CN113354849B - 一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜及其生产工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜,该薄膜包括如下重量份的原料:3,3’,4,4’‑二苯醚四甲酸二酐20.5‑31.5份、含氟二胺单体8.3‑15.5份、含三嗪基二胺单体10.2‑14.8份、改性填料0.04‑0.06份;本发明还公开了该薄膜的生产工艺,第一步将含氟二胺单体、含三嗪基二胺单体和3,3’,4,4’‑二苯醚四甲酸二酐反应,得到聚酰亚胺溶液,第二步将聚酰亚胺溶液和改性填料复合,得到成膜溶液,第三步将成膜溶液在玻璃板上成膜,得到聚酰亚胺薄膜。本发明中通过对二胺单体改性,使其具备高疏水性、热稳定性和力学性能,改性填料中各成分的协同作用也赋予薄膜良好的抗静电性质。
Description
技术领域
本发明属于高分子材料技术领域,涉及一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜及其生产工艺。
背景技术
薄膜是应用非常广泛的一类材料,基于高性能聚合物的薄膜材料相比于传统聚合物制成的薄膜具有优异的综合性能,因此在微电子工业,能源及宇航航空等高技术领域得到应用。目前已经有商品化的高性能聚合物薄膜,较有代表性的有Victrex公司开发的基于聚醚醚酮(PEEK)的薄膜;基于聚酰亚胺的由Dupont公司开发的/>系列薄膜和UBE公司开发的/>及/>薄膜。
其中聚酰亚胺是指一类主链中含有酰亚胺环结构的高性能聚合物,通常是由二胺和四酸二酐或衍生物通过缩聚反应而制备得到,由于单体种类众多,性能可通过控制原料及制备条件来调适,聚合反应易于进行及综合性能出众,聚酰亚胺是被研究的最广泛的高性能聚合物。参考中国专利CN105504811B公开的一种长效抗静电聚酰亚胺薄膜,是由芳香族二胺和四羧酸二酐进行聚合反应得到聚酰胺酸的亚胺化物,并加入抗静电剂,进行流延制成,该聚酰亚胺薄膜的表面电阻在105-107Ω之间,且表面电阻值不会发生变化,长期起到抗静电的作用,但是在长期使用过程中会接触酸碱等腐蚀性物质导致侵蚀,大大缩短其使用寿命,因此需要开发一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜。
发明内容
本发明的目的在于提供一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜及其生产工艺。
本发明需要解决的问题:现有的聚酰亚胺薄膜在长期使用过程中会接触酸碱等腐蚀性物质导致侵蚀,大大缩短其使用寿命,因此需要开发一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜,包括如下重量份的原料:
3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐20.5-31.5份、含氟二胺单体8.3-15.5份、含三嗪基二胺单体10.2-14.8份、改性填料0.04-0.06份;
该抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜由如下步骤制成:
步骤A1,向三口烧瓶中加入N,N二甲基乙酰胺、含氟二胺单体和含三嗪基二胺单体,搅拌均匀后,向其中缓慢加入3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐,室温下回流反应3-4h,得到聚酰亚胺溶液;
反应过程如下:
步骤A2,向三口烧瓶中加入聚酰亚胺溶液和改性填料,室温下于30-40kHz频率下超声反应4-5h,得到成膜溶液;
步骤A3,将成膜溶液在玻璃板上铺膜,使用5mm刮刀刮平,放置在烘箱中通过程序控温成膜,得到聚酰亚胺薄膜。
进一步,步骤A1所述N,N二甲基乙酰胺的用量为3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐质量的10-12倍。
进一步,步骤A3所述程序控温为控制升温速率为2-5℃/min,先升温到80-120℃恒温30-90min,再升温到180-220℃恒温30-90min,最后升温到280-380℃恒温30-90min。
其中含氟二胺单体由如下步骤制得:
步骤S1,将4,4’-二氟二苯砜溶于质量分数98%的浓硫酸中,向其中加入N-溴代丁二酰亚胺,升温至60℃,搅拌均匀,然后降温至室温反应6-7h,再转移至冰水中析出沉淀,过滤,滤饼用去离子水和正己烷分别洗涤2-3次,再用甲苯重结晶,得到中间体1;
反应过程如下:
步骤S2,向三口烧瓶中加入中间体1、4-三氟甲基苯硼酸和甲苯,搅拌溶解后,向其中加入质量分数15%的碳酸钠溶液和四(三苯基膦)钯,升温至120℃回流反应10-12h,再用甲苯重结晶得到中间体2;
反应过程如下:
步骤S3,向三口烧瓶中加入中间体2、4-氨基苯酚、无水碳酸钾、N,N-二甲基乙酰胺和甲苯,升温至120℃回流反应2-3h,再升温至140℃回流反应10-12h,加入质量分数10%的乙醇溶液,得到沉淀,沉淀经去离子水洗涤2-3次,于80-90℃干燥3-4h,得到含氟二胺单体。
反应过程如下:
进一步,步骤S1所述4,4’-二氟二苯砜、浓硫酸、N-溴代丁二酰亚胺的用量比为0.1-0.15mol:145-155mL:0.2-0.3mmol。
进一步,步骤S2所述中间体1、4-三氟甲基苯硼酸、甲苯、碳酸钠溶液、四(三苯基膦)钯的用量比为0.05-0.06mol:0.10-0.13mol:280-310mL:280-310mL:2-2.5g。
进一步,步骤S3所述中间体2、4-氨基苯酚、无水碳酸钾、N,N-二甲基乙酰胺、甲苯、乙醇溶液的用量比为0.015-0.02mol:0.03-0.032mol:0.03-0.032mol:30-40mL:10-12mL:50-55mL。
其中含三嗪基二胺单体由如下步骤制得:
向三口烧瓶中加入4,4’-二氨基二苯甲烷、无水碳酸钠和1,4-二氧六环,搅拌均匀后,向其中滴加2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪的1,4-二氧六环溶液,升温至120℃回流反应4-5h,将反应液倒入冰水中析出固体,将得到的固体进行柱层析提纯,得到含三嗪基二胺单体。
反应过程如下:
进一步,所述4,4’-二氨基二苯甲烷、无水碳酸钠、1,4-二氧六环、2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪的1,4-二氧六环溶液的用量比为33.8-34.2mmol:8.5-8.6mmol:18-22mL:15-18g,2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪的1,4-二氧六环溶液中2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪和1,4-二氧六环的用量比为4-4.2mmol:15-18mL。
其中改性填料由如下步骤制得:
步骤C1,将膨胀石墨置于800-820℃马弗炉中热膨胀1-2min,再使用发烟硫酸处理,备用;
步骤C2,向三口烧瓶中加入质量分数95%的乙醇溶液和KH-550,搅拌均匀后,加入T-ZnOw,升温至60℃恒温反应30-60min,抽滤,滤饼置于80℃烘箱中干燥3-4h,得到改性T-ZnOw;
步骤C3,将石蜡加热融化,在250-280rpm速率下加入步骤C1处理后的膨胀石墨、步骤C2制备的改性T-ZnOw,搅拌均匀后,加入碳纤维,搅拌混合1-2h,得到改性填料。
进一步,步骤C2所述乙醇溶液、KH-550、T-ZnOw的用量比为10-20mL:0.5-0.8g:2.2-2.5g。
进一步,步骤C3所述石蜡、膨胀石墨、改性T-ZnOw、碳纤维的用量比为10-12g:0.7-0.84g:0.3-0.4g:0.5-0.6g。
一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜的生产工艺,包括如下步骤:
步骤A1,向三口烧瓶中加入N,N二甲基乙酰胺、含氟二胺单体和含三嗪基二胺单体,搅拌均匀后,向其中缓慢加入3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐,室温下回流反应3-4h,得到聚酰亚胺溶液;
步骤A2,向三口烧瓶中加入聚酰亚胺溶液和改性填料,室温下于30-40kHz频率下超声反应4-5h,得到成膜溶液;
步骤A3,将成膜溶液在玻璃板上铺膜,使用5mm刮刀刮平,放置在烘箱中通过程序控温成膜,得到聚酰亚胺薄膜。
本发明的有益效果:本发明的目的在于提供一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜及其生产工艺,通过二胺单体与3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐反应生成聚酰亚胺高分子,通过对二胺单体进行改性,使其具备高疏水性、热稳定性和力学性能,其中合成含氟二胺单体,首先,由4,4’-二氟二苯砜和N-溴代丁二酰亚胺在浓硫酸催化下经溴代反应得到中间体1,然后中间体1和4-三氟甲基苯硼酸在四(三苯基膦)钯的催化下经Suzuki偶联反应得到中间体2,最后由中间体2和4-氨基苯酚经亲核取代反应制得含氟二胺单体,C-F键的存在提高了基材的疏水性能,阻挡酸性或碱性物质浸染基材,进而腐蚀基材,此外提高薄膜的光学透明性,主要归因于聚合物主链上大体积三氟甲基苯基和强吸电子砜基的引入,一方面,由于三氟甲基苯基的空间位阻作用,可以使聚合物分子主链绕醚键成扭曲非共平面结构,从而有效破坏分子链的芳香共轭性,另一方面,强吸电子的砜基可以降低聚酰亚胺中胺基结构单元的给电子能力,从而有效的减弱了整个分子链内的电荷转移-络合作用,两者协同作用赋予薄膜优异的光学特性;另外含三嗪基二胺单体赋予基材热稳定性和力学性能,三嗪环具有对称的骨架结构,C、N原子均采用sp2杂化,处于同一个平面上,故拥有传统意义上的芳香性,特殊的结构特征赋予了均三嗪高的电子亲和性和优异的稳定性,其结构中的三个碳原子可以直接连接烃基或者通过氧原子、氮原子等杂原子连接其他结构构成三取代的均三嗪分子,具有良好的化学和物理性能,耐热性能和力学强度明显增强。
此外,改性填料也赋予薄膜良好的抗静电性质,采用膨胀石墨、改性T-ZnOw、石蜡和碳纤维组成的复合材料,膨胀石墨和碳纤维协同作用,膨胀石墨优先分散于基材中,并在此相中形成导电网络,而碳纤维则在绝缘区连接搭桥,进一步提高了基材的导电性能,使其具备抗静电特性,并且膨胀石墨和碳纤维能提高基材的储能模量,增加材料的强度和硬度,但是耗能模量变化不明显,即基材的冲击强度没有太大改变,配合T-ZnOw,T-ZnOw是n型半导体,体积电阻率为7.14Ω·cm,具有一定的导电性,被压缩的T-ZnOw晶须样品的表观电阻率为104Ω·cm-108Ω·cm,用其制备的高分子材料具有较好的抗静电性,满足聚酰亚胺薄膜的抗静电要求。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
含氟二胺单体由如下步骤制得:
步骤S1,将0.1mol4,4’-二氟二苯砜溶于145mL质量分数98%的浓硫酸中,向其中加入0.2mmolN-溴代丁二酰亚胺,升温至60℃,搅拌均匀,然后降温至室温反应6h,再转移至冰水中析出沉淀,过滤,滤饼用去离子水和正己烷分别洗涤2次,再用甲苯重结晶,得到中间体1;
步骤S2,向三口烧瓶中加入0.05mol中间体1、0.10mol4-三氟甲基苯硼酸和280mL甲苯,搅拌溶解后,向其中加入280mL质量分数15%的碳酸钠溶液和2g四(三苯基膦)钯,升温至120℃回流反应10h,再用甲苯重结晶得到中间体2;
步骤S3,向三口烧瓶中加入0.015mol中间体2、0.03mol4-氨基苯酚、0.03mo l无水碳酸钾、30mLN,N-二甲基乙酰胺和10mL甲苯,升温至120℃回流反应2h,再升温至140℃回流反应10h,加入50mL质量分数10%的乙醇溶液,得到沉淀,沉淀经去离子水洗涤2次,于80℃干燥3h,得到含氟二胺单体。
实施例2
含氟二胺单体由如下步骤制得:
步骤S1,将0.12mol4,4’-二氟二苯砜溶于150mL质量分数98%的浓硫酸中,向其中加入0.25mmolN-溴代丁二酰亚胺,升温至60℃,搅拌均匀,然后降温至室温反应6h,再转移至冰水中析出沉淀,过滤,滤饼用去离子水和正己烷分别洗涤2次,再用甲苯重结晶,得到中间体1;
步骤S2,向三口烧瓶中加入0.055mol中间体1、0.12mol4-三氟甲基苯硼酸和300mL甲苯,搅拌溶解后,向其中加入300mL质量分数15%的碳酸钠溶液和2.3g四(三苯基膦)钯,升温至120℃回流反应11h,再用甲苯重结晶得到中间体2;
步骤S3,向三口烧瓶中加入0.017mol中间体2、0.031mol4-氨基苯酚、0.031mol无水碳酸钾、35mLN,N-二甲基乙酰胺和11mL甲苯,升温至120℃回流反应2h,再升温至140℃回流反应10h,加入52mL质量分数10%的乙醇溶液,得到沉淀,沉淀经去离子水洗涤2次,于85℃干燥3h,得到含氟二胺单体。
实施例3
含氟二胺单体由如下步骤制得:
步骤S1,将0.15mol4,4’-二氟二苯砜溶于155mL质量分数98%的浓硫酸中,向其中加入0.3mmolN-溴代丁二酰亚胺,升温至60℃,搅拌均匀,然后降温至室温反应7h,再转移至冰水中析出沉淀,过滤,滤饼用去离子水和正己烷分别洗涤3次,再用甲苯重结晶,得到中间体1;
步骤S2,向三口烧瓶中加入0.06mol中间体1、0.13mol4-三氟甲基苯硼酸和310mL甲苯,搅拌溶解后,向其中加入310mL质量分数15%的碳酸钠溶液和2.5g四(三苯基膦)钯,升温至120℃回流反应12h,再用甲苯重结晶得到中间体2;
步骤S3,向三口烧瓶中加入0.02mol中间体2、0.032mol4-氨基苯酚、0.032mol无水碳酸钾、40mLN,N-二甲基乙酰胺和12mL甲苯,升温至120℃回流反应3h,再升温至140℃回流反应12h,加入55mL质量分数10%的乙醇溶液,得到沉淀,沉淀经去离子水洗涤3次,于90℃干燥4h,得到含氟二胺单体。
实施例4
含三嗪基二胺单体由如下步骤制得:
向三口烧瓶中加入33.8mmol4,4’-二氨基二苯甲烷、8.5mmol无水碳酸钠和18mL1,4-二氧六环,搅拌均匀后,向其中滴加15g2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪的1,4-二氧六环溶液,升温至120℃回流反应4h,将反应液倒入冰水中析出固体,将得到的固体进行柱层析提纯,得到含三嗪基二胺单体,其中2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪的1,4-二氧六环溶液中2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪和1,4-二氧六环的用量比为4mmol:15mL。
实施例5
含三嗪基二胺单体由如下步骤制得:
向三口烧瓶中加入34.1mmol4,4’-二氨基二苯甲烷、8.5mmol无水碳酸钠和20mL1,4-二氧六环,搅拌均匀后,向其中滴加17g2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪的1,4-二氧六环溶液,升温至120℃回流反应4h,将反应液倒入冰水中析出固体,将得到的固体进行柱层析提纯,得到含三嗪基二胺单体,其中2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪的1,4-二氧六环溶液中2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪和1,4-二氧六环的用量比为4.1mmol:17mL。
实施例6
含三嗪基二胺单体由如下步骤制得:
向三口烧瓶中加入34.2mmol4,4’-二氨基二苯甲烷、8.6mmol无水碳酸钠和22mL1,4-二氧六环,搅拌均匀后,向其中滴加18g2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪的1,4-二氧六环溶液,升温至120℃回流反应5h,将反应液倒入冰水中析出固体,将得到的固体进行柱层析提纯,得到含三嗪基二胺单体,其中2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪的1,4-二氧六环溶液中2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪和1,4-二氧六环的用量比为4.2mmol:18mL。
实施例7
改性填料由如下步骤制得:
步骤C1,将膨胀石墨置于800℃马弗炉中热膨胀1min,再使用发烟硫酸处理,备用;
步骤C2,向三口烧瓶中加入10mL质量分数95%的乙醇溶液和0.5gKH-550,搅拌均匀后,加入2.25gT-ZnOw,升温至60℃恒温反应30min,抽滤,滤饼置于80℃烘箱中干燥3h,得到改性T-ZnOw;
步骤C3,将10g石蜡加热融化,在250rpm速率下加入0.7g步骤C1处理后的膨胀石墨、0.3g步骤C2制备的改性T-ZnOw,搅拌均匀后,加入0.5g碳纤维,搅拌混合1h,得到改性填料。
实施例8
改性填料由如下步骤制得:
步骤C1,将膨胀石墨置于810℃马弗炉中热膨胀2min,再使用发烟硫酸处理,备用;
步骤C2,向三口烧瓶中加入15mL质量分数95%的乙醇溶液和0.6gKH-550,搅拌均匀后,加入2.3gT-ZnOw,升温至60℃恒温反应40min,抽滤,滤饼置于80℃烘箱中干燥3h,得到改性T-ZnOw;
步骤C3,将11g石蜡加热融化,在260rpm速率下加入0.8g步骤C1处理后的膨胀石墨、0.35g步骤C2制备的改性T-ZnOw,搅拌均匀后,加入0.55g碳纤维,搅拌混合1h,得到改性填料。
实施例9
改性填料由如下步骤制得:
步骤C1,将膨胀石墨置于820℃马弗炉中热膨胀2min,再使用发烟硫酸处理,备用;
步骤C2,向三口烧瓶中加入20mL质量分数95%的乙醇溶液和0.8gKH-550,搅拌均匀后,加入2.5gT-ZnOw,升温至60℃恒温反应60min,抽滤,滤饼置于80℃烘箱中干燥4h,得到改性T-ZnOw;
步骤C3,将12g石蜡加热融化,在280rpm速率下加入0.84g步骤C1处理后的膨胀石墨0.4g步骤C2制备的改性T-ZnOw,搅拌均匀后,加入0.6g碳纤维,搅拌混合2h,得到改性填料。
实施例10
一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜,包括如下重量份的原料:
3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐20.5份、含氟二胺单体8.3份、含三嗪基二胺单体10.2份、改性填料0.04份;
该抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜由如下步骤制成:
步骤A1,向三口烧瓶中加入N,N二甲基乙酰胺、实施例1制备的含氟二胺单体和实施例4制备的含三嗪基二胺单体,搅拌均匀后,向其中缓慢加入3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐,室温下回流反应3h,得到聚酰亚胺溶液,其中N,N二甲基乙酰胺的用量为3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐质量的10倍;
步骤A2,向三口烧瓶中加入聚酰亚胺溶液和实施例7制备的改性填料,室温下于30kHz频率下超声反应4h,得到成膜溶液;
步骤A3,将成膜溶液在玻璃板上铺膜,使用5mm刮刀刮平,放置在烘箱中通过程序控温成膜,得到聚酰亚胺薄膜,其中程序控温为控制升温速率为2℃/min,先升温到80℃℃恒温30min,再升温到180℃恒温30min,最后升温到280℃恒温30min。
实施例11
一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜,包括如下重量份的原料:
3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐25份、含氟二胺单体12份、含三嗪基二胺单体12.5份、改性填料0.05份;
该抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜由如下步骤制成:
步骤A1,向三口烧瓶中加入N,N二甲基乙酰胺、实施例2制备的含氟二胺单体和实施例5制备的含三嗪基二胺单体,搅拌均匀后,向其中缓慢加入3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐,室温下回流反应3h,得到聚酰亚胺溶液,其中N,N二甲基乙酰胺的用量为3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐质量的11倍;
步骤A2,向三口烧瓶中加入聚酰亚胺溶液和实施例8制备的改性填料,室温下于35kHz频率下超声反应4h,得到成膜溶液;
步骤A3,将成膜溶液在玻璃板上铺膜,使用5mm刮刀刮平,放置在烘箱中通过程序控温成膜,得到聚酰亚胺薄膜,其中程序控温为控制升温速率为4℃/min,先升温到100℃恒温60min,再升温到200℃恒温60min,最后升温到320℃恒温60min。
实施例12
一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜,包括如下重量份的原料:
3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐31.5份、含氟二胺单体15.5份、含三嗪基二胺单体14.8份、改性填料0.06份;
该抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜由如下步骤制成:
步骤A1,向三口烧瓶中加入N,N二甲基乙酰胺、实施例3制备的含氟二胺单体和实施例6制备的含三嗪基二胺单体,搅拌均匀后,向其中缓慢加入3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐,室温下回流反应4h,得到聚酰亚胺溶液,其中步骤A1所述N,N二甲基乙酰胺的用量为3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐质量的12倍;
步骤A2,向三口烧瓶中加入聚酰亚胺溶液和实施例9制备的改性填料,室温下于40kHz频率下超声反应5h,得到成膜溶液;
步骤A3,将成膜溶液在玻璃板上铺膜,使用5mm刮刀刮平,放置在烘箱中通过程序控温成膜,得到聚酰亚胺薄膜,其中程序控温为控制升温速率为5℃/min,先升温到120℃恒温90min,再升温到220℃恒温90min,最后升温到380℃恒温90min。
对比例1
对比例1的聚酰亚胺薄膜的制备方法参照实施例10,不同点在于不添加含氟二胺单体。
对比例2
对比例2的聚酰亚胺薄膜的制备方法参照实施例10,不同点在于不添加改性填料。
对实施例10-12和对比例1、2得到的聚酰亚胺薄膜做如下性能测试:(1)抗静电测试,测试薄膜分别在25℃、85%的相对湿度下的摩擦起电后的静电电位和静电电量;(2)耐腐蚀性能按照国标GB1763-1979测试耐盐雾、耐盐水的腐蚀时间,测试数据如表1所示:
表1
由表1可知,说明实施例10-12制备的聚酰亚胺薄膜具有优异的抗静电性能和耐腐蚀性能。
以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然,根据本说明书的内容,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本发明的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (4)
1.一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜的生产工艺,其特征在于:包括如下制备步骤:
步骤A1,将N,N二甲基乙酰胺、含氟二胺单体和含三嗪基二胺单体搅拌均匀后,向其中加入3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐,室温下回流反应3-4h,得到聚酰亚胺溶液;
步骤A2,将聚酰亚胺溶液和改性填料搅拌均匀,室温下超声反应4-5h,得到成膜溶液;
步骤A3,将成膜溶液在玻璃板上铺膜,使用刮刀刮平,放置在烘箱中通过程序控温成膜,得到聚酰亚胺薄膜;
所述改性填料由如下步骤制得:
步骤C1,将膨胀石墨置于800-820℃马弗炉中热膨胀1-2min,再使用发烟硫酸处理,备用;
步骤C2,将乙醇溶液和KH-550搅拌均匀后,加入T-ZnOw,升温至60℃恒温反应30-60min,抽滤,滤饼经干燥后,得到改性T-ZnOw;
步骤C3,将石蜡加热融化,加入步骤C1处理后的膨胀石墨、步骤C2制备的改性T-ZnOw,搅拌均匀后,加入碳纤维,搅拌混合1-2h,得到改性填料。
2.根据权利要求1所述的一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜的生产工艺制备得到的聚酰亚胺薄膜,其特征在于:包括如下重量份的原料:3,3’,4,4’-二苯醚四甲酸二酐20.5-31.5份、含氟二胺单体8.3-15.5份、含三嗪基二胺单体10.2-14.8份、改性填料0.04-0.06份。
3.根据权利要求1所述的一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜的生产工艺制备得到的聚酰亚胺薄膜,其特征在于:步骤C2所述乙醇溶液、KH-550、T-ZnOw的用量比为10-20mL:0.5-0.8g:2.2-2.5g。
4.根据权利要求1所述的一种抗静电耐腐蚀的聚酰亚胺薄膜的生产工艺制备得到的聚酰亚胺薄膜,其特征在于:步骤C3所述石蜡、膨胀石墨、改性T-ZnOw、碳纤维的用量比为10-12g:0.7-0.84g:0.3-0.4g:0.5-0.6g。
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