CN113302759A - 具有传热组件的双热电组件设备 - Google Patents

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CN113302759A CN201980089281.3A CN201980089281A CN113302759A CN 113302759 A CN113302759 A CN 113302759A CN 201980089281 A CN201980089281 A CN 201980089281A CN 113302759 A CN113302759 A CN 113302759A
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Abstract

第一热电组件(TEC)包含顶面及底面。所述第一TEC经配置以基于施加到所述第一TEC的电压电势来同时提高所述顶面的温度并降低所述底面的温度或同时降低所述顶面的温度并提高所述底面的温度以在所述顶面与所述底面之间传递热能。传热组件包含顶面及底面。所述传热组件的所述底面经耦合到所述第一TEC的所述顶面。所述传热组件经渐缩使得所述底面小于所述顶面。第二TEC包含顶面及底面。所述第二TEC的所述底面经耦合到所述传热组件的所述顶面。所述第二TEC大于所述第一TEC。

Description

具有传热组件的双热电组件设备
技术领域
本公开大体上涉及热电组件，且更明确来说，涉及安置于热电组件之间的传热组件。
背景技术
存储器子***可为存储***，例如固态硬盘(SSD)或硬盘驱动(HDD)。存储器子***可为存储器模块，例如双列直插式存储器模块(DIMM)、小型DIMM(SO-DIMM)或非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)。存储器子***可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可为(例如)非易失性存储器组件及易失性存储器组件。一般来说，主机***可利用存储器子***在存储器组件处存储数据及从存储器组件检索数据。
附图说明
将从下文给出的详细描述及从本公开的各种实施方案的附图更完全理解本公开。
图1说明根据本公开的一些实施例的用于分配测试资源来执行存储器组件测试的实例环境。
图2A到2C说明根据本公开的一些实施例的温度控制组件。
图3说明根据本公开的实施例的用于在各种热条件下测试电装置的***。
图4说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子***的实例计算环境。
图5是本公开的实施方案可操作于其中的实例计算机***的框图。
具体实施方式
本公开的方面涉及安置于第一热电组件(TEC)与第二热电组件之间的传热组件。存储器子***在下文中也称为“存储器装置”。存储器子***的实例是经由***互连(例如输入/输出总线、存储区域网)耦合到中央处理单元(CPU)的存储装置。存储装置的实例包含固态硬盘(SSD)、快闪驱动、通用串行总线(USB)快闪驱动及硬盘驱动(HDD)。存储器子***的另一实例是经由存储器总线耦合到CPU的存储器模块。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(DIMM)、小型DIMM(SO-DIMM)或非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)等。存储器子***可为混合存储器/存储子***。一般来说，主机***可利用包含一或多个存储器组件的存储器子***。主机***可提供存储于存储器子***处的数据且可请求从存储器子***检索的数据。
电装置(例如用于存储器子***中的存储器组件)可在用于***(例如存储器子***)中之前测试。在常规测试过程中，电装置可经放入到在各种温度条件下测试电装置的腔室(即，烤炉)中。举例来说，单个腔室可用于在特定温度下单次测试多个存储器组件。测试过程可指示在特定温度下对电装置执行各种操作。此类操作可包含(但不限于)读取操作、写入操作或擦除操作。可在执行测试过程时观察或测量电装置的性能及行为。举例来说，可在测试过程期间测量及记录存储于存储器组件处的数据的性能特性(例如读取或写入延时)及可靠性。然而，由于腔室在任何特定时间仅可将单个温度施加到电装置，所以电装置在许多不同温度下的测试需要大量时间，因为需要对每一期望温度执行测试过程。另外，腔室一次仅可执行单个测试过程。因而，如果期望测试过程的许多不同条件用于电装置，那么在不同操作条件(例如不同温度)下对电装置执行不同测试要花大量时间。
热电组件(TEC)(还称为“热电冷却器”)可将电能转化成热能，且反之亦然。TEC可包含两个表面。当将电压电势施加到TEC时，一个表面变热，而另一表面同时冷却。
在一些常规***中，热电组件可经直接施加到物体(例如电装置)以改变物体的温度。然而，在一些例子中，将单个TEC应用到电装置无法传递足够热能来满足一些电装置的温度测试范围(例如-40摄氏度到130摄氏度)。
TEC可在一个表面处产生比TEC在相对表面处耗散更多的热能。举例来说，针对TEC的第一表面处的每1摄氏度变化，TEC的相对表面产生约3摄氏度。由于TEC针对每度冷却产生不成比例热量，所以从一个表面移除过量热同时冷却电装置的相对表面会有挑战。当在极低温度下测试电装置时挑战尤为严峻，因为所产生的热量是移除热的数倍。使用单个TEC通常不足以传递足够热量来满足电装置的温度测试范围。
为了解决过量热的移除，具有不同大小的两个TEC可直接彼此上下堆叠。举例来说，较大TEC可经直接堆叠于较小TEC上方。随着较小TEC的底面冷却物体，较小TEC的顶面产生热。较大TEC的底面接触较小TEC的顶面且通过冷却较大TEC的底面来移除由较小TEC的顶面产生的热。随着较大TEC的底面冷却，较大TEC的顶面产生甚至更多热。较大TEC理论上可耗散更多热能且帮助从较小TEC耗散过量热。然而，使两个TEC彼此上下堆叠可能高度低效且通常不足以传递足够热能来满足电装置的温度测试范围。当两个TEC彼此上下堆叠时，由较小TEC产生的热集中于较小TEC的覆盖区处且未平均分布于较大TEC的整个底面上。因而，较大TEC无法从较小TEC的顶面高效移除热，这限制可施加到电装置的较低温度。
本公开的方面通过使用经安置于两个TEC之间的传热组件来解决上述及其它缺点。传热组件可经渐缩使得经耦合到较小TEC的底面具有比经耦合到较大TEC的顶面更小的表面积。
在实施例中，两个TEC可为不同大小，其中底部TEC小于顶部TEC。传热组件可包含底面及顶面。传热组件的底面经耦合到较小TEC的顶面，且传热组件的顶面经耦合到顶部TEC的底面。传热组件可经渐缩使得传热组件的底面是与较小TEC的顶面大致相同的大小及形状，且传热组件的顶面是与较大TEC的底面大致相同的大小及形状。如上文指出，较大TEC可至少部分由于其较大表面积而具有比较小TEC更大的热能传递能力。为了最大化较大TEC的潜在能量传递能力，由较小TEC的顶面产生的热能通过渐缩传热组件传递且跨较大TEC的整个底面(或底面的至少大部分)散布。渐缩传热组件允许热能在较小TEC与较大TEC之间高效传递。
本公开的优点包含(但不限于)两个不同大小的TEC之间的高效热能传递。关于在各种热条件下测试电装置，本公开的方面可同时将各种热条件施加到受测试的电装置且同时将不同热条件施加到耦合到相同电路板的电装置。另外，本公开的方面可在比使用TEC的常规测试***更宽且更低的温度范围内施加热条件。因而，可更快速执行电装置的许多不同测试且还可改进电装置的可靠性，因为任何潜在缺陷或瑕疵可被识别且稍后可在电装置的设计或制造中解决。
图1说明根据本公开的一些实施例的用于分配测试资源来执行存储器组件测试的实例环境。测试平台100可包含一或多个机架110A、110B及110N。机架110A、110B及110N中的每一者可包含多个测试板120，其中每一测试板120包含一或多个测试插座(即，测试资源)。测试平台100可包含任何数目个机架或测试插座。在一些实施例中，插座可指代将电装置(例如有源电装置或无源电装置)物理或电耦合到测试板120的机电装置。电路板可为测试板120的实例。在一些实施例中，电装置可为经包装于封装(例如陶瓷封装材料)中的离散组件。封装材料可具有在封装外部将芯片上或裸片上元件连接到芯片外或裸片外元件(例如电力供应器、电路板处的其它组件等)的引脚、焊料凸块或端子。如展示，测试板120可包含一或多个测试插座。举例来说，测试板120可包含第一测试插座121、第二测试插座122及第三测试插座123。尽管展示了三个测试插座，但测试板120可包含任何数目个测试插座。在实施例中，每一测试插座可包含已嵌入于相应测试插座内的电装置，例如存储器组件。另外，每一测试插座可经装配有用于将温度条件施加到嵌入式电装置的温度控制组件。举例来说，温度控制组件可物理地接触存储器组件的封装以将封装温度或裸片上温度调整到温度范围内的期望温度值。在一些实施例中，温度范围可为-40摄氏度到140摄氏度。
在一些实施例中，温度控制组件可用于在相应电装置本地施加不同于由另一温度控制组件施加到相同或不同测试板120处的另一相应电装置的温度的温度。举例来说，第一温度控制组件可将-20摄氏度的温度施加到特定存储器组件，且经定位成邻近第一温度控制组件的另一温度控制组件可将100摄氏度的温度施加到定位于相同测试板120处的另一存储器组件。
在一些实施例中，温度控制组件可为双热电组件(TEC)(在本文中还称为“热电冷却器”)(例如两个TEC装置)，其利用珀尔帖(Peltier)效应在经耦合到嵌入式存储器组件的双TEC装置的表面处施加加热或冷却效应。举例来说，温度控制组件的底部可接触电装置的封装以将热能传递到电装置及从电装置传递热能。在一些实施例中，热电组件可为珀尔帖装置。在一些实施例中，热电组件可包含安置于两个板(例如两个陶瓷板)之间的交替n型及p型半导体的阵列。施加到热电组件的电压致使一个板冷却，而另一板变热。在相同或替代实施例中，温度控制组件可经放置于相应测试插座中的存储器组件的顶部上。
如展示，每一测试机架110A、110B及110N可包含多个测试板120。特定测试机架的测试板120中的每一者可与本地测试组件耦合。举例来说，每一测试机架110A、110B及110N可分别包含本地测试组件111A、111B及111N。本地测试组件111A、111B及111N中的每一者可接收指令以执行将在相应测试机架的测试插座处执行的测试或测试的一部分。举例来说，资源分配器组件130可(例如，从用户)接收将执行的测试的条件，且资源分配器组件130可确定跨可由测试使用的测试机架110A、110B及110N中的一或多者处的不同测试板120的特定测试插座。在一些实施例中，资源分配器组件130可由服务器131提供。在一些实施例中，服务器131是经由网络与本地测试组件111A、111B及111N耦合的计算装置或***。
每一测试板120的每一测试插座121、122及123的温度控制组件可用于将不同温度条件施加到相应嵌入式存储器组件。此外，每一测试插座121、122及123可用于对嵌入式存储器组件执行不同操作。
资源分配器组件130可从用户接收测试输入。测试输入可指定将使用一或多个存储器组件执行的测试的条件。举例来说，测试可指定将施加到存储器组件的特定温度条件及将在特定温度条件下对存储器组件执行的操作序列。资源分配器130可检索识别跨测试平台100可用的测试插座的数据结构及可用测试插座的特性。随后，资源分配器组件130可指派测试平台100处包含匹配或满足测试的条件的嵌入式存储器组件的测试插座。接着，资源分配器组件130可将指令传输到包含将用于测试中的测试插座的测试机架的本地测试组件。
在一些实施例中，测试平台100的测试板120中的一或多者可与一或多个热腔室(在本文中还称为“微热腔室”或“封闭体”)一起使用。举例来说，测试板120可包含多个测试插座121、122及123。热腔室可经装配于多个测试插座121、122及123上方。在另一实例中，不同热腔室可经装配于多个测试插座121、122及123中的每一者上方。热腔室可包含一或多个端口。一或多个端口可暴露热腔室内的空腔。耦合到测试板120的测试插座的电装置可从一或多个端口接入。在一些实施例中，一或多个端口经配置以接收温度控制组件。在一些实施例中，温度控制组件的底部在热腔室的空腔内延伸且接触相应电装置。温度控制组件的顶部(此散热器)可在热腔室上方延伸。在一些实施例中，温度控制组件可经耦合到热腔室。在一些实施例中，热腔室可用于原位固持温度控制组件。在一些实施例中，热腔室可使温度控制组件与相应测试插座及相应电装置对准，使得温度控制组件的底部可物理地接触相应电装置。在其中热腔室包含固持多个温度控制组件的多个端口的实施例中，热腔室可用于帮助以类似或相等或一致压力将温度控制组件应用到相应电装置中的每一者。多个温度控制组件可同时将不同温度施加到热腔室内的相应电装置。
在一些实施例中，热腔室可包含用于接收例如无油空气(OFA)或氮气或清洁干燥空气或气体(CDA)的气体的气口。在一些实施例中，气体可具有低于测试下的预期冷温度范围的露点。在一些实施例中，气体可具有小于百万分之一(1ppm)二氧化碳及小于0.003ppm烃蒸气。提供到腔室的气体可具有低于测试条件的露点，使得冷凝物(例如湿气或冰)在测试期间不形成于电装置处。举例来说，受测试的电装置的封装可被控制在从-25摄氏度到140摄氏度的温度范围内。气体的露点可低于-25摄氏度(例如-60摄氏度)。在一些实施例中，不是密封热腔室，而是可使热腔室(例如腔室内的空腔)维持正压环境，使得仅进入到腔室中的气体是来自气口，且仅漏出腔室的气体是来自气口的气体。
在实施例中，不是使用热气或冷气改变热腔室的温度，而是温度控制组件可维持受测试的每一电装置本地的温度环境。在其中热腔室包含耦合到多个电装置的多个温度控制组件的实施例中，温度控制组件中的每一者可在受测试的相应电装置本地维持不同(或相同)温度环境，而无需使用热气或冷气。举例来说，受测试的第一电装置可接触第一温度控制组件。受测试的第二电装置可接触第二控制组件。第一及第二温度控制组件两者可经耦合到单个热腔室。第一温度控制组件可使第一电装置的温度维持在100摄氏度，而第二温度控制组件可使第二电装置的温度维持在0摄氏度。
图2A到2C说明根据本公开的一些实施例的温度控制组件。图2A说明根据本公开的一些实施例的温度控制组件200的收合图。图2B说明根据本公开的一些实施例的温度控制组件200的扩展图。图2C说明根据本公开的一些实施例的具有呈替代形状的传热组件206的温度控制组件。出于说明而非限制目的，说明具有数个元件的温度控制组件200。在其它实施例中，温度控制组件200可包含相同、不同、更少或额外元件。出于说明而非限制目的，说明具有相对位置关系(顶部与底部)的温度控制组件200。应注意，向温度控制组件200及温度控制组件200的元件指派其它位置关系在本公开的范围内。
在实施例中，温度控制组件200包含热电组件(TEC)202。在实施例中，TEC(例如TEC202)可用作用于将热递送到表面或从表面移除热的热泵。TEC 202包含两个表面204，顶面204A及底面204B。TEC(例如TEC 202)经配置以基于施加到TEC的电压电势来同时提高顶面(例如顶面204A)的温度并降低底面(例如底面204B)的温度或同时降低顶面(例如顶面204A)的温度并提高底面(例如底面204B)的温度。在实施例中，TEC(例如TEC202及TEC 210)包含用于将电压电势耦合到TEC且将必需电流递送到TEC的一组电线。
在实施例中，温度控制组件200包含TEC 210。TEC 210可包含两个表面212，例如顶面212A及底面212B。在实施例中，底面212B经耦合到传热组件206的顶面208A。在实施例中，TEC 210大于TEC 202。在一些实施例中，TEC 210的底面212B具有比TEC 202的顶面204A的表面积大约两倍的表面积。在一些实施例中，TEC 210经设定大小以从TEC 202高效转走热。在一些实施例中，TEC 210具有最小两倍的TEC 202的传热能力。如本文中指出，TEC 210可具有两倍于TEC 202的表面积的表面积，使得TEC210的传热能力是TEC 202的传热能力的至少两倍。应注意，在一些实施例中，TEC 210可具有类似于TEC 202的表面积(或至少小于TEC202的表面积的两倍)但具有两倍的电力及传热能力。
出于说明而非限制目的，说明正方形TEC。在其它实施例中，可实施不同形状的TEC，此矩形TEC或圆形TEC。在一些实施例中，两个TEC可为不同形状。所选择的TEC可基于电装置250的表面形状。举例来说，如果电装置250的封装是正方形，那么使用正方形TEC(至少针对TEC 202)可帮助最优地将热能传递到电装置250及从电装置250传递热能。应注意，使用不同形状的TEC是在本公开的范围内。
在实施例中，温度控制组件200包含传热组件206。在实施例中，传热组件206将热能从一个TEC的表面高效传导到另一TEC的相对表面。举例来说，为了冷却受测试的电装置250，TEC 202的底面204B从电装置250的顶面移除热能(例如热)。TEC 202的顶面204A同时产生热能，所述热能经由传热组件206传递到TEC 210的底面212B。
在实施例中，传热组件206由导热材料组成或制成。导热材料包含(但不限于)铜、铝、黄铜或上述材料的合金。应注意，可使用其它导热材料。还应注意，具有较高热导率(k)的材料可在TEC 202与TEC 210之间更高效传递热能。
在实施例中，传热组件206包含至少两个表面208，其包含顶面208A及底面208B。传热组件206的底面208B经耦合到TEC 202的顶面204A。传热组件206的顶面208A经耦合到TEC210的底面212B。
在一些实施例中，传热组件206可使用热界面材料(例如导热粘合剂、导热膏、相变材料、热胶带、间隙填充热垫、热环氧树脂等)耦合到邻近元件的表面。举例来说，热界面材料可经安置于TEC 202的顶面204A与传热组件206的底面208B之间及传热组件206的顶面208A与TEC 210的底面212B之间。在一些实施例中，热界面材料可具有至少150瓦特/米开尔文(W/mK)或更大的最小导热率。
在实施例中，传热组件206经渐缩使得底面208B小于顶面208A。在一些实施例中，传热组件206的顶面208A具有比传热组件206的底面208B的表面积大约两倍的表面积。在一些实施例中，传热组件206可基于TEC 202及210的尺寸渐缩。举例来说，传热组件206可经渐缩使得底面208B是基于TEC 202的顶面204A的大小的大小且顶面208A可为基于TEC 210的底面212B的大小的大小。在一些实施例中，传热组件206的顶面208A及底面208B经设定大小以使大小匹配或接近相应TEC的表面。在一些实施例中，传热组件206的顶面208A及底面208B中的一或多者可具有是相应TEC的相应表面的表面积的95％到120％的表面积。
在实施例中，TEC的表面产生比TEC的相对表面耗散更多的热能。举例来说，针对TEC 202的底面204B处的每1摄氏度变化，TEC 202的顶面204A产生约3摄氏度。较大TEC 210至少部分由于其较大表面积而可具有较大热能传递能力。为了最大化较大TEC的潜在能量传递能力，热能可跨较大TEC的整个表面散布。渐缩传热组件206允许热能在较小TEC 202与较大TEC 210之间高效传递。举例来说，来自TEC 202的顶面204A的热经传导通过传热组件206且使用渐缩传热组件206跨TEC 210的底面212B散布。较大TEC 210可将热能从底面212B移到相对表面(例如顶面212A)。
在实施例中，传热组件206可为阶梯金字塔形，如图2A及2B中说明。在其它实施例中，传热组件206可具有不同形状，例如从顶面到底面渐缩的平边金字塔，如图2C中说明。在一些实施例中，传热组件206的形状可部分基于接触传热组件206的表面的TEC的形状。举例来说，在使用圆形TEC的实施方案中，传热组件206的形状可为圆锥形，其中传热组件206的底面及顶面是圆形。在一些实施例中，传热组件206(在表面208A与表面208B之间)的厚度大于或等于TEC 202或TEC 210中的一者的厚度。
在一些实施例中，传热组件206可包含导热层214。导热层214层可包含顶面216A及底面216B。在实施例中，导热层214的顶面216A经耦合到TEC 202的底面204B。在一些实施例中，导热层214可将热能从TEC 202的底面204B传递到导热层214的底面216B。
在一些实施例中，导热层214的底面216B可经定位以接触电装置250的顶面。举例来说，导热层214的底面216B可经定位以接触电装置250的封装的顶面，使得电装置250的封装温度或电装置250的芯片上温度可被控制到期望温度。在一些实施例中，导热层214可经配置以装配于将电装置250耦合到电路板的插座内，使得导热层214的底面216B可物理地接触电装置250的封装且传递热能。
在实施例中，导热层214可使用热界面材料耦合到TEC 202，如上文描述。在实施例中，导热层214由导热材料组成或制成，如上文描述。
在实施例中，导热层214的顶面216A可为与TEC 202的底面204B大致相同的大小及形状。在一些实施例中，导热层214的表面216的大小及形状可基于电装置250的顶面(例如接触表面)的大小及形状。举例来说，导热层214可经塑形使得底面216B接触电装置250的顶面的大部分(如果并非全部)(在一些情况中，超出电装置250的顶面)。在一些实施例中，导热层214的顶面216A是与TEC 202的底面204B大致相同的大小或大于TEC 202的底面204B。在一些实施例中，导热层214的底面216B可为与导热层214的顶面216A相同的大小及形状。举例来说，导热层214可为正方形立方体或矩形立方体。在一些实施例中，导热层214可在一个方向或另一方向上渐缩，例如从顶面216A到底面216B或反之亦然。应注意，导热层214的形状可至少部分基于TEC 202或电装置250的形状。
在一些实施例中，导热层214可为任选元件，且TEC 202可直接物理地接触电装置250以将热能传递到电装置250及从电装置250传递热能。
在一些实施例中，温度控制组件200可包含热感测装置218。在一些实施例中，热感测装置218可经安置或嵌入于导热层214内。热感测装置218可经定位于导热层214内，使得热感测装置218的温度感测表面紧密接近导热层214的底面216B。热感测装置218可用于测量施加到电装置250的封装的温度，由于导热层214的低热阻(k)，其可有效表示电装置250的封装处的温度。在实施例中，热感测装置218可为任何温度感测装置，例如热电偶、电容温度感测装置、电阻温度感测装置等。在实施例中，热感测装置218可包含用于将热感测装置218耦合到测量单元以测量热感测装置218的输出的一组电线。
在一些实施例中，电装置250可包含一或多个温度感测装置，例如芯片上温度感测装置。由于封装的热阻，芯片上温度可不同于电装置250的封装温度。来自芯片上温度感测装置、导热层214的热感测装置218或两者的温度测量可用于对电装置250执行热测试。举例来说，温度测量可用于确定施加到温度控制组件200的特定电压电势或在电装置250的热测试期间施加到温度控制组件200的特定电压电势的变化。
在一些实施例中，温度控制组件200可包含散热器220。散热器220可包含顶面222A及底面222B。在实施例中，顶面222A可包含比底面222B更大的表面积以帮助促进热能从散热器220传递到邻近介质。在实施例中，散热器220的底面222B经耦合到TEC 210的顶面212A以将热能从TEC 210传递到散热器220。在实施例中，散热器220及TEC 210使用热界面材料耦合，如上文描述。在实施例中，散热器220由导热材料组成，如上文描述。
在一些实施例中，散热器220是无源机械装置。在实施例中，散热器220的顶面222A包含多个通道及安置于通道之间的多个散热片。在其它实施例中，散热器220可为另一类型的散热器，此液冷式散热器等。
在一些实施例中，散热器220包含一或多个附接构件224。在实施例中，附接构件可用于将温度控制组件200固定到热腔室。在一些实施例中，附接构件224经配置以接收可将温度控制组件200可调整地耦合到热腔室的可调整耦合构件226。在一些实施例中，可调整耦合构件可包含弹簧元件，其允许调整安装到热腔室的温度控制组件200的垂直位置。
在一些实施例中，温度控制组件200可包含风扇，例如电扇228。在实施例中，电扇228经安置于散热器220的顶面222A上方且用于将热能从散热器220传递到邻近介质，例如温度控制组件200本地的气体介质。电扇228可包含经耦合到电压电势的一组电线。
出于说明而非限制目的，展示单个传热组件206。在其它实施例中，可使用多个传热组件206。举例来说，额外传热组件可经堆叠于TEC 210的顶面212A上。额外传热组件可大于传热组件206。举例来说，额外传热组件的底面可为与TEC 210的顶面212A大致相同的大小。额外传热组件可经渐缩使得额外传热组件的顶面大于底面。在实施例中，额外传热组件的顶面可经耦合到大于(例如更大表面积的)TEC 210的TEC。在其它实施例中，可实施任何数目个额外传热组件或TEC。
图3说明根据本公开的实施例的用于在各种热条件下测试电装置的***。应注意，温度控制组件(例如图2的温度控制组件200)可与***300一起使用或为***300的部分。图2的温度控制组件200的元件用于帮助说明图3的方面。***300可用于在各种热条件下测试一或多个电装置304，如本文中描述。
在一些实施例中，温度控制组件200可经放置于受测试的电装置304上方。如上文描述，可对电装置304执行测试过程以指示对使用温度控制组件200来维持在又一预定温度的电装置执行各种操作。在其下测试电装置304的温度可由温度控制组件200控制。温度控制组件200的底部(例如导热层214的底面216B)可物理地接触电装置304的顶面。温度控制组件200可将热能传递到电装置304及从电装置304传递热能。举例来说，温度控制组件200可在从-40摄氏度到140摄氏度的温度范围内改变电装置304的温度(例如封装温度或裸片上温度)。
***300可包含电路板302。电路板302可经耦合到受测试的一或多个电装置304。在实施例中，电路板302可促进电信号传递到一或多个电装置304及从一或多个电装置304传递及传递到耦合到电路板302的任何额外元件及从耦合到电路板302的任何额外元件传递。在实施例中，电路板302可促进电力传输到一或多个电装置304及从一或多个电装置304传输及传输到耦合到电路板302的任何额外元件及从耦合到电路板302的任何额外元件传递。在一些实施例中，电路板302可用于传输在热测试执行期间对一或多个电装置304执行读取操作、写入操作或擦除操作的指令。此外，电路板302可用于在热测试执行期间从电装置304检索信息或测试数据。
在一些实施例中，***300可包含一或多个插座306。插座306可为将电装置304耦合到电路板302的机电装置。在实施例中，插座306的侧可垂直延伸超过电装置304的顶面。温度控制组件200的底部(例如导热层214的至少部分)可经装配于插座306内。
图4说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子***410的实例计算环境400。存储器子***410可包含媒体，例如存储器组件412A到412N。存储器组件412A到412N可为易失性存储器组件、非易失性存储器组件或此类组件的组合。在一些实施例中，存储器子***是存储***。存储***的实例是SSD。在一些实施例中，存储器子***410是混合存储器/存储子***。一般来说，计算环境400可包含使用存储器子***410的主机***420。举例来说，主机***420可将数据写入到存储器子***410及从存储器子***410读取数据。
主机***420可为计算装置，例如桌上型计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置或包含存储器及处理装置的此计算装置。主机***420可包含或经耦合到存储器子***410，使得主机***420可从存储器子***410读取数据或将数据写入到存储器子***410。主机***420可经由物理主机接口耦合到存储器子***410。如本文中使用，“耦合到”通常是指组件之间的连接，其可为间接通信连接或直接通信连接(例如，无中介组件)，无论有线还是无线，包含例如电、光、磁等的连接。物理主机接口的实例包含(但不限于)串行高级技术附接(SATA)接口、***组件互连高速(PCIe)接口、通用串行总线(USB)接口、光纤通道、串行附接SCSI(SAS)等。物理主机接口可用于在主机***420与存储器子***410之间传输数据。当存储器子***410通过PCIe接口与主机***420耦合时，主机***420可进一步利用NVM高速(NVMe)接口存取存储器组件412A到412N。物理主机接口可提供用于在存储器子***410与主机***420之间传递控制、地址、数据及其它信号的接口。
存储器组件412A到412N可包含不同类型的非易失性存储器组件及/或易失性存储器组件的任何组合。非易失性存储器组件的实例包含与非(NAND)型快闪存储器。存储器组件412A到412N中的每一者可包含一或多个存储器单元阵列，例如单电平单元(SLC)或多电平单元(MLC)(例如三电平单元(TLC)或四电平单元(QLC))。在一些实施例中，特定存储器组件可包含存储器单元的SLC部分及MLC部分两者。存储器单元中的每一者可存储由主机***420使用的一或多个数据位(例如数据块)。尽管描述了非易失性存储器组件(例如NAND型快闪存储器)，但存储器组件412A到412N可基于任何其它类型的存储器，例如易失性存储器。在一些实施例中，存储器组件412A到412N可为(但不限于)随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、相变存储器(PCM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)、或非(NOR)快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)及交叉点非易失性存储器单元阵列。交叉点非易失性存储器阵列可结合堆叠式交叉栅格式数据存取阵列基于体电阻变化执行位存储。另外，与许多基于快闪的存储器形成对比，交叉点非易失性存储器可执行原位写入操作，其中可在不先擦除非易失性存储器单元的情况下编程非易失性存储器单元。此外，存储器组件412A到412N的存储器单元可经分组为一群组存储器单元、字线、字线群组(例如一群组中的多个字线)或数据块，其可指代用于存储数据的存储器组件的单位。
存储器***控制器415(下文称为“控制器”)可与存储器组件412A到412N通信以执行操作，例如对存储器组件412A到412N的读取数据、写入数据或擦除数据及其它此类操作。控制器415可包含硬件，例如一或多个集成电路及/或离散组件、缓冲存储器或其组合。控制器415可为微控制器、专用逻辑电路***(例如现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等)或其它合适处理器。控制器415可包含经配置以执行存储于本地存储器419中的指令的处理器(例如处理装置)417。在说明的实例中，控制器415的本地存储器419包含经配置以存储用于执行控制存储器子***410的操作的各种过程、操作、逻辑流及例程的指令的嵌入式存储器，包含处置存储器子***410与主机***420之间的通信。在一些实施例中，本地存储器419可包含存储存储器指针、经提取数据等的存储器寄存器。本地存储器419还可包含用于存储微代码的只读存储器(ROM)。虽然已将图4中的实例存储器子***410说明为包含控制器415，但在本公开的另一实施例中，存储器子***410可不包含控制器415，而是可代以依赖外部控制(例如，由外部主机提供或由与存储器子***分离的处理器或控制器提供)。
一般来说，控制器415可从主机***420接收命令或操作且可将命令或操作转换成指令或适当命令以实现对存储器组件412A到412N的期望存取。控制器415可负责其它操作，例如磨损均衡操作、废弃项目收集操作、错误检测及错误校正码(ECC)操作、加密操作、高速缓存操作及与存储器组件412A到412N相关联的逻辑块地址与物理块地址之间的地址转译。控制器415可进一步包含经由物理主机接口与主机***420通信的主机接口电路***。主机接口电路***可将从主机***接收的命令转换成命令指令以存取存储器组件412A到412N及将与存储器组件412A到412N相关联的响应转换成用于主机***420的信息。
存储器子***410还可包含未说明的额外电路***或组件。在一些实施例中，存储器子***410可包含高速缓存或缓冲器(例如DRAM)及地址电路***(例如行解码器及列解码器)，其可从控制器415接收地址且解码地址以存取存储器组件412A到412N。
存储器子***410包含执行本文中描述的操作的温度估计组件413。在一些实施例中，温度估计组件413可为主机***420、控制器415、存储器组件412N、操作***或应用程序的部分。温度估计组件413可产生存储器子***410的经估计温度。举例来说，控制器415可包含经配置以执行存储于本地存储器419中的指令以执行本文中描述的操作的处理器417(处理装置)。
图5说明用于致使机器执行本文中论述的方法论中的任一或多者的一组指令可在其内执行的计算机***500的实例机器。在一些实施例中，计算机***500可对应于包含、经耦合到或利用测试平台(例如，执行对应于图1的资源分配器组件130的操作)的主机或服务器***。在替代实施例中，机器可连接(例如联网)到LAN、内部网、外部网及/或因特网中的其它机器。机器可在客户端-服务器网络环境中以服务器或客户端机器的身份操作，在对等(或分布式)网络环境中操作为对等机器，或在云端计算基础设施或环境中操作为服务器或客户端机器。
机器可为个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、网络设备、服务器、网络路由器、交换机或网桥或能够(循序或以其它方式)执行指定由机器采取的动作的一组指令的任何机器。此外，虽然说明了单个机器，但术语“机器”还应被视为包含个别或联合执行一组(或多组)指令以执行本文中论述的方法论中的任一或多者的机器的任何集合。
实例计算机***500包含处理装置502、主存储器504(例如只读存储器(ROM)、快闪存储器、动态随机存取存储器(DRAM)(例如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等)、静态存储器506(例如快闪存储器、静态随机存取存储器(SRAM))等)及数据存储***518，其经由总线530彼此通信。
处理装置502表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元或类似物。更特定来说，处理装置可为复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器或实施其它指令集的一处理器或实施指令集组合的多个处理器。处理装置502也可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器或类似物。处理装置502经配置以执行用于执行本文中论述的操作及步骤的指令526。计算机***500可进一步包含网络接口装置508以经由网络520通信。
数据存储***518可包含其上存储一或多组指令526或体现本文中描述的方法论或功能中的任一或多者的软件的机器可读存储媒体524(也称为计算机可读媒体)。指令526也可在其由计算机***500执行期间完全或至少部分驻存于主存储器504及/或处理装置502内，主存储器504及处理装置502也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体524、数据存储***518及/或主存储器504可对应于存储器子***。
在一个实施例中，指令526包含实施对应于资源分配器组件(例如图1的资源分配器组件130)的功能性的指令。虽然在实例实施例中将机器可读存储媒体524展示为单个媒体，但术语“机器可读存储媒体”应被视为包含存储一或多组指令的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”也应被视为包含能够存储或编码由机器执行的一组指令且致使机器执行本公开的方法论中的任一或多者的任何媒体。术语“机器可读存储媒体”应相应地被视为包含(但不限于)固态存储器、光学媒体及磁性媒体。
已依据对计算机存储器内的数据位的操作的算法及符号表示来呈现以上详细描述的一些部分。这些算法描述及表示是由数据处理领域的技术人员用于向所属领域的其它技术人员最有效传达其工作实质的方式。算法在此通常被设想为导致期望结果的自相一致操作序列。操作是需要物理操纵物理量的操作。通常但不一定，这些量采用能够被存储、组合、比较及否则操纵的电或磁信号的形式。主要由于习惯用法，将这些信号称为位、值、元素、符号、字符、项、数字或类似物已被证明有时是方便的。
然而，应记住，所有这些及类似术语都应与适当物理量相关联，且仅为应用于这些量的方便标签。本公开可涉及计算机***或类似电子计算装置的动作及过程，其将表示为计算机***的寄存器及存储器内的物理(电子)量的数据操纵及变换成类似地表示为计算机***存储器或寄存器或其它此类信息存储***内的物理量的其它数据。
本公开还涉及用于执行本文中的操作的设备。此设备可根据预期目的特别构造，或其可包含由存储于计算机中的计算机程序选择性激活或重新配置的通用计算机。此计算机程序可存储于计算机可读存储媒体中，例如(但不限于)任何类型的磁盘，包含软盘、光盘、CD-ROM及磁光盘、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡或适于存储电子指令的任何类型的媒体，每一者都耦合到计算机***总线。
本文中呈现的算法及显示器不与任何特定计算机或其它设备内在相关。各种通用***可根据本文中的教示与程序一起使用，或可证明构造更专门设备来执行方法是方便的。各种这些***的结构将如下文描述中陈述那样出现。另外，本公开未参考任何特定编程语言描述。应了解，各种编程语言可用于实施本文中描述的本公开的教示。
本公开可经提供为计算机程序产品或软件，其可包含其上存储有指令的机器可读媒体，指令可用于编程计算机***(或其它电子装置)以执行根据本公开的过程。机器可读媒体包含用于存储呈可由机器(例如计算机)读取的形式的信息的任何机构。在一些实施例中，机器可读(例如计算机可读)媒体包含机器(例如计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。
本文中使用词语“实例”或“示范性”来意谓“用作实例、例子或说明”。本文中描述为“实例”或“示范性”的任何方面或设计不一定被解释为比其它方面或设计更优选或有利。确切来说，使用词语“实例”或“示范性”希望依具体方式呈现概念。如本申请案中使用，术语“或”希望意谓包含性“或”而非排他性“或”。即，除非另外或上下文明确指定，否则“X包含A或B”希望意谓自然包含性排列中的任何者。即，如果X包含A、X包含B或X包含A及B两者，那么在上述例子中的任何者下满足“X包含A或B”。另外，本申请案及所附权利要求书中使用的冠词“一(a/an)”通常可被理解为意谓“一或多个”，除非另外或涉及单数形式的上下文明确指定。此外，贯穿全文使用的术语“实施方案”或“一个实施方案”或“实施例”或“一个实施例”或类似物不希望意谓相同实施方案或实施方案，除非如此描述。本文中描述的一或多个实施方案或实施例可经组合于特定实施方案或实施例中。本文中使用的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等意谓区别不同元件的标签，且不一定具有根据其数值标示的顺序意义。
在以上说明中，已参考本公开的特定实例实施例描述其实施例。应明白，可在不背离随附权利要求书中陈述的本公开的实施例的更宽精神及范围的情况下对其做出各种修改。说明书及图式应相应地被视为意在说明而非限制。

Claims (20)

1.一种设备，其包括：
第一热电组件(TEC)，其包括顶面及底面，所述第一TEC经配置以基于施加到所述第一TEC的电压电势来同时提高所述顶面的温度并降低所述底面的温度或同时降低所述顶面的所述温度并提高所述底面的所述温度以在所述顶面与所述底面之间传递热能；
传热组件，其包括顶面及底面，其中所述传热组件的所述底面经耦合到所述第一TEC的所述顶面，且其中所述传热组件经渐缩使得所述底面小于所述顶面；及
第二TEC，其包括顶面及底面，其中所述第二TEC的所述底面经耦合到所述传热组件的所述顶面，且其中所述第二TEC大于所述第一TEC。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述传热组件的所述顶面具有比所述传热组件的所述底面的表面积大约两倍的表面积。
3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
导热层，其包括顶面及底面，其中所述导热层的所述顶面经耦合到所述第一TEC的所述底面。
4.根据权利要求3所述的设备，其进一步包括：
温度感测装置，其经安置于所述导热层内。
5.根据权利要求3所述的设备，其中所述导热层的所述顶面是与所述第一TEC的所述底面大致相同的大小或比所述第一TEC的所述底面更大的大小，其中所述导热层的所述底面与电装置的封装耦合。
6.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
散热器，其包括顶面及底面，其中所述散热器的所述底面经耦合到所述第二TEC的所述顶面以将所述热能从所述第二TEC传递到所述散热器。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述散热器是无源机械装置，其中所述散热器的所述顶面包括多个通道及安置于所述多个通道之间的多个散热片。
8.根据权利要求6所述的设备，其进一步包括：
电扇，其经安置于所述散热器的所述顶面上方以将所述热能从所述散热器传递到邻近介质。
9.根据权利要求6所述的设备，其进一步包括：
所述散热器的多个附接构件，所述多个附接构件接收多个可调整耦合构件以将所述设备可调整地耦合到热腔室。
10.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：
热界面材料，其经安置于所述第一TEC的所述顶面与所述传热组件的所述底面之间及所述传热组件的所述顶面与所述第二TEC的底面之间。
11.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二TEC的所述底面具有比所述第一TEC的所述顶面的表面积大约两倍的表面积。
12.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备耦合到电装置的封装且经配置以在一温度范围内调整施加到所述电装置的所述封装的温度。
13.一种用于在各种热条件下测试电装置的***，所述***包括：
电路板；
所述电装置，其耦合到所述电路板；及
温度控制组件，其用于接触所述电装置以将热能传递到所述电装置及从所述电装置传递热能，所述温度控制组件包括：
第一热电组件(TEC)，其包括顶面及底面，所述第一TEC经配置以基于施加到所述第一TEC的电压电势来同时提高所述顶面的温度并降低所述底面的温度或同时降低所述顶面的所述温度并提高所述底面的所述温度以在所述顶面与所述底面之间传递所述热能；
传热组件，其包括顶面及底面，其中所述传热组件的所述底面经耦合到所述第一TEC的所述底面，且其中所述传热组件经渐缩使得所述底面小于所述顶面；及
第二TEC，其包括顶面及底面，其中所述第二TEC的所述底面经耦合到所述传热组件的所述顶面，且其中所述第二TEC大于所述第一TEC。
14.根据权利要求13所述的***，其中所述传热组件的所述顶面具有比所述传热组件的所述底面的表面积大约两倍的表面积。
15.根据权利要求13所述的***，所述温度控制组件进一步包括：
导热层，其包括顶面及底面，其中所述导热层的所述顶面经耦合到所述第一TEC的所述底面。
16.根据权利要求15所述的***，所述温度控制组件进一步包括：
温度感测装置，其经安置于所述导热层内。
17.根据权利要求15所述的***，其中所述导热层的所述顶面是与所述第一TEC的所述底面大致相同的大小或比所述第一TEC的所述底面更大的大小，其中所述导热层的所述底面与所述电装置的封装耦合。
18.根据权利要求13所述的***，所述温度控制组件进一步包括：
散热器，其包括顶面及底面，其中所述散热器的所述底面经耦合到所述第二TEC的所述顶面以将所述热能从所述第二TEC传递到所述散热器。
19.根据权利要求13所述的***，其进一步包括：
插座，其将所述电装置耦合到所述电路板，其中所述温度控制组件的底面装配于所述插座内且物理地接触所述电装置的封装以传递所述热能。
20.一种***，其包括：
第一热电组件(TEC)，其基于施加到所述第一TEC的电压电势来改变所述第一TEC的顶面与所述第一TEC的底面之间的温度；
传热组件，其包括顶面及底面，其中所述传热组件的所述底面经耦合到所述第一TEC的所述底面，且其中所述传热组件经渐缩使得所述底面小于所述顶面；及
第二TEC，其包括顶面及底面，其中所述第二TEC的所述底面经耦合到所述传热组件的所述顶面，且其中所述第二TEC大于所述第一TEC。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD893484S1 (en) 2018-12-12 2020-08-18 Micron Technology, Inc. Thermal control component
US10910081B2 (en) * 2018-12-17 2021-02-02 Micron Technology, Inc. Management of test resources to perform reliability testing of memory components
US11334129B2 (en) * 2019-12-11 2022-05-17 Micron Technology, Inc. Temperature control component for electronic systems
US11733107B2 (en) * 2020-10-10 2023-08-22 Fortinet, Inc. Thermistor sensor arrangement for measuring chipset temperature
US20220404211A1 (en) * 2021-06-22 2022-12-22 Everactive, Inc. Monitors for pressurized systems
US20230143199A1 (en) * 2021-11-05 2023-05-11 Microsoft Technology Licensing, Llc Thermal testing system having safety feature(s) and multiple independently controlled thermoelectric coolers

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4011104A (en) * 1973-10-05 1977-03-08 Hughes Aircraft Company Thermoelectric system
JPH10190071A (ja) * 1996-12-20 1998-07-21 Aisin Seiki Co Ltd 多段電子冷却装置
US20080184710A1 (en) * 2007-02-06 2008-08-07 Devilbiss Roger S Multistage Thermoelectric Water Cooler
IN2012DN01366A (zh) * 2009-07-17 2015-06-05 Sheetak Inc
CN102859298B (zh) * 2010-01-06 2016-08-03 诺瓦特安斯集团有限公司 热电冷却***及电子装置冷却方法
JP5444260B2 (ja) * 2010-01-19 2014-03-19 株式会社東芝 熱電モジュール及び発電装置
TWI443883B (zh) * 2010-11-29 2014-07-01 Ind Tech Res Inst 具有高熱電轉換效能之熱電轉換組件
KR101183690B1 (ko) * 2011-11-28 2012-09-17 (주)이엔씨테크 제습기능을 갖춘 낸드 플래시 메모리용 핫/콜드 테스트 장비
KR101928005B1 (ko) * 2011-12-01 2019-03-13 삼성전자주식회사 열전 냉각 패키지 및 이의 열관리 방법
DE102012207196A1 (de) * 2012-04-30 2013-10-31 Robert Bosch Gmbh Energiequelle und Verfahren zur Versorgung eines autarken elektrischen Verbrauchersystems und eine Verwendung derselben
US20160094258A1 (en) * 2014-09-25 2016-03-31 Electronics And Telecommunications Research Institute Transceiver module and communication apparatus including the same

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