CN113421892B - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置，该显示面板包括：阵列基板、多个LED、多个第一桥接结构和多个第二桥接结构，其中，第一桥接结构包括第一桥接区域和第二桥接区域，在垂直于阵列基板所在平面的方向上，第二桥接区域与LED不交叠，第二桥接结构与阵列基板电连接，在垂直于阵列基板所在平面的方向上，第二桥接结构与LED的电极位于第一桥接结构的同一侧；且LED的电极与第一桥接结构的第一桥接区域电连接，第二桥接结构与第一桥接结构的第二桥接区域电连接，从而使得LED的电极依次通过第一桥接结构和第二桥接结构和阵列基板电连接，提高了显示面板的稳定性。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法以及一种包括该显示面板的显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，显示面板的应用越来越广泛，已经逐渐应用到人们工作和生活的各个领域，为人们的工作和生活带来了极大的便利。其中，Micro LED显示面板是以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示面板，在显示方面与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。但是，现有Micro LED显示面板在制作过程中，使用巨量转移键合工艺来转移Micro LED，而巨量转移键合工艺存在加压加热过程，对Micro LED和背板都存在损伤，从而造成Micro LED显示面板的可靠性问题。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种显示面板，以提高显示面板的可靠性。
为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种显示面板，包括：
阵列基板；
多个LED，所述多个LED位于所述阵列基板第一侧，所述LED包括发光层以及位于所述发光层靠近所述阵列基板一侧的电极；
多个第一桥接结构，所述第一桥接结构包括第一桥接区域和第二桥接区域，在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述第二桥接区域与所述LED不交叠；
多个第二桥接结构，所述第二桥接结构与所述阵列基板电连接，在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述第二桥接结构与所述LED的电极位于所述第一桥接结构的同一侧；
其中，所述LED的电极与所述第一桥接结构的第一桥接区域电连接，所述第二桥接结构与所述第一桥接结构的第二桥接区域电连接。
一种显示面板的制作方法，包括：
提供第一基板，在所述第一基板的第一侧形成多个LED，所述LED包括发光层以及位于所述发光层背离所述第一基板一侧的电极；
在所述多个LED背离所述第一基板的一侧形成多个第一桥接结构，所述第一桥接结构包括第一桥接区域和第二桥接区域，在垂直于所述第一基板所在平面的方向上，所述第二桥接区域与所述LED没有交叠，且所述LED电极与所述第一桥接结构的第一桥接区域电连接；
将所述多个LED与所述多个第一桥接结构转移到阵列基板上，并去除所述第一基板，所述LED的电极位于所述发光层靠近所述阵列基板的一侧，所述第一桥接结构位于所述LED的电极所述阵列基板之间；
在所述第一桥接结构背离所述阵列基板的一侧形成第二桥接结构，所述第二桥接结构与所述第一桥接结构的第二桥接区域电连接，且所述第二桥接结构通过过孔与所述阵列基板中电连接。
一种显示装置，包括上述显示面板。
与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
本申请实施例所提供的技术方案中，所述LED的电极与所述第一桥接结构的第一桥接区域电连接，所述第二桥接结构与所述第一桥接结构的第二桥接区域电连接，而所述第二桥接结构与所述阵列基板电连接，从而使得所述LED的电极依次通过所述第一桥接结构和所述第二桥接结构和所述阵列基板电连接，而无需采用巨量转移键合工艺，从而避免了由于引入巨量转移键合工艺导致所述显示面板内部应力积累的现象，提高了所述显示面板的稳定性，进而提高了所述显示面板的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一个实施例所提供的显示面板的结构示意图；
图2为图1所提供的显示面板中LED的一种结构示意图；
图3为本申请另一个实施例所提供的显示面板的结构示意图；
图4为本申请又一个实施例所提供的显示面板的结构示意图；
图5为本申请一个实施例所提供的显示面板中，第一桥接结构的第一桥接区域和第二桥接区域的一种排布示意图；
图6为本申请一个实施例所提供的显示面板中，第一桥接结构的第一桥接区域和第二桥接区域的另一种排布示意图；
图7为图1所提供的显示面板中LED的另一种结构示意图；
图8为图1所提供的显示面板中LED的又一种结构示意图；
图9为本申请又一个实施例所提供的显示面板的结构示意图；
图10为本申请一个实施例所提供的显示装置的示意图；
图11为本申请一个实施例所提供的显示面板的制作方法的流程图；
图12～图24为本申请一个实施例所提供的显示面板的制作方法中各工艺步骤完成后的部分结构剖视图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术部分所述，现有Micro LED显示面板在制作过程中，使用巨量转移键合工艺来转移Micro LED，而巨量转移键合工艺存在加压加热过程，对Micro LED和背板都存在损伤，从而造成Micro LED显示面板的可靠性问题。
发明人研究发现，这是由于现有Micro LED显示面板在将自发光的微米量级的LED组装到驱动面板上的过程中，通常通过巨量转移键合工艺，直接将LED固定在驱动面板上，而在巨量转移键合过程中，需要对所述LED与驱动面板的接触区域进行加热、加压，使得制作完成的Micro LED显示面板中存在较多的应力积累，对Micro LED和显示面板的背板都存在损伤，影响Micro LED显示面板的可靠性。
有鉴于此，本申请实施例提供了一种显示面板，如图1所示，该显示面板包括：
阵列基板10；
多个LED20，所述多个LED20位于所述阵列基板10第一侧，如图2所示，所述LED包括发光层21以及位于所述发光层21朝向所述阵列基板10一侧的电极22；
多个第一桥接结构30，所述第一桥接结构30包括第一桥接区域301和第二桥接区域302，在垂直于所述阵列基板10所在平面的方向上，所述第二桥接区域302与所述LED20不交叠；
多个第二桥接结构40，所述第二桥接结构40与所述阵列基板10电连接，在垂直于所述阵列基板10所在平面的方向上，所述第二桥接结构40与所述LED20的电极22位于所述第一桥接结构30的同一侧；
其中，所述LED20的电极22与所述第一桥接结构30的第一桥接区域301电连接，所述第二桥接结构40与所述第一桥接结构30的第二桥接区域302电连接。
可选的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第二桥接结构通过过孔与所述阵列基板电连接。
具体的，在申请的一个实施例中，所述LED为Micro LED或Mini LED，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
可选的，继续如图2所示，所述LED20还包括位于所述发光层21背离所述电极22一侧的本征半导体层24，其中，所述本征半导体层包括缓冲层、低温半导体层和高温半导体层，其中，所述缓冲层背离所述发光层一侧表面具有凸起，以提高所述LED的出光效率，所述高温半导体层用于提高所述发光层形成平面的平整度，所述低温半导体层为所述缓冲层和所述高温半导体层之间的过渡层，在本申请的其他实施例中，所述LED还可以包括其他结构，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
本申请实施例所提供的显示面板中，所述LED的电极与所述第一桥接结构的第一桥接区域电连接，所述第二桥接结构与所述第一桥接结构的第二桥接区域电连接，而所述第二桥接结构与所述阵列基板电连接，从而使得所述LED的电极依次通过所述第一桥接结构和所述第二桥接结构和所述阵列基板电连接，而无需采用巨量转移键合工艺，从而避免了由于引入巨量转移键合工艺导致所述显示面板内部应力积累的现象，提高了所述显示面板的稳定性，进而提高了所述显示面板的良率。
具体的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，继续如图1所示，所述第一桥接结构30包括第一桥接电极31和第二桥接电极32，所述第一桥接区域包括所述第一桥接电极31的第一桥接区域和所述第二桥接电极32的第一桥接区域，所述第二桥接区域包括所述第一桥接电极31的第二桥接区域和所述第二桥接电极32的第二桥接区域；在本实施例中，所述LED的电极包括N电极和P电极，所述第一桥接电极31的第一桥接区域与所述LED的N电极电连接，所述第二桥接电极32的第一桥接区域与所述LED的P电极电连接；所述第二桥接结构40包括第三桥接电极41和第四桥接电极42，所述第三桥接电极41与所述第一桥接电极31的第二区域电连接，所述第四桥接电极42与所述第二桥接电极32的第二桥接区域电连接，从而使得所述LED的N电极依次通过所述第一桥接电极31的第一桥接区域、所述第一桥接电极31的第二桥接区域以及所述第二桥接结构40的第三桥接电极41与所述阵列基板10电连接，所述LED的P电极依次通过所述第二桥接电极32的第一桥接区域、所述第二桥接电极32的第二桥接区域以及所述第二桥接结构40的第四桥接电极42与所述阵列基板10电连接。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，继续如图1和图2所示，在垂直于所述阵列基板所在平面的方向X上，所述第一桥接结构30与所述LED电极22至少部分交叠，以保证所述第一桥接结构30可以与所述LED电极22朝向所述阵列基板10的一侧表面的至少部分区域电连接，且在平行于所述阵列基板所在平面的方向Y上，所述第一桥接结构30与所述LED电极22至少部分交叠，以使得所述第一桥接结构30可以与所述LED电极22的侧面的至少部分区域电连接，从而使得所述第一桥接结构30可以与所述LED电极22的底面和侧面同时电连接，进而增大所述第一桥接结构30和所述LED电极22的电连接面积，提高所述第一桥接结构30和所述LED电极22的电连接性能。
需要说明的是，在本申请实施例中，所述第一桥接结构与所述LED电极朝向所述阵列基板的一侧表面的至少部分区域电连接可以为所述第一桥接结构与所述LED电极朝向所述阵列基板一侧表面的至少部分区域直接接触，也可以为所述第一桥接结构与所述LED电极朝向所述阵列基板一侧表面的至少部分区域通过导电层电连接，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
具体的，在本申请的一个实施例中，继续如图1和图2所示，所述第一桥接结构30包括第一桥接电极31和第二桥接电极32，所述LED的电极包括LED的N电极221和LED的P电极222，在本实施例中，所述第一桥接电极31与所述LED的N电极221的电连接区域包括所述N电极221朝向所述阵列基板10一侧表面至少部分区域以及所述N电极221的侧面的至少部分区域，从而增大所述第一桥接电极31和所述LED的N极221的电连接面积，进而提高所述第一桥接电极31和所述LED的N极221的电连接性能；同理，所述第二桥接电极31与所述LED的P电极222的电连接区域包括所述P电极222朝向所述阵列基板10一侧表面至少部分区域以及所述P电极222侧面的至少部分区域，从而增大所述第二桥接电极32与所述LED的P电极222的电连接面积，进而提高所述第二桥接电极32与所述LED的P电极222的电连接性能。但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，如图3所示，所述第一桥接电极31与所述LED的N电极221的电连接区域可以只包括所述N电极221朝向所述阵列基板10一侧表面的至少部分区域，所述第二桥接电极32与所述LED的P电极222的电连接区域可以只包括所述P电极222朝向所述阵列基板10一侧表面的至少部分区域，具体视情况而定。
可选的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第一桥接电极直接与所述LED的N电极的底面和侧面直接接触，以进一步增强所述第一桥接电极与所述LED的N电极的电连接性能，所述第二桥接电极直接与所述LED的P电极的底面和侧面直接接触，以进一步增强所述第二桥接电极与所述LED的P电极的电连接性能，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，所述第一桥接电极也可以与所述LED的N电极的底面和侧面通过导电层电连接，所述第二桥接电极与所述LED的P电极的底面和侧面也通过导电层电连接，具体视情况而定。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述LED的发光层包括层叠的N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，其中，所述量子阱层和所述P型半导体层形成的层叠结构裸露所述N型半导体层部分表面，所述LED的P电极与所述P型半导体层电连接，所述LED的N电极与所述N型半导体层电连接。
可选的，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述P电极朝向所述阵列基板一侧表面与所述N电极朝向所述阵列基板一侧表面平齐，以便于所述LED的电极与所述第一桥接结构的电连接。需要说明的是，在本实施例中，由于所述P型半导体层位于所述N型半导体层朝向所述阵列基板一侧，因此，当所述P电极朝向所述阵列基板一侧表面与所述N电极朝向所述阵列基板一侧表面平齐时，所述N电极的厚度大于所述P电极的厚度，相应的，所述N电极的侧面面积大于所述P电极的侧面面积。
由上述可知，在本实施例中，所述第一桥接电极与所述N电极的电连接面积除了包括所述N电极朝向所述阵列基板一侧表面，还包括所述N电极的侧面，所述N电极的厚度较大，相应的，所述N电极的侧面面积较大，所述N电极侧面可以用来与所述第一桥接电极电连接的面积就大；同理，所述第二桥接电极与所述P电极的电连接面积除了包括所述P电极朝向所述阵列基板一侧表面，还包括所述P电极的侧面，所述P电极的厚度较小，相应的，所述P电极的侧面面积较小，所述P电极的侧面可以用来和所述第二桥接电极电连接的面积较小。
因此，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，如图4所示，在垂直于所述阵列基板10所在平面的方向X上，所述第一桥接结构30与所述LED的N电极221的交叠面积小于所述第一桥接结构30与所述LED的P电极222的交叠面积，从而在所述LED中N电极221和P电极222之间的距离不变的情况下，通过减小在垂直于所述阵列基板10所在平面的方向X上，所述第一桥接结构30与所述LED的N电极221的交叠面积，即通过减小垂直于所述阵列基板10所在平面的方向X上，所述第一桥接电极31与所述LED的N电极221的交叠面积，来增大与所述LED的N电极221电连接的第一桥接电极31和与所述LED的P电极222电连接的第二桥接电极32之间的距离，从而降低所述第一桥接电极31和所述第二桥接电极32之间短路的概率，进而降低所述LED的N电极221和所述LED的P电极222之间短路的概率。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，继续如图4所示，在平行于所述阵列基板10所在平面的方向Y上，所述第一桥接结构30与所述LED的N电极221的交叠面积大于所述第一桥接结构30与所述LED的P电极222的交叠面积，即在平行于所述阵列基板10所在平面的方向Y上，所述第一桥接电极31与所述LED的N电极221的交叠面积大于所述第二桥接电极32与所述LED的P电极222的交叠面积，以使得所述第一桥接电极31与所述LED的N电极221的侧面的电连接面积大于所述第二桥接电极32与所述LED的P电极222的侧面的电连接面积，从而在通过减小在垂直于所述阵列基板10所在平面的方向X上，所述第一桥接结构30与所述LED的N电极221的交叠面积，降低所述LED的N电极221和所述LED的P电极222之间短路的概率的基础上，增大所述第一桥接电极31与所述LED的N电极221的电连接面积，提高所述第一桥接电极31与所述LED的N电极221的电连接性能，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
具体的，在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，为了保证所述第一桥接电极与所述N电极的电连接性能，所述N电极底面(即所述N电极朝向所述阵列基板一侧表面)与所述第一桥接电极的电连接区域的宽度W1满足以下关系：
W1≥∣σA∣+∣σB∣+∣σC∣+Dcontact1；
其中，σA表示所述LED电极制作时在平行于所述阵列基板所在平面方向上的工艺误差；σB表示第一桥接结构制作时在平行于所述阵列基板所在平面方向上的工艺误差；σC表示LED与第一桥接结构之间的对位公差；
Dcontact1表示所述N电极与第一桥接结构电连接的最小宽度。
同理，为了保证所述第二桥接电极与所述P电极的电连接性能，所述P电极底面(即所述P电极朝向所述阵列基板一侧表面)与所述第二桥接电极的电连接区域的宽度W2满足以下关系：
W2≥∣σA∣+∣σB∣+∣σC∣+Dcontact2；
其中，σA表示所述LED电极制作时在平行于所述阵列基板所在平面方向上的工艺误差；σB表示第一桥接结构制作时在平行于所述阵列基板所在平面方向上的工艺误差；σC表示LED与第一桥接结构之间的对位公差；
Dcontact2表示所述P电极与第一桥接结构电连接的最小宽度。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，为了保证所述LED中P电极和N电极之间的电绝缘，所述LED中P电极和N电极之间的距离的宽度d满足以下关系：
d≥∣σA∣+∣σB∣+∣σC∣+Dins；
其中，σA表示所述LED电极制作时在平行于所述阵列基板所在平面方向上的工艺误差；σB表示第一桥接结构制作时在平行于所述阵列基板所在平面方向上的工艺误差；σC表示LED与第一桥接结构之间的对位公差；Dins表示所述LED中第一桥接电极与所述P电极之间绝缘时的最小宽度，或所述第二桥接电极与所述N电极之间绝缘时的最小宽度。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，继续如图4所示，所述显示面板还包括：平坦化层50，所述平坦化层50位于所述多个LED20与所述阵列基板10之间，所述平坦化层50中具有多个第一凹槽和多个第二凹槽，所述第一桥接电极31位于所述第一凹槽内，所述第二桥接电极32位于所述第二凹槽内，以将所述第一桥接结构30容纳于所述平坦化层50中，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，如图5所示，所述第一桥接结构30的第一桥接区域301和第二桥接区域302沿第一方向C排布，所述第一方向C平行于所述阵列基板10所在平面，所述第一方向C平行于所述LED的P电极222至N电极221方向，以减小所述第一桥接结构30在第二方向D上的尺寸，便于所述显示面板在所述第二方向D上设置更多的LED，增大所述显示面板在所述第二方向D上的像素点。其中，所述第二方向平行于所述阵列基板所在平面，且与所述第一方向相交。可选的，所述第二方向与所述第一方向垂直，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
在本申请的另一个实施例中，如图6所示，所述第一桥接结构30的第一桥接区域301和第二桥接区域302沿第二方向D排布，其中，所述第一方向C和所述第二方向D平行于所述阵列基板10所在平面，所述第一方向C平行于所述LED的P电极222至N电极221方向，所述第一方向C与所述第二方向D交叉，以减小所述第一桥接结构30在第一方向C上的尺寸，便于所述显示面板在所述第一方向C上设置更多的LED，增大所述显示面板在所述第一方向C上的像素点。但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述LED的电极包括：P电极和N电极，所述P电极位于所述发光层中P型半导体层表面，与所述发光层的P型半导体层电连接，所述N电极位于所述发光层中的N型半导体层表面，与所述发光层中的N型半导体层电连接；在本申请实施例中，如图7所示，所述LED还包括：位于所述发光层21侧面，覆盖所述发光层21侧面的第一保护层23，以对所述发光层21的侧面进行保护，从而避免所述第一桥接结构的制作过程中对所述发光层21的侧面造成损伤。可选的，所述第一保护层23还覆盖所述P型半导体层和所述N型半导体层部分表面，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
需要说明的是，在本申请实施例中，在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述第一保护层与所述N电极、所述P电极可以有交叠，继续如图7所示，即所述第一保护层23延伸至所述N电极221和所述发光层21之间部分区域以及所述P电极222底面和所述发光层21之间部分区域，也可以没有交叠，如图8所示，即所述第一保护层23仅覆盖所述发光层21侧面以及所述发光层21中N型半导体层部分表面。
可选的，继续如图7和图8所示，当所述LED还包括位于所述发光层21背离所述电极22一侧的本征半导体层24时，所述第一保护层23还覆盖所述本征半导体层24的侧面。
还需要说明的是，即便所述发光层的侧面有所述第一保护层的保护，当所述第一桥接结构的形成工艺采用干法刻蚀工艺时，该干法刻蚀过程也会对所述第一保护层进行刻蚀，增大对所述发光层侧面造成损伤的概率，因此，在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第一桥接结构的形成工艺采用湿法刻蚀工艺，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
还需要说明的是，由于在制作所述第一桥接结构时，所述第一桥接结构位于所述LED的电极背离所述发光层的一侧，为了避免所述第一桥接结构的制作过程导致所述LED的电极失效，在本申请的一个实施例中，所述LED的电极的制作材料包括不能被湿法刻蚀工艺刻蚀掉的金属。可选的，在本申请的一个实施例中，所述LED的电极的制作材料包括金，如所述P电极的材料包括金，所述N电极的材料包括金，以避免所述第一桥接结构的制作过程导致所述LED的电极失效，影响所述第一桥接结构与所述LED的电极的电连接性能。
可选的，在本申请的一个实施例中，所述LED的电极的制作材料除包括金外，还包括其他金属材料时，该金材料层为所述电极的外表面层，以便于对所述LED电极的其他金属材料层进行保护。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第二桥接结构制作时采用的工艺为干法刻蚀工艺，且所述第二桥接结构和所述第一桥接结构的材料选择刻蚀比大于2，即所述第二桥接结构的刻蚀速率大于所述第一桥接结构的刻蚀速率的2倍，以减小所述第二桥接结构形成过程中，对所述第一桥接结构造成的损伤。但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述显示面板还包括：多个阴极以及电连接所述多个阴极的共阴极连接线，以使得所述多个LED与阴极电连接的一端可以通过一根信号线传输信号，减小所述显示面板中信号线的数量。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第二桥接结构与所述显示面板中的共阴极连接线位于同一层，从而减小所述显示面板的厚度，有利于所述显示面板轻薄化的发展，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，如图9所示，所述显示面板还包括：
位于所述第一桥接结构背离所述阵列基板10一侧的保护结构60，所述保护结构60与所述LED20一一对应，且所述保护结构60中具有第一通孔，所述LED20位于所述第一通孔内，以使得所述保护结构60环设在所述LED20四周；
覆盖所述保护结构60和所述LED20的第二保护层70，所述第二保护层70的折射率小于所述保护结构60的折射率，以使得所述LED20侧面射向所述保护结构60的光线在所述保护结构60与所述第二保护层70的界面处发生全反射，反射回所述上LED20，最后从所述LED20背离所述阵列基板10一侧射出，提高所述显示面板的出光效率。
需要说明的是，在本申请实施例中，在垂直于所述阵列基板10所在平面的方向上，所述保护结构60的剖视图为倒梯形，所述保护结构的剖面图为倒梯形是指在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述保护结构的剖视图为梯形，且所述保护结构的剖视图背离所述阵列基板一侧的边长大于所述保护结构的剖视图靠近所述阵列基板一侧的边长。
需要说明的是，本申请实施例所提供的显示面板可以为无边框的显示面板，也可以为柔性显示面板，还可以为透明显示面板等各种类型的显示面板，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
相应的，如图10所示，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例所提供的显示面板，可选的，所述显示装置可以为手机、电脑、电视等具有显示功能的设备，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
此外，本申请实施例还提供了一种显示面板的制作方法，如图11所示，该制作方法包括：
S1：提供第一基板，在所述第一基板的第一侧形成多个LED，所述LED包括发光层以及位于所述发光层背离所述第一基板一侧的电极。
可选的，在本申请的一个实施例中，所述第一基板为玻璃基板，在第一基板的第一侧形成多个LED包括：
S11：如图12所示，在蓝宝石衬底80上形成多个LED20，所述LED20包括发光层以及与所述发光层电连接的电极。
在本申请的一个实施例中，在蓝宝石衬底上形成多个LED包括：
在蓝宝石衬底上形成多个发光层；
在所述发光层背离所述蓝宝石衬底的一侧形成与所述发光层电连接的电极。
具体的，在本申请的一个实施例中，继续如图12所示，所述发光层包括层叠的N型半导体层211、量子阱层212和P型半导体层213，其中，所述量子阱层212和所述P型半导体层213形成的层叠结构裸露所述N型半导体层211部分表面；所述LED的电极包括N电极221和P电极222，所述N电极221位于所述N型半导体层211表面，与所述N型半导体层211电连接，所述P电极222位于所述P型半导体层213表面，与所述P型半导体层213电连接。
可选的，在本申请的一个实施例中，所述N型半导体层为N型掺杂的GaN层，所述P型半导体层为P型掺杂的GaN层，所述量子阱层为InGaN多量子阱层。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述LED还包括：位于所述发光层背离所述电极一侧的本征半导体层24，如本征GaN层。其中，所述本征半导体层包括缓冲层、低温半导体层和高温半导体层，其中，所述缓冲层背离所述发光层一侧表面具有凸起，以提高所述LED的出光效率，所述高温半导体层用于提高所述发光层形成平面的平整度，所述低温半导体层为所述缓冲层和所述高温半导体层之间的过渡层，同时作为所述蓝宝石衬底与所述发光层之间的晶格常数过渡层，提高所述发光层的生长质量，在本申请的其他实施例中，所述LED还可以包括其他结构，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
具体的，在本申请的一个实施例中，以所述半导体层为GaN层为例，在蓝宝石衬底上形成多个LED包括：
对蓝宝石衬底表面进行图形化处理，以使得所述蓝宝石衬底表面具有多个凹槽；
在蓝宝石衬底具有凹槽一侧的表面上形成本征GaN层，即未掺杂的GaN层，以使得所述本征GaN层朝向所述蓝宝石衬底一侧具有多个凸起；
在所述本征GaN层背离所述蓝宝石衬底一侧形成N型GaN层；
在所述N型GaN层背离所述本征GaN层一侧形成InGaN多量子阱层；
在所述InGaN多量子阱层背离所述N型GaN一侧形成P型GaN层；
将所述P型GaN层和所述InGaN多量子阱层多个区域进行刻蚀，裸露所述N型GaN层部分表面；
对所述N型GaN层和本征GaN层进行切割，形成多个独立的发光层；
在所述发光层背离所述蓝宝石衬底的一侧形成与所述N型GaN层电连接的N电极以及与所述P型GaN层电连接的P电极。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，继续如图12所示，所述LED还包括：位于所述发光层的侧面，覆盖所述发光层的侧面的第一保护层23，以避免后续工艺过程中对所述发光层的侧面造成损伤。具体的，在本实施例中，在蓝宝石衬底上形成多个LED包括：
在蓝宝石衬底上形成多个发光层；
在所述发光层的表面和侧面形成第一保护层；
去除所述第一保护层位于所述发光层中N型半导体层表面的至少部分区域以及所述发光层中P型半导体层表面的至少部分区域；
在所述N型半导体层未被所述第一保护层覆盖的区域形成N电极，在所述P型半导体层未被所述第一保护层覆盖的区域形成P电极。
可选的，所述第一保护层为二氧化硅层，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
具体的，在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述LED为MicroLED或Mini LED。
S12：如图13所示，提供第二基板81，在所述第二基板81上依次形成对位层(图中未示出)和粘接层82，可选的，所述第二基板为玻璃基板，其中，所述对位层用于后续转移LED时，对所述LED的放置位置进行定位，所述粘接层用于后续转移LED后，固定连接所述LED和所述第二基板。
S13：继续如图13所示，将所述蓝宝石衬底上的多个LED20转移到所述粘接层82背离所述第二基板81的一侧，并去除所述蓝宝石衬底80。
可选的，在本申请的一个实施例中，利用激光剥离技术将所述蓝宝石衬底上的多个LED转移到所述粘接层背离所述第二基板的一侧，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，也可以采用其他技术将所述蓝宝石衬底上的多个LED转移到所述粘接层背离所述第二基板的一侧，具体视情况而定。
S14：如图14所示，在第一基板83上形成第二固晶层84，所述第二固晶层84为非固态，可选的，在本申请的一个实施例中，所述第二固晶层为透明柔性层，如聚酰亚胺层，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
需要说明的是，在本申请实施例中，在所述第一基板上形成第二固晶层之前，还可以先在第一基板上形成对位层，以便于后续将第二基板上的LED转移到所述第一基板上时，提高第二基板与所述第一基板的对位精度。可选的，所述第一基板上的对位层为环形金属层，该环形金属层可以环设在所述第二固晶层靠近所述第一基板的一侧，对应所述第二固晶层的边缘区域，也可以与所述第二固晶层位于同一层，环设在所述第二固晶层四周，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
S15：继续如图14所示，将所述第二基板81上的多个LED20转移到所述第二固晶层84背离所述第一基板83的一侧，并对所述第二固晶层84进行固化，如图15所示，去除所述第二基板81，以实现所述多个LED20的转移。
需要说明的是，实际应用中，所述显示面板可能包括一种颜色的LED，也可能包括多种颜色的LED。下面以所述显示面板包括三种颜色的LED为例，在所述第一基板上的第一侧形成多个LED的过程进行描述。
具体的，在本申请的一个实施例中，在所述第一基板上形成多个LED包括：
在第一蓝宝石衬底上形成多个第一颜色LED；
在第二蓝宝石衬底上形成多个第二颜色LED；
在第三蓝宝石衬底上形成多个第三颜色LED；
在第二基板上依次形成对位层和粘接层；
将所述第一蓝宝石衬底上的多个第一颜色LED转移到所述粘接层背离所述第二基板的一侧，并去除所述第一蓝宝石衬底；
将所述第二蓝宝石衬底上的多个第二颜色LED转移到所述粘接层背离所述第二基板的一侧，并去除所述第二蓝宝石衬底；
将所述第三蓝宝石衬底上的多个第三颜色LED转移到所述粘接层背离所述第二基板的一侧，并去除所述第三蓝宝石衬底；
在第一基板上形成第二固晶层，所述第二固晶层为非固态；
将所述第二基板上的多种颜色的LED转移到所述第二固晶层背离所述第一基板的一侧，并对所述第二固晶层进行固化，去除所述第二基板。
需要说明的是，不同颜色的LED在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上的厚度不同，可选的，在所述第二基板上形成多种颜色的LED时，优先转移厚度较大的LED，然后再转移厚度较小的LED，从而降低不同颜色的LED转移到所述第二基板上的工艺难度。
具体的，在本申请的一个实施例中，所述显示面板包括：红、绿、蓝三种颜色的LED，则所述第一颜色为红色，所述第二颜色为绿色，所述第三颜色为蓝色，即先将红的LED转移到第二基板上，再将绿色的LED转移到第二基板上，最后将蓝色的LED转移到第二基板上。
需要说明的是，不同颜色的LED转移到所述第二基板上后，再将所述第二基板上的LED转移到第一基板上时，所有LED同时转移到第一基板上，即所述第二基板上的所有LED在同一步工艺中转移到所述第一基板上，以提高所述转移到所述第一基板上的LED的转移效率。
S2：如图16所示，在所述多个LED20背离所述第一基板83的一侧形成多个第一桥接结构30，所述第一桥接结构30包括第一桥接区域和第二桥接区域，在垂直所述第一基板83所在平面的方向上，所述第二桥接区域与所述LED20没有交叠，且所述LED20的电极与所述第一桥接结构30的第一桥接区域电连接。
可选的，在本申请的一个实施例中，所述第一桥接结构的形成工艺采用湿法刻蚀工艺，以避免所述第一桥接结构采用干法刻蚀时，刻蚀掉所述第一保护层，对所述发光层的侧面造成损伤。
具体的，在本申请的一个实施例中，在所述多个LED背离所述第一基板的一侧形成多个第一桥接结构包括：
在所述多个LED背离所述第一基板的一侧形成第一桥接金属层；
对所述第一桥接金属进行湿法刻蚀，形成多个第一桥接结构。
需要说明的是，在降低所述第一桥接结构形成过程对所述发光层造成损伤的概率的基础上，为了避免所述第一桥接结构的形成过程对所述LED的电极造成损伤，所述LED的电极为耐酸金属材料，即不容易被湿法刻蚀过程腐蚀的金属。可选的，在本申请的一个实施例中，所述LED的电极的材料包括金，但本申请对此并不做限定，在本申请的其他实施例中，所述LED的电极材料还可以包括其他耐酸金属材料，具体视情况而定。
由上述可知，在将多个LED转移到第一基板上的过程包括将多个LED从蓝宝石衬底上转移到第二基板上以及从第二基板上转移到第一基板上两个过程，因此，在本实施例中，LED与第一桥接结构之间的对位公差σC包括：蓝宝石衬底上的LED转移到第二基板上的对位公差以及第二基板上的LED转移到第一基板上的对位公差两部分。
S3：如图17所示，将所述多个LED20与所述多个第一桥接结构30转移到所述阵列基板10上，如图18所示，并去除所述第一基板83，所述LED20的电极位于所述发光层靠近所述阵列基板10的一侧，所述第一桥接结构30位于所述LED20的电极与所述阵列基板10之间。
可选的，在本申请的一个实施例中，将所述多个LED与所述多个第一桥接结构转移到所述阵列基板的第一侧包括：
继续如图18所示，在所述阵列基板的第一侧形成第一固晶层85，所述第一固定层85为非固态；
将所述多个LED20与所述多个第一桥接结构30转移到所述阵列基板10的第一侧；
对所述第一固晶层85进行固化。
需要说明的是，在本申请实施例中，所述第一固晶层和所述第二固晶层的材料可以相同，也可以不同，具体视情况而定。
S4：在所述第一桥接结构背离所述阵列基板的一侧形成第二桥接结构，所述第二桥接结构与所述第一桥接结构的第二桥接区域电连接，且所述第二桥接结构通过过孔与所述阵列基板电连接，从而使得所述LED的电极依次通过所述第一桥接结构和所述第二桥接结构和所述阵列基板电连接，而无需采用巨量转移键合工艺，从而避免了由于引入巨量转移键合工艺导致所述显示面板内部应力积累的现象，提高了所述显示面板的稳定性。
由前述可知，所述第一桥接结构的形成工艺采用湿法刻蚀工艺，因此，在本申请的一个可选实施例中，所述第二桥接结构的形成工艺为干法刻蚀工艺，以降低所述第二桥接结构制作过程中对所述第一桥接结构的损伤。
具体的，在本申请的一个实施例中，所述第二桥接结构通过过孔与所述阵列基板中的像素电路电连接，在本实施例中，在所述第一桥接结构背离所述阵列基板的一侧形成第二桥接结构，所述第二桥接结构与所述第一桥接结构的第二桥接区域电连接，且所述第二桥接结构通过过孔与所述阵列基板电连接包括：
如图19所示，去除所述第二固晶层84的第一部分，保留所述第二固晶层84的第二部分，在所述第二固晶层84中形成多个第二通孔，所述第二通孔至少曝露所述第一桥接结构30的第二桥接区域以及相邻所述第一桥接结构30之间的区域；
如图20所示，去除所述第一固晶层85的部分，在所述第一固晶层85中形成过孔86，所述过孔85曝露所述阵列基板10中像素电路用于与所述第二桥接结构电连接的区域；
如图21所示，在所述第一桥接结构30背离所述阵列基板10的一侧形成第二桥接结构40，所述第二桥接结构40与所述第一桥接结构30的第二桥接区域电连接，并通过过孔与所述阵列基板10中的像素电路电连接。
由上述工艺过程可知，所述第二通孔和所述过孔是在不同工艺中形成的，且在平行于所述阵列基板所在平面内的方向上，所述第二通孔的横截面积要远大于所述过孔的横截面积，为了避免所述第二通孔形成过程中，所述第一固晶层也被去除，在本申请实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第二固晶层和所述第一固晶层的刻蚀选择比大于2，即在所述第二通孔形成的工艺条件下，所述第二固晶层的被刻蚀速率大于所述第一固晶层的被刻蚀速率的两倍，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
在本申请的一个实施例中，如果所述第二桥接结构的形成工艺为干法刻蚀工艺，且所述第二固晶层和所述第一固晶层的刻蚀选择比差值不大于2，该方法在将所述多个LED与所述多个第一桥接结构转移到所述阵列基板的第一侧之前还包括：如图22和图23所示，在所述第一桥接结构30背离所述LED20的一侧形成平坦化层50，以通过所述平坦化层50在所述第二通孔形成过程中，对所述第一固晶层85进行保护。需要说明的是，在本申请实施例中，所述平坦化层具有多个第一凹槽和多个第二凹槽，所述第一桥接电极位于所述第一凹槽内，所述第二桥接电极位于所述第二凹槽内。
在上述任一实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，所述第二通孔为梯形通孔，该方法还包括：如图24所示，形成覆盖所述第二固晶层84和所述LED20的第二保护层70，所述第二保护层70的折射率小于所述第二固晶层84的折射率，以使得所述LED20侧面射向所述第二固晶层84的光线在所述第二固晶层84与所述第二保护层70的界面处发生全反射，反射回所述LED，最后从所述LED背离所述阵列基板一侧射出，提高所述显示面板的出光效率。
需要说明的是，在本申请实施例中，在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述第二通孔为倒梯形通孔，即所述第二通孔远离所述阵列基板一侧的边长大于所述第二通孔靠近所述阵列基板一侧的边长。
综上，本申请实施例所提供的显示面板及其制作方法中，所述LED的电极与所述第一桥接结构的第一桥接区域电连接，所述第二桥接结构与所述第一桥接结构的第二桥接区域电连接，而所述第二桥接结构与所述阵列基板电连接，从而使得所述LED的电极依次通过所述第一桥接结构和所述第二桥接结构和所述阵列基板电连接，而无需采用巨量转移键合工艺，从而避免了由于引入巨量转移键合工艺导致所述显示面板内部应力积累的现象，提高了所述显示面板的稳定性，有利于大尺寸Micro/Mini LED显示面板的实现，进而提高了所述显示面板的良率。
本说明书中各个部分采用并列和递进相结合的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，本说明书中各实施例中记载的特征可以相互替换或组合，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (20)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
多个LED，所述多个LED位于所述阵列基板第一侧，所述LED包括发光层以及位于所述发光层靠近所述阵列基板一侧的电极；
多个第一桥接结构，所述第一桥接结构包括第一桥接区域和第二桥接区域，在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述第二桥接区域与所述LED不交叠；
多个第二桥接结构，所述第二桥接结构与所述阵列基板电连接，在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述第二桥接结构与所述LED的电极位于所述第一桥接结构的同一侧；
其中，所述LED的电极与所述第一桥接结构的第一桥接区域电连接，所述第二桥接结构与所述第一桥接结构的第二桥接区域电连接；
在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述第一桥接结构与所述LED电极至少部分交叠；且，在平行于所述阵列基板所在平面的方向上，所述第一桥接结构与所述LED电极至少部分交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一桥接结构包括第一桥接电极和第二桥接电极，所述第一桥接区域包括所述第一桥接电极的第一桥接区域和所述第二桥接电极的第一桥接区域，所述第二桥接区域包括所述第一桥接电极的第二桥接区域和所述第二桥接电极的第二桥接区域；
所述第一桥接电极的第一桥接区域与所述LED的N电极电连接，所述第二桥接电极的第一桥接区域与所述LED的P电极电连接；
所述第二桥接结构包括第三桥接电极和第四桥接电极，所述第三桥接电极与所述第一桥接电极的第二桥接区域电连接，所述第四桥接电极与所述第二桥接电极的第二桥接区域电连接。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述第一桥接结构与所述LED的N电极的交叠面积小于所述第一桥接结构与所述LED的P电极的交叠面积，且在平行于所述阵列基板所在平面的方向上，所述第一桥接结构与所述LED的N电极的交叠面积大于所述第一桥接结构与所述LED的P电极的交叠面积。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括：
平坦化层，所述平坦化层位于所述多个LED与所述阵列基板之间，所述平坦化层中具有多个第一凹槽和多个第二凹槽，所述第一桥接电极位于所述第一凹槽内，所述第二桥接电极位于所述第二凹槽内。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一桥接结构的第一桥接区域和第二桥接区域沿第一方向排布，或所述第一桥接结构的第一区桥接域和第二桥接区域沿第二方向排布；
其中，所述第一方向和所述第二方向平行于所述阵列基板所在平面，所述第一方向平行于所述LED的P电极至N电极方向，所述第一方向与所述第二方向交叉。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述LED的电极包括：P电极和N电极，所述P电极位于所述发光层中的P型半导体层表面与所述发光层的P型半导体层电连接，所述N电极位于所述发光层中的N型半导体层表面与所述发光层的N型半导体层电连接；
所述LED还包括：位于所述发光层的侧面，覆盖所述发光层的侧面的第一保护层。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述P电极的材料包括金，所述N电极的材料包括金。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：多个阴极以及电连接所述多个阴极的共阴极连接线，所述第二桥接结构与所述显示面板中的共阴极连接线位于同一层。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
位于所述第一桥接结构背离所述阵列基板一侧的保护结构，所述保护结构与所述LED一一对应，且所述保护结构中具有第一通孔，所述LED位于所述第一通孔中；
覆盖所述保护结构和所述LED的第二保护层，所述第二保护层的折射率小于所述保护结构的折射率。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二桥接结构的材料和所述第一桥接结构的材料的刻蚀选择比大于2。
11.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一基板，在所述第一基板的第一侧形成多个LED，所述LED包括发光层以及位于所述发光层背离所述第一基板一侧的电极；
在所述多个LED背离所述第一基板的一侧形成多个第一桥接结构，所述第一桥接结构包括第一桥接区域和第二桥接区域，在垂直于所述第一基板所在平面的方向上，所述第二桥接区域与所述LED没有交叠，且所述LED电极与所述第一桥接结构的第一桥接区域电连接；
将所述多个LED与所述多个第一桥接结构转移到阵列基板上，并去除所述第一基板，所述LED的电极位于所述发光层靠近所述阵列基板的一侧，所述第一桥接结构位于所述LED的电极所述阵列基板之间；
在所述第一桥接结构背离所述阵列基板的一侧形成第二桥接结构，所述第二桥接结构与所述第一桥接结构的第二桥接区域电连接，且所述第二桥接结构通过过孔与所述阵列基板中电连接；
在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述第一桥接结构与所述LED电极至少部分交叠；且，在平行于所述阵列基板所在平面的方向上，所述第一桥接结构与所述LED电极至少部分交叠。
12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，将所述多个LED与所述多个第一桥接结构转移到所述阵列基板的第一侧包括：
在所述阵列基板的第一侧形成第一固晶层，所述第一固晶层为非固态；
将所述多个LED与所述多个第一桥接结构转移到所述阵列基板的第一侧；
对所述第一固晶层进行固化。
13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，在所述多个LED背离所述第一基板的一侧形成多个第一桥接结构包括：
在所述多个LED背离所述第一基板的一侧形成第一桥接金属层；
对所述第一桥接金属进行湿法刻蚀，形成多个第一桥接结构。
14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，在第一基板的第一侧形成多个LED包括：
在蓝宝石衬底上形成多个LED；
提供第二基板，在所述第二基板上依次形成对位层和粘接层；
将所述蓝宝石衬底上的多个LED转移到所述粘接层背离所述第二基板的一侧，并去除所述蓝宝石衬底；
在第一基板上形成第二固晶层，所述第二固晶层为非固态；
将所述第二基板上的多个LED转移到所述第二固晶层背离所述第一基板的一侧，并对所述第二固晶层进行固化，去除所述第二基板。
15.根据权利要求14所述的制作方法，其特征在于，在蓝宝石衬底上形成多个LED包括：
在蓝宝石衬底上形成多个发光层；
在所述发光层的表面和侧面形成第一保护层；
去除所述第一保护层位于所述发光层中N型层表面的至少部分区域以及所述发光层中P型层表面的至少部分区域；
在所述N型层未被所述第一保护层覆盖的区域形成N电极，在所述P型层未被所述第一保护层覆盖的区域形成P电极。
16.根据权利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述第二桥接结构的形成工艺为干法刻蚀工艺，所述第二固晶层和所述第一固晶层的刻蚀选择比大于2。
17.根据权利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述第二桥接结构的形成工艺为干法刻蚀工艺，所述第二固晶层和所述第一固晶层的刻蚀选择比差值不大于2，该方法在将所述多个LED与所述多个第一桥接结构转移到所述阵列基板的第一侧之前还包括：
在所述第一桥接结构背离所述LED的一侧形成平坦化层，所述平坦化层具有多个第一凹槽和多个第二凹槽，所述第一桥接结构位于所述第一凹槽内，所述第二桥接结构位于所述第二凹槽内。
18.根据权利要求14所述的制作方法，其特征在于，在所述第一桥接结构背离所述阵列基板的一侧形成第二桥接结构包括：
去除所述第二固晶层的第一部分，保留所述第二固晶层的第二部分，在所述第二固晶层中形成多个第二通孔，所述第二通孔至少曝露所述第一桥接结构的第二桥接区域以及相邻所述第一桥接结构之间的区域；
在所述第一固晶层中形成过孔，所述过孔曝露所述阵列基板中像素电路用于与所述第二桥接结构电连接的区域；
在所述第一桥接结构背离所述阵列基板的一侧形成第二桥接结构，所述第二桥接结构与所述第一桥接结构的第二桥接区域电连接，并通过过孔与所述阵列基板中的像素电路电连接。
19.根据权利要求18所述的制作方法，其特征在于，所述第二通孔为梯形通孔，该方法还包括：
形成覆盖所述第二固晶层和所述LED的第二保护层，所述第二保护层的折射率小于所述第二固晶层的折射率。
20.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的显示面板。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111864038A (zh) * 2019-04-28 2020-10-30 陕西坤同半导体科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN112928196A (zh) * 2021-01-29 2021-06-08 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI706554B (zh) * 2017-12-13 2020-10-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板及其製造方法
CN109037239B (zh) * 2018-07-26 2020-11-17 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN109273479B (zh) * 2018-09-20 2021-07-23 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法
US11699363B2 (en) * 2019-06-28 2023-07-11 Lg Display Co., Ltd. Stretchable display device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111864038A (zh) * 2019-04-28 2020-10-30 陕西坤同半导体科技有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN112928196A (zh) * 2021-01-29 2021-06-08 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置

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