CN113381714B - 一种采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器 - Google Patents

一种采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器 Download PDF

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Abstract

本发明属于半导体混合集成电路设计技术领域,公开了一种采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器,包括电阻R7、电阻R17、电容C4、电容C5、电容C6、二极管D2、二极管D3、差分对放大电路、交流前馈放大电路、基于渥尔曼结构的第一拟合电路、基于渥尔曼结构的第二拟合电路以及推挽电路。在直流通路使用差分对放大电路,交流通路使用交流前馈放大电路,由第一拟合电路和第二拟合电路进行交流、直流拟合,由推挽电路输出放大信号,直流分量通过差分对放大电路放大获得良好的直流输入特性,交流分量通过拟合电路与直流分量进行耦合,通过推挽电路获得宽摆幅的输出范围,具有高工作电压、大驱动电流及高转换速率的特性。

Description

一种采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器
技术领域
本发明属于半导体混合集成电路设计技术领域,涉及一种采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器。
背景技术
高压高速运算放大器属于通用功率器件,用于完成信号的传递并对负载产生一定的驱动能力,具有性能稳定可靠、噪声小、体积小、驱动能力强以及使用方便等优点。目前主要应用在功率传感器、线性和旋转电机驱动以及无线电通信等***中,在弹、箭、星及船等各种设备上都能得到广泛应用,并且在工业控制、汽车电子轨道交通、新能源***、网络通信、消费电子及医疗设备等领域更是焕发了强大的生命力。
在上述这些领域中,不仅需要将小信号放大后为负载提供较大的驱动功率,并且为保证信号具有较高的传输速率,要求运放的带宽足够大,能够在尽量短的时间内把所需要的信号建立起来,需要采用具有高功率带宽、高工作电压、大驱动电流及转换速率高的运算放大器。
但是,现有的运算放大器的功率带宽、工作电压、驱动电流及转换速率较低,较难满足上述领域的使用需求。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术中,现有的运算放大器的功率带宽、工作电压、驱动电流及转换速率较低的缺点,提供一种采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器。
为达到上述目的,本发明采用以下技术方案予以实现:
一种采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器,包括电阻R7、电阻R17、电容C4、电容C5、电容C6、二极管D2、二极管D3、差分对放大电路、前馈交流放大电路、基于渥尔曼结构的第一拟合电路、基于渥尔曼结构的第二拟合电路以及推挽电路;
电阻R7用于接收待处理信号,并将待处理信号的直流分量输出至差分对放大电路;差分对放大电路用于放大待处理信号的直流分量,得到第一放大直流分量和第二放大直流分量,并将第一放大直流分量输出至第一拟合电路,将第二放大直流分量输出至第二拟合电路;
电容C4用于接收待处理信号,并将待处理信号的交流分量输出至前馈交流放大电路;前馈交流放大电路用于放大待处理信号的交流分量,得到放大交流分量并分别通过电容C5和电容C6输送至第一拟合电路和第二拟合电路;
第一拟合电路用于耦合第一放大直流分量和放大交流分量,得到第一耦合量并输出至推挽电路;第二拟合电路用于耦合第二放大直流分量和放大交流分量,得到第二耦合量并输出至推挽电路;推挽电路用于根据输入的第一耦合量和第二耦合量,得到并输出待处理信号的放大信号;
二极管D2的阳极与第一拟合电路的输出端连接,阴极与二极管D3的阳极连接;二极管D3的阴极与第二拟合电路的输出端连接。
本发明进一步的改进在于:
所述差分对放大电路包括电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R8、电阻R11、电阻R17、三极管T2、三极管T3、三极管T6、三极管T7、三极管T8以及电容C3;三极管T6的基极以及电容C3的第一端均与电阻R7连接,三极管T6的集电极与电阻R4的第一端以及三极管T2的基极均连接,三极管T6的发射极与电阻R11的第一端以及三极管T7的发射极均连接,电阻R11的第二端用于连接输入级负电源;三极管T7的集电极与电阻R5的第一端以及三极管T3的基极均连接;三极管T7的基极与三极管T2的集电极连接且接地;三极管T2的发射极与三极管T7的发射极以及电阻R2的第一端均连接,电阻R2的第二端、电阻R4的第二端及电阻R5的第二端均用于连接输入级正电源;三极管T3的集电极与电容C3的第二端、三极管T8的基极、以及电阻R17的第一端均连接;电阻R17的第二端用于连接输出级负电源;三极管T8的发射极连接第二拟合电路,三极管T8的集电极通过电阻R8连接第一拟合电路。
所述前馈交流放大电路包括电阻R12、电阻R15、电阻R16、电阻R18、电阻R19、三极管T9、三极管T12、电容C7以及二极管D5;电阻R15的第一端与电容C4、电阻R12的第一端以及三极管T9的栅极均连接,电阻R15的第二端与电容C7的第一端、电阻R19的第一端以及电阻R18的第一端均连接;电阻R12的第二端以及三极管T9的源极均接地,三极管T9的漏极与三极管T12的集电极连接后与电容C5和电容C6连接;三极管T12的发射极与电阻R18的第二端连接,三极管T12的基极与电阻R16的第一端、二极管D5的阳极以及电容C7的第二端均连接,二极管D5的阴极与电阻R19的第二端连接,阻R16的第二端接地。
所述三极管T9为结型场效应管。
所述第一拟合电路包括电阻R1、电阻R3、电阻R6、三极管T1、三极管T4、电容C1、电容C2以及稳压二极管D1;三极管T1的基极与电阻R3的第一端、差分对放大电路和电容C5均连接;三极管T1的发射极与电阻R1的第一端以及电容C1的第一端均连接,三极管T1的集电极与三极管T4的发射极连接;电阻R3的第二端与稳压二极管D1的阴极、电容C2的第一端、电阻R1的第二端以及电容C1的第二端均连接,且用于连接输出级正电源;电阻R6的第一端接地,第二端与稳压二极管D1的阳极、电容C2的第二端以及三极管T4的基极均连接;三极管T4的集电极与二极管D2的阳极以及推挽电路均连接。
所述第二拟合电路包括电阻R13、电阻R14、电阻R20、电阻R21、三极管T11、三极管T13、电容C8、电容C9、二极管D4以及稳压二极管D6;电阻R20的第一端连接二极管D4的阴极,另一端与稳压二极管D6的阳极、电容C8的第一端、电容C9的第一端以及电阻R21的第一端均连接,且用于连接输出级负电源;二极管D4的阳极与电阻R14的第一端、电容C6以及三极管T13的基极均连接;电阻R14的第二端与稳压二极管D6的阴极、电容C8的第二端、三极管T11的基极以及电阻R13的第一端均连接,电阻R13的第二端接地;电容C9的第二端与差分对放大电路、三极管T13的发射极以及电阻R21的第二端均连接;三极管T13的集电极与三极管T11的发射极连接,三极管T11的集电极与二极管D3的阴极以及推挽电路均连接。
所述推挽电路包括电阻R9、电阻R10、三极管T5以及三极管T10;三极管T5的基极与第一拟合电路和二极管D2的阳极均连接,三极管T5的集电极用于连接输出级正电源,三极管T5的发射极依次连接电阻R9、电阻R10和三极管T10的发射极;三极管T10的基极与第二拟合电路和二极管D3的阴极均连接,三极管T10的集电极用于连接输出级负电源。
所述三极管T5为PNP型三极管,三极管T10为NPN型三极管。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
本发明采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器,通过在直流通路使用差分对放大电路,交流通路使用前馈交流放大电路,然后通过具有渥尔曼放大结构的第一拟合电路和第二拟合电路进行交流、直流拟合,最后通过推挽电路输出放大信号。具有直流及交流通路,直流分量通过差分对放大电路放大获得良好的直流输入特性,交流分量通过前馈交流放大电路与直流分量进行耦合,最终通过推挽电路获得宽摆幅的输出范围。该结构的反相高压高速运算放大器在具有良好直流输入特性的同时,通过交流通路前馈结构获得了更高的功率带宽,具有高工作电压、大驱动电流及高转换速率的特性。实现了在保证良好直流输入特性的同时,通过交流通路前馈结构获得了更高的功率带宽,具有高工作电压、大驱动电流及高转换速率的特性。能够广泛应用于各种功率传感器、线性和旋转电机驱动、无线电通信等***中,且结构简单,成本低廉。
附图说明
图1为本发明的采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器结构框图;
图2为本发明的采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器拓扑图。
其中:001-差分对放大电路;002-交流前馈放大电路;003-第一拟合电路;004-第二拟合电路;005-推挽电路;VCC1、VEE1分别为输入级正电源、输入级负电源,VCC2、VEE2分别为输出级正电源、输出级负电源;GND为零电位点。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是,本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
下面结合附图对本发明做进一步详细描述:
参见图1,本发明提供一种采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器,包括电阻R7、电阻R17、电容C4、电容C5、电容C6、二极管D2、二极管D3、差分对放大电路001、交流前馈放大电路002、基于渥尔曼结构的第一拟合电路003、基于渥尔曼结构的第二拟合电路004以及推挽电路005。
其中,电阻R7用于接收待处理信号,并将待处理信号的直流分量输出至差分对放大电路001;差分对放大电路001用于放大待处理信号的直流分量,得到第一放大直流分量和第二放大直流分量,并将第一放大直流分量输出至第一拟合电路003,将第二放大直流分量输出至第二拟合电路004;电容C4用于接收待处理信号,并将待处理信号的交流分量输出至交流前馈放大电路002;交流前馈放大电路002用于放大待处理信号的交流分量,得到放大交流分量并分别通过电容C5和电容C6输送至第一拟合电路003和第二拟合电路004;第一拟合电路003用于耦合第一放大直流分量和放大交流分量,得到第一耦合量并输出至推挽电路005;第二拟合电路004用于耦合第二放大直流分量和放大交流分量,得到第二耦合量并输出至推挽电路005;推挽电路005用于根据输入的第一耦合量和第二耦合量,得到并输出待处理信号的放大信号;二极管D2的阳极与第一拟合电路003的输出端连接,阴极与二极管D3的阳极连接;二极管D3的阴极与第二拟合电路004的输出端连接。
参见图2,优选的,所述差分对放大电路001包括电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R8、电阻R11、电阻R17、三极管T2、三极管T3、三极管T6、三极管T7、三极管T8以及电容C3;三极管T6的基极以及电容C3的第一端均与电阻R7连接,三极管T6的集电极与电阻R4的第一端以及三极管T2的基极均连接,三极管T6的发射极与电阻R11的第一端以及三极管T7的发射极均连接,电阻R11的第二端用于连接输入级负电源;三极管T7的集电极与电阻R5的第一端以及三极管T3的基极均连接;三极管T7的基极与三极管T2的集电极连接且接地;三极管T2的发射极与三极管T7的发射极以及电阻R2的第一端均连接,电阻R2的第二端、电阻R4的第二端及电阻R5的第二端均用于连接输入级正电源;三极管T3的集电极与电容C3的第二端、三极管T8的基极、以及电阻R17的第一端均连接;电阻R17的第二端用于连接输出级负电源;三极管T8的发射极连接第二拟合电路004,三极管T8的集电极通过电阻R8连接第一拟合电路003。
优选的,所述前馈交流放大电路002包括电阻R12、电阻R15、电阻R16、电阻R18、电阻R19、三极管T9、三极管T12、电容C7以及二极管D5;电阻R15的第一端与电容C4、电阻R12的第一端以及三极管T9的栅极均连接,电阻R15的第二端与电容C7的第一端、电阻R19的第一端以及电阻R18的第一端均连接;电阻R12的第二端以及三极管T9的源极均接地,三极管T9的漏极与三极管T12的集电极连接后与电容C5和电容C6连接;三极管T12的发射极与电阻R18的第二端连接,三极管T12的基极与电阻R16的第一端、二极管D5的阳极以及电容C7的第二端均连接,二极管D5的阴极与电阻R19的第二端连接,阻R16的第二端接地。其中,所述三极管T9可以采用结型场效应管,例如:J型场效应管。
电阻R16、二极管D5、电阻R19共同实现三极管T12的基极偏置电压设置。电容C7的一端与三极管T12的基极相连另一端与VEE1相连实现三极管T12的交流接地。三极管T12集电极即为经过放大电路放大后的交流信号,该交流信号分别通过电容C5、电容C6前馈至输出级的第一拟合电路003和第二拟合电路004并与直流通路放大的信号进行耦合,最终输出至推挽电路005。
优选的,所述第一拟合电路003包括电阻R1、电阻R3、电阻R6、三极管T1、三极管T4、电容C1、电容C2以及稳压二极管D1;三极管T1的基极与电阻R3的第一端、差分对放大电路001和电容C5均连接;三极管T1的发射极与电阻R1的第一端以及电容C1的第一端均连接,三极管T1的集电极与三极管T4的发射极连接;电阻R3的第二端与稳压二极管D1的阴极、电容C2的第一端、电阻R1的第二端以及电容C1的第二端均连接,且用于连接输出级正电源;电阻R6的第一端接地,第二端与稳压二极管D1的阳极、电容C2的第二端以及三极管T4的基极均连接;三极管T4的集电极与二极管D2的阳极以及推挽电路005均连接。
优选的,所述第二拟合电路004包括电阻R13、电阻R14、电阻R20、电阻R21、三极管T11、三极管T13、电容C8、电容C9、二极管D4以及稳压二极管D6;电阻R20的第一端连接二极管D4的阴极,另一端与稳压二极管D6的阳极、电容C8的第一端、电容C9的第一端以及电阻R21的第一端均连接,且用于连接输出级负电源;二极管D4的阳极与电阻R14的第一端、电容C6以及三极管T13的基极均连接;电阻R14的第二端与稳压二极管D6的阴极、电容C8的第二端、三极管T11的基极以及电阻R13的第一端均连接,电阻R13的第二端接地;电容C9的第二端与差分对放大电路001、三极管T13的发射极以及电阻R21的第二端均连接;三极管T13的集电极与三极管T11的发射极连接,三极管T11的集电极与二极管D3的阴极以及推挽电路005均连接。
优选的,所述推挽电路005包括电阻R9、电阻R10、三极管T5以及三极管T10;三极管T5的基极与第一拟合电路003和二极管D2的阳极均连接,三极管T5的集电极用于连接输出级正电源,三极管T5的发射极依次连接电阻R9、电阻R10和三极管T10的发射极;三极管T10的基极与第二拟合电路004和二极管D3的阴极均连接,三极管T10的集电极用于连接输出级负电源。其中,三极管T5可采用PNP型三极管,三极管T10可采用NPN型三极管。
本发明采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器的具体工作原理如下:
输入信号经电阻R8送入由三极管T2、三极管T3、三极管T6、三极管T7、电阻R2、电阻R4、电阻R5以及三极管T8构成的直流通路的差分对放大电路001,以获得良好的直流特性。输入信号的直流分量经差分对放大电路001处理后送入三极管T8进一步放大。输入信号的交流分量通过电容C4送入结型场效应管T9与T12构成的放大电路,对交流分量进行电压及电流的放大。放大后的交流分量分为两路,一路通过电容C5在三极管T1和三极管T4构成的基于渥尔曼结构放大电路的第一拟合电路003与三极管T8的放大的直流信号分量进行耦合,并构成交流前馈结构。其中,交流分量经电容C5与三极管T8的集电极处产生的直流分量进行耦合送入三极管T1的基极,经渥尔曼结构的放大电路放大后送入输出级推挽结构005的三极管T5的基极;另一路通过电容C6,在三极管T11及三极管T13构成的基于渥尔曼放大电路的第二拟合电路004与三极管T8放大的直流信号分量进行耦合并构成交流前馈结构。其中交流分量经电容C6与三极管T8的发射极处产生的直流分量分别在三极管T13的基极与发射极进行耦合,同样经渥尔曼结构的放大电路放大后送入输出级推挽结构005的三极管T10的基极。通过将输入信号经过放大电路002经电容前馈至宽频带特性的渥尔曼结构交流、直流分量拟合通路,获得较好的高频放大特性及宽频带特性。
本发明采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器,是针对工业控制、汽车电子轨道交通、新能源***、医疗设备等领域中需要将采集到的模拟小信号快速放大,且具有较高的后级驱动能力的需求,进行设计的一款高压高速运算放大器。通过在直流通路使用差分对放大电路001、前馈交流放大电路002,然后通过基于渥尔曼结构的第一拟合电路003和基于渥尔曼结构的第二拟合电路004进行交流、直流拟合,最后通过推挽电路005输出放大信号。具有直流及交流通路,直流分量通过差分对放大电路001放大获得良好的直流输入特性,交流分量通过放大电路002前馈与直流分量进行耦合,最终通过推挽电路005获得宽摆幅的输出范围。该结构的反相高压高速运算放大器在具有良好直流输入特性的同时,通过交流通路前馈结构及基于渥尔曼结构的拟合电路获得了更高的功率带宽,具有高工作电压、大驱动电流及高转换速率的特性。实现了在保证良好直流输入特性的同时,通过交流通路前馈结构获得了更高的功率带宽,具有高工作电压、大驱动电流及高转换速率的特性。能够广泛应用于各种功率传感器、线性和旋转电机驱动、无线电通信等***中。并且线路结构简单,成本低廉,能够便捷地实现反相高压高速放大器,在工业控制、汽车电子轨道交通等领域应用,效果良好。
以上内容仅为说明本发明的技术思想,不能以此限定本发明的保护范围,凡是按照本发明提出的技术思想,在技术方案基础上所做的任何改动,均落入本发明权利要求书的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器,其特征在于,包括电阻R7、电阻R17、电容C4、电容C5、电容C6、二极管D2、二极管D3、差分对放大电路、前馈交流放大电路、基于渥尔曼结构的第一拟合电路、基于渥尔曼结构的第二拟合电路以及推挽电路;
电阻R7用于接收待处理信号,并将待处理信号的直流分量输出至差分对放大电路;差分对放大电路用于放大待处理信号的直流分量,得到第一放大直流分量和第二放大直流分量,并将第一放大直流分量输出至第一拟合电路,将第二放大直流分量输出至第二拟合电路;
电容C4用于接收待处理信号,并将待处理信号的交流分量输出至前馈交流放大电路;前馈交流放大电路用于放大待处理信号的交流分量,得到放大交流分量并分别通过电容C5和电容C6输送至第一拟合电路和第二拟合电路;
第一拟合电路用于耦合第一放大直流分量和放大交流分量,得到第一耦合量并输出至推挽电路;第二拟合电路用于耦合第二放大直流分量和放大交流分量,得到第二耦合量并输出至推挽电路;推挽电路用于根据输入的第一耦合量和第二耦合量,得到并输出待处理信号的放大信号;
二极管D2的阳极与第一拟合电路的输出端连接,阴极与二极管D3的阳极连接;二极管D3的阴极与第二拟合电路的输出端连接;
所述前馈交流放大电路包括电阻R12、电阻R15、电阻R16、电阻R18、电阻R19、三极管T9、三极管T12、电容C7以及二极管D5;
电阻R15的第一端与电容C4、电阻R12的第一端以及三极管T9的栅极均连接,电阻R15的第二端与电容C7的第一端、电阻R19的第一端以及电阻R18的第一端均连接且用于连接输入级负电源;电阻R12的第二端以及三极管T9的源极均接地,三极管T9的漏极与三极管T12的集电极连接后与电容C5和电容C6连接;三极管T12的发射极与电阻R18的第二端连接,三极管T12的基极与电阻R16的第一端、二极管D5的阳极以及电容C7的第二端均连接,二极管D5的阴极与电阻R19的第二端连接,阻R16的第二端接地;
所述第一拟合电路包括电阻R1、电阻R3、电阻R6、三极管T1、三极管T4、电容C1、电容C2以及稳压二极管D1;
三极管T1的基极与电阻R3的第一端、差分对放大电路和电容C5均连接;三极管T1的发射极与电阻R1的第一端以及电容C1的第一端均连接,三极管T1的集电极与三极管T4的发射极连接;电阻R3的第二端与稳压二极管D1的阴极、电容C2的第一端、电阻R1的第二端以及电容C1的第二端均连接,且用于连接输出级正电源;电阻R6的第一端接地,第二端与稳压二极管D1的阳极、电容C2的第二端以及三极管T4的基极均连接;三极管T4的集电极与二极管D2的阳极以及推挽电路均连接;
所述第二拟合电路包括电阻R13、电阻R14、电阻R20、电阻R21、三极管T11、三极管T13、电容C8、电容C9、二极管D4以及稳压二极管D6;
电阻R20的第一端连接二极管D4的阴极,另一端与稳压二极管D6的阳极、电容C8的第一端、电容C9的第一端以及电阻R21的第一端均连接,且用于连接输出级负电源;二极管D4的阳极与电阻R14的第一端、电容C6以及三极管T13的基极均连接;电阻R14的第二端与稳压二极管D6的阴极、电容C8的第二端、三极管T11的基极以及电阻R13的第一端均连接,电阻R13的第二端接地;电容C9的第二端与差分对放大电路、三极管T13的发射极以及电阻R21的第二端均连接;三极管T13的集电极与三极管T11的发射极连接,三极管T11的集电极与二极管D3的阴极以及推挽电路均连接。
2.根据权利要求1所述的采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器,其特征在于,所述差分对放大电路包括电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R8、电阻R11、电阻R17、三极管T2、三极管T3、三极管T6、三极管T7、三极管T8以及电容C3;
三极管T6的基极以及电容C3的第一端均与电阻R7连接,三极管T6的集电极与电阻R4的第一端以及三极管T2的基极均连接,三极管T6的发射极与电阻R11的第一端以及三极管T7的发射极均连接,电阻R11的第二端用于连接输入级负电源;三极管T7的集电极与电阻R5的第一端以及三极管T3的基极均连接;三极管T7的基极与三极管T2的集电极连接且接地;三极管T2的发射极与三极管T7的发射极以及电阻R2的第一端均连接,电阻R2的第二端、电阻R4的第二端及电阻R5的第二端均用于连接输入级正电源;三极管T3的集电极与电容C3的第二端、三极管T8的基极、以及电阻R17的第一端均连接;电阻R17的第二端用于连接输出级负电源;三极管T8的发射极连接第二拟合电路,三极管T8的集电极通过电阻R8连接第一拟合电路。
3.根据权利要求1所述的采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器,其特征在于,所述三极管T9为结型场效应管。
4.根据权利要求1所述的采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器,其特征在于,所述推挽电路包括电阻R9、电阻R10、三极管T5以及三极管T10;
三极管T5的基极与第一拟合电路和二极管D2的阳极均连接,三极管T5的集电极用于连接输出级正电源,三极管T5的发射极依次连接电阻R9、电阻R10和三极管T10的发射极;三极管T10的基极与第二拟合电路和二极管D3的阴极均连接,三极管T10的集电极用于连接输出级负电源。
5.根据权利要求4所述的采用交流通路前馈拓扑结构的反相运算放大器,其特征在于,所述三极管T5为PNP型三极管,三极管T10为NPN型三极管。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4063185A (en) * 1976-02-25 1977-12-13 Hitachi, Ltd Direct coupling type power amplifier circuit
CN108377137A (zh) * 2018-05-07 2018-08-07 贵州大学 一种高压大功率集成运算放大器
CN109982205A (zh) * 2019-04-30 2019-07-05 先歌国际影音有限公司 一种小功率功放动态偏置电路
CN209448712U (zh) * 2018-12-28 2019-09-27 西安交通大学 一种大功率线性高频放大器
CN112234838A (zh) * 2020-09-11 2021-01-15 燕山大学 一种高频链互联的三端口mmc-sst拓扑及控制策略

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7639078B2 (en) * 2006-07-27 2009-12-29 Linear Technology Corporation Class AB folded-cascode amplifier having cascode compensation
KR102421015B1 (ko) * 2017-04-28 2022-07-15 부르메스터 아우디오시스테메 게엠베하 신호 증폭기 회로, 전압 변환기 및 시스템

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4063185A (en) * 1976-02-25 1977-12-13 Hitachi, Ltd Direct coupling type power amplifier circuit
CN108377137A (zh) * 2018-05-07 2018-08-07 贵州大学 一种高压大功率集成运算放大器
CN209448712U (zh) * 2018-12-28 2019-09-27 西安交通大学 一种大功率线性高频放大器
CN109982205A (zh) * 2019-04-30 2019-07-05 先歌国际影音有限公司 一种小功率功放动态偏置电路
CN112234838A (zh) * 2020-09-11 2021-01-15 燕山大学 一种高频链互联的三端口mmc-sst拓扑及控制策略

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A high speed CMOS amplifier with active feedforward compensation for contactless card reader;Bangtian Jia等;《Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology, 2004.》;1453-1456 *
面向智能变电站现场试验的功率放大器的研制;周瑜;《中国优秀硕士学位论文全文数据库工程科技Ⅱ辑》;C042-1503 *

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