CN113484737B - 信号调整单元、信号调整模块及测试机 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种信号调整单元、信号调整模块及测试机，信号调整单元包括控制端，其包括模拟联动开关；信号调整电路包括场效应管和SRD二极管；节点连接输出端；当输出信号为上升沿脉冲信号或下降沿脉冲信号时，给模拟联动开关一控制指令，使得模拟联动开关由初始的待机状态切换至工作状态，以使场效应管导通，从而让SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，且在SRD二极管所有的少数载流子都被抽出后，SRD二极管的反向电流瞬间截止，以在节点上实现高压摆率的上升沿阶跃脉冲信号或下降沿阶跃脉冲信号。本发明利用SRD二极管和场效应管对测试通道输出信号的压摆率进行调整，使其具有较高的压摆率。

Description

信号调整单元、信号调整模块及测试机

技术领域

本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及信号调整单元、信号调整模块及测试机。

背景技术

在集成电路自动测试机中，现有技术的测试通道输出端通常为放大器的推挽输出驱动电路，由于电路自身的内部电阻，以及寄生电容，使输出信号的压摆率不够高，即其电压转换速率较低，通常为1V/μs的量级或更小，但是有些情况需要测试被测芯片对于较高电压变化的相应情况，需要提供更高压摆率的信号激励，因此提供提高压摆率的技术很有必要。

发明内容

为此，本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中的不足，提供一种信号调整单元、信号调整模块及测试机，能够提供较高压摆率的信号激励。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种信号调整单元，其用于调整测试通道输出信号的压摆率，包括：

控制端，其包括多个模拟联动开关；

信号调整电路，其包括场效应管和SRD二极管，所述场效应管和所述SRD二极管串联，所述场效应管连接其中一个所述模拟联动开关，所述SRD二极管连接另一个所述模拟联动开关，利用所述SRD二极管把所述测试通道的输出信号调整为阶跃脉冲信号；

节点，其连接所述测试通道的输出端；

当输出信号为上升沿脉冲信号或下降沿脉冲信号时，给所述模拟联动开关一控制指令，使得所述模拟联动开关由初始的待机状态切换至工作状态，以使场效应管导通，从而让所述SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，且在所述SRD二极管所有的少数载流子都被抽出后，所述SRD二极管的反向电流瞬间截止，以在所述节点上实现高压摆率的所述上升沿阶跃脉冲信号或所述下降沿阶跃脉冲信号。

在本发明的一个实施例中，在所述节点上实现高压摆率的所述上升沿阶跃脉冲信号或所述下降沿阶跃脉冲信号后，给所述模拟联动开关一控制指令，使得所述模拟联动开关由工作状态切换为初始的待机状态，以使所述场效应管截止，从而让所述SRD二极管处于正偏压并存储少数载流子电荷的状态。

在本发明的一个实施例中，所述场效应管的栅极连接其中一个所述模拟联动开关的动端，所述SRD二极管与所述场效应管的串联连接点连接另一个所述模拟联动开关的动端，所述模拟联动开关的固定端分别连接不同的直流偏置电压或者悬空。

在本发明的一个实施例中，所述信号调整电路还包括限流电阻，所述限流电阻设置在所述模拟联动开关和所述SRD二极管之间。

在本发明的一个实施例中，当所述输出信号为上升沿脉冲信号时，所述SRD二极管的正极连接输出信号低电平所对应的电压源，所述SRD二极管的负极连接所述场效应管。

在本发明的一个实施例中，当所述输出信号为上升沿脉冲信号时，所述场效应管为NMOS管。

在本发明的一个实施例中，当所述测试通道的输出信号需要输出上升沿脉冲信号时，连接所述SRD二极管的所述模拟联动开关切换至断开状态，或者此模拟联动开关的动端切换至下触点，该下触点悬空，以使所述SRD二极管断开与一直流偏置电压的连接，连接所述NMOS管的所述模拟联动开关的动端切换至下触点，从该下触点导入的直流偏置电压使所述NMOS管导通，从而使所述SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，并随后在反向电流瞬间截止时，在所述节点获得一上升沿阶跃脉冲信号，并随即切换为待机状态。

在本发明的一个实施例中，当所述输出信号为下降沿脉冲信号时，所述SRD二极管的负极连接输出信号高电平所对应的电压源，所述SRD二极管正极接所述场效应管。

在本发明的一个实施例中，当所述输出信号为下降沿脉冲信号时，所述场效应管为PMOS管。

在本发明的一个实施例中，当所述测试通道的输出信号需要输出下降沿脉冲信号时，连接所述SRD二极管的所述模拟联动开关切换至断开状态，或者此模拟联动开关的动端切换至下触点，该下触点悬空，以使所述SRD二极管断开与一直流偏置电压的连接，连接所述PMOS管的所述模拟联动开关的动端切换至下触点，从该下触点导入的直流偏置电压使所述PMOS管导通，从而使所述SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，并随后在反向电流瞬间截止时，在所述节点获得一下降沿阶跃脉冲信号，并随即切换为待机状态。

此外，本发明还提供一种信号调整模块，其用于调整测试通道输出信号的压摆率，包括如上述所述的信号调整单元，所述信号调整单元包括信号调整单元A和信号调整单元B，所述信号调整单元A和所述信号调整单元B级联在测试通道的输出端，当其输出信号为上升沿脉冲信号时，通过控制指令使所述信号调整单元A对所述上升沿脉冲信号进行调整，当其输出信号为下降沿脉冲信号时，通过控制指令使所述信号调整单元B对所述下降沿脉冲信号进行调整。

在本发明的一个实施例中，所述信号调整单元A和所述信号调整单元B的数量为多个，多个信号调整单元A和多个信号调整单元B依次级联在所述测试通道的输出端。

在本发明的一个实施例中，通过控制指令协调所有的信号调整单元轮流工作，当所述测试通道的输出信号需要连续输出多个交替的上升沿脉冲和下降沿脉冲时，通过控制指令使多个所述信号调整单元A依次轮流调整每一个上升沿脉冲，通过控制指令使多个所述信号调整单元B依次轮流调整每一个下降沿脉冲。

在本发明的一个实施例中，当所述信号调整单元A处于待机状态时，连接所述SRD二极管的所述模拟联动开关切换至导通状态，或者此模拟联动开关的动端切换至上触点，以使所述SRD二极管的负极与一直流偏置电压的连接，该电压比所述SRD二极管的正极所连接的电压更低，且电压差大于等于所述SRD二极管的正向导通电压，以使所述SRD二极管处于正偏压状态，连接所述NMOS管的所述模拟联动开关的动端切换至上触点，该上触点连接的直流偏置电压使所述NMOS管截止，从而使信号调整单元A和输出的脉冲信号互不影响。

在本发明的一个实施例中，当所述信号调整单元B处于待机状态时，连接所述SRD二极管的所述模拟联动开关切换至导通状态，或者此模拟联动开关的动端切换至上触点，以使所述SRD二极管的正极与一直流偏置电压的连接，该电压比所述SRD二极管的负极所连接的电压更高，且电压差大于等于所述SRD二极管的正向导通电压，以使所述SRD二极管处于正偏压状态，连接所述PMOS管的所述模拟联动开关的动端切换至上触点，该上触点连接的直流偏置电压以使所述PMOS管截止，从而使信号调整单元B和输出的脉冲信号互不影响。

并且，本发明还提供一种测试机，包括如上述所述的一种信号调整单元。

本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

本发明利用SRD二极管和场效应管对测试通道输出信号的压摆率进行调整，以在上升沿脉冲信号上升至最高点或下降沿脉冲信号下降至最低点时输出一阶跃电压，使其具有较高的压摆率，从而能够提供较高压摆率的信号激励，满足不同的测试需求。

附图说明

图1是SRD二极管的原理图。

图2是输入输出信号波形图。

图3是本发明实施例一的信号调整单元的电路原理图。

图4是本发明实施例二的信号调整单元的电路原理图。

图5是本发明实施例三的信号调整模块的结构示意图。

图中标号说明：10、控制端；21、场效应管；22、SRD二极管；30、节点。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。

下面先对本发明提到的SRD二极管的主要特点进行阐述。

SRD二极管22的主要特点是SRD二极管22关断时的下降时间几乎为0(ps数量级)，即消除了关断时的反向电流拖尾，如图1所示，ts为反向存储时间，tf为下降时间，trr=ts+tf表示SRD二极管22的反向恢复时间，SRD二极管22不仅有极短的下降时间，而且也具有很好的正向导电性能。正因为这种很好的正向导电性，所以它在正向电压时将会存储大量的少数载流子电荷，当正偏压转换为负偏压时，存储的少数载流子将以与注入相反的方向流动，从而形成强大的反向电流，同时关断的存储时间也较长，当所有的少数载流子都被抽出后，反向电流突然降低到一个极低的水平，SRD二极管22被切断，形成一个陡峭的阶跃电压。

实施例一

参考图3，本发明实施例提供了一种信号调整单元，其用于调整测试通道输出信号的压摆率，包括：

控制端10，其包括多个模拟联动开关；

信号调整电路，其包括场效应管21和SRD二极管22，场效应管21和SRD二极管22串联，场效应管21连接其中一个模拟联动开关S1，SRD二极管22连接另一个模拟联动开关S2，利用SRD二极管22把测试通道的输出信号调整为阶跃脉冲信号；

节点30，其连接测试通道的输出端；

当输出信号为上升沿脉冲信号时，给模拟联动开关一控制指令，使得模拟联动开关由初始的待机状态切换至工作状态，以使场效应管21导通，从而让SRD二极管22处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，且在SRD二极管22所有的少数载流子都被抽出后，SRD二极管22的反向电流瞬间截止，以在节点30上实现高压摆率的上升沿阶跃脉冲信号。

上述模拟联动开关配置为一个双刀双掷开关，或者为一个单刀双掷开关加一个单刀单掷开关且二者联动。

上述场效应管21的栅极连接其中一个模拟联动开关S1的动端，SRD二极管22与场效应管21的串联连接点连接另一个模拟联动开关S2的动端，其中模拟联动开关S1的上触点连接直流偏置电压0V，模拟联动开关S1的下触点连接直流偏置电压10V，模拟联动开关S2的上触点连接直流偏置电压略低于-VT，VT为SRD二极管的正向导通电压，模拟联动开关S2的下触点悬空。

上述信号调整电路还包括限流电阻R，限流电阻R设置在模拟联动开关S2和SRD二极管之间，该限流电阻R的作用是用于调节SRD二极管的正向电流大小。

原理：上述SRD二极管22的正极连接输出信号低电平所对应的电压源，SRD二极管22负极接场效应管21，场效应管21为NMOS管，输入信号Vin输入至放大器A，经过放大器A放大后输出为脉冲信号。请参阅图2所示，当上升沿脉冲信号开始上升时（即阶段2），连接SRD二极管22的模拟联动开关S2的动端切换至下触点，该下触点悬空，以使SRD二极管22失去正向偏置电压，连接NMOS管的模拟联动开关S1的动端切换至下触点，该下触点连接的电压V2=10V，以使NMOS管导通，从而使Vo输出被强制为低电平，此时的SRD二极管22处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，此时放大器A输出的电流都流向SRD二极管22，且在SRD二极管22所有的少数载流子都被抽出后，这时候SRD二极管22的反向电流瞬间截止，这时，放大器A还在继续输出电流，以在节点30上实现高压摆率的上升沿阶跃脉冲信号，在节点30上实现高压摆率的上升沿阶跃脉冲信号后（即阶段3），给模拟联动开关一控制指令，使得模拟联动开关由工作状态切换为初始的待机状态，即连接场效应管21的模拟联动开关S1的动端切换至上触点，以使场效应管21截止，连接SRD二极管22的模拟联动开关S2的动端切换至上触点，从而让SRD二极管22处于正偏压并存储少数载流子电荷的状态。以此类推，对上升沿脉冲信号进行调整获得高压摆率皆为此工作原理。

本发明利用SRD二极管22和NMOS管对测试通道中放大器输出信号的电压转换速率进行调整，以在上升沿脉冲信号上升至最高点时输出一阶跃电压，使其具有较高的压摆率。

实施例二

参考图4，本发明实施例提供了一种信号调整单元，其用于调整测试通道输出信号的压摆率，包括：

控制端10，其包括多个模拟联动开关；

信号调整电路，其包括场效应管21和SRD二极管22，场效应管21和SRD二极管22串联，场效应管21连接其中一个模拟联动开关S4，SRD二极管22连接另一个模拟联动开关S3，利用SRD二极管22把测试通道的输出信号调整为阶跃脉冲信号；

节点30，其连接测试通道的输出端；

当输出信号为下降沿脉冲信号时，给模拟联动开关一控制指令，使得模拟联动开关由初始的待机状态切换至工作状态，以使场效应管21导通，从而让SRD二极管22处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，且在SRD二极管22所有的少数载流子都被抽出后，SRD二极管22的反向电流瞬间截止，以在节点30上实现高压摆率的下降沿阶跃脉冲信号。

上述模拟联动开关配置为一个双刀双掷开关，或者为一个单刀双掷开关加一个单刀单掷开关且二者联动。

上述场效应管21的栅极连接其中一个模拟联动开关S4的动端，SRD二极管22与场效应管21的串联连接点连接另一个模拟联动开关S3的动端，其中模拟联动开关S3的上触点连接直流偏置电压略高于（VCC+VT),VCC=24V为输出信号高电平所对应的电压，VT为SRD二极管22的正向导通电压，模拟联动开关S3的下触点悬空，模拟联动开关S4的上触点连接直流偏置电压V5=24V，模拟联动开关S4的下触点连接直流偏置电压V6=14V。

上述信号调整电路还包括限流电阻R，限流电阻R设置在模拟联动开关S3和SRD二极管之间，该限流电阻R的作用是用于调节SRD二极管的正向电流大小。

原理：上述SRD二极管22的负极连接输出信号高电平所对应的电压源，SRD二极管22正极接场效应管21，场效应管21为PMOS管，输入信号Vin输入至放大器A，经过放大器A放大后输出为脉冲信号。请参阅图2所示，当下降沿脉冲信号开始下降时（即阶段4），连接SRD二极管22的模拟联动开关S3的动端切换至下触点，该下触点悬空，以使SRD二极管22失去正向偏置电压，连接PMOS管的模拟联动开关S4的动端切换至下触点，该下触点连接的电压V6=14V ，以使PMOS管导通，从而使V0输出被强制为高电平，此时的SRD二极管22处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，此时放大器A输出的反向的灌电流都来自SRD二极管22，且在SRD二极管22所有的少数载流子都被抽出后，这时候SRD二极管22的反向电流瞬间截止，这时，放大器A还在继续输出反向的灌电流，以在节点30上实现高压摆率的下降沿阶跃脉冲信号，在节点30上实现高压摆率的下降沿阶跃脉冲信号后（即阶段5），给模拟联动开关一控制指令，使得模拟联动开关由工作状态切换为初始的待机状态，即连接场效应管21的模拟联动开关S4的动端切换至上触点，以使场效应管21截止，连接SRD二极管22的模拟联动开关S3的动端切换至上触点，从而让SRD二极管22处于正偏压并存储少数载流子电荷的状态。以此类推，对下降沿脉冲信号进行调整获得高压摆率皆为此工作原理。

本发明利用SRD二极管22和PMOS管对测试通道中放大器输出信号的电压转换速率进行调整，以在下降沿脉冲信号下降至最低点时输出一阶跃电压，使其具有较高的压摆率。

实施例三

参考图5，本发明实施例提供了一种信号调整模块，其用于调整测试通道输出信号的压摆率，包括如实施例一的信号调整单元A和如实施例二的信号调整单元B，信号调整单元A和信号调整单元B级联在测试通道的输出端，当其输出信号为上升沿脉冲信号时，通过控制指令使信号调整单元A对上升沿脉冲信号进行调整，当其输出信号为下降沿脉冲信号时，通过控制指令使信号调整单元B对下降沿脉冲信号进行调整。

作为一个优选的方案，信号调整单元A和信号调整单元B的数量均为多个，多个信号调整单元A和多个信号调整单元B依次级联在测试通道的输出端。即通过控制指令协调所有的信号调整单元轮流工作，当所述测试通道的输出信号需要连续输出多个交替的上升沿脉冲和下降沿脉冲时，通过控制指令使多个所述信号调整单元A依次轮流调整每一个上升沿脉冲，通过控制指令使多个所述信号调整单元B依次轮流调整每一个下降沿脉冲。例如当第1个上升沿到来时，使用第1个信号调整单元A对上升沿脉冲信号进行调整从而获得高压摆率，当第1个下降沿到来时，使用第1个信号调整单元B对下降沿脉冲信号进行调整从而获得高压摆率；当第2个上升沿到来时，使用第2个信号调整单元A对上升沿脉冲信号进行调整从而获得高压摆率，当第2个下降沿到来时，使用第2个信号调整单元B对下降沿脉冲信号进行调整从而获得高压摆率，以此类推即可。

进一步地，在其中一个信号调整单元A处于工作状态时，其他的信号调整单元A处于待机状态，从而降低每个信号调整单元A的使用频率，有效改善单个信号调整单元A长时间使用而导致的发热问题。

上述当信号调整单元A处于待机状态时，连接SRD二极管22的模拟联动开关S2的动端切换至上触点，该上触点连接低于-VT的直流偏置电压，以使SRD二极管22导通，连接NMOS管的模拟联动开关S1的动端切换至上触点，该上触点连接0V电压，以使NMOS管截止，从而使信号调整单元A和输出的脉冲信号互不影响。

需要说明的是，上述模拟联动开关S1、S2的切换需要控制指令操纵，当然在图2中的阶段3时，由于输出的脉冲信号一直为高电平，这时候NMOS管自动截止，即信号调整单元A由工作状态进入待机状态。

同样的，在其中一个信号调整单元B处于工作状态时，其他的信号调整单元B处于待机状态，从而降低每个信号调整单元B的使用频率，有效改善单个信号调整单元B长时间使用而导致的发热问题。

上述当信号调整单元B处于待机状态时，连接SRD二极管22的模拟联动开关S3的动端切换至上触点，该上触点连接高于SRD二极管22的导通电压加输出信号高电平的总电压，以使SRD二极管22导通，连接PMOS管的模拟联动开关S4的动端切换至上触点，该上触点连接电源电压VCC，以使PMOS管截止，从而使信号调整单元B和输出的脉冲信号互不影响。

需要说明的是，上述模拟联动开关S3、S4的切换需要控制指令操纵，当然在图2中的阶段5时，由于输出的脉冲信号一直为低电平，这时候PMOS管自动截止，即信号调整单元B由工作状态进入待机状态。

实施例四

本发明实施例还提供了一种测试机，其包括上述的一种信号调整模块，具体内容已经在上述内容阐述，本发明在这里不做赘述。

以上实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例，本发明的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换，均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围以权利要求书为准。

Claims (16)

1.一种信号调整单元，其用于调整测试通道输出信号的压摆率，其特征在于，包括：

控制端，其包括多个模拟联动开关；

信号调整电路，其包括场效应管和SRD二极管，所述场效应管和所述SRD二极管串联，所述场效应管连接其中一个所述模拟联动开关，所述SRD二极管连接另一个所述模拟联动开关，利用所述SRD二极管把所述测试通道的输出信号调整为阶跃脉冲信号；

节点，其作为信号汇接点，所述节点的一端连接所述测试通道的输出端，所述节点的另一端连接所述信号调整电路的输出端，通过所述节点实现两个输出端的短接，从而使所述测试通道输出端的电信号能够被所述信号调整电路所调整；

当输出信号为上升沿脉冲信号或下降沿脉冲信号时，给所述模拟联动开关一控制指令，使得所述模拟联动开关由初始的待机状态切换至工作状态，以使场效应管导通，从而让所述SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，且在所述SRD二极管所有的少数载流子都被抽出后，所述SRD二极管的反向电流瞬间截止，以在所述节点上实现高压摆率的上升沿阶跃脉冲信号或下降沿阶跃脉冲信号。

2.如权利要求1所述的一种信号调整单元，其特征在于：在所述节点上实现高压摆率的所述上升沿阶跃脉冲信号或所述下降沿阶跃脉冲信号后，给所述模拟联动开关一控制指令，使得所述模拟联动开关由工作状态切换为初始的待机状态，以使所述场效应管截止，从而让所述SRD二极管处于正偏压并存储少数载流子电荷的状态。

3.如权利要求2所述的一种信号调整单元，其特征在于：所述场效应管的栅极连接其中一个所述模拟联动开关的动端，所述SRD二极管与所述场效应管的串联连接点连接另一个所述模拟联动开关的动端，所述模拟联动开关的固定端分别连接不同的直流偏置电压或者悬空。

4.如权利要求3所述的一种信号调整单元，其特征在于：所述信号调整电路还包括限流电阻，所述限流电阻设置在所述模拟联动开关和所述SRD二极管之间。

5.如权利要求4所述的一种信号调整单元，其特征在于：当所述输出信号为上升沿脉冲信号时，所述SRD二极管的正极连接输出信号低电平所对应的电压源，所述SRD二极管的负极连接所述场效应管。

6.如权利要求5所述的一种信号调整单元，其特征在于：当所述输出信号为上升沿脉冲信号时，所述场效应管为NMOS管。

7.如权利要求6所述的一种信号调整单元，其特征在于：当所述测试通道的输出信号需要输出上升沿脉冲信号时，连接所述SRD二极管的所述模拟联动开关切换至断开状态，或者此模拟联动开关的动端切换至下触点，该下触点悬空，以使所述SRD二极管断开与一直流偏置电压的连接，连接所述NMOS管的所述模拟联动开关的动端切换至下触点，从该下触点导入的直流偏置电压使所述NMOS管导通，从而使所述SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，并随后在反向电流瞬间截止时，在所述节点获得一上升沿阶跃脉冲信号，并随即切换为待机状态。

8.如权利要求4所述的一种信号调整单元，其特征在于：当所述输出信号为下降沿脉冲信号时，所述SRD二极管的负极连接输出信号高电平所对应的电压源，所述SRD二极管正极接所述场效应管。

9.如权利要求8所述的一种信号调整单元，其特征在于：当所述输出信号为下降沿脉冲信号时，所述场效应管为PMOS管。

10.如权利要求9所述的一种信号调整单元，其特征在于：当所述测试通道的输出信号需要输出下降沿脉冲信号时，连接所述SRD二极管的所述模拟联动开关切换至断开状态，或者此模拟联动开关的动端切换至下触点，该下触点悬空，以使所述SRD二极管断开与一直流偏置电压的连接，连接所述PMOS管的所述模拟联动开关的动端切换至下触点，从该下触点导入的直流偏置电压使所述PMOS管导通，从而使所述SRD二极管处于由正偏压转换为负偏压并形成强大的反向电流状态，并随后在反向电流瞬间截止时，在所述节点获得一下降沿阶跃脉冲信号，并随即切换为待机状态。

11.一种信号调整模块，其用于调整测试通道输出信号的压摆率，其特征在于，包括如权利要求1至10中任一项所述的信号调整单元，所述信号调整单元包括信号调整单元A和信号调整单元B，所述信号调整单元A和所述信号调整单元B级联在测试通道的输出端，当其输出信号为上升沿脉冲信号时，通过控制指令使所述信号调整单元A对所述上升沿脉冲信号进行调整，当其输出信号为下降沿脉冲信号时，通过控制指令使所述信号调整单元B对所述下降沿脉冲信号进行调整。

12.如权利要求11所述的一种信号调整模块，其特征在于：所述信号调整单元A和所述信号调整单元B的数量为多个，多个信号调整单元A和多个信号调整单元B依次级联在所述测试通道的输出端。

13.如权利要求12所述的一种信号调整模块，其特征在于：通过控制指令协调所有的信号调整单元轮流工作，当所述测试通道的输出信号需要连续输出多个交替的上升沿脉冲和下降沿脉冲时，通过控制指令使多个所述信号调整单元A依次轮流调整每一个上升沿脉冲，通过控制指令使多个所述信号调整单元B依次轮流调整每一个下降沿脉冲。

14.如权利要求11所述的一种信号调整模块，其特征在于：当所述信号调整单元A处于待机状态时，连接所述SRD二极管的所述模拟联动开关切换至导通状态，或者此模拟联动开关的动端切换至上触点，以使所述SRD二极管的负极与一直流偏置电压的连接，该电压比所述SRD二极管的正极所连接的电压更低，连接NMOS管的所述模拟联动开关的动端切换至上触点，该上触点连接的直流偏置电压使所述NMOS管截止，从而使信号调整单元A和输出的脉冲信号互不影响。

15.如权利要求11所述的一种信号调整模块，其特征在于：当所述信号调整单元B处于待机状态时，连接所述SRD二极管的所述模拟联动开关切换至导通状态，或者此模拟联动开关的动端切换至上触点，以使所述SRD二极管的正极与一直流偏置电压的连接，该电压比所述SRD二极管的负极所连接的电压更高，连接PMOS管的所述模拟联动开关的动端切换至上触点，该上触点连接的直流偏置电压以使所述PMOS管截止，从而使信号调整单元B和输出的脉冲信号互不影响。

16.一种测试机，其特征在于：包括如权利要求1至10中任一项所述的一种信号调整单元。

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