CN113403576A - 掩模板结构及掩模板结构的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种掩模板结构及掩模板结构的制备方法,通过针对对位掩模条设计异形对位部,可以使得实际对位部与张网部分形成高度差,避免对位部与待蒸镀基板进行接触而导致蒸镀对位部分不稳定,并且掩模板框架上的对位凹槽与对位部一一对应,无需针对整个对位掩模条进行整面开槽,因此开槽面积更小,从而可以提升掩模板框架的机械强度。此外,通过将异形对位部与支撑部进行连接,支撑部与掩模板框架表面形成支撑,可以保证张网过程中对位掩模条能够正常受力。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种掩模板结构及掩模板结构的制备方法。
背景技术
在OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板的制程中,在像素蒸镀环节通常需要使用掩模板结构进行蒸镀像素控制。为保证掩模板能够与待蒸镀基板的相对位置准确,通常会在掩模板上焊接用于对位的蒸镀对位部分,在像素蒸镀过程中通过待蒸镀基板上的对位标识和蒸镀对位部分上的对位标识进行对位从而保证两者相对位置准确。
然而,目前大部分蒸镀对位部分采用的设计均会与待蒸镀基板直接接触以实现对位匹配,该设计会对掩模版使用寿命产生不良影响。例如,当蒸镀对位部分使用到一定时间后,因对位过程产生的摩擦则会导致蒸镀对位部分不稳定,从而在镜头抓取时出现水波纹现象,影响蒸镀对位精度。
发明内容
基于现有设计的不足,本申请提供一种掩模板结构及掩模板结构的制备方法。
根据本申请的第一方面,提供一种一种掩模板结构,所述掩模板结构包括掩模板框架及对位掩模条;
其中,所述掩模板框架包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面为在蒸镀过程中与待蒸镀基板相对的表面,所述掩模板框架的第一表面上间隔设置有多个对位凹槽;
其中,所述对位掩模条包括支撑部和异形对位部,所述异形对位部包括位于所述对位凹槽内的对位块以及分别从所述对位块的两端往所述第一表面的方向延伸的连接块,所述对位块通过所述连接块与所述支撑部连接,所述支撑部位于所述第一表面。
在第一方面的一种可能的实施方式中,所述对位块在垂直于所述第一表面的方向上的厚度小于所述对位凹槽的深度。
在第一方面的一种可能的实施方式中,在垂直于所述第一表面的方向上,所述对位块靠近所述第一表面的一侧与所述第一表面之间的距离d≠k*λ/n,其中,k为消光系数,λ为波长,n为折射率。
在第一方面的一种可能的实施方式中,所述对位块与所述对位凹槽的侧边缘之间存在间隙。
在第一方面的一种可能的实施方式中,所述对位凹槽的底面设置有第一焊接区,所述对位块设置有与所述第一焊接区对应的第二焊接区,所述对位块通过所述第一焊接区和所述第二焊接区固定于所述对位凹槽的底面。
在第一方面的一种可能的实施方式中,所述掩模板结构还包括精细金属掩模和支撑架,所述支撑架用于支撑所述精细金属掩模,所述精细金属掩模和所述支撑架固定于所述掩模板框架上位于所述对位凹槽的一侧。
根据本申请的第二方面,提供一种掩模板结构的制备方法,所述方法包括:
提供掩模板框架,所述掩模板框架包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面为在蒸镀过程中与待蒸镀基板相对的表面;
从所述掩模板框架的第一表面上形成多个往所述第二表面凹陷的对位凹槽;
制作形成具有与分别各所述对位凹槽对应的异形对位部的对位掩模条,相邻的异形对位部之间形成支撑所述异形对位部的支撑部,所述异形对位部包括对位块以及分别从所述对位块的两端延伸至所述支撑部的连接块;
将所述对位块固定设置于所述对位凹槽内,以使得所述连接块分别从所述对位块的两端往所述第一表面的方向延伸,所述对位块通过所述连接块与所述支撑部连接,所述支撑部与所述第一表面接触。
在第二方面的一种可能的实施方式中,制作形成具有与分别各所述对位凹槽对应的异形对位部的对位掩模条,包括:
提供一掩模条本体;
从所述掩模条本体的第一表面与所述对位凹槽对应的位置进行第一刻蚀工艺,形成分别与所述对位凹槽对应的刻蚀槽;
从所述掩模条本体的第二表面位于所述刻蚀槽周侧的位置进行第二刻蚀工艺,使所述刻蚀槽对应的位置形成所述异形对位部,所述第二表面与所述第一表面相对。
在第二方面的一种可能的实施方式中,制作形成具有与分别各所述对位凹槽对应的异形对位部的对位掩模条,包括:
提供一具有与所述对位掩模条的形状相匹配的电铸模具;
基于所述电铸模具进行金属电铸,形成具有所述异形对位部所述对位掩模条。
在第二方面的一种可能的实施方式中,所述方法还包括:
在将所述对位块固定设置于所述对位凹槽内之后,对所述对位掩模条进行切割,去除所述支撑部以及所述连接块。
基于上述任一方面或者任一方面的任意一种可能的实施方式,本申请通过设置掩模板框架及对位掩模条,并在掩模板框架在蒸镀过程中与待蒸镀基板相对的第一表面上间隔设置多个对位凹槽,对位掩模条包括支撑部和异形对位部,异形对位部包括位于对位凹槽内的对位块以及分别从对位块的两端往第一表面的方向延伸的连接块,对位块通过连接块与支撑部连接,支撑部位于第一表面。如此,通过针对对位掩模条设计异形对位部,可以使得实际对位部与张网部分形成高度差,避免该对位部与待蒸镀基板进行接触而导致蒸镀对位部分不稳定,并且掩模板框架上的对位凹槽与该对位部一一对应,无需针对整个对位掩模条进行整面开槽,因此开槽面积更小,从而可以提升掩模板框架的机械强度。此外,通过将异形对位部与支撑部进行连接,支撑部与掩模板框架表面形成支撑,可以保证张网过程中对位掩模条能够正常受力。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
图1示出了本申请实施例所提供的掩模板结构的结构示意图;
图2示出了本申请实施例所提供的掩模板结构的制备方法的流程示意图之一;
图3示出了图2中所示的步骤S110的制备结构示意图;
图4示出了图2中所示的步骤S120的制备结构示意图;
图5示出了图2中所示的步骤S140的制备结构示意图;
图6示出了图2中所示的步骤S150的制备结构示意图;
图7示出了图2中所示的步骤S130的子步骤流程示意图之一;
图8示出了图7中所示的步骤S131a的制备结构示意图;
图9示出了图7中所示的步骤S132a的制备结构示意图;
图10示出了图7中所示的步骤S133a的制备结构示意图;
图11示出了图2中所示的步骤S130的子步骤流程示意图之二;
图12示出了本申请实施例所提供的掩模板结构的制备方法的流程示意图之二;
图13示出了图12中所示的步骤S150的制备结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,应当理解,本申请中附图仅起到说明和描述的目的,并不用于限定本申请的保护范围。另外,应当理解,示意性的附图并未按实物比例绘制。本申请中使用的流程图示出了根据本申请实施例的一些实施例实现的操作。
如前述背景技术所获知的技术问题,本申请发明人在研究过程中发现,相关技术在蒸镀过程中,待蒸镀基板(如玻璃基板)通常是贴合在掩模板上方,并直接与对位掩模条接触,导致对位掩模条在受到多次和长期的压迫后,对位掩模条上一些对位孔可能会出现位置偏移,导致对位精度和重复性降低。例如,对位孔在图像采集装置的镜头下的表面形貌也会发生变化,而导致在镜头抓取时出现水波纹现象,进而导致掩模板结构和待蒸镀基板进行蒸镀对位准确性逐渐下降的问题。
为了改善以上问题,在相关技术中,可以在掩模版框架上形成多个凹槽,例如针对对位掩模条对应张网方向进行整面开槽设计,并将对位掩模条设置于凹槽内,同时使得对位掩模条的厚度小于凹槽的深度,如此设计,在进行蒸镀对位的过程中,对位掩模条不与待蒸镀基板直接接触,从而改善掩模板结构和待蒸镀基板进行蒸镀对位的准确性。然而该开槽设计方案,也会使得掩模版框架出现大面积下沉凹陷,从而对掩模版框架的机械结构强度产生较大影响。
所应说明的是,以上现有技术中的方案所存在的缺陷,均是发明人在经过实践并仔细研究后得出的结果,因此,上述技术问题的发现过程以及下文中本申请实施例针对上述问题所提出的解决方案,都应是发明人在发明创造过程中对本申请做出的贡献,而不应当理解为本领域技术人员所公知的技术内容。
基于发明人发现的上述技术问题,本申请实施例提供一种改进的掩模板结构,以改善上述问题。
详细地,本申请实施例的掩模板结构包括掩模板框架及对位掩模条。其中,掩模板框架包括相对设置的第一表面和第二表面,第一表面为在蒸镀过程中与待蒸镀基板相对的表面,掩模板框架的第一表面上间隔设置有多个对位凹槽。其中,对位掩模条包括支撑部和异形对位部,异形对位部包括位于对位凹槽内的对位块以及分别从对位块的两端往第一表面的方向延伸的连接块,对位块通过连接块与支撑部连接,支撑部位于第一表面。
由此设计,通过针对对位掩模条设计异形对位部,可以使得实际对位部与张网部分形成高度差,避免该对位部与待蒸镀基板进行接触而导致蒸镀对位部分不稳定,并且掩模板框架上的对位凹槽与该对位部一一对应,无需针对整个对位掩模条进行整面开槽,因此开槽面积更小,从而可以提升掩模板框架的机械强度。此外,通过将异形对位部与支撑部进行连接,支撑部与掩模板框架表面形成支撑,可以保证张网过程中对位掩模条能够正常受力。
下面将结合说明书附图及具体的可替代实施例详细介绍上述曲面盖板治具的一些示例性的实现方案。
请参阅图1,本申请实施例提供一种掩模板结构100,该掩模板结构100可以包括掩模板框架110及对位掩模条120。
在一种可能的实施方式中,掩模板框架110的材料可以为,但不限于镍铁合金、镍钴合金、不锈钢或者因瓦合金中的一种或多种,或者掩模板框架110还可以是其它可以承受蒸镀或者刻蚀的材料。
本实施例中,如图1所示,掩模板框架110可以包括相对设置的第一表面111和第二表面112,例如第一表面111可以为在蒸镀过程中与待蒸镀基板相对的表面,第二表面112可以为在蒸镀过程中远离待蒸镀基板的表面。为了便于蒸镀对位,该掩模板框架110的第一表面111上可以间隔设置有多个对位凹槽113。
本实施例中,对位掩模条120可以包括支撑部121和异形对位部122,异形对位部122包括位于对位凹槽113内的对位块1221以及分别从对位块1221的两端往第一表面111的方向延伸的连接块1222,对位块1221通过连接块1222与支撑部121连接,支撑部121位于第一表面111。譬如,连接块1222可以从对位块1221的两端沿对位块1221的延伸方向的垂直方向往第一表面111的方向延伸。
本实施例中,对位部用于实现掩模板结构100与待蒸镀基板之间的对位连接,具体的对位部可以是相对出光面突出的结构,或者对位部也可以是相对出光面内陷的结构等。其中,各个对位部可以通过张网工艺布设在掩模板框架110上。
在一种可能的实施方式中,该对位块1221上可以设置有一个或者多个对位标记,对位标记的具体结构形式可有多种,例如,每个对位块1221上均匀设置有多个对位标记,对位标记可以为贯穿设置于对位块1221上的通孔,但并不限于此。
在一种可能的实施方式中,该对位凹槽113可具有合适的深度,不能贯穿掩模板框架110。当需要进行像素蒸镀时,掩模板框架110的对位凹槽113与待蒸镀基板可以进行准确的对位。当对位凹槽113与待蒸镀基板准确对位后,可以针对待蒸镀基板进行像素蒸镀制程。
在一种可能的实施方式中,对位凹槽113的内槽壁截面可以为曲线或者直线,也可以为曲线与直线的结合,具体可以根据掩模板框架110的设计需求而变化。
基于以上设计,本实施例通过针对对位掩模条120设计异形对位部122,可以使得实际对位部与张网部分形成高度差,避免该对位部与待蒸镀基板进行接触而导致蒸镀对位部分不稳定,并且掩模板框架110上的对位凹槽113与该对位部一一对应,无需针对整个对位掩模条120进行整面开槽,因此开槽面积更小,从而可以提升掩模板框架110的机械强度。此外,通过将异形对位部122与支撑部121进行连接,支撑部121与掩模板框架110表面形成支撑,可以保证张网过程中对位掩模条120能够正常受力。
也就是说,本申请提供的对位掩模条120,仅需通过对位块1221进行蒸镀对位,相较于相关技术中采用整个对位掩模条120进行蒸镀对位的方案,开槽面积更小,对掩模板框架110的机械强度的机械影响更小,并且以对位块1221不直接与待蒸镀基板进行接触,从而避免对位块1221在对位过程中与待蒸镀基板产生摩擦而导致蒸镀对位部分不稳定,影响蒸镀对位精度的问题。此外,在具体蒸镀对位过程中,当待蒸镀基板与起支撑作用的支撑部121进行接触的过程中,产生的应力还可以进一步通过两侧的连接块1222进行缓冲,以降低待蒸镀基板与起支撑作用的支撑部121进行接触而产生的应力对对位块1221的表面的应力影响,进一步提高蒸镀对位部分的稳定性,保证蒸镀对位精度。
在一种可能的实施方式中,该对位块1221在垂直于第一表面111的方向上的厚度小于对位凹槽113的深度。也就是说,对位凹槽113的深度大于该对位块1221的厚度,对位凹槽113的深度是指对位凹槽113的槽底到该第一表面111的距离。如此设计,该对位块1221始终不高于该第一表面111,可以使得实际对位部与张网部分形成高度差,避免在后续对位过程中该对位部与待蒸镀基板进行接触而导致蒸镀对位部分不稳定。
在一种可能的实施方式中,为了保证在蒸镀对位过程中,图像采集装置在镜头抓取时不出现光干涉,在垂直于第一表面111的方向上,对位块1221靠近第一表面111的一侧与第一表面111之间的距离d≠k*λ/n,其中,k为消光系数,λ为波长,n为折射率。例如经过实际测试,对位块1221靠近第一表面111的一侧与第一表面111之间的距离d可以大于掩模板结构100的制作精度与20um之和。
在一种可能的实施方式中,为了保证对位块1221与对位凹槽113的边缘留有一定张网精度余量,保证对位块1221部分能够完全放置到对位凹槽113中,对位块1221与对位凹槽113的侧边缘之间可存在间隙,该间隙的大小可以依据实际设计需求进行设置,本实施例对此不作特殊限定。
在一种可能的实施方式中,对位凹槽113的底面可设置第一焊接区,对位块1221设置有与第一焊接区对应的第二焊接区(图中未示出),对位块1221通过第一焊接区和第二焊接区固定于对位凹槽113的底面。例如,可以调整对位部上的第二焊接区到对位凹槽113的预设位置,加热对位部两端的第二焊接区,将对位部焊接于对位凹槽113内,焊接完成后,可以通过激光切除对位凹槽113焊接区两侧的位置。
在一种可能的实施方式中,掩模板结构100还可以包括精细金属掩模和支撑架(图中未示出),支撑架用于支撑精细金属掩模,避免精细金属掩模中间位置因重力原因下垂,保证精细金属掩模与待蒸镀基板贴合。精细金属掩模和支撑架固定于掩模板框架110上位于对位凹槽113的一侧。精细金属掩模可以包括掩模图案区和非掩模图案区,用于在OLED对应的像素区域内形成发光层,实现蒸镀像素控制。待蒸镀基板可以包括与掩模图案区一一对应的显示区和与对位块1221的对位孔一一对应的标准蒸镀区。当所述对位孔与标准蒸镀区一一对正时,掩模图案区与显示区一一对正。对位掩模条120、支撑架和精细金属掩模均可以通过张网工艺固定于掩模板框架110上,精细金属掩模搭接在支撑架的上方。
进一步地,基于同一发明构思,请结合参阅图2,本申请实施例还提供一种掩模板结构100的制备方法,本说明书中使用了流程图用来说明根据本说明书的实施例所执行的操作。应当理解的是,前面或后面操作不一定按照顺序来精确地执行。相反,可以按照倒序或同时处理各个步骤。同时,也可以将其它操作添加到这些过程中,或从这些过程移除某一步或数步操作。下面结合图,对掩模板结构100的制备方法进行详细解释。
请结合参阅图3,步骤S110,提供掩模板框架110,掩模板框架110包括相对设置的第一表面111和第二表面112,第一表面111为在蒸镀过程中与待蒸镀基板相对的表面。
请结合参阅图4,步骤S120,从掩模板框架110的第一表面111上形成多个往第二表面112凹陷的对位凹槽113。
请结合参阅图5,步骤S130,制作形成具有与分别各对位凹槽113对应的异形对位部122的对位掩模条120,相邻的异形对位部122之间形成支撑异形对位部122的支撑部121,异形对位部122包括对位块1221以及分别从对位块1221的两端延伸至支撑部121的连接块1222。
请结合参阅图6,步骤S140,将对位块1221固定设置于对位凹槽113内,以使得连接块1222分别从对位块1221的两端往第一表面111的方向延伸,对位块1221通过连接块1222与支撑部121连接,支撑部121与第一表面111接触。
对于以上步骤S130,下面提供两种可能的示例对对位掩模条120的具体制备过程进行说明。例如,在一种可能的实施方式中,请结合参阅图7,步骤S130可以通过以下子步骤实现。
请结合参阅图8,步骤S131a,提供一掩模条本体1200。例如,掩模条本体1200的形状可以是长方体形状。
请结合参阅图9,步骤S132a,从掩模条本体1200的第一表面1201与对位凹槽113对应的位置进行第一刻蚀工艺(上刻蚀),形成分别与对位凹槽113对应的刻蚀槽1203。
请结合参阅图10,步骤S133a,从掩模条本体1200的第二表面1202位于刻蚀槽1203周侧的位置进行第二刻蚀工艺(下刻蚀),使刻蚀槽1203对应的位置形成异形对位部122,第二表面1203与第一表面1201相对。
再例如,在另一种可能的实施方式中,请结合参阅图11,步骤S130可以通过以下子步骤实现。
步骤S131b,提供一具有与对位掩模条120的形状相匹配的电铸模具。
步骤S132b,基于电铸模具进行金属电铸,形成具有异形对位部122对位掩模条120。
在一种可能的实施方式中,请结合参阅图12,在步骤S140之后,该掩模板结构100的制备方法还可以包括以下步骤。
请结合参阅图13,步骤S150,在将对位块1221固定设置于对位凹槽113内之后,对对位掩模条120进行切割,去除支撑部121以及连接块1222。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施方式的目的,而非旨在限制本申请。除非另作定义,本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同,并不排除其它元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而且可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其它含义。还应当理解,本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本申请,而非对本申请的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。在附图中,为清晰起见,可对形状和尺寸进行放大,并将在所有图中使用相同的附图标记来指示相同或相似的部件。涉及附接、联接等的术语是指这些结构通过中间结构彼此直接或间接固定或附接的关系、以及可动或刚性附接或关系,除非以其它方式明确地说明。
以上所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制本申请的保护范围,而仅仅是表示本申请的选定实施例。因此,本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。此外,基于本申请的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下可获得的所有其它实施例,都应属于本申请保护的范围。
Claims (10)
1.一种掩模板结构,其特征在于,所述掩模板结构包括掩模板框架及对位掩模条;
其中,所述掩模板框架包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面为在蒸镀过程中与待蒸镀基板相对的表面,所述掩模板框架的第一表面上间隔设置有多个对位凹槽;
其中,所述对位掩模条包括支撑部和异形对位部,所述异形对位部包括位于所述对位凹槽内的对位块以及分别从所述对位块的两端往所述第一表面的方向延伸的连接块,所述对位块通过所述连接块与所述支撑部连接,所述支撑部位于所述第一表面。
2.根据权利要求1所述的掩模板结构,其特征在于,所述对位块在垂直于所述第一表面的方向上的厚度小于所述对位凹槽的深度。
3.根据权利要求1所述的掩模板结构,其特征在于,在垂直于所述第一表面的方向上,所述对位块靠近所述第一表面的一侧与所述第一表面之间的距离d≠k*λ/n,其中,k为消光系数,λ为波长,n为折射率。
4.根据权利要求1所述的掩模板结构,其特征在于,所述对位块与所述对位凹槽的侧边缘之间存在间隙。
5.根据权利要求1所述的掩模板结构,其特征在于,所述对位凹槽的底面设置有第一焊接区,所述对位块设置有与所述第一焊接区对应的第二焊接区,所述对位块通过所述第一焊接区和所述第二焊接区固定于所述对位凹槽的底面。
6.根据权利要求1所述的掩模板结构,其特征在于,所述掩模板结构还包括精细金属掩模和支撑架,所述支撑架用于支撑所述精细金属掩模,所述精细金属掩模和所述支撑架固定于所述掩模板框架上位于所述对位凹槽的一侧。
7.一种掩模板结构的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供掩模板框架,所述掩模板框架包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面为在蒸镀过程中与待蒸镀基板相对的表面;
从所述掩模板框架的第一表面上形成多个往所述第二表面凹陷的对位凹槽;
制作形成具有与分别各所述对位凹槽对应的异形对位部的对位掩模条,相邻的异形对位部之间形成支撑所述异形对位部的支撑部,所述异形对位部包括对位块以及分别从所述对位块的两端延伸至所述支撑部的连接块;
将所述对位块固定设置于所述对位凹槽内,以使得所述连接块分别从所述对位块的两端往所述第一表面的方向延伸,所述对位块通过所述连接块与所述支撑部连接,所述支撑部与所述第一表面接触。
8.根据权利要求7所述的掩模板结构的制备方法,其特征在于,制作形成具有与分别各所述对位凹槽对应的异形对位部的对位掩模条,包括:
提供一掩模条本体;
从所述掩模条本体的第一表面与所述对位凹槽对应的位置进行第一刻蚀工艺,形成分别与所述对位凹槽对应的刻蚀槽;
从所述掩模条本体的第二表面位于所述刻蚀槽周侧的位置进行第二刻蚀工艺,使所述刻蚀槽对应的位置形成所述异形对位部,所述第二表面与所述第一表面相对。
9.根据权利要求7所述的掩模板结构的制备方法,其特征在于,制作形成具有与分别各所述对位凹槽对应的异形对位部的对位掩模条,包括:
提供一具有与所述对位掩模条的形状相匹配的电铸模具;
基于所述电铸模具进行金属电铸,形成具有所述异形对位部所述对位掩模条。
10.根据权利要求7-9任意一项所述的掩模板结构的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:
在将所述对位块固定设置于所述对位凹槽内之后,对所述对位掩模条进行切割,去除所述支撑部以及所述连接块。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114281215A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-05 | 安徽辅朗光学材料有限公司 | 一种触控板、触控模组及制备工艺 |
CN115323322A (zh) * | 2022-08-26 | 2022-11-11 | 昆山国显光电有限公司 | 掩模版 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100201151B1 (ko) * | 1995-11-30 | 1999-06-15 | 김영남 | 칼라브라운관의 마스크 프레임 접합구조 |
US20150101536A1 (en) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask assembly and deposition apparatus using the same for flat panel display |
CN106191769A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版、基板、显示面板和显示装置 |
US20170207390A1 (en) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask frame assembly, apparatus and method for manufacturing a display apparatus |
CN107653436A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制作方法、蒸镀方法 |
CN207331040U (zh) * | 2017-10-31 | 2018-05-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板 |
CN110527949A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-03 | 昆山国显光电有限公司 | 一种对位掩膜板、掩膜板及制作方法 |
CN111088473A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-05-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对位掩膜板、对位机构、对位掩膜板的制备方法 |
CN111471960A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板以及制备方法 |
US20200384497A1 (en) * | 2018-03-22 | 2020-12-10 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Mask device and manufacturing method thereof, evaporation system |
CN112626452A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-04-09 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜结构 |
-
2021
- 2021-06-23 CN CN202110697699.1A patent/CN113403576B/zh active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100201151B1 (ko) * | 1995-11-30 | 1999-06-15 | 김영남 | 칼라브라운관의 마스크 프레임 접합구조 |
US20150101536A1 (en) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask assembly and deposition apparatus using the same for flat panel display |
US20170207390A1 (en) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask frame assembly, apparatus and method for manufacturing a display apparatus |
CN106191769A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版、基板、显示面板和显示装置 |
CN107653436A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制作方法、蒸镀方法 |
CN207331040U (zh) * | 2017-10-31 | 2018-05-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板 |
US20200384497A1 (en) * | 2018-03-22 | 2020-12-10 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Mask device and manufacturing method thereof, evaporation system |
CN110527949A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-03 | 昆山国显光电有限公司 | 一种对位掩膜板、掩膜板及制作方法 |
CN111088473A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-05-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对位掩膜板、对位机构、对位掩膜板的制备方法 |
CN111471960A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板以及制备方法 |
CN112626452A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-04-09 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜结构 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114281215A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-05 | 安徽辅朗光学材料有限公司 | 一种触控板、触控模组及制备工艺 |
CN115323322A (zh) * | 2022-08-26 | 2022-11-11 | 昆山国显光电有限公司 | 掩模版 |
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Publication number | Publication date |
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