CN113451492A - 发光装置 - Google Patents
发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113451492A CN113451492A CN202110319003.1A CN202110319003A CN113451492A CN 113451492 A CN113451492 A CN 113451492A CN 202110319003 A CN202110319003 A CN 202110319003A CN 113451492 A CN113451492 A CN 113451492A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- lead
- emitting device
- substrate
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 121
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 121
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 101
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- -1 for example Polymers 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 9
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003202 NH4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- 229910004074 SiF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- FNCIDSNKNZQJTJ-UHFFFAOYSA-N alumane;terbium Chemical compound [AlH3].[Tb] FNCIDSNKNZQJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N chloro(trihydroxy)silane Chemical compound O[Si](O)(O)Cl GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种发光装置,其光取出效率高,能够抑制引线和树脂部的剥离。发光装置具备:第一基板,其具有第一引线、位于与所述第一引线分离的位置的第二引线、以及保持所述第一引线和所述第二引线的树脂部;第二基板,其配置在所述第二引线上,具有基部和位于所述基部的上表面的第一导电部;至少一个发光元件,其配置在所述第二基板上,与所述第一导电部电连接;第一导线,其将所述第一引线和所述第一导电部电连接;以及壁部,其跨越并覆盖所述第一引线以及所述第二引线的上表面,所述壁部的高度比所述第二基板的高度低。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光装置。
背景技术
使用LED等发光元件的发光装置为了容易地得到高的发光效率,在显示器等的包括背光灯和照明用灯具的多个设备中使用。在专利文献1中,公开了具备具有正负一对引线和凹部的树脂部和载置于树脂部的凹部的底面的发光元件的发光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-125776号公报
发光装置要求进一步提高光取出效率和可靠性。为了提高可靠性,例如要求抑制引线和树脂部的剥离。
发明内容
于是,本发明的目的在于提供一种光取出效率高,能够抑制引线和树脂部的剥离的发光装置。
一实施方式的发光装置具备:第一基板,其具有第一引线、与所述第一引线分离的第二引线、以及保持所述第一引线和所述第二引线的树脂部;第二基板,其配置在所述第二引线上,具有基部和位于所述基部的上表面的第一导电部;至少一个发光元件,其配置在第二基板上且与所述第一导电部电连接;第一导线,其将所述第一引线与所述第一导电部电连接;壁部,其跨越并覆盖所述第一引线及所述第二引线的上表面,所述壁部的高度比所述第二基板的高度低。
根据本发明的一实施方式的发光装置,能够提供光取出效率高,能够抑制引线和树脂部的剥离的发光装置。
附图说明
图1A是本实施方式的发光装置的示意俯视图。
图1B是图1A所示的IB-IB线的示意剖面图。
图1C是图1A所示的IC-IC线的示意剖面图。
图2A是本实施方式的发光装置的第一基板的示意俯视图。
图2B是本实施方式的发光装置的第一基板的示意仰视图。
图2C是本实施方式的发光装置的第一基板的变形例1的示意俯视图。
图3是本实施方式的发光装置的变形例1的示意剖面图。
图4A是本实施方式的发光装置的变形例2的示意俯视图。
图4B是图4A所示的IVB-IVB线的示意剖面图。
图4C是本实施方式的发光装置的变形例3的示意剖面图。
图5是本实施方式的发光装置的第一基板及第二基板的示意俯视图。
图6是本实施方式的发光装置的变形例4的示意俯视图。
图7A是表示本实施方式的发光装置中的第一基板、第二基板、第一导线、第二导线、发光元件以及保护元件的示意俯视图。
图7B是表示本实施方式的发光装置的变形例5中的第一基板、第二基板、第一导线、第二导线、发光元件以及保护元件的示意俯视图。
图7C是表示本实施方式的发光装置的变形例6中的第一基板、第二基板、第一导线、第二导线、发光元件及保护元件的示意俯视图。
图7D是表示本实施方式的发光装置的变形例6A中的第一基板、第二基板、第一导线、第二导线、发光元件以及保护元件的示意俯视图。
图8A是本实施方式的发光装置的变形例7的示意剖面图。
图8B是本实施方式的发光装置的变形例8的示意剖面图。
图8C是本实施方式的发光装置的变形例8A的示意剖面图。
图9A是本实施方式的发光装置的变形例9的示意俯视图。
图9B是图9A所示的IXB-IXB线的示意剖面图。
图10A是本实施方式的发光装置的变形例10的示意俯视图。
图10B是图10A所示的XB-XB线的示意剖面图。
图10C是图10A所示的XC-XC线的示意剖面图。
附图标记说明
1000、1000A、1000B、1000C、1000D、1000E、1000F、1000G:发光装置
100、100A:第一基板
10:引线
11:第一引线
12:第二引线
13:第三引线
15:树脂部
200:第二基板
20:基部
21:第一导电部
22:第二导电部
300:发光元件
350:导光部件
401:第一导线
402:第二导线
500:壁部
600:接合部件
700:反射部件
710:底层填料
800:透光性部件
900:覆盖部件
具体实施方式
以下,参照附图详细说明本公开的发光装置。本公开的发光装置是示例性的,并且不限于以下描述的发光装置。在以下的说明中,有时使用表示特定的方向和位置的术语(例如,“上”,“下”以及包含这些术语的其他术语)。这些术语只不过是为了容易理解而使用参照的附图中的相对方向和位置。另外,附图所示的构成要素的大小或位置关系等,为了容易理解,有时被夸张,有时不反映实际的发光装置中的大小或实际的发光装置中的构成要素间的大小关系。
(实施方式1)
基于图1A至图9B说明本发明的实施方式1的发光装置1000。发光装置1000具备:第一基板100、第二基板200、发光元件300、第一导线401和壁部500。第一基板100具有:第一引线11、位于与第一引线11分离的位置的第二引线12、以及保持第一引线11和第二引线12的树脂部15。第一引线11和第二引线12在第一方向上排列配置。在图1A中,第一方向是沿着Y方向的方向。第二方向是与第一方向正交的方向。在图1A中,第二方向是沿着X方向的方向。第三方向是与第一方向和第二方向正交的方向。在图1A中,第三方向是沿着Z方向的方向。第二基板200配置在第二引线12上。第二基板200具有基部20和位于基部20的上表面的第一导电部21。至少一个发光元件300配置在第二基板200上。发光元件300与第一导电部21电连接。第一导线401将第一引线11和第一导电部21电连接。壁部500跨越并覆盖第一引线11和第二引线12的上表面。壁部500的高度H5比第二基板200的高度H2低。在本说明书中,各部分的高度是指从第二引线12的最上表面到各部分的上表面的在第三方向(Z方向)上的最大距离。另外,第二引线12的最上表面是指在第三方向上位于最+Z方向(上方向)的第二引线12的上表面。
因为壁部500跨越并覆盖第一引线11和第二引线12的上表面,所以发光装置1000的第一引线11和第二引线12由壁部500保持。因此,能够抑制由来自发光元件的热等引起的第一引线11和/或第二引线12的变形。由此,能够抑制引线和树脂部剥离。
由于壁部500的高度H5比第二基板200的高度H2低,发光装置1000能够抑制来自发光元件300的光被壁部500遮挡的情况。由此,能够提高发光装置的光取出效率。
第一基板100具有引线10和保持引线10的树脂部15。引线10包括第一引线11和第二引线12。例如,如图2C所示,引线10可以仅包括第一引线11和第二引线12,如图2A所示,引线10也可以包括第一引线11、第二引线12和第三引线13。图2A所示的第一基板100具有位于与第一引线11及第二引线12分离的位置的第三引线13。在第一基板100具有第三引线13的情况下,优选壁部500跨越并覆盖第二引线12和第三引线13的上表面。这样,由于第二引线12和第三引线13由壁部500保持,因此,能够抑制引线10和树脂部15剥离。壁部500优选在俯视时无裂缝地包围第二基板200。由此,壁部500的强度提高,因此,能够提高壁部500保持第一引线11和第二引线12的力。由此,能够抑制引线和树脂部剥离的情况。另外,引线10只要包含2个以上的引线即可,也可以包含4个以上的引线。
俯视时的第一引线11和第二引线12的面积没有特别限定,但优选俯视时第二引线12的面积比第一引线的面积大。由于在第二引线12上配置设置有发光元件300的第二基板200,因此,通过使第二引线12的面积大,能够提高发光装置1000的散热性。
在第一基板100具有第一引线11、第二引线12和第三引线13的情况下,优选俯视时第二引线12的面积比第一引线和第三引线各自的面积大。由此,能够提高发光装置1000的散热性。另外,在第一基板100具有第一引线11、第二引线12和第三引线13的情况下,优选俯视时第二引线12的面积比第一引线和第三引线的合计面积大。由此,能够进一步提高发光装置1000的散热性。
如图2A所示,第一引线11和第二引线12在第一方向(Y方向)上相对。在俯视中,优选第二引线12和第三引线13在第一方向(Y方向)上相对,第一引线11和第三引线13在第二方向(X方向)上相对。这样,由于第一引线11和第三引线13排列位于第二方向(X方向)上,所以在第一方向(Y方向)上容易使发光装置1000小型化。另外,由于第二引线12在第一方向(Y方向)上与第一引线11及第三引线13相对,因此,在第二方向(X方向)上容易加长第二引线12。由此,能够增大俯视时的第二引线12的面积,因此能够提高发光装置1000的散热性。
如图2A所示,在俯视中,优选在第一方向(Y方向)上相对的第一引线11的外缘11A的至少一部分与第二引线12的外缘12A的至少一部分平行。由此,相对的第一引线11和第二引线12的间隙的宽度为一定的区域增加。例如,在通过将固化前的树脂材料注入到第一引线11和第二引线12之间而形成树脂部15的情况下,通过增加相对的第一引线11和第二引线12的间隙的宽度为一定的区域,能够抑制固化前的树脂材料为未填充的情况。另外,在本说明书中,平行是指允许在±3°以内的变动的情况。同样地,在俯视中,优选在第一方向(Y方向)上相对的第二引线12的外缘12A的至少一部分与第三引线13的外缘13A的至少一部分平行。另外,在俯视中,优选在第二方向(X方向)上相对的第一引线11的外缘11B的至少一部分与第三引线13的外缘13B的至少一部分平行。
在俯视中,优选第一引线11和第三引线13相对于与第一方向(Y方向)平行的第一基板100的中心线左右对称。由此,安装发光装置的安装基板的设计变得容易。另外,在本说明书中,左右对称是指容许在±3%以内的形状的变动的情况。
如图2B所示,优选第一引线11的下表面和第二引线12的下表面从树脂部15露出。由此,容易从第一引线11的下表面及第二引线12的下表面供电。另外,来自发光装置的热容易从第一引线11和/或第二引线12的下表面传递到安装有发光装置的安装基板。由此,能够提高发光装置的散热性。在第一引线11的下表面及第二引线12的下表面从树脂部15露出的情况下,优选第一引线11的下表面、第二引线12的下表面及树脂部15的下表面位于同一平面。由此,由于树脂部15未从第一引线11的下表面及第二引线12的下表面延伸,因此,容易从第一引线11的下表面及第二引线12的下表面供电。另外,第一引线11的下表面、第二引线12的下表面以及树脂部15的下表面位于同一平面,由此,位于第一引线11的下表面侧的第一引线11的侧面被树脂部15覆盖,位于第二引线12的下表面侧的第二引线12的侧面被树脂部15覆盖。即,抑制了位于第一引线11的下表面侧的第一引线11的侧面从树脂部15露出,抑制了位于第二引线12的下表面侧的第一引线11的侧面从树脂部15露出。因此,能够增大第一引线11的侧面及第二引线12的侧面与树脂部15的接触面积。通过增大第一引线11及第二引线12与树脂部15的接触面积,能够抑制引线与树脂部的剥离。另外,在本说明书中,同一平面是指允许各面的差在±15μm以内的变动的情况。
在第一基板100具有第一引线11、第二引线12及第三引线13的情况下,优选第二引线12不与发光元件300电连接。由于在第二引线12上配置载置有发光元件的第二基板,因此,第二引线12与第一引线11及第三引线13相比要求散热性。由于第二引线12不与发光元件300电连接,所以安装发光装置1000的安装基板的散热设计变得容易。即,在与第二引线12接合的安装基板的部分,也可以不考虑与发光元件300电连接。因此,安装基板的散热设计变得容易。
跨越并覆盖第一引线11和第二引线12的上表面的壁部500和保持第一引线11和第二引线12的树脂部15可以如图1C所示一体形成,也可以如图3所示分体形成。在壁部500与树脂部15为一体的情况下,壁部500是树脂部15的一部分。另外,在壁部500与树脂部15为一体的情况下,第一基板100具有壁部500。在壁部500与树脂部15为一体的情况下,将在图1C所示的Z方向(第三方向)上从第二引线12的最上表面位于+Z方向(上方向)的树脂部15作为壁部500。由于壁部500和树脂部15为一体,因此容易抑制引线和树脂部剥离。另外,即使在保持第一引线11及所述第二引线12的树脂部15和壁部500为分体的情况下,通过使壁部500跨越并覆盖第一引线11及第二引线12的上表面,也能够抑制引线和树脂部剥离。具体而言,设置在树脂部15上的壁部500跨越并覆盖第一引线11和第二引线12的上表面,因此第一引线11和第二引线12由壁部500保持。因此,能够抑制第一引线11和/或第二引线12因热等而发生变形。由此,能够抑制引线和树脂部剥离。
截面中的壁部500的宽度W5和壁部500的高度H5并没有特别限定,但在截面中,壁部500的高度H5与壁部500的宽度W5之比(H5/W5)优选为0.2以上且小于1。在截面中,通过使壁部500的高度H5与壁部500的宽度W5之比(H5/W5)为0.2以上,能够使壁部500的高度H5变长,因此能够提高壁部500的强度。在截面中,通过使壁部500的高度H5与壁部500的宽度W5之比(H5/W5)小于1,能够延长壁部500的宽度W5,因此能够提高壁部500的强度。即,优选设定壁部500的宽度W5和/或壁部500的高度H5,以使壁部500的强度不会过低。另外,如果为了提高壁部500的强度而使壁部500的宽度W5和/或壁部500的高度H5过长,则来自发光元件的光容易被壁部500遮挡。因此,考虑到壁部500的强度,优选设定壁部500的宽度W5和/或壁部500的高度H5,以使来自发光元件的光难以被壁部500遮挡。在本说明书中,壁部500的宽度W5是指从俯视中的壁部500的内缘到壁部500的外缘的最短距离。
如图1A、图1C所示,树脂部15的外侧面和壁部500的外侧面也可以是同一平面。由于树脂部15的外侧面与壁部500的外侧面为同一平面,所以容易使发光装置小型化。例如,由于树脂部15的外侧面与壁部500的外侧面为同一平面,因此树脂部15在后述的俯视中不具备从壁部500的外缘延伸的延伸部15A。因此,由于树脂部15的外侧面与壁部500的外侧面为同一平面,所以容易使发光装置小型化。如图4A、图4B所示的发光装置1000B那样,也可以树脂部15在俯视中具备从壁部500的外缘延伸的延伸部15A。延伸部15A的高度优选低于壁部500的高度。由于延伸部15A的高度比壁部500的高度低,因此能够抑制来自发光元件的光被延伸部15A遮挡。例如,延伸部15A的上表面也可以与第一引线11的上表面及第二引线12的上表面位于同一平面。通过使树脂部15具备延伸部15A,例如能够通过用镊子夹持延伸部15A来操作发光装置。由此,能够抑制与发光元件等接触,因此发光装置的可靠性提高。如图4C所示的发光装置1000C那样,在壁部500和树脂部15分体的情况下,由于树脂部15具备从壁部500的外缘延伸的延伸部15A,因此容易在树脂部15上形成壁部500。例如,通过在树脂部15上滴下或描绘固化前的壁部的材料,并使壁部的材料固化,能够在树脂部15上形成壁部500。
如图5所示,第二基板200配置在第二引线12上。第二基板200具有基部20、第一导电部21和第二导电部22。第一导电部21和/或第二导电部22可以是单层,也可以层叠多层。第一导电部21位于基部20的上表面。第二导电部22与第一导电部21分离而位于基部20的上表面。第一导电部21和第二导电部22优选在第二方向(X方向)上排列配置。由此,在第一方向(Y方向)上容易使发光装置1000小型化。第二基板200可以通过环氧树脂、硅树脂或金属膏等公知的粘接部件固定在第二引线12上。作为金属膏,可以举出银膏、铝膏、金膏等。第二基板200优选通过银膏固定在第二引线12上。由于银膏与铝膏相比热传导率高,所以通过使用银膏作为粘接部件,容易将来自第二基板200的热传递到第二引线12。由此,发光装置的散热性提高。另外,由于银膏与金膏相比成本较低,因此通过使用银膏作为粘接部件,能够降低发光装置的部件费用。
优选地,基部20的上表面是平坦的。通过使基部20的上表面平坦,与在基部20上具有包围发光元件的侧壁相比,更能够抑制来自发光元件的光被基部20遮挡。由此,通过使基部20的上表面平坦,能够提高发光装置1000的光取出效率。另外,在本说明书中,平坦是指允许在±15μm以内的变动的情况。
如图1A所示,发光装置1000具有第一导线401和第二导线402。第一导线401将第一引线11和第一导电部21电连接。如图1A所示的发光装置1000那样,第二导线402可以将第三导线13和第二导电部22电连接,也可以如图6所示的发光装置1000D那样,第二导线402将第二引线12和第二导电部22电连接。优选第一导线401和第二导线402在第二方向(X方向)上排列配置。由此,在第一方向(Y方向)上容易使发光装置1000小型化。
第一导线401和第二导线402可以使用公知的导电性导线。第一导线401优选为带状导线。带状导线为细长的带状,带状导线的截面形状为大致长方形。通过使用带状导线作为第一导线401,与使用截面形状为大致圆形的导线的情况相比,容易提高第一导线401的强度。例如,在第一导线401的高度相同的情况下,由于第一导线401的截面形状为大致长方形,因此与第一导线401的截面形状为大致圆形的情况相比,容易增大截面中的第一导线401的面积。由于能够增大截面中的第一导线401的面积,因此通过使用带状导线作为第一导线401,容易提高第一导线401的强度。另外,在截面中的第一导线401的面积相同的情况下,由于第一导线401的截面形状为大致长方形,因此与第一导线401的截面形状为大致圆形的情况相比,容易降低第一导线401的高度。由此,容易抑制来自发光元件的光被第一导线401遮挡的情况。另外,在第一导线的截面中,大致长方形的短边在沿着第三方向(Z方向)的方向上延伸。在本说明书中,沿第三方向延伸是指允许±5°以内的变动的情况。同样地,第二导线402优选为带状导线。例如,能够将在截面中长边的长度为0.5mm以上且1mm以下,短边的长度为0.05mm以上且0.3mm以下的带状导线用于第一导线401和/或第二导线402。
第一导线401和/或第二导线402例如可以包含铝。在第一导线401含有铝的情况下,优选第一导电部21的最表面含有铝。通过使第一导线401和第一导电部21含有同种金属,能够抑制异种金属接触腐蚀,由此,能够提高发光装置的可靠性。第一导电部21的最表面含有铝是指,在第一导电部21为单层的情况下,第一导电部21的最表面含有铝是指第一导电部21含有铝的意思,在第一导电部21层叠有多层的情况下,第一导电部21的最表面含有铝是指位于第一导电部21的最表面的层含有铝的意思。同样地,在第二导线402含有铝的情况下,优选第二导电部22的最表面含有铝。
至少一个发光元件300配置在第二基板200上。发光元件300与第一导电部21电连接。发光元件300也与第二导电部22电连接。发光元件300具有:具备至少一对正负电极的第一面、位于与第一面相反侧的第二面、以及位于第一面和第二面之间的第三面。也可以以发光元件300的第一面和第二基板200相对的方式将发光元件300配置在第二基板200上,也可以以发光元件300的第二面和第二基板200相对的方式将发光元件300配置在第二基板200上。优选以发光元件300的第一面和第二基板200相对的方式将发光元件300配置在第二基板200上。发光装置1000主要从+Z方向取出发光元件300的光。通过使具有正负电极的第一面与第二基板200相对,能够抑制正负电极遮挡从发光元件向+Z方向射出的光。由此,能够提高发光装置的光取出效率。另外,有时将与第二基板200相对的发光元件300的面称为发光元件的下表面,将位于与发光元件300的下表面相反侧的面称为发光元件的上表面。有时将位于发光元件的上表面与发光元件的下表面之间的面称为发光元件的侧面。例如,在以发光元件300的第一面和第二基板200相对的方式将发光元件300配置在第二基板200上的情况下,有时将发光元件300的第一面称为发光元件300的下表面,将发光元件300的第二面称为发光元件300的上表面。
在具有正负电极的第一面与第二基板200相对的情况下,通过金属凸台或焊锡等公知的导电性的接合部件600,将发光元件300与第一导电部21电连接。在发光元件300的第二面与第二基板200相对的情况下,也可以利用硅树脂或环氧树脂等公知的接合部件将发光元件300固定在第二基板200上。在发光元件300的第二面与第二基板200相对的情况下,通过导线等将发光元件300与第一导电部21电连接。
发光元件300只要有1个以上即可。例如,如图7A所示,发光元件也可以是3个,如图7B所示,发光元件也可以是1个,如图7C所示,发光元件也可以是5个。
优选发光元件300的外缘的一部分沿第二方向(X方向)延伸。由此,在第一方向(Y方向)上容易使发光装置1000小型化。在本说明书中,在沿着第二方向的方向上延伸允许在±5°以内的变动的情况。在发光装置1000具备多个发光元件300的情况下,如图7A所示,优选相邻的第一发光元件310和第二发光元件320在第二方向(X方向)上排列配置。由此,在第一方向(Y方向)上容易使发光装置1000小型化。另外,发光元件300包括第一发光元件310和第二发光元件320。优选第一发光元件310及第二发光元件320的外缘的一部分在沿着第二方向(X方向)的方向上延伸,在沿着第二方向(X方向)的方向上延伸的第一发光元件310及第二发光元件320的外缘的一部分位于同一直线上。由此,在第一方向(Y方向)上容易使发光装置1000小型化。在本说明书中,同一直线上允许在±5°以内的变动的情况。
如图7A、图7B、图7C所示,也可以在第二基板200上配置保护元件301。保护元件301与至少一个发光元件300并联连接。通过使发光装置具备保护元件301,能够提高发光装置的静电耐压。
如图7A所示,发光元件300和保护元件301可以在第一方向(Y方向)上排列配置,也可以如图7D所示,发光元件300和保护元件301在第二方向(X方向)上排列配置。通过在第一方向(Y方向)上排列配置发光元件300和保护元件301,在第二方向(X方向)上容易使发光装置小型化。通过在第二方向(X方向)上排列配置发光元件300和保护元件301,在第一方向(Y方向)上容易使发光装置小型化。
如图1B、图1C所示,发光装置1000优选具备覆盖发光元件300的侧面的反射部件700。由此,能够通过反射部件700反射来自发光元件300的光,因此,能够抑制来自发光元件的光被第一导线和/或第二导线遮挡。如果来自发光元件的光被第一导线和/或第二导线遮挡,则配光分布有可能变得不均匀。由于能够用反射部件700反射来自发光元件的光,所以容易设计成所希望的配光分布。另外,通过用反射部件700覆盖发光元件300的侧面,能够保护发光元件300免受外力。在发光装置具备保护元件的情况下,优选保护元件的至少一部分被反射部件覆盖。由此,能够抑制来自发光元件的光被保护元件吸收。
优选反射部件700覆盖发光元件300的侧面的整个面。由此,能够进一步抑制来自发光元件的光被第一导线和/或第二导线遮挡。另外,即使在发光元件300的侧面被反射部件700覆盖的情况下,来自发光元件的光的一部分也有可能透过反射部件700。因此,通过使壁部500的高度H5比第二基板200的高度H2低,能够提高发光装置的光取出效率。
在具有多个发光元件300的情况下,优选一个反射部件700覆盖多个发光元件的各自的侧面。换言之,优选由一个反射部件覆盖多个发光元件的侧面。由此,与一个反射部件覆盖一个发光元件的侧面的情况相比,容易使发光装置小型化。
如图1B所示,反射部件700优选位于与第一导线401分离的位置。由此,即使反射部件700因温度变化而膨胀和/或收缩,也能够抑制来自反射部件700的力作用于第一导线401。由此,能够抑制第一导线401发生变形。同样地,反射部件700优选位于与第二导线402分离的位置。
覆盖发光元件的侧面的反射部件700也可以位于发光元件300的下表面与第二基板200的上表面之间。由此,能够抑制来自发光元件的光被第二基板吸收。如图1B所示,底层填料710可以位于发光元件300的下表面和第二基板的上表面之间。通过由不同的部件形成覆盖发光元件的侧面的反射部件700和覆盖发光元件300的下表面的底层填料710,例如在反射部件700和底层填料710的母材是固化树脂的情况下,能够使固化前的底层填料710的母材的粘度比固化前的反射部件700的母材的粘度低。由此,能够容易地在发光元件300的下表面与第二基板的上表面之间填充底层填料710。
在反射部件700和/或底层填料710位于发光元件300的下表面与第二基板的上表面之间的情况下,优选使用金属凸台作为接合部件600。由此,能够使发光元件300的下表面与第二基板的上表面之间的距离变长。由此,容易在发光元件300的下表面和第二基板的上表面之间填充反射部件700和/或底层填料710。
如图1B所示,发光装置1000优选具备覆盖发光元件300的上表面的透光性部件800。由此,能够保护发光元件300免受外力的影响。透光性部件800也可以含有波长变换粒子。由此,发光装置1000的颜色调整变得容易。波长变换粒子是吸收发光元件发出的一次光的至少一部分,发出与一次光不同波长的二次光的部件。通过使第一透光性部件含有波长变换粒子,发光装置1000能够射出将第一发光元件发出的一次光和波长变换粒子发出的二次光混色后的混色光。例如,如果在第一发光元件中使用蓝色LED,在波长变换粒子中使用YAG等荧光体,则能够构成输出将蓝色LED的蓝色光和被该蓝色光激发而荧光体发出的黄色光混合而得到的白色光的发光装置。
透光部件800也可以经由导光部件350覆盖发光元件300的上表面。导光部件350优选覆盖发光元件300的侧面。由此,导光部件350与发光元件300的接合强度提高。在发光装置1000具备覆盖发光元件300的侧面的反射部件700的情况下,优选反射部件700经由导光部件350覆盖发光元件的侧面。导光部件350对来自发光元件300的光的透过率高于反射部件700。因此,通过导光部件350覆盖发光元件300的侧面,来自发光元件300的侧面的光容易通过导光部件350被引导至透光性部件800。由此,能够提高发光装置的光取出效率。
在具有多个发光元件的情况下,优选一个导光部件350覆盖多个发光元件的侧面。例如,如图1C所示,优选一个导光部件350覆盖第一发光元件310的侧面和第二发光元件320的侧面。由此,来自第一发光元件310的光和来自第二发光元件320的光被引导至一个导光部件350,因此,能够抑制第一发光元件310和第二发光元件320之间的亮度不均。
一个透光性部件可以覆盖一个发光元件的上表面,也可以一个透光性部件覆盖多个发光元件的上表面。在具有多个发光元件的情况下,优选一个透光性部件800覆盖多个发光元件300的上表面。例如,如图1C所示,优选一个透光性部件800覆盖第一发光元件310的上表面和第二发光元件320的上表面。由此,来自第一发光元件310的光和来自第二发光元件320的光被引导至一个透光性部件800,因此,能够抑制第一发光元件310和第二发光元件320之间的亮度不均。
也可以如图8A所示的发光装置1000E那样,透光性部件800的高度H8比第一导线401的高度H4高,也可以如图1B所示的发光装置1000那样,透光性部件800的高度比第一导线401的高度低。优选透光性部件800的高度H8比第一导线401的高度H4高。由于透光性部件800的高度H8比第一导线401的高度H4高,因此,能够抑制从透光性部件800射出的光被第一导线401遮挡。同样地,优选透光性部件800的高度比第二导线402的高度高。
如图8B所示的发光装置1000F那样,在壁部500和树脂部15分体的情况下,优选第一导线401的一部分被壁部500覆盖。由此,容易使发光装置小型化。另外,在壁部500与树脂部15分体的情况下,优选第一导线401与第一引线11的接合部分被壁部500覆盖。由此,能够抑制第一引线11和第一导线401剥离。
如图8C所示的发光装置1000F1那样,第一导线401具有:作为从与第一导电部21连接的部分到第一导线401的高度最高的第一点P1的部分的第一部401A;作为从与第一引线11连接的部分到第一点P1的部分的第二部401B。第一部401A包括与第一导电部21连接的部分,第二部401B包括与第一引线11连接的部分。在从第二方向(X方向)观察的情况下,优选相对于通过第一点P1并与第三方向(Z方向)平行的线L1,第一部401A的一部分和第二部401B的一部分左右对称。特别是,在从第二方向(X方向)观察的情况下,优选位于第一部401A的上半部分的区域的第一部401A的部分和位于第一部401A的上半部分的区域的第二部401B的部分相对于线L1左右对称。所谓第一部401A的上半部分的区域,是指相对于通过第三方向(Z方向)上的第一部401A的长度L4成为一半的部分并在第一方向(Y方向)上延伸的线L2位于+Z方向(上方向)的区域。由此,容易抑制第一导线401发生变形。例如,在向下方向的力作用于第一导线401的第一点P1的情况下,由于第一部401A的一部分和第二部401B的一部分相对于线L1左右对称,所以施加到第一部401A和第二部401B的力容易相同。因此,与施加到第一部401A和第二部401B的力不同的情况相比,更容易抑制第一导线401发生变形。
如图8C所示,在从第二方向(X方向)观察的情况下,在第一导线401和第一导电部21连接的部分中,将最接近第一引线11的部位设为第二点P2。在从第二方向(X方向)观察的情况下,连接第一点P1和第二点P2的线L3与第一方向(Y方向)所成的角θ1优选为0°以上且60°以下,更优选为5°以上且40°以下。通过使θ1的角度较小,容易降低第一导线401的高度。由此,容易抑制来自发光元件300的光被第一导线401遮挡。另外,通过使θ1的角度较大,容易加长第一导线401的长度。由此,即使第一引线11和第二引线12由于热而膨胀或收缩,也能够抑制第一导线401发生断线。另外,θ1表示线L3与第一方向(Y方向)所成的角度中锐角一方的角度。
也可以如图9A、图9B所示的发光装置1000G那样,具备覆盖第一引线11和第一导线401的覆盖部件900。通过覆盖部件900覆盖第一引线11和第一导线401,能够保护第一引线11和/或第一导线401不受水分、外力等的影响。特别优选覆盖部件900覆盖第一引线11和第一导线401的接合部分。由此,能够抑制第一引线11和第一导线401剥离。覆盖部件900优选覆盖第一引线11、第二引线12、第一导线401及第二导线402。由此,能够保护第一引线11、第二引线12、第一导线401及第二导线402不受水分、外力等的影响。
第一导线401的一部分可以从覆盖部件900露出,第一导线401也可以不从覆盖部件900露出。优选第一导线401的一部分从覆盖部件900露出。由此,能够减小覆盖部件900的体积,因此能够抑制来自发光元件的光的一部分被覆盖部件900遮挡。另外,即使覆盖部件900是透光性的部件,发光元件的光的一部分也会被覆盖部件900吸收,因此,通过使第一导线401的一部分从覆盖部件900露出,能够提高发光装置的光取出效率。另外,优选第一导线401的一部分露出于外部。这样,由于也可以不设置覆盖第一导线401的部件,以使第一导线401全部不露出到外部,所以能够抑制来自发光元件的光被遮挡。由此,能够提高发光装置的光取出效率。
如图10A、图10B、图10C所示,树脂部15也可以具备在俯视下被壁部500包围且覆盖第一引线11的上表面的覆盖树脂部150。通过覆盖树脂部150覆盖第一引线11的上表面,提高树脂部15与第一引线11的密接性。覆盖树脂部150在俯视下被壁部500包围,成为位于比第一引线11的上表面更靠+Z方向(上方向)的位置的树脂部15的一部分。覆盖树脂部150的高度优选低于壁部500的高度。通过使覆盖树脂部150的高度比壁部500的高度低,能够在第三方向(Z方向)上容易使发光装置1000H小型化。发光装置1000H的树脂部15与壁部500为一体。发光装置1000H的树脂部15具备壁部500和覆盖树脂部150。覆盖树脂部150优选从壁部500的内侧面延伸。由此,容易增大覆盖树脂部150覆盖第一引线11的上表面的面积。在树脂部15和壁部500为一体的情况下,覆盖树脂部150从壁部500的内侧面延伸,由此,壁部500和覆盖树脂部150相连,因此提高树脂部15的强度。由此,能够抑制壁部500和/或覆盖树脂部150破裂。在树脂部15和壁部500为一体,且俯视时壁部500的内侧面为大致矩形形状的情况下,覆盖树脂部150优选从壁部500的内侧面的角部的至少一个延伸。由此,壁部500的角部的强度提高,因此能够抑制壁部500破裂。另外,在本说明书中,所谓大致矩形形状,只要是一方的相对的两边平行,另一方的相对的两边平行即可,角不仅仅是直角,还包括角被倒角的形状。角被倒角的形状包括正交的两边与曲线相连的形状,正交的两边与直线相连的形状等。另外,壁部500的内侧面的角部包括在角部被倒角的形状的情况下与大致矩形形状的正交的两边相连的线的情况。同样地,树脂部15也可以具备覆盖树脂部150,该覆盖树脂部150在俯视时被壁部500包围,并覆盖第二引线12的上表面和/或第三引线13的上表面。例如,如图10A所示,覆盖第三引线13的上表面的覆盖树脂部150从俯视时大致矩形形状的壁部500的角部延伸。
如图10B所示,第一引线11也可以在其下表面具有凹陷部10A。凹陷部10A向+Z方向凹陷。凹陷部10A可以通过冲压加工,半蚀刻等公知的方法形成。凹陷部10A被树脂部15覆盖。由此,第一引线11和树脂部15的密接性提高。如图10B所示,在截面中,优选第一引线11的上表面被覆盖树脂部150覆盖,凹陷部10A被树脂部15覆盖。由此,第一引线11和树脂部15的密接性提高。同样地,第二引线12的下表面和/或第三引线13的下表面也可以具有凹陷部10A。
如图10C所示,在截面中第一引线11的侧面沿着第三方向(Z方向)的情况下,优选与沿着第三方向的第一引线11的侧面相连的第一引线11的上表面的一部分被覆盖树脂部150覆盖。在截面中,在第一引线11的侧面沿着第三方向(Z方向)的情况下,如图10B所示,与第一引线11接触的树脂部15的长度比凹陷部10A所处的第一引线11更容易变短。但是,通过与沿着第三方向的第一引线11的侧面相连的第一引线11的上表面的一部分被覆盖树脂部150覆盖,能够使与第一引线11接触的树脂部15的长度变长。由此,能够抑制熔剂等在第一引线11的上表面润湿扩展。例如,在发光装置1000H从第一引线11的下表面供电的情况下,第一引线11的下表面与焊锡等导电性的接合部件连接。在第一引线11的下表面与焊锡连接的情况下,焊锡中含有的熔剂等有可能从第一引线11的下表面爬上到第一引线11的上表面。发光装置1000H通过与沿着第三方向的第一引线11的侧面相连的第一引线11的上表面的一部分被覆盖树脂部150覆盖,能够使与第一引线11相接的树脂部15的长度变长。由此,能够利用与第一引线11接触的树脂部15阻挡熔剂等,因此,能够抑制熔剂等在从树脂部15露出的第一引线11的上表面润湿扩展。同样地,在截面中第二引线12的侧面沿着第三方向(Z方向)的情况下,优选与沿着第三方向的第二引线12的侧面相连的第二引线12的上表面的一部分被覆盖树脂部150覆盖。另外,在截面中第三引线13的侧面沿着第三方向(Z方向)的情况下,优选与沿着第三方向的第三引线13的侧面相连的第三引线13的上表面的一部分被覆盖树脂部150覆盖。
以下,对本发明的实施方式所涉及的发光装置中的各构成要素进行说明。
(第一基板100)
第一基板100是载置第二基板的部件。第一基板100至少具备引线10和树脂部15。
(引线10)
引线10具有导电性,是用于向发光元件供电的部件。作为引线10的母体,例如可以使用铜、铝、金、银、铁、镍,或它们的合金、磷青铜、含铁铜等金属。它们可以是单层,也可以是层叠结构(例如,复合材料)。特别优选使用廉价且散热性高的铜作为母体。另外,引线10也可以在母体的表面具有金属层。金属层例如包含银、铝、镍、钯、铑、金、铜或它们的合金等。另外,金属层可以设置在引线10的整个面上,也可以部分地设置。另外,金属层可以在形成于引线的上表面的区域和形成于引线的下表面的区域形成为不同的层。例如,在引线的上表面形成的金属层是由包含镍和银的金属层的多层构成的金属层,在引线的下表面形成的金属层是不包含镍的金属层的金属层。另外,例如,在引线的上表面形成的银等金属层可以比在引线的下表面形成的银等金属层厚。
在引线10的最表面形成含有银的金属层的情况下,优选在含有银的金属层的表面设置氧化硅等保护层。由此,能够抑制含银的金属层由于大气中的硫成分等而变色。保护层的成膜方法可以通过例如溅射等真空工艺进行成膜,也可以使用其他已知的方法。
引线10至少具有第一引线11和第二引线12。引线10所具备的引线的数量只要是2个以上即可,也可以是3个,也可以是4个。
(树脂部15)
树脂部15是保持第一引线11和第二引线12的部件。树脂部15可以使用热固化性树脂、热塑性树脂等公知的材料作为树脂材料。在热塑性树脂的情况下,例如可以使用聚邻苯二甲酰胺树脂(PPA)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、不饱和聚酯等。在热固性树脂的情况下,例如可以使用环氧树脂、改性环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂等。树脂部15也可以在树脂材料中含有光反射部件。光反射部件可以举出氧化钛、氧化硅、氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石等公知的部件。
(第二基板200)
第二基板200是载置发光元件的部件。第二基板200包括基部20、第一导电部21和第二导电部22。
(基部20)
基部20是绝缘性的部件。作为基部20的材料,可以使用氧化铝、氮化铝等陶瓷、树脂、玻璃或它们的复合材料等。基部20为了散热而优选由热传导性高的材料形成。具体而言,基部20优选含有陶瓷材料。特别优选基部20含有散热性优良的氮化铝。
(第一导电部21、第二导电部22)
第一导电部21和第二导电部22可以由公知的导电性部件形成。例如,第一导电部21和第二导电部22是设置在基部20上的导电箔(导体层),与发光元件300电连接。第一导电部21和第二导电部22可以通过电镀、导电性膏的涂敷、印刷等形成。第一导电部21和第二导电部22各自的厚度例如为5μm以上且50μm以下。第一导电部21和/或第二导电部22可以是单层,也可以是多层。
(发光元件300)
发光元件300是通过施加电压而自身发光的半导体元件,可以应用由氮化物半导体等构成的公知的半导体元件。作为发光元件,例如可以举出LED芯片。发光元件至少具备半导体层,在多数情况下还具备元件基板。在俯视中,发光元件可以是矩形形状,也可以是六边形形状等多边形形状。发光元件具有正负电极。正负电极可以由金、银、锡、铂、铑、钛、铝、钨、钯,镍或它们的合金构成。作为半导体材料,优选使用氮化物半导体。氮化物半导体主要由通式InxAlyGa1-x-yN(0≤x,0≤y,x+y≤1)表示。除此之外,也可以使用InAlGaAs系半导体、InAlGaP系半导体、硫化锌、硒化锌、碳化硅等。发光元件的元件基板主要是能够生长构成半导体层叠体的半导体的结晶的结晶生长用基板,但也可以是与从结晶生长用基板分离的半导体元件结构接合的接合用基板。作为元件基板的母体,可以举出蓝宝石、氮化镓、氮化铝、硅、碳化硅、砷化镓、磷化镓、铟磷、硫化锌、氧化锌、硒化锌、金刚石等。其中,优选蓝宝石。元件基板的厚度可以适当选择,例如为0.02mm以上且1mm以下,从元件基板的强度的观点出发,优选为0.05mm以上且0.3mm以下。
(保护元件301)
保护元件301是用于提高静电耐压的部件。保护元件可以使用搭载在一般的发光装置上的各种保护元件。例如,可以使用齐纳二极管作为保护元件。
(第一导线401、第二导线402)
第一导线401是将第一引线和第一导电部电连接的部件。第二导线402是将第二引线和第二导电部电连接的部件。作为第一导线401和第二导线402的材料,可以使用金、银、铜、铂、铝等金属以及它们的合金等公知的部件。
(壁部500)
壁部500是跨越并覆盖第一引线11和第二引线12的上表面的部件。壁部500可以使用与树脂部15相同的部件。
(反射部件700)
反射部件700是覆盖发光元件300的侧面的部件。反射部件700可以使用热固性树脂、热塑性树脂等作为成为母体的树脂材料。作为反射部件700的母体,特别优选使用耐热性和耐光性优异的硅树脂和改性硅树脂。反射部件700在成为母体的树脂材料中含有光反射部件。光反射部件可以举出氧化钛、氧化硅、氧化锆、钛酸钾、氧化铝,氮化铝、氮化硼、莫来石等公知的材料。
(底层填料710)
底层填料710是吸收由发光元件300和第二基板的热膨胀率的差引起的应力、提高散热性的部件。底层填料710形成在发光元件300和第二基板200之间的间隙中。作为底层填料710的材料,可以使用热固性树脂、热塑性树脂等树脂材料。底层填料710也可以在树脂材料中含有光反射部件。光反射部件可以举出氧化钛、氧化硅、氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼,莫来石等公知的材料。由于底层填料710包含光反射部件,所以能够抑制来自发光元件的光被第二基板吸收。
(透光性部件800)
透光性部件800是覆盖发光元件的上表面,保护发光元件的透光性部件。作为透光性部件的材料,例如可以使用热固化性树脂、热塑性树脂等树脂材料。作为透光性部件的树脂材料,特别优选使用耐热性及耐光性优异的硅树脂及改性硅树脂。透光性部件800也可以含有波长变换粒子和/或扩散粒子。
(波长转换粒子)
波长变换粒子吸收发光元件发出的一次光的至少一部分,并发出与一次光不同波长的二次光。作为波长变换粒子,可以使用公知的波长变换粒子。作为波长变换粒子,例如可以单独使用以下所示的具体例中的1种或者组合2种以上使用。
发绿色光的波长变换粒子为钇铝石榴石系荧光体(例如Y3(Al,Ga)5O12:Ce),镥铝石榴石类荧光体(例如Lu3(Al,Ga)5O12:Ce),铽铝石榴石类荧光体(例如Tb3(Al,Ga)5O12:Ce)系荧光体,硅酸盐系荧光体(例如(Ba,Sr)2SiO4:Eu),氯硅酸盐系荧光体(例如Ca8Mg(SiO4)4CL2:Eu),β赛隆系荧光体(例如Si6-zAlzOzN8-z:Eu(0<z<4.2)),SGS系荧光体(例如SrGa2S4:Eu),碱土类铝酸盐系荧光体(例如(Ba,Sr,Ca)MgxAl10O16+x:Eu,Mn(其中,0≤X≤1))等。作为发黄色光的波长变换粒子,可以举出α赛隆系荧光体(例如Mz(Si,Al)12(O,N)16(其中,0<z≤2,M为Li、Mg、Ca、Y以及除La和Ce之外的镧系元素)等。除此之外,上述发绿色光的波长转换粒子中也有发黄色光的波长转换粒子。另外,例如钇铝石榴石类荧光体通过用Gd置换Y的一部分,能够使发光峰值波长向长波长侧移动,能够发黄色光。另外,其中也有可发出橙色光的波长变换粒子。作为发出红色光的波长变换粒子,可以举出含氮铝硅酸盐钙(CASN或SCASN)系荧光体(例如(Sr,Ca)AlSiN3:Eu),SLAN荧光体(SrLiAL3N4:Eu)等。此外,其为锰活化氟化物系荧光体(通式(I)A2[M1-aMnaF6])表示的荧光体(其中,上述通式(I)中,A为从K、Li、Na、Rb、Cs及NH4的组成的组中选出的至少一种,M是从第4族元素和第14族元素组成的组中选出的的至少一种元素,a满足0<a<0.2)。作为该锰活化氟化物系荧光体的代表例,可以举出锰活化氟化硅酸钾的荧光体(例如K2SiF6:Mn)。
(扩散粒子)
作为扩散粒子,可以使用氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化锌等公知的部件。扩散粒子可以单独使用其中的1种,或者组合使用其中的2种以上。特别优选热膨胀系数小的氧化硅。另外,通过使用纳米粒子作为扩散粒子,可以增大发光元件发出的光的散射,降低波长变换粒子的使用量。另外,纳米粒子是粒径为1nm以上且100nm以下的粒子。另外,本说明书中的“粒径”为由D50定义的值。
(覆盖部件900)
覆盖部件900是覆盖第一引线和第一导线的构件。覆盖部件900可以使用与树脂部15相同的部件。作为覆盖部件900的母体,特别优选使用耐热性优异的环氧树脂或硅树脂等热固化性树脂。另外,覆盖部件900也可以在作为母体的树脂材料中含有光反射部件。
本发明的一实施方式的发光装置可以用于车载前照灯、液晶显示器的背光灯装置、各种照明器具、大型显示器、广告或目的地引导等各种显示装置、投影装置、以及数码摄像机、传真机、复印机、扫描仪等中的图像读取装置等。
Claims (16)
1.一种发光装置,其特征在于,具备:
第一基板,其具有第一引线和位于与所述第一引线分离的位置的第二引线;
第二基板,其配置在所述第二引线上,具有基部和位于所述基部的上表面的第一导电部;
至少一个发光元件,其配置在所述第二基板上,与所述第一导电部电连接;
第一导线,其将所述第一引线和所述第一导电部电连接;
壁部,其跨越并覆盖所述第一引线和所述第二引线的上表面,
所述壁部的高度比所述第二基板的高度低。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
还具备保持所述第一引线及所述第二引线的树脂部,
所述壁部是所述树脂部的一部分。
3.如权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
所述发光装置具备第二导线,
所述第一基板具有位于与所述第一引线及所述第二引线分离的位置的第三引线,
具有与所述第一导电部分离并位于所述基部的上表面的第二导电部,
所述第二导线将所述第三引线和所述第二导电部电连接。
4.如权利要求3所述的发光装置,其特征在于,
在俯视下,所述第一引线和所述第二引线在第一方向上相对,所述第二引线和所述第三引线在所述第一方向上相对,所述第一引线和所述第三引线在与所述第一方向正交的第二方向上相对。
5.如权利要求3或4所述的发光装置,其特征在于,
所述壁部跨越并覆盖所述第二引线及所述第三引线的上表面。
6.如权利要求3~5中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述壁部跨越并覆盖所述第一引线及所述第三引线的上表面。
7.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述发光装置具备第二导线,
具有与所述第一导电部分离并位于所述基部的上表面的第二导电部,
所述第二导线将所述第二引线和所述第二导电部电连接。
8.如权利要求1~7中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述壁部在俯视下无裂缝地包围所述第二基板。
9.如权利要求1~8中任一项所述的发光装置,其特征在于,
在截面中,所述壁部的高度相对于所述壁部的宽度之比为0.2以上且小于1。
10.如权利要求1~9中任一项所述的发光装置,其特征在于,
具备覆盖所述发光元件的侧面的反射部件。
11.如权利要求10所述的发光装置,其特征在于,
所述反射部件位于与所述第一导线分离的位置。
12.如权利要求1~11中任一项所述的发光装置,其特征在于,
具备覆盖所述发光元件的上表面的透光性部件。
13.如权利要求12所述的发光装置,其特征在于,
所述透光性部件的高度比所述第一导线的高度高。
14.如权利要求12或13所述的发光装置,其特征在于,
所述发光元件有多个,
一个所述透光性部件覆盖多个所述发光元件的上表面。
15.如权利要求1~14中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述第一导线为带状导线。
16.如权利要求1~15中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述基部含有氮化铝。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020-055285 | 2020-03-26 | ||
JP2020055285 | 2020-03-26 | ||
JP2020-161763 | 2020-09-28 | ||
JP2020161763 | 2020-09-28 | ||
JP2020-179674 | 2020-10-27 | ||
JP2020179674A JP7121312B2 (ja) | 2020-03-26 | 2020-10-27 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113451492A true CN113451492A (zh) | 2021-09-28 |
Family
ID=77809276
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202120611371.9U Active CN215988826U (zh) | 2020-03-26 | 2021-03-25 | 发光装置 |
CN202110319003.1A Pending CN113451492A (zh) | 2020-03-26 | 2021-03-25 | 发光装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202120611371.9U Active CN215988826U (zh) | 2020-03-26 | 2021-03-25 | 发光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11769862B2 (zh) |
CN (2) | CN215988826U (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114171665B (zh) * | 2021-12-09 | 2024-07-16 | 惠州华星光电显示有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5327443A (en) * | 1991-10-30 | 1994-07-05 | Rohm Co., Ltd. | Package-type semiconductor laser device |
US5621636A (en) * | 1994-02-22 | 1997-04-15 | Nippon Steel Corporation | Thin DC-DC converter arrangement |
JP2006278766A (ja) | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | 発光素子の実装構造及び実装方法 |
US7638814B2 (en) | 2007-06-19 | 2009-12-29 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Solderless integrated package connector and heat sink for LED |
US20100270580A1 (en) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | Jason Loomis Posselt | Substrate based light source package with electrical leads |
JP2011009143A (ja) | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Sony Corp | 照明装置およびバックライト |
WO2012101815A1 (ja) | 2011-01-28 | 2012-08-02 | パイオニア株式会社 | 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法 |
JP2013125776A (ja) | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法 |
US9093621B2 (en) | 2011-12-28 | 2015-07-28 | Nichia Corporation | Molded package for light emitting device |
JP6102253B2 (ja) | 2011-12-28 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ成形体 |
JP6079223B2 (ja) | 2011-12-28 | 2017-02-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ成形体 |
US8896010B2 (en) * | 2012-01-24 | 2014-11-25 | Cooledge Lighting Inc. | Wafer-level flip chip device packages and related methods |
JP6191214B2 (ja) | 2013-04-19 | 2017-09-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR102080778B1 (ko) | 2013-09-11 | 2020-04-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
JP6183118B2 (ja) | 2013-09-30 | 2017-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2015216153A (ja) | 2014-05-08 | 2015-12-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR102252156B1 (ko) | 2014-07-08 | 2021-05-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
JP6641710B2 (ja) | 2015-03-25 | 2020-02-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
CN108847440A (zh) | 2015-04-22 | 2018-11-20 | 株式会社流明斯 | 发光器件封装 |
KR101713685B1 (ko) | 2015-04-22 | 2017-03-22 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛 및 발광 장치의 제조 방법 |
WO2017026093A1 (ja) | 2015-08-10 | 2017-02-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置及び半田接合体 |
JP6790416B2 (ja) | 2016-03-31 | 2020-11-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6414141B2 (ja) | 2016-05-31 | 2018-10-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6705476B2 (ja) | 2017-09-29 | 2020-06-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11257990B2 (en) | 2017-09-29 | 2022-02-22 | Nichia Corporation | Light emitting device |
EP3481166B1 (en) * | 2017-11-06 | 2021-08-18 | Molex, LLC | Circuit assembly and mounting unit |
JP7181015B2 (ja) | 2017-11-06 | 2022-11-30 | モレックス エルエルシー | 回路組立体及び実装ユニット |
US10746944B2 (en) * | 2018-08-24 | 2020-08-18 | Shimadzu Corporation | Laser device |
US11189764B2 (en) | 2018-11-22 | 2021-11-30 | Nichia Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
JP7137079B2 (ja) | 2018-11-22 | 2022-09-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
2021
- 2021-03-24 US US17/211,473 patent/US11769862B2/en active Active
- 2021-03-25 CN CN202120611371.9U patent/CN215988826U/zh active Active
- 2021-03-25 CN CN202110319003.1A patent/CN113451492A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11769862B2 (en) | 2023-09-26 |
US20210305473A1 (en) | 2021-09-30 |
CN215988826U (zh) | 2022-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10505089B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
US10026718B2 (en) | Light emitting device | |
TWI766841B (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
CN107275301B (zh) | 发光装置 | |
US10103299B2 (en) | Light emitting device | |
CN108417685B (zh) | 发光装置 | |
CN109980071B (zh) | 发光装置 | |
US10276767B2 (en) | Light emitting device | |
KR20160006695A (ko) | 회로 기판, 광 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
CN108417686B (zh) | 发光装置 | |
CN108807639B (zh) | 发光装置 | |
CN109216527B (zh) | 发光装置 | |
CN215988826U (zh) | 发光装置 | |
JP7189413B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7208495B2 (ja) | 光源装置 | |
JP7121312B2 (ja) | 発光装置 | |
US10957834B2 (en) | Light-emitting device | |
JP7410381B2 (ja) | 発光素子及び発光装置 | |
TW201941458A (zh) | 發光裝置 | |
JP2024015712A (ja) | 面状光源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |