CN113671625A - 基于硅光转接板技术的硅基光电子器件及制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件及制备方法，器件包括：硅光器件，包括有源器件结构及无源器件结构，有源器件结构具有引出电极，并覆盖有介质层；转接孔及硅穿孔，贯穿至硅衬底，其内壁形成有绝缘层及导电层；接触孔，贯穿至引出电极；正面重新布线层，正面重新布线层以实现有源器件结构的引出电极与导电层的电性连接；第一凸点层，形成于正面重新布线层上；反面重新布线层，与导电层电性连接；第二凸点层，形成于反面重新布线层上。本发明硅光转接板的制备与硅光器件具有较高的兼容性，可以大幅降低光电混合集成的成本。本发明为硅光芯片及其控制芯片提供超短距离电气互连，能够有效提高器件的集成密度。

Description

基于硅光转接板技术的硅基光电子器件及制备方法

技术领域

本发明属于硅光器件设计及制造领域，特别是涉及一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件及制备方法。

背景技术

硅光子技术具有低功耗、低成本、易于大规模集成的优点，被光通信行业普遍认同为是下一代光通信器件及模块***的核心技术。硅光模块一般包括激光器芯片、硅光芯片、电芯片(主要包括光电调制器的驱动、光电探测器的放大器、还有其他一些匹配和控制电路，例如时钟恢复、串并转换和开关电路等)和光纤阵列等。

目前100G/400G硅光模块多是集成在基板上，将分立的光芯片和与之对应的电芯片通过wire bonding或flip chip的方式进行连接，光芯片和电芯片也通过wire bonding的方式分别与基板进行连接。但是，wire bonding在高频高速***中由于RC延迟和电感效应明显这些缺陷使其高速应用受限，需要尽可能缩短wire bonding金线的长度来减小高频传输损耗。Flip chip的方式因为采用直接互连的方式，可以很大程度的避免金线的损耗，因此硅光芯片和相对应的电芯片可通过flip chip的方式来减少高频传输损耗。

随着硅光模块集成度的提高和速率需求的增加，为了实现Tbit/s以上的传输速率，现有的wire bonding/flip chip的光电封装方式遇到了极大的挑战，将硅基光电子芯片和2.5D/3D硅转接板技术结合，形成硅光转接板，能够有效的解决硅光芯片、电芯片和基板间的高速高密度互连这一关键技术问题。

现有的硅光转接板的制备与硅光器件的兼容性较差，导致硅光转接板的制备成本较高、器件体积较大等问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件及制备方法，用于解决现有技术中硅光转接板的制备与硅光器件的兼容性较差，导致硅光转接板的制备成本较高、器件体积较大等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件的制备方法，所述制备方法包括：1)提供硅光器件，所述硅光器件包括SOI衬底及基于所述SOI衬底的有源器件结构及无源器件结构，所述有源器件结构具有引出电极，所述引出电极上覆盖有介质层；2)形成自所述介质层贯穿至所述SOI衬底的硅衬底的转接孔，以及延伸进入所述硅衬底的硅穿孔，在所述转接孔及硅穿孔内壁形成绝缘层，然后在所述转接孔及所述硅穿孔内填充导电层；3)形成自所述介质层贯穿至所述有源器件结构的引出电极的接触孔；4)于所述介质层上形成正面重新布线层，所述正面重新布线层还填充所述接触孔，以实现所述有源器件结构的引出电极与所述导电层的电性连接；5)于所述正面重新布线层上形成第一凸点层；6)减薄所述SOI衬底的硅衬底，直至显露所述导电层；7)于所述硅衬底上形成反面重新布线层，所述反面重新布线层与所述导电层电性连接；8)于所述反面重新布线层上形成第二凸点层。

可选地，步骤1)包括：步骤1-1)提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底、埋氧层及顶层硅，在顶层硅上定义无源区及有源区，于所述无源区形成无源器件结构，于所述有源区形成有源器件结构；步骤1-2)于有源器件结构上形成引出孔；步骤1-3)形成共面金属层，所述共面金属层位于所述引出孔上并填充所述引出孔以与所述有源器件结构连接，所述共面金属层用于金属互连，以及用于形成所述有源器件结构的共面波导传输线结构，以提高硅基光电子器件的高频传输性能。

可选地，所述无源器件结构包括光传输的波导、耦合器、分束器及偏振旋转器中的一种或多种。

可选地，所述有源器件结构包括调制器及探测器。

可选地，所述转接孔的直径大于所述硅穿孔的直径。

可选地，步骤2)在所述转接孔及硅穿孔内填充导电层包括：a)于所述绝缘层表面形成扩散阻挡层；b)于所述扩散阻挡层表面形成种子层；c)采用电镀法于所述转接孔及硅穿孔内填充金属层。

可选地，所述第一凸点层及第二凸点层包括Cu/Ni/Sn叠层或Ni/Au叠层。

本发明还提供一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件，所述硅基光电子器件包括：硅光器件，所述硅光器件包括SOI衬底及基于所述SOI衬底的有源器件结构及无源器件结构，所述有源器件结构具有引出电极，所述引出电极上覆盖有介质层；转接孔及硅穿孔，所述转接孔自所述介质层贯穿至所述SOI衬底的硅衬底，所述硅穿孔延伸进入所述硅衬底，所述转接孔及硅穿孔内壁形成有绝缘层，所述转接孔及硅穿孔内填充有导电层；接触孔，自所述介质层贯穿至所述有源器件结构的引出电极；正面重新布线层，形成于所述介质层上，所述正面重新布线层还填充所述接触孔，以实现所述有源器件结构的引出电极与所述导电层的电性连接；第一凸点层，形成于所述正面重新布线层上；反面重新布线层，形成于所述硅衬底上，所述反面重新布线层与所述导电层电性连接；第二凸点层，形成于所述反面重新布线层上。

可选地，所述无源器件结构包括光传输的波导、耦合器、分束器及偏振旋转器中的一种或多种。

可选地，所述有源器件结构包括调制器及探测器。

可选地，所述转接孔的直径大于所述硅穿孔的直径。

可选地，所述导电层包括：位于所述绝缘层表面的扩散阻挡层、位于所述扩散阻挡层表面的种子层以及填充于所述转接孔及硅穿孔内的金属层。

可选地，所述第一凸点层及第二凸点层包括Cu/Ni/Sn叠层或Ni/Au叠层。

可选地，还包括共面金属层，所述共面金属层位于所述引出孔上并通过所述接触孔与所述有源器件结构连接，所述共面金属层用于金属互连，以及用于形成所述有源器件结构的共面波导传输线结构，以提高硅基光电子器件的高频传输性能。

如上所述，本发明的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件及制备方法，具有以下有益效果：

本发明硅光转接板的制备与硅光器件具有较高的兼容性，可以大幅降低光电混合集成的成本。

本发明通过转接孔，在已经完成单片集成有源无源光子器件上进行垂直互连和再布线，为硅光芯片及其控制芯片提供超短距离电气互连，能够有效提高器件的集成密度，降低互连线对高频高速的影响。

本发明通过正反两面的重新布线层及金属凸点，可以有效增加端口密度，提高器件的集成度，并且便于与其他器件或基板的连接，具有非常广泛的应用前景。

本发明通过共面金属层，形成所述有源器件结构的共面波导传输线结构，可以有效提高硅基光电子器件的高频传输性能。

附图说明

图1～图12显示为本发明实施例的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件的制备方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图12显示为本发明实施例的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件的结构示意图。

元件标号说明

101 硅衬底

102 埋氧层

103 顶层硅

104 光传输的波导

105 调制器

106 探测器

107 耦合器

108 引出电极

109 共面金属层

110 介质层

111 转接孔

111a 硅穿孔

112 绝缘层

113 导电层

114 引出孔

115 正面重新布线层

116 介质材料层

117 第一凸点层

118 反面重新布线层

119 介质材料层

120 第二凸点层

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。

在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

如图1～图12所示，本实施例提供一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

如图1～4所示，首先进行步骤1)，提供硅光器件，所述硅光器件包括SOI衬底及基于所述SOI衬底的有源器件结构及无源器件结构，所述有源器件结构具有引出电极108，所述引出电极108上覆盖有介质层110。

例如，所述无源器件结构包括光传输的波导104、耦合器107、分束器及偏振旋转器中的一种或多种。所述有源器件结构包括调制器105及探测器106。

具体地，步骤1)包括：

如图1所述，首先进行步骤1-1)，提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底101、埋氧层102及顶层硅103，在顶层硅103上定义无源区及有源区，于所述无源区形成无源器件结构，于所述有源区形成有源器件结构；例如，可以在所述顶层硅103中形成光传输的波导104、耦合器107、分束器及偏振旋转器等无源器件，同时形成调制器105的波导、锗外延的衬底等有源器件的基底，然后，对有源器件进行掺杂，例如对调制器105的波导进行掺杂以及对锗外延的衬底进行掺杂等，接着，在所述锗外延的衬底上外延锗，并且对所述锗进行掺杂，形成锗探测器106。

如图2所示，然后进行步骤1-2)，于有源器件结构上形成引出孔114；例如调制器105和探测器106形成金属接触互连的引出孔114，并在所述引出孔114沉积中阻挡扩散层和种子层，然后填充导电金属，所述导电金属可以为为钨等金属。

如图3所示，接着进行步骤1-3)，形成共面金属层109，所述共面金属层109位于所述引出孔114上并填充所述引出孔114以与所述有源器件结构连接，所述共面金属层109用于金属互连，以及用于形成所述有源器件结构的共面波导传输线结构，以提高硅基光电子器件的高频传输性能。

如图4所示，最后，在上述结构表面沉积一层介质层，所述介质层可以为氮化硅或二氧化硅等。

如图5～图6所示，然后进行步骤2)，形成自所述介质层110贯穿至所述SOI衬底的硅衬底101的转接孔111，以及延伸进入所述硅衬底的硅穿孔111a，在所述转接孔111及硅穿孔111a内壁形成绝缘层112，然后在所述转接孔111及硅穿孔111a内填充导电层。

所述硅穿孔的直径为5～30微米，深度为80～100微米。在本实施例中，所述转接孔111的直径选用为大于所述硅穿孔的直径，例如为15微米～50微米，本实施例采用的转接孔111直径较大，可以有效提高后续绝缘层112、扩散阻挡层、种子层在所述转接孔111侧壁沉积时的连续性，同时，有利于后续金属材料的填充，避免因填充能力不足导致的孔洞等缺陷的产生，大大提高器件稳定性。同时，直径较大的转接孔111，可以有效提高器件的电学传输能力，降低器件阻抗。

具体地，在所述转接孔111及硅穿孔111a内填充导电层113包括以下步骤：

a)于所述绝缘层112表面形成扩散阻挡层；

b)于所述扩散阻挡层表面形成种子层；

c)采用电镀法于所述转接孔111及硅穿孔111a内填充金属层。其中，所述绝缘层112可以为二氧化硅等材料，所述种子层可以为如Ti等材料，所述金属层可以为铜等材料。

进一步地，电镀后，可使用CMP或者湿法刻蚀的方法将所述介质层110表面以上的金属层研磨或刻蚀去除，获得平整的表面及电性独立的转接孔111。

如图7所示，接着进行步骤3)，通过光刻及刻蚀工艺，形成自所述介质层110贯穿至所述有源器件结构的引出电极108的接触孔。

如图8所示，接着进行步骤4)，于所述介质层110上形成正面重新布线层115，所述正面重新布线层115还填充所述接触孔，以实现所述有源器件结构的引出电极108与所述导电层113的电性连接。

所述正面重新布线层115包括交替层叠的绝缘介质以及金属布线层，相邻两层金属布线层由贯穿所述绝缘介质的导电通孔，所述绝缘介质以及金属布线层可以为一层、两层、三层、四层或以上，可以根据具体的I/O数目来决定。

如图9所示，然后进行步骤5)，于所述正面重新布线层115上形成第一凸点层117。

具体地，先在所述正面重新布线层115上形成介质材料层116，如光刻胶层等，然后在所述介质材料层116中形成开口，所述开口显露所述转接孔111中的导电层113，最后在所述开口中形成第一凸点层117。

例如，所述第一凸点层117包括Cu/Ni/Sn叠层或Ni/Au叠层。

如图10所示，接着进行步骤6)，减薄所述SOI衬底的硅衬底101，直至显露所述导电层113。

例如，可以将上述SOI衬底的正面临时键合于晶圆载板，然后自SOI衬底的硅衬底101背面开始减薄直至露出所述转接孔111中的导电层113，减薄工艺可以包括研磨、清洗、CMP、湿法刻蚀、干法刻蚀等。

如图11所示，然后进行步骤7)，于所述硅衬底101上形成反面重新布线层118，所述反面重新布线层118与所述导电层113电性连接。

所述反面重新布线层118包括交替层叠的绝缘介质以及金属布线层，相邻两层金属布线层由贯穿所述绝缘介质的导电通孔，所述绝缘介质以及金属布线层可以为一层、两层、三层、四层或以上，可以根据具体的I/O数目来决定。

如图12所示，最后进行步骤8)，于所述反面重新布线层118上形成第二凸点层120。

具体地，先在所述反面重新布线层118上形成介质材料层119，如光刻胶层等，然后在所述介质材料层119中形成开口，所述开口显露所述转接孔111中的导电层113，最后在所述开口中形成第二凸点层120。

例如，所述第二凸点层120包括Cu/Ni/Sn叠层或Ni/Au叠层。

如图12所示，本实施例还提供一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件，所述硅基光电子器件包括：硅光器件，所述硅光器件包括SOI衬底及基于所述SOI衬底的有源器件结构及无源器件结构，所述有源器件结构具有引出电极108，所述引出电极108上覆盖有介质层110；转接孔111及硅穿孔111a，所述转接孔111自所述介质层110贯穿至所述SOI衬底的硅衬底101，所述硅穿孔111a延伸进入所述硅衬底，所述转接孔111及硅穿孔111a内壁形成有绝缘层112，所述转接孔111及硅穿孔111a内填充有导电层113；接触孔，自所述介质层110贯穿至所述有源器件结构的引出电极108；正面重新布线层115，形成于所述介质层110上，所述正面重新布线层115还填充所述接触孔，以实现所述有源器件结构的引出电极108与所述导电层113的电性连接；第一凸点层117，形成于所述正面重新布线层115上；反面重新布线层118，形成于所述硅衬底101上，所述反面重新布线层118与所述导电层113电性连接；第二凸点层120，形成于所述反面重新布线层118上。

所述无源器件结构包括光传输的波导104、耦合器107、分束器及偏振旋转器中的一种或多种。可选地，所述有源器件结构包括调制器105及探测器106。

所述硅穿孔的直径为5～30微米，深度为80～100微米。在本实施例中，所述转接孔111的直径选用为大于所述硅穿孔的直径，例如为15微米～50微米，本实施例采用的转接孔111直径较大，可以有效提高后续绝缘层112、扩散阻挡层、种子层在所述转接孔111侧壁沉积时的连续性，同时，有利于后续金属材料的填充，避免因填充能力不足导致的孔洞等缺陷的产生，大大提高器件稳定性。同时，直径较大的转接孔111，可以有效提高器件的电学传输能力，降低器件阻抗。

所述导电层113包括：位于所述绝缘层112表面的扩散阻挡层、位于所述扩散阻挡层表面的种子层以及填充于所述转接孔111及硅穿孔111a内的金属层。

所述正面重新布线层115包括交替层叠的绝缘介质以及金属布线层，相邻两层金属布线层由贯穿所述绝缘介质的导电通孔，所述绝缘介质以及金属布线层可以为一层、两层、三层、四层或以上，可以根据具体的I/O数目来决定。

所述反面重新布线层118包括交替层叠的绝缘介质以及金属布线层，相邻两层金属布线层由贯穿所述绝缘介质的导电通孔，所述绝缘介质以及金属布线层可以为一层、两层、三层、四层或以上，可以根据具体的I/O数目来决定。

所述第一凸点层117及第二凸点层120包括Cu/Ni/Sn叠层或Ni/Au叠层。

所述硅基光电子器件还包括共面金属层109，所述共面金属层109位于所述引出孔114上并通过所述接触孔与所述有源器件结构连接，所述共面金属层109用于金属互连，以及用于形成所述有源器件结构的共面波导传输线结构，以提高硅基光电子器件的高频传输性能。

如上所述，本发明的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件及制备方法，具有以下有益效果：

本发明的硅光转接板的制备与硅光器件具有较高的兼容性，可以大幅降低光电混合集成的成本。

本发明通过转接孔，在已经完成单片集成有源无源光子器件上进行垂直互连和再布线，为硅光芯片及其控制芯片提供超短距离电气互连，能够有效提高器件的集成密度，降低互连线对高频高速的影响。

本发明通过正反两面的重新布线层及金属凸点，可以有效增加端口密度，提高器件的集成度，并且便于与其他器件或基板的连接，具有非常广泛的应用前景。

本发明通过共面金属层，形成所述有源器件结构的共面波导传输线结构，可以有效提高硅基光电子器件的高频传输性能。

所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (14)

1.一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

1)提供硅光器件，所述硅光器件包括SOI衬底及基于所述SOI衬底的有源器件结构及无源器件结构，所述有源器件结构具有引出电极，所述引出电极上覆盖有介质层；

2)形成自所述介质层贯穿至所述SOI衬底的硅衬底的转接孔，以及延伸进入所述硅衬底的硅穿孔，在所述转接孔及硅穿孔内壁形成绝缘层，然后在所述转接孔及所述硅穿孔内填充导电层；

3)形成自所述介质层贯穿至所述有源器件结构的引出电极的接触孔；

4)于所述介质层上形成正面重新布线层，所述正面重新布线层还填充所述接触孔，以实现所述有源器件结构的引出电极与所述导电层的电性连接；

5)于所述正面重新布线层上形成第一凸点层；

6)减薄所述SOI衬底的硅衬底，直至显露所述导电层；

7)于所述硅衬底上形成反面重新布线层，所述反面重新布线层与所述导电层电性连接；

8)于所述反面重新布线层上形成第二凸点层。

2.根据权利要求1所述的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件的制备方法，其特征在于，步骤1)包括：

步骤1-1)提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底、埋氧层及顶层硅，在顶层硅上定义无源区及有源区，于所述无源区形成无源器件结构，于所述有源区形成有源器件结构；

步骤1-2)于有源器件结构上形成引出孔；

步骤1-3)形成共面金属层，所述共面金属层位于所述引出孔上并填充所述引出孔以与所述有源器件结构连接，所述共面金属层用于金属互连，以及用于形成所述有源器件结构的共面波导传输线结构，以提高硅基光电子器件的高频传输性能。

3.根据权利要求1所述的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件的制备方法，其特征在于：所述无源器件结构包括光传输的波导、耦合器、分束器及偏振旋转器中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件的制备方法，其特征在于：所述有源器件结构包括调制器及探测器。

5.根据权利要求1所述的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件的制备方法，其特征在于：所述转接孔的直径大于所述硅穿孔的直径。

6.根据权利要求1所述的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件的制备方法，其特征在于：步骤2)在所述转接孔及硅穿孔内填充导电层包括：

a)于所述绝缘层表面形成扩散阻挡层；

b)于所述扩散阻挡层表面形成种子层；

c)采用电镀法于所述转接孔及硅穿孔内填充金属层。

7.根据权利要求1所述的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件的制备方法，其特征在于：所述第一凸点层及第二凸点层包括Cu/Ni/Sn叠层或Ni/Au叠层。

8.一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件，其特征在于，包括：

硅光器件，所述硅光器件包括SOI衬底及基于所述SOI衬底的有源器件结构及无源器件结构，所述有源器件结构具有引出电极，所述引出电极上覆盖有介质层；

转接孔及硅穿孔，所述转接孔自所述介质层贯穿至所述SOI衬底的硅衬底，所述硅穿孔延伸进入所述硅衬底，所述转接孔及硅穿孔内壁形成有绝缘层，所述转接孔及硅穿孔内填充有导电层；

接触孔，自所述介质层贯穿至所述有源器件结构的引出电极；

正面重新布线层，形成于所述介质层上，所述正面重新布线层还填充所述接触孔，以实现所述有源器件结构的引出电极与所述导电层的电性连接；

第一凸点层，形成于所述正面重新布线层上；

反面重新布线层，形成于所述硅衬底上，所述反面重新布线层与所述导电层电性连接；

第二凸点层，形成于所述反面重新布线层上。

9.根据权利要求8所述的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件，其特征在于：所述无源器件结构包括光传输的波导、耦合器、分束器及偏振旋转器中的一种或多种。

10.根据权利要求8所述的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件，其特征在于：所述有源器件结构包括调制器及探测器。

11.根据权利要求8所述的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件，其特征在于：所述转接孔的直径大于所述硅穿孔的直径。

12.根据权利要求8所述的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件，其特征在于：所述导电层包括：位于所述绝缘层表面的扩散阻挡层、位于所述扩散阻挡层表面的种子层以及填充于所述转接孔及硅穿孔内的金属层。

13.根据权利要求8所述的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件，其特征在于：所述第一凸点层及第二凸点层包括Cu/Ni/Sn叠层或Ni/Au叠层。

14.根据权利要求8所述的基于硅光转接板技术的硅基光电子器件，其特征在于：还包括共面金属层，所述共面金属层位于所述引出孔上并通过所述接触孔与所述有源器件结构连接，所述共面金属层用于金属互连，以及用于形成所述有源器件结构的共面波导传输线结构，以提高硅基光电子器件的高频传输性能。

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