CN113652673B - 一种化学气相沉积台板结构及其控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种化学气相沉积台板结构及其控制方法，包括腔体、阳极台板、玻璃基板、气孔扩散板、PIN、PIN孔和陶瓷套筒，所述阳极台板设于腔体内，所述玻璃基板活动设于阳极台板上壁上，所述PIN孔贯穿设于阳极台板上，所述陶瓷套筒固接设于PIN孔内；所述气孔扩散板设于腔体内，所述气孔扩散板设于玻璃基板上端，本发明属于显示面板制作技术领域，具体是指一种化学气相沉积台板结构及其控制方法，改善了台板PIN与台板阳极氧化薄膜的磨损缺陷，消除阳极台板与阴极气孔扩散板的异常放电，改善TFT器件电容击穿的问题。
Description
技术领域
本发明属于显示面板制作技术领域，具体是指一种化学气相沉积台板结构及其控制方法。
背景技术
半导体工业中， PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)指等离子体增强化学气相沉积，PECVD反应过程是：反应气体导入反应器中，在借助微波或RF射频的作用使反应气体发生电离生产活性极强的等离子体，离子或者离子团，等离子体通过扩散的方式在固体基板表面化学反应生成固态产物并均匀地沉积在基板表面；
显示面板行业采用PECVD机台制备TFT器件中的SiNx，SiO2，SiNC，分别在显示器件中起到隔离、绝缘和缓冲的作用，其中PECVD机台包含传送腔和制程腔，玻璃在传送的过程中，机械手托起玻璃经过传送腔传入至制程腔室，然后台板中的PIN抬起顶起玻璃，机械手回缩，最后台板中的PIN降落，玻璃平稳的降落在台板上；
在PECVD制程工艺中，由于PIN在台板的孔洞里面来回升降，当有玻璃碎屑和微颗粒掉入孔洞时，PIN带着碎屑来回摩擦台板表面的阳极氧化薄膜，导致孔洞处的阳极氧化薄膜破坏，在工艺制备过程中，被破坏阳极氧化的台板与上部阴极气孔扩散板形成电容，当电压一定时产生电弧，导致TFT器件静电击伤，导致金属栅极和金属源漏极中间的缓冲层和隔离层SiNx/SiO2击穿，使栅极和源漏极直接导通，器件失效。
发明内容
为了解决上述难题，本发明提供了一种化学气相沉积台板结构及其控制方法，改善了台板PIN与台板阳极氧化薄膜的磨损缺陷，消除阳极台板与阴极气孔扩散板的异常放电，改善TFT器件电容击穿的问题。
为了实现上述功能，本发明采取的技术方案如下：一种化学气相沉积台板结构，包括腔体、阳极台板、玻璃基板、气孔扩散板、PIN、PIN孔和陶瓷套筒，所述阳极台板设于腔体内，所述玻璃基板活动设于阳极台板上壁上，所述PIN孔贯穿设于阳极台板上，所述陶瓷套筒固接设于PIN孔内，陶瓷套筒内壁表面光滑，陶瓷套筒和PIN孔焊接在一起，然后再进行阳极氧化，将铝材质的阳极台板放入酸性电解液中，同时通上电流，在阳极台板的表面制备一层致密绝缘的氧化铝，实现绝缘的作用，并且在阳极台板阳极氧化的同时，陶瓷套筒和PIN孔焊接处也得到了阳极氧化；所述气孔扩散板设于腔体内，所述气孔扩散板设于玻璃基板上端；当PIN在陶瓷套筒内部上下升降承接玻璃基板时，PIN不会摩擦到阳极台板表面的阳极氧化，并且当有微颗粒掉落在陶瓷套筒内部时，由于陶瓷套筒是中空结构设计，套筒内部粗糙度很小，表面光滑，微颗粒掉入后，直接滑向腔体的底部，被抽气管道7抽离，不会污染腔体内部的薄膜结构，此结构避免了金属台板表面阳极氧化层的破坏，减少了异常放电的可能性，并且减少了微颗粒 的聚集，提高了腔室的洁净度。
优选地，所述腔体上壁设有气体进气管道。
进一步地，所述腔体底壁设有抽气管道。
其中，所述陶瓷套筒呈上下贯通的圆柱形中空腔体设置，所述陶瓷套筒半径为5mm~10mm，所述陶瓷套筒高度为5cm~8cm。
优选地，所述陶瓷套筒半径为8mm。
优选地，所述陶瓷套筒高度为6cm。
优选地，所述陶瓷套筒材料为Ti(C，N)基金属陶瓷；Ti(C，N)基金属陶瓷硬度高一般可达HRA91~93.5，耐磨性和抗磨损能力强，并且具有很高的耐热性和化学稳定性，在1100℃~1300℃可正常工作，不会随着PECVD高温制程和化学成分而被腐蚀。
本发明还包括一种化学气相沉积台板结构的控制方法，包括如下步骤：
1）将陶瓷套筒设于PIN孔内后，将陶瓷套筒和PIN孔焊接在一起，陶瓷套筒设于阳极台板内；
2）阳极氧化，将铝材质的阳极台板放入酸性电解液中，同时通上电流，在阳极台板的表面制备一层致密绝缘的氧化铝，并且在阳极台板阳极氧化的同时，陶瓷套筒和PIN孔焊接处也得到了阳极氧化；
3）PIN在陶瓷套筒内部上下升降推动玻璃基板运动，PIN不会摩擦到阳极台板表面的阳极氧化，当有微颗粒掉落在陶瓷套筒内部时，沿陶瓷套筒内壁滑落到腔体的底部；
4）抽气管道对微颗粒进行抽离，防止污染腔体内部的薄膜结构。
本发明采取上述结构取得有益效果如下：本发明提供的化学气相沉积台板结构及其控制方法，操作简单，结构紧凑，设计合理，不仅可以解决台板PIN与台板阳极氧化薄膜的磨损缺陷，消除阳极台板与阴极气孔扩散板的异常放电，改善TFT器件电容击穿的问题，而且可以减少微颗粒的聚集，提高腔体的洁净度。
附图说明
图1为本发明提供的化学气相沉积台板结构的结构图；
图2为本发明提供的化学气相沉积台板结构的阳极台板的俯视图；
图3为本发明提供的化学气相沉积台板结构的陶瓷套筒与PIN连接图。
其中，1、腔体，2、阳极台板，3、玻璃基板，4、气孔扩散板，5、PIN，6、气体进气管道，7、抽气管道，8、PIN孔，9、陶瓷套筒。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。以下结合附图，对本发明做进一步详细说明。
如图1、图2和图3所示，本发明提供的化学气相沉积台板结构，包括腔体1、阳极台板2、玻璃基板3、气孔扩散板4、PIN5、PIN孔8和陶瓷套筒9，阳极台板2设于腔体1内，玻璃基板3活动设于阳极台板2上壁上，PIN孔8贯穿设于阳极台板2上，陶瓷套筒9固接设于PIN孔8内，陶瓷套筒9内壁表面光滑，陶瓷套筒9和PIN孔8焊接在一起，然后再进行阳极氧化，将铝材质的阳极台板2放入酸性电解液中，同时通上电流，在阳极台板2的表面制备一层致密绝缘的氧化铝，实现绝缘的作用，并且在阳极台板2阳极氧化的同时，陶瓷套筒9和PIN孔8焊接处也得到了阳极氧化，腔体1上壁设有气体进气管道6，腔体1底壁设有抽气管道7；气孔扩散板4设于腔体1内，气孔扩散板4设于玻璃基板3上端；当PIN5在陶瓷套筒9内部上下升降承接玻璃基板3时，PIN5不会摩擦到阳极台板2表面的阳极氧化，并且当有微颗粒掉落在陶瓷套筒9内部时，由于陶瓷套筒9是中空结构设计，套筒内部粗糙度很小，表面光滑，微颗粒掉入后，直接滑向腔体1的底部，被抽气管道77抽离，不会污染腔体1内部的薄膜结构，此结构避免了金属台板表面阳极氧化层的破坏，减少了异常放电的可能性，并且减少了微颗粒的聚集，提高了腔室的洁净度。
如图3所示，其中，陶瓷套筒9呈上下贯通的圆柱形中空腔体1设置，陶瓷套筒9半径为5mm~10mm，陶瓷套筒9高度为5cm~8cm，优选地，陶瓷套筒9半径为8mm，高度为6cm，陶瓷套筒9材料为Ti(C，N)基金属陶瓷；Ti(C，N)基金属陶瓷硬度高一般可达HRA91~93.5，耐磨性和抗磨损能力强，并且具有很高的耐热性和化学稳定性，在1100℃~1300℃可正常工作，不会随着PECVD高温制程和化学成分而被腐蚀。
本发明还包括一种化学气相沉积台板结构的控制方法，包括如下步骤：
1）将陶瓷套筒9设于PIN孔8内后，将陶瓷套筒9和PIN孔8焊接在一起，陶瓷套筒9设于阳极台板2内；
2）阳极氧化，将铝材质的阳极台板2放入酸性电解液中，同时通上电流，在阳极台板2的表面制备一层致密绝缘的氧化铝，并且在阳极台板2阳极氧化的同时，陶瓷套筒9和PIN孔8焊接处也得到了阳极氧化；
3）PIN5在陶瓷套筒9内部上下升降推动玻璃基板3运动，PIN不会摩擦到阳极台板2表面的阳极氧化，当有微颗粒掉落在陶瓷套筒9内部时，沿陶瓷套筒9内壁滑落到腔体1的底部；
4）抽气管道7对微颗粒进行抽离，防止污染腔体1内部的薄膜结构。
具体使用时，优选地陶瓷套筒9半径为8mm，高度为6cm，陶瓷套筒9材料为Ti(C，N)基金属陶瓷；Ti(C，N)基金属陶瓷硬度高一般可达HRA91~93.5，耐磨性和抗磨损能力强，并且具有很高的耐热性和化学稳定性，在1100℃~1300℃可正常工作，不会随着PECVD高温制程和化学成分而被腐蚀，陶瓷套筒9内壁表面光滑，陶瓷套筒9和PIN孔8焊接在一起，然后再进行阳极氧化，将铝材质的阳极台板2放入酸性电解液中，同时通上电流，在阳极台板2的表面制备一层致密绝缘的氧化铝，实现绝缘的作用，并且在阳极台板2阳极氧化的同时，陶瓷套筒9和PIN孔8焊接处也得到了阳极氧化；所述气孔扩散板4设于腔体1内，所述气孔扩散板4设于玻璃基板3上端；当PIN5在陶瓷套筒9内部上下升降承接玻璃基板3时，PIN5不会摩擦到阳极台板2表面的阳极氧化，并且当有微颗粒掉落在陶瓷套筒9内部时，由于陶瓷套筒9是中空结构设计，套筒内部粗糙度很小，表面光滑，微颗粒掉入后，直接滑向腔体1的底部，被抽气管道77抽离，不会污染腔体1内部的薄膜结构，此结构避免了金属台板表面阳极氧化层的破坏，减少了异常放电的可能性，并且减少了微颗粒的聚集，提高了腔室的洁净度。
以上对本发明及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种化学气相沉积台板结构的控制方法，其特征在于，所述化学气相沉积台板结构包括腔体、阳极台板、玻璃基板、气孔扩散板、PIN、PIN孔和陶瓷套筒，所述阳极台板设于腔体内，所述玻璃基板活动设于阳极台板上壁上，所述PIN孔贯穿设于阳极台板上，所述陶瓷套筒固接设于PIN孔内；所述气孔扩散板设于腔体内，所述气孔扩散板设于玻璃基板上端；所述腔体上壁设有气体进气管道；所述腔体底壁设有抽气管道；所述陶瓷套筒呈上下贯通的圆柱形中空腔体设置；
所述控制方法包括如下步骤：
将陶瓷套筒设于PIN孔内后，将陶瓷套筒和PIN孔焊接在一起，陶瓷套筒设于阳极台板内；
阳极氧化，将铝材质的阳极台板放入酸性电解液中，同时通上电流，在阳极台板的表面制备一层致密绝缘的氧化铝，并且在阳极台板阳极氧化的同时，陶瓷套筒和PIN孔焊接处也得到了阳极氧化；
PIN在陶瓷套筒内部上下升降推动玻璃基板运动，PIN不会摩擦到阳极台板表面的阳极氧化，当有微颗粒掉落在陶瓷套筒内部时，沿陶瓷套筒内壁滑落到腔体的底部；
抽气管道对微颗粒进行抽离，防止污染腔体内部的薄膜结构。
2.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积台板结构的控制方法，其特征在于，所述陶瓷套筒半径为5mm~10mm，所述陶瓷套筒高度为5cm~8cm。
3.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积台板结构的控制方法，其特征在于，所述陶瓷套筒半径为8mm。
4.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积台板结构的控制方法，其特征在于，所述陶瓷套筒高度为6cm。
5.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积台板结构的控制方法，其特征在于，所述陶瓷套筒材料为Ti（C，N）基金属陶瓷。
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