CN113541116B - 一种基于功率mos的电压钳位电路和*** - Google Patents

一种基于功率mos的电压钳位电路和*** Download PDF

Info

Publication number
CN113541116B
CN113541116B CN202110887651.7A CN202110887651A CN113541116B CN 113541116 B CN113541116 B CN 113541116B CN 202110887651 A CN202110887651 A CN 202110887651A CN 113541116 B CN113541116 B CN 113541116B
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
diode
resistor
triode
network
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110887651.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113541116A (zh
Inventor
杜建华
周世安
刘忠汉
苏少侃
刘飞
王彬磊
赵兰
于洋
王惠
张兴国
卢焕然
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Institute of Control Engineering
Original Assignee
Beijing Institute of Control Engineering
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Institute of Control Engineering filed Critical Beijing Institute of Control Engineering
Priority to CN202110887651.7A priority Critical patent/CN113541116B/zh
Publication of CN113541116A publication Critical patent/CN113541116A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113541116B publication Critical patent/CN113541116B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B64—AIRCRAFT; AVIATION; COSMONAUTICS
    • B64G—COSMONAUTICS; VEHICLES OR EQUIPMENT THEREFOR
    • B64G1/00—Cosmonautic vehicles
    • B64G1/22—Parts of, or equipment specially adapted for fitting in or to, cosmonautic vehicles
    • B64G1/40—Arrangements or adaptations of propulsion systems
    • B64G1/405—Ion or plasma engines
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于功率MOS的电压钳位电路和***，该电压钳位电路包括：隔离二极管D5、MOS管Q3和控制电路；隔离二极管D5和MOS管Q3串联；控制电路与串联后的隔离二极管D5和MOS管Q3，并联接入网络A和网络B；其中，控制电路的高端接网络A，控制电路的低端接网络B；隔离二极管D5的阳极接网络A，MOS管Q3的S极接网络B。本发明解决了瞬态二极管无法承受霍尔电推进点火过程中的能量冲击而烧毁的问题。

Description

一种基于功率MOS的电压钳位电路和***
技术领域
本发明属于霍尔电推进***技术领域，尤其涉及一种基于功率MOS的电压钳位电路和***。
背景技术
在霍尔电推进***中，因电源处理单元(PPU)输出为高电压，为了保证整星安全，PPU输出高压地与星体必须进行隔离；同时为了避免PPU高压地相对整星星体因浮地产生空间电荷积累而危害整星安全，通常要求在高压地与结构地(星体地)设置钳位电路。
为了实现钳位，常规做法是采用瞬态抑制二极管实现，当高压地相对星体地浮动电压积累到设定的钳位电压点，则钳位二极管在短时间快速对积累的电荷进行放电，保证高压产品和星体安全。
但对电推进***而言，在PPU与推力器点火瞬间推力器喷射出的高能离子可能出现非电中和工况，导致真空舱体与高压地之间出现电压高达200V、电流数十安培、持续时间数百ms的电流，导致瞬态抑制二极管无法承受瞬时冲击而烧毁。
发明内容
本发明的技术解决问题：克服现有技术的不足，提供一种基于功率MOS的电压钳位电路和***，旨在解决瞬态二极管无法承受霍尔电推进点火过程中的能量冲击而烧毁的问题。
为了解决上述技术问题，本发明公开了一种基于功率MOS的电压钳位电路，包括：隔离二极管D5、MOS管Q3和控制电路；
隔离二极管D5和MOS管Q3串联；其中，隔离二极管D5的阴极接MOS管Q3的D极；
控制电路与串联后的隔离二极管D5和MOS管Q3，并联接入网络A和网络B；其中，控制电路的高端接网络A，低端接网络B；隔离二极管D5的阳极接网络A，MOS管Q3的S极接网络B。
在上述基于功率MOS的电压钳位电路中，控制电路，用于根据被钳位网络的电压信号，控制MOS管Q3的接通与断开，以实现钳位。
在上述基于功率MOS的电压钳位电路中，控制电路，包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压二极管D1、二极管D2、稳压二极管D3、二极管D4、三极管Q1和三极管Q2；
二极管D4为控制电路的高端，二极管D4的阴极分别连接稳压二极管D1的阴极、电阻R3的一端、电阻R4的一端；
稳压二极管D1的阳极连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端分别连接电阻R2的一端、二极管D2的阴极、三极管Q1的基极；
电阻R3的另一端连接三极管Q1的集电极和三极管Q2的基极；
电阻R4的另一端、稳压二极管D3的阴极、三极管Q2的漏极、电阻R5的一端连接控制电路的控制端；
稳压二极管D3的阳极连接二极管D2的阳极；
电阻R2的另一端、三极管Q1的发射极、三极管Q2的发射极、电阻R5的另一端连接控制电路的低端。
在上述基于功率MOS的电压钳位电路中，控制电路在根据被钳位网络的电压信号，控制MOS管Q3的接通与断开，以实现钳位时，包括：
当VAB＜V阈值时，控制二极管D1截止、三极管Q1截止；电压VAB经二极管D4、电阻R3给三极管Q2的基极供电；三极管Q2导通，使MOS管Q3的GS电压低于MOS管Q3的导通电压，MOS管Q3截止；其中，V阈值表示设定的钳位电压；VAB表示网络A与网络B之间的电压，即被钳位网络的电压。
在上述基于功率MOS的电压钳位电路中，控制电路在根据被钳位网络的电压信号，控制MOS管Q3的接通与断开，以实现钳位时，还包括：
当VAB≥V阈值时，控制二极管D1导通，电压VAB经二极管D4、二极管D1、电阻R1给三极管Q1的基极供电；三极管Q1导通，使三极管Q2的基极电压低于三极管Q2的导通电压，三极管Q2截止；电压VAB经二极管D4、电阻R4、二极管D3、二极管D2后给三极管Q1的基极供电，以维持三极管Q1的导通和三极管Q2的截止，同时电压VAB经二极管D4、电阻R4、电阻R5给MOS管Q3的G极供电，MOS管Q3导通；电压VAB经二极管D5、MOS管Q3放电，电压值降低，直至电压VAB的电压值下降至不能维持MOS管Q3的导通为止，以将电压VAB限制在设定的钳位电压。
在上述基于功率MOS的电压钳位电路中，隔离二极管D5，用于限制电流的流动方向。
在上述基于功率MOS的电压钳位电路中，MOS管Q3，用于在控制电路的控制下，接通或断开被钳位网络。
相应的，本发明还公开了一种基于功率MOS的电压钳位***，包括：两套如基于功率MOS的电压钳位电路；
两套基于功率MOS的电压钳位电路反向并联组合，以实现双向钳位；
或，
两套基于功率MOS的电压钳位电路串联冗余组合，以提高可靠度。
本发明具有以下优点：
本发明公开了一种基于功率MOS的电压钳位电路，由控制电路检测被钳位的电压信号，并与设定的钳位电压比较后产生钳位控制信号以驱动MOS管Q3的接通与断开来实现钳位：当钳位网络两端电压低于设定的钳位电压时，钳位电路不进行钳位。当钳位网络两端电压高于设定的钳位电压时，控制电路产生钳位信号驱动MOS管Q3导通，从而快速释放钳位网络两端能量并将钳位网络两端电压降低至安全范围，从而实现钳位的目的，进而解决了瞬态二极管无法承受霍尔电推进点火过程中的能量冲击而烧毁的问题。
附图说明
图1是本发明实施例中一种基于功率MOS的电压钳位电路的电路结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明公开的实施方式作进一步详细描述。
如图1，在本实施例中，该基于功率MOS的电压钳位电路，包括：隔离二极管D5、MOS管Q3和控制电路。具体的：隔离二极管D5与MOS管Q3串联，控制电路与串联后的隔离二极管D5和MOS管Q3，并联接入网络A和网络B。其中，隔离二极管D5的阴极接MOS管Q3的D极；控制电路的高端接网络A，控制电路的低端接网络B；隔离二极管D5的阳极接网络A，MOS管Q3的S极接网络B。
在本实施例中，控制电路主要用于：根据被钳位网络的电压信号，控制MOS管Q3的接通与断开，以实现钳位。如图1，该控制电路具体可以包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压二极管D1、二极管D2、稳压二极管D3、二极管D4、三极管Q1和三极管Q2。其中，二极管D4为控制电路的高端，二极管D4的阴极分别连接稳压二极管D1的阴极、电阻R3的一端、电阻R4的一端；稳压二极管D1的阳极连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端分别连接电阻R2的一端、二极管D2的阴极、三极管Q1的基极；电阻R3的另一端连接三极管Q1的集电极和三极管Q2的基极；电阻R4的另一端、稳压二极管D3的阴极、三极管Q2的漏极、电阻R5的一端连接控制电路的控制端；稳压二极管D3的阳极连接二极管D2的阳极；电阻R2的另一端、三极管Q1的发射极、三极管Q2的发射极、电阻R5的另一端连接控制电路的低端。
在本实施例中，控制电路在根据被钳位网络的电压信号，控制MOS管Q3的接通与断开时，具体实现如下：
当VAB＜V阈值时，控制二极管D1截止、三极管Q1截止；电压VAB经二极管D4、电阻R3给三极管Q2的基极供电；三极管Q2导通，使MOS管Q3的GS电压低于MOS管Q3的导通电压，MOS管Q3截止。其中，V阈值表示设定的钳位电压；VAB表示网络A与网络B之间的电压，即被钳位网络的电压。
当VAB≥V阈值时，控制二极管D1导通，电压VAB经二极管D4、二极管D1、电阻R1给三极管Q1的基极供电；三极管Q1导通，使三极管Q2的基极电压低于三极管Q2的导通电压，三极管Q2截止；电压VAB经二极管D4、电阻R4、二极管D3、二极管D2后给三极管Q1的基极供电，以维持三极管Q1的导通和三极管Q2的截止，同时电压VAB经二极管D4、电阻R4、电阻R5给MOS管Q3的G极供电，MOS管Q3导通；电压VAB经二极管D5、MOS管Q3放电，电压值降低，直至电压VAB的电压值下降至不能维持MOS管Q3的导通为止，以将电压VAB限制在设定的钳位电压。
在本实施例中，隔离二极管D5主要用于限制电流的流动方向。MOS管Q3主要用于在控制电路的控制下，接通或断开被钳位网络。
综上所述，本发明公开了一种基于功率MOS的电压钳位电路，由控制电路检测被钳位的电压信号，并与设定的钳位电压比较后产生钳位控制信号以驱动MOS管Q3的接通与断开来实现钳位：当钳位网络两端电压低于设定的钳位电压时，钳位电路不进行钳位。当钳位网络两端电压高于设定的钳位电压时，控制电路产生钳位信号驱动MOS管Q3导通，从而快速释放钳位网络两端能量并将钳位网络两端电压降低至安全范围，从而实现钳位的目的。
此外，本发明还公开了一种基于功率MOS的电压钳位***，该基于功率MOS的电压钳位***包括两套前述实施例中所述的基于功率MOS的电压钳位电路。其中，当两套基于功率MOS的电压钳位电路反向并联组合时，该电压钳位***可以实现双向钳位；当两套基于功率MOS的电压钳位电路串联冗余组合时，该电压钳位***具有较高的可靠度。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
本发明说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员的公知技术。

Claims (6)

1.一种基于功率MOS的电压钳位电路，其特征在于，包括：隔离二极管D5、MOS管Q3和控制电路；
隔离二极管D5和MOS管Q3串联；其中，隔离二极管D5的阴极接MOS管Q3的D极；
控制电路与串联后的隔离二极管D5和MOS管Q3，并联接入网络A和网络B；其中，控制电路的高端接网络A，低端接网络B；隔离二极管D5的阳极接网络A，MOS管Q3的S极接网络B；
控制电路，用于根据被钳位网络的电压信号，控制MOS管Q3的接通与断开，以实现钳位；控制电路，包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压二极管D1、二极管D2、稳压二极管D3、二极管D4、三极管Q1和三极管Q2；其中，二极管D4为控制电路的高端，二极管D4的阴极分别连接稳压二极管D1的阴极、电阻R3的一端、电阻R4的一端；
稳压二极管D1的阳极连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端分别连接电阻R2的一端、二极管D2的阴极、三极管Q1的基极；
电阻R3的另一端连接三极管Q1的集电极和三极管Q2的基极；
电阻R4的另一端、稳压二极管D3的阴极、三极管Q2的漏极、电阻R5的一端连接控制电路的控制端；
稳压二极管D3的阳极连接二极管D2的阳极；
电阻R2的另一端、三极管Q1的发射极、三极管Q2的发射极、电阻R5的另一端连接控制电路的低端。
2.根据权利要求1所述的基于功率MOS的电压钳位电路，其特征在于，控制电路在根据被钳位网络的电压信号，控制MOS管Q3的接通与断开，以实现钳位时，包括：
当VAB＜V阈值时，控制二极管D1截止、三极管Q1截止；电压VAB经二极管D4、电阻R3给三极管Q2的基极供电；三极管Q2导通，使MOS管Q3的GS电压低于MOS管Q3的导通电压，MOS管Q3截止；其中，V阈值表示设定的钳位电压；VAB表示网络A与网络B之间的电压，即被钳位网络的电压。
3.根据权利要求2所述的基于功率MOS的电压钳位电路，其特征在于，控制电路在根据被钳位网络的电压信号，控制MOS管Q3的接通与断开，以实现钳位时，还包括：
当VAB≥V阈值时，控制二极管D1导通，电压VAB经二极管D4、二极管D1、电阻R1给三极管Q1的基极供电；三极管Q1导通，使三极管Q2的基极电压低于三极管Q2的导通电压，三极管Q2截止；电压VAB经二极管D4、电阻R4、二极管D3、二极管D2后给三极管Q1的基极供电，以维持三极管Q1的导通和三极管Q2的截止，同时电压VAB经二极管D4、电阻R4、电阻R5给MOS管Q3的G极供电，MOS管Q3导通；电压VAB经二极管D5、MOS管Q3放电，电压值降低，直至电压VAB的电压值下降至不能维持MOS管Q3的导通为止，以将电压VAB限制在设定的钳位电压。
4.根据权利要求1～3任一项所述的基于功率MOS的电压钳位电路，其特征在于，隔离二极管D5，用于限制电流的流动方向。
5.根据权利要求1～3任一项所述的基于功率MOS的电压钳位电路，其特征在于，MOS管Q3，用于在控制电路的控制下，接通或断开被钳位网络。
6.一种基于功率MOS的电压钳位***，其特征在于，包括：两套如上述权利要求1所述的基于功率MOS的电压钳位电路；
两套基于功率MOS的电压钳位电路反向并联组合，以实现双向钳位；
或，
两套基于功率MOS的电压钳位电路串联冗余组合，以提高可靠度。
CN202110887651.7A 2021-08-03 2021-08-03 一种基于功率mos的电压钳位电路和*** Active CN113541116B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110887651.7A CN113541116B (zh) 2021-08-03 2021-08-03 一种基于功率mos的电压钳位电路和***

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110887651.7A CN113541116B (zh) 2021-08-03 2021-08-03 一种基于功率mos的电压钳位电路和***

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113541116A CN113541116A (zh) 2021-10-22
CN113541116B true CN113541116B (zh) 2023-11-10

Family

ID=78090331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110887651.7A Active CN113541116B (zh) 2021-08-03 2021-08-03 一种基于功率mos的电压钳位电路和***

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113541116B (zh)

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004139450A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Koito Mfg Co Ltd 電圧クランプ回路
CN101188356A (zh) * 2006-11-21 2008-05-28 半导体元件工业有限责任公司 保护电路及其方法
JP2011041419A (ja) * 2009-08-17 2011-02-24 Cosel Co Ltd スイッチング電源装置
CN203406604U (zh) * 2013-08-08 2014-01-22 Tcl空调器(中山)有限公司 Igbt过流保护电路和变流装置
CN105960758A (zh) * 2014-02-05 2016-09-21 罗伯特·博世有限公司 具有自钳位晶体管的整流器电路
CN106786463A (zh) * 2017-01-04 2017-05-31 上海华虹宏力半导体制造有限公司 高压esd保护触发电路
CN107645157A (zh) * 2016-07-21 2018-01-30 美国亚德诺半导体公司 具有瞬态激活和激活释放控制的高电压钳位装置
CN108075460A (zh) * 2016-11-15 2018-05-25 恩智浦有限公司 具有反馈控制的浪涌保护电路
CN209088537U (zh) * 2018-10-19 2019-07-09 南京慧感电子科技有限公司 一种电压钳位及esd保护电路
CN111130086A (zh) * 2019-12-26 2020-05-08 兰州空间技术物理研究所 一种电源***安全电位保护电路
CN111509687A (zh) * 2020-05-22 2020-08-07 上海传卓电子有限公司 一种高压带接反保护的esd电路
CN112736854A (zh) * 2020-12-03 2021-04-30 纳瓦电子（上海）有限公司 Mos管钳位电路***
CN113054636A (zh) * 2020-03-31 2021-06-29 台湾积体电路制造股份有限公司 钳位电路、静电放电保护电路及其操作方法
CN113067322A (zh) * 2021-03-31 2021-07-02 西安电子科技大学 一种双触发结构的esd电源钳位保护电路

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080316659A1 (en) * 2007-06-19 2008-12-25 Ismail Hakki Oguzman High voltage esd protection featuring pnp bipolar junction transistor
US8804289B2 (en) * 2007-10-17 2014-08-12 Nxp, B.V. Voltage surge protection circuit
JP6623139B2 (ja) * 2016-10-24 2019-12-18 株式会社東芝 Ｅｓｄ保護回路
US10826291B2 (en) * 2018-09-12 2020-11-03 CoolStar Technology, Inc. Electrostatic discharge transient power clamp

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004139450A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Koito Mfg Co Ltd 電圧クランプ回路
CN101188356A (zh) * 2006-11-21 2008-05-28 半导体元件工业有限责任公司 保护电路及其方法
JP2011041419A (ja) * 2009-08-17 2011-02-24 Cosel Co Ltd スイッチング電源装置
CN203406604U (zh) * 2013-08-08 2014-01-22 Tcl空调器(中山)有限公司 Igbt过流保护电路和变流装置
CN105960758A (zh) * 2014-02-05 2016-09-21 罗伯特·博世有限公司 具有自钳位晶体管的整流器电路
CN107645157A (zh) * 2016-07-21 2018-01-30 美国亚德诺半导体公司 具有瞬态激活和激活释放控制的高电压钳位装置
CN108075460A (zh) * 2016-11-15 2018-05-25 恩智浦有限公司 具有反馈控制的浪涌保护电路
CN106786463A (zh) * 2017-01-04 2017-05-31 上海华虹宏力半导体制造有限公司 高压esd保护触发电路
CN209088537U (zh) * 2018-10-19 2019-07-09 南京慧感电子科技有限公司 一种电压钳位及esd保护电路
CN111130086A (zh) * 2019-12-26 2020-05-08 兰州空间技术物理研究所 一种电源***安全电位保护电路
CN113054636A (zh) * 2020-03-31 2021-06-29 台湾积体电路制造股份有限公司 钳位电路、静电放电保护电路及其操作方法
CN111509687A (zh) * 2020-05-22 2020-08-07 上海传卓电子有限公司 一种高压带接反保护的esd电路
CN112736854A (zh) * 2020-12-03 2021-04-30 纳瓦电子（上海）有限公司 Mos管钳位电路***
CN113067322A (zh) * 2021-03-31 2021-07-02 西安电子科技大学 一种双触发结构的esd电源钳位保护电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN113541116A (zh) 2021-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20180248359A1 (en) Photovoltaic rapid shutdown device and photovoltaic system
CN108539708B (zh) 一种多重的过流过压本安保护电路
CN212323705U (zh) 一种汽车控制器输入电源保护电路
US10607792B2 (en) Disconnecting device for galvanic direct current interruption
CN110830015A (zh) 功率半导体元件的驱动保护电路及其控制方法
CN109962462B (zh) 一种基于串联开关的直流电网双向电流阻断电路
CN106024497B (zh) 一种高短路关断直流断路器用辅助电路及其控制方法
CN104753329A (zh) 一种大功率开关电源软启动电路
CN112803360A (zh) 浪涌保护电路、浪涌保护方法及电池供电电路
CN113541116B (zh) 一种基于功率mos的电压钳位电路和***
CN111404113A (zh) 一种t型直流断路器及其控制方法
CN111029212A (zh) 一种继电器触点状态检测电路及车辆、高压配电***
US10498135B2 (en) Switch protection device
CN111409463A (zh) 电动汽车及其放电防护电路
CN217214631U (zh) 一种强流离子源快速保护***
CN214380048U (zh) 浪涌保护电路及电池供电电路
CN210468792U (zh) 具有紧急主动短路和被动放电功能的装置
CN113690846A (zh) 一种过压保护电路、车载终端及商用车
CN109799453B (zh) 一种开关电磁阀控制监测电路及方法
CN108075757B (zh) 一种大功率gto的驱动控制电路
Zhao et al. Fault Current Bypass and Transient Commutation Current Injection Based Soft Turn-Off DC SSCBs
CN214956636U (zh) 用于直流大电流场合的开关电路及电池充放电控制电路
CN110492440B (zh) 一种用于大功率拓扑控制的软启动保护电路
CN217522573U (zh) 过压保护电路结构及电器设备
CN112339685B (zh) 车身控制模块及车辆

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant