CN113678265B - 太阳能电池的制造方法、半成品太阳能电池基板及太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种与现有技术相比易于大量生产且成品率良好的太阳能电池的制造方法、半成品太阳能电池基板和太阳能电池。该方法包含：在半导体基板(5)的第1主面侧上形成逆导电型半导体层(16)的第1半导体层形成工序，在逆导电型半导体层(16)上形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层(50)的剥离层形成工序，以俯视半导体基板(5)时具有与剥离层(50)重叠的部分的方式来形成一导电型半导体层(11)的第2半导体层形成工序，用剥离液溶解剥离层(50)，从而除去一导电型半导体层(11)的重叠的部分的剥离工序；在剥离层形成工序中，以150℃以下的制膜温度下，吹入第1反应气体而制膜剥离层(50)。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池的制造方法、半成品太阳能电池基板和太阳能电池。
背景技术
近年来，正在开发仅在半导体基板的背面侧设置电极层的背接触型的太阳能电池(专利文献1)。
该背接触型的太阳能电池中，一对电极层间或不同的导电型的半导体层彼此被配置在接近的位置，因此，必须要以高精度对一对电极层或不同的导电型的半导体层进行图案化。
因此，作为以高精度进行图案化的方法，在专利文献1中，公开了利用剥离将半导体层进行图案化的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-120863号公报
发明内容
然而，为了降低太阳能电池的制造成本，需要同时形成大量的太阳能电池。因此，本发明人以专利文献1的剥离的方法为参考，用大面积(纵1200mm×横1000mm)的等离子CVD装置，对于多个基板，同时以氧化硅层制膜剥离层，试制了背接触型的太阳能电池。
但是，试制的剥离方法中，在以小面积制膜时，尚可得到良好品质的太阳能电池，但在以大面积制膜时，产生基板间的膜厚分布变大、品质上发生偏差、成品率差等问题。
因此，本发明的目的在于提供一种与现有技术相比易于大量生产且成品率良好的太阳能电池的制造方法和太阳能电池。
本发明的目的还在于提供一种半成品太阳能电池基板，其在制造太阳能电池时，与现有技术相比，可以有效地进行剥离，提高制造效率。
为了解决上述课题的本发明的一个方式为一种太阳能电池的制造方法，该制造方法中的太阳能电池在半导体基板的第1主面侧具备一导电型半导体层、逆导电型半导体层、第1电极层和第2电极层，上述一导电型半导体层介于上述半导体基板与上述第1电极层之间，而且上述逆导电型半导体层介于上述半导体基板与上述第2电极层之间；该制造方法包含在上述半导体基板的第1主面侧形成上述逆导电型半导体层的第1半导体层形成工序，在上述逆导电型半导体层上形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层的剥离层形成工序，以俯视上述半导体基板时其一部分具有与上述剥离层重叠部分的方式来形成上述一导电型半导体层的第2半导体层形成工序，用剥离液溶解上述剥离层，从而除去上述一导电型半导体层的上述重叠部分的剥离工序；上述剥离层形成工序中，以150℃以下的制膜温度吹入第1反应气体而制膜形成上述剥离层。
这里所说的“一导电型”是指n型或p型，“逆导电型”是指与一导电型相反的导电型，即，在一导电型为n型的情况下是指p型，在一导电型为p型的情况下是指n型。
这里所说的“主成分”是指占总成分的50％以上的成分。
根据本方式，可以用剥离液溶解剥离层从而使一导电型半导体层能够图案化，因此，与用光致抗蚀剂进行图案化的现有的方法相比，能以低成本进行制造。
根据本方式，在150℃以下的制膜温度形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层，因此，即便是大面积的制膜装置，也可以形成面内的膜厚分布均匀且密度粗的剥离层。因此，在能够大量生产的同时，还可以容易地进行在剥离液的蚀刻速度大的剥离层的制膜。
优选的方式为：包含在上述剥离层上制膜形成保护层的保护层形成工序，上述保护层以氧化硅或氮化硅为主成分，且密度比上述剥离层高。
优选的方式为：包含以上述半导体基板为基准、在上述逆导电型半导体层的外侧形成规定的形状的抗蚀剂层的抗蚀剂层形成工序，用蚀刻液除去上述逆导电型半导体层的一部分的蚀刻工序，以及，除去上述抗蚀剂层的抗蚀剂层除去工序；上述抗蚀剂层形成工序中，俯视上述半导体基板时，上述逆导电型半导体层中存在不与上述抗蚀剂层重叠的非重叠部分，上述蚀刻工序中，除去上述逆导电型半导体层的上述非重叠部分的一部分或全部。
然而，通常在高温(例如，180℃以上)下对氧化硅层进行制膜的情况下，如果将原料气体进行氢稀释，则膜中掺入的氢原子会增加。因此，本发明人认为：在低温(150℃以下)进行制膜的情况下，如果将原料气体进行氢稀释，则可以形成稀疏的膜。但是，实际上使用氢稀释过的原料气体对氧化硅层进行低温制膜的时候，和预想的相反地形成了致密的膜。
从该结果导出的优选的方式为：包含在上述剥离层上形成以氧化硅为主成分的保护层的保护层形成工序；上述保护层形成工序中，在150℃以下的温度下吹入第2反应气体而制膜形成上述保护层；上述第2反应气体包含硅烷气、二氧化碳、氢气。
根据本方式，使用用氢气稀释的第2反应气体，在低温下对保护层进行制膜，因此，能容易地形成致密的保护层。
优选的方式为：上述第2反应气体中，氢气与硅烷气的流量比为50以上。
然而，在同一制膜室对多个层连续制膜的情况下，如果在高温条件(例如，180℃以上)下进行制膜后又在低温条件(例如，150℃以下)下进行制膜，则到制膜室的温度到达低温条件为止都需要进行冷却。在低温条件下制膜后又在高温条件下进行制膜的情况也一样，到制膜室的温度达到高温条件为止都需要加热。
在此，制膜装置中，通常，与从高温条件降温到低温条件的时间相比，从低温条件升温到高温条件的时间更短。
因此，优选的方式为：上述保护层形成工序中的上述保护层的制膜温度实质上为上述剥离层形成工序中的上述剥离层的制膜温度以上，且与上述剥离层形成工序中的上述剥离层的制膜温度的温度差为50℃以下。
这里所说的“保护层的制膜温度实质上为剥离层的制膜温度以上”是指，由于外部空气、装置的性能等，允许在制膜时的成膜温度有轻微的温度波动(例如3℃)。例如，也包含保护层的制膜温度为(剥离层的制膜温度-3℃)以上的情况。
根据本方式，可以有效地连续制膜。
本发明的一个方式为一种太阳能电池的制造方法，该制造方法中的太阳能电池在半导体基板的第1主面侧具备一导电型半导体层、逆导电型半导体层、第1电极层和第2电极层，上述一导电型半导体层介于上述半导体基板与上述第1电极层之间，而且上述逆导电型半导体层介于上述半导体基板与上述第2电极层之间；该制造方法包含在上述半导体基板的第1主面侧形成上述逆导电型半导体层的第1半导体层形成工序；在上述逆导电型半导体层上形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层的剥离层形成工序；在上述剥离层上，对以氧化硅或氮化硅为主成分、且比上述剥离层的密度高的保护层进行制膜的保护层形成工序；以俯视上述半导体基板时具有与上述剥离层重叠的部分的方式来形成上述一导电型半导体层的第2半导体层形成工序；以及，用剥离液溶解上述剥离层，从而除去上述一导电型半导体层的上述重叠部分的剥离工序；上述剥离工序在上述保护层形成工序之后进行，上述保护层形成工序中，在150℃以下的温度下吹入第2反应气体，对上述保护层进行制膜，上述第2反应气体包含硅烷气、二氧化碳和氢气，氢气与硅烷气的流量比为50以上。
根据本方式，可以用剥离液溶解剥离层从而使一导电型半导体层能够图案化，因此，与用光致抗蚀剂进行图案化的现有的方法相比，可以简化制造工序，能以低成本进行制造。
根据本方式，保护层形成工序中，使用在150℃以下且用氢气稀释了硅烷气的第2反应气体来对保护层进行制膜，因此可以形成致密的保护层。
在此，在近年的太阳能电池的制造工序中，有时不是仅在一处进行制造，而是在多处进行制造。即，存在如下情况：在一处制造作为太阳能电池的半成品的半成品太阳能电池基板，在另一处使用该半成品太阳能电池基板来制造太阳能电池。因此，不仅是成品的结构，作为半成品的半成品太阳能电池基板的结构对于太阳能电池的量产化也很重要。
本发明的一个方式是一种半成品太阳能电池基板，其在在半导体基板的第1主面侧具备一导电型半导体层和逆导电型半导体层，以上述半导体基板为基准，在上述逆导电型半导体层的外侧具有剥离层，上述剥离层中，以上述半导体基板为基准，在外侧层叠有上述一导电型半导体层，上述一导电型半导体层中，俯视上述半导体基板时与上述剥离层有重叠部分，上述剥离层能够将其浸于剥离液中而溶解并除去上述一导电型半导体层的上述重叠部分，上述剥离层以氧化硅为主成分，浸于2重量％的氢氟酸中时的蚀刻速度为5nm/s以上。
根据本方式，可以有效地进行剥离，提高制造效率。
优选的方式为：在上述剥离层上具有保护层，上述保护层以氧化硅或氮化硅为主成分，且密度比上述剥离层高。
然而，本发明人进行重复研究，结果发现了以下内容。即，氧化硅存在密度变大则折射率变大，密度变小则折射率变小的倾向。另外，氧化硅中还存在如下倾向：密度如果变大，则氢氟酸中的蚀刻速度会变大，密度如果变小，则氢氟酸中的蚀刻速度会变小。
因此，本发明人对氧化硅中折射率与氢氟酸中的蚀刻速度的相关关系进行了研究，结果发现：可以看到折射率与氢氟酸中的蚀刻速度之间存在一定的相关性，通过成为某一范围的折射率，从而可以良好地蚀刻，可以有效地进行剥离。
优选的方式为：在上述剥离层上具有保护层，上述保护层以氧化硅为主成分，折射率比上述剥离层的折射率高。
根据本方式，可以使保护层的蚀刻速度比剥离层的蚀刻速度慢。
本发明的一个方式是一种半成品太阳能电池基板，其在半导体基板的第1主面侧上具备导电型半导体层；以上述半导体基板为基准，在上述导电型半导体层的外侧上，剥离层与保护层依次层叠，上述剥离层以氧化硅为主成分，浸于2重量％的氢氟酸时的蚀刻速度为5nm/s以上，上述保护层以氧化硅或氮化硅为主成分，且比上述剥离层的密度高。
根据本方式，可以有效地进行剥离，提高制造效率。
优选的方式为：在上述半导体基板的第2主面侧的最外表面上被覆了第2保护层，该第2保护层的浸于2重量％的氢氟酸时的蚀刻速度比上述剥离层慢。
另外，上述方式也可以是在上述半导体基板的第2主面侧的最外表面上被覆了第2保护层，该第2保护层具有对上述剥离液的耐性。
本发明的一个方式为一种太阳能电池，其在半导体基板的第1主面侧具备一导电型半导体层、逆导电型半导体层、第1电极层和第2电极层，上述一导电型半导体层介于上述半导体基板与上述第1电极层之间，而且上述逆导电型半导体层介于上述半导体基板与上述第2电极层之间；具有本征半导体层，上述本征半导体层介于上述半导体基板、上述一导电型半导体层和上述逆导电型半导体层彼此之间，而且，在上述半导体基板的上述第1主面的扩展方向上，介于上述一导电型半导体层与上述逆导电型半导体层之间，上述本征半导体层从上述一导电型半导体层与上述逆导电型半导体层之间起，在与上述第1主面垂直的方向上露出。
根据本方式，可以用本征半导体层来防止电极层间和导电型不同的半导体层的接触，因此可得到安全性优异的太阳能电池。
根据本方式，可以用上述方式的制造方法形成，易于大量生产。
优选的方式为：上述本征半导体层由第1本征层、第2本征层构成，上述第1本征层介于上述半导体基板与上述逆导电型半导体层之间，上述第2本征层介于上述半导体基板与上述一导电型半导体层之间，上述第2本征层以上述半导体基板为基准，未被覆上述逆导电型半导体层的外侧。
更优选的方式为：以上述半导体基板为基准，上述第2本征层位于与上述逆导电型半导体层的外侧面同一面或比外侧面更靠近内侧。
根据本发明的太阳能电池的制造方法和太阳能电池，与现有技术相比，易于大量生产且成品率良好。
根据本发明的半成品太阳能电池基板，在制造太阳能电池时，与现有技术相比，可以有效地进行剥离，提高制造效率。
附图说明
图1为示意性地表示本发明的第1实施方式的太阳能电池的立体图。
图2为图1的太阳能电池的A-A剖面图，为了易于理解，省略剖面线。
图3为图1的太阳能电池的说明图，是将太阳能电池分解为第1电极层和第2电极层的分解立体图。
图4为图1的太阳能电池的制造方法的说明图，(a)表示第1本征半导体层形成工序中的剖面图，(b)表示第1半导体层形成工序中的剖面图。应予说明，仅将各工序中制膜的层以剖面线表示，其余的剖面线省略。
图5是继于图1的太阳能电池的制造方法的图4的各工序的工序的说明图，(a)表示剥离层形成工序中的剖面图，(b)表示第1保护层形成工序中的剖面图，(c)表示第2保护层形成工序中的剖面图。应予说明，仅将各工序中制膜的层以剖面线表示，其余的剖面线省略。
图6是继于图1的太阳能电池的制造方法的图5的各工序的工序的说明图，(a)表示抗蚀剂层形成工序中的剖面图，(b)表示蚀刻工序中的剖面图，(c)表示抗蚀剂层除去工序中的剖面图。应予说明，仅将各工序中制膜的层以剖面线表示，其余的剖面线省略。
图7是继于图1的太阳能电池的制造方法的图6的各工序的工序的说明图，(a)表示第2本征半导体层形成工序中的剖面图，(b)表示第2半导体层形成工序中的剖面图，(c)表示剥离工序中的剖面图。应予说明，仅将各工序中制膜的层以剖面线表示，其余的剖面线省略。
图8是继于图1的太阳能电池的制造方法的图7的各工序的工序的说明图，(a)表示防反射层形成工序中的剖面图，(b)表示透明电极层形成工序中的剖面图，(c)表示金属电极层形成工序中的剖面图。应予说明，仅将各工序中制膜的层以剖面线表示，其余的剖面线省略。
图9为本发明的实施例和比较例的测定中使用的托盘的说明图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行详细说明。应予说明，对于表面和背面，以受光面侧为表面，以其相反侧为背面。
本发明的第1实施方式的太阳能电池1为背接触型的太阳能电池，如图1所示，在作为支持基板的半导体基板5的背面侧主面26(第1主面)侧形成有一对电极层2、3，在表面侧主面25(第2主面)侧没有形成电极层2、3。本实施方式的太阳能电池1也可以是HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)型的太阳能电池。
太阳能电池1中，如图1所示，在半导体基板5的表面侧主面25侧依次层叠有第1本征半导体层6和反射防止层7。
太阳能电池1中，在半导体基板5的背面侧主面26侧的一部分上依次层叠有第2本征半导体层10(第2本征层)、一导电型半导体层11和第1电极层2，在半导体基板5的背面侧主面26侧的其它部分上依次层叠有第3本征半导体层15(第1本征层)、逆导电型半导体层16和第2电极层3。
太阳能电池1中，如图2所示，纵方向Y中，第2本征半导体层10介于一导电型半导体层11与逆导电型半导体层16之间。
太阳能电池1如图1所示，大致为四边形，具有互相垂直的四边。即，太阳能电池1具备在横方向X上延伸的横边、在纵方向Y上延伸的纵边。
电极层2、3如图3所示，为从半导体层11、16取出电的集电极，背视时，均为梳状，形成互相嵌入的形状。
即，第1电极层2具备第1母排电极部40和第1指状电极部41，第1指状电极部41从第1母排电极部40起，在与第1母排电极部40垂直的方向上延伸。
同样地，第2电极层3具备第2母排电极部45和第2指状电极部46，第2指状电极部46从第2母排电极部45起，在与第2母排电极部45垂直的方向上延伸。
母排电极部40、45在使它们为背面图时，沿纵边在纵方向Y上延伸，与横方向X互相平行。
指状电极部41、46在横方向X互相嵌入而延伸。
即，第1指状电极部41从第1母排电极部40起，朝向第2母排电极部45，在横方向X上呈直线状延伸，第2指状电极部46从第2母排电极部45起，朝向第1母排电极部40，在横方向X上呈直线状延伸。指状电极部41、46在纵方向Y上交互排列。
电极层2、3如图2所示，成为从半导体基板5侧依次层叠透明电极层20、21、金属电极层22、23的多层结构。应予说明，电极层2、3可以是仅有金属电极层22、23的单层结构，也可以是仅有透明电极层20、21的单层结构。
如图3所示，半导体层11、16成为电极层2、3的基底，背视时，与电极层2、3同样，均为梳状，成为互相嵌入的形状。
背视时，在一导电型半导体层11与逆导电型半导体层16之间，形成有蜿蜒的分离沟35，作为一导电型半导体层11的基底的第2本征半导体层10填充在分离沟35中。即，在半导体基板5的扩展方向上，一导电型半导体层11与逆导电型半导体层16经由第2本征半导体层10而实现电绝缘。
第2本征半导体层10从一导电型半导体层11与逆导电型半导体层16之间起，在厚度方向(与半导体基板5的背面侧主面26垂直的方向)上露出。即，一导电型半导体层11在半导体基板5的厚度方向上，与逆导电型半导体层16不重叠，逆导电型半导体层16与一导电型半导体层11也不重叠。
接下来，对本实施方式的太阳能电池1的制造方法进行说明。应予说明，对于与现有技术同样的内容，将省略说明。
本实施方式的太阳能电池1是在一个或多个制造点进行制造的。
本实施方式的太阳能电池1是经历第1半成品太阳能电池基板99和第2半成品太阳能电池基板100而制造的。
首先，如图4(a)所示，使用等离子CVD装置，在半导体基板5的表面侧主面25上，对第1本征半导体层6进行制膜，在背面侧主面26上，对第3本征半导体层15进行制膜(第1本征半导体形成工序)。
接下来，如图4(b)所示，使用与上述工序相同或不同的等离子CVD装置，在第3本征半导体层15上对逆导电型半导体层16进行制膜(第1半导体层形成工序)。
接下来，如图5(a)所示，使用与上述工序相同或不同的等离子CVD装置，在逆导电型半导体层16上吹入第1反应气体而对剥离层50进行制膜(剥离层形成工序)。
剥离层形成工序中制膜的剥离层50的膜厚优选为10nm～150nm。
如果在该范围，则易于含浸后述的剥离用蚀刻液，易于剥离。
另外，作为此时的制膜条件，优选满足以下的条件。
基板温度(制膜温度)为150℃以下，优选为100℃～140℃。
压力优选为180Pa～220Pa。
功率密度优选为0.01W/cm2～1.00W/cm2。
第1反应气体的成分优选：包含硅烷气(SiH4)、二氧化碳(CO2)，CO2与SiH4的流量比(将SiH4的流量设为1时的CO2的流量比)为10～400。
剥离层50优选以俯视半导体基板5时与逆导电型半导体层16的整体重叠的方式，进行制膜。
剥离层50优选以俯视半导体基板5时在半导体基板5的面积的90％以上的范围上进行制膜。
接下来，如图5(b)所示，继于剥离层形成工序，在同一等离子CVD装置的制膜室内，在剥离层50上吹入第2反应气体，对第1保护层51进行制膜(第1保护层形成工序)。
第1保护层形成工序中制膜的第1保护层51的膜厚比剥离层50的膜厚更厚，优选为200nm～400nm。
如果在该范围，则可以防止后述的抗蚀剂除去溶液溶解剥离层50。
另外，作为此时的制膜条件，优选满足以下的条件。
基板温度(制膜温度)为150℃以下，优选为100℃～140℃。
第1保护层51的制膜时的制膜温度优选实质上为剥离层50的制膜温度以上。
另外，第1保护层51的制膜时的制膜温度与剥离层50的制膜时的制膜温度的温度差优选为50℃以下，更优选为20℃以下，特别优选为5℃以下。
如果在该范围，则可以迅速升温，因此，能够在同一等离子CVD装置的制膜室内进行连续制膜。
压力优选为180Pa～220Pa。
功率密度优选为0.01W/cm2～1.00W/cm2。
第2反应气体优选：包含硅烷气(SiH4)、二氧化碳(CO2)和氢气(H2)，CO2与SiH4的流量比(将SiH4设为1时的CO2的流量比)为1～100，H2与SiH4的流量比(将SiH4设为1时的H2的流量比)为50～300。
如果在该范围，则可以形成致密的第1保护层51。
第1保护层51优选以俯视半导体基板5时与剥离层50的整体重叠的方式，进行制膜。
第1保护层51优选以俯视半导体基板5时在半导体基板5的面积的90％以上的范围上进行制膜。
接下来，如图5(c)所示，继于剥离层形成工序，在同一等离子CVD装置的制膜室内，在第1本征半导体层6上吹入第3反应气体，对第2保护层52进行制膜(第2保护层形成工序)。
即，第2保护层形成工序中，在表面侧的最外表面上对第2保护层52进行制膜，形成第1半成品太阳能电池基板99。
第2保护层形成工序中制膜的第2保护层52的膜厚比剥离层50的膜厚更厚，优选为10nm～200nm。
另外，作为此时的制膜条件，优选满足以下的条件。
基板温度(制膜温度)为150℃以下，优选为100℃～140℃。
第2保护层52的制膜时的制膜温度优选实质上为剥离层50的制膜温度以上。
第2保护层52的制膜时的制膜温度与第1保护层51的制膜时的制膜温度的温度差优选为50℃以下，更优选为20℃以下，特别优选为5℃以下。
如果在该范围，则可以迅速地进行温度调节，因此，能够在同一等离子CVD装置的制膜室内进行连续制膜。
压力优选为180Pa～220Pa。
功率密度优选为0.01W/cm2～1.00W/cm2。
第3反应气体优选：包含硅烷气(SiH4)、二氧化碳(CO2)和氢气(H2)，CO2与SiH4的流量比(将SiH4设为1时的CO2的流量比)为1～400，H2与SiH4的流量比(将SiH4设为1时的H2的流量比)大于0且为300以下。
第2保护层52优选以俯视半导体基板5时在半导体基板5的面积的90％以上的范围上进行制膜。
然后，根据需要，将第1半成品太阳能电池基板99移至别处(例如，其它建筑物、其它房间)，如图6(a)所示，通过丝网印刷等，在第1半成品太阳能电池基板99的第1保护层51上涂布图案化为梳状的液体状的抗蚀剂材料，而且在第2保护层52上涂布液体状的抗蚀剂材料，对在两面涂布了抗蚀剂材料的基板实施热处理，使之干燥，形成抗蚀剂层55、56(抗蚀剂层形成工序)。
此时，在第1保护层51上，存在涂布抗蚀剂材料而形成了抗蚀剂层55的部分(抗蚀剂形成区域60)、以及未涂布抗蚀剂材料而未形成抗蚀剂层55的部分(非抗蚀剂形成区域61)。即，在抗蚀剂层形成工序后的基板中，在厚度方向上，存在于逆导电型半导体层16上重叠抗蚀剂层55而得的重叠部分(抗蚀剂形成区域60)、以及未重叠抗蚀剂层55的非重叠部分(非抗蚀剂形成区域61)。
如图6(b)所示，将形成有抗蚀剂层55、56的基板浸于抗蚀剂用蚀刻液(蚀刻液)中，在未形成抗蚀剂层55的非重叠部分(非抗蚀剂形成区域61)的一部分或全部中，除去第3本征半导体层15、逆导电型半导体层16、剥离层50和第1保护层51(蚀刻工序)。
作为此时使用的抗蚀剂用蚀刻液，例如，可以使用氢氟酸与硝酸的混合溶液(氟硝酸)、包含臭氧和氢氟酸的溶液等。
此时，半导体基板5中，在非抗蚀剂形成区域61上，形成背面侧主面26侧的层剥离了的剥离区域62。
如图6(c)所示，使用抗蚀剂除去溶液除去抗蚀剂层55、56，根据需要，用氢氟酸清洗基板(抗蚀剂层除去工序)。
此时，剥离层50被第1保护层51所保护，因此实质上不会溶解，仅仅是抗蚀剂层55、56剥离。另外，即使用氢氟酸清洗基材，剥离层50实质上也不溶解。
接下来，如图7(a)所示，使用等离子CVD装置，在背面侧主面整面上对第2本征半导体层10进行制膜(第2本征半导体层形成工序)。
即，第2本征半导体层形成工序中，以半导体基板5为基准的剥离层50的外侧、且以俯视半导体基板5时与剥离层50有重叠部分的方式，对第2本征半导体层10进行制膜。
此时，第2本征半导体层10如图7(a)所示，一部分从第1保护层51a(51)横跨邻接的半导体基板5的剥离区域62a(62)而形成，一部分从剥离区域62a横跨邻接的第1保护层51b上而形成。
如图7(b)所示，使用相同或不同的等离子CVD装置，在第2本征半导体层10上对一导电型半导体层11进行制膜，形成第2半成品太阳能电池基板100(第2半导体层形成工序)。
即，第2半导体层形成工序中，以半导体基板5为基准的第2本征半导体层10的外侧、且以俯视半导体基板5时与剥离层50有重叠部分的方式，对一导电型半导体层11进行制膜。
根据需要，将第2半成品太阳能电池基板100移至别处(例如，其它建筑物、其它房间)，将第2半成品太阳能电池基板100浸于剥离用蚀刻液(剥离液)，如图7(c)所示，将剥离层50溶解并剥离，除去剥离层50上的层(剥离工序)。
作为剥离工序中使用的剥离用蚀刻液，例如，可以使用氢氟酸等。
此时，第2半成品太阳能电池基板100中，在半导体基板5的背面侧主面26侧，与剥离层50相接的层全部溶解或剥离，在半导体基板5的表面侧主面25侧，第2保护层52也溶解、或从第1本征半导体层6剥离。
另外，此时，第2本征半导体层10仅残留比剥离层50的被覆部分更内侧部分，以半导体基板5为基准，未覆盖逆导电型半导体层16的外侧。
以半导体基板5为基准，第2本征半导体层10位于与逆导电型半导体层16的外侧面同一面或比外侧面更内侧。
此时，基于剥离用蚀刻液的剥离层50的蚀刻速度比一导电型半导体层11的蚀刻速度更快。
另外，第2保护层52的蚀刻速度比第1本征半导体层6的蚀刻速度更快。
如图8(a)所示，使用等离子CVD装置，在第1本征半导体层6上形成反射防止层7(反射防止层形成工序)。
反射防止层形成工序中使用的反应气体优选包含硅烷气(SiH4)、氨(NH3)。
接下来，在一导电型半导体层11和逆导电型半导体层16上形成电极层2、3。
具体来说，首先，如图8(b)所示，在一导电型半导体层11和逆导电型半导体层16上形成透明电极层20、21(透明电极层形成工序)。
透明电极层形成工序中，透明电极层20、21通过光致抗蚀剂法、掩模法等而图案化，透明电极层20仅在一导电型半导体层11上形成，透明电极层21仅在逆导电型半导体层16上形成。即，透明电极层20没有横跨在逆导电型半导体层16上，透明电极层21没有横跨在一导电型半导体层11上。
接下来，如图8(c)所示，通过丝网印刷等，在透明电极层20、21上形成金属电极层22、23(金属电极层形成工序)。
金属电极层形成工序中，金属电极层22通过光致抗蚀剂法、掩模法等，仅在透明电极层20上形成，金属电极层23仅在透明电极层21上形成。应予说明，透明电极层21和金属电极层22可以同时进行图案化。
然后，根据需要，将互连器等布线构件安装在电极层2、3上，完成太阳能电池1。
接下来，对构成太阳能电池1的各部位的详细构成进行说明。
半导体基板5是具有n型或p型中一者的导电型的半导体基板。
本实施方式的半导体基板5是具有与一导电型半导体层11同样的导电型的一导电型半导体基板，具体来说是n型的单晶硅基板。
半导体基板5的平均厚度优选120μm～250μm，更优选为160μm～200μm。
半导体基板5可以根据需要，在表面侧主面25和/或背面侧主面26上具备纹理结构。
本征半导体层6、10、15是抑制杂质向半导体基板5的扩散，进行表面的钝化处理的层。本征半导体层6、10、15为i型半导体层，实质上不含导电性杂质。
这里所说的“实质上不含导电性杂质”不仅是指完全不含n型杂质、p型杂质等导电性杂质，还包括在可以作为本征层而维持功能的范围内包含微量的导电性杂质的情况。
本征半导体层6、10、15是抑制杂质向半导体基板5的扩散，只要具有进行表面的钝化处理的功能，就没有特别限定。作为本征半导体层6、10、15，例如可以是非晶质硅系半导体层，也可以是氢化非晶质硅系半导体层。
本征半导体层6、10、15的平均厚度优选为2nm～20nm，更优选为5nm～10nm。如果在该范围，则可以作为对半导体基板5的钝化层而良好地发挥功能、将电阻抑制地低。
一导电型半导体层11是具有n型或p型的导电型的半导体层，是与半导体基板5具有同一导电型的半导体层。
本实施方式的一导电型半导体层11是在与本征半导体层6、10、15同样的半导体中添加了n型的掺杂物(磷等)的n型的半导体层，具体来说是n型非晶质硅层。
一导电型半导体层11的平均厚度优选为2nm～20nm，更优选为5nm～15nm。
逆导电型半导体层16是具有n型或p型的导电型的半导体层，是与半导体基板5和一导电型半导体层11具有不同的导电型的半导体层。
本实施方式的逆导电型半导体层16是在与本征半导体层6、10、15同样的半导体中添加了p型的掺杂物(硼等)得到的p型半导体层，具体来说是p型非晶质硅层。
逆导电型半导体层16的平均厚度优选为2nm～20nm，更优选为5nm～15nm。
反射防止层7是具有透光性、且抑制光的反射的低反射层。
反射防止层7可以由例如氧化硅、氧化锌、氧化钛等金属氧化物、氮化硅等金属氮化物等形成。
从入射光的光限制效果的观点出发，反射防止层7优选由氮化硅形成。
透明电极层20、21可以由例如氧化锌、氧化铟锡(ITO)、氧化钛、氧化锡、氧化钨、氧化钼等透明导电性氧化物形成。
透明电极层20、21的平均厚度优选为20nm～200nm，更优选为50nm～150nm。
金属电极层22、23的电阻率与透明电极层20、21的电阻率相比更小，是作为透明电极层20、21的辅助电极层而发挥功能的层。
金属电极层22、23可以由例如金、银、铜、铂、铝、镍、钯等金属或包含这些金属的合金形成。
金属电极层22、23的平均厚度优选为1μm～80μm。
接下来，对构成半成品太阳能电池基板99、100的各部位的详细构成进行说明。应予说明，对于与太阳能电池1重复的构成に将省略说明。
剥离层50是用剥离用蚀刻液溶解的层。
剥离层50优选以氮化硅或氧化硅为主成分，优选氮化硅或氧化硅占总成分中的90％以上。本实施方式的剥离层50是以氧化硅为主成分的氧化硅层。
在使用氧化硅层来作为剥离层50的情况下的折射率优选为1.42～1.50。
这里所说的“折射率”是指照射550nm的光时的折射率。
如果在该范围，则使用剥离用蚀刻液的蚀刻速度会变大，容易剥离。
使用氧化硅层作为剥离层50的情况下的浸于2重量％的氢氟酸时的蚀刻速度优选为3nm/s以上，更优选为5nm/s以上，进一步优选为7nm/s以上。
第1保护层51是从抗蚀剂用蚀刻液、以及在第2本征半导体层形成工序前的清洗中使用的氢氟酸中保护剥离层50的层。第1保护层51优选以氮化硅或氧化硅为主成分，优选氮化硅或氧化硅占总成分中的90％以上。
本实施方式的第1保护层51与剥离层50同样，是以氧化硅为主成分的氧化硅层。
在使用氧化硅层作为第1保护层51的情况下的折射率为比剥离层50高的折射率，优选超过1.50。
如果在该范围，则使用抗蚀剂用蚀刻液、氢氟酸的蚀刻速度低，不易溶解。
第2保护层52与剥离层50相比，具有对于抗蚀剂用蚀刻液和剥离用蚀刻液的耐性，是从抗蚀剂用蚀刻液和剥离用蚀刻液中保护第1本征半导体层6的层。
第2保护层52优选以氮化硅或氧化硅为主成分，优选氮化硅或氧化硅占总成分中的90％以上。
本实施方式的第2保护层52与剥离层50、第1保护层51同样，是以氧化硅为主成分的氧化硅层。
在使用氧化硅层作为第2保护层52的情况下的折射率为比剥离层50高的折射率，优选超过1.50。
根据本实施方式的太阳能电池1的制造方法，以一部分与剥离层50重叠的方式形成一导电型半导体层11，将剥离层50用剥离液溶解，从而可以除去剥离层50上的一导电型半导体层11，进行一导电型半导体层11的图案化。因此，与用光致抗蚀剂进行图案化的现有的方法相比，能以低成本进行制造。
根据本实施方式的太阳能电池1的制造方法，能以150℃以下的制膜温度形成剥离层50，因此，即便是大面积的制膜装置，也能形成面内的膜厚分布均匀的剥离层50。因此，可以实现大量生产。
根据本实施方式的太阳能电池1的制造方法，第1保护层51的密度比剥离层50更高，对于抗蚀剂用蚀刻液的耐性也更高。因此，蚀刻工序中，在浸于抗蚀剂用蚀刻液时，与剥离层50直接浸于抗蚀剂用蚀刻液的情况相比，剥离层50不易溶解，可以防止由于抗蚀剂用蚀刻液而使剥离层50溶解、由于该溶解而使比剥离层50更靠外侧的层剥离。
根据本实施方式的太阳能电池1的制造方法，在第1保护层51上形成图案化为梳型的抗蚀剂层55，俯视半导体基板5时，将与逆导电型半导体层16的抗蚀剂层55不重叠的部分用抗蚀剂用蚀刻液溶解并除去，进行图案化。因此，即便在逆导电型半导体层16的制膜时不设置掩模等，也可以进行逆导电型半导体层16的图案化。
根据本实施方式的太阳能电池1的制造方法，保护层形成工序中，在150℃以下的温度下，吹入包含硅烷气、二氧化碳和氢气的第2反应气体，对以氧化硅为主成分的第1保护层51进行制膜。即，吹入氢稀释过的低浓度的第2反应气体，在低温下进行制膜，因此，可以形成致密的第1保护层51。
根据本实施方式的太阳能电池1的制造方法，剥离层形成工序中的剥离层50的制膜温度与第1保护层形成工序中的第1保护层51的制膜温度的温度差为50℃以下。因此，可以迅速地进行温度调节，连续地进行剥离层50、第1保护层51的制膜。
另外，第1保护层形成工序中的第1保护层51的制膜温度与第2保护层形成工序中的第2保护层52的制膜温度的温度差为50℃以下，因此，可以迅速地进行温度调节，可以连续地进行第1保护层51、第2保护层52的制膜。
根据本实施方式的半成品太阳能电池基板99、100，剥离层50以氧化硅为主成分，浸于2重量％的氢氟酸时的蚀刻速度为5nm/s以上，因此，可以迅速地剥离剥离层50。
根据本实施方式的第2半成品太阳能电池基板100，剥离层50通过浸于剥离除去溶液中而溶解，俯视半导体基板5时，可以除去与一导电型半导体层11的剥离层50的重叠部分，剥离层50以氧化硅为主成分，折射率为1.42～1.50。因此，剥离时，可以增大蚀刻速度，可以容易地使一导电型半导体层11图案化。
根据本实施方式的第2半成品太阳能电池基板100，在半导体基板5的表面侧主面25侧的最外表面上被覆了第2保护层52，第2保护层52具有比剥离层50更强的、对于剥离液的耐性。因此，可以抑制蚀刻工序中由于剥离液导致的半导体基板5的第2主面侧的各层的损伤。
根据本实施方式的太阳能电池1，一导电型半导体层11与逆导电型半导体层16在厚度方向上不重叠，可以用本征半导体层10、15防止电极层2、3间、导电型不同的半导体层11、16的接触，因此，将成为安全性优异的太阳能电池。
上述实施方式中，逆导电型半导体层16为p型的半导体层，一导电型半导体层11为n型的半导体层，但本发明不限定于此。也可以是逆导电型半导体层16为n型的半导体层，一导电型半导体层11为p型的半导体层。
上述实施方式中，半导体基板5为n型的半导体基板，但本发明不限定于此。半导体基板5也可以是p型的半导体基板。
上述实施方式中，将剥离层50、第1保护层51、第2保护层52在相同的等离子CVD装置的制膜室中进行制膜，但本发明不限定于此。也可以在不同的制膜室进行制膜。
上述实施方式中，第1保护层51和第2保护层52是在不同工序中进行制膜，但本发明不限定于此。第1保护层51和第2保护层52也可以同时成膜。
上述实施方式中，剥离层50和第1保护层51可以用同样的材料形成，但本发明不限定于此。剥离层50和第1保护层51也可以用不同的材料形成。
上述实施方式中，剥离层50、第1保护层51、第2保护层52均由氧化硅层形成，但本发明不限定于此。剥离层50、第1保护层51、第2保护层52也可以由以氮化硅为主成分的氮化硅层形成。
上述实施方式中，剥离层50是以一层而形成的，但本发明不限定于此。剥离层50也可以是以由多个层构成的层叠体而形成的。
上述实施方式中，第1保护层51、第2保护层52是以一层而形成的，但本发明不限定于此。第1保护层51、第2保护层52也可以是以由多个层构成的层叠体而形成的。
上述实施方式中，只要包含在本发明的技术范围中，在各实施方式间可以自由地取代、加成各构成构件。
实施例
以下，根据实施例对本发明进行具体的说明。应予说明，本发明不限于以下的实施例，在不变更本发明的要旨的范围内，可以适当变更来实施。
(实施例1)
首先，如图9所示，在纵998mm横1200mm的四边的托盘中，将纵5张、横6张合计30张(图9所示的1号至30号)的镜面研磨的硅片(纵横156.75mm)配置为纵横棋盘状，对于这些硅片，使用等离子CVD装置，形成氧化硅层。将其作为实施例1。
实施例1的氧化硅层的制膜条件设为：基板温度100℃、从电极至基板的距离10mm、压力200Pa、气体流量比SiH4：CO2为25：4900、功率密度为0.22W/cm2。
(实施例2)
实施例1中，将基板温度设为140℃，除此以外，同样地进行，将其作为实施例2。
(比较例1)
实施例1中，将基板温度设为180℃，除此以外，同样地进行，将其作为比较例1。
(实施例3)
对于设置在与实施例1同样的托盘上的镜面研磨过的硅片，使用等离子CVD装置形成氧化硅层，将其作为实施例3。
实施例3的氧化硅层的制膜条件设为：基板温度140℃、从电极至基板的距离10mm、压力200Pa、气体流量比SiH4：CO2：H2为150：4900：9800、功率密度为0.37W/cm2。即，用氢气稀释后进行制膜。
(比较例2)
实施例3中，不用氢气稀释，除此以外，同样地进行，将其作为比较例2。即，比较例2中，以气体流量比SiH4：CO2为150：4900进行制膜。
对于实施例1～3和比较例1、2，使用J.A.Woollam公司制的椭偏仪，测定硅片上的氧化硅的照射550nm的光时的折射率。之后，用2重量％的氢氟酸溶解氧化硅层，再次用椭偏仪测定照射550nm的光时的折射率，算出蚀刻速度。另外，托盘上设置的各1号至30号的硅片中，根据硅片上的氧化硅层的最厚的膜厚(最大膜厚Max)与最薄的膜厚(最小膜厚Min)的差，使用下述式(1)算出面内分布。
{(Max-Min)/Min}×100···(1)
另外，作为剥离性的评价，在蚀刻溶液中浸渍15分钟，评价用冲洗液冲洗时的氧化硅层的剥离的程度。具体来说，对于剥离的程度而言，将在目视观察为50％以上且小于90％的剥离评价为B，将90％以上的剥离评价为A。
实施例1、2、3和比较例1、2的测定结果示于表1和表2。
[表1]
[表2]
如表1所示，在低温下制膜的实施例1、2与在高温下制膜的比较例1的氧化硅层相比较，可知，越是低温，蚀刻速度越大。
此时，即便是在托盘内的面内分布为10％以内和以大面积的托盘进行制膜，实施例1、2的氧化硅层也可以形成膜厚均匀的层。
另外可知，实施例1、2的剥离特性在50％以上为良好，特别是实施例1的剥离特性与实施例2相比仍然良好。
如表2所示，氢稀释过的实施例3的氧化硅层与未进行氢稀释的比较例2相比可知，其蚀刻速度小、不易溶解于氢氟酸。
实施例1的氧化硅层的蚀刻速度如表1、2所示，为实施例3的氧化硅层的蚀刻速度的约9倍左右，实施例2的氧化硅层的蚀刻速度为实施例3的氧化硅层的蚀刻速度的约6倍左右。
由此可知，实施例1、2的氧化硅层的蚀刻速度与实施例3的氧化硅层相比，由于氢氟酸而极其容易溶解。
根据上述结果，可知通过使基板温度为140℃以下而进行制膜，从而即便是大面积制膜装置，也能制膜面内分布均匀且控制在期望的蚀刻速度的氧化硅层。
还可知在使基板温度以外设为相同的制膜条件时，通过使基板温度为140℃以下而进行制膜，从而可以制膜对折射率低、蚀刻速度高的氧化硅层。
另外还可知通过用氢来稀释原料气体，从而即使基板温度在140℃以下，也能制膜致密的氧化硅层。
根据以上内容，还可知将实施例1或实施例2的氧化硅层用作剥离层，将实施例3的氧化硅层用作保护层，从而可以使用相同的等离子CVD装置进行连续制膜。
附图标记说明
1 太阳能电池
2 第1电极层
3 第2电极层
5 半导体基板
6 第1本征半导体层
10 第2本征半导体层(本征半导体层、第2本征层)
11 一导电型半导体层
15 第3本征半导体层(本征半导体层、第1本征层)
16 逆导电型半导体层
25 表面侧主面(第2主面)
26 背面侧主面(第1主面)
50 剥离层
51 第1保护层
52 第2保护层
55、56 抗蚀剂层
60 抗蚀剂形成区域
61 非抗蚀剂形成区域
62 剥离区域
99 第1半成品太阳能电池基板
100 第2半成品太阳能电池基板
Claims (15)
1.一种太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池在半导体基板的第1主面侧具备一导电型半导体层、逆导电型半导体层、第1电极层和第2电极层，所述一导电型半导体层介于所述半导体基板与所述第1电极层之间，而且所述逆导电型半导体层介于所述半导体基板与所述第2电极层之间；
所述制造方法包含：
在所述半导体基板的第1主面侧形成所述逆导电型半导体层的第1半导体层形成工序，
在所述逆导电型半导体层上形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层的剥离层形成工序，
以俯视所述半导体基板时所述一导电型半导体层的一部分与所述剥离层具有重叠部分的方式，形成所述一导电型半导体层的第2半导体层形成工序，以及
用剥离液溶解所述剥离层，从而除去所述一导电型半导体层的所述重叠部分的剥离工序；
在所述剥离层形成工序中，以150℃以下的制膜温度吹入第1反应气体而对所述剥离层进行制膜。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，包含在所述剥离层上制膜形成保护层的保护层形成工序，
所述保护层以氧化硅或氮化硅为主成分，且密度比所述剥离层高。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，包含：
以所述半导体基板为基准，在所述逆导电型半导体层的外侧形成规定的形状的抗蚀剂层的抗蚀剂层形成工序，
用蚀刻液除去所述逆导电型半导体层的一部分的蚀刻工序，以及
除去所述抗蚀剂层的抗蚀剂层除去工序；
所述抗蚀剂层形成工序中，俯视所述半导体基板时，所述逆导电型半导体层中存在不与所述抗蚀剂层重叠的非重叠部分，
所述蚀刻工序中，除去所述逆导电型半导体层的所述非重叠部分的一部分或全部。
4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，包含：在所述剥离层上形成以氧化硅为主成分的保护层的保护层形成工序；
所述保护层形成工序中，在150℃以下的温度下吹入第2反应气体而制膜形成所述保护层，
所述第2反应气体包含硅烷气、二氧化碳和氢气。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述第2反应气体中氢气与硅烷气的流量比为50以上。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述保护层形成工序中的所述保护层的制膜温度实质上是所述剥离层形成工序中的所述剥离层的制膜温度以上，且与所述剥离层形成工序中的所述剥离层的制膜温度的温度差为50℃以下。
7.一种太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池在半导体基板的第1主面侧具备一导电型半导体层、逆导电型半导体层、第1电极层和第2电极层，所述一导电型半导体层介于所述半导体基板与所述第1电极层之间，而且所述逆导电型半导体层介于所述半导体基板与所述第2电极层之间；
所述制造方法包含：
在所述半导体基板的第1主面侧形成所述逆导电型半导体层的第1半导体层形成工序，
在所述逆导电型半导体层上形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层的剥离层形成工序，
在所述剥离层上，制膜形成以氧化硅或氮化硅为主成分且密度比所述剥离层的高的保护层的保护层形成工序，
以俯视所述半导体基板时具有与所述剥离层重叠的部分的方式来形成所述一导电型半导体层的第2半导体层形成工序，以及
用剥离液溶解所述剥离层，从而除去所述一导电型半导体层的所述重叠部分的剥离工序；
所述剥离工序在所述保护层形成工序之后进行，
所述保护层形成工序中，在150℃以下的温度下吹入第2反应气体而制膜形成所述保护层，
所述第2反应气体包含硅烷气、二氧化碳和氢气，且氢气与硅烷气的流量比为50以上。
8.根据权利要求1或7所述的太阳能电池的制造方法，其使用在半导体基板的第1主面侧具备一导电型半导体层和逆导电型半导体层的半成品太阳能电池基板，
所述半成品太阳能电池基板以所述半导体基板为基准，在所述逆导电型半导体层的外侧具有剥离层，
所述剥离层，以所述半导体基板为基准，在外侧层叠有所述一导电型半导体层，
所述一导电型半导体层在俯视所述半导体基板时与所述剥离层有重叠部分，
所述剥离层能够通过浸于剥离液中而溶解而除去所述一导电型半导体层的所述重叠部分，
所述剥离层以氧化硅为主成分，浸于2重量％的氢氟酸中时的蚀刻速度为5nm/s以上。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，所述半成品太阳能电池基板在所述剥离层上具有保护层，
所述保护层以氧化硅或氮化硅为主成分，且密度比所述剥离层高。
10.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，所述半成品太阳能电池基板在所述剥离层上具有保护层，
所述保护层以氧化硅为主成分，折射率比所述剥离层的折射率高。
11.根据权利要求1或7所述的太阳能电池的制造方法，其使用在半导体基板的第1主面侧具备导电型半导体层的半成品太阳能电池基板，
所述半成品太阳能电池基板以所述半导体基板为基准，在所述导电型半导体层的外侧，依次层叠有剥离层和保护层，
所述剥离层以氧化硅为主成分，浸于2重量％的氢氟酸时的蚀刻速度为5nm/s以上，
所述保护层以氧化硅或氮化硅为主成分，且密度比所述剥离层高。
12.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，所述半成品太阳能电池基板在所述半导体基板的第2主面侧的最外表面被覆有第2保护层，所述第2保护层的浸于2重量％的氢氟酸时的蚀刻速度比所述剥离层慢。
13.根据权利要求1或7所述的太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池在半导体基板的第1主面侧具备一导电型半导体层、逆导电型半导体层、第1电极层和第2电极层，所述一导电型半导体层介于所述半导体基板与所述第1电极层之间，而且所述逆导电型半导体层介于所述半导体基板与所述第2电极层之间；
并且，所述太阳能电池具有本征半导体层，
所述本征半导体层介于所述半导体基板分别与所述一导电型半导体层和所述逆导电型半导体层之间，而且，在所述半导体基板的所述第1主面的扩展方向上，所述本征半导体层还介于所述一导电型半导体层与所述逆导电型半导体层之间，
所述本征半导体层从所述一导电型半导体层与所述逆导电型半导体层之间在与所述第1主面垂直的方向露出。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池中，所述本征半导体层由第1本征层和第2本征层构成，
所述第1本征层介于所述半导体基板与所述逆导电型半导体层之间，
所述第2本征层介于所述半导体基板与所述一导电型半导体层之间，
所述第2本征层以所述半导体基板为基准，未被覆所述逆导电型半导体层的外侧。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池中，所述第2本征层以所述半导体基板为基准位于与所述逆导电型半导体层的外侧面一个面或比外侧面更靠近内侧。
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