CN113571459A - 用于制造显示装置的设备和用于制造显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了用于制造显示装置的设备和用于制造显示装置的方法。所述设备包括：第一壳体，具有第一腔室；支撑构件，设置在第一腔室中并且包括具有多个开口的框架；多个粘合图案，设置在框架上；以及多个静电支撑件，与多个开口叠置并且被支撑用于在多个开口中的相应开口中往复移动。

Description

用于制造显示装置的设备和用于制造显示装置的方法
本申请要求于2020年4月29日提交的第10-2020-0051949号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此，如同在此充分阐述一样。
技术领域
发明的示例性实施方式总体上涉及显示装置，更具体地，涉及用于制造显示装置的设备及制造显示装置的方法。
背景技术
显示装置的重要性随着多媒体的发展而已经增大。因此，已经使用了各种类型的显示装置，诸如液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管显示(OLED)装置。
近来，便携式电子装置已经被广泛使用。例如，近年来，除了诸如移动电话的小型电子装置之外，诸如平板PC的移动电子装置已经被广泛使用。
在基板上形成薄膜的方法包括物理气相沉积(PVD)方法(诸如真空热蒸发或电子束蒸发)。为了执行这样的沉积方法，基板需要被固定到卡盘板，使得基板的其上沉积有薄膜的表面面向下。
本背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解发明构思的背景技术，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
申请人认识到，显示装置的可靠性受到用于制造显示装置的常规设备和方法的阻碍，这可能损坏显示装置和/或允许异物变为附着到显示装置的基板。
根据发明的原理和示例性实施方式构造的用于制造显示装置的设备及用于制造显示装置的方法可以生产具有相对高的可靠性和良率的显示装置。所述设备和所述方法可以使显示装置的基板在附着到卡盘板时的损坏最小化，且降低异物在制造期间附着到基板的上表面的能力。例如，发明的示例性实施方式可以通过使用一个或更多个静电卡盘将基板固定到设备的支撑板来防止和/或减少对显示装置和基板的损坏，静电卡盘接触基板的下表面而不是基板的在其上将形成显示装置的元件的上表面。此外，这种构造可以防止异物附着到基板的上表面。
将在以下的描述中阐述发明构思的附加特征，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过发明构思的实践而获知。
根据发明的一个方面，一种用于制造显示装置的设备包括：第一壳体，具有第一腔室；支撑构件，设置在第一腔室中并且包括具有多个开口的框架；多个粘合图案，设置在框架上；以及多个静电支撑件，与多个开口叠置并且被支撑用于在多个开口中的相应开口中往复移动。
多个粘合图案可以包括彼此间隔开的压敏卡盘，并且压敏卡盘的上表面可以定位于基本上相同的平面中。
压敏卡盘可以具有基本上相同的形状和尺寸。
多个静电支撑件可以包括在第一方向上延伸的第一静电支撑件和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二静电支撑件。
所述设备还可以包括：一个或更多个升降装置，使多个静电支撑件移动通过开口。多个静电支撑件的上表面可以被构造为在维持基本上相同的平面的同时在开口中移动。
静电支撑件可以包括多个静电卡盘，并且一个或更多个升降装置可以结合到多个静电卡盘。
所述设备还可以包括：控制单元，操作一个或更多个升降装置以使多个静电支撑件往复移动通过多个开口，使得待安装在多个静电支撑件上的目标基板被压靠粘合图案的上表面。
所述设备还可以包括支撑支撑构件的可移动支撑件。可移动支撑件可以包括一个或更多个升降装置，在基本上垂直于多个静电支撑件的表面的方向上使支撑构件移动。
所述设备还可以包括：第二壳体，具有与第一腔室在空间上连接的第二腔室；以及基板处理装置，设置在第二腔室中。
基板处理装置可以包括具有待沉积的材料的沉积源和从沉积源喷射材料的喷嘴。
支撑构件可以包括卡盘板，卡盘板包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，通过基板处理装置将材料沉积在第一区域中，并且多个粘合图案可以设置在第二区域中。
根据发明的另一方面，一种用于制造显示装置的方法包括以下步骤：准备目标基板、包括框架和限定在框架中的开口的支撑板、设置在框架上的多个粘合图案以及与开口叠置并位于支撑板上方的静电支撑件；将目标基板放置并固定在静电支撑件上；以及朝向开口移动静电支撑件，使得目标基板经由粘合图案附着到支撑板的框架。
将目标基板放置并固定在静电支撑件上的步骤可以包括向静电支撑件施加电压。
将目标基板放置并固定在静电支撑件上的步骤还可以包括在其中设置有目标基板和静电支撑件的第一壳体的第一腔室中产生真空气氛。
所述方法还可以包括以下步骤：在第二壳体的第二腔室中准备沉积装置；将附着到目标基板的支撑板移动到第二腔室；在目标基板上沉积沉积材料；将支撑板移动到第一腔室；将支撑板放置在静电支撑件上；以及通过提升静电支撑件而使目标基板与粘合图案分离。
静电支撑件可以包括静电卡盘，并且移动静电支撑件的步骤可以包括停止向静电卡盘施加电压。
移动静电支撑件的步骤可以包括使用设置在静电支撑件下方的升降装置来降低静电支撑件。
支撑板可以包括卡盘板，并且移动静电支撑件的步骤可以包括将目标基板附着到包括压敏卡盘的粘合图案。
所述方法还可以包括以下步骤：在将目标基板附着到压敏卡盘之后，进一步降低静电支撑件，使得静电支撑件的上表面定位于卡盘板的后表面下方。
进一步降低静电支撑件的步骤还可以包括降低静电支撑件使得目标基板在卡盘板的开口周围局部地弯曲。
将理解的是，前面的一般描述和以下的详细描述都是示例性的和说明性的，并旨在提供要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
包括附图以提供发明的进一步理解，附图包含在本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了发明的示例性实施例，并和描述一起用于解释发明构思。
图1是根据发明的原理构造的用于制造显示装置的设备的示例性实施例的示意图。
图2是图1的夹持装置的示例性实施例的一部分的透视图。
图3是图2的夹持装置的平面图。
图4是沿着图3的线IV-IV'截取的剖视图。
图5是根据发明的原理的用于制造显示装置的方法的示例性实施例的流程图。
图6至图12是在图5的方法的一些工艺步骤下用于制造显示装置的设备的示意图。
图13是根据发明的原理构造的用于制造显示装置的设备的另一示例性实施例的示意图。
图14是根据发明的原理构造的用于制造显示装置的设备的又一示例性实施例的示意图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多特定细节，以提供发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻理解。如在此所使用的，“实施例”和“实施方式”是可互换的词语，其是采用在此公开的一个或更多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，可以在没有这些特定细节或具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种示例性实施例。在其它实例中，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种示例性实施例。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但不必是排它性的。例如，在不脱离发明构思的情况下，可以在另一示例性实施例中使用或实现示例性实施例的特定形状、构造和特性。
除非另外说明，否则所示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实现发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独或统称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。
附图中的交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、所示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现示例性实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，元件或层可以直接在所述另一元件或层上、连接到或结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可以在更广泛的含义上解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语可以在此用于描述性目的，并且从而描述如附图中所示出的一个元件与另一(另一些)元件的关系。除了附图中所描绘的方位之外，空间相对术语旨在包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。此外，设备可以另外定位(例如，旋转90度或处于其它方位处)，并且如此，在此使用的空间相对描述语被相应地解释。
在此使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不旨在成为限制。如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”及其变型、“包括”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在此所使用的，术语“基本上”、“约”和其它类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且如此用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在此参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的剖面图示和/或分解图示描述了各种示例性实施例。如此，将预期由例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，在此公开的示例性实施例不应该被必须地解释为限于区域的具体示出的形状，而是包括由例如制造引起的形状的偏差。以这种方式，附图中所示出的区域可以本质上为示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，并且如此不必旨在成为限制。
除非另外定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的本领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在常用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应该以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在此明确地如此定义。
图1是根据发明的原理构造的用于制造显示装置的设备的示例性实施例的示意图。图2是图1的夹持装置的示例性实施例的一部分的透视图。图3是图2的夹持装置的平面图。图4是沿着图3的线IV-IV'截取的剖视图。
图1至图4，用于制造显示装置的设备1可以包括以夹持装置CD的形式的可移动支撑件和基板处理装置。夹持装置CD可以是用于将目标基板SUB固定在以卡盘板CP的形式的支撑构件(或支撑板)上的装置，并且基板处理装置可以是用于对通过夹持装置CD安装在卡盘板CP上的目标基板SUB执行制造工艺的装置。基板处理装置可以是例如沉积装置(诸如图1的沉积装置DD)、蚀刻装置、清洁装置、热处理装置、激光处理装置、涂覆装置、检查装置等，但是示例性实施例不限于此。在所示出的实施例中，用于在目标基板SUB上沉积薄膜的沉积装置DD被示出为基板处理装置的示例。
沉积装置DD可以是在用于制造显示装置的工艺中使用的装置。例如，沉积装置DD可以在形成液晶显示器、场发射显示器、等离子体显示器和电致发光显示器中包括的多个薄膜的工艺中使用。
目标基板SUB可以是绝缘基板或包括设置在绝缘基板上的多个薄膜结构的基板。目标基板SUB可以包括上表面SUBa和与上表面SUBa相对的后表面SUBb，在上表面SUBa上通过沉积在其上的材料在沉积装置DD中形成薄膜。
在目标基板SUB上形成薄膜的方法的示例包括物理气相沉积(PVD)方法(诸如真空蒸发方法、离子电镀方法和溅射方法)以及通过气体反应的化学气相沉积(CVD)方法。在下文中，将描述真空蒸发方法，但是沉积装置DD的示例性实施例不限于此。
沉积装置DD可以包括待沉积的材料存储在其中的沉积源DC和具有通过其注入待沉积的材料的通道的喷嘴NZ。其中存储有待沉积的材料的存储空间可以形成在沉积源DC内部。例如，待沉积的材料可以是有机材料。具体地，待沉积的材料可以包括有机发光显示器的有机发光材料、空穴注入/空穴传输材料、电子注入/电子传输材料。作为有机材料的待沉积的材料可以被蒸发，然后通过喷嘴NZ朝向目标基板SUB排出。通过其蒸发待沉积的材料的方法的示例包括加热。例如，可以在沉积材料的内壁上形成加热线圈，并且可以向加热线圈施加电流以产生热量。然而，蒸发待沉积的材料的方法不限于加热。
第一壳体可以具有装载腔室CH1，第二壳体可以具有沉积腔室CH2。夹持装置CD和沉积装置DD可以定位于不同的腔室中。例如，夹持装置CD可以定位于装载腔室CH1中，沉积装置DD可以定位于沉积腔室CH2中。装载腔室CH1的内部空间可以被限定为装载空间LS，沉积腔室CH2的内部空间可以被限定为沉积空间DS。另外，装载空间LS和沉积空间DS可以通过设置在装载空间LS与沉积空间DS之间的连接空间CS而彼此在空间上连接，连接空间CS可以为连接腔室CH3的内部空间。连接空间CS是连接通道，在装载空间LS中装载有目标基板SUB的卡盘板CP通过该连接通道移动到沉积空间DS。在沉积空间DS中装载有在其上将沉积材料的目标基板SUB的卡盘板CP通过由连接空间CS形成的连接通道移动到装载空间LS。
用于制造显示装置的设备1可以包括第一门G1和第二门G2，第一门G1在与第一方向DR1相反的方向上设置在装载空间LS的一侧(例如，左侧)并且被构造为使目标基板SUB能够从外部拉入或拉出，第二门G2在第一方向DR1上设置在装载空间LS的另一侧(例如，右侧)，例如，第二门G2设置为在与第一方向DR1相反的方向上朝向装载空间LS并且连接到连接空间CS。门可以被翻转，使得第二门G2可以设置为在第一方向DR1上朝向连接空间CS。
用于制造显示装置的设备1还可以包括在第一方向DR1上设置在连接空间CS与沉积空间DS之间的第三门G3。第三门G3可以在与第一方向DR1相反的方向上设置在沉积空间DS的一侧(例如，左侧)。
在沉积工艺中，可以在装载空间LS和沉积空间DS中形成真空气氛，以防止异物等附着到目标基板SUB并稳定地沉积待沉积的材料。为此，用于制造显示装置的设备1还可以包括真空泵VM1和VM2以及真空管VP1和VP2。真空泵VM1和VM2可以包括在装载空间LS中提供真空气氛的第一真空泵VM1和在沉积空间DS中提供真空气氛的第二真空泵VM2。第一真空泵VM1可以通过第一真空管VP1连接到装载空间LS，并且第二真空泵VM2可以通过第二真空管VP2连接到沉积空间DS。图1示出了通过两个不同的真空泵VM1和VM2在装载空间LS和沉积空间DS中提供真空气氛，但是示例性实施例不限于此，并且也可以通过一个真空泵在装载空间LS和沉积空间DS中提供真空气氛。
夹持装置CD可以包括卡盘板CP、压敏卡盘PSC、静电支撑件(其可以以静电卡盘ESC的形式)、基体单元BS、支撑件SP以及升降装置SD。
目标基板SUB可以安装在卡盘板CP上。卡盘板CP可以包括穿过卡盘框架CF的多个开口OP以及围绕多个开口OP的卡盘框架CF。卡盘板CP可以具有长方体外观，但是示例性实施例不限于此，并且可以例如具有圆柱形状和其它多棱柱形状。
开口OP可以是穿透卡盘框架CF的通孔。每个开口OP的形状可以是长方体，但是示例性实施例不限于此。每个开口OP的尺寸可以基本上相同，但是示例性实施例不限于此。开口OP可以具有彼此不同的尺寸。开口OP的形状和尺寸可以根据显示装置的具体设计而不同地设定。
卡盘板CP可以包括与目标基板SUB的在沉积工艺中将沉积材料的区域叠置的第一区域和围绕第一区域并且与目标基板SUB的将不沉积材料的区域叠置的第二区域。第一区域和第二区域可以分别以沉积区域DA和非沉积区域NDA的形式设置。每个开口OP可以被包括在沉积区域DA中。位于开口OP之间的卡盘框架CF可以被包括在非沉积区域NDA中，但是示例性实施例不限于此，并且可以根据待安装的目标基板SUB的尺寸、形状或其它规格被包括在沉积区域DA中。例如，卡盘框架CF的位于彼此相邻的沉积区域DA之间的一部分可以被包括在非沉积区域NDA中。卡盘框架CF的位于与目标基板SUB中的将用于相同显示装置的区域对应的多个开口OP之间的另一部分可以被包括在沉积区域DA中。
可以以压敏粘合卡盘和/或压敏卡盘PSC的形式的粘合图案可以设置在包括在非沉积区域NDA中的卡盘框架CF上。安装在卡盘板CP上的目标基板SUB可以通过执行诸如沉积工艺、曝光工艺和蚀刻工艺的各种工艺而形成有微图案。压敏卡盘PSC可以将目标基板SUB固定和/或附着到卡盘板CP，使得目标基板SUB的位置在各种工艺期间不改变。压敏卡盘PSC可以包括具有粘附力的压敏垫、压敏片、压敏橡胶等。压敏卡盘PSC的后表面固定和/或附着到卡盘板CP，并且压敏卡盘PSC的上表面可以固定和/或附着到目标基板SUB。相应的压敏卡盘PSC彼此间隔开，并且压敏卡盘PSC的上表面可以定位于基本上同一平面上。此外，相应的压敏卡盘PSC可以具有基本上相同的形状和尺寸。
当沉积区域DA包括一个开口OP时，多个压敏卡盘PSC可以设置在围绕开口OP的卡盘框架CF上。当沉积区域DA包括多个开口OP时，压敏卡盘PSC可以不设置在卡盘框架CF的定位于开口OP之间的部分上。如果压敏卡盘PSC设置在包括多个开口OP的沉积区域DA中，则包含在压敏卡盘PSC中的压敏材料在以高温执行的工艺中被融化，并且在目标基板SUB上产生诸如斑点的异物，这引起显示装置中的缺陷。根据发明的原理和示例性实施例的压敏卡盘PSC可以不设置在沉积区域DA中，而是可以设置在围绕沉积区域DA的非沉积区域NDA中，从而避免在目标基板SUB上产生异物。
在平面图中，静电卡盘ESC可以设置在包括在卡盘板CP中的每个开口OP中。静电卡盘ESC可以与每个开口OP叠置，并且可以被构造为在第三方向DR3上往复移动以穿过开口OP。静电卡盘ESC连接到电源单元PW，并且可以从电源单元PW接收电力以使用静电力吸附并固定目标基板SUB。静电卡盘ESC的上表面可以接触目标基板SUB的后表面SUBb，以固定目标基板SUB。具体地，因为静电卡盘ESC的电压引起相反电位将被充入到目标基板SUB，并且由目标基板SUB的充入电位和静电卡盘ESC的电压产生吸引力，因此当向静电卡盘ESC施加电压时，静电卡盘ESC可以固定目标基板SUB。
静电卡盘ESC可以具有基本上平板形状。每个静电卡盘ESC的形状和尺寸可以对应于开口OP的形状和尺寸，对应的静电卡盘ESC可以设置在开口OP中。在示例性实施例中，静电卡盘ESC的形状与开口OP的形状基本上相同，但是静电卡盘ESC的尺寸小于开口OP的尺寸。例如，作为一个开口OP的长边的长度的第一宽度W1可以大于作为静电卡盘ESC的长边的长度的第二宽度W2。
另外，多个静电卡盘ESC可以包括具有如图3中的ESC1处所示的在第二方向DR2上延伸的形状的静电卡盘ESC和具有如图3中的ESC2处所示的在第一方向DR1上延伸的形状的静电卡盘ESC。
升降装置SD可以结合到静电卡盘ESC的下部，并且可以使静电卡盘ESC在第三方向DR3上往复地移动通过开口OP。此时，每个静电卡盘ESC的上表面可以移动，同时维持基本上同一平面。在示例性实施例中，可以提供两个或更多个升降装置SD，并且每个升降装置SD可以结合到每个静电卡盘ESC。例如，升降装置SD可以包括伺服电机或汽缸，但是示例性实施例不限于此。
在平面图中与开口OP叠置的静电卡盘ESC可以往复地来回移动通过开口OP。静电卡盘ESC的上表面可以移动到低于卡盘板CP的后表面的位置。此外，静电卡盘ESC的下表面可以移动到高于压敏卡盘PSC的上表面的位置。
升降装置SD的在第三方向DR3上使静电卡盘ESC移动的操作可以由控制单元CT控制。控制单元CT可以操作升降装置SD以使静电卡盘ESC移动通过开口OP，使得目标基板SUB设置在压敏卡盘PSC的上表面上和/或压靠压敏卡盘PSC的上表面，以将目标基板SUB附着到压敏卡盘PSC。
升降装置SD可以结合到设置在底部处的基体单元BS。也就是说，基体单元BS可以支撑静电卡盘ESC和使静电卡盘ESC移动的升降装置SD。
在示例性实施例中，支撑件SP可以在第一方向DR1上设置在基体单元BS的相对侧上。支撑件SP可以在夹持工艺期间支撑卡盘板CP。支撑件SP的上表面与卡盘板CP接触，并且可以包括基本上平坦的表面。
用于制造显示装置的设备1可以使用静电卡盘ESC将目标基板SUB夹持(固定)在压敏卡盘PSC和/或卡盘板CP上，静电卡盘ESC接触目标基板SUB的后表面SUBb而不是目标基板SUB的上表面SUBa，从而防止对目标基板SUB和/或设置在目标基板SUB的上表面SUBa上的元件的损坏。此外，可以防止和/或减少异物附着到目标基板SUB的上表面SUBa。
图5是根据发明的原理的用于制造显示装置的方法的示例性实施例的流程图。图6至图12是在图5的方法的一些工艺步骤下用于制造显示装置的设备的示意图。
在下文中，将参照图5至图12描述使用图1的设备1制造显示装置的示例性方法。
参照图5，用于制造显示装置的示例性方法可以包括以下步骤：在装载空间中准备目标基板、具有设置在上表面上的压敏卡盘的卡盘板以及位于卡盘板上方的静电卡盘(S100)；将目标基板放置并固定在静电卡盘上(S200)；通过降低静电卡盘将目标基板附着到压敏卡盘(S300)；继续降低静电卡盘以将静电卡盘的上表面放置在卡盘板的后表面下方(S400)；将卡盘板移动到沉积空间并在沉积空间中在目标基板上沉积材料(S500)；将目标基板移动到装载空间并将目标基板放置在装载空间中的支撑件上(S600)；以及通过提升静电卡盘将目标基板与压敏卡盘分离(S700)。
首先，可以执行在装载腔室CH1中准备目标基板SUB、具有在其上表面上设置压敏卡盘PSC的卡盘板CP以及位于卡盘板CP上方的静电卡盘ESC的步骤S100。装载腔室CH1、目标基板SUB、压敏卡盘PSC、卡盘板CP和静电卡盘ESC已经在上面参照图1至图4进行了描述，在下面将被省略以避免冗余。
参照图5、图6和图7，可以执行将目标基板SUB放置并固定在静电卡盘ESC上的步骤S200。目标基板SUB的后表面SUBb的至少一部分可以接触静电卡盘ESC。可以通过电源单元PW向静电卡盘ESC施加电压。如上面所描述的，当向静电卡盘ESC施加电压时，产生静电力，并且目标基板SUB可以通过由静电力引起的吸附力被吸附到和/或固定到静电卡盘ESC。
在目标基板SUB设置在静电卡盘ESC上之后，在第一门G1和第二门G2关闭的同时，可以通过第一真空泵VM1在装载空间LS中形成真空气氛。下面执行的所有工艺可以在真空气氛下执行。
当目标基板SUB的后表面SUBb被固定为与静电卡盘ESC接触时，可以执行通过降低静电卡盘ESC来将目标基板SUB夹持和/或附着到压敏卡盘PSC的步骤S300。可以由通过控制单元CT操作升降装置SD来执行降低静电卡盘ESC的步骤。可以降低静电卡盘ESC直到目标基板SUB的后表面SUBb接触压敏卡盘PSC的上表面。在这种情况下，静电卡盘ESC的上表面和压敏卡盘PSC的上表面可以位于基本上同一平面上。即使在目标基板SUB的后表面SUBb与压敏卡盘PSC的上表面进行接触之后，也可以通过升降装置SD推动静电卡盘ESC在与第三方向DR3相反的方向上向下下降。由此，可以执行目标基板SUB与压敏卡盘PSC之间的气密夹持。
参照图5、图8和图9，当目标基板SUB被夹持和/或附着到压敏卡盘PSC时，可以执行继续降低静电卡盘ESC使得静电卡盘ESC的上表面定位于卡盘板CP的后表面下方的步骤S400。这也可以由通过控制单元CT操作升降装置SD来执行。此时，电源单元PW可以停止向静电卡盘ESC施加电压，但是示例性实施例不限于此，并且电源单元PW可以为了目标基板SUB与压敏卡盘PSC之间的气密夹持而继续向静电卡盘ESC施加电压。由于施加到静电卡盘ESC的电压，可以维持静电力以保持目标基板SUB与静电卡盘ESC之间的粘附力。具有可以用作目标基板SUB与静电卡盘ESC之间的粘附力的静电力的静电卡盘ESC可以为了目标基板SUB与压敏卡盘PSC之间的气密夹持而在与第三方向DR3相反的方向上按压目标基板SUB。
在降低静电卡盘ESC期间，当不停止向静电卡盘ESC施加电压时，升降装置SD可以接收比当停止向静电卡盘ESC施加电压时的负载大的负载。此外，即使停止向静电卡盘ESC施加电压，静电力也可以保留在目标基板SUB与静电卡盘ESC之间，并且剩余的静电力可以在当静电卡盘ESC下降时为了目标基板SUB与压敏卡盘PSC之间的气密夹持而允许在与第三方向DR3相反的方向上按压目标基板SUB。
当静电卡盘ESC的上表面移动到低于压敏卡盘PSC的上表面的位置时，目标基板SUB可以由于与静电卡盘ESC的粘附力而在卡盘板CP的开口OP周围局部地弯曲。具体地，目标基板SUB的被夹持到静电卡盘ESC的区域可以相对于目标基板SUB的其它区域在与第三方向DR3相反的方向上移动。由此，可以在与第三方向DR3相反的方向上推动目标基板SUB，以在压敏卡盘PSC与目标基板SUB之间执行气密夹持。
静电卡盘ESC和目标基板SUB可以维持被夹持，直到静电卡盘ESC下降到预定位置，然后目标基板SUB的弯曲部分可以被分离并被再次恢复为平坦形状，并且静电卡盘ESC可以继续下降到下部位置。在随后的工艺中，卡盘板CP可以在第一方向DR1上移动到一侧。此时，为了便于卡盘板CP的移动，静电卡盘ESC可以下降，直到上表面定位于卡盘板CP的后表面下方。此外，静电卡盘ESC可以下降，直到上表面定位于支撑件SP的上表面下方。
参照图5和图10，在继续使静电卡盘ESC下降使得静电卡盘ESC定位于卡盘板CP的后表面下方的步骤S400之后，可以执行将卡盘板CP移动到沉积空间DS并将材料沉积在目标基板SUB上的步骤S500。可以在沉积腔室CH2内部的沉积空间DS中执行沉积工艺。卡盘板CP可以通过传送单元经由连接空间CS从装载空间LS传送到沉积空间DS。卡盘板CP可以旋转180°，使得目标基板SUB的上表面SUBa在与第三方向DR3相反的方向上面向沉积装置DD。以180°旋转卡盘板CP的步骤可以在沉积空间DS中被执行，但是示例性实施例不限于此，并且也可以在装载空间LS或连接空间CS中被执行。
当其上固定有目标基板SUB的卡盘板CP进入沉积空间DS时，在关闭第三门G3的同时，可以通过第二真空泵VM2在沉积空间DS中产生真空气氛。
当在沉积空间DS中产生真空气氛时，可以通过沉积装置DD将材料沉积在目标基板SUB的上表面SUBa上。在示例性实施例中，待沉积的材料被存储在沉积装置DD的沉积源DC中，然后被蒸发以通过喷嘴NZ朝向目标基板SUB的上表面SUBa喷射。
参照图5和图11，在将材料沉积在目标基板SUB的上表面SUBa上的步骤S500之后，可以执行将目标基板SUB移动到装载空间LS并将目标基板SUB放置在装载空间LS中的支撑件SP上的步骤S600。为了在其上执行沉积的目标基板SUB上执行另一工艺，需要将目标基板SUB与卡盘板CP分离。为了该目的，其上固定有目标基板SUB的卡盘板CP可以从沉积空间DS返回到装载空间LS。可以使用夹持装置CD来执行将目标基板SUB与卡盘板CP分离的步骤，但是示例性实施例不限于此，并且可以使用其它装置来执行将目标基板SUB与卡盘板CP分离的步骤。
当将其上固定有目标基板SUB的卡盘板CP安装在支撑件SP上时，静电卡盘ESC可以在第三方向DR3上朝向卡盘板CP上升。静电卡盘ESC的上表面可以接触目标基板SUB的与静电卡盘ESC的上表面位于基本上同一平面上的后表面SUBb。升降装置SD可以在控制单元CT的控制下使静电卡盘ESC上升。可以将电压施加到静电卡盘ESC以将静电卡盘ESC固定到目标基板SUB和/或将目标基板SUB与卡盘板CP分离。施加到静电卡盘ESC的电压可以在静电卡盘ESC的上表面与目标基板SUB的后表面SUBb进行接触之前被施加，但是示例性实施例不限于此。此外，施加到静电卡盘ESC的电压也可以在静电卡盘ESC的上表面与目标基板SUB的后表面SUBb进行接触之后被施加。
参照图5和图12，在执行步骤S600之后，可以执行通过提升静电卡盘ESC将目标基板SUB与压敏卡盘PSC分离的步骤S700。
当静电卡盘ESC的上表面移动到高于压敏卡盘PSC的上表面的位置时，由于目标基板SUB与压敏卡盘PSC之间的粘附力以及来自静电卡盘ESC的压力，目标基板SUB可以在卡盘板CP的开口OP周围局部地弯曲。具体地，目标基板SUB的被夹持到静电卡盘ESC的区域可以相对于目标基板SUB的其它区域在第三方向DR3上移动。由此，可以在第三方向DR3上推动目标基板SUB，以削弱压敏卡盘PSC与目标基板SUB之间的粘附力。
可以将静电卡盘ESC和目标基板SUB结合并固定在一起，直到静电卡盘ESC上升到预定位置。此后，压敏卡盘PSC和目标基板SUB彼此分离，使得目标基板SUB的弯曲部分再次恢复为平坦形状，并且静电卡盘ESC和目标基板SUB可以上升到如图6中所示的较高的位置。此时，压敏卡盘PSC可以不与卡盘板CP分离。在示例性实施例中，压敏卡盘PSC与卡盘板CP之间的粘附力可以大于压敏卡盘PSC与目标基板SUB之间的粘附力。此外，即使静电卡盘ESC的上表面在与目标基板SUB的后表面SUBb进行接触的同时上升，由于卡盘板CP本身的负载大于压敏卡盘PSC与目标基板SUB之间的粘附力，卡盘板CP也不会上升。当目标基板SUB与压敏卡盘PSC分离时，电压被连续地施加到静电卡盘ESC，使得目标基板SUB可以在被固定到静电卡盘ESC的同时被稳定地分离。
在下文中，将描述用于制造显示装置的设备的另一示例性实施例。在以下的实施例中，将省略或简化与上面描述的实施例的构造基本上相同的构造的描述以避免冗余，并且将主要描述差异。
图13是根据发明的原理构造的用于制造显示装置的设备的另一示例性实施例的示意图。
参照图13，用于制造显示装置的设备1_1与图1的设备1的不同之处在于：在夹持装置CD_1中，各自分离的静电卡盘ESC_1可以通过一个升降装置SD_1在第三方向DR3上移动。在设备1_1中，静电卡盘ESC_1可以在第三方向DR3上在对应的开口OP中往复移动。静电卡盘ESC_1的上表面可以移动到低于卡盘板CP的后表面的位置。此外，静电卡盘ESC_1的下表面可以移动到高于压敏卡盘PSC的上表面的位置。可以由控制单元CT控制升降装置SD_1的在第三方向DR3上使静电卡盘ESC_1移动的操作。
升降装置SD_1可以结合到设置在底部处的基体单元BS。也就是说，基体单元BS可以支撑静电卡盘ESC_1和使静电卡盘ESC_1移动的升降装置SD_1。
设备1_1可以使用接触目标基板SUB的后表面SUBb(而不是目标基板SUB的上表面SUBa)的静电卡盘ESC_1将目标基板SUB夹持(固定)在压敏卡盘PSC和/或卡盘板CP上，从而防止对目标基板SUB和/或设置在目标基板SUB的上表面SUBa上的元件的损坏。此外，可以防止和/或减少异物附着到目标基板SUB的上表面SUBa。
图14是根据发明的原理构造的用于制造显示装置的设备的又一示例性实施例的示意图。
参照图14，用于制造显示装置的设备1_2与图1的设备1的不同之处在于：在夹持装置CD_2中，支撑件SP_2可以包括第一支撑件SP1_2和第二支撑件SP2_2，升降装置SD_2被包括在第一支撑件SP1_2中和/或结合到第一支撑件SP1_2，并且在第三方向DR3上往复移动并支撑卡盘板CP。
静电卡盘ESC可以结合到设置在底部处的第二支撑件SP2_2。第二支撑件SP2_2可以在夹持工艺期间支撑静电卡盘ESC。第二支撑件SP2_2可以包括用于将从电源单元PW提供的电压施加到静电卡盘ESC的布线。
卡盘板CP可以被设置在下部处的第一支撑件SP1_2支撑。卡盘板CP可以通过包括在第一支撑件SP1_2中的升降装置SD_2在基本上垂直于静电卡盘ESC的表面的方向(其可以是第三方向DR3)上移动。当卡盘板CP在第三方向DR3上移动时，静电卡盘ESC可以在卡盘板CP的开口OP中往复移动。卡盘板CP的后表面可以移动到高于静电卡盘ESC的上表面的位置。此外，压敏卡盘PSC的上表面可以移动到低于静电卡盘ESC的下表面的位置。升降装置SD_2在第三方向DR3上使卡盘板CP移动的操作可以由控制单元CT控制。
用于制造显示装置的设备1_2可以使用接触目标基板SUB的后表面SUBb(而不是目标基板SUB的上表面SUBa)的静电卡盘ESC将目标基板SUB夹持(固定)在压敏卡盘PSC和/或卡盘板CP上，从而防止对目标基板SUB和/或设置在目标基板SUB的上表面SUBa上的元件的损坏。此外，可以防止和/或减少异物附着到目标基板SUB的上表面SUBa。
尽管在此已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是根据该描述，其它实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这些实施例，而是限于所附权利要求的更广泛范围以及如对于本领域普通技术人员将是明显的各种明显的修改和等同布置。

Claims (20)

1.一种用于制造显示装置的设备，所述设备包括：
第一壳体，具有第一腔室；
支撑构件，设置在所述第一腔室中并且包括具有多个开口的框架；
多个粘合图案，设置在所述框架上；以及
多个静电支撑件，与所述多个开口叠置并且被支撑用于在所述多个开口中的相应开口中往复移动。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述多个粘合图案包括彼此间隔开的压敏卡盘，并且所述压敏卡盘的上表面定位于相同的平面中。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述压敏卡盘具有相同的形状和尺寸。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述多个静电支撑件包括在第一方向上延伸的第一静电支撑件和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二静电支撑件。
5.根据权利要求1所述的设备，所述设备还包括：
一个或更多个升降装置，使所述多个静电支撑件移动通过所述多个开口，
其中，所述多个静电支撑件的上表面被构造为在维持相同的平面的同时在所述多个开口中移动。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述多个静电支撑件包括多个静电卡盘，并且所述一个或更多个升降装置结合到所述多个静电卡盘。
7.根据权利要求5所述的设备，所述设备还包括：
控制单元，操作所述一个或更多个升降装置以使所述多个静电支撑件往复移动通过所述多个开口，使得待安装在所述多个静电支撑件上的目标基板被压靠所述多个粘合图案的上表面。
8.根据权利要求1所述的设备，所述设备还包括：
可移动支撑件，支撑所述支撑构件，
其中，所述可移动支撑件包括一个或更多个升降装置，在垂直于所述多个静电支撑件的表面的方向上使所述支撑构件移动。
9.根据权利要求1所述的设备，所述设备还包括：
第二壳体，具有与所述第一腔室在空间上连接的第二腔室；以及
基板处理装置，设置在所述第二腔室中。
10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述基板处理装置包括具有待沉积的材料的沉积源和从所述沉积源喷射所述材料的喷嘴。
11.根据权利要求10所述的设备，其中：
所述支撑构件包括卡盘板，所述卡盘板包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，通过所述基板处理装置将所述材料沉积在所述第一区域中，并且
所述多个粘合图案设置在所述第二区域中。
12.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
准备目标基板、包括框架和限定在所述框架中的开口的支撑板、设置在所述框架上的多个粘合图案以及与所述开口叠置并位于所述支撑板上方的静电支撑件，
将所述目标基板放置并固定在所述静电支撑件上；以及
朝向所述开口移动所述静电支撑件，使得所述目标基板经由所述粘合图案附着到所述支撑板的所述框架。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，将所述目标基板放置并固定在所述静电支撑件上的所述步骤包括向所述静电支撑件施加电压。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，将所述目标基板放置并固定在所述静电支撑件上的所述步骤还包括在其中设置有所述目标基板和所述静电支撑件的第一壳体的第一腔室中产生真空气氛。
15.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
在第二壳体的第二腔室中准备沉积装置；
将附着到所述目标基板的所述支撑板移动到所述第二腔室；
在所述目标基板上沉积沉积材料；
将所述支撑板移动到所述第一腔室；
将所述支撑板放置在所述静电支撑件上；以及
通过提升所述静电支撑件而使所述目标基板与所述粘合图案分离。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述静电支撑件包括静电卡盘，并且移动所述静电支撑件的所述步骤包括停止向所述静电卡盘施加电压。
17.根据权利要求12所述的方法，其中，移动所述静电支撑件的所述步骤包括使用设置在所述静电支撑件下方的升降装置来降低所述静电支撑件。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述支撑板包括卡盘板，并且移动所述静电支撑件的所述步骤包括将所述目标基板附着到包括压敏卡盘的所述粘合图案。
19.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
在将所述目标基板附着到所述压敏卡盘之后，进一步降低所述静电支撑件，使得所述静电支撑件的上表面定位于所述卡盘板的后表面下方。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，进一步降低所述静电支撑件的所述步骤还包括降低所述静电支撑件使得所述目标基板在所述卡盘板的所述开口周围局部地弯曲。
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TW594297B (en) 2002-07-19 2004-06-21 Hitachi Ind Co Ltd Substrate assembling device
JP2011138902A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Tokyo Electron Ltd 実装方法及び実装装置
KR101383282B1 (ko) 2011-12-28 2014-04-08 엘아이지에이디피 주식회사 기판 합착장치
KR101401473B1 (ko) 2012-08-30 2014-06-03 이지스코 주식회사 기판 흡착용 정전 척 및 그를 이용한 기판 흡착 방법
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KR101833606B1 (ko) 2016-02-03 2018-04-16 주식회사 야스 클램핑 유닛을 포함하는 점착척
US20190153588A1 (en) * 2016-05-12 2019-05-23 Corning Incorporated Electrostatic chucking of cover glass with irregular surface flatness
KR102008580B1 (ko) 2017-11-16 2019-08-08 주식회사 야스 기체의 압력차를 이용한 점착 척과 기판 간의 합착 시스템
KR20210134097A (ko) * 2020-04-29 2021-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법

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