CN113540172A - 显示装置 - Google Patents

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display device
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common voltage
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李安洙
李智慧
赵康文
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本发明的一实施例公开了一种显示装置，所述显示装置包括：显示要素，包括像素电极以及公共电极；驱动薄膜晶体管；第一薄膜晶体管，连接到所述驱动薄膜晶体管的栅极电极以及第一初始化电压线；第二薄膜晶体管，连接到所述显示要素的像素电极以及第二初始化电压线；以及公共电压线，连接到所述第一初始化电压线以及所述第二初始化电压线，并施加与施加到所述公共电极的电压相同的电压。

Description

显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置具备包括显示要素以及用于控制施加到显示要素的电信号的像素电路的多个像素。像素电路包括薄膜晶体管(TFT；Thin Film Transistor)、电容器以及多个布线。随着像素电路变得复杂，正在积极进行研究以提供显示质量也被提高的显示装置。
发明内容
本发明的实施例提供一种能够防止公共电极的电压下降的显示装置。但这些课题是示例性的，本发明的范围不限于此。
根据本发明的一实施例的显示装置包括：显示要素，包括像素电极以及公共电极；驱动薄膜晶体管；第一薄膜晶体管，连接到所述驱动薄膜晶体管的栅极电极以及第一初始化电压线；第二薄膜晶体管，连接到所述显示要素的像素电极以及第二初始化电压线；以及公共电压线，连接到所述第一初始化电压线以及所述第二初始化电压线，并施加与施加到所述公共电极的电压相同的电压。
可以是，所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线分别向第一方向延伸并隔开配置，所述公共电压线分别与所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线交叉，并向与所述第一方向不同的第二方向延伸。
可以是，所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线包含半导体物质。
可以是，所述显示装置还包括：连接电极，设置在所述公共电压线和所述像素电极之间的层，并与所述公共电压线以及所述公共电极连接。
可以是，所述连接电极包括与所述第一初始化电压线和所述公共电压线连接的区域重叠的第一连接电极以及与所述第二初始化电压线和所述公共电压线连接的区域重叠的第二连接电极。
可以是，所述显示装置还包括：数据线，设置在所述公共电压线和所述连接电极之间的层。
可以是，所述显示装置还包括连接到所述驱动薄膜晶体管的驱动电压线。
可以是，所述驱动电压线包括向第一方向延伸的第一驱动电压线以及向与所述第一方向不同的第二方向延伸并与所述第一驱动电压线连接的第二驱动电压线。
可以是，所述驱动电压线配置在与所述公共电压线相同的层。
可以是，所述显示装置还包括：数据线，配置在所述驱动电压线和所述像素电极之间的层。
可以是，所述显示装置还包括：电容器，连接到所述驱动薄膜晶体管的栅极电极和所述驱动电压线。
根据本发明的一实施例的显示装置包括：多个像素，包括至少两个子像素，子像素的每一个包括像素电极；第一初始化电压线以及第二初始化电压线，向第一方向延伸并连接到向所述第一方向相邻的像素；第一公共电压线，配置在向所述第一方向相邻的像素之间，并向与所述第一方向不同的第二方向延伸且连接到所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线；以及公共电极，面向所述多个像素的像素电极，施加到所述公共电极和所述第一公共电压线的电压相同。
可以是，所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线包含半导体物质。
可以是，所述显示装置还包括：连接电极，设置在所述第一公共电压线和所述像素电极之间的层，并与所述第一公共电压线以及所述公共电极接触。
可以是，所述连接电极包括设置在所述第一初始化电压线和所述第一公共电压线重叠的区域的第一连接电极以及设置在所述第二初始化电压线和所述第一公共电压线重叠的区域的第二连接电极。
可以是，所述显示装置还包括：第二公共电压线，配置在向所述第一方向相邻的像素之间，并向所述第二方向延伸；以及连接电极，设置在所述第二公共电压线和所述像素电极之间的层，并与所述第二公共电压线以及所述公共电极接触，所述第一公共电压线和所述第二公共电压线沿述第一方向交替配置。
可以是，所述第二公共电压线连接到所述第一初始化电压线以及所述第二初始化电压线。
可以是，所述显示装置还包括：第二公共电压线，配置在向所述第一方向相邻的像素之间，并向所述第二方向延伸；以及连接电极，设置在所述第二公共电压线和所述像素电极之间的层，并与所述第二公共电压线以及所述公共电极接触，在每个所述相邻的像素之间一对第一公共电压线和第二公共电压线相邻配置。
可以是，所述第二公共电压线连接到所述第一初始化电压线以及所述第二初始化电压线。
可以是，所述显示装置还包括：多个数据线，连接到所述子像素的每一个，并向所述第二方向延伸。
根据本发明的一实施例的显示装置包括：多个像素；第一初始化电压线，向第一方向延伸并连接到相邻的像素；第二初始化电压线，向所述第一方向延伸并连接到相邻的像素；多个第一公共电压线，配置在相邻的像素之间，并向与所述第一方向不同的第二方向延伸且连接到所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线；公共电极，面向所述多个像素的像素电极；以及多个连接电极，连接所述多个第一公共电压线以及所述公共电极，在所述公共电极和所述多个第一公共电压线中施加相同的电压。
可以是，所述多个连接电极设置在所述第一公共电压线和所述像素电极之间的层。
可以是，所述显示装置还包括：驱动薄膜晶体管，连接到所述第一初始化电压线；以及驱动电压线，连接到所述驱动薄膜晶体管，所述驱动电压线包括：第一驱动电压线，向第一方向延伸；以及第二驱动电压线，向与所述第一方向不同的第二方向延伸，并连接到所述第一驱动电压线。
(发明效果)
根据由上述方式构成的本发明的一实施例的显示装置可以防止公共电极的电压下降来提供高质量的图像。
附图说明
图1是概略示出根据本发明的一实施例的显示装置的框图。
图2是示出根据本发明的一实施例的子像素的等效电路图。
图3是根据本发明的一实施例的子像素的像素电路的平面图。
图4是沿图3的I-I’截取的截面图。
图5是沿图3的II-II’截取的截面图。
图6是概略示出根据本发明的一实施例的初始化电压线和公共电压线的排列的图。
图7是图6被适用的像素电路的平面图。
图8是概略示出根据本发明的一实施例的初始化电压线和公共电压线的排列的图。
图9是图8被适用的像素电路的平面图。
图10是根据本发明的一实施例的像素电路的平面图。
图11是概略示出根据本发明的一实施例的像素电路以及公共电压线的排列的图。
图12是概略示出根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。
图13是示出根据本发明的一实施例的显示装置的概略构成的截面图。
(附图标记说明)
T1～T7：薄膜晶体管 Cst：电容器
VL1：第一初始化电压线 VL2：第二初始化电压线
VSL：公共电压线 VSL1：第一公共电压线
VSL2：第二公共电压线 BR：桥电极
100：基板 111：缓冲层
112：第一栅极绝缘层 113：第二栅极绝缘层
114：第一层间绝缘层 115：第二层间绝缘层
116：第一平坦化层 117：第二平坦化层
118：像素界定层 OLED：有机发光二极管
具体实施方式
本发明可以进行各种改变并可以具有各种实施例，将在附图中例示特定实施例并在详细说明中进行详细说明。本发明效果、特征以及实现它们的方法将参照下文中结合附图详细描述的实施例而变得明确。但本发明并不限于下文中所公开的实施例，而是可以实现为各种形式。
在以下实施例中，第一、第二等术语并非具有限定性含义，其使用目的为将一个构成要件与其它构成要件区分开。
在以下实施例中，除非上下文另外明确指出，否则单数表达包括复数表达。
在以下实施例中，包括或者具有等术语意指存在说明书中记载的特征或者构成要件，并非事先排除一个以上的其它特征或者构成要件的附加可能性。
在以下实施例中，当膜、区域、构成要件等部分被记载为位于其它部分之上或者上时，不仅包括其直接位于其它部分之上的情况，还包括其它膜、区域、构成要件等介于其中间的情况。
在附图中，为了便于说明，构成要件的尺寸可能会放大或者缩小示出。例如，为了便于说明，附图所示的各个构成的尺寸以及厚度被任意地示出，因此本发明并不一定限定于图中所示的情况。
在本说明书中“A和/或B”表示A、B或A和B的情况。另外，在本说明书中“A以及B中的至少任意一个”表示A、B或A和B的情况。
在以下实施例中，布线“向第一方向或者第二方向延伸”的含义不仅包括指以直线形状延伸，还包括沿第一方向或者第二方向以Z字形或者曲线形状延伸。
在以下实施例中，当被记载为“平面上”时，其意指从上方观察对象部分，当被记载为“截面上”时，其意指从侧方观察垂直截取对象部分的截面。在以下实施例中，第一构成要件与第二构成要件“重叠”意指第一构成要件位于第二构成要件之上或者之下。
在以下实施例中，当被记载为X和Y连接时，可以包括X和Y电连接的情况、X和Y功能性连接的情况、X和Y直接连接的情况。其中，X、Y可以是对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜、层等)。因此，其不限于预定的连接关系，例如，不限于附图或者详细的说明所示的连接关系，也可以包括除了附图或者详细的说明所示的连接关系之外的情况。
X和Y电连接的情况可以包括，例如，能够使X和Y电连接的元件(例如，开关、晶体管、电容元件、电感器、电阻元件、二极管等)在X和Y之间连接有一个以上的情况。
在以下实施例中，与元件状态关联使用的“导通(on)”可以指元件的激活状态，“截止(OFF)”可以指元件的非激活状态。与通过元件接收的信号关联使用的“导通”可以指激活元件的信号，“截止”可以指非激活元件的信号。元件可以通过高电平电压或者低电平电压激活。例如，P沟道晶体管通过低电平电压激活，N沟道晶体管通过高电平电压激活。因此，应理解针对P沟道晶体管和N沟道晶体管的“导通”电压为相反(低相对高)电压电平。
图1是概略示出根据本发明的一实施例的显示装置的框图。
参照图1，根据本发明的实施例的显示装置1包括像素部110、控制部120、扫描驱动部130、发光控制驱动部140、数据驱动部150以及电源供给部160。
以下，作为根据本发明的一实施例的显示装置1，以有机发光显示装置为例进行说明，但本发明的显示装置不限于此。作为另一实施例，本发明的显示装置1可以是无机发光显示装置(Inorganic Light Emitting Display或者无机EL显示装置)、量子点发光显示装置(Quantum dot Light Emitting Display)之类的显示装置。
显示装置1可以包括基板100，在基板100上具备有由至少两个子像素，例如，由第一子像素至第三子像素P1、P2、P3构成的多个单位像素PX(以下称为像素PX)向第一方向(x方向，行方向)以及第二方向(y方向，列方向)重复排列的像素部110。可以是，第一子像素P1发射第一颜色的光，第二子像素P2发射第二颜色的光，第三子像素P3发射第三颜色的光。在一实施例中，可以是，第一子像素P1是发射红色光的红色子像素，第二子像素P2是发射绿色光的绿色子像素，第三子像素P3是发射蓝色光的蓝色子像素。
在像素部110中可以排列有连接到像素PX的多个扫描线SL、多个数据线DL以及多个发光控制线EL。多个扫描线SL恒定隔开而排成行并分别传输扫描信号SS。多个数据线DL恒定隔开而排成列并分别传输数据信号DATA。多个发光控制线EL恒定隔开而排成行并分别传输发光控制信号EM。另外，在像素部110中可以还包括有传输驱动电压ELVDD的多个驱动电压线以及传输公共电压ELVSS的多个公共电压线。
控制部120从外部***接收输入图像信号DATA”以及输入控制信号CS。控制部120可以由多个帧存储器以及具有控制其的功能的任意的控制装置来实现。例如，控制部120可以由装载有显示装置1的便携式终端等的中央处理装置(central processing unit，CPU)或者微型处理单元(microprocessor unit，MPU)来实现。输入控制信号CS可以包括主时钟信号以及时序信号等。
控制部120可以生成控制扫描驱动部130、发光控制驱动部140、数据驱动部150以及电源供给部160的驱动时序的控制信号。控制部120基于输入控制信号CS生成第一控制信号至第四控制信号CONT1～CONT4并输出给扫描驱动部130、发光控制驱动部140、数据驱动部150以及电源供给部160。第一控制信号至第四控制信号CONT1～CONT4的每一个可以包括一个以上的控制信号。例如，第一控制信号CONT1可以包括垂直同步信号、水平同步信号、指示扫描开始的扫描开始信号、指定扫描脉冲宽度的移位时钟信号SSC等。第三控制信号CONT3可以包括垂直同步信号、水平同步信号、表示数据的开始的数据开始信号、用于控制将数据信号输出给数据线的输出使能信号、采样时钟信号等。
控制部120以帧为单位存储输入图像信号DATA”，并将存储的图像信号DATA’传输给数据驱动部150。控制部120输出的图像信号DATA’可以与输入图像信号DATA”相同或者可以是校正以及转换后的图像信号。
扫描驱动部130可以连接到像素部110的多个扫描线SL，并根据第一控制信号CONT1生成导通电压的扫描信号SS来依次施加到扫描线SL。扫描驱动部130可以包括移位寄存器。导通电压可以是高电平或者低电平的电压。在一实施例中，连接到第一子像素至第三子像素P1、P2、P3的每一个的扫描线SL可以是一个以上，扫描驱动部130可以对应于此生成一个以上的扫描信号SS。例如，如图2所示，可以是，连接到子像素P的扫描线包括第一扫描线至第三扫描线SL1～SL3，扫描驱动部130生成第一扫描信号至第三扫描信号GW、GI、GB并输出给第一扫描线至第三扫描线SL1～SL3。
发光控制驱动部140可以连接到像素部110的多个发光控制线EL，并根据第二控制信号CONT2生成导通电压的发光控制信号E1～En来依次施加到发光控制线EL。
数据驱动部150可以连接到像素部110的多个数据线DL，并根据第三控制信号CONT3将数据信号DATA施加到数据线DL。数据驱动部150可以将从控制部120输入的图像信号DATA’转换为电压或者电流形式的数据信号DATA。
电源供给部160可以生成驱动电压ELVDD以及公共电压ELVSS。电源供给部160可以将根据第四控制信号CONT4生成的驱动电压ELVDD以及公共电压ELVSS通过驱动电压线以及公共电压线施加到像素部110。驱动电压ELVDD的电压电平高于公共电压ELVSS的电压电平。
控制部120、扫描驱动部130、发光控制驱动部140、数据驱动部150、电源供给部160可以分别以单独的集成电路芯片或者一个集成电路芯片的形式形成并直接安装在形成有像素部110的基板100之上、安装在柔性印刷电路膜(flexible printed circuit film)之上或者以TCP(tape carrier package；带载封装)的形式附着在基板100上，或者也可以直接形成在基板100上。
在图1的实施例中，与扫描驱动部130不同的发光控制驱动部140可以生成发光控制信号EM并施加到像素部110，但在另一实施例中，扫描驱动部130也可以生成扫描信号SS以及发光控制信号EM并施加到像素部110。
图2是示出根据本发明的一实施例的子像素的等效电路图。
图2所示的子像素P可以是第一子像素至第三子像素P1、P2、P3中的一个，第一子像素至第三子像素P1、P2、P3可以包括相同的像素电路。在下文中，为了便于说明，将其称为子像素P来说明。
参照图2，子像素P可以包括作为显示要素的有机发光二极管OLED以及连接到有机发光二极管OLED的像素电路PC。可以是，像素电路PC包括第一晶体管至第七晶体管T1～T7，根据晶体管的种类(p型或n型)和/或操作条件，第一晶体管至第七晶体管T1～T7的每一个的第一端子为源极端子或者漏极端子，第二端子为与第一端子不同的端子。例如，当第一端子为源极端子时，第二端子可以是漏极端子。在一实施例中，第一晶体管至第七晶体管T1～T7可以由PMOS(p-channel MOSFET；P沟道金氧半场效晶体管)来实现。
像素电路PC可以连接到传输第一扫描信号GW的第一扫描线SL1、传输第二扫描信号GI的第二扫描线SL2、传输第三扫描信号GB的第三扫描线SL3、传输发光控制信号EM的发光控制线EL以及传输数据信号DATA的数据线DL。
像素电路PC还可以连接到驱动电压线PL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2以及公共电压线VSL。驱动电压线PL可以向第一晶体管T1传输驱动电压ELVDD。第一初始化电压线VL1可以连接到公共电压线VSL，并将公共电压ELVSS传输到第一晶体管T1的栅极端子。第二初始化电压线VL2可以连接到公共电压线VSL，并将公共电压ELVSS传输到有机发光二极管OLED。
第一晶体管T1包括连接到第二节点N2的栅极端子、连接到第一节点N1的第一端子、连接到第三节点N3的第二端子。第一晶体管T1作为驱动晶体管起到作用，并根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA并向有机发光二极管OLED供给驱动电流。
第二晶体管T2(开关晶体管)包括连接到第一扫描线SL1的栅极端子、连接到数据线DL的第一端子、连接到第一节点N1(或者第一晶体管T1的第一端子)的第二端子。第二晶体管T2可以执行根据通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号GW导通并将从数据线DL传输的数据信号DATA传输给第一节点N1的开关操作。
第三晶体管T3(补偿晶体管)包括连接到第一扫描线SL1的栅极端子、连接到第二节点N2(或者第一晶体管T1的栅极端子)的第一端子、连接到第三节点N3(或者第一晶体管T1的第二端子)的第二端子。第三晶体管T3可以根据通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号GW导通并使得第一晶体管T1二极管连接来补偿第一晶体管T1的阈值电压。第三晶体管T3可以是两个以上的晶体管串联连接的结构。
第四晶体管T4(第一初始化晶体管)包括连接第二扫描线SL2的栅极端子、连接到第一初始化电压线VL1的第一端子、连接到第二节点N2的第二端子。第一初始化电压线VL1可以连接到公共电压线VSL。第四晶体管T4可以根据通过第二扫描线SL2接收的第二扫描信号GI导通并将公共电压ELVSS传输给第一晶体管T1的栅极端子来使得第一晶体管T1的栅极电压初始化。第四晶体管T4可以是两个以上的晶体管串联连接的结构。
第五晶体管T5(第一发光控制晶体管)包括连接到发光控制线EL的栅极端子、连接到驱动电压线PL的第一端子、连接到第一节点N1的第二端子。第六晶体管T6(第二发光控制晶体管)包括连接到发光控制线EL的栅极端子、连接到第三节点N3的第一端子、连接到有机发光二极管OLED的像素电极的第二端子。第五晶体管T5以及第六晶体管T6根据通过发光控制线EL接收的发光控制信号EM同时导通并使得电流流过有机发光二极管OLED。
第七晶体管T7(第二初始化晶体管)包括连接到第三扫描线SL3的栅极端子、连接到第六晶体管T6的第二端子以及有机发光二极管OLED的像素电极的第一端子、连接到第二初始化电压线VL2的第二端子。第二初始化电压线VL2可以连接到公共电压线VSL。第七晶体管T7可以根据通过第三扫描线SL3接收的第三扫描信号GB导通并将公共电压ELVSS传输给有机发光二极管OLED的像素电极来使得有机发光二极管OLED的像素电极的电压初始化。第七晶体管T7可以被省略。
电容器Cst包括连接到第二节点N2的第一电极以及连接到驱动电压线PL的第二电极。
可以是，有机发光二极管OLED包括像素电极以及面对像素电极的公共电极，公共电极接收公共电压ELVSS。公共电极可以连接到公共电压线VSL。有机发光二极管OLED可以从第一晶体管T1接收驱动电流IOLED并以预定的颜色发光来显示图像。公共电极可以与多个子像素P共同具备，即一体具备。
图3是根据本发明的一实施例的子像素的像素电路的平面图。图4是沿图3的I-I’截取的截面图。图5是沿图3的II-II’截取的截面图。图3可以是图2的像素电路PC的平面图。图2的第一晶体管至第七晶体管T1～T7可以分别由薄膜晶体管来实现。以下，将说明第一薄膜晶体管至第七薄膜晶体管T1～T7。
在一实施例中，在一个列中可以配置有两个第一数据线DL1以及第二数据线DL2，像素电路PC连接到两个第一数据线DL1以及第二数据线DL2中的一个。图3的实施例示出了像素电路PC连接到第一数据线DL1以及第二数据线DL2中的第一数据线DL1的例。图3的像素电路PC的构成也可以相同地适用于连接到第二数据线DL2的像素电路PC。
为了说明图2的像素电路PC所使用的晶体管的栅极端子、第一端子以及第二端子在图3中可以分别对应于薄膜晶体管的栅极电极、源极区域、漏极区域。根据情况，源极区域以及漏极区域可以是薄膜晶体管的源极电极以及漏极电极。
第一半导体层ACT1以及第二半导体层ACT2可以形成在基板100上。作为另一例，可以是，在基板100上形成有缓冲层111，第一半导体层ACT1以及第二半导体层ACT2形成在缓冲层111上。第一半导体层ACT1和第二半导体层ACT2可以彼此分离并通过连接电极175连接。
基板100可以包含玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者具有柔性或可弯曲的特性的物质。当基板100具有柔性或可弯曲的特性时，基板100可以包含聚醚砜(polyethersulphone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide，PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)或者醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate，CAP)等的高分子树脂。
基板100可以是多层结构。例如，基板100可以是第一基底层、第一阻挡层、第二基底层以及第二阻挡层依次层叠的结构。第一基底层以及第二基底层可以包含上述的高分子树脂。第一阻挡层以及第二阻挡层作为防止外部异物的渗透的层，可以是包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)之类的无机物的单层或者多层。
缓冲层111可以起到提高基板100的上面的平滑性的作用，缓冲层111可以设置为氧化硅(SiOx)之类的氧化膜和/或氮化硅(SiNx)之类的氮化膜或者氮氧化硅(SiON)。
第一半导体层ACT1和第二半导体层ACT2可以包含硅半导体。例如，第一半导体层ACT1和第二半导体层ACT2可以包含低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon；LTPS)。
第一半导体层ACT1的一部分区域可以构成第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管T1～T6的每一个的半导体层。另外，第一半导体层ACT1可以包括向第一方向延伸的第一初始化电压线VL1。第二半导体层ACT2的一部分区域可以构成第七薄膜晶体管T7的半导体层。另外，第二半导体层ACT2可以包括向第一方向延伸的第二初始化电压线VL2。即，第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2可以包含硅半导体。
第一薄膜晶体管至第七薄膜晶体管T1～T7的半导体层可以分别包括源极区域S1～S7、漏极区域D1～D7、源极区域S1～S7和漏极区域D1～D7之间的沟道区域。在图4以及图5中示例性地示出了第一薄膜晶体管T1的沟道区域C1、第四薄膜晶体管T4的沟道区域C41、C42以及第七薄膜晶体管T7的沟道区域C7。彼此不同的子像素P的第一薄膜晶体管T1的沟道区域C1的长度可以相同或不同。例如，第一子像素P1的第一薄膜晶体管T1的沟道区域C1的长度可以与第二子像素P2的第一薄膜晶体管T1的沟道区域C1的长度相同且与第三子像素P3的第一薄膜晶体管T1的沟道区域C1的长度不同。此时，第三子像素P3的第一薄膜晶体管T1的沟道区域C1的长度可以小于第一子像素P1的第一薄膜晶体管T1的沟道区域C1的长度。
沟道区域可以是与栅极电极重叠的区域。源极区域和漏极区域可以是在沟道区域附近掺杂有杂质的区域。根据实施例源极区域以及漏极区域的位置可以调换。
可以是，在第一半导体层ACT1和第二半导体层ACT2上设置有第一栅极绝缘层112，在第一栅极绝缘层112上设置有第一薄膜晶体管T1的栅极电极G1、第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、第三扫描线SL3以及发光控制线EL。第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、第三扫描线SL3以及发光控制线EL可以向第一方向延伸并彼此隔开配置。
第一栅极绝缘层112可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO2)等。
第一薄膜晶体管T1的栅极电极G1可以与第一半导体层ACT1重叠并设置为独立图案(isolated pattern)。
在第一扫描线SL1中，可以是，与第二薄膜晶体管T2的沟道区域重叠的区域是第二薄膜晶体管T2的栅极电极G2，与第三薄膜晶体管T3的沟道区域重叠的区域是第三薄膜晶体管T3的栅极电极G31、G32。在第二扫描线SL2中，与第四薄膜晶体管T4的沟道区域重叠的区域可以是第四薄膜晶体管T4的栅极电极G41、G42。在第三扫描线SL3中，与第七薄膜晶体管T7的沟道区域重叠的区域可以是第七薄膜晶体管T7的栅极电极G7。在发光控制线EL中，与第五薄膜晶体管T5以及第六薄膜晶体管T6的沟道区域重叠的区域可以分别是第五薄膜晶体管T5以及第六薄膜晶体管T6的栅极电极G5、G6。
第一薄膜晶体管T1的栅极电极G1、第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、第三扫描线SL3以及发光控制线EL可以包含铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)以及铜(Cu)等中的至少一个，可以由一个以上的物质形成为单层或者多层。
在第一薄膜晶体管T1的栅极电极G1、第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、第三扫描线SL3、发光控制线EL以及第一栅极绝缘层112上可以配置有第二栅极绝缘层113。第二栅极绝缘层113可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO2)等。
在第二栅极绝缘层113上可以配置有电极电压线HL以及修复线RL。电极电压线HL以及修复线RL可以向第一方向延伸并向第二方向彼此隔开配置。
当在像素电路PC中发生缺陷时，修复线RL可以修复像素PX。例如，在修复工艺中，修复线RL可以电连接到连接电极175，并通过连接电极175电连接到有机发光二极管OLED。由此，可以通过将并不是从自身的像素电路PC施加而是从像素部110外部施加的驱动电流传输给有机发光二极管OLED来使得有机发光二极管OLED正常发光。修复线RL可以被省略。
电极电压线HL可以覆盖第一薄膜晶体管T1的栅极电极G1的至少一部分，并作为电容器Cst的上方电极CE2发挥功能。电极电压线HL可以包括开口SOP(参照图5)。
电容器Cst的下电极CE1可以与第一薄膜晶体管T1的栅极电极G1一体形成。例如，第一薄膜晶体管T1的栅极电极G1可以执行作为电容器Cst的下电极CE1的功能。
电极电压线HL以及修复线RL可以由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)以及铜(Cu)等中的一个以上的物质形成为单层或者多层。
在电极电压线HL、修复线RL以及第二栅极绝缘层113上配置有第一层间绝缘层114。第一层间绝缘层114可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO2)等。
在第一层间绝缘层114上可以配置有驱动电压线PL、公共电压线VSL、节点电极171以及连接电极173、175。
驱动电压线PL、公共电压线VSL、节点电极171以及连接电极173、175可以包含含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以形成为多层或者单层。作为一例，驱动电压线PL、公共电压线VSL、节点电极171以及连接电极173、175可以由Ti/Al/Ti的多层结构构成。
驱动电压线PL可以包括第一驱动电压线PL1以及第二驱动电压线PL2。
第一驱动电压线PL1可以向第二方向延伸并包括彼此面对的第一子驱动电压线PL1a以及第二子驱动电压线PL1b。第一子驱动电压线PL1a和第二子驱动电压线PL1b在平面上可以将第一薄膜晶体管T1置于中间而配置。可以是，第一子驱动电压线PL1a与第一数据线DL1或者第二数据线DL2重叠，第二子驱动电压线PL1b与第二数据线DL2或者第一数据线DL1重叠。在图3所示的像素电路PC中示出了第一子驱动电压线PL1a与第一数据线DL1重叠且第二子驱动电压线PL1b与第二数据线DL2重叠的例。
第一子驱动电压线PL1a和/或第二子驱动电压线PL1b可以与向第一方向相邻的另一像素电路PC共享。例如，以附图为基准，第一子驱动电压线PL1a可以是在图3所示的像素电路PC的左侧中配置的另一像素电路PC的第一子驱动电压线PL1a。或者，以附图为基准，第二子驱动电压线PL1b可以是在图3所示的像素电路PC的右侧中配置的另一像素电路PC的第二子驱动电压线PL1b。此时，驱动电压线VSL可以不配置在相邻的像素电路PC之间。
第二驱动电压线PL2可以向第一方向延伸并配置在第一子驱动电压线PL1a和第二子驱动电压线PL1b之间。第二驱动电压线PL2可以将第一子驱动电压线PL1a和第二子驱动电压线PL1b彼此连接。在一实施例中，第二驱动电压线PL2可以与第一子驱动电压线PL1a以及第二子驱动电压线PL1b一体形成。
驱动电压线PL可以通过形成在第一层间绝缘层114中的接触孔77与电容器Cst的上方电极CE2电连接。因此，电极电压线HL可以具有与驱动电压线PL相同的电压电平(恒定电压)。另外，驱动电压线PL可以通过形成在第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层114中的接触孔76电连接到第五薄膜晶体管的源极区域S5。
公共电压线VSL可以跨过第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2并向第二方向延伸。公共电压线VSL在与第一初始化电压线VL1重叠的区域中，可以通过形成在第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层114中的接触孔78电连接到第一初始化电压线VL1。公共电压线VSL在与第二初始化电压线VL2重叠的区域中，可以通过形成在第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层114中的接触孔79电连接到第二初始化电压线VL2。公共电压线VSL可以接收施加到公共电极230的电压，即公共电压ELVSS并作为初始化电压施加到第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2。
节点电极171可以通过形成在电容器Cst的上方电极CE2中的开口SOP将第一薄膜晶体管T1的栅极电极G1电连接到第三薄膜晶体管T3的源极区域S3以及第四薄膜晶体管T4的漏极区域D4。节点电极171的一端可以通过形成在第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层114中的接触孔72与第一薄膜晶体管T1的栅极电极G1电连接。节点电极171的另一端可以通过形成在第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层114中的接触孔71电连接到第四薄膜晶体管T4的漏极区域D4。
连接电极173的一端可以通过形成在第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层114中的接触孔73电连接到第二薄膜晶体管T2的源极区域S2。连接电极173的一端可以作为与源极区域S2接触的源极电极发挥功能。连接电极173的另一端可以与第一数据线DL1重叠，之后电连接到第一数据线DL1。
连接电极175的一端可以通过形成在第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层114中的接触孔74电连接到第六薄膜晶体管T6的漏极区域D6。连接电极175的另一端可以通过形成在第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113以及第一层间绝缘层114中的接触孔75电连接到第七薄膜晶体管T7的源极区域S7。
可以是，在驱动电压线PL、公共电压线VSL、节点电极171、连接电极173、175以及第一层间绝缘层114上配置有第二层间绝缘层115，在第二层间绝缘层115上配置有第一数据线DL1、第二数据线DL2以及连接电极185。
第二层间绝缘层115可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO2)等。
第一数据线DL1、第二数据线DL2以及连接电极185可以包含含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以形成为多层或者单层。作为一例，第一数据线DL1、第二数据线DL2以及连接电极185可以由Ti/Al/Ti的多层结构构成。
第一数据线DL1以及第二数据线DL2可以彼此面对并向第二方向延伸。第一数据线DL1和第二数据线DL2在平面上可以将第一薄膜晶体管T1置于中间而配置。可以是，第一数据线DL1与第一子驱动电压线PL1a重叠，第二数据线DL2与第二子驱动电压线PL1b重叠。
第一数据线DL1可以通过形成在第二层间绝缘层115中的接触孔81电连接到连接电极173。由此，第一数据线DL1可以电连接到第二薄膜晶体管T2的源极区域S2。连接电极173可以电连接到第一数据线DL1的突出部DL1P(图5)。
连接电极185可以通过形成在第二层间绝缘层115中的接触孔84电连接到连接电极175。
可以是，在第一数据线DL1、第二数据线DL2以及连接电极185上方配置有第一平坦化层116，在第一平坦化层116上配置有连接电极191、193、195。
连接电极191、193、195可以包含含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以形成为多层或者单层。
连接电极191可以通过形成在第一平坦化层116中的接触孔91电连接到连接电极185。
连接电极193可以通过形成在第二层间绝缘层115以及第一平坦化层116中的接触孔92电连接到公共电压线VSL。
连接电极195可以通过形成在第二层间绝缘层115以及第一平坦化层116中的接触孔93电连接到公共电压线VSL。
可以是，在连接电极191、193、195上方配置有第二平坦化层117，在第二平坦化层117上配置有有机发光二极管OLED。
第一平坦化层116以及第二平坦化层117可以具有平坦的上面以使像素电极210平坦地形成。第一平坦化层116以及第二平坦化层117中由有机物质构成的膜可以形成为单层或者多层。第一平坦化层116以及第二平坦化层117可以包含苯并环丁烯(Benzocyclobutene；BCB)、聚酰亚胺(polyimide)、六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisiloxane；HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PXMMA)或聚苯乙烯(Polystylene，PS)之类的通用高分子、具有酚醛基的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、芳基醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子以及它们的混合物等。
在另一实施例中，第一平坦化层116以及第二平坦化层117可以包含无机物质。第一平坦化层116以及第二平坦化层117可以包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO2)等。当第一平坦化层116以及第二平坦化层117具备无机物质时，可以根据情况进行化学平坦化抛光。在又另一实施例中，第一平坦化层116以及第二平坦化层117也可以包含有机物质以及无机物质两者。
一方面，在图3中说明了针对一个像素电路PC的结构，但是，具有相同的像素电路PC的多个像素电路PC可以沿第一方向以及第二方向排列，此时，第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2在沿第二方向相邻配置的两个的像素电路PC中被共享。
即，第一初始化电压线VL1可以是以附图为基准沿第二方向在图3所示的像素电路PC的下方配置的另一像素电路PC的第二初始化电压线VL2。同样地，第二初始化电压线VL2可以是以附图为基准沿第二方向在图3所示的像素电路PC的上方相邻配置的又另一像素电路PC的第一初始化电压线VL1。
如图4以及图5所示，有机发光二极管OLED可以包括像素电极210、公共电极230以及位于它们之间并具备发光层的中间层220。
像素电极210可以通过形成在第二平坦化层117中的通孔VIA电连接到连接电极191来与第六薄膜晶体管T6以及第七薄膜晶体管T7电连接。
像素电极210可以是(半)透光性电极或者反射电极。在一部分实施例中，像素电极210可以具备由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物等形成的反射膜和在反射膜上形成的透明或者半透明电极层。透明或者半透明电极层可以具备从包括氧化铟锡(ITO；indium tin oxide)、氧化铟锌(IZO；indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO；zincoxide)、氧化铟(In2O3；indium oxide)、氧化铟镓(IGO；indium gallium oxide)以及氧化铝锌(AZO；aluminum zinc oxide)的组中选择的至少一个以上。在一部分实施例中，像素电极210可以形成为以ITO/Ag/ITO层叠的结构。
在第二平坦化层117上可以配置有像素界定层118，像素界定层118可以通过具有使得像素电极210的一部分暴露的开口来起到界定像素的发光区域的作用。像素界定层118可以覆盖像素电极210的边缘。像素界定层118可以包含聚酰亚胺、聚酰胺(Polyamide)、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane；HMDSO)以及酚醛树脂等之类的有机绝缘物质。
中间层220可以包括发光层。发光层可以包含包括发出红色、绿色、蓝色或者白色的光的荧光或者磷光物质的有机物。发光层可以是低分子有机物或者高分子有机物。在图4以及图5中，为了便于示出，仅示出了中间层220中的发光层，但有机发光二极管OLED在发光层的上下层中可以还包括第一功能层和/或第二功能层。第一功能层和/或第二功能层可以包括空穴输送层(HTL；hole transport layer)、空穴注入层(HIL；hole injectionlayer)、电子输送层(ETL；electron transport layer)以及电子注入层(EIL；electroninjection layer)等。中间层220可以配置为与多个像素电极210的每一个相对应。但不限于此，包括在中间层220中的层中的至少一部分层可以跨多个像素电极210而一体形成。
公共电极230可以是透光性电极或者反射电极。在一部分实施例中，公共电极230可以是透明或者半透明电极，可以由包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg以及它们的化合物的功函数小的金属膜形成。另外，在金属膜之上可以还配置有ITO、IZO、ZnO或者In2O3等的透明导电氧化物(transparent conductive oxide；TCO)膜。公共电极230可以一体形成以与多个像素电极210相对应。
公共电极230可以配置于在第二平坦化层117以及像素界定层118中形成的开口OP中并在接触区域CNT中与连接电极193、195直接接触。
在一实施例中，在公共电极230上可以配置有薄膜封装层或者密封基板。薄膜封装层可以包括具备无机物的至少一个无机封装层以及具备有机物的至少一个有机封装层。在一部分实施例中，薄膜封装层可以设置为第一无机封装层/有机封装层/第二无机封装层层叠的结构。密封基板可以配置为面对基板100，并在像素部110外侧通过密封剂或者玻璃料等的密封部件与基板100接合。另外，在像素界定层118上可以还包括用于防止掩模压印的间隔体。
图6是概略示出根据本发明的一实施例的初始化电压线和公共电压线的排列的图。图7是图6被适用的像素电路的平面图。
参照图6，在基板100上第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2可以分别向第一方向延伸。第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2可以沿第二方向交替排列。各像素电路PC的第一初始化电压线VL1还可以作为沿第二方向与下方侧相邻的像素电路PC的第二初始化电压线VL2发挥功能。各像素电路PC的第二初始化电压线VL2还可以作为沿第二方向与上方侧相邻的像素电路PC的第一初始化电压线VL1发挥功能。第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2可以配置在相同的层中。第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2可以包含硅半导体。
公共电压线VSL可以配置在第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2上方。公共电压线VSL可以与第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2交叉(重叠)并向第二方向延伸。公共电压线VSL可以沿第一方向以规定间距，例如，以像素间距排列。公共电压线VSL可以配置在向第一方向相邻的像素PX之间。
公共电压线VSL可以配置在与第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2不同的层中。例如，公共电压线VSL可以配置在第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2的上方层中。公共电压线VSL在分别与第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2交叉的区域中可以通过形成在下绝缘层中的接触孔CH分别电连接到第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2。公共电压线VSL可以将公共电压ELVSS分别施加到第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2。
在公共电压线VSL上方可以还配置有桥电极BR。桥电极BR可以配置在公共电压线VSL和对电极230之间的层中。桥电极BR可以在接触区域CNT中通过配置在与对电极230之间的绝缘层的开口与对电极230直接接触。由此，公共电极230可以通过桥电极BR电连接到公共电压线VSL。如图4以及图5所示，桥电极BR可以与连接电极193、195相对应。
桥电极BR以及接触区域CNT可以沿第一方向以及第二方向以一定间距排列。例如，桥电极BR以及接触区域CNT可以沿第一方向以像素间距进行设置。
与第二初始化电压线VL2重叠的连接电极193和与第一初始化电压线VL1重叠的连接电极195可以分别通过形成在下绝缘层中的接触孔与公共电压线VSL接触。
图7与构成图3所示的像素电路PC被适用的像素PX的第一子像素至第三子像素P1、P2、P3的第一像素电路至第三像素电路PC1～PC3相对应。
公共电压线VSL可以以像素间距配置。公共电压线VSL可以通过接触孔CH分别电连接到在像素PX中共享的第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2。在此，接触孔CH可以是图3至图5所示的接触孔78、79。
桥电极BR可以在接触区域CNT中通过配置在与对电极230之间的绝缘层的开口与对电极230直接接触。
公共电压线VSL可以通过与图6的桥电极BR相对应的连接电极193、195在接触区域CNT中通过配置在与对电极之间的绝缘层的开口与对电极接触而电连接。连接电极193、195可以通过形成在下绝缘层中的接触孔，例如，通过图3至图5的接触孔92、94与公共电压线VSL电连接。连接电极193、195可以沿第一方向以像素间距进行设置。
图8是概略示出根据本发明的一实施例的初始化电压线和公共电压线的排列的图。图9是图8被适用的像素电路的平面图。
参照图8，在基板100上第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2可以分别向第一方向延伸。第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2可以沿第二方向交替排列。各像素电路PC的第一初始化电压线VL1还可以作为沿第二方向与下方侧相邻的像素电路PC的第二初始化电压线VL2发挥功能。各像素电路PC的第二初始化电压线VL2还可以作为沿第二方向与上方侧相邻的像素电路PC的第一初始化电压线VL1发挥功能。第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2可以配置在相同的层中。第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2可以包含硅半导体。
公共电压线VSL可以配置在与第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2不同的层中。例如，公共电压线VSL可以配置在第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2上方。
公共电压线VSL可以包括第一公共电压线VSL1以及第二公共电压线VSL2。第一公共电压线VSL1以及第二公共电压线VSL2可以分别与第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2交叉并向第二方向延伸。第一公共电压线VSL1以及第二公共电压线VSL2可以配置在向第一方向相邻的像素PX之间，并且，随着沿第一方向交替配置，分别以两个像素间距配置。
第一公共电压线VSL1可以在分别与第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2交叉的区域中通过下绝缘层的接触孔CH1分别与第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2接触而电连接。例如，接触孔CH1可以是图3至图5所示的接触孔78、79。第一公共电压线VSL1可以将公共电压ELVSS作为初始化电压分别施加到第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2。在第一公共电压线VSL1上方可以不具备桥电极BR。
在第二公共电压线VSL2上方可以具备与第二公共电压线VSL2重叠的桥电极BR。桥电极BR可以通过下绝缘层的接触孔CH2电连接到第二公共电压线VSL2。例如，可以是，桥电极BR为图3至图5所示的连接电极193、195，接触孔CH2为图3至图5所示的接触孔92、94。桥电极BR可以在接触区域CNT中通过上绝缘层的开口与对电极230接触。即，第二公共电压线VSL2可以沿第一方向以两个像素间距与对电极230接触。第二公共电压线VSL2可以将公共电压ELVSS施加到对电极230。
在一实施例中，第二公共电压线VSL2可以在分别与第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2交叉的区域中通过下绝缘层的接触孔分别电连接到第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2。
在另一实施例中，第二公共电压线VSL2可以分别与第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2交叉，但与第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2不接触。此时，可以向第一公共电压线VSL1和第二公共电压线VSL2分别施加不同的电压。例如，可以是，第一公共电压线VSL1将与公共电压ELVSS不同的电压作为初始化电压施加到第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2，第二公共电压线VSL2将公共电压ELVSS施加于公共电极。
图9与构成图3所示的像素电路PC被适用的像素PX的第一子像素至第三子像素P1、P2、P3的第一像素电路至第三像素电路PC1～PC3相对应。
第一公共电压线VSL1和第二公共电压线VSL2可以交替配置在向第一方向相邻的像素PX之间，并以两个像素间距进行设置。
第一公共电压线VSL1可以通过接触孔CH1分别电连接到在向第一方向相邻的像素PX中共享的第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2。在此，接触孔CH1可以是图3至图5所示的接触孔78、79。
在第二公共电压线VSL2上方可以配置有与图8的桥电极BR相对应的连接电极193、195，连接电极193、195可以通过接触孔CH2，例如，通过图3至图5的接触孔92、94与第二公共电压线VSL2电连接。连接电极193、195可以在接触区域CNT中与上方的对电极接触而电连接。
在图9所示的实施例中，第二公共电压线VSL2分别与第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2交叉，但与第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2不接触。但在另一实施例中，第二公共电压线VSL2也可以分别与第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2接触而电连接。
图10是根据本发明的一实施例的像素电路的平面图。
图10与构成图3所示的像素电路PC被适用的像素PX的第一子像素至第三子像素P1、P2、P3的第一像素电路至第三像素电路PC1～PC3相对应。
参照图10，第一公共电压线VSL1和第二公共电压线VSL2可以在向第一方向相邻的像素PX之间以每个像素间距进行设置。一对第一公共电压线VSL1和第二公共电压线VSL2可以在相邻的像素PX之间平行地相邻设置。
第一公共电压线VSL1可以通过接触孔CH1分别电连接到第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2。在此，接触孔CH1可以是图3至图5所示的接触孔78、79。
可以是，在第二公共电压线VSL2上方配置有与图8的桥电极BR相对应的连接电极193、195，连接电极193、195通过接触孔CH2，例如，通过图3至图5的接触孔92、94与第二公共电压线VSL2电连接。连接电极193、195可以在接触区域CNT中与上方的对电极接触而电连接。
在图10所示的实施例中，第二公共电压线VSL2分别与第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2交叉，但与第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2不接触。但在另一实施例中，第二公共电压线VSL2也可以分别与第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2接触而电连接。此时，可以向第一公共电压线VSL1和第二公共电压线VSL2分别施加不同的电压。例如，可以是，第一公共电压线VSL1将与公共电压ELVSS不同的电压作为初始化电压施加到第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2，第二公共电压线VSL2将公共电压ELVSS施加于公共电极。
上述的实施例示出了在相邻的像素电路之间配置有相同的数据线，例如，配置有一对第一数据线或者一对第二数据线的例。本发明的实施例不限于此，例如，在相邻的像素电路之间配置有一对第一数据线和第二数据线的像素电路被适用的显示装置也可以将公共电压线VSL以规定间距配置并电连接到初始化电压线来将公共电压ELVSS作为初始化电压提供给像素。
上述的实施例示出了在一个列中配置有两个数据线的像素电路的例。本发明的实施例不限于此，例如，在一个列中配置有一个数据线的像素电路被适用的显示装置也可以将公共电压线VSL以规定间距配置并电连接到初始化电压线来将公共电压ELVSS作为初始化电压提供给像素。
图11是概略示出根据本发明的一实施例的像素电路以及公共电压线的排列的图。
参照图11，在基板100上构成像素PX的第一子像素至第三子像素P1、P2、P3的第一像素电路至第三像素电路PC1、PC2、PC3可以向第一方向以及第二方向重复排列。
第一像素电路至第三像素电路PC1、PC2、PC3的每一个可以连接到向第一方向延伸的扫描线SL、第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2，并连接到向第二方向延伸的数据线DL。如图2所示，扫描线SL可以包括第一扫描线至第三扫描线SL1、SL2、SL3。
各像素电路PC的第一初始化电压线VL1也可以作为沿第二方向与下方侧相邻的像素电路PC的第二初始化电压线VL2发挥功能。各像素电路PC的第二初始化电压线VL2也可以作为沿第二方向与上方侧相邻的像素电路PC的第一初始化电压线VL1发挥功能。
第一像素电路至第三像素电路PC1、PC2、PC3的每一个可以连接到驱动电压线。驱动电压线可以包括向第二方向延伸的第一驱动电压线PL1以及向第一方向延伸的第二驱动电压线PL2。第一驱动电压线PL1和第二驱动电压线PL2可以彼此连接。在一实施例中，第一驱动电压线PL1和第二驱动电压线PL2可以分别配置在彼此不同的层中而电连接。在另一实施例中，第一驱动电压线PL1和第二驱动电压线PL2可以配置在相同的层中并一体形成。驱动电压线可以通过第一驱动电压线PL1以及第二驱动电压线PL2具有网格结构。
公共电压线VSL可以向第二方向延伸，并沿第一方向以一定间距配置。例如，公共电压线VSL可以以像素间距配置。公共电压线VSL可以分别连接到第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2。由此，第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2可以从公共电压线VSL接收公共电压ELVSS。公共电压线VSL可以连接到有机发光二极管OLED的公共电极。
在另一实施例中，如图8所示，在公共电压线VSL中第一公共电压线VSL1和第二公共电压线VSL2也可以以像素间距交替配置而以两个像素间距与公共电极接触。在又另一实施例中，如图10所示，在公共电压线VSL中第一公共电压线VSL1和第二公共电压线VSL2也可以以像素间距一起配置。
图12是概略示出根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。
根据本发明的实施例的显示装置可以由智能手机、移动手机、智能手表、导航装置、游戏机、TV、车载主机、笔记本电脑、膝上电脑、平板(Tablet)电脑、个人媒体播放器(Personal Media Player；PMP)、个人数字助理(Personal Digital Assistants；PDA)等的电子装置来实现。另外，电子装置可以是柔性装置。
显示装置1可以包括显示有图象的显示区域DA和配置在显示区域DA周边的周边区域PA。显示装置1可以利用从配置在显示区域DA中的多个像素PX中发出的光来提供预定的图像。
显示装置1可以以各种形状设置，例如，可以设置为具有彼此平行的两对边的矩形的板状。当显示装置1被设置为矩形的板状时，两对边中的任意一对边可以提供为比另一对边长。在本发明的一实施例中，为了便于说明，示出了显示装置1具有一对长边和一对短边的矩形形状的情况，将短边的延伸方向表示为第一方向(x方向)，将长边的延伸方向表示为第二方向(y方向)，将与长边和短边的延伸方向垂直的方向表示为第三方向(z方向)。在另一实施例中，显示装置1可以是非矩形形状。非矩形形状是，例如，可以是圆形、椭圆形、一部分为圆形的多边形、除四边形之外的多边形。
当以平面形状观看显示区域DA时，如图1所示，显示区域DA可以是矩形形状。作为另一实施例，显示区域DA可以是三角形、五边形、六边形等的多边形形状或者圆形形状、椭圆形形状、不规则形状等。显示区域DA可以与图1所示的像素部110相对应。
周边区域PA作为配置在显示区域DA周边的区域，可以是不配置有像素PX的一种非显示区域。显示区域DA可以被周边区域PA全部包围。在周边区域PA中可以配置有传输需要施加到显示区域DA的电信号的各种布线、附着有印刷电路基板或驱动器IC芯片的焊盘。例如，在周边区域PA中可以配置有图1所示的控制部120、扫描驱动部130、发光控制驱动部140、数据驱动部150以及电源供给部160。
图13是示出根据本发明的一实施例的显示装置的概略构成的截面图。图13可以是沿图12的III-III’截取的截面图。
参照图13，显示装置1可以包括基板100、配置有基板100上的像素电路PC的像素电路层300、配置有显示要素的显示层400。
显示要素可以是包括像素电极210、公共电极230以及介于它们之间的层叠结构的中间层220的有机发光二极管OLED(organic light-emitting diode)。公共电极230可以面向多个像素电极210并共同设置。像素电路PC可以包括薄膜晶体管以及电容器，在一实施例中是图2所示的像素电路PC。
在基板100上的显示区域DA中可以具备第一子像素至第三子像素P1～P3。第一子像素P1可以包括第一有机发光二极管OLED1和控制第一有机发光二极管OLED1的第一像素电路PC1。第二子像素P2可以包括第二有机发光二极管OLED2和控制第二有机发光二极管OLED2的第二像素电路PC2。第三子像素P3可以包括第三有机发光二极管OLED3和控制第三有机发光二极管OLED3的第三像素电路PC3。
可以是，在像素电路层300中配置有第一像素电路至第三像素电路PC1～PC3，在显示层400中配置有第一有机发光二极管至第三有机发光二极管OLED1～OLED3。在第一有机发光二极管至第三有机发光二极管OLED1～OLED3之间可以配置有像素界定层PDL。与第一有机发光二极管至第三有机发光二极管OLED1～OLED3的每一个可以与相对应的第一像素电路至第三像素电路PC1～PC3的每一个至少一部分重叠或者不重叠。
显示装置1可以还包括滤色器500。滤色器500可以包括与第一有机发光二极管至第三有机发光二极管OLED1～OLED3的每一个的发光区域相对应地配置的第一过滤器至第三过滤器520、540、560。在一实施例中，第一过滤器至第三过滤器520、540、560可以是分别形成红色、绿色、蓝色的过滤器。在第一过滤器至第三过滤器520、540、560之间作为遮光部件可以配置有黑矩阵590。
在一实施例中，第一有机发光二极管至第三有机发光二极管OLED1～OLED3可以在中间层220中构成有发光层以分别实现红色、绿色、蓝色。
在另一实施例中，第一有机发光二极管至第三有机发光二极管OLED1～OLED3还可以构成为全部实现蓝色。此时，滤色器500的第三过滤器560可以变换为透射层(透明层)。第一过滤器520以及第二过滤器540可以包含分散有量子点以及散射粒子的光敏聚合物。透射层可以包含分散有散射粒子的光敏聚合物。
根据本发明的实施例的显示装置作为显示区域中的公共电极的辅助电极可以具备与公共电极接触的公共电压线。公共电压线可以向第二方向延伸并连接到向第一方向延伸的第一初始化电压线VL1以及第二初始化电压线VL2而具有网格结构。因此，可以向显示装置的像素沿横向和纵向供给公共电压ELVSS。由此，供给公共电压ELVSS的布线的区域可以进一步得到扩大而最小化由公共电极的电阻导致的电压下降。
如上所述，本发明参考附图所示的一实施例进行了说明，但其不过是示例性的，只要是在本技术领域中具有通常知识的人就可以理解可以基于其进行各种变形以及实施例的变形。因此，本发明的真正技术保护范围应由所附权利要求书的技术思想而定。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，包括：
显示要素，包括像素电极以及公共电极；
驱动薄膜晶体管；
第一薄膜晶体管，连接到所述驱动薄膜晶体管的栅极电极以及第一初始化电压线；
第二薄膜晶体管，连接到所述显示要素的像素电极以及第二初始化电压线；以及
公共电压线，连接到所述第一初始化电压线以及所述第二初始化电压线，并施加与施加到所述公共电极的电压相同的电压。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线分别向第一方向延伸并隔开配置，
所述公共电压线分别与所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线交叉，并向与所述第一方向不同的第二方向延伸。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线包含半导体物质。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
连接电极，设置在所述公共电压线和所述像素电极之间的层，并与所述公共电压线以及所述公共电极连接。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述连接电极包括与所述第一初始化电压线和所述公共电压线连接的区域重叠的第一连接电极以及与所述第二初始化电压线和所述公共电压线连接的区域重叠的第二连接电极。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
数据线，设置在所述公共电压线和所述连接电极之间的层。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括连接到所述驱动薄膜晶体管的驱动电压线，
所述驱动电压线包括向第一方向延伸的第一驱动电压线以及向与所述第一方向不同的第二方向延伸并与所述第一驱动电压线连接的第二驱动电压线。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述驱动电压线配置在与所述公共电压线相同的层。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
数据线，配置在所述驱动电压线和所述像素电极之间的层。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
电容器，连接到所述驱动薄膜晶体管的栅极电极和所述驱动电压线。
11.一种显示装置，其中，包括：
多个像素，包括至少两个子像素，子像素的每一个包括像素电极；
第一初始化电压线以及第二初始化电压线，向第一方向延伸并连接到向所述第一方向相邻的像素；
第一公共电压线，配置在向所述第一方向相邻的像素之间，并向与所述第一方向不同的第二方向延伸且连接到所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线；以及
公共电极，面向所述多个像素的像素电极，
施加到所述公共电极和所述第一公共电压线的电压相同。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线包含半导体物质。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
连接电极，设置在所述第一公共电压线和所述像素电极之间的层，并与所述第一公共电压线以及所述公共电极接触。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述连接电极包括设置在所述第一初始化电压线和所述第一公共电压线重叠的区域的第一连接电极以及设置在所述第二初始化电压线和所述第一公共电压线重叠的区域的第二连接电极。
15.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
第二公共电压线，配置在向所述第一方向相邻的像素之间，并向所述第二方向延伸；以及
连接电极，设置在所述第二公共电压线和所述像素电极之间的层，并与所述第二公共电压线以及所述公共电极接触，
所述第一公共电压线和所述第二公共电压线沿所述第一方向交替配置，
所述第二公共电压线的每一个连接到所述第一初始化电压线以及所述第二初始化电压线。
16.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
第二公共电压线，配置在向所述第一方向相邻的像素之间，并向所述第二方向延伸；以及
连接电极，设置在所述第二公共电压线和所述像素电极之间的层，并与所述第二公共电压线以及所述公共电极接触，
在每个所述相邻的像素之间一对第一公共电压线和第二公共电压线相邻配置，
所述第二公共电压线的每一个连接到所述第一初始化电压线以及所述第二初始化电压线。
17.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
多个数据线，连接到所述子像素的每一个，并向所述第二方向延伸。
18.一种显示装置，其中，包括：
多个像素；
第一初始化电压线，向第一方向延伸并连接到相邻的像素；
第二初始化电压线，向所述第一方向延伸并连接到相邻的像素；
多个第一公共电压线，配置在相邻的像素之间，并向与所述第一方向不同的第二方向延伸且连接到所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线；
公共电极，面向所述多个像素的像素电极；以及
多个连接电极，连接所述多个第一公共电压线以及所述公共电极，
在所述公共电极和所述多个第一公共电压线中施加相同的电压。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述多个连接电极设置在所述第一公共电压线和所述像素电极之间的层。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
驱动薄膜晶体管，连接到所述第一初始化电压线；以及
驱动电压线，连接到所述驱动薄膜晶体管，
所述驱动电压线包括：
第一驱动电压线，向第一方向延伸；以及
第二驱动电压线，向与所述第一方向不同的第二方向延伸，并连接到所述第一驱动电压线。
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