P1-2'，具有更大宽度的效果。而且，由于以不形成或者较晚地形成孔SN的程度进行蚀刻，因此第一掩模图案P1能够以最大深度形成。

根据一实施例，辅助绝缘部M4对应第一绝缘部M1的形态可形成圆形、多边形等。辅助绝缘部M4的形成过程可与第一绝缘部M1形成过程相同而只有图案尺寸不同。当然，辅助绝缘部M4可采用与第一绝缘部M1相同的材料。

此外，根据一实施例，辅助绝缘部M4还可以与第一绝缘部M1连接。如果辅助绝缘部M4为与第一绝缘部M1不连接的状态，则随着第一掩模图案P1的蚀刻进行，支撑辅助绝缘部M4的掩模金属膜110的部分逐渐消失，从而会导致辅助绝缘部M4漂浮在蚀刻液上。这样会污染蚀刻液，或者作为不良因素妨碍图案蚀刻，因此可以与第一绝缘部M1连接并固定。只是，连接的形态优选形成为远小于辅助绝缘部M3的宽度，例如一半以下宽度的桥(bridge)。

图11是用于对比比较例和根据本发明一实施例的掩模金属膜的蚀刻形态的意图。如果图11的(a1)是根据比较例的第一掩模图案P1-1'的形态，(a2)是根据本发明一实施例的第一掩模图案P1-1形态，则(a1)、(a2)将分别对应图10的(b)、(c)。图11的(b)是将两形态的第一掩模图案P1-1、P1-1'重叠的示意图。

图11的(a1)在需要以最大深度形成第一掩模图案P1-1'时，由于在第一掩模图案P1-1'还没有来得及向侧面形成充分宽度之前各向同性蚀刻向下部进行，从而存在形成孔SN的危险。如果中间形成穿孔SN并进行各向同性蚀刻，则会产生锥角急速变大的问题。而且，SN的尺寸变得过大，则在后续工艺即形成第二绝缘部M2且进行第二次蚀刻WE时，出现蚀刻对象不存在的情况，因此很难形成所需大小及形态的第二掩模图案P2。此外，通过大孔SN流动的蚀刻液WE1-2'还会影响到模板50的临时粘合部55和隔板绝缘部23。

参照图11的(a2)和(b)，对于第一掩模图案P1-1而言，由于蚀刻液进入的起点变为辅助绝缘部M4的左/右侧两处，因此进行各向同性蚀刻的半圆形态[参照图10(c)的虚线)]的直径将会变小。因此，第一掩模图案P1-1向侧面形成更大宽度的同时，可相对容易调整深度，从而能够不形成孔SN或者只留下尽可能薄的厚度。

参照图11的(b)对比比较例和本发明的实施例，可发现本发明的蚀刻轮廓发生变化，第一掩模图案P1-1的蚀刻更深且更宽。第一次蚀刻WE1后第一绝缘部M1图案之间的垂直区域所对应的掩模金属膜110的厚度t1、t2与比较例相比也会减少。因此，经第二次蚀刻WE2之后，能够减少所述厚度t1、t2[step height；SH]所对应的台坎高度(掩模图案下部两侧的掩模厚度)。随着台坎高度的减少，会尽可能地缩减产生阴影效果的高度部分，并具有可容易地调整锥角的效果。

图12是用于显示比较例和根据本发明一实施例的掩模金属膜的蚀刻形态的SEM照片。

将图12(a)的比较例与图12(b)的本发明实施例进行比较，可发现本发明的第一掩模图案P1更深且更宽。可发现，经第一湿蚀刻WE1后，第一掩模图案P1的上部宽度为46.19μm，掩模金属膜110厚度为15.22μm，第一掩模图案P1的下部宽度以25μm为基准的台坎高度t1、t2为3.13μm，3.69μm。

图13是用于显示比较例和根据本发明一实施例的掩模金属膜110的残留厚度、台坎高度t1、t2的曲线图。比较例表示为1，本发明实施例表示为2。

可发现，比较例的台坎平均高度约为3.5μm，相反，本发明的台坎平均高度约为2.7μm，高度变低。对于残残留厚度而言，虽然比较例呈现出更薄，但是经确认这是由于比较例蚀刻到马上形成孔SN的程度，从而比较例的厚度才比本发明更薄。

图14是用于显示根据本发明一实施例的掩模金属膜的残留厚度、台坎高度(Stepheight)、第一绝缘部图案间隔、辅助绝缘部图案间隔的曲线图。第一掩模图案P1的厚度表示为depth，台坎高度表示为SH，第一绝缘部M1图案间隔表示为outer，辅助绝缘部M4图案间隔表示为inner。

参照图14可发现，当第一绝缘部M1的图案之间间隔约为26μm至34μm，辅助绝缘部M4的宽度为12μm至16μm时，台坎高度呈现出薄于4μm。台坎高度可对应在第一掩模图案P1形成工艺之后，第一绝缘部M1图案之间的垂直区域所对应的掩模金属膜110的厚度t1、t2。

图14用四变形表示了第一掩模图案P1以最大的厚度形成，使掩模金属膜110残留较薄厚度的最佳数值区间。当第一绝缘部M1的图案间隔outer为26.5～30.5μm，辅助绝缘部M4的图案间隔inner为14～16μm时，台坎高度SH呈现最低，可知这是该区间的最佳数值。

图15是紧接图11图示制造掩模100的过程的示意图。

参照图15(a)，在形成具有孔SN的第一掩模图案P1之后，可在第一掩模图案P1的侧面形成第二绝缘部M2″[参照图7的(f)]。接着，可在第一掩模图案P1上进行湿蚀刻WE2。

辅助绝缘部M4可在第一掩模图案P1形成后被去除。

湿蚀刻液可浸透第一绝缘部M1图案之间的空间及第一掩模图案P1空间并进行湿蚀刻WE2。形成于第一掩模图案P1内的绝缘部M2″通过遮挡蚀刻液来防止蚀刻液向第一掩模图案P1的侧面方向蚀刻，而是向第一掩模图案P1的下部面方向蚀刻。

参照图15的(b)，第二掩模图案P2能够以贯通掩模金属膜110的方式形成。即，第二掩模图案P2能够以从第一掩模图案P1的下端贯通掩模金属膜110的另一面的方式形成。

此时，第二掩模图案P2可以不同于图7的(g)、(h)图示那样，两侧面不形成凹陷的曲率。第一掩模图案P1中可形成孔SN，或者因掩模金属膜110下部具有隔板绝缘部23，第二掩模图案P2具有如图所示的形状。

第二掩模图案P2如图15的(b)所示的理由说明如下。如果是孔SN已经形成的状态，则SN周围露出的掩模金属膜110的局部厚度十分薄。此外，掩模金属膜110的露出部分相比于未露出部分具有较小的曲率且更接近水平的形状。由此，孔SN周围部分以较薄的厚度进行蚀刻WE2'并被率先去除，随着去除部分的侧面露出，该侧面可被进一步蚀刻。湿蚀刻各向同性地进行，且宽度方向(或者侧面方向)的蚀刻速度大于朝下方向的蚀刻程度的特点[类似于图5的(d)的PD1->PD2]也能够一起发挥作用。

作为其它样态，第二绝缘部M2″并非一定对应于第一绝缘部M1的垂直下部位置，可沿着第一掩模图案P1侧面形成至更靠下的位置。在图7的(e)中进行曝光L时，因第一掩模图案P1的深度，至少不能对通过第一绝缘部M1之间的间隔露出的第二绝缘部M2″的角部进行曝光。因该部分保留导致第二绝缘部M2″以更靠近下部地形成。此外，为了更准确地控制第二掩模图案P2的尺寸，可通过针对性地进行曝光和显影来形成第二绝缘部M2″。接着，可以对从沿着第一掩模图案P1的侧面在更靠下位置形成的第二绝缘部M2″间的间隔露出的掩模金属膜110的局部进行蚀刻WE2。然后第二绝缘部M2″的垂直下部部分的掩模金属膜110因进行各向同性地蚀刻可呈现底切形状。由于第二绝缘部M2″与隔板绝缘部23的间隙小，因此相比于位于第二绝缘部M2″下部的掩模金属膜110的上部或者中间部分，向下部流入更多蚀刻液。因此，位于第二绝缘部M2″下部的掩模金属膜110的底切并不呈现凹状曲率而是呈现具有凸状曲率或者接近于直线的形态。

图16是根据本发明一实施例的掩模的示意图。

参照图16，掩模图案P包括上部的第一掩模图案P1及下部的第二掩模图案P2，且第一掩模图案P1的厚度可大于第二掩模图案P2的厚度。

第一掩模图案P1进行各向同性蚀刻的结果，两侧面形成有凹状曲率。第二掩模图案P2的两侧面不具有凹状曲率而是可呈现具有凸状曲率或者接近于直线的形态。

当然，第一掩模图案P1的上部宽度D1大于第二掩模图案P2的下部宽度D2。此外，第一掩模图案P1的下部宽度D3(或者第二掩模图案P2的上部宽度D3)可小于第二掩模图案P2的下部宽度D2。因此，掩模图案P的侧截面形状可呈现类似于滴落在地面上的水珠状。

连接第一掩模图案P1的上端角部至第一掩模图案P1的下端角部的虚直线与掩模的下部面形成的角度ta可小于60°且超过0，优选小于55°。由于第二掩模图案P2的两侧面具有凸状曲率，因此虚直线应布置为接触第一掩模图案P1的下端角部而非第二掩模图案P2的下端角部。由此，第一掩模图案P1和第二掩模图案P2的形状之和即掩模图案P的形状整体上可呈现锥状或者倒锥状。

下面，对利用制造的掩模支撑模板50将掩模100粘合到框架200上的过程进行说明。

图17是根据本发明一实施例的将模板50装载在框架200上并将掩模100对应到框架200的单元区域CR的状态的示意图。图12中列举了将一个掩模100对应/附着在单元区域CR上的情况，但也可以将多个掩模100同时对应到所有的单元区域CR以使掩模100附着到框架200上。这种情况下，可具有用于分别支撑多个掩模100的多个模板50。

模板50可通过真空吸盘90移送。可以用真空吸盘90吸附粘合有掩模100的模板50的面的相反面并进行移送。真空吸盘90吸附模板50并进行翻转之后，向框架200移送模板50的过程中仍不会影响掩模100的粘合状态和对准状态。

然后，参照图17，可以将掩模100对应至框架200的一个掩模单元区域CR。通过将模板50装载于框架200(或者掩模单元片材部220)上可实现掩模100与掩模单元区域CR的对应。控制模板50/真空吸盘90的位置的同时可通过显微镜观察掩模100是否与掩模单元区域CR对应。由于模板50挤压掩模100，因此掩模100与框架200可紧密地抵接。

另外，框架200下部可以进一步布置下部支撑体70。下部支撑体70可挤压与掩模100接触的掩模单元区域CR的相反面。与此同时，由于下部支撑体70和模板50向相互相反的方向挤压掩模100的边缘和框架200(或者掩模单元片材部220)，因此能够保持掩模100的对准状态且不被打乱。

接下来，可以向掩模100照射激光L并基于激光焊接将掩模100附着到框架200上。被激光焊接的掩模的焊接部部分会生成焊珠WB，焊珠WB可具有与掩模100/框架200相同的材料且与掩模100/框架200连接成一体。

图18是根据本发明一实施例的将掩模100附着到框架200上之后使掩模100与模板50分离的过程的示意图。

参照图18，将掩模100附着到框架200之后，可分离(debonding)掩模100与模板50。通过对临时粘合部55进行加热ET、化学处理CM、施加超声波US、施加紫外线UV中的至少一个，可分离掩模100与模板50。由于掩模100保持附着在框架200的状态，因此可以只抬起模板50。作为一示例，如果施加高于85℃-100℃的温度的热ET，则临时粘合部55的粘性降低，掩模100与模板50的粘合力减弱，从而可分离掩模100与模板50。作为另一示例，通过利用将临时粘合部55沉浸CM在IPA、丙酮、乙醇等化学物质中以使临时粘合部55溶化、去除等的方式，可使掩模100与模板50分离。作为另一示例，通过施加超声波US或者施加紫外线UV使掩模100与模板50的粘合力减弱，从而可分离掩模100与模板50。

图19是根据本发明一实施例的将掩模100附着到框架200上并将绝缘部23去除的状态的示意图。图19示出了将所有掩模100附着到框架200的单元区域CR的状态。虽然可一一附着掩模100之后再分离模板50，但也可将所有掩模100附着之后再分离所有模板50。

模板50通过真空吸盘90从掩模100分离，掩模100上表面将保留有隔板绝缘部23。如果隔板绝缘部23为固化光刻胶，则很难通过湿蚀刻工艺去除。因此，为了去除掩模100上的隔板绝缘部23，可施加等离子体PS、紫外线UV中的至少一个。可进行将框架一体型掩模100、200装载到另外的腔室(未图示)后通过施加大气压等离子体或者真空等离子体PS或者紫外线UV只去除隔板绝缘部23的工艺。

如上，本发明能够使第一掩模图案P1以最大的深度形成的同时使台坎以最薄的厚度保留，因此具有在最终形成掩模图案P时能够更精密地控制尺寸和位置的效果。此外，通过使用包括掩模金属膜110/隔板绝缘部23/临时粘合部55/模板50的掩模支撑模板，具有可防止在湿蚀刻工艺中因蚀刻液的渗透/泄漏导致的误差的效果。

如上所述，本发明虽然参考附图对优选实施例进行了说明，但是本发明不受所述实施例限制，在不超出本发明精神的情况下本发明所属技术领域的普通技术人员可对其进行各种变形和变更。所述变形例和变更例应视为皆属于本发明及附上的权利要求书的范围。

Claims (10)

1.一种掩模的制造方法，包括：

(a)在掩模金属膜的一面上形成图案化的第一绝缘部的步骤；

(b)在掩模金属膜的一面利用湿蚀刻以预定深度形成第一掩模图案的步骤；

(c)至少在位于第一绝缘部的垂直下部的第一掩模图案内形成第二绝缘部的步骤；

(d)在掩模金属膜的一面利用湿蚀刻形成从第一掩模图案贯通掩模金属膜的另一面的第二掩模图案的步骤；

在步骤(a)中，在第一绝缘部图案之间进一步形成宽度小于第一绝缘部宽度的辅助绝缘部，在步骤(b)中进行湿蚀刻时，在第一绝缘部与辅助绝缘部之间发生蚀刻引起的底切，通过底切的合并，从而形成第一掩模图案，

步骤(b)的湿蚀刻和步骤(d)的湿蚀刻在掩模金属膜的同一面上进行。

2.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，在步骤(b)中，对第一绝缘部与辅助绝缘部之间露出的掩模金属膜进行湿蚀刻。

3.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，当第一绝缘部的图案之间的间隔为26μm至34μm且辅助绝缘部的宽度为12μm至16μm时，步骤(b)之后的第一绝缘部图案之间的垂直区域所对应的掩模金属膜的厚度至少小于4μm且超过0。

4.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，步骤(c)包括：

(c1)至少在第一掩模图案内填充第二绝缘部的步骤；

(c2)利用烘焙挥发掉第二绝缘部的至少一部分的步骤；

(c3)在第一绝缘部的上部进行曝光，并只留下位于第一绝缘部的垂直下部的第二绝缘部的步骤。

5.如权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，在步骤(d)之后，第一掩模图案的厚度大于第二掩模图案的厚度，第一掩模图案的上部宽度大于第二掩模图案的下部宽度，第一掩模图案的下部宽度小于第二掩模图案的下部宽度。

6.如权利要求5所述的掩模的制造方法，其中，第一掩模图案的两侧面形成为具有凹陷的曲率，第二掩模图案的两侧面形成为具有凸状曲率。

7.一种掩模支撑模板的制造方法，包括：

(a)将掩模金属膜粘合在模板上部面的步骤；

(b)将掩模图案形成于掩模金属膜并制造掩模的步骤；

步骤(b)包括：

(b1)在掩模金属膜的一面上形成图案化的第一绝缘部的步骤；

(b2)在掩模金属膜的一面利用湿蚀刻以预定的深度形成第一掩模图案的步骤；

(b3)至少在位于第一绝缘部的垂直下部的第一掩模图案内形成第二绝缘部的步骤；

(b4)在掩模金属膜的一面利用湿蚀刻形成从第一掩模图案贯通掩模金属膜的另一面的第二掩模图案的步骤；

在步骤(b1)中，在第一绝缘部图案之间进一步形成宽度小于第一绝缘部宽度的辅助绝缘部，在步骤(b2)中进行湿蚀刻时，在第一绝缘部与辅助绝缘部之间发生蚀刻引起的底切，通过底切的合并，从而形成第一掩模图案，

步骤(b2)的湿蚀刻和步骤(b4)的湿蚀刻在掩模金属膜的同一面上进行。

8.如权利要求7所述的掩模支撑模板的制造方法，其中，在步骤(a)中，掩模金属膜通过夹设隔板绝缘部和临时粘合部粘合于模板上部面。

9.如权利要求7所述的掩模支撑模板的制造方法，其中，隔板绝缘部包括固化负型光刻胶、含有环氧树脂的负型光刻胶中至少一个。

10.一种框架一体型掩模的制造方法，该框架一体型掩模由至少一个掩模及用于支撑掩模的框架一体形成，所述方法包括：

(a)将掩模金属膜粘合在模板上部面的步骤；

(b)将掩模图案形成于掩模金属膜并制造掩模的步骤；

(c)将模板装载到具有至少一个掩模单元区域的框架上，以使掩模对应到框架的掩模单元区域的步骤；以及

(d)将掩模附着到框架的步骤，

步骤(b)包括：

(b1)在掩模金属膜的一面上形成图案化的第一绝缘部的步骤；

(b2)在掩模金属膜的一面利用湿蚀刻以预定的深度形成第一掩模图案的步骤；

(b3)至少在位于第一绝缘部的垂直下部的第一掩模图案内形成第二绝缘部的步骤；

(b4)在掩模金属膜的一面利用湿蚀刻形成从第一掩模图案贯通掩模金属膜的另一面的第二掩模图案的步骤；

在步骤(b1)中，在第一绝缘部图案之间进一步形成宽度小于第一绝缘部宽度的辅助绝缘部，在步骤(b2)中进行湿蚀刻时，在第一绝缘部与辅助绝缘部之间发生蚀刻引起的底切，通过底切的合并，从而形成第一掩模图案，

步骤(b2)的湿蚀刻和步骤(b4)的湿蚀刻在掩模金属膜的同一面上进行。