CN113644187A - 一种高可靠性的集成封装led芯片 - Google Patents
一种高可靠性的集成封装led芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113644187A CN113644187A CN202110794795.8A CN202110794795A CN113644187A CN 113644187 A CN113644187 A CN 113644187A CN 202110794795 A CN202110794795 A CN 202110794795A CN 113644187 A CN113644187 A CN 113644187A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat dissipation
- dissipation substrate
- led chip
- highly reliable
- fixedly arranged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 6
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/648—Heat extraction or cooling elements the elements comprising fluids, e.g. heat-pipes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明专利公开了一种高可靠性的集成封装LED芯片,其技术方案要点是:包括散热基板,散热基板内设有空腔,多个翅片平行固定设置在散热基板的空腔内;散热基板的表面固定设置有阻胶环,多个LED光源通过固晶胶固定设置在阻胶环内部的散热基板的表面;多个LED光源和阻胶环的内部区域形成光源集成区;本发明具有良好的散热效果,能够保护芯片避免因高温而损坏,能够提高本装置的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片技术领域,尤其是一种高可靠性的集成封装LED芯片。
背景技术
LED(半导体发光二极管)封装是指发光芯片的封装,相比集成电路封装有较大不同。LED的封装不仅要求能够保护灯芯,而且还要能够透光。所以LED的封装对封装材料有特殊的要求。一般来说,封装的功能在于提供芯片足够的保护,防止芯片在空气中长期暴露或机械损伤而失效,以提高芯片的稳定性;对于LED封装,还需要具有良好光取出效率和良好的散热性,好的封装可以让LED具备更好的发光效率和散热环境,进而提升LED的寿命。
LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的,但却有很大的特殊性。一般情况下,分立器件的管芯被密封在封装体内,封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而LED封装则是完成输出电信号,保护管芯正常工作,输出可见光的功能,既有电参数,又有光参数的设计及技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于LED。
参照现有公开号为CN104766916A的中国专利,公开了一种采用倒装蓝光芯片封装的LED集成光源,包括MCPCB散热基板、LED芯片阵列和荧光粉硅胶层,所述LED芯片阵列倒置,即LED芯片结构从上至下依次为蓝宝石衬底、N-GaN层、MQWs层、P-GaN层、金属反射层;N电极与P电极分别焊接在所述MCPCB散热基板上。采用倒装GaN LED芯片制作的LED集成光源,能够获取比水平结构GaN LED芯片和垂直结构GaN LED芯片制作的LED集成光源更高的光效和可靠性。
但是上述的这种芯片封装的LED集成光源依旧存在着一些缺点,如:上述芯片封装的LED集成光源的散热效果不够好。
发明内容
针对背景技术中提到的问题,本发明的目的是提供一种高可靠性的集成封装LED芯片,以解决现有的芯片封装的LED集成光源的散热效果不够好的问题。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种高可靠性的集成封装LED芯片,包括散热基板,所述散热基板内设有空腔,多个翅片平行固定设置在所述散热基板的空腔内;所述散热基板的表面固定设置有阻胶环,多个LED光源通过固晶胶固定设置在所述阻胶环内部的所述散热基板的表面;多个所述LED光源和阻胶环的内部区域形成光源集成区。
进一步的,所述LED光源包括芯片本体,所述芯片本体通过固晶胶固定设置在所述散热基板的表面,所述散热基板对应于所述芯片本体的两侧位置处固定设置有铜片,所述铜片和所述散热基板之间固定设置有绝缘层;两侧所述铜片和所述芯片本体之间电性连接有键合线,封装层通过保护胶固定罩设在所述芯片本体的上方。
通过采用上述技术方案,芯片本体直接固定在散热基板的表面,有利于缩短芯片本体热量的散发路径,加快了热量的散发效率;键合线将铜片和芯片本体电性连接,能够为芯片本体工作发光提供电能,封装层能够保护芯片本体。
进一步的,所述封装层采用透明玻璃或者微晶玻璃制成,所述封装层的表面均匀涂覆有荧光粉。
通过采用上述技术方案,透明玻璃或者微晶玻璃的封装层能够提高LED的出光效率和可靠性,荧光粉具有光色复合的作用,有助于LED形成白光。
进一步的,所述保护胶采用环氧树脂制成。
通过采用上述技术方案,环氧树脂对金属的漆膜附着力强,同时具有较好的耐热性和电绝缘性,还具有优良的耐碱性,有利于提高保护胶的使用寿命。
进一步的,所述绝缘层采用硅胶材料制成。
通过采用上述技术方案,硅胶具有良好的绝缘性同时还具有较好的导热性能,有利于提高本装置的散热效率。
进一步的,所述散热基板对应于所述芯片本体的位置处的表面向下凹陷。
通过采用上述技术方案,散热基板的表面向下凹陷的设置有利于芯片本体的排布,使得本装置的布局更加合理,节约空间,有利于缩小本装置的体积。
进一步的,所述光源集成区内布设有电性线路,所述电性线路的连接方式为串联、并联或串并联。
通过采用上述技术方案,电性线路能够连通整个光源集成区内的LED光源,便于多个LED光源同时工作,增强照明效果。
进一步的,所述散热基板和翅片采用金属铝制成。
通过采用上述技术方案,金属铝具有优良的导热性能,有利于散热基板和翅片将热量散发出去。
综上,本发明主要具有以下有益效果:
该发明散热基板的内部设有空腔,空腔内部固定设置有多个翅片,增大了散热基板的散热表面积,并且空腔有利于空气流通,大大提高了本装置的散热效率;多个LED光源设置在散热基板的表面,缩短了LED光源产生的热量的散发路径,进一步提高了本装置的散热效率。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为本发明实施例的立体结构示意图;
图2为本发明实施例中LED光源的剖视图。
图中:1、散热基板;101、翅片;2、阻胶环;3、LED光源;301、芯片本体;302、封装层;303、保护胶;304、键合线;305、铜片;306、绝缘层;4、光源集成区。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案进行清楚、完整地描述,及优点更加清楚明白,以下结合附图对本发明实施例进行进一步详细说明。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“中”“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“顶”、“底”、“侧”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例1
参考图1-图2,一种高可靠性的集成封装LED芯片,包括散热基板1,散热基板1具有承载作用同时能够起到散热的作用,散热基板1内设有空腔,多个翅片101平行固定设置在散热基板1的空腔内,多个翅片101增加了散热基板1的散热表面积,多个翅片101空腔之间的空腔则有利于空气流动,由此增加了整个散热基板1的散热效率;散热基板1的表面固定设置有阻胶环2,多个LED光源3通过固晶胶固定设置在阻胶环2内部的散热基板1的表面,LED光源3直接与散热基板1接触,缩短了LED光源3工作时产生的热量的散发路径,进一步提高了本装置的散热效率;多个LED光源3和阻胶环2的内部区域形成光源集成区4,光源集成区4将多个LED光源3产生的光照汇聚在一起,增加了照明的亮度。
参考图2,LED光源3包括芯片本体301,芯片本体301通过固晶胶固定设置在散热基板1的表面,芯片本体301直接固定在散热基板1的表面,有利于缩短芯片本体301热量的散发路径,加快了热量的散发效率;散热基板1对应于芯片本体301的两侧位置处固定设置有铜片305,铜片305和散热基板1之间固定设置有绝缘层306;两侧铜片305和芯片本体301之间电性连接有键合线304,键合线304将铜片305和芯片本体301电性连接,能够为芯片本体301工作发光提供电能,封装层302通过保护胶303固定罩设在芯片本体301的上方,封装层302能够保护芯片本体301,增强本装置的机械性能。
参考图2,封装层302采用透明玻璃或者微晶玻璃制成,透明玻璃或者微晶玻璃的封装层302能够提高LED的出光效率和可靠性,封装层302的表面均匀涂覆有荧光粉,荧光粉具有光色复合的作用,有助于LED形成白光。
参考图2,保护胶303采用环氧树脂制成,环氧树脂对金属的漆膜附着力强,同时具有较好的耐热性和电绝缘性,还具有优良的耐碱性,有利于提高保护胶303的使用寿命。
参考图2,绝缘层306采用硅胶材料制成,硅胶具有良好的绝缘性同时还具有较好的导热性能,有利于提高本装置的散热效率。
参考图2,散热基板1对应于芯片本体301的位置处的表面向下凹陷,散热基板1的表面向下凹陷的设置有利于芯片本体301的排布,使得本装置的布局更加合理,节约空间,有利于缩小本装置的体积。
参考图1,光源集成区4内布设有电性线路,电性线路的连接方式为串联、并联或串并联,电性线路能够连通整个光源集成区4内的LED光源3,便于多个LED光源3同时工作,增强照明效果。
参考图1和图2,散热基板1和翅片101采用金属铝制成,金属铝具有优良的导热性能,有利于散热基板1和翅片101将热量散发出去。
综上所述,本装置在工作时,多个LED光源3发光会产生大量的热量,由于多个LED光源3固定在散热基板1的表面,散热基板1的内部设有空腔,空腔内部有多个翅片101平行设置,因此增加了散热基板1的散热面积,由于空腔的存在,能够增加空气的流动性,进一步提高了散热效率;此外,散热基板1和翅片101采用金属铝制成,金属铝的导热性良好,有利于整个装置的散热。
最后应说明的是:以上仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种高可靠性的集成封装LED芯片,包括散热基板(1),其特征在于:所述散热基板(1)内设有空腔,多个翅片(101)平行固定设置在所述散热基板(1)的空腔内;所述散热基板(1)的表面固定设置有阻胶环(2),多个LED光源(3)通过固晶胶固定设置在所述阻胶环(2)内部的所述散热基板(1)的表面;多个所述LED光源(3)和阻胶环(2)的内部区域形成光源集成区(4)。
2.根据权利要求1所述的一种高可靠性的集成封装LED芯片,其特征在于:所述LED光源(3)包括芯片本体(301),所述芯片本体(301)通过固晶胶固定设置在所述散热基板(1)的表面,所述散热基板(1)对应于所述芯片本体(301)的两侧位置处固定设置有铜片(305),所述铜片(305)和所述散热基板(1)之间固定设置有绝缘层(306);两侧所述铜片(305)和所述芯片本体(301)之间电性连接有键合线(304),封装层(302)通过保护胶(303)固定罩设在所述芯片本体(301)的上方。
3.根据权利要求2所述的一种高可靠性的集成封装LED芯片,其特征在于:所述封装层(302)采用透明玻璃或者微晶玻璃制成,所述封装层(302)的表面均匀涂覆有荧光粉。
4.根据权利要求2所述的一种高可靠性的集成封装LED芯片,其特征在于:所述保护胶(303)采用环氧树脂制成。
5.根据权利要求2所述的一种高可靠性的集成封装LED芯片,其特征在于:所述绝缘层(306)采用硅胶材料制成。
6.根据权利要求2所述的一种高可靠性的集成封装LED芯片,其特征在于:所述散热基板(1)对应于所述芯片本体(301)的位置处的表面向下凹陷。
7.根据权利要求1所述的一种高可靠性的集成封装LED芯片,其特征在于:所述光源集成区(4)内布设有电性线路,所述电性线路的连接方式为串联、并联或串并联。
8.根据权利要求1所述的一种高可靠性的集成封装LED芯片,其特征在于:所述散热基板(1)和翅片(101)采用金属铝制成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110794795.8A CN113644187A (zh) | 2021-07-14 | 2021-07-14 | 一种高可靠性的集成封装led芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110794795.8A CN113644187A (zh) | 2021-07-14 | 2021-07-14 | 一种高可靠性的集成封装led芯片 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113644187A true CN113644187A (zh) | 2021-11-12 |
Family
ID=78417437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110794795.8A Pending CN113644187A (zh) | 2021-07-14 | 2021-07-14 | 一种高可靠性的集成封装led芯片 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113644187A (zh) |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070194336A1 (en) * | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package and method of manufacturing the same |
KR20090089173A (ko) * | 2008-02-18 | 2009-08-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 메모리 모듈 |
US20090302345A1 (en) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Bill Chuang | Led lamp module and fabrication method thereof |
CN101702424A (zh) * | 2009-10-23 | 2010-05-05 | 广东昭信光电科技有限公司 | 一种集成配光和散热功能的led封装结构 |
CN201868429U (zh) * | 2010-11-29 | 2011-06-15 | 苏州君耀光电有限公司 | 一种内嵌式发光二极管封装结构 |
CN203836663U (zh) * | 2014-04-10 | 2014-09-17 | 广州市科朗电子实业有限公司 | 采用新型封装结构的led光源 |
CN105051892A (zh) * | 2013-09-05 | 2015-11-11 | 富士电机株式会社 | 电力用半导体模块 |
CN206116454U (zh) * | 2016-10-18 | 2017-04-19 | 深圳市旭晟半导体股份有限公司 | 一种基于铝碳化硅散热基板的红外led高性能cob封装光源组件 |
CN206332054U (zh) * | 2017-01-12 | 2017-07-14 | 中山市腾玮照明科技有限公司 | 一种基于铝碳化硅散热基板的cob封装红外led光源组件 |
CN207938645U (zh) * | 2018-03-30 | 2018-10-02 | 新月光电(深圳)股份有限公司 | 陶瓷白光贴附式led光源 |
CN211656710U (zh) * | 2019-11-25 | 2020-10-09 | 上海合辰科新材料有限公司 | 一种多维相变散热器 |
CN213340374U (zh) * | 2020-11-12 | 2021-06-01 | 深圳市众鸣电子有限公司 | 一种半导体led芯片 |
-
2021
- 2021-07-14 CN CN202110794795.8A patent/CN113644187A/zh active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070194336A1 (en) * | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package and method of manufacturing the same |
KR20090089173A (ko) * | 2008-02-18 | 2009-08-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 메모리 모듈 |
US20090302345A1 (en) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Bill Chuang | Led lamp module and fabrication method thereof |
CN101702424A (zh) * | 2009-10-23 | 2010-05-05 | 广东昭信光电科技有限公司 | 一种集成配光和散热功能的led封装结构 |
CN201868429U (zh) * | 2010-11-29 | 2011-06-15 | 苏州君耀光电有限公司 | 一种内嵌式发光二极管封装结构 |
CN105051892A (zh) * | 2013-09-05 | 2015-11-11 | 富士电机株式会社 | 电力用半导体模块 |
CN203836663U (zh) * | 2014-04-10 | 2014-09-17 | 广州市科朗电子实业有限公司 | 采用新型封装结构的led光源 |
CN206116454U (zh) * | 2016-10-18 | 2017-04-19 | 深圳市旭晟半导体股份有限公司 | 一种基于铝碳化硅散热基板的红外led高性能cob封装光源组件 |
CN206332054U (zh) * | 2017-01-12 | 2017-07-14 | 中山市腾玮照明科技有限公司 | 一种基于铝碳化硅散热基板的cob封装红外led光源组件 |
CN207938645U (zh) * | 2018-03-30 | 2018-10-02 | 新月光电(深圳)股份有限公司 | 陶瓷白光贴附式led光源 |
CN211656710U (zh) * | 2019-11-25 | 2020-10-09 | 上海合辰科新材料有限公司 | 一种多维相变散热器 |
CN213340374U (zh) * | 2020-11-12 | 2021-06-01 | 深圳市众鸣电子有限公司 | 一种半导体led芯片 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11543081B2 (en) | LED assembly with omnidirectional light field | |
EP2546899B1 (en) | Light emitting module, light source device, liquid crystal display device | |
US9157579B2 (en) | LED assembly with omnidirectional light field | |
KR101088910B1 (ko) | Led 패키지 및 그 제조방법 | |
TWI415293B (zh) | 光電元件之製造方法及其封裝結構 | |
US9196584B2 (en) | Light-emitting device and lighting apparatus using the same | |
KR100634189B1 (ko) | 박막형 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP2013531367A (ja) | Led光源及びその製造方法 | |
JP2005050838A (ja) | 表面実装型led及びそれを用いた発光装置 | |
JP2016058614A (ja) | 発光装置、及び照明装置 | |
TWI496323B (zh) | 發光模組 | |
US20090321768A1 (en) | Led | |
WO2006132795A9 (en) | A light-emitting device module with a substrate and methods of forming it | |
JP2016171147A (ja) | 発光装置および照明装置 | |
KR20060086057A (ko) | 엘이디 패키지의 열 방출 구조 및 그 구조를 구비한엘이디 패키지 | |
JP2014082481A (ja) | 発光装置 | |
EP2720266A2 (en) | Luminescence device | |
JP2012243643A (ja) | 電球形ランプ及び照明装置 | |
US9093281B2 (en) | Luminescence device | |
JP2007088099A (ja) | 照明器具 | |
EP2325908A2 (en) | Light emitting device package | |
CN113644187A (zh) | 一种高可靠性的集成封装led芯片 | |
TW201403870A (zh) | 發光二極體元件及其封裝方法 | |
KR20170043126A (ko) | 색좌표와 열전도성이 향상된 고출력 led 패키지 및 그 제조방법. | |
KR102142718B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211112 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |