CN113421963A - 一种低功耗三维阻变存储器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低功耗三维阻变存储器，在阻变存储器的电极与阻变薄膜之间***了一层石墨烯阻挡层，所述石墨烯阻挡层为化学气相淀积法制备的石墨烯薄膜，其中存在少量纳米缺陷孔。该石墨烯阻挡层可以限制电极金属往阻变层的移动，使金属只能从少量的缺陷孔中通过，限制金属导电细丝的生长。因此，器件在数据写入过程中只能形成较细、较少的金属导电细丝，从而在数据擦除过程中大幅降低数据擦除电流，显著降低阻变存储器的功耗。
Description
技术领域
本发明属于半导体(semiconductor)和CMOS超大规模集成电路(ULSI)中的非挥发性存储器(Non-volatile Memory)技术领域，具体涉及一种低功耗的三维阻变存储器(resistive random access memory)的器件结构设计。
背景技术
存储器是计算机体系架构中的重要组成部分，用于数据的存储。近几十年来，存储器技术得到了飞快的发展，存储容量、密度、速度等性能得到了飞快的提升。当前，非挥发性存储器的主流技术为闪存(flash)，相比机械硬盘其在存储速度上有着巨大优势，因此其在硬盘、u盘等领域有着广泛的应用。然而，随着特征存储不断地缩小至纳米尺寸节点后，flash面临的诸多非理性效应日益严峻，阻碍了其尺寸的进一步缩小，使其容量难以进一步提升。因此，近些年来，多种新型非挥发存储器得到广泛的关注与研究，如磁存储器(MRAM)、相变存储器(PRAM)、铁电存储器(FeRAM)和阻变存储器(RRAM)等。其中，RRAM因其结构简单、读写速度快和高集成度等方面的优势而成为下一代非挥发存储器的有力竞争者。存储密度是存储器的重要性能指标，三维堆叠是提升存储密度的重要方式。然而，目前3D RRAM技术还存在着诸多不足阻碍其应用，其中一个重要问题为3D RRAM的存储功耗较高。这一不足限制了三维阻变存储器的产业化应用，尤其是在可穿戴等对低功耗有较高要求的领域的应用。因此，降低3D RRAM的存储功耗对其产业化应用有着重要意义。本发明即针对这一问题提出解决方案。
金属导电细丝型RRAM是RRAM非常重要的一种类型，具有超高的开关比，其数据的写入与存储过程由金属导电细丝的生长与断裂完成。初始时，阻变层中没有金属导电细丝，器件处于高阻态。当施加在顶电极的电压大于写入电压时，顶电极的金属将在电场的作用下进入阻变层，在阻变层中形成连接顶底电极的金属导电细丝，器件从高阻态转变为低阻态，实现数据的写入过程。此后，当在顶电极上施加的负电压大于擦除电压时，由于焦耳热和电场的作用，金属导电细丝将断裂，器件从低阻态转变为高阻态，实现数据的擦除功能。由于在数据写入过程中形成的金属导电细丝往往较粗壮，导致其在数据擦除过程中需要较大的焦耳热才能使金属导电细丝断裂，因而需消耗较大功耗。本发明即主要针对这一问题提出解决方案。
发明内容
本发明提出了一种具有石墨烯阻挡层结构的低功耗三维阻变存储器，以期降低三维阻变存储器的功耗。
本发明针对金属导电细丝型三维阻变存储器功耗较高的问题，通过在电极与阻变薄膜之间***一层石墨烯阻挡层的方法制备低功耗三维阻变存储器。制备良好的石墨烯具有优异的不可渗透性，即使是最小的气体分子氢和氦也难以通过。但是通过化学气相淀积(CVD)制备的石墨烯薄膜却存在少量纳米缺陷孔(孔径：约10nm，密度：1/μm2)。利用CVD制备的石墨烯阻挡层可以限制电极金属往阻变层的移动，使金属只能从少量的缺陷孔中通过，限制金属导电细丝的生长。因此，器件在数据写入过程中只能形成较细、较少的金属导电细丝，从而在数据擦除过程中只需要较少的焦耳热即可使金属导电细丝断裂，达到降低器件功耗的目的。
本发明采用的技术方案如下：
一种低功耗三维阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的三维阻变存储器和隔离介质，所述三维阻变存储器的层数≥2；所述三维阻变存储器的单个器件的结构由下至上依次为下层电极、阻变薄膜、石墨烯阻挡层和上层电极，或者为下层电极、石墨烯阻挡层、阻变薄膜和上层电极，即石墨烯阻挡层位于阻变薄膜与上层电极或下层电极之间，且所述石墨烯阻挡层为化学气相淀积法制备的石墨烯薄膜。
进一步地，石墨烯阻挡层是通过高温低压CVD方法制备的，再通过湿法转移的方式转移至样品上。
优选的，所述石墨烯阻挡层的厚度为单层至20nm，其中存在的少量纳米缺陷孔的孔径约为10nm，密度约为1/μm2。
可选地，所述上层电极和下层电极可采用多种金属材料，如W、Pt、Au、Al、Cu、Ag、Ni和TiN等。电极的厚度优选为10～200nm。
可选地，所述阻变薄膜可采用过渡金属氧化物及其他氧化物，如TaOx、HfOx、SiOx，或者SrTiO3等；也可采用有机材料，如parylene-C等。优选的，所述阻变薄膜的厚度为5～50nm。
可选地，所述隔离介质可采用SiO2、Si3N4、AlN等无机化合物；也可采用有机材料，如parylene-C等。
可选地，所述衬底可采用Si、SiO2等硬质衬底，或采用柔性的有机衬底如parylene-C、PET等，也可以是不同材质衬底组成的复合衬底。
本发明提供的三维阻变存储器通过在电极与阻变薄膜之间***一层化学气相淀积法制备的石墨烯薄膜，在数据擦除过程中，可以大幅降低数据擦除电流，显著降低了阻变存储器的功耗。
附图说明
图1为本发明实施例制备的低功耗三维阻变存储器的结构示意图。
图2为对照样品的结构示意图。
图3为本发明实施例制备的低功耗三维阻变存储器的单个器件结构示意图。
图4为对照样品的单个器件结构示意图。
图5为Al/graphene/parylene-C/W器件采用传统的DC Sweep方式得到的其阻变过程的电流-电压(I-V)特性示意图。
图6为Al/parylene-C/W器件采用传统的DC Sweep方式得到的其阻变过程的电流-电压(I-V)特性示意图。
图7为Al/graphene/parylene-C/W器件与Al/parylene-C/W器件的数据擦除电流对比统计结果图。
图8为Al/graphene/parylene-C/W器件与Al/parylene-C/W器件的数据擦除功耗对比统计结果图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，对本发明进行进一步描述。
本实施例的低功耗三维阻变存储器采用Al/graphene/parylene-C/W结构，衬底为parylene-C/Si，层数为两层，包括：上层电极1(Al)，石墨烯阻挡层2(graphene)，阻变薄膜3(parylene-C)，下层电极4(W)，隔离介质5，柔性衬底6(parylene-C)，Si衬底7，如图1和图3所示。作为对比，对照样品的结构为Al/parylene-C/W结构，衬底为parylene-C/Si，层数为两层，少了石墨烯阻挡层2(graphene)，如图2和图4所示。
本实施例和对照样品的制备过程如下：
1)在Si衬底7上通过聚合物化学气相淀积(polymer CVD)制备10μm柔性衬底6，所述柔性衬底的材料为parylene-C；
2)通过光刻、溅射、剥离制备图形化的100nm第一层器件的下层电极4，材料为W；
3)通过polymer CVD、化学机械抛光(CMP)制备100nm隔离介质5，材料为parylene-C；
4)通过polymer CVD制备40nm阻变薄膜3，材料为parylene-C；
5)通过湿法转移技术将高温低压CVD制备的石墨烯薄膜(厚度约为10nm)转移至步骤3)所得样品上作为石墨烯阻挡层2；对照样品则无此步骤；
6)通过光刻、溅射、剥离制备图形化的50nm第一层器件的上层电极1和50nm第二层器件的下层电极4，材料分别为Al和W；
7)重复步骤3至步骤5；
8)通过光刻、氧等离子体刻蚀制备电极引出孔；
9)通过光刻、溅射、剥离制备图形化的100nm第二层器件的上层电极1，材料为Al；
10)通过polymer CVD、化学机械抛光(CMP)制备100nm隔离介质5，材料为parylene-C。
Al/graphene/parylene-C/W器件和对照样品Al/parylene-C/W器件采用传统的DCSweep方式得到的其阻变过程电流-电压(I-V)特性，如图5、6所示。相比对照样品，在数据擦除过程中，Al/graphene/parylene-C/W器件的电流得到了大幅度降低。图7为Al/graphene/parylene-C/W器件和对照样品Al/parylene-C/W器件的数据擦除电流对比统计结果图，石墨烯阻挡层的增加可以将数据擦除电流降低约50倍。图8为Al/graphene/parylene-C/W器件和对照样品Al/parylene-C/W器件的数据擦除功耗对比统计结果图，石墨烯阻挡层的增加可以将数据擦除功耗降低约15倍。以上结果证明本发明的技术方案可以有效地降低阻变存储器的功耗。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，本领域的普通技术人员可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明的精神和范围，本发明的保护范围应以权利要求所述为准。
Claims (9)
1.一种低功耗三维阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的三维阻变存储器和隔离介质，所述三维阻变存储器的层数≥2；其特征在于，所述三维阻变存储器的单个器件的结构由下至上依次为下层电极、阻变薄膜、石墨烯阻挡层和上层电极，或者为下层电极、石墨烯阻挡层、阻变薄膜和上层电极，即石墨烯阻挡层位于阻变薄膜与上层电极或下层电极之间，且所述石墨烯阻挡层为化学气相淀积法制备的石墨烯薄膜。
2.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，通过化学气相淀积法制备石墨烯薄膜，然后将石墨烯薄膜通过湿法转移的方式转移至样品上，获得所述石墨烯阻挡层。
3.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，所述石墨烯阻挡层的厚度为单层至20nm范围内。
4.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，所述石墨烯阻挡层存在孔径约为10nm的纳米缺陷孔，密度约为1/μm2。
5.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，所述上层电极和下层电极采用下述材料中的一种或多种：W、Pt、Au、Al、Cu、Ag、Ni和TiN。
6.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，所述上层电极和下层电极的厚度为10～200nm。
7.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，所述阻变薄膜采用氧化物或有机材料。
8.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，所述阻变薄膜的厚度为5～50nm。
9.如权利要求1所述的低功耗三维阻变存储器，其特征在于，所述衬底为硬质衬底或柔性有机衬底，或者是不同材质衬底组成的复合衬底。
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|---|---|
| CN (1) | CN113421963A (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101630719A (zh) * | 2009-07-24 | 2010-01-20 | 北京大学 | 一种阻变存储器及其制备方法 |
| CN101976676A (zh) * | 2010-09-13 | 2011-02-16 | 北京大学 | 一种三维结构非易失存储器阵列及其制备方法 |
| CN102222512A (zh) * | 2010-04-13 | 2011-10-19 | 北京大学 | 一种柔性有机阻变存储器及其制备方法 |
| CN102610755A (zh) * | 2012-03-26 | 2012-07-25 | 北京大学 | 一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法 |
| CN104810476A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-07-29 | 中国科学院微电子研究所 | 非挥发性阻变存储器件及其制备方法 |
| CN105990520A (zh) * | 2015-02-05 | 2016-10-05 | 中国科学院微电子研究所 | 非挥发性阻变存储器件及其制备方法 |
| CN105990519A (zh) * | 2015-02-05 | 2016-10-05 | 中国科学院微电子研究所 | 非挥发性阻变存储器件及其制备方法 |
| CN109494301A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-03-19 | 兰州大学 | 一种提高阻变存储器稳定性的方法及其阻变存储器 |
| CN111564470A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-08-21 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种三维阻变存储器及制造方法 |
-
2021
- 2021-06-10 CN CN202110647502.3A patent/CN113421963A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101630719A (zh) * | 2009-07-24 | 2010-01-20 | 北京大学 | 一种阻变存储器及其制备方法 |
| CN102222512A (zh) * | 2010-04-13 | 2011-10-19 | 北京大学 | 一种柔性有机阻变存储器及其制备方法 |
| CN101976676A (zh) * | 2010-09-13 | 2011-02-16 | 北京大学 | 一种三维结构非易失存储器阵列及其制备方法 |
| CN102610755A (zh) * | 2012-03-26 | 2012-07-25 | 北京大学 | 一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法 |
| CN105990520A (zh) * | 2015-02-05 | 2016-10-05 | 中国科学院微电子研究所 | 非挥发性阻变存储器件及其制备方法 |
| CN105990519A (zh) * | 2015-02-05 | 2016-10-05 | 中国科学院微电子研究所 | 非挥发性阻变存储器件及其制备方法 |
| CN104810476A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-07-29 | 中国科学院微电子研究所 | 非挥发性阻变存储器件及其制备方法 |
| CN109494301A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-03-19 | 兰州大学 | 一种提高阻变存储器稳定性的方法及其阻变存储器 |
| CN111564470A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-08-21 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种三维阻变存储器及制造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| QINGYU CHEN等: "Low Power Parylene-Based Memristors with a Graphene Barrier Layer for Flexible Electronics Applications", 《ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS》 * |
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