CN113273311B - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示装置,其包括基板、晶体管、平坦化膜、显示元件、分隔壁和至少一个堰堤。基板具有显示区域和包围显示区域的周边区域。晶体管位于显示区域上。平坦化膜位于显示区域上并且覆盖晶体管。显示元件位于平坦化膜上并且具有与晶体管电连接的像素电极。分隔壁覆盖像素电极的端部。至少一个堰堤位于周边区域上,与平坦化膜分离,且包围显示区域。至少一个堰堤具有基座和阻挡件。基座包含平坦化膜和分隔壁的至少一者中包含的材料。
Description
技术领域
本发明的实施方式之一涉及显示装置和显示装置的制造方法。例如涉及在各像素中具有例如有机发光元件的显示元件的显示装置及其制造方法。
背景技术
作为显示装置的一例,已知有一种有机EL(Electroluminescence:电致发光)显示装置。有机EL显示装置在形成于基板上的多个像素内的各个中具有有机发光元件(以下,发光元件)作为显示元件。发光元件在一对电极间具有包含有机化合物的层(以下记作EL层),通过对一对电极间供给电流而被驱动。在发光元件的驱动中,有机化合物被氧化或者还原而成为电荷的状态,进而它们通过复合而产生激发状态。这样的电荷状态或激发状态等的活性种,由于是电中性的状态、或者比基态反应性高,因此与其他的有机化合物反应、或者容易与侵入发光元件中的水或氧等的杂质反应。这样的反应对发光元件的特性造成影响,成为发光元件的效率降低或寿命减少的原因。
作为抑制这样的特性劣化的方法,提案有使用层叠包含无机化合物的膜和包含有机化合物的膜而得的密封膜的方法。通过将具有这样的构造的密封膜形成在发光元件上,能够提供有效地抑制杂质的侵入,并且可靠性高的显示装置(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利申请公开第2018/0226454号说明书
发明内容
发明要解决的问题
本发明的实施方式之一的目的在于,提供具有高可靠性的显示装置及其制造方法。
用于解决问题的技术手段
本发明的实施方式之一是一种显示装置。该显示装置包括基板、晶体管、平坦化膜、显示元件、分隔壁和至少一个堰堤。基板具有显示区域和包围显示区域的周边区域。晶体管位于显示区域上。平坦化膜位于显示区域上且覆盖晶体管。显示元件位于平坦化膜上,具有与晶体管电连接的像素电极。分隔壁覆盖像素电极的端部。至少一个堰堤位于周边区域上,与平坦化膜分离,且包围显示区域。至少一个堰堤具有基座和阻挡件。基座包含平坦化膜和分隔壁的至少一者中包含的材料。阻挡件位于基座上,与基座接触,且包含无机材料。至少一个堰堤的基座的上表面的一部分从阻挡件露出。
本发明的实施方式之一是一种显示装置。该显示装置包括基板、晶体管、平坦化膜、显示元件、分隔壁、至少一个堰堤和附加堰堤。基板具有显示区域和包围显示区域的周边区域。晶体管位于显示区域上。平坦化膜位于显示区域上且覆盖晶体管。显示元件位于平坦化膜上并且具有与晶体管电连接的像素电极。分隔壁覆盖像素电极的端部。至少一个堰堤位于周边区域上,与平坦化膜分离,且包围显示区域。附加堰堤位于周边区域上。至少一个堰堤具有基座和阻挡件,并且被平坦化膜和附加堰堤夹着。基座包含平坦化膜和分隔壁的至少一者中包含的材料。阻挡件位于基座上,与基座接触,且包含无机材料。至少一个堰堤的基座的上表面的一部分从阻挡件露出。
本发明的实施方式之一是制造显示装置的方法。该方法包括以下步骤:在基板上形成晶体管;形成与晶体管重叠的平坦化膜;在平坦化膜上形成与晶体管电连接的像素电极;形成覆盖像素电极的端部的分隔壁;和形成包围平坦化膜的至少一个堰堤。至少一个堰堤具有基座和阻挡件,基座包含平坦化膜和分隔壁的至少一者包含的材料。阻挡件位于基座上,与基座接触,且包含无机材料。阻挡件以至少一个堰堤的基座的上表面的一部分露出的方式形成。
本发明的实施方式之一是制造显示装置的方法。该方法包括以下步骤:在基板上形成晶体管;同时形成覆盖晶体管的平坦化膜和包围平坦化膜的基座的第一层;在平坦化膜上形成与晶体管电连接的像素电极;同时形成覆盖像素电极的端部的分隔壁和第一层上的第二层;和通过在第二层上形成与第二层接触的阻挡件,而形成具有包含第一层和第二层的基座以及阻挡件的堰堤。阻挡件以将第二层的上表面露出的方式形成。
本发明的实施方式之一是制造显示装置的方法。该方法包括以下步骤:在基板上形成晶体管;形成于晶体管重叠的平坦化膜;在平坦化膜上形成与晶体管电连接的像素电极;形成覆盖像素电极的端部的分隔壁;形成包围平坦化膜的至少一个堰堤;和形成附加堰堤。至少一个堰堤被平坦化膜和附加堰堤夹着。至少一个堰堤包括基座和阻挡件。基座包含平坦化膜和分隔壁的至少一者包含的材料。阻挡件位于基座上,与基座接触,且包含无机材料。阻挡件以至少一个堰堤的基座的上表面的一部分露出的方式形成。
本发明的实施方式之一是制造显示装置的方法。该方法包括以下步骤:在基板上形成晶体管;同时形成覆盖晶体管的平坦化膜、包围平坦化膜的基座的第一层和附加堰堤;在平坦化膜上形成与晶体管电连接的像素电极;同时形成覆盖像素电极的端部的分隔壁和第一层上的第二层;和通过在第二层上形成与第二层接触的阻挡件,而形成具有包含第一层和第二层的基座以及阻挡件的堰堤。附加堰堤以堰堤被平坦化膜和附加堰堤夹着的方式形成。阻挡件以第二层的上表面的一部分从阻挡件露出的方式形成。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性俯视图。
图2是本发明的一个实施方式的显示装置的像素电路的等效电路。
图3是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性截面图。
图4是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性俯视图。
图5是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性俯视图。
图6是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性截面图。
图7是本发明的一个实施方式的显示装置的堰堤的示意性截面图。
图8是表示显示装置的制造工序的示意性截面图。
图9是表示本发明的一个实施方式的显示装置的制造工序的示意性截面图。
图10是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性俯视图。
图11是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性截面图。
图12是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性俯视图。
图13是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性截面图。
图14是用于说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的示意性截面图。
图15是用于说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的示意性截面图。
图16是用于说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的示意性截面图。
图17是用于说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的示意性截面图。
图18是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性俯视图。
图19是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性截面图。
图20是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性俯视图。
图21是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性截面图。
图22是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性截面图。
图23是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性截面图。
图24是用于说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的示意性截面图。
图25是用于说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的示意性截面图。
图26是用于说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的示意性截面图。
图27是用于说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的示意性截面图。
图28是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性截面图。
图29是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性截面图。
图30是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性截面图。
图31是用于说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的示意性截面图。
图32是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性俯视图。
图33是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性截面图。
图34是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性截面图。
图35是本发明的一个实施方式的显示装置的示意性截面图。
图36是用于说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的示意性截面图。
图37是用于说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的示意性截面图。
图38是用于说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的示意性截面图。
具体实施方式
以下,对本发明的各实施方式参照附图等进行说明。但是,本发明在不脱离其主旨的范围内能够以各种形态实施,不应该限定性地解释为以下例示的实施方式的记载内容。
附图中为了使说明更明确,与实际的形态相比,关于各部的宽度、厚度、形状等存在示意性地表示的情况,但均只是一个例子,并不是对本发明的解释进行限定的内容,在本说明书和各图中,存在对于与已经出现过的附图所说明的内容具有相同的功能的要素,标注相同的附图标记,省略重复的说明的情况。
在本说明书与权利要求中,在对某一个膜进行加工而形成多个膜的情况下,存在这些多个膜具有不同的功能、作用的情况。但是,原本这些多个膜是通过相同的工序作为同一层而形成的膜,具有相同的材料。因此,定义为这些多个膜是存在于同一层中的膜。
在本说明书和权利要求中,在表现在某构造体上配置其他的构造体的形态时,简单地表记为“在……上”的情况下,除非另有说明,包括以与某构造体相接触的方式在正上方配置其他的构造体的情况,和在某构造体的上方进一步隔着其他的构造体配置另一构造体的情况这两者。
在本说明书和权利要求书中,“某构造体从其他的构造体露出”这样的表现的意思是,某构造体的一部分没有被另一构造体覆盖的形态,也包括没有被该另一构造体覆盖的部分进一步被其他的构造体覆盖的形态。
<第一实施方式>
在本实施方式中,记载一个实施方式的显示装置100的构造及其制造方法。
1.整体结构
在图1中表示显示装置100的示意性的俯视图。如图1中所示,显示装置100具有基板102,在其上设置多个像素104。像素104配置为具有多个行和列的矩阵状。将包含像素104的区域和包围它的区域分别定义为基板102的显示区域106和周边区域。
在周边区域中设置有用于驱动像素104的驱动电路。在图1所例示的例子中,设置有夹着显示区域106的两个扫描线驱动电路108、包含模拟开关等的信号线驱动电路110。未图示的配线从显示区域106、扫描线驱动电路108、信号线驱动电路110向基板102的一边延伸,在基板102的端部露出形成端子112。端子112与柔性印刷电路(FPC)基板等的连接器116电连接。在连接器116上或者基板102上,可以进一步搭载用于控制像素104的驱动IC114。此外,在周边区域上没有设置信号线驱动电路110,而可以将其功能通过驱动IC114来实现。
在以下的说明中,为了方便,将显示装置100的端子112侧作为下部,将与端子112相反侧作为上部。基板102、显示区域106能够看作主要由四个边构成的四边形的情况下,将端子112侧的边作为下边,将与端子112相反侧的边作为上边,将上边与下边之间的边称为左右边。
2.像素
2-1.像素电路
在各像素104设置有包含显示元件130的像素电路。像素电路通过扫描线驱动电路108、信号线驱动电路110等而被驱动。由此,控制显示元件130的动作,其结果是,能够将图像在显示区域106上显示。以下,使用作为显示元件130利用发光元件的例说明像素电路。
像素电路的结构能够任意地选择,将其一例形成等效电路在图2中表示。图2中所示的像素电路,除了具有显示元件130以外,还具有驱动晶体管150、发光控制晶体管154、修正晶体管152、初始化晶体管156、写入晶体管158、保持电容140、附加电容170。对高电位电源线180赋予高电位PVDD,该电位经由电流供给线182被供给到与各列连接的像素104。显示元件130、驱动晶体管150、发光控制晶体管154、修正晶体管152在高电位电源线180与低电位电源线184之间串联连接。对低电位电源线184赋予低电位PVSS。
驱动晶体管150的栅极经由初始化晶体管156与第一信号线188电连接,并且经由写入晶体管158与第二信号线186电连接。对第一信号线188赋予初始化信号Vini,对第二信号线186赋予影像信号Vsig。写入晶体管158通过对连接于其栅极的写入控制扫描线190赋予的扫描信号SG被控制动作。初始化晶体管156的栅极与被赋予初始化控制信号IG的初始化控制扫描线192连接,通过初始化控制信号IG被控制动作。
在修正晶体管152和发光控制晶体管154的栅极分别连接被施加修正控制信号CG的修正控制扫描线194、被施加发光控制信号BG的发光控制扫描线198。在驱动晶体管150的漏极经由修正晶体管152连接复位控制线196。复位控制线196与设置于扫描线驱动电路108的复位晶体管160连接。复位晶体管160由复位控制信号RG控制,由此,能够将对复位信号线200赋予的复位电位Vrst经由修正晶体管152施加于驱动晶体管150的漏极。
在驱动晶体管150的源极与栅极之间设置有保持电容140,在驱动晶体管150的源极与低电位电源线184之间设置有附加电容170。虽然未图示,附加电容170可以以两端子分别与驱动晶体管150的源极和高电位电源线180连接的方式配置。
信号线驱动电路110和/或驱动IC114对第一信号线188和第二信号线186分别输出初始化信号Vini和影像信号Vsig。另一方面,扫描线驱动电路108对写入控制扫描线190输出扫描信号SG,对初始化控制扫描线192输出初始化控制信号IG,对修正控制扫描线194输出修正控制信号CG,对发光控制扫描线198输出发光控制信号BG,对复位晶体管160的栅极输出复位控制信号RG。
图2中所示的像素电路只是一个例子,对晶体管、电容等的元件的数量、连接关系没有限制。
2-2.截面构造
图3表示相邻的两个像素104的截面示意图。图3中表示了包括显示元件130、与其连接的保持电容140、驱动晶体管150、附加电容170等的像素电路、设置在像素电路上的钝化膜230等。
(1)像素电路
驱动晶体管150、保持电容140等的各种元件经由底涂层202设置在基板102上。基板102具有支承形成在其上的电路的功能,能够包含玻璃或石英或者高分子。在基板102中使用聚酰亚胺或聚酰胺、聚碳酸酯等的高分子,由此能够对显示装置100赋予可挠性,能够提供所谓的柔性显示器。
驱动晶体管150具有半导体膜204、半导体膜204上的栅极绝缘膜206、栅极绝缘膜206上的栅极电极210、栅极电极210上的第一层间膜212、第一层间膜212上的漏极电极214、源极电极216等。半导体膜204也可以具有活性区域204a、夹持活性区域204a的低浓度杂质区域204b、和夹持它们的高浓度杂质区域204c等。图3中,驱动晶体管150作为顶栅构造的晶体管被描绘,但构成像素电路的晶体管的构造没有限制,能够使用各种构造的晶体管。
保持电容140由半导体膜204的一部分(高浓度杂质区域204c)、其上的栅极绝缘膜206、与栅极电极210存在于同一层的电容电极208、电容电极208上的第一层间膜212、和源极电极216的一部分构成。在此,栅极绝缘膜206和第一层间膜212作为保持电容140的电介质发挥功能。
在驱动晶体管150、保持电容140上进一步设置第二层间膜218和其上的平坦化膜220。第二层间膜218是为了防止杂质侵入到像素电路中的晶体管、电容等的元件中而设置的。利用平坦化膜220能够吸收驱动晶体管150、保持电容140等引起的凹凸,形成平坦的面。
在平坦化膜220和第二层间膜218设置有到达源极电极216的开口。覆盖该开口和平坦化膜220的一部分的连接衬垫224以与源极电极216相接触的方式设置,并且附加电容电极172形成在平坦化膜220上。以覆盖连接衬垫224和附加电容电极172的方式进一步形成第三层间膜174。第三层间膜174在设置于平坦化膜220的开口中将连接衬垫224的一部分不覆盖,露出连接衬垫224的上表面。由此,能够实现设置在其上的显示元件130的像素电极132与连接衬垫224间的电连接。第三层间膜174中可以设置用于允许设置在其上的分隔壁(也称为肋部或者堰堤)222与平坦化膜220的接触的开口226。此外,连接衬垫224、开口226的形成是任意的。通过设置连接衬垫224,在接下来的工艺中能够防止源极电极216的表面的氧化,能够抑制由此导致的接触电阻的增大。开口226能够作为用于从平坦化膜220释放水、氧等的杂质的开口发挥功能,通过设置该开口226能够使像素电路中的半导体元件、显示元件130的可靠性提高。
在第三层间膜174上以连接衬垫224与附加电容电极172重叠的方式设置有像素电极132。像素电极132在设置于第三层间膜174和平坦化膜220的开口中经由连接衬垫224与源极电极216电连接。由附加电容电极172、第三层间膜174和像素电极132形成附加电容170。因此,像素电极132被附加电容170和显示元件130共有。
在底涂层202、栅极绝缘膜206、第一层间膜212、第二层间膜218、第三层间膜174中例如能够使用含有硅的无机化合物。作为含有硅的无机化合物,能够举例含有氧和硅的氧化硅、含有氧、硅和氮的氧氮化硅或氮氧化硅、含有硅和氮的氮化硅等。这些膜可以具有单层构造,也可以具有层叠构造。平坦化膜220、分隔壁222包含有机化合物。作为典型的有机化合物,能够举例丙烯酸树脂或环氧树脂、聚硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等。
栅极电极210、电容电极208、漏极电极214、源极电极216以含有钛、钼、钨、钽、铝、铜或者它们的合金的方式构成。这些电极可以以具有例如用钛、钼、钨、钽等的高熔点金属夹持具有铝或铜等的高导电性的金属而成的构造的方式构成。
显示元件130由像素电极132、像素电极132上的相对电极136、和被像素电极132与相对电极136夹着的EL层134构成。像素电极132包含铟与锡的混合氧化物(ITO)或铟与锌的混合氧化物(IZO)等的对于可见光显示透过性的导电性氧化物、或者银或铝等的金属、或者这些金属的合金。像素电极132可以具有单层构造、层叠构造的任意者。具有层叠构造的情况下,例如能够采用通过ITO或IZO等的包含导电性氧化物的膜来夹持含有金属的膜的构造。
EL层134以覆盖像素电极132和分隔壁222的方式设置。在此,所谓EL层134是指设置在像素电极132与相对电极136之间的层整体。EL层134能够由多个层构成,例如能够将电荷注入层、电荷输送层、发光层、电荷阻挡层、激子阻挡层等各种功能层组合而形成。显示元件130能够以EL层134的构造在全部的像素104间是相同的、或者在相邻的像素104间构造不同的方式构成。例如以使发光层的构造或材料在相邻的像素104间不同的方式形成EL层134,由此能够从相邻的像素104得到不同颜色的发光。在全部的像素104中使用相同的EL层134的情况下,通过设置滤色片能够获得多个发光色。在图3中,考虑到方便观看,作为代表的功能层表示了空穴注入输送层、发光层、电子注入输送层从像素电极132起依次地层叠的构造。
相对电极136遍及多个像素104而形成。即,相对电极136由多个像素104共有。相对电极136含有例如ITO或IZO等的具有透光性的导电性氧化物,或者铝、镁、银等的金属或它们的合金。在将通过EL层134获得的发光经由像素电极132取出的情况下,以含有导电性氧化物的方式形成像素电极132,并且相对电极136能够使用铝或银等的对于可见光的反射率高的金属形成。另一方面,在将通过EL层134获得的发光经由相对电极136取出的情况下,像素电极132以含有铝或银层的对于可见光的反射率高的金属的方式形成,相对电极136以对于可见光显示透过性的方式形成。具体而言,能够用含有ITO或IZO等的导电性氧化物的膜,或者用含有银或镁、铝等的金属的、具有可见光能够透过的厚度的金属薄膜构成相对电极136。
(2)钝化膜
在显示区域106上,用于保护显示元件130的钝化膜230以与显示元件130重叠的方式设置。钝化膜230的构造能够任意地选择,例如如图3所示,能够将具有包含无机化合物的第一无机膜232、包含有机化合物的有机膜234、和包含无机化合物的第二无机膜236的层叠构造适用于钝化膜230。在该情况下,作为无机化合物能够使用含有上述的硅的无机化合物。作为有机化合物能够使用环氧树脂或丙烯酸树脂等的高分子。
利用气体透过性低的第一无机膜232和第二无机膜236,能够高效地抑制从外部向有机膜234、显示元件130的杂质的侵入。有机膜234能够具有比较大的厚度,由此,吸收分隔壁222或者异物等引起的凹凸赋予平坦的上表面。由于有机膜234具有的该平坦化功能,能够提高在其上形成的第二无机膜236的平坦性,并且能够防止在第二无机膜236发生皲裂或针孔,能够更有效地保护显示装置100。
(3)其他的结构
在钝化膜230上能够设置树脂膜240。树脂膜240保护显示区域106,并且如后文所述,在显示装置100的制造时也作为用于除去暂时覆盖端子112的第一无机膜232和第二无机膜236的掩模发挥功能。该树脂膜240也包含环氧树脂或丙烯酸树脂等的高分子。虽然未图示,在树脂膜240上也可以设置偏光板、相对基板等。
3.周边区域
3-1.构造
图4是表示显示装置100的四角的构造的示意性俯视图。在该图中,省略了显示元件130、钝化膜230、树脂膜240等的构成。如以下所述,显示装置100具有包围显示区域106的至少一个堰堤(Dam)250。至少一个堰堤250可以由多个堰堤250构成,在图4所例示的例子中,例示了具有四个堰堤(第一堰堤250-1、第二堰堤250-2、第三堰堤250-3、第四堰堤250-4)的例子。以下,关于它们的构造进行详细说明。
3-2.上部周边区域
在图5中表示相对于显示区域106位于与端子112相反侧的区域118-1(参照图1)的俯视示意图,在图6中表示沿着图5的点划线A-A′的截面示意图。这些图中表示了周边区域和靠近周边区域的像素104的一部分。
(1)周边电路
如图6所示,在基板102上部的周边区域设置有与基板102的上边大致平行地延伸的一个或多个配线270、低电位电源线184、和与低电位电源线184连接的第一连接配线138等。配线270的数量、用途、功能没有限制,例如像能够作为用于对像素电极132赋予PVDD的高电位电源线180、用于对驱动电路传递各种信号的信号线发挥功能。在图6中,例示了配线270、低电位电源线184分别与栅极电极210、源极电极216(漏极电极214)存在于同一层内的例子,但配线270也可以与源极电极216(漏极电极214)存在于同一层,低电位电源线184可以与栅极电极210存在于同一层。或者,配线270、低电位电源线184的两者或者其一者也可以由与栅极电极210或源极电极216(漏极电极214)形成于不同的层的导电膜形成。第一连接配线138以含有ITO或IZO等的导电性氧化物、或者钛或钨、钼、钽、铝等的金属的方式构成。
相对电极136从显示区域106向周边区域延伸,在周边区域中与低电位电源线184电连接。低电位电源线184沿着显示区域106的外周设置,因此,根据该结构,对显示区域106的整体能够供给与相对电极136的整体大致相同的电位(PVSS)。相对电极136与低电位电源线184可以直接接触,如图6所示,也可以经由第一连接配线138、第二连接配线228进行电连接。第二连接配线228位于平坦化膜220上,在形成于分隔壁222的多个开口229中一部分从分隔壁222露出(图5、图6)。在该开口229中连接有相对电极136和第二连接配线228。第二连接配线228能够通过与像素电极132相同工序形成,因此,它们具有相同的构造,能够存在于同一层内。
(2)堰堤
设置在显示区域106的平坦化膜220以覆盖低电位电源线184的一部分的方式也向基板102的上边方向延伸(图5、图6)。但是,在周边区域中平坦化膜220的一部分被除去,由剩余部分形成作为堰堤250的一部分的第一层250a。如后文所述,平坦化膜220和第一层250a能够使用包含有机化合物(第一有机化合物)的材料通过相同的工序形成。因此,平坦化膜220和第一层250a存在于同一层内,具有相同的组成,还能够具有相同的有机化合物。此外,在图6中,位于显示元件130下的平坦化膜220和位于第二连接配线228下的平坦化膜220以被分离了的方式描绘,但用于源极电极216与显示元件130的电连接的开口没有将它们完全地分离。
分隔壁222以覆盖第二连接配线228的一部分的方式,也向基板102的上边方向延伸(图5、图6)。但是,与平坦化膜220同样,在周边区域中分隔壁222的一部分被除去,由剩余的部分形成作为堰堤250的一部分的第二层250b。如后文所述,分隔壁222和第二层250b能够使用包含有机化合物(第二有机化合物)的材料通过相同的工序形成。因此,分隔壁222和第二层250b存在于同一层内,具有相同的组成,还能够具有相同的有机化合物。将由第一层250a和第二层250b构成的部分也称为堰堤250的基座。
图7的(A)中表示堰堤250的截面示意图。各堰堤250不仅具有第一层250a、位于第一层250a上且与第一层250a接触的第二层250b,而且具有阻挡件250c。在图5、图6所示的例子中,从第一堰堤250-1至第四堰堤250-4分别具有第一阻挡件250c-1至第四阻挡件250c-4。与基座同样地,各阻挡件250c也能够以包围显示区域106的方式设置(图4)。阻挡件250c包含金属(零价的金属)或者上述的含硅无机化合物。作为金属,能够举例铝或钛、钨、钼、钽、铜或者含有它们的合金。阻挡件250c没有覆盖基座的上表面、即第二层250b的上表面的全部,而覆盖一部分。换言之,阻挡件250c的底面与基座的第二层250b的上表面的一部分接触,第二层250b的上表面的一部分从阻挡件250c露出。
第一层250a和第二层250b的高度的总和(即基座的高度)H1相比阻挡件250c的高度H2较大,例如高度H1能够形成为高度H2的2倍以上且25倍以下,2倍以上且6倍以下,或者2倍以上且5倍以下(图7的(A))。在将第一层250a的底面的宽度作为堰堤250的宽度W1、阻挡件250c的底面的宽度作为阻挡件250c的宽度W2的情况下,能够以宽度W1比宽度W2大、成为宽度W2的2倍以上且100倍以下、5倍以上且50倍以下、或者10倍以上且30倍以下的方式构成各基座和阻挡件250c。基座的侧面从基板102的法线倾斜,与其底面所成的角、即与基板102的上表面所成的角比90°小。更具体而言,第二层250b的侧面与基板102的上表面之间的角度θ1比90°小。另一方面,阻挡件250c的侧面与基板102的法线平行、或者也可以大致平行,或者也可以从法线倾斜,阻挡件250c的侧面与其底面所成的角、即阻挡件250c的侧面与基板102的上表面所成的角度θ2比角度θ1大。因此,阻挡件250c的侧面与基座的侧面相比较成为更加陡峭的构造。
在各堰堤250中,阻挡件250c的数量是任意的,例如如图7的(B)所示,各堰堤250可以具有多个阻挡件250c。另外,在相邻的堰堤250间,第一层250a可以相连而形成一体化(图7的(C))。平坦化膜220由于与至少任意一个的堰堤250的第一层250a分离,因此能够防止侵入到第一层250a的杂质经由平坦化膜220向显示区域106输送。这样对于显示装置100的高可靠性有贡献。
(3)钝化膜和树脂膜的构造及其控制
钝化膜230的第一无机膜232和第二无机膜236以包围有机膜234的方式形成,在周边区域中彼此接触(图6)。即,有机膜234被第一无机膜232和第二无机膜236密封,根据该构造,能够有效地防止杂质侵入有机膜234中。第一无机膜232和第二无机膜236与堰堤250的至少一部分重叠。即,第一无机膜232和第二无机膜236与一部分的堰堤250重叠,一部分的堰堤250从第一无机膜232和第二无机膜236露出。树脂膜240不仅在显示区域106中,而且在周边区域中也覆盖钝化膜230,其端部可以与第一无机膜232和第二无机膜236的端部一致。换言之,第一无机膜232和第二无机膜236位于树脂膜240重叠的区域内,以被封闭在该区域内的方式形成。
分别具有第一层250a、第二层250b和阻挡件250c的堰堤250,对于钝化膜230、树脂膜240的位置、形状的控制有效地发挥功能。具体而言,第一堰堤250-1、第二堰堤250-2具有控制有机膜234的形状和位置的功能,另一方面,第三堰堤250-3和第四堰堤250-4对树脂膜240以及第一无机膜232和第二无机膜236的形状控制有贡献。显示装置100的制造方法如后文所述,有机膜234、树脂膜240能够使用喷墨法或印刷法等来形成。具体而言,将成为有机膜234、树脂膜240的原料的树脂、或者包含其前体的溶液、或者悬浊液(以下将这些溶液或者悬浊液总记为原料液)喷出并涂布在第一无机膜232或者第二无机膜236上,之后将原料液的溶剂蒸馏除去、和/或使前体反应从而形成有机膜234或树脂膜240。另一方面,第一无机膜232和第二无机膜236通过利用溅射法、化学气相堆积(CVD)法将包含无机化合物的膜形成在基板102的大致整个面之后,将形成在其上的树脂膜240作为掩模通过干式蚀刻而形成。考虑到这一方面,钝化膜230和树脂膜240的位置和形状,由在形成有机膜234的原料液的第一无机膜232上的扩展、和在形成树脂膜240的原料液的第二无机膜236上的扩展来决定。
形成有机膜234的原料液为了以在显示区域106上不形成针孔、且可靠地覆盖显示区域106的方式被喷出并涂布,原料液的一部分从显示区域106溢出。溢出的原料液被第一堰堤250-1阻挡。其结果是,能够将有机膜234有选择地形成在第一堰堤250-1内。即使原料液从第一堰堤250-1流出到外侧的情况下,由于第二堰堤250-2也具有阻挡原料液的功能,因此能够防止向比第二堰堤250-2靠基板102端部侧形成有机膜234。
同样地,形成树脂膜240的原料液为了以将显示区域106和有机膜234可靠地覆盖的方式被喷出并涂布,一部分从显示区域106、有机膜234溢出。溢出的原料液由第三堰堤250-3阻挡。其结果是,能够将与第一堰堤250-1、第二堰堤250-2重叠的树脂膜240有选择地形成在第三堰堤250-3内。在原料液从第三堰堤250-3流出到外侧的情况下,由第四堰堤250-4阻挡原料液,由此,能够防止向比第四堰堤250-4靠基板102端部侧形成树脂膜240。
尤其是,通过使用本实施方式的堰堤250,能够更可靠地控制上述的原料液的扩展。对此使用图8的(A)至图9的(C)进行说明。
图8的(A)是相对于不具有阻挡件250c的堰堤250和形成在其上的第一无机膜232,原料液252从显示区域106侧靠近时的截面示意图。由于第一无机膜232、第二无机膜236形成在堰堤250上,因此在它们上也形成由于堰堤250引起的凸部。以覆盖显示区域106的方式喷出并涂布的原料液252,一部分从显示区域106向周边区域流出,如图8的(A)所示到达堰堤250。当原料液252的前端与第一无机膜232的凸部的下端(图中a)接触时,由于在下端a,第一无机膜232的表面的角度(即表面的法线的方向)大幅变化,原料液252的端部停留在该下端a和其上的侧面。这是因为,表面张力作用于原料液252。在达到图8的(A)的状态后进一步施加原料液252,只要作用于原料液252的重力不超过表面张力,原料液252就不会越过堰堤250地扩展。
但是,当进一步施加过剩的原料液252时,作用于原料液252的重力克服表面张力,原料液252的端部越过下端a和其上的侧面。如后文所述,第一层250a和第二层250b是为了对包含有机化合物的感光性树脂进行曝光、显影(湿蚀刻)而形成的,侧面与上表面之间的角带有圆弧。该角的圆弧也反应在第一无机膜232中。因此,一旦越过了侧面的原料液252就不能停留在侧面与上表面之间的角,一下就越过了堰堤250,而不能控制原料液252的扩展(图8的(B))。
另一方面,在本实施方式中,堰堤250具有阻挡件250c。因此,形成在堰堤250上的第一无机膜232和第二无机膜236在基座引起的凸部上还具有阻挡件250c引起的凸部(图9的(A)中的虚线椭圆内的构造)。阻挡件250c通过对含有无机化合物的膜进行干式蚀刻而形成。因此,该侧面与基板102的上表面所成的角度θ2比角度θ1大,另外,侧面与上表面之间的角和第二层250b的该角相比较时,不带有圆弧而是棱角,形成比较明确的脊。因此,在原料液252的前端到达下端a的状态(图9的(A))下,进一步喷出并涂布原料液252,即使原料液超过了因基座引起的凸部的侧面的情况下,原料液252也能够停留在因阻挡件250c引起的第一无机膜232的凸部的下端(图9的(B)中的b)、其侧面或凸部的脊(图9的(C)中的c)。阻挡件250c堰堤250不仅只是变高的效果,由于上述那样的机理发挥作用,通过应用本实施方式的堰堤250,能够更精密地控制有机膜234、树脂膜240的位置和形状。
3-3.左右边周边区域
图10中表示包括显示装置100的左右边的一部分的区域118-2(参照图1)的俯视示意图,图11中表示沿着图10的点划线B-B′的截面示意图。以下,关于与区域118-1相同或者类似的结构存在省略说明的情况。
如图11所示,在周边区域中设置有扫描线驱动电路108中包含的晶体管等。与区域118-1同样(图6),相对电极136从显示区域106向周边区域延伸,在周边区域中与低电位电源线184电连接。如图10、图11所示,在周边区域中至少设置一个堰堤250,各个堰堤250具有阻挡件250c。由此,在显示装置100的左右的边也能够精密地控制有机膜234、树脂膜240的位置和形状。
3-4.下部周边区域
在图12中表示显示区域106的位于端子112侧的区域118-3(参照图1)的俯视示意图,图13中表示沿着图12的点划线C-C′的截面示意图。在以下的说明中,关于与区域118-1、118-2相同或者类似的结构存在省略说明的情况。
如图13所示,在周边区域中形成具有模拟开关等的信号线驱动电路110,并且设置有与基板102的下边大致平行地延伸的一个或多个配线272、低电位电源线184、和连接于低电位电源线184的第一连接配线138、第二连接配线228等。在显示区域106与基板102的端部之间形成有用于对像素104、驱动电路供给各种信号、电源的配线122。配线122能够由形成于不同的层内的多个导电膜形成,例如如图13所示,通过将与驱动晶体管150的栅极电极210存在于同一层的配线122a、和与源极电极216(漏极电极214)存在于同一层的配线122b连接而形成。配线122在基板102的端部露出而形成端子112。在端子112中,配线122的上表面可以由保护导电膜124覆盖。保护导电膜124例如与像素电极132或者连接衬垫224同时形成,能够与它们存在于同一层。相对电极136从显示区域106向周边区域延伸,在周边区域中经由第一连接配线138、第二连接配线228与低电位电源线184电连接。在周边区域中设置有至少一个堰堤250,各个堰堤250具有阻挡件250c。由此,在显示装置100的下边也能够精密地控制有机膜234、树脂膜240的位置和形状。
在显示装置100中,由钝化膜230和树脂膜240保护包含显示元件130的像素电路,通过对它们的位置和形状进行精密地控制,能够使显示装置100的可靠性提高。如上所述在显示装置100中,通过设置至少一个具有阻挡件250c的堰堤250,能够精密地控制有机膜234、树脂膜240的位置和形状。因此,通过应用本实施方式,能够有效地抑制杂质向显示装置100侵入,显示装置100显示高可靠性。
4.制造方法
使用图14的(A)至图17的(B)说明显示装置100的制造方法。这些图是与图6对应的截面示意图。
在图14的(A)中表示在基板102上形成有驱动晶体管150、配线270、低电位电源线184和覆盖它们的第二层间膜218的构造。该构造能够应用公知的方法制作,因此省略其制作方法的说明。
4-1.平坦化膜和第一层的形成
如图14的(B)所示,对第二层间膜218进行蚀刻加工,在第二层间膜218形成用于第一连接配线138与低电位电源线184的电连接的开口。之后,以覆盖该开口的方式在第二层间膜218上形成第一连接配线138(图14的(C))。第一连接配线138能够利用溅射法或CVD法等形成。
之后,形成平坦化膜220和堰堤250的第一层250a(图15的(A))。具体而言,首先,以覆盖显示区域106、周边区域的方式在基板102的大致正面形成感光性树脂。感光性树脂能够选自具有感光性的丙烯酸树脂或环氧树脂、聚硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等。感光性树脂的形成能够应用旋涂法或浸涂法、喷墨法、印刷法等来进行,也可以通过粘贴片状的树脂来进行。接着,对于感光性树脂经由光掩模进行曝光,之后通过使用蚀刻剂进行显影而形成平坦化膜220和第一层250a。
此外,在该阶段,在平坦化膜220形成用于驱动晶体管150与显示元件130的电连接的开口的一部分(图15的(A))。之后,在该开口中进一步蚀刻第二层间膜218,源极电极216从平坦化膜220露出(图15的(B))。
4-2.堰堤的形成
接着,以覆盖平坦化膜220和第二层间膜218中所形成的开口的方式形成连接衬垫224,以覆盖平坦化膜220的上表面的一部分的方式形成附加电容电极172。它们也能够应用CVD法或溅射法来形成。这时,也可以同时在端子112形成保护配线122的保护导电膜124(参照图13)。
接着,形成附加电容电极172和覆盖连接衬垫224的一部分的第三层间膜174(图15的(B))。进一步以与附加电容电极172重叠的方式形成像素电极132,以与平坦化膜220的一部分和第一连接配线138重叠的方式形成第二连接配线228(图16的(A))。这些膜和配线也能够应用CVD法或溅射法来形成。像素电极132和第二连接配线228能够同时形成,因此它们具有相同的构造,并且能够存在于同一层内。通过像素电极132的形成,形成附加电容170(图3参照)。
并且,以覆盖像素电极132的端部的方式,且以与堰堤250的第一层250a重叠的方式形成分隔壁222和堰堤250的第二层250b(图16的(A))。它们与第一层250a同样,将感光性树脂涂布在基板102的大致整个面,并通过进行经由光掩模的感光性树脂的曝光、使用蚀刻剂的显影而形成。这时,开口229也同时形成。像这样通过同时形成分隔壁222和堰堤250的第二层250b,它们能够存在于同一层内,具有相同的组成,能够包含相同的有机化合物。因此,堰堤250包含平坦化膜220和分隔壁222的至少一者中包含的材料。另外,第一层250a和第二层250b分别能够包含与平坦化膜220和分隔壁222相同的材料,具有相同的组成。
之后,形成阻挡件250c。阻挡件250c通过使用CVD法或溅射法在基板102的大致整个面形成金属膜、或者含有硅的无机化合物的膜,并且对其进行干蚀刻来成形而形成。通过以上的工序,形成堰堤250(图16的(B))。
4-3.显示元件的形成
之后,以覆盖分隔壁222和像素电极132的方式形成EL层134,进一步在EL层134上形成相对电极136(图17的(A))。它们除了使用喷墨法或印刷法等的湿式成膜法以外,也使用蒸镀法或溅射法形成。相对电极136不仅覆盖EL层134,在开口229中为了与第二连接配线228连接而从显示区域106形成至周边区域。通过以上的工序,形成显示元件130。
4-4.钝化膜的形成
首先,利用CVD法或者溅射法,将第一无机膜232形成于基板102的大致整个面。由此,不仅显示元件130,而且堰堤250也被第一无机膜232覆盖(图17的(A))。
之后,形成有机膜234(图17的(B))。有机膜234通过将形成它的原料液利用喷墨法或印刷法喷出并涂布在显示区域106上,之后将原料液中包含的溶剂蒸馏除去、和/或使前体产生反应而形成。根据需要也可以进行加热或光照射。在将原料液喷出并涂布时,从显示区域106溢出的原料液由于具有阻挡件250c的堰堤250(例如第一堰堤250-1、第二堰堤250-2)的阻挡效果(参照图9的(A)至图9的(C)),能够限制其扩散范围,其结果是,能够精密地控制有机膜234的位置和形状。这里所例示的例子中,有机膜234以与第二堰堤250-2不重叠而与第一堰堤250-1的一部分重叠的方式设置,也可以与第二堰堤250-2的一部分或者全部重叠的方式设置。
之后,利用CVD法或者溅射法,在有机膜234和第一无机膜232上形成第二无机膜236(图17的(B))。由于第二无机膜236也形成于基板102的大致整个面,因此第二无机膜236与第一堰堤250-1至第四堰堤250-4重叠,在第三堰堤250-3、第四堰堤250-4上,第一无机膜232与第二无机膜236接触。根据该结构,有机膜234被第一无机膜232和第二无机膜236密封。
4-5.树脂膜的形成
接着,形成树脂膜240(图17的(B))。与有机膜234同样地,树脂膜240也能够利用喷墨法或印刷法形成原料液。在将原料液喷出并涂布时,从显示区域106溢出的原料液由于具有阻挡件250c的堰堤250(例如第三堰堤250-3、第四堰堤250-4)的阻挡效果(参照图9的(A)至图9的(C)),能够限制其扩散的范围,其结果是,能够精密地控制树脂膜240的位置和形状。这里所例示的例子中,树脂膜240以不与第四堰堤250-4重叠而与第三堰堤250-3的一部分重叠的方式设置,也可以与第四堰堤250-4的一部分或者全部重叠的方式设置。
之后,将树脂膜240作为掩模使用,对第一无机膜232和第二无机膜236进行干式蚀刻加工,将第一无机膜232和第二无机膜236部分地除去(图6)。这时,不仅露出第三堰堤250-3的一部分和第四堰堤250-4,而且形成在端子112上的第一无机膜232和第二无机膜236也被除去(参照图13)。由此,具有导电性的配线122或者保护导电膜124露出,能够进行与连接器116的电连接。通过以上的工序,能够制造显示装置100。
如上所述,通过应用本实施方式的制造方法,能够提供可精密地控制钝化膜230、树脂膜240的位置和形状的显示装置。因此,根据本实施方式的制造方法,能够提供可靠性高的显示装置。
<第二实施方式>
在本实施方式中,说明本发明的实施方式之一的显示装置330的构造及其制造方法。关于与第一实施方式相同、类似的结构省略说明。
1.整体结构
显示装置330与第一实施方式的显示装置100的不同点之一在于,在前者中以与显示元件130重叠的方式在显示区域106上设置有触摸传感器300这一点。具体而言,如图18所示,在显示区域106上配置有在列方向上排列为条纹状的多个第一触摸电极302、和在行方向上排列为条纹状的与第一触摸电极302交叉的多个第二触摸电极304。第一触摸电极302和第二触摸电极304的一方也称为发送电极(Tx)、另一方也称为接收电极(Rx)。第一触摸电极302和第二触摸电极304各自包括具有大致四边形的形状的多个区域(金刚石电极)。在第一触摸电极302或者第二触摸电极304中,相邻的金刚石电极由桥电极(后述)电连接。第一触摸电极302与第二触摸电极304经由图18中未图示的绝缘膜(电容绝缘膜306)彼此隔离而电独立,在它们之间形成电容。人的手指等隔着第一触摸电极302和第二触摸电极304触摸显示区域106(以下也将该动作称为触摸)从而电容发生变化,通过读取该变化能够确定所触摸的位置。像这样,通过第一触摸电极302和第二触摸电极304形成所谓的投影型静电电容方式的触摸传感器300。
各金刚石电极可以包含ITO或IZO等的透过可见光的导电性氧化物,或者可以是网状的金属膜。在后者的情况下,优选以网的开口部与像素104重叠的方式构成金刚石电极。
2.截面构造
在图19中表示相邻的两个像素104的截面示意图。图19对应于图3。触摸传感器300设置在钝化膜230上。具体而言,经由未图示的绝缘膜在第二无机膜236上配置第一触摸电极302、第二触摸电极304。在第一触摸电极302和第二触摸电极304上设置电容绝缘膜306,以与设置于电容绝缘膜306的开口重叠的方式形成桥电极308。利用桥电极308将相邻的金刚石电极电连接。第一触摸电极302、第二触摸电极304和电容绝缘膜306为触摸传感器300的基本构造。虽然未图示,可以以夹着电容绝缘膜306的方式在第一触摸电极302上设置第二触摸电极304。在该情况下,第一触摸电极302与第二触摸电极304存在于相互不同的层。
在触摸传感器300上设置有保护绝缘膜320,在其上能够直接、或者经由未图示的绝缘膜配置偏光板400。虽然未图示,也可以在偏光板400上进一步配置保护绝缘膜、相对基板。
3.周边区域
3-1.构造
图20表示显示装置330的四角的构造的示意性俯视图。在该图中,省略了显示元件130、钝化膜230、触摸传感器300、偏光板400等的构成。与显示装置100同样地,显示装置330也以包围显示区域106的方式包括至少一个具有阻挡件250c的堰堤250。显示装置330进一步在堰堤250与端子112之间具有附加堰堤254。本实施方式的附加堰堤254有选择地形成于显示区域106与端子112之间的区域中,也可以以包围显示区域106、堰堤250的方式设置附加堰堤254。
3-2.上部周边区域
在图21中表示区域118-1(参照图18)的截面示意图。图21对应于图6。如图21所示,显示装置330在周边区域中具有缓冲绝缘膜(也称为埋入绝缘膜)244。缓冲绝缘膜244覆盖堰堤250以及覆盖堰堤250的第一无机膜232和第二无机膜236。由此,阻挡件250c被埋入缓冲绝缘膜244中,缓冲绝缘膜244吸收由堰堤250产生的凹凸形成平坦的上表面和平缓地倾斜的面。另外,第一无机膜232和第二无机膜236位于与缓冲绝缘膜244重叠的区域内,并被封闭在该区域内。
缓冲绝缘膜244以在显示区域106上不与像素104重叠的方式设置。因此在显示区域106中,第二无机膜236从缓冲绝缘膜244露出。缓冲绝缘膜244优选以其上表面与从缓冲绝缘膜244露出的第二无机膜236的上表面一致的方式形成。即,优选以缓冲绝缘膜244的上表面与从缓冲绝缘膜244露出的第二无机膜236的上表面不产生较大的阶差的方式形成缓冲绝缘膜244。缓冲绝缘膜244也包含环氧树脂或丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂等,能够应用喷墨法或印刷法等形成。
在图21所示的例子中,缓冲绝缘膜244延伸至基板102的端部,其端部与基板102的端部一致。但是,也可以以基板102、底涂层202、栅极绝缘膜206、第一层间膜212或者第二层间膜218的一部分从缓冲绝缘膜244露出的方式构成缓冲绝缘膜244。
3-3.左右边周边区域
在图22中表示包含显示装置330的左右边的一部分的区域118-2(参照图18)的截面示意图。图22对应于图11。以下,存在关于与区域118-1相同或者类似的结构省略说明的情况。
与区域118-1同样地,如图22所示,在周边区域中设置有堰堤250、以及覆盖堰堤250的第一无机膜232和覆盖第二无机膜236的缓冲绝缘膜244。在第一触摸电极302或者第二触摸电极304连接引线配线310。引线配线310向周边区域延伸,并且向端子112延伸。
3-4.下部周边区域
在图23中表示位于显示区域106的端子112侧的区域118-3(参照图18)的截面示意图。图23对应于图13。在以下的说明中,也存在关于与区域118-1、118-2相同或者类似的构成省略说明的情况。
如上所述,在区域118-3中,在基板102的端部与堰堤250之间设置附加堰堤254。附加堰堤254以由平坦化膜220和附加堰堤254夹着堰堤250的方式配置。附加堰堤254包含平坦化膜220和分隔壁222的至少一者中包含的材料。如后文所述,附加堰堤254能够与平坦化膜220同时形成,或者与分隔壁222同时形成。在前者的情况下,附加堰堤254包含平坦化膜220、第一层250a中包含的有机化合物,能够与它们具有相同的组成。在后者的情况下,附加堰堤254包含分隔壁222中包含的有机化合物,与其具有相同的组成。
如图23所示,附加堰堤254能够以其高度比堰堤250小的方式构成。另外,附加堰堤254不必一定具有阻挡件250c。但是,虽然未图示,但也可以与堰堤250同样地,附加堰堤254也具有两层构造,在该情况下,能够与堰堤250的基座具有同样的构造,且具有同样的高度。
与区域118-1、118-2同样地,在周边区域中设置有堰堤250、以及覆盖堰堤250的第一无机膜232和覆盖第二无机膜236的缓冲绝缘膜244。如图23所示,缓冲绝缘膜244至少与附加堰堤254的侧面、侧面与上表面之间的脊、或者上表面接触。缓冲绝缘膜244可以与附加堰堤254的一部分重叠。与第一触摸电极302或者第二触摸电极304相连接的引线配线310从触摸传感器300在第二无机膜236、缓冲绝缘膜244上延伸。引线配线310可以与第二无机膜236、缓冲绝缘膜244接触。引线配线310与端子112电连接,由此,用于检测触摸的信号从未图示的外部电路供给到第一触摸电极302和第二触摸电极304。
如上所述,阻挡件250c能够以包含零价金属的方式形成,因此当阻挡件250c与引线配线310接触时,相邻的引线配线310通过阻挡件250c电连接,不能将用于检测触摸的信号独立地供给到第一触摸电极302和第二触摸电极304的各自。但是,缓冲绝缘膜244以与堰堤250重叠的方式设置,阻挡件250c被缓冲绝缘膜244覆盖。因此,阻挡件250c与引线配线310绝缘,能够防止阻挡件250c与引线配线310短路。另外,缓冲绝缘膜244吸收由于堰堤250引起的凹凸,形成平坦的表面、平缓地倾斜的上表面。引线配线310沿着该上表面设置,因此能够防止引线配线310的切断。
与显示装置100同样地,在显示装置330中,有机膜234也能够用喷墨法或印刷法形成,其原料液的扩散能够利用堰堤(例如第一堰堤250-1或第二堰堤250-2)控制。因此,能够在第一堰堤250-1、第二堰堤250-2内有选择地形成有机膜234。其结果是,有机膜234被第一无机膜232和第二无机膜236密封,并且,包括它们的钝化膜230能够以可靠地覆盖显示区域106的方式配置。因此,显示装置330显示高可靠性。
同样地,缓冲绝缘膜244也能够用喷墨法或印刷法形成,其原料液的扩散通过附加堰堤254控制。因此,能够将缓冲绝缘膜244有选择地形成在附加堰堤254内,并且能够利用缓冲绝缘膜244覆盖阻挡件250c。其结果是,能够有效地防止引线配线310的切断、阻挡件250c与引线配线310间的导通。
4.制造方法
利用图24的(A)至图27的(B)说明显示装置330的制造方法。这些图对应于图23。
图24的(A)中表示在基板102上形成有驱动晶体管150、配线272、配线122、信号线驱动电路110、第二层间膜218和第一连接配线138的构造。该构造能够利用公知的方法或第一实施方式中所述的方法来制作,因此省略说明。
4-1.平坦化膜、第一层、附加堰堤的形成
在第二层间膜218上同时形成平坦化膜220、堰堤250的第一层250a和附加堰堤254。接着,如在第一实施方式中所述,在用于驱动晶体管150与显示元件130的电连接的开口中蚀刻第二层间膜218,源极电极216从平坦化膜220露出,并且在形成端子112的区域中通过蚀刻第二层间膜218将其除去(图24的(B))。接着,形成附加电容电极172、第三层间膜174、像素电极132和第二连接配线228(图24的(C))。这些电极、膜均能够应用与第一实施方式中所述的方法同样的方法形成。虽然未图示,在将附加堰堤254与分隔壁222同时形成的情况下,在平坦化膜220和第一层250a的形成时不需要形成附加堰堤254。
之后,以覆盖像素电极132的端部的方式、且以覆盖堰堤250的第一层250a的方式,形成分隔壁222和堰堤250的第二层250b,并且形成开口229(图25的(A))。在平坦化膜220和第一层250a的形成时没有形成附加堰堤254的情况下,在形成分隔壁222时形成附加堰堤254。之后,应用与第一实施方式同样的方法,形成阻挡件250c(图25的(B))。
4-2.显示元件和钝化膜的形成
之后,以覆盖分隔壁222和像素电极132的方式形成EL层134,并在EL层134上形成相对电极136。并且在相对电极136上形成第一无机膜232。第一无机膜232也形成在端子112上(图25的(B))。
之后,形成有机膜234,并且以覆盖有机膜234的方式形成第二无机膜236。第二无机膜236也形成在端子112上(图26的(A))。由此形成钝化膜230。EL层134、相对电极136、钝化膜230可以利用与第一实施方式同样的方法形成。形成有机膜234的原料液利用具有阻挡件250c的堰堤250(例如第一堰堤250-1或者第二堰堤250-2)形成其扩散的范围,其结果是,能够精密地控制有机膜234的位置和形状。在此所表示的例子中,有机膜234以与第二堰堤250-2不重叠而与第一堰堤250-1的一部分重叠的方式设置,但也可以以与第二堰堤250-2的一部分、或者全部重叠的方式设置有机膜234。
接着,形成与显示区域106、有机膜234以及堰堤250的一部分重叠的抗蚀剂掩模242(图26的(B))。具体而言,利用喷墨法或印刷法,将感光性树脂的溶液或者悬浊液以覆盖有机膜234的方式喷出并涂布在显示区域106、周边区域上,之后通过将溶剂进行蒸馏除去,形成感光性树脂的膜。之后,进行利用光掩模的曝光和显影而形成抗蚀剂掩模242。这时,感光性树脂的溶液、悬浊液利用具有阻挡件250c的堰堤250(例如第三堰堤250-3或者第四堰堤250-4)形成其扩散范围,其结果是,能够精密地控制抗蚀剂掩模242的位置和形状。这里所示的例子中,抗蚀剂掩模242以与第一堰堤250-1、第二堰堤250-2和第三堰堤250-3的一部分重叠的方式设置,也可以以与第四堰堤250-4的一部分或者全部重叠的方式设置抗蚀剂掩模242。
之后,将抗蚀剂掩模242作为掩模使用,对第一无机膜232和第二无机膜236进行干式蚀刻加工,将第一无机膜232和第二无机膜236部分地除去(图27的(A))。这时,在端子112上形成的第一无机膜232和第二无机膜236也被除去。由此,配线122或者保护导电膜124露出,能够进行与连接器116的电连接。抗蚀剂掩模242通过之后的灰化处理等被除去。
之后,形成缓冲绝缘膜244(图27的(B))。缓冲绝缘膜244通过将形成它的原料液利用喷墨法或印刷法喷出并涂布在周边区域,之后将原料液中包含的溶剂进行蒸馏除去而形成。根据需要,也可以进行加热或光照射。利用附加堰堤254限制该原料液扩散的范围,其结果是,能够精密地控制缓冲绝缘膜244的位置和形状。通过设置附加堰堤254,能够防止缓冲绝缘膜244形成在附加堰堤254与端子112之间。通过在附加堰堤254与端子112之间将基板102弯曲,能够将端子112、与其连接的连接器116以与基板102重叠的方式配置。由此,能够将显示装置330收纳在小型的壳体中,能够提供设计性高的电子设备。这时,当在弯曲的区域中存在缓冲绝缘膜244时,不仅显示装置330变得难以弯曲,在缓冲绝缘膜244中容易产生裂纹,这成为可靠性降低的原因。但是,通过设置附加堰堤254,能够精密地控制缓冲绝缘膜244的位置和形状,因此能够排除这样的可靠性降低的原因。
<第三实施方式>
在本实施方式中,说明本发明的实施方式的一个显示装置340的构造及其制造方法。存在关于与第一、第二实施方式相同、类似的结构省略说明的情况。
1.周边区域的构造
在图28、图29、图30中分别表示显示装置340的上部周边区域、左右边周边区域、下部周边区域的截面示意图。这些区域分别与区域118-1、118-2、118-3(参照图1、图18)对应,图28至图30与显示装置330的截面示意图(图21、图22、图23)对应。如这些图所示,显示装置340与显示装置330的不同点之一在于,第一无机膜232和第二无机膜236覆盖多个堰堤250的全部这一点。第一无机膜232和第二无机膜236可以覆盖附加堰堤254的一部分(图30)。通过采用这样的结构,能够将引线配线310更可靠地与阻挡件250c绝缘。
2.制造方法
使用图31的(A)、图31的(B)说明显示装置340的制造方法。这些图与图30对应。与显示装置330的制造同样地,将钝化膜230的第一无机膜232、有机膜234、第二无机膜236以覆盖堰堤250和附加堰堤254的方式形成于基板102的大致整个面(图31的(A))。直至这一阶段,有机膜234的位置和形状能够由具有阻挡件250c的堰堤250控制。
之后,形成抗蚀剂掩模242。如图31的(A)所示,抗蚀剂掩模242以覆盖堰堤250的全部,且覆盖附加堰堤254的一部分的方式形成,也可以以覆盖附加堰堤254的全部的方式形成。抗蚀剂掩模242通过以覆盖显示区域106、堰堤250、附加堰堤254的方式在基板102的大致整个面形成感光性树脂,之后通过利用光掩模的曝光和显影而能够形成。曝光以在显影后感光性树脂剩余在显示区域106、堰堤250和附加堰堤254的一部分上的方式进行。
之后,将抗蚀剂掩模242作为蚀刻掩模使用,对第一无机膜232和第二无机膜236进行干式蚀刻。通过该过程,除去从抗蚀剂掩模242露出的第一无机膜232和第二无机膜236,同时在端子112中配线122或者保护导电膜124露出(图31的(B))。之后将抗蚀剂掩模242通过灰化等除去,进而如在第二实施方式中所述形成缓冲绝缘膜244(图31的(B))。缓冲绝缘膜244通过喷墨法或印刷法等形成,其位置和形状能够由附加堰堤254控制。之后的过程与第二实施方式的过程相同,因此省略说明。
<第四实施方式>
在本实施方式中,说明本发明的实施方式之一的显示装置350的构造及其制造方法。关于与第一至第三实施方式相同、类似的结构存在省略说明的情况。
1.周边区域的构造
显示装置350与显示装置330的不同点之一在于,没有设置用于控制抗蚀剂掩模242的位置和形状的堰堤(例如显示装置330中的第三堰堤250-3、第四堰堤250-4)这一点。利用图32至图35进行具体的说明。这些图分别是显示装置350的四角的俯视示意图和上部周边区域、左右边周边区域、下部周边区域的截面示意图,与显示装置330的俯视和截面的示意图(图20至图23)对应。
如这些图所示,显示装置350具有两个堰堤(第一堰堤250-1和第二堰堤250-2),在第二堰堤250-2与基板102的端部之间没有设置具有阻挡件250c的堰堤250。在下部周边区域设置附加堰堤254。钝化膜230的第一无机膜232和第二无机膜236可以以与具有阻挡件250c的堰堤250的全部重叠的方式配置,也可以覆盖一个堰堤(第一堰堤250-1)的整体而覆盖其他的堰堤(这里是第二堰堤250-2)的一部分的方式配置。虽然未图示,第一无机膜232和第二无机膜236可以以覆盖附加堰堤254的方式设置。缓冲绝缘膜244覆盖堰堤250,由此,设置在其上的引线配线310与阻挡件250c绝缘。缓冲绝缘膜244的位置和形状由附加堰堤254控制。
具有这样的形态的显示装置350中,能够降低堰堤250的数量,因此能够提供周边区域的面积更小的显示装置,这对于显示装置的设计性的提高有贡献。
2.制造方法
使用图36的(A)至图38说明显示装置350的制造方法。这些图与图35对应。
与第二实施方式的显示装置330同样地形成至显示元件130。图36的(A)是表示形成至显示元件130的状态的截面示意图。在此,包围显示区域106的堰堤250形成有两个,在下部周边区域中,在堰堤250与端子112之间形成有附加堰堤254。
接着,形成钝化膜230(图36的(B))。钝化膜230能够应用与第二实施方式中所述的方法同样的方法形成。通过设置在周边区域的两个堰堤250来控制有机膜234的位置和形状。
之后,形成抗蚀剂掩模242。在此所示的例子中,抗蚀剂掩模242以覆盖堰堤250、且不覆盖附加堰堤254的方式形成(图37的(A))。虽然未图示,但也可以以覆盖附加堰堤254的一部分或者全部的方式形成抗蚀剂掩模242。抗蚀剂掩模242如在第二实施方式中所述,能够通过感光性树脂的喷出及涂布、利用了光掩模的曝光和显影而形成。利用光掩模能够控制抗蚀剂掩模242的位置和形状,因此在显示装置350中,可以不需要另外设置用于控制抗蚀剂掩模242的堰堤250。
接着,除去从抗蚀剂掩模242露出的第一无机膜232和第二无机膜236,同时在端子112中配线122或者保护导电膜124露出(图37的(B))。之后将抗蚀剂掩模242通过灰化等除去,并且如第二实施方式中所述形成缓冲绝缘膜244(图38)。缓冲绝缘膜244能够利用喷墨法或印刷法等而形成,其位置和形状能够利用附加堰堤254或者第二堰堤250-2控制。之后的过程与第二实施方式相同,因此省略说明。
如以上所述,通过将具有阻挡件250c的堰堤250以包围显示区域106的方式至少设置一个,由此能够精密地控制钝化膜230、树脂膜240、抗蚀剂掩模242、缓冲绝缘膜244的位置和形状,由此,能够再现性良好地提供具有高可靠性的显示装置。
即使是与上述的各实施方式的形态带来的作用效果不同的其他作用效果,关于根据本说明书的记载能够明确的作用效果、或者对本领域技术人员能够容易地预测的作用效果,当然也理解为能够由本发明所带来的作用效果。
在本说明书中,作为公开例主要例示了EL显示装置的情况,作为其他的应用例,也能够举例除此之外的自发光型显示装置、液晶显示装置、或者具有电泳元件等的电子纸型显示装置等所谓的平板型的显示装置。而且,从中小型至大型没有特别限定地均能够适用。
即使是与通过上述的各实施方式的形态所带来的作用效果不同的其他作用效果,如果根据本说明书的记载能够显而易见、或者对于本领域技术人员是能够容易地预测的,当然也应该理解为由本发明能够带来的作用效果。
附图标记的说明
100:显示装置,102:基板,104:像素,106:显示区域,108:扫描线驱动电路,110:信号线驱动电路,112:端子,114:驱动IC,116:连接器,118-1:区域,118-2:区域,118-3:区域,122:配线,122a:配线,122b:配线,124:保护导电膜,130:显示元件,132:像素电极,134:EL层,136:相对电极,138:第一连接配线,140:保持电容,150:驱动晶体管,152:修正晶体管,154:发光控制晶体管,156:初始化晶体管,158:写入晶体管,160:复位晶体管,170:附加电容,172:附加电容电极,174:第三层间膜,180:高电位电源线,182:电流供给线,184:低电位电源线,186:第二信号线,188:第一信号线,190:写入控制扫描线,192:初始化控制扫描线,194:修正控制扫描线,196:复位控制线,198:发光控制扫描线,200:复位信号线,202:底涂层,204:半导体膜,204a:活性区域,204b:低浓度杂质区域,204c:高浓度杂质区域,206:栅极绝缘膜,208:电容电极,210:栅极电极,212:第一层间膜,214:漏极电极,216:源极电极,218:第二层间膜,219:感光性树脂,220:平坦化膜,222:分隔壁,224:连接衬垫,226:开口,228:第二连接配线,229:开口,230:钝化膜,232:第一无机膜,234:有机膜,236:第二无机膜,240:树脂膜,242:抗蚀剂掩模,244:缓冲绝缘膜,250:堰堤,250-1:第一堰堤,250c-1:第一阻挡件,250-2:第二堰堤,250c-2:第二阻挡件,250-3:第三堰堤,250c-3:第三阻挡件,250-4:第四堰堤,250c-4:第四阻挡件,250a:第一层,250b:第二层,250c:阻挡件,252:原料液,254:附加堰堤,270:配线,272:配线,300:触摸传感器,302:第一触摸电极,304:第二触摸电极,306:电容绝缘膜,308:桥电极,310:引线配线,320:保护绝缘膜,330:显示装置,340:显示装置,350:显示装置,400:偏光板。
Claims (18)
1.一种显示装置,其特征在于,具有:
基板,其具有显示区域和包围所述显示区域的周边区域;
所述显示区域上的晶体管;
位于所述显示区域上且覆盖所述晶体管的平坦化膜;
位于所述平坦化膜上且包括与所述晶体管电连接的像素电极的显示元件;和
覆盖所述像素电极的端部的分隔壁,
位于所述周边区域上,与所述平坦化膜分离且包围所述显示区域的至少一个堰堤,
所述至少一个堰堤具有:
包含所述平坦化膜和所述分隔壁的至少一者中包含的材料的基座;和
位于所述基座上,与所述基座接触且包含无机材料的阻挡件,
所述至少一个堰堤的所述基座的上表面的一部分从所述阻挡件露出,
所述基座具有:
包含所述平坦化膜中包含的第一有机化合物的第一层;和
位于所述第一层上,与所述第一层和所述阻挡件接触,且包含所述分隔壁中包含的第二有机化合物的第二层。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述无机材料选自含硅无机化合物和零价金属。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述阻挡件的侧面与所述基板的上表面之间的角度,比所述第二层的侧面与所述基板的所述上表面之间的角度大。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
在所述显示区域上还具有钝化膜,
所述钝化膜具有:
第一无机膜;
所述第一无机膜上的有机膜;和
所述有机膜上的第二无机膜,
所述至少一个堰堤具有多个堰堤,
所述第一无机膜和所述第二无机膜与所述多个堰堤的至少一个重叠。
5.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于:
所述第一无机膜和所述第二无机膜与所述多个堰堤重叠。
6.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于:
在所述钝化膜上还具有树脂膜,
所述树脂膜与所述多个堰堤的至少一个重叠。
7.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于:
所述第一无机膜和所述第二无机膜位于与所述树脂膜重叠的区域中。
8.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
在所述显示区域上还具有触摸传感器。
9.一种显示装置,其特征在于,具有:
基板,其具有显示区域和包围所述显示区域的周边区域;
所述显示区域上的晶体管;
位于所述显示区域上且覆盖所述晶体管的平坦化膜;
位于所述平坦化膜上且包括与所述晶体管电连接的像素电极的显示元件;
覆盖所述像素电极的端部的分隔壁,
位于所述周边区域上,与所述平坦化膜分离且包围所述显示区域的至少一个堰堤;和
所述周边区域上的附加堰堤,
所述至少一个堰堤被所述平坦化膜和所述附加堰堤夹着,
所述至少一个堰堤包括:
基座,其包含所述平坦化膜和所述分隔壁的至少一者中包含的材料;和
位于所述基座上,与所述基座接触且包含无机材料的阻挡件,
所述至少一个堰堤的所述基座的上表面的一部分从所述阻挡件露出,
所述基座具有:
包含所述平坦化膜中包含的第一有机化合物的第一层;和
位于所述第一层上,与所述第一层和所述阻挡件接触,且包含所述分隔壁中包含的第二有机化合物的第二层。
10.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于:
所述无机材料选自含硅无机化合物和零价金属。
11.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于:
所述阻挡件的侧面与所述基板的上表面之间的角度比所述第二层的侧面与所述基板的所述上表面之间的角度大。
12.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于:
在所述显示区域上还具有钝化膜,
所述钝化膜具有:
第一无机膜;
所述第一无机膜上的有机膜;和
所述有机膜上的第二无机膜,
所述至少一个堰堤具有多个堰堤,
所述第一无机膜和所述第二无机膜与所述多个堰堤的至少一个重叠。
13.如权利要求12所述的显示装置,其特征在于:
所述第一无机膜和所述第二无机膜与所述多个堰堤重叠。
14.如权利要求12所述的显示装置,其特征在于:
还具有与所述多个堰堤重叠的绝缘膜。
15.如权利要求14所述的显示装置,其特征在于:
所述绝缘膜与所述附加堰堤重叠。
16.如权利要求14所述的显示装置,其特征在于:
所述第一无机膜和所述第二无机膜的端部位于与所述绝缘膜重叠的区域内。
17.如权利要求14所述的显示装置,其特征在于,进一步包括:
所述显示区域上的触摸传感器;和
与所述触摸传感器电连接且在所述绝缘膜上延伸的配线。
18.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于:
所述附加堰堤包围所述至少一个堰堤。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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