CN113683115A - 一种5g信号传输用半导体材料的制备方法 - Google Patents

一种5g信号传输用半导体材料的制备方法 Download PDF

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CN113683115A CN202111022256.9A CN202111022256A CN113683115A CN 113683115 A CN113683115 A CN 113683115A CN 202111022256 A CN202111022256 A CN 202111022256A CN 113683115 A CN113683115 A CN 113683115A
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张恩来
赵一静
刘乐华
刘燕
赵宁
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    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G3/00Compounds of copper
    • C01G3/02Oxides; Hydroxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity

Abstract

本发明公开了一种5G信号传输用半导体材料的制备方法,具体涉及半导体制备技术领域,具体包括以下步骤:步骤一:原材料准备,步骤二:反应装置准备,步骤三:制备溶剂,步骤四:半成品制备,步骤五:过滤,步骤六:研磨,步骤七:纯化。本发明通过在现有的氧化亚铜的制备流程中加入半导体有机物,在不改变无机半导体机械性能的基础上,增加了有机物的性质,添加的聚丙烯腈和酞菁,使氧化亚铜表面吸附了部分具有苯环性质的物质,并且增加了羟基,使本混合物晶体在氧化亚铜的机械性能和半导体性能上,增强了疏水性,延长半导体材料的使用寿命。

Description

一种5G信号传输用半导体材料的制备方法
技术领域
本发明涉及半导体制备技术领域,更具体地说,本发明涉及一种5G信号传输用半导体材料的制备方法。
背景技术
5G网络即第五代移动通信网络(5th generation mobile networks或5thgeneration wireless systems,简称:5G),是最新一代蜂窝移动通信技术。其性能目标是高数据速率、减少延迟、节省能源、降低成本、提高***容量和大规模设备连接。运用5G技术,不可避免的涉及到半导体材料,而氧化亚铜具有相当的半导体性质,氧化亚铜是一价铜的氧化物,鲜红色粉末状固体,几乎不溶于水,在酸性溶液中歧化为二价铜和铜单质,在湿空气中逐渐氧化成黑色氧化铜。
实际运用氧化铜作为半导体材料时,由于氧化亚铜的环境适应性较差,比如不能很好的防水,疏水性较差等。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺陷,本发明的实施例提供一种5G信号传输用半导体材料的制备方法,通过在现有的氧化亚铜的制备流程中加入半导体有机物,在不改变无机半导体机械性能的基础上,增加了有机物的性质,添加的聚丙烯腈和酞菁,使氧化亚铜表面吸附了部分具有苯环性质的物质,并且增加了羟基,使本混合物晶体在氧化亚铜的机械性能和半导体性能上,增强了疏水性,延长半导体材料的使用寿命。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种5G信号传输用半导体材料的制备方法,具体包括以下步骤:
步骤一:原材料准备,去离子水足量、甲苯、N-二甲基甲酰胺、氢氧化钠溶液、聚丙烯腈、酞菁、CuSO4溶液、FeSO4溶液、乙二醇和无水乙醇;
步骤二:反应装置准备,根据使用规格选择合适的玛瑙研磨釜、反应釜、烘干箱和离心机,将所需装置洗净之后烘干备用;
步骤三:制备溶剂,将甲苯、N-二甲基甲酰胺按照摩尔比1:1均匀混合并置于反应釜中,作为后续步骤的反应溶剂;
步骤四:半成品制备,先向反应釜内的溶剂中加入氢氧化钠溶液,使反应溶剂呈碱性,之后将聚丙烯腈与酞菁按照1:1—1:1.5的摩尔比例均匀加入呈碱性的有机溶剂中,之后将按比例混合好的CuSO4和FeSO4混合物溶液注入反应溶剂中,密封反应30—60分钟,同时反应釜震荡,使反应溶液中分成的沉淀均匀分散在混合物中;
步骤五:过滤,将反应得到的沉淀剥离,使用去离子水多次冲洗,并进行过滤,得到氢氧化铜、氢氧化亚铁和氢氧化铁的混合物;
步骤六:研磨,将步骤五得到的混合物置入研磨釜中不断研磨,使该混合物接触更加充分,研磨60—120分钟,至研磨釜内全部混合物颜色完全转变为黑色,得到物料A,将得到的物料A用去离子水多次清洗,并进行过滤,收集不溶于水的固体,并置于烘干箱中烘干,之后进一步细磨,得到半成品粉末;
步骤七:纯化,将步骤六得到的半成品粉末溶解于乙二醇中,然后该溶液置入加热釜中升温加热至150-170摄氏度,保温30—40分钟,再将混合溶液自然冷却至室温,之后,将加热并冷却的混合物溶液置于离心机中,控制离心机速率为10000rpm—15000rpm,保持离心转速充分离心5min—10min,分离出红色固体,将分离出的红色固体用无水乙醇和去离子水各洗2次,最后一遍用无水乙醇洗涤,洗涤完成后置于烘干箱中烘干,得到纯化氧化亚铜晶体。
在一个优选地实施方式中,所述步骤四中氢氧化钠溶液与聚丙烯腈和酞菁的混合物的摩尔比为20:1—50:1,所述硫酸铜溶液与硫酸亚铁溶液的混合物中两者摩尔比为1:10。
在一个优选地实施方式中,所述步骤四混合物先出现白色沉淀,一段时间后白色沉淀转化为红褐色,最后转化成灰绿色沉淀。
在一个优选地实施方式中,所述步骤六中物料A烘干时的温度为60—100摄氏度,并保持烘干温度1—5小时,烘干后的物料A经过细磨得到的半成品粉末的细度为500—1000目,细磨时间控制为30—60分钟。
在一个优选地实施方式中,所述步骤七中红色固体清洗方式为:先用无水乙醇清洗一次,烘干后用去离子水清洗一次,接着再烘干,然后继续用无水乙醇清洗,之后再烘干并用去离子水清洗,烘干后,再用无水乙醇清洗最后一遍。
在一个优选地实施方式中,所述步骤七中用来烘干被无水乙醇清洗的红色固体的烘干箱烘干温度为80—90摄氏度。
本发明的技术效果和优点:
1、本发明通过在现有的氧化亚铜的制备流程中加入半导体有机物,在不改变无机半导体机械性能的基础上,增加了有机物的性质,添加的聚丙烯腈和酞菁,使氧化亚铜表面吸附了部分具有苯环性质的物质,并且增加了羟基,使本混合物晶体在氧化亚铜的机械性能和半导体性能上,增强了疏水性,延长半导体材料的使用寿命;
2、并且制得的半导体材料在使用过程中材料的成品率较高,半导体晶体颗粒细度较小,便于制造成各种规格的元件,本工艺制备得到的半导体热敏性较高,随着温度不断上升,导电性能越发增强,工艺简单,设备要求低,可操作性强,具有良好的社会推广应用。
具体实施方式
下面将结合本发明中的实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1:
本发明提供了一种5G信号传输用半导体材料的制备方法,具体包括以下步骤:
步骤一:原材料准备,去离子水足量、甲苯、N-二甲基甲酰胺、氢氧化钠溶液、聚丙烯腈、酞菁、CuSO4溶液、FeSO4溶液、乙二醇和无水乙醇;
步骤二:反应装置准备,根据使用规格选择合适的玛瑙研磨釜、反应釜、烘干箱和离心机,将所需装置洗净之后烘干备用;
步骤三:制备溶剂,将甲苯、N-二甲基甲酰胺按照摩尔比1:1均匀混合并置于反应釜中,作为后续步骤的反应溶剂;
步骤四:半成品制备,先向反应釜内的溶剂中加入氢氧化钠溶液,使反应溶剂呈碱性,之后将聚丙烯腈与酞菁按照1:1的摩尔比例均匀加入呈碱性的有机溶剂中,之后将按比例混合好的CuSO4和FeSO4混合物溶液注入反应溶剂中,密封反应30分钟,先出现白色沉淀,一段时间后白色沉淀转化为红褐色,最后转化成灰绿色沉淀,同时反应釜震荡,使反应溶液中分成的沉淀均匀分散在混合物中,其中氢氧化钠溶液与聚丙烯腈和酞菁的混合物的摩尔比为20:1,所述硫酸铜溶液与硫酸亚铁溶液的混合物中两者摩尔比为1:10;
步骤五:过滤,将反应得到的沉淀剥离,使用去离子水多次冲洗,并进行过滤,得到氢氧化铜、氢氧化亚铁和氢氧化铁的混合物;
步骤六:研磨,将步骤五得到的混合物置入研磨釜中不断研磨,使该混合物接触更加充分,研磨60分钟,至研磨釜内全部混合物颜色完全转变为黑色,得到物料A,将得到的物料A用去离子水多次清洗,并进行过滤,收集不溶于水的固体,并置于烘干箱中烘干,烘干时的温度为60摄氏度,并保持烘干温度1小时,烘干后的物料A经过细磨,使细度为500目,细磨时间控制为30分钟,得到半成品粉末;
步骤七:纯化,将步骤六得到的半成品粉末溶解于乙二醇中,然后该溶液置入加热釜中升温加热至150摄氏度,保温30分钟,再将混合溶液自然冷却至室温,之后,将加热并冷却的混合物溶液置于离心机中,控制离心机速率为10000rpm,保持离心转速充分离心5min,分离出红色固体,将分离出的红色固体进行清洗,先用无水乙醇清洗一次,烘干后用去离子水清洗一次,接着再烘干,然后继续用无水乙醇清洗,之后再烘干并用去离子水清洗,烘干后,再用无水乙醇清洗最后一遍,洗涤完成后置于烘干箱中烘干,并且用来烘干被无水乙醇清洗的红色固体的烘干箱烘干温度为80摄氏度,最终得到纯化氧化亚铜晶体。
实施例2:
本发明提供了一种5G信号传输用半导体材料的制备方法,具体包括以下步骤:
步骤一:原材料准备,去离子水足量、甲苯、N-二甲基甲酰胺、氢氧化钠溶液、聚丙烯腈、酞菁、CuSO4溶液、FeSO4溶液、乙二醇和无水乙醇;
步骤二:反应装置准备,根据使用规格选择合适的玛瑙研磨釜、反应釜、烘干箱和离心机,将所需装置洗净之后烘干备用;
步骤三:制备溶剂,将甲苯、N-二甲基甲酰胺按照摩尔比1:1均匀混合并置于反应釜中,作为后续步骤的反应溶剂;
步骤四:半成品制备,先向反应釜内的溶剂中加入氢氧化钠溶液,使反应溶剂呈碱性,之后将聚丙烯腈与酞菁按照1:1.2的摩尔比例均匀加入呈碱性的有机溶剂中,之后将按比例混合好的CuSO4和FeSO4混合物溶液注入反应溶剂中,密封反应40分钟,先出现白色沉淀,一段时间后白色沉淀转化为红褐色,最后转化成灰绿色沉淀,同时反应釜震荡,使反应溶液中分成的沉淀均匀分散在混合物中,其中氢氧化钠溶液与聚丙烯腈和酞菁的混合物的摩尔比为30:1,所述硫酸铜溶液与硫酸亚铁溶液的混合物中两者摩尔比为1:10;
步骤五:过滤,将反应得到的沉淀剥离,使用去离子水多次冲洗,并进行过滤,得到氢氧化铜、氢氧化亚铁和氢氧化铁的混合物;
步骤六:研磨,将步骤五得到的混合物置入研磨釜中不断研磨,使该混合物接触更加充分,研磨70分钟,至研磨釜内全部混合物颜色完全转变为黑色,得到物料A,将得到的物料A用去离子水多次清洗,并进行过滤,收集不溶于水的固体,并置于烘干箱中烘干,烘干时的温度为70摄氏度,并保持烘干温度2小时,烘干后的物料A经过细磨,使细度为600目,细磨时间控制为40分钟,得到半成品粉末;
步骤七:纯化,将步骤六得到的半成品粉末溶解于乙二醇中,然后该溶液置入加热釜中升温加热至155摄氏度,保温32分钟,再将混合溶液自然冷却至室温,之后,将加热并冷却的混合物溶液置于离心机中,控制离心机速率为11000rpm,保持离心转速充分离心6min,分离出红色固体,将分离出的红色固体进行清洗,先用无水乙醇清洗一次,烘干后用去离子水清洗一次,接着再烘干,然后继续用无水乙醇清洗,之后再烘干并用去离子水清洗,烘干后,再用无水乙醇清洗最后一遍,洗涤完成后置于烘干箱中烘干,并且用来烘干被无水乙醇清洗的红色固体的烘干箱烘干温度为82摄氏度,最终得到纯化氧化亚铜晶体。
实施例3:
本发明提供了一种5G信号传输用半导体材料的制备方法,具体包括以下步骤:
步骤一:原材料准备,去离子水足量、甲苯、N-二甲基甲酰胺、氢氧化钠溶液、聚丙烯腈、酞菁、CuSO4溶液、FeSO4溶液、乙二醇和无水乙醇;
步骤二:反应装置准备,根据使用规格选择合适的玛瑙研磨釜、反应釜、烘干箱和离心机,将所需装置洗净之后烘干备用;
步骤三:制备溶剂,将甲苯、N-二甲基甲酰胺按照摩尔比1:1均匀混合并置于反应釜中,作为后续步骤的反应溶剂;
步骤四:半成品制备,先向反应釜内的溶剂中加入氢氧化钠溶液,使反应溶剂呈碱性,之后将聚丙烯腈与酞菁按照1:1.2的摩尔比例均匀加入呈碱性的有机溶剂中,之后将按比例混合好的CuSO4和FeSO4混合物溶液注入反应溶剂中,密封反应50分钟,先出现白色沉淀,一段时间后白色沉淀转化为红褐色,最后转化成灰绿色沉淀,同时反应釜震荡,使反应溶液中分成的沉淀均匀分散在混合物中,其中氢氧化钠溶液与聚丙烯腈和酞菁的混合物的摩尔比为40:1,所述硫酸铜溶液与硫酸亚铁溶液的混合物中两者摩尔比为1:10;
步骤五:过滤,将反应得到的沉淀剥离,使用去离子水多次冲洗,并进行过滤,得到氢氧化铜、氢氧化亚铁和氢氧化铁的混合物;
步骤六:研磨,将步骤五得到的混合物置入研磨釜中不断研磨,使该混合物接触更加充分,研磨90分钟,至研磨釜内全部混合物颜色完全转变为黑色,得到物料A,将得到的物料A用去离子水多次清洗,并进行过滤,收集不溶于水的固体,并置于烘干箱中烘干,烘干时的温度为80摄氏度,并保持烘干温度3小时,烘干后的物料A经过细磨,使细度为700目,细磨时间控制为50分钟,得到半成品粉末;
步骤七:纯化,将步骤六得到的半成品粉末溶解于乙二醇中,然后该溶液置入加热釜中升温加热至160摄氏度,保温35分钟,再将混合溶液自然冷却至室温,之后,将加热并冷却的混合物溶液置于离心机中,控制离心机速率为12000rpm,保持离心转速充分离心8min,分离出红色固体,将分离出的红色固体进行清洗,先用无水乙醇清洗一次,烘干后用去离子水清洗一次,接着再烘干,然后继续用无水乙醇清洗,之后再烘干并用去离子水清洗,烘干后,再用无水乙醇清洗最后一遍,洗涤完成后置于烘干箱中烘干,并且用来烘干被无水乙醇清洗的红色固体的烘干箱烘干温度为85摄氏度,最终得到纯化氧化亚铜晶体。
实施例4:
本发明提供了一种5G信号传输用半导体材料的制备方法,具体包括以下步骤:
步骤一:原材料准备,去离子水足量、甲苯、N-二甲基甲酰胺、氢氧化钠溶液、聚丙烯腈、酞菁、CuSO4溶液、FeSO4溶液、乙二醇和无水乙醇;
步骤二:反应装置准备,根据使用规格选择合适的玛瑙研磨釜、反应釜、烘干箱和离心机,将所需装置洗净之后烘干备用;
步骤三:制备溶剂,将甲苯、N-二甲基甲酰胺按照摩尔比1:1均匀混合并置于反应釜中,作为后续步骤的反应溶剂;
步骤四:半成品制备,先向反应釜内的溶剂中加入氢氧化钠溶液,使反应溶剂呈碱性,之后将聚丙烯腈与酞菁按照1:1.4的摩尔比例均匀加入呈碱性的有机溶剂中,之后将按比例混合好的CuSO4和FeSO4混合物溶液注入反应溶剂中,密封反应55分钟,先出现白色沉淀,一段时间后白色沉淀转化为红褐色,最后转化成灰绿色沉淀,同时反应釜震荡,使反应溶液中分成的沉淀均匀分散在混合物中,其中氢氧化钠溶液与聚丙烯腈和酞菁的混合物的摩尔比为45:1,所述硫酸铜溶液与硫酸亚铁溶液的混合物中两者摩尔比为1:10;
步骤五:过滤,将反应得到的沉淀剥离,使用去离子水多次冲洗,并进行过滤,得到氢氧化铜、氢氧化亚铁和氢氧化铁的混合物;
步骤六:研磨,将步骤五得到的混合物置入研磨釜中不断研磨,使该混合物接触更加充分,研磨110分钟,至研磨釜内全部混合物颜色完全转变为黑色,得到物料A,将得到的物料A用去离子水多次清洗,并进行过滤,收集不溶于水的固体,并置于烘干箱中烘干,烘干时的温度为90摄氏度,并保持烘干温度4小时,烘干后的物料A经过细磨,使细度为900目,细磨时间控制为55分钟,得到半成品粉末;
步骤七:纯化,将步骤六得到的半成品粉末溶解于乙二醇中,然后该溶液置入加热釜中升温加热至165摄氏度,保温38分钟,再将混合溶液自然冷却至室温,之后,将加热并冷却的混合物溶液置于离心机中,控制离心机速率为14000rpm,保持离心转速充分离心9min,分离出红色固体,将分离出的红色固体进行清洗,先用无水乙醇清洗一次,烘干后用去离子水清洗一次,接着再烘干,然后继续用无水乙醇清洗,之后再烘干并用去离子水清洗,烘干后,再用无水乙醇清洗最后一遍,洗涤完成后置于烘干箱中烘干,并且用来烘干被无水乙醇清洗的红色固体的烘干箱烘干温度为88摄氏度,最终得到纯化氧化亚铜晶体。
实施例5:
本发明提供了一种5G信号传输用半导体材料的制备方法,具体包括以下步骤:
步骤一:原材料准备,去离子水足量、甲苯、N-二甲基甲酰胺、氢氧化钠溶液、聚丙烯腈、酞菁、CuSO4溶液、FeSO4溶液、乙二醇和无水乙醇;
步骤二:反应装置准备,根据使用规格选择合适的玛瑙研磨釜、反应釜、烘干箱和离心机,将所需装置洗净之后烘干备用;
步骤三:制备溶剂,将甲苯、N-二甲基甲酰胺按照摩尔比1:1均匀混合并置于反应釜中,作为后续步骤的反应溶剂;
步骤四:半成品制备,先向反应釜内的溶剂中加入氢氧化钠溶液,使反应溶剂呈碱性,之后将聚丙烯腈与酞菁按照1:1.5的摩尔比例均匀加入呈碱性的有机溶剂中,之后将按比例混合好的CuSO4和FeSO4混合物溶液注入反应溶剂中,密封反应60分钟,先出现白色沉淀,一段时间后白色沉淀转化为红褐色,最后转化成灰绿色沉淀,同时反应釜震荡,使反应溶液中分成的沉淀均匀分散在混合物中,其中氢氧化钠溶液与聚丙烯腈和酞菁的混合物的摩尔比为50:1,所述硫酸铜溶液与硫酸亚铁溶液的混合物中两者摩尔比为1:10;
步骤五:过滤,将反应得到的沉淀剥离,使用去离子水多次冲洗,并进行过滤,得到氢氧化铜、氢氧化亚铁和氢氧化铁的混合物;
步骤六:研磨,将步骤五得到的混合物置入研磨釜中不断研磨,使该混合物接触更加充分,研磨120分钟,至研磨釜内全部混合物颜色完全转变为黑色,得到物料A,将得到的物料A用去离子水多次清洗,并进行过滤,收集不溶于水的固体,并置于烘干箱中烘干,烘干时的温度为100摄氏度,并保持烘干温度5小时,烘干后的物料A经过细磨,使细度为1000目,细磨时间控制为60分钟,得到半成品粉末;
步骤七:纯化,将步骤六得到的半成品粉末溶解于乙二醇中,然后该溶液置入加热釜中升温加热至170摄氏度,保温40分钟,再将混合溶液自然冷却至室温,之后,将加热并冷却的混合物溶液置于离心机中,控制离心机速率为15000rpm,保持离心转速充分离心10min,分离出红色固体,将分离出的红色固体进行清洗,先用无水乙醇清洗一次,烘干后用去离子水清洗一次,接着再烘干,然后继续用无水乙醇清洗,之后再烘干并用去离子水清洗,烘干后,再用无水乙醇清洗最后一遍,洗涤完成后置于烘干箱中烘干,并且用来烘干被无水乙醇清洗的红色固体的烘干箱烘干温度为90摄氏度,最终得到纯化氧化亚铜晶体。
通过以上五组实施例可以得到五种半导体材料,将这五种半导体材料分别进行性能测试,其中实施例3中半导体材料的性能最好,价值最高,在测试的过程中,获得的各项参数对比如下表:
热敏性 晶体颗粒(目) 材料成品率
实施例1 500 97.6%
实施例2 600 97.8%
实施例3 700 97.9%
实施例4 900 98.1%
实施例5 1000 97.8%
由上表可知,实施例4中原料配合比例适中,本发明通过在现有的氧化亚铜的制备流程中加入半导体有机物,在不改变无机半导体机械性能的基础上,增加了有机物的性质,添加的聚丙烯腈和酞菁,使氧化亚铜表面吸附了部分具有苯环性质的物质,并且增加了羟基,使本混合物晶体在氧化亚铜的机械性能和半导体性能上,增强了疏水性,延长半导体材料的使用寿命,并且制得的半导体材料在使用过程中材料的成品率较高,半导体晶体颗粒细度较小,便于制造成各种规格的元件,本工艺制备得到的半导体热敏性较高,随着温度不断上升,导电性能越发增强,工艺简单,设备要求低,可操作性强,具有良好的社会推广应用。
最后:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种5G信号传输用半导体材料的制备方法,其特征在于:具体包括以下步骤:
步骤一:原材料准备,去离子水足量、甲苯、N-二甲基甲酰胺、氢氧化钠溶液、聚丙烯腈、酞菁、CuSO4溶液、FeSO4溶液、乙二醇和无水乙醇;
步骤二:反应装置准备,根据使用规格选择合适的玛瑙研磨釜、反应釜、烘干箱和离心机,将所需装置洗净之后烘干备用;
步骤三:制备溶剂,将甲苯、N-二甲基甲酰胺按照摩尔比1:1均匀混合并置于反应釜中,作为后续步骤的反应溶剂;
步骤四:半成品制备,先向反应釜内的溶剂中加入氢氧化钠溶液,使反应溶剂呈碱性,之后将聚丙烯腈与酞菁按照1:1—1:1.5的摩尔比例均匀加入呈碱性的有机溶剂中,之后将按比例混合好的CuSO4和FeSO4混合物溶液注入反应溶剂中,密封反应30—60分钟,同时反应釜震荡,使反应溶液中分成的沉淀均匀分散在混合物中;
步骤五:过滤,将反应得到的沉淀剥离,使用去离子水多次冲洗,并进行过滤,得到氢氧化铜、氢氧化亚铁和氢氧化铁的混合物;
步骤六:研磨,将步骤五得到的混合物置入研磨釜中不断研磨,使该混合物接触更加充分,研磨60—120分钟,至研磨釜内全部混合物颜色完全转变为黑色,得到物料A,将得到的物料A用去离子水多次清洗,并进行过滤,收集不溶于水的固体,并置于烘干箱中烘干,之后进一步细磨,得到半成品粉末;
步骤七:纯化,将步骤六得到的半成品粉末溶解于乙二醇中,然后该溶液置入加热釜中升温加热至150-170摄氏度,保温30—40分钟,再将混合溶液自然冷却至室温,之后,将加热并冷却的混合物溶液置于离心机中,控制离心机速率为10000rpm—15000rpm,保持离心转速充分离心5min—10min,分离出红色固体,将分离出的红色固体用无水乙醇和去离子水各洗2次,最后一遍用无水乙醇洗涤,洗涤完成后置于烘干箱中烘干,得到纯化氧化亚铜晶体。
2.根据权利要求1所述的一种5G信号传输用半导体材料的制备方法,其特征在于:所述步骤四中氢氧化钠溶液与聚丙烯腈和酞菁的混合物的摩尔比为20:1—50:1,所述硫酸铜溶液与硫酸亚铁溶液的混合物中两者摩尔比为1:10。
3.根据权利要求1所述的一种5G信号传输用半导体材料的制备方法,其特征在于:所述步骤四混合物先出现白色沉淀,一段时间后白色沉淀转化为红褐色,最后转化成灰绿色沉淀。
4.根据权利要求1所述的一种5G信号传输用半导体材料的制备方法,其特征在于:所述步骤六中物料A烘干时的温度为60—100摄氏度,并保持烘干温度1—5小时,烘干后的物料A经过细磨得到的半成品粉末的细度为500—1000目,细磨时间控制为30—60分钟。
5.根据权利要求1所述的一种5G信号传输用半导体材料的制备方法,其特征在于:所述步骤七中红色固体清洗方式为:先用无水乙醇清洗一次,烘干后用去离子水清洗一次,接着再烘干,然后继续用无水乙醇清洗,之后再烘干并用去离子水清洗,烘干后,再用无水乙醇清洗最后一遍。
6.根据权利要求5所述的一种5G信号传输用半导体材料的制备方法,其特征在于:所述步骤七中用来烘干被无水乙醇清洗的红色固体的烘干箱烘干温度为80—90摄氏度。
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