CN112992989A - 显示面板和包括显示面板的显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了显示面板和包括显示面板的显示装置。该显示面板包括：衬底，包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域包括透射区域，第二区域和第三区域邻近于第一区域；第一像素组和第二像素组，均设置在第一区域中，透射区域设置在第一像素组与第二像素组之间；多个第一连接线，在第一方向上延伸并且电连接到第一像素组的多个第一像素；多个第二连接线，在第一方向上延伸并且电连接到第二像素组的多个第二像素；以及多个第三连接线，在第二方向上延伸并且设置在第三区域中，多个第三连接线电连接到多个第一连接线和多个第二连接线。

Description

显示面板和包括显示面板的显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月18日向韩国知识产权局提交的第10-2019-0170208号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
一个或多个实施例涉及显示装置，并且涉及包括扩展的显示区域使得即使在可布置或设置组件的区中也可显示一个图像或多个图像的显示面板和包括显示面板的显示装置。
背景技术
显示装置的用途和应用近来已多样化。另外，随着显示装置变得更薄并且更轻，它们的使用范围已逐渐扩大。
随着显示装置以各种方式被使用，它们已被设计成具有各种形状。此外，可与显示装置组合或关联的功能正在增加。
将理解的是，技术部分的此背景旨在部分地提供用于理解技术的有用背景。然而，技术部分的此背景也可包括不是相关领域的技术人员在本文中所公开的主题的相应的有效申请日之前已知或领会的内容的一部分的思想、概念或认识。
发明内容
作为增加可与显示装置组合或关联的功能的方式，实施例可提供一种在显示区域内部包括可布置或设置诸如传感器或相机的组件的第一区域的显示装置。然而，应理解的是，本文中所描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不用于限制本公开。
额外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过该描述而明确，或者可通过实践本公开的所呈现的实施例而获知。
根据一个或多个实施例，显示面板可包括：衬底，包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域包括透射区域，第二区域和第三区域邻近于第一区域；第一像素组和第二像素组，均设置在第一区域中，透射区域设置在第一像素组和第二像素组之间；多个第一连接线，在第一方向上延伸并且电连接到第一像素组的多个第一像素；多个第二连接线，在第一方向上延伸并且电连接到第二像素组的多个第二像素；以及多个第三连接线，在第二方向上延伸并且设置在第三区域中，多个第三连接线电连接到多个第一连接线和多个第二连接线，其中，第二方向与第一方向相交。
显示面板还可包括多个布线，多个布线在第二区域中在第二方向上延伸，其中，多个布线可电连接到第一像素组并且在第一像素组和第二像素组之间断开。
多个布线可包括供应数据信号的数据线。
多个布线和多个第三连接线可设置在相同的层上。
多个第一连接线和多个第二连接线可设置在相同的层上。
显示面板还可包括多个辅助布线，多个辅助布线在第二方向上延伸并且电连接到多个第二像素。
多个第二连接线可电连接到多个辅助布线。
显示面板还可包括设置在第一区域中的第一金属层，其中，第一金属层可与第一像素组和多个第一连接线重叠。
显示面板还可包括设置在第一区域中的第二金属层，第二金属层与第一金属层间隔开，其中，第二金属层可与第二像素组和多个第二连接线重叠。
第一金属层和第二金属层可从导线接收恒定电压。
多个第一像素和多个第二像素中的每个可包括像素电路，像素电路包括薄膜晶体管，薄膜晶体管可包括半导体层和与半导体层的至少一部分重叠的栅电极，并且第一金属层和第二金属层可设置在衬底和半导体层之间。
第三区域可包括围绕第二区域的非显示区域。
第三区域可围绕第一区域的至少一部分，并且可设置在第一区域和第二区域之间。
显示面板还可包括：第一导电层，设置在衬底上方；以及第二导电层，设置在第一导电层上方，其中，绝缘层可设置在第一导电层和第二导电层之间，多个第三连接线与第一导电层可包括相同的材料，并且多个第一连接线和多个第二连接线与第二导电层可包括相同的材料。
多个第一像素和多个第二像素中的每个可包括：显示元件；以及像素电路，包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括：半导体层；栅电极，与半导体层的至少一部分重叠；以及电极层，电连接到半导体层。多个第三连接线和电极层可包括相同的材料。
多个第一像素和多个第二像素中的每个可包括接触金属层，接触金属层设置在显示元件和薄膜晶体管之间并且将显示元件电连接到薄膜晶体管，并且多个第一连接线和多个第二连接线与接触金属层可包括相同的材料。
第一区域可至少部分地被第二区域围绕。
第一区域的分辨率可低于第二区域的分辨率。
根据一个或多个实施例，显示装置可包括：显示面板，包括衬底，衬底可包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域包括透射区域，第二区域和第三区域邻近于第一区域；以及组件，设置在显示面板的第一区域中，其中，显示面板可包括：第一像素组和第二像素组，均设置在第一区域中，透射区域设置在第一像素组和第二像素组之间；多个第一连接线，在第一方向上延伸并且电连接到第一像素组的多个第一像素；多个第二连接线，在第一方向上延伸并且电连接到第二像素组的多个第二像素；以及多个第三连接线，在第二方向上延伸并且设置在第三区域中，多个第三连接线电连接到多个第一连接线和多个第二连接线，其中，第二方向与第一方向相交。
组件可包括成像元件。
通过下面的实施例、附图和权利要求的描述，这些和/或其他方面将变得显而易见并且更容易领会。
附图说明
通过结合附图而作出的下面的描述，实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加显而易见，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的透视图；
图2是根据实施例的显示装置的示意性截面视图；
图3是根据实施例的显示面板的平面视图；
图4A和图4B是根据实施例的可包括在显示面板中的主像素和/或辅助像素的等效电路图；
图5是根据实施例的显示面板的像素的像素电路的布置视图；
图6是根据实施例的像素的像素电路的示意性截面视图；
图7是根据实施例的显示装置的一部分或区的平面视图；
图8是图7的一部分或区的放大平面视图；
图9A和图9B是沿图8的线B-B'截取的示意性截面视图；
图10至图13是根据实施例的显示装置的一部分或区的平面视图；以及
图14A至图14D是示出根据实施例的显示装置的像素布置的视图。
具体实施方式
现在将详细参照实施例，实施例的示例在附图中示出，其中相似的附图标记始终指代相似的元件。就这一点而言，实施例可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，下面仅通过参照图来描述实施例以解释该描述的各方面。
为了描述本公开的实施例，可不提供与描述不相关的一些部分，并且在整个说明书中，相似的附图标记指代相似的元件。
如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部，或其变化。
术语“和”以及“或”可在结合或分离的意义上使用，并且可理解为等同于“和/或”。在说明书和权利要求书中，出于其含义和诠释的目的，短语“……中的至少一个”旨在包括“选自……的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可理解为意味着“A、B或A和B”。
在下文中，将参照附图详细描述实施例。在图中，相同的附图标记被赋予相同或相应的元件，并且将省略其重复描述。
将理解的是，尽管在本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件或组件能被称为第二元件或组件。类似地，第二元件或组件也能被称为第一元件或组件。
除非上下文另外明确指出，否则如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式。
将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含(including)”、“具有(have)”和/或“具有(having)”时，它们或它可载明存在所述及的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其任何组合。
当层、膜、区、衬底或区域或者元件被称为在另一层、膜、区、衬底或区域或者元件“上”时，该层、膜、区、衬底或区域或者元件可直接在另一层、膜、区、衬底或区域或者元件上，或者其间可存在中间层、膜、区、衬底或区域或者元件。相反地，当层、膜、区、衬底或区域或者元件被称为“直接在”另一层、膜、区、衬底或区域或者元件“上”时，其间可不存在中间层、膜、区、衬底或区域或者元件。此外，当层、膜、区、衬底或区域或者元件被称为在另一层、膜、区、衬底或区域或者元件“下面”时，该层、膜、区、衬底或区域或者元件可直接在另一层、膜、区、衬底或区域或者元件下面，或者其间可存在中间层、膜、区、衬底或区域或者元件。相反地，当层、膜、区、衬底或区域或者元件被称为“直接在”另一层、膜、区、衬底或区域或元件“下面”时，其间可不存在中间层、膜、区、衬底或区域或者元件。此外，“上面”或“上”可包括定位在对象上方或下方，并且不必暗示基于重力的方向。
为了描述的方便，本文中可使用空间相对术语“下方”、“之下”、“下部的”、“上方”、“上部的”等来描述如图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的除了图中描绘的方位之外的不同方位。例如，在图中所示的装置被翻转的情况下，定位在另一装置“下方”或“之下”的装置可被放置在另一装置“上方”。因此，说明性术语“下方”可包括下和上两个位置。装置也可在其他方向上取向，并且因此可依据方位来对空间相对术语进行不同地解释。
在图中，为了其描述的更好理解、清楚及便利，元件的尺寸和厚度可被放大。然而，本公开不限于所示出的尺寸和厚度。在图中，为了清楚，层、膜、面板、区和其他元件的厚度可被夸大。在图中，为了描述的更好理解和便利，一些层和区域的厚度可被夸大。
另外，术语“重叠”或“重叠的”意味着第一对象可在第二对象的上方或下方或者第二对象的侧面，反之亦然。另外，术语“重叠”可包括层叠、堆叠、面对或面向、在……上面延伸、覆盖或部分覆盖、或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。术语“面对”和“面向”意味着第一元件可直接或间接地与第二元件相对。在第三元件介于第一元件和第二元件之间的情况下，尽管仍然彼此面对，但是第一元件和第二元件可理解为彼此间接相对。当元件被描述为与另一元件“不重叠”或“将不重叠”时，这可包括这些元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。
当实施例可被不同地实现时，可与所描述的顺序不同地执行特定的处理顺序。例如，两个连续描述的处理可基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
此外，在说明书中，短语“在平面视图中”意味着当从上面观察对象部分时，并且短语“在示意性截面视图中”意味着当从侧面观察通过垂直切割对象部分而截取的示意性截面时。
将理解的是，当层、区或组件被称为“连接”或“联接”到另一层、区或组件时，该层、区或组件可“直接连接”或“直接联接”到另一层、区或组件，或者可在其他层、区或组件介于其间的情况下“间接连接”或“间接联接”到另一层、区或组件。例如，将理解的是，当层、区或组件被称为“电连接”或“电联接”到另一层、区或组件时，该层、区或组件可“直接电连接”或“直接电联接”到另一层、区或组件，或者可在其他层、区或组件介于其间的情况下“间接电连接”或“间接电联接”到另一层、区或组件。
而且，当元件被称为与另一元件“接触”或“接触到”等时，该元件可与另一元件“电接触”或“物理接触”，或者该元件可与另一元件“间接接触”或“直接接触”。
考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即测量***的限制)，如本文中所使用的“约”或“近似地”包括所陈述的值并且意味着在如本领域普通技术人员所确定的针对特定值的偏差的可接受范围内。例如，“约”可意味着在一个或多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％之内。
在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可在更广义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可代表可彼此不垂直的不同方向。
除非另有定义，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与实施例所属的领域的普通技术人员通常所理解的含义相同含义。另外，将进一步理解的是，除非本文中明确地如此限定，否则术语，诸如在常用词典中定义的那些，应被诠释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于刻板的意义进行诠释。
图1是根据实施例的显示装置1的透视图。
参照图1，显示装置1可包括第一区域CA、第二区域DA(在下文中称为显示区域)和第三区域PA，显示区域DA显示一个图像或多个图像，并且第三区域PA不显示一个图像或多个图像。显示装置1可通过使用从布置或设置在显示区域DA中的主像素Pm发射的光来显示主图像。
第一区域CA可至少部分地被显示区域DA围绕。如以下参照图2所描述的，第一区域CA可以是其中可布置或设置使用红外线、可见光或声音的诸如传感器和/或相机的组件的组件区域。第一区域CA可包括透射区域TA，可从组件输出到外部或者从外部朝向组件前进的光和/或声音可穿过该透射区域TA。在实施例中，在红外线穿过第一区域CA的情况下，透光率可以是约10％或更大，例如，约20％或更大、约25％或更大、约50％或更大、约85％或更大、或者约90％或更大。
在实施例中，辅助像素Pa可布置或设置在第一区域CA中。显示装置1可通过使用从辅助像素Pa发射的光来显示预定图像。在第一区域CA中显示的图像可以是辅助图像。辅助图像的分辨率可小于在显示区域DA中显示的图像的分辨率。由于第一区域CA可包括光和/或声音可穿过的透射区域TA，因此在第一区域CA中每单位面积可布置或设置的辅助像素Pa的数量可小于在显示区域DA中每单位面积可布置或设置的主像素Pm的数量。
第一区域CA可至少部分地被显示区域DA围绕。在实施例中，在图1中示出的是，第一区域CA可被显示区域DA完全围绕。
第三区域PA可在外部围绕显示区域DA或与显示区域DA相邻，并且可以是其中可不布置或设置像素的非显示区域。第三连接线CL3(参见图7)可布置或设置在第三区域PA中以绕开透射区域TA，第三连接线CL3可将数据信号传送到布置或设置在第一区域CA中的辅助像素Pa。由于第三连接线CL3可布置或设置在第三区域PA中，所以可提高第一区域CA的透射率。将参照图7对此进行详细描述。
在实施例中，中间区域MA可布置或设置在第一区域CA和显示区域DA之间。第三连接线CL3可布置或设置在中间区域MA中而不是第三区域PA中。在实施例中，第三连接线CL3可布置或设置在第三区域PA和中间区域MA中。在第三连接线CL3可布置或设置在中间区域MA中的情况下，中间区域MA可以是可不布置或设置像素的非显示区域。在实施例中，可省略中间区域MA。
在下文中，尽管作为示例将根据实施例的显示装置1描述为有机发光显示装置，但是根据实施例的显示装置1不限于此。在实施例中，根据实施例的显示装置1可包括各种类型的显示装置，诸如无机发光显示器和量子点发光显示器。例如，布置或设置到显示装置1的显示元件的发射层可包括有机材料，可包括无机材料，可包括量子点，可包括有机材料和量子点，或者可包括无机材料和量子点。
尽管图1中示出了第一区域CA可布置或设置在显示区域DA的一侧(上部中央区)，但是实施例不限于此。显示区域DA的形状可以是圆形、椭圆形或诸如三角形或五边形的多边形。在本公开的精神和范围内，第一区域CA的位置和第一区域CA的数量可被各种改变。
图2是根据实施例的显示装置1的沿图1的线A-A'截取的示意性截面视图。
参照图2，显示装置1可包括显示面板10和组件20，显示面板10包括显示元件，并且组件20对应于第一区域CA。
显示面板10可包括衬底100、显示元件层200和作为密封构件的薄膜封装层300，显示元件层200可布置或设置在衬底100上，并且薄膜封装层300密封显示元件层200。作为示例，显示面板10可包括布置或设置在衬底100下方或下面的底部保护膜175。
衬底100可包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可包括例如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和乙酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的衬底100可以是柔性的、可卷曲的和/或可弯曲的。衬底100可具有多层结构，多层结构包括包含聚合物树脂的层和无机层(未示出)。
显示元件层200可包括电路层、作为显示元件的有机发光二极管OLED以及设置在它们之间的绝缘层IL和IL'，并且电路层可包括薄膜晶体管TFT。
主像素Pm可布置或设置在显示区域DA中，主像素Pm可包括薄膜晶体管TFT和与薄膜晶体管TFT电连接的有机发光二极管OLED。
第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2可布置或设置在第一区域CA中，第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2中的每个可包括薄膜晶体管TFT以及与薄膜晶体管TFT电连接的有机发光二极管OLED。第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2可在第一区域CA中形成组并且被定义为第一像素组Pg1和第二像素组Pg2。尽管图2中示出了第一像素组Pg1和第二像素组Pg2分别包括一个第一辅助像素Pa1和一个第二辅助像素Pa2，但是第一像素组Pg1和第二像素组Pg2可分别包括多个第一辅助像素Pa1和多个第二辅助像素Pa2。第一连接线CL1和第二连接线CL2可分别布置或设置在第一像素组Pg1和第二像素组Pg2的一侧，第一连接线CL1和第二连接线CL2分别电连接到第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2。
透射区域TA可布置或设置在第一区域CA中的第一像素组Pg1和第二像素组Pg2之间。显示元件可不布置或设置在透射区域TA中。透射区域TA可以是可从组件20发射或可入射到组件20的光/信号可穿过的区。
组件20可位于或设置在第一区域CA中。组件20可包括使用光或声音的电子元件。例如，组件20可以是诸如可发射和/或接收光的红外传感器的传感器、可输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、可输出光的小灯、可输出声音的扬声器以及包括成像装置的相机。使用光的电子元件可使用包括可见光、红外光和紫外光的各种波长段的光。布置或设置在第一区域CA中的组件20可设置为多个。
第一金属层BML1和第二金属层BML2可布置或设置在第一区域CA中。在实施例中，第一金属层BML1可布置或设置为与第一像素组Pg1和第一连接线CL1对应，并且第二金属层BML2可布置或设置为与第二像素组Pg2和第二连接线CL2对应。第一金属层BML1和第二金属层BML2可防止外部光(例如，从组件20发射的光)到达第一像素组Pg1和第二像素组Pg2。由于第一金属层BML1和第二金属层BML2可防止在外部光在第一连接线CL1之间以及在第二连接线CL2之间穿过时可发生的光的反射或衍射，因此可防止第一区域CA中的图像失真(例如，眩光、雾度或其他失真)。
在实施例中，可将恒定电压或信号施加到第一金属层BML1和第二金属层BML2，并且因此可防止因静电放电而引起的像素电路的损坏。在实施例中，第一金属层BML1和第二金属层BML2可接收不同的电压。
第三区域PA可围绕显示区域DA或与显示区域DA相邻。第三连接线CL3可布置或设置在第三区域PA中。多个第三连接线CL3可分别电连接到多个第一连接线CL1和多个第二连接线CL2，使得多个第一连接线CL1可电连接到多个第二连接线CL2。
薄膜封装层300可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。关于这点，图2示出了第一无机封装层310和第二无机封装层330以及设置在它们之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅之中的至少一种无机绝缘材料。有机封装层320可包括聚合物类材料。聚合物类材料可包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
底部保护膜175可附接或粘附在衬底100的背部上，以支承和保护衬底100。底部保护膜175可包括与第一区域CA对应的开口175OP。底部保护膜175可通过包括开口175OP来提高第一区域CA的透光率。例如，底部保护膜175可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
第一区域CA的面积可大于其中可布置或设置组件20的面积。因此，底部保护膜175的开口175OP的面积可不与第一区域CA的面积一致。例如，开口175OP的面积可小于或不同于第一区域CA的面积。
尽管未示出，但是诸如输入感测构件、防反射构件和透明窗的元件可布置或设置在显示面板10上，输入感测构件感测触摸输入，并且防反射构件包括偏振器和延迟器，或者包括滤色器和黑矩阵。
尽管在实施例中薄膜封装层300可用作密封显示元件层200的封装构件，但是实施例不限于此。例如，作为密封显示元件层200的构件，可使用密封衬底，密封衬底通过密封剂或玻璃料附接或粘附到衬底100。
图3是根据实施例的显示面板10的平面视图。
参照图3，显示面板10可包括显示区域DA，并且可包括布置或设置在显示区域DA中的主像素Pm。主像素Pm中的每个可包括诸如有机发光二极管的显示元件。每个主像素Pm可通过有机发光二极管发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。在说明书中，主像素Pm可以是如以上描述的发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光的像素。通过被参照图2描述的封装构件覆盖或重叠，可保护显示区域DA免受外部空气或湿气的影响。
第一区域CA可布置或设置在显示区域DA内部。第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2可布置或设置在第一区域CA中。第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2中的每个可包括诸如有机发光二极管的显示元件。第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2中的每个可通过有机发光二极管发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。在说明书中，第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2中的每个可以是如以上描述的发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光的子像素。尽管未示出，但是第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2中的每个可设置为多个，以构成第一像素组Pg1和第二像素组Pg2。
透射区域TA可布置或设置在第一区域CA中的第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2之间。
由于第一区域CA可包括透射区域TA，所以第一区域CA的分辨率可小于显示区域DA的分辨率。例如，第一区域CA的分辨率可以是显示区域DA的分辨率的约1/2。在实施例中，显示区域DA的分辨率可以是约400ppi或更高，并且第一区域CA的分辨率可以是约200ppi或更高、约100ppi或约50ppi。
在实施例中，一个主像素Pm和一个辅助像素Pa可包括相同的像素电路。然而，实施例不限于此。主像素Pm的像素电路可与辅助像素Pa的像素电路不同。在下文中，假设主像素Pm和辅助像素Pa包括相同的像素电路，以主像素Pm为中心来描述显示面板10的电路布置。
像素(例如主像素Pm、第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2)中的每个可电连接到布置或设置在第三区域PA中的外部电路。第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、发射控制驱动电路130、端子140、第一电源线160和第二电源线170可布置或设置在第三区域PA中。
第一扫描驱动电路110可通过扫描线SL将扫描信号提供给像素，例如，主像素Pm、第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2。第一扫描驱动电路110可通过发射控制线EL将发射控制信号提供给像素，例如，主像素Pm、第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2。第二扫描驱动电路120可在显示区域DA设置在其间的情况下与第一扫描驱动电路110平行地布置或设置。布置或设置在显示区域DA中的像素(例如主像素Pm、第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2)中的一些或预定数量的像素可电连接到第一扫描驱动电路110，并且像素(例如主像素Pm、第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2)中的其余或剩余的像素可电连接到第二扫描驱动电路120。在实施例中，第二扫描驱动电路120可被省略。像素可统称为主像素Pm、第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2。
端子140可布置或设置在衬底100的一侧。端子140可通过不被绝缘层覆盖或重叠而暴露并且电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可电连接到显示面板10的端子140。印刷电路板PCB可将控制器(未示出)的信号或电力传送到显示面板10。控制器生成的控制信号可通过印刷电路板PCB分别传送到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120。控制器可通过第一连接线161和第二连接线171分别将第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS(参见以下描述的图4A和图4B)提供给第一电源线160和第二电源线170。第一电源电压ELVDD可通过电连接到第一电源线160的驱动电压线PL提供给像素，例如，主像素Pm、第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2，并且第二电源电压ELVSS可被提供给与第二电源线170电连接的像素(例如，主像素Pm、第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2)的相对电极。
数据驱动电路150可电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可通过连接线151和数据线DL而被提供给像素，例如，主像素Pm、第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2，连接线151可电连接到端子140，并且数据线DL可电连接到连接线151。尽管图3中示出了数据驱动电路150可布置或设置在印刷电路板PCB上，但是在实施例中，数据驱动电路150可布置或设置在衬底100上。例如，数据驱动电路150可布置或设置在端子140和第一电源线160之间。
第一电源线160可包括第一子线162和第二子线163，第一子线162和第二子线163可在显示区域DA设置在其间的情况下彼此平行并且在x方向上延伸。第二电源线170可以具有带开口侧的大致环形形状，并且可部分地围绕显示区域DA。
图4A和图4B是根据实施例的可包括在显示面板10中的主像素Pm和/或辅助像素Pa的等效电路图。
参照图4A，像素，例如，主像素Pm、第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2，可包括像素电路PC和电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED，并且像素电路PC可电连接到扫描线SL和数据线DL。
像素电路PC可包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可电连接到扫描线SL和数据线DL，并且可响应于通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可电连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可存储与从开关薄膜晶体管T2传送的电压和供给到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或者驱动电压)之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可电连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可响应于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可通过使用驱动电流来发射具有预定亮度的光。
尽管图4A中示出了像素电路PC可包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但实施例不限于此。如图4B中所示的，像素电路PC可包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
参照图4B，像素，例如，主像素Pm、第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2，可包括像素电路PC和电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可包括薄膜晶体管和存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器可电连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL。
尽管图4B中示出了像素，例如，主像素Pm、第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2，可电连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL，但是实施例不限于此。在实施例中，信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL中的至少一个可由可彼此相邻的多个像素共享。
薄膜晶体管可包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6以及第二初始化薄膜晶体管T7。
信号线可包括扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和数据线DL，扫描线SL可传送扫描信号Sn，前一扫描线SL-1可将前一扫描信号Sn-1传送到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7，发射控制线EL可将发射控制信号En传送到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6，并且与扫描线SL相交的数据线DL可传送数据信号Dm。驱动电压线PL可将驱动电压ELVDD传送到驱动薄膜晶体管T1，并且初始化电压线VL可传送对驱动薄膜晶体管T1和有机发光二极管OLED的像素电极进行初始化的初始化电压Vint。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1可电连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1可通过操作控制薄膜晶体管T5电连接到驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1可通过发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1可根据开关薄膜晶体管T2的开关操作来接收数据信号Dm，并且可将驱动电流IOLED供应至有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2可电连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2可电连接到数据线DL，并且开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2可电连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1，并且可同时通过操作控制薄膜晶体管T5电连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2可响应于通过扫描线SL传送的扫描信号Sn来导通，并且可执行将通过数据线DL传送的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3可电连接到扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3可电连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1并且可同时通过发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极，并且补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3可电连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3可响应于通过扫描线SL传送的扫描信号Sn来导通，并且可通过将驱动栅电极G1电连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1来使驱动薄膜晶体管T1进行二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4可电连接到前一扫描线SL-1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4可电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL，并且第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4可电连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4可响应于通过前一扫描线SL-1传送的前一扫描信号Sn-1来导通，并且可执行通过将初始化电压Vint传送到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1来初始化驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5可电连接到发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5可电连接到驱动电压线PL，并且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5可电连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6可电连接到发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6可电连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6可电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可响应于通过发射控制线EL传送的发射控制信号En同时导通，以允许驱动电压ELVDD传送到有机发光二极管OLED并因此允许驱动电流IOLED流过有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7可电连接到前一扫描线SL-1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7可电连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7可电连接到第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可响应于通过前一扫描线SL-1传送的前一扫描信号Sn-1来导通，并且可初始化有机发光二极管OLED的像素电极。
尽管图4B示出了第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7可电连接到前一扫描线SL-1的情况，但是实施例不限于此。在实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4可电连接到前一扫描线SL-1并且响应于前一扫描信号Sn-1来驱动，并且第二初始化薄膜晶体管T7可电连接到单独的信号线(例如，下一扫描线)并且响应于通过单独的信号线传送的信号来驱动。
存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2可电连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的相对电极可电连接到公共电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED可从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流IOLED并且可发射光从而显示图像。
尽管图4B中示出了补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4均具有双栅电极，但是补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可均具有一个栅电极。
在实施例中，主像素Pm、第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2可包括相同的像素电路PC。然而，实施例不限于此。主像素Pm、第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2可分别包括具有不同结构的像素电路PC。例如，主像素Pm可采用图4B中所示的像素电路PC，并且第一辅助像素Pa1和第二辅助像素Pa2可采用图4A中所示的像素电路PC。在本公开的精神和范围内可进行各种修改。
图5是根据实施例的显示面板10的像素的像素电路PC的布置视图。
参照图5，驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7可沿半导体层1130布置或设置。半导体层1130可布置或设置在可形成或设置有缓冲层的衬底上方，并且缓冲层可包括无机绝缘材料。
半导体层1130的一些区可对应于驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7的半导体层。换句话说，驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7的半导体层可彼此电连接并且可弯曲成各种形状。
半导体层1130可包括沟道区、源极区和漏极区，源极区和漏极区设置在沟道区的相对的两侧上。源极区和漏极区可以是相关的或预定的薄膜晶体管的源电极和漏电极。在下文中，为了描述的便利，源极区和漏极区可分别被称为源电极和漏电极。
驱动薄膜晶体管T1可包括驱动栅电极G1、驱动源电极S1和驱动漏电极D1，驱动栅电极G1可与驱动沟道区重叠，并且驱动源电极S1和驱动漏电极D1可在驱动沟道区的相对的两侧上。驱动沟道区可以通过具有诸如Ω形或拱形的大幅弯曲的形状而在狭窄空间内形成长的沟道长度。在驱动沟道区的长度长的情况下，栅极电压的驱动范围可变宽，并且因此可更精细地控制从有机发光二极管OLED发射的光的灰度，并且可改善显示品质。
开关薄膜晶体管T2可包括开关栅电极G2、开关源电极S2和开关漏电极D2，开关栅电极G2可与开关沟道区重叠，并且开关源电极S2和开关漏电极D2可设置在开关沟道区的相对的两侧上。开关漏电极D2可电连接到驱动源电极S1。
补偿薄膜晶体管T3可以是双薄膜晶体管，并且可包括补偿栅电极G3、补偿源电极S3和补偿漏电极D3，补偿栅电极G3可与两个补偿沟道区重叠，并且补偿源电极S3和补偿漏电极D3可设置在补偿沟道区的相对的两侧上。补偿薄膜晶体管T3可通过以下描述的节点连接线1174电连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。
第一初始化薄膜晶体管T4可以是双薄膜晶体管并且可包括第一初始化栅电极G4、第一初始化源电极S4和第一初始化漏电极D4，第一初始化栅电极G4可与两个第一初始化沟道区重叠，并且第一初始化源电极S4和第一初始化漏电极D4可设置在第一初始化沟道区的相对的两侧上。
操作控制薄膜晶体管T5可包括操作控制栅电极G5、操作控制源电极S5和操作控制漏电极D5，操作控制栅电极G5可与操作控制沟道区重叠，并且操作控制源电极S5和操作控制漏电极D5可设置在操作控制沟道区的相对的两侧上。操作控制漏电极D5可电连接到驱动源电极S1。
发射控制薄膜晶体管T6可包括发射控制栅电极G6、发射控制源电极S6和发射控制漏电极D6，发射控制栅电极G6可与发射控制沟道区重叠，并且发射控制源电极S6和发射控制漏电极D6可设置在发射控制沟道区的相对的两侧上。发射控制源电极S6可电连接到驱动漏电极D1。
第二初始化薄膜晶体管T7可包括第二初始化栅电极G7、第二初始化源电极S7和第二初始化漏电极D7，第二初始化栅电极G7可与第二初始化沟道区重叠，并且第二初始化源电极S7和第二初始化漏电极D7可设置在第二初始化沟道区的相对的两侧上。
薄膜晶体管可电连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL。
扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和驱动栅电极G1可在(多个)绝缘层设置在它们之间的情况下布置或设置在半导体层1130上方。
扫描线SL可在第一方向上延伸。扫描线SL的多个区或部分可分别对应于开关栅电极G2和补偿栅电极G3。例如，扫描线SL的可分别与开关薄膜晶体管T2的沟道区和补偿薄膜晶体管T3的沟道区重叠的区可分别是开关栅电极G2和补偿栅电极G3。
前一扫描线SL-1可在第一方向上延伸，并且前一扫描线SL-1的一些区或部分可分别对应于第一初始化栅电极G4和第二初始化栅电极G7。例如，前一扫描线SL-1的可分别与第一初始化薄膜晶体管T4的沟道区和第二初始化薄膜晶体管T7的沟道区重叠的区可分别是第一初始化栅电极G4和第二初始化栅电极G7。
发射控制线EL可在第一方向上延伸。发射控制线EL的多个区可分别对应于操作控制栅电极G5和发射控制栅电极G6。例如，发射控制线EL的可分别与操作控制薄膜晶体管T5的沟道区和发射控制薄膜晶体管T6的沟道区重叠的区可分别是操作控制栅电极G5和发射控制栅电极G6。
驱动栅电极G1可以是浮置电极，并且可通过以上描述的节点连接线1174电连接到补偿薄膜晶体管T3。
电极电压线HL可在(多个)绝缘层设置在其间的情况下布置或设置在扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和驱动栅电极G1上方。
电极电压线HL可在第一方向上延伸以与数据线DL和驱动电压线PL相交。电极电压线HL的一部分可覆盖驱动栅电极G1的至少一部分或者与其重叠，并且可与驱动栅电极G1配合来构成存储电容器Cst。例如，驱动栅电极G1可用作存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1(也称为底部电极)，并且电极电压线HL的一部分可用作存储电容器Cst的第二存储电容器板CE2(也称为顶部电极)。
存储电容器Cst的第二存储电容器板CE2可电连接到驱动电压线PL。关于这点，电极电压线HL可通过接触孔CNT电连接到驱动电压线PL，驱动电压线PL布置或设置在电极电压线HL上方。因此，电极电压线HL可具有与驱动电压线PL的电压电平相同的电压电平(恒定电压)。例如，电极电压线HL可具有约+5V的恒定电压。电极电压线HL可以是横向驱动电压线。
由于驱动电压线PL可在第二方向上延伸，并且电连接到驱动电压线PL的电极电压线HL可在与第二方向相交的第一方向上延伸，因此驱动电压线PL和电极电压线HL可在显示区域DA中构成网格结构。
数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174可在(多个)绝缘层设置在其间的情况下布置或设置在电极电压线HL上方。
数据线DL可在第二方向上延伸并且可通过接触孔1154电连接到开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2。数据线DL的一部分或区可以是开关源电极S2。
如以上描述的，驱动电压线PL可在第二方向上延伸并且可通过接触孔CNT电连接到电极电压线HL。驱动电压线PL可通过接触孔1155电连接到操作控制薄膜晶体管T5。驱动电压线PL可通过接触孔1155电连接到操作控制源电极S5。
初始化连接线1173的一端可通过接触孔1152电连接到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7，并且初始化连接线1173的另一端可通过接触孔1151电连接到以下描述的初始化电压线VL。
节点连接线1174的一端可通过接触孔1156电连接到补偿漏电极D3，并且节点连接线1174的另一端可通过接触孔1157电连接到驱动栅电极G1。
初始化电压线VL可在(多个)绝缘层设置在其间的情况下布置或设置在数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174上方。
初始化电压线VL可在第一方向上延伸。初始化电压线VL可通过初始化连接线1173电连接到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7。初始化电压线VL可具有恒定电压(例如，约-2V的恒定电压)。
初始化电压线VL可布置或设置在与有机发光二极管OLED的像素电极210相同的层，并且可包括与像素电极210的材料相同或类似的材料。像素电极210可电连接到发射控制薄膜晶体管T6。像素电极210可通过接触孔1163电连接到连接金属1175，并且连接金属1175可通过接触孔1153电连接到发射控制漏电极D6。
尽管图5中示出了初始化电压线VL可布置或设置在与像素电极210相同的层，但是在实施例中，初始化电压线VL可布置或设置在与电极电压线HL相同的层。
图6是根据实施例的像素的像素电路PC的示意性截面视图。
参照图6，辅助像素Pa(在下文中被称为像素)和透射区域TA可布置或设置在第一区域CA中。可以以第一区域CA的示意性截面结构为中心来描述像素Pa的堆叠结构。
像素Pa可包括薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst和有机发光二极管OLED。为了确保透射率，透射区域TA可包括其中可去除一些绝缘层的透射孔TAH。
金属层BML可布置或设置在像素Pa的薄膜晶体管TFT下面，并且金属层BML可与薄膜晶体管TFT重叠。与图6的情况不同，可省略可与薄膜晶体管TFT重叠的金属层BML。
衬底100可包括聚合物树脂。衬底100可包括至少一个基础层和至少一个无机层，至少一个基础层包括有机材料。尽管未示出，但是在实施例中，衬底100可包括可顺序地堆叠的第一基础层、第一无机层、第二基础层和第二无机层。第一基础层和第二基础层均可包括聚合物树脂。第一无机层和第二无机层均可以是阻挡层，并且可包括单层或多层，该单层或多层包括诸如硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)的无机材料。
缓冲层111可布置或设置在衬底100上，并且可减少或阻止异物、湿气或外部空气从衬底100下面渗透，并且在衬底100上提供平坦的表面。缓冲层111可包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机/无机复合材料，并且可包括包含无机材料和有机材料的单层或多层。
金属层BML可布置或设置在衬底100和缓冲层111之间。在实施例中，金属层BML可布置或设置在第二基础层和第二无机层之间。在实施例中，金属层BML可在第一区域CA中设置为多个，并且金属层BML中的一些可布置或设置在不同的层上。
金属层BML可布置或设置在像素Pa下面，以防止布置或设置在像素Pa中的薄膜晶体管TFT损坏或防止薄膜晶体管TFT的特性劣化。
金属层BML可通过接触孔电连接到布置或设置在不同层上的导线GCL。金属层BML可从导线GCL接收恒定电压或信号。例如，金属层BML可接收驱动电压ELVDD或扫描信号。由于金属层BML可接收驱动电压ELVDD或信号，所以可显著减小发生静电放电的可能性。在实施例中，所有金属层BML可不接收电信号。在金属层BML设置为多个的情况下，金属层BML中的至少一个可被电浮置，并且其余的金属层BML可接收电信号。在本公开的精神和范围内可进行各种修改。
金属层BML可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种。金属层BML可包括包含以上材料的单层或多层。
薄膜晶体管TFT可布置或设置在缓冲层111上。薄膜晶体管TFT可包括半导体层A、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE，并且源电极SE和漏电极DE可以是电极层。薄膜晶体管TFT可电连接到有机发光二极管OLED以驱动有机发光二极管OLED。
半导体层A可布置或设置在缓冲层111上，并且可包括多晶硅。在实施例中，半导体层A可包括非晶硅。在实施例中，半导体层A可包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。半导体层A可包括沟道区、源极区和漏极区，并且源极区和漏极区可掺杂有杂质。
半导体层A可在缓冲层111设置在其间的情况下与金属层BML重叠。在实施例中，半导体层A的宽度可小于金属层BML的宽度。因此，当在垂直于衬底100的方向上投影时，半导体层A可与金属层BML完全重叠。在实施例中，金属层BML可被布置或设置为对应于由像素Pa形成的像素组Pg。在这种情况下，半导体层A可与金属层BML重叠。
第一栅极绝缘层112可覆盖半导体层A或者与其重叠。第一栅极绝缘层112可包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)。第一栅极绝缘层112可包括包含无机绝缘材料的单层或多层。
栅电极GE可布置或设置在第一栅极绝缘层112上方以与半导体层A重叠。栅电极GE可包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的单层或多层。例如，栅电极GE可以是包括钼(Mo)的单层。
第二栅极绝缘层113可覆盖栅电极GE或与其重叠。第二栅极绝缘层113可包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO)。第二栅极绝缘层113可包括包含无机绝缘材料的单层或多层。
存储电容器Cst的顶部电极CE2可布置或设置在第二栅极绝缘层113上。在根据实施例的像素电路PC中，顶部电极CE2可与其下面的栅电极GE重叠。在第二栅极绝缘层113设置在其间的情况下彼此重叠的栅电极GE和顶部电极CE2可构成存储电容器Cst。栅电极GE可用作存储电容器Cst的底部电极CE1。
顶部电极CE2可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种，并包括包含以上材料的单层或多层。
层间绝缘层115可覆盖顶部电极CE2或与其重叠。层间绝缘层115可包括氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO)。
当第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115被统称为无机绝缘层IL时，无机绝缘层IL可包括与透射区域TA对应的第一孔H1。第一孔H1可暴露缓冲层111或衬底100的顶表面。第一孔H1可包括可彼此重叠并且与透射区域TA对应的第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115的各自的开口。各开口可通过单独的工艺分别形成或者通过相同的工艺同时形成。在通过单独的工艺形成开口的情况下，可在第一孔H1的内表面上形成台阶差。
在实施例中，无机绝缘层IL可包括暴露缓冲层111的凹槽而不是第一孔H1。
在实施例中，无机绝缘层IL可不包括与透射区域TA对应的第一孔H1。由于无机绝缘层IL通常可包括具有优异的透光率的无机绝缘材料，因此即使无机绝缘层IL不包括与透射区域TA对应的孔，也可实现针对可由组件20(参见图2)发射/接收的光的透射率。
可理解为电极层的源电极SE和漏电极DE可布置或设置在层间绝缘层115上。源电极SE和漏电极DE可包括导电材料，导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)，并且源电极SE和漏电极DE可包括包含以上材料的单层或多层。例如，源电极SE和漏电极DE可包括Ti/Al/Ti的多层结构。
第一平坦化层117可覆盖源电极SE和漏电极DE或与它们重叠。第一平坦化层117可具有平坦的顶表面，使得布置或设置在其上的像素电极221可平坦地形成。
第二平坦化层118可布置或设置在第一平坦化层117上。接触金属层CM可布置或设置在第一平坦化层117和第二平坦化层118之间。接触金属层CM可通过分别形成在第一平坦化层117和第二平坦化层118中的接触孔将漏电极DE电连接到像素电极221。
第一平坦化层117和第二平坦化层118可包括包含有机材料或无机材料的单层或多层。第一平坦化层117和第二平坦化层118可包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物。第一平坦化层117和第二平坦化层118可包括氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)。在形成第一平坦化层117和第二平坦化层118后，可执行化学机械抛光以提供平坦的顶表面。然而，本公开不限于此，并且在本公开的精神和范围内，可采用其他工艺来提供平坦的顶表面。
第一平坦化层117和第二平坦化层118可包括与透射区域TA对应的第二孔H2。第二孔H2可与第一孔H1重叠。尽管图6中示出了第二孔H2可大于第一孔H1，但是第一平坦化层117和第二平坦化层118可被布置或设置为覆盖无机绝缘层IL的第一孔H1的边缘或与其重叠，并且因此第二孔H2的宽度可小于第一孔H1的宽度。
第二平坦化层118上的像素电极221可包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)。在实施例中，像素电极221可包括反射层，反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。在实施例中，像素电极221可包括在反射层上/下/下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在实施例中，像素电极221可包括ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可覆盖像素电极221的边缘或者与其重叠。像素限定层119可包括开口OP，开口OP与每个像素电极221重叠并且限定像素的发射区域。开口OP可被定义为像素Pa的发射区域。像素限定层119可通过增加像素电极221的边缘和设置在像素电极221上方的相对电极223之间的距离来防止电弧例如发生在像素电极221的边缘处。像素限定层119可包括有机绝缘材料，有机绝缘材料包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、HMDSO和酚醛树脂，并且像素限定层119可通过旋涂或在本公开的精神和范围内的其他工艺来形成。
像素限定层119可包括位于或设置在透射区域TA中的第三孔H3。第三孔H3可与第一孔H1和第二孔H2重叠。当形成第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3时，可提高透射区域TA的透光率。以下描述的相对电极223可布置或设置在第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3的内侧壁上。像素限定层119可包括如图6中所示的第四孔H4，然而，本公开不限于此。像素限定层119可包括任意数量的孔，使得可提高透射区域TA的透光率。
第一功能层222a可覆盖像素限定层119或与其重叠。第一功能层222a可包括单层或多层。尽管未示出，但是第一功能层222a可包括可具有单层结构的空穴传输层(HTL)。可替代地，尽管未示出，但是第一功能层222a可包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层222a可包括一个主体，以公共地与第一区域CA和显示区域DA中包括的像素Pa和Pm对应。
发射层222b可布置或设置在第一功能层222a上，发射层222b对应于像素电极221中的每个。发射层222b可包括聚合物材料或低分子量材料，并且可发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
第二功能层222c可形成或设置在发射层222b上。第二功能层222c可包括单层或多层。尽管未示出，但是第二功能层222c可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层222c可包括一个主体，以公共地与第一区域CA和显示区域DA中包括的像素Pa和Pm对应。在实施例中，可省略第一功能层222a和/或第二功能层222c。
相对电极223可布置或设置在第二功能层222c上。相对电极223可包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极223可包括(半)透明层，(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金。可替代地，相对电极223可包括在包括以上材料的(半)透明层上/下/下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。相对电极223可在第一区域CA和显示区域DA中设置为一个主体。
显示区域DA中的像素电极221、相对电极223以及布置或设置在它们之间的层可构成有机发光二极管OLED。
覆盖层250可形成或设置在相对电极223上。覆盖层250可包括例如氟化锂(LiF)。可替代地，覆盖层250可包括诸如氮化硅的无机绝缘材料和/或包括有机绝缘材料。在实施例中，可省略覆盖层250。
第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和覆盖层250可包括与透射区域TA对应的透射孔TAH。例如，第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和覆盖层250可分别包括与透射区域TA对应的开口。在实施例中，可形成透射孔TAH的多个开口的宽度可基本上相同。例如，相对电极223的开口的宽度可与透射孔TAH的宽度基本上相同。
当透射孔TAH对应于透射区域TA时，透射孔TAH可与透射区域TA重叠。在这种情况下，透射孔TAH的面积可小于形成在无机绝缘层IL中的第一孔H1的面积。为此，图6中示出了透射孔TAH的宽度Wt小于第一孔H1的宽度W1。这里，可将透射孔TAH的面积和第一孔H1的面积定义为具有最小面积的开口的面积。
在设置了透射孔TAH的情况下，可从透射区域TA去除相对电极223的一部分，并且由此，可显著提高透射区域TA的透光率。位于或设置在第一区域CA中的相对电极223可通过激光剥离来去除相对电极223的可对应于透射区域TA的一部分来形成，或者通过精细金属掩模(FMM)掩模图案化来形成。在下文中，在实施例中，假设通过FMM掩模图案化在第一区域CA中形成相对电极223来进行描述。然而，本公开不限于此。
有机发光二极管OLED可由薄膜封装层300密封。薄膜封装层300可布置或设置在覆盖层250上。薄膜封装层300可防止外部湿气或异物渗透到有机发光二极管OLED中。
薄膜封装层300可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。关于这点，图6中示出了薄膜封装层300具有其中堆叠了第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330的结构。在实施例中，可修改有机封装层的数量、无机封装层的数量以及堆叠顺序。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可包括至少一种无机绝缘材料，诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅，并且可通过使用化学气相沉积(CVD)来形成。然而，本公开不限于此。有机封装层320可包括聚合物类材料。聚合物类材料可包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330中的每个可包括一个主体，以覆盖显示区域DA和第一区域CA或者与它们重叠。相应地，第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可布置或设置在透射孔TAH内部。
在实施例中，有机封装层320可包括一个主体以覆盖显示区域DA和第一区域CA或者与它们重叠，并且可不布置或设置在透射区域TA中。换句话说，有机封装层320可包括与透射区域TA对应的开口。在这种情况下，第一无机封装层310可在透射孔TAH内部接触第二无机封装层330。
图7是根据实施例的显示装置1的一部分或区的平面视图，图8是图7的一部分或区的放大平面视图，并且图9A和图9B是沿图8的线B-B'截取的显示装置1的示意性截面视图。
参照图7，第一像素组Pg1和第二像素组Pg2可在透射区域TA设置在其间的情况下布置或设置在第一区域CA中。尽管图7示出了一个第一像素组Pg1和一个第二像素组Pg2，但是如图10中所示的，第一像素组Pg1和第二像素组Pg2可设置为多个。第一像素组Pg1和第二像素组Pg2可在透射区域TA设置在其间的情况下在第二方向上彼此间隔开。
第一像素组Pg1和第二像素组Pg2中的每个可包括像素。第一像素组Pg1可包括第一像素Pa1，并且第二像素组Pg2可包括第二像素Pa2。在图7中，多个第一像素Pa1和多个第二像素Pa2可沿第一方向布置或设置，但是在实施例中，多个第一像素Pa1和多个第二像素Pa2可沿第一方向和第二方向布置或设置以形成矩阵。
如以上参照图2所描述的，数据线DL(例如，多个第一线)可在显示区域DA中在第二方向上延伸。在实施例中，数据线DL可电连接到第一像素组Pg1。在这种情况下，第一像素组Pg1可与显示区域DA最靠近。数据线DL可从位于或设置在显示区域DA中的像素延伸，并且可电连接到第一像素组Pg1的第一像素Pa1。然而，本公开不限于此。
数据线DL可电连接到第一像素组Pg1，并且可不电连接到第二像素组Pg2。当数据线DL不电连接到第二像素组Pg2时，数据线DL可在第一像素组Pg1和第二像素组Pg2之间的透射区域TA中断开。
在比较示例中，在数据线从第一像素组延伸到第二像素组的情况下，数据线可布置或设置为横穿第一像素组和第二像素组之间的透射区域。由于数据线布置或设置为横穿透射区域，透射区域的透光率会降低。在这种情况下，当光在横穿透射区域的数据线之间穿过时，发生光的衍射和反射。在可设置诸如相机的组件的情况下，在横穿透射区域的数据线之间穿过的光导致了拍摄图像的失真，诸如光扩散或模糊。
因此，根据实施例的显示装置1提供了以下一种结构，在该结构中，数据线DL可在第一像素组Pg1和第二像素组Pg2之间断开，使得数据线DL可不横穿透射区域TA，并且可通过绕开第一区域CA的连接线(例如，第三连接线CL3)来接收数据信号。由此，由于数据线DL可不横穿透射区域TA，所以可增加透射区域TA的透光率，并且可防止由于光的衍射和反射而导致的图像的失真的发生。
在第一像素组Pg1中，多个第一像素Pa1可分别电连接到在第一方向上延伸的多个第一连接线CL1。在这种情况下，举例来说，当第一像素Pa1可电连接到第一连接线CL1时，第一连接线CL1可电连接到图5的像素电路PC。由于第一像素Pa1通过第一连接线CL1接收数据信号，所以第一连接线CL1中的每个可电连接到像素电路PC的开关薄膜晶体管T2。在这种情况下，第一连接线CL1中的每个可直接电连接到开关薄膜晶体管T2，或者电连接到数据线DL以将数据信号传送到开关薄膜晶体管T2。
与此类似，在第二像素组Pg2中，多个第二像素Pa2可分别电连接到在第一方向上延伸的多个第二连接线CL2。同样地，举例来说，由于第二像素Pa2可通过第二连接线CL2接收数据信号，所以第二连接线CL2中的每个可电连接到图5的像素电路PC的开关薄膜晶体管T2。
与第一像素Pa1不同，第二像素Pa2可与数据线DL断开并且不电连接到数据线DL。因此，如图7中所示，第二像素Pa2中的每个可包括辅助数据线DL'。像素电路PC，例如，开关薄膜晶体管T2，可通过辅助数据线DL'电连接到第二连接线CL2。第二连接线CL2中的每个可直接电连接到开关薄膜晶体管T2，而不穿过辅助数据线DL'。
第三连接线CL3可在第二方向上延伸，并且可布置或设置在第三区域PA中。第三连接线CL3中的每个可电连接到均在第一方向上延伸的第一连接线CL1和第二连接线CL2。在实施例中，第一连接线CL1和第二连接线CL2可越过第一区域CA延伸到第三区域PA。多个第一连接线CL1可通过多个第一接触孔CNT1a分别电连接到多个第三连接线CL3，并且多个第二连接线CL2可通过多个第二接触孔CNT2a分别电连接到第三连接线CL3。
在实施例中，布置或设置在相同的列上的第一像素Pa1和第二像素Pa2可电连接到相同的第三连接线CL3。例如，通过数据线DL传送到第一像素Pa1的数据信号可通过第一连接线CL1传送到第三连接线CL3，并且通过电连接到第三连接线CL3的第二连接线CL2传送到位于相同的列上的第二像素Pa2。由此，即使在透射区域TA中可将数据线DL断开，相同的列上的第一像素Pa1和第二像素Pa2也可接收相同的数据信号。
如图7中所示，在第一方向上延伸的线VL、SL-1、SL和EL可布置或设置在第一区域CA中。线VL、SL-1、SL和EL不仅可布置或设置在第一区域CA中，而且可布置或设置在第三区域PA以及第二区域(或显示区域)DA中。线VL、SL-1、SL和EL可分别是初始化电压线VL、前一扫描线SL-1、扫描线SL和发射控制线EL，并且可分别将初始化电压、前一扫描信号、扫描信号和发射控制信号供给到像素。与实施例中的其他连接线类似，线VL、SL-1、SL和EL可与金属层BML重叠并且可不与透射区域TA重叠。金属层BML可布置或设置在线VL、SL-1、SL和EL下面，并且可防止因线VL、SL-1、SL和EL而引起的光的衍射和反射。
参照放大了图7的第一像素组Pg1的一部分或区的图8，第一连接线CL1的一端和另一端可分别通过接触孔CNT1a和CNT1b电连接到数据线DL和第三连接线CL3。
参照图9A和图9B，数据线DL和第三连接线CL3可布置或设置在相同的层上，并且可包括相同或类似的材料。第一连接线CL1可布置或设置在与数据线DL和第三连接线CL3不同的层上，并且可包括不同的材料。在这种情况下，当元件被称为布置或设置在相同的层上或被称为包括相同或类似的材料时，在制造过程中可通过使用相同的掩模工艺来形成该元件。第一连接线CL1的一端和另一端可通过接触孔CNT1a和CNT1b分别电连接到第三连接线CL3和数据线DL。
在实施例中，如图9A中所示，第一绝缘层IL1可布置或设置在衬底100上，数据线DL和第三连接线CL3可布置或设置在第一绝缘层IL1上，第二绝缘层IL2可布置或设置在数据线DL和第三连接线CL3上，并且第一连接线CL1可布置或设置在第二绝缘层IL2上。第一连接线CL1可通过穿过第二绝缘层IL2的接触孔CNT1a和CNT1b电连接到第三连接线CL3和数据线DL。
一起参照图6，在实施例中，数据线DL和第三连接线CL3可包括与薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE的材料相同或类似的材料。第一连接线CL1可包括与接触金属层CM的材料相同或类似的材料。在这种情况下，第一绝缘层IL1可包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115。第二绝缘层IL2可包括第一平坦化层117和第二平坦化层118。可去除上述层中的一些，或者可添加其他层。
在实施例中，如图9B中所示，第一绝缘层IL1可布置或设置在衬底100上，第一连接线CL1可布置或设置在第一绝缘层IL1上，第二绝缘层IL2可布置或设置在第一连接线CL1上，并且数据线DL和第三连接线CL3可布置或设置在第二绝缘层IL2上。第一连接线CL1可通过穿过第二绝缘层IL2的接触孔CNT1a和CNT1b电连接到第三连接线CL3和数据线DL。
一起参照图6，在实施例中，数据线DL和第三连接线CL3可包括与薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE的材料相同或类似的材料。第一连接线CL1可包括与存储电容器Cst的顶部电极CE2或栅电极GE的材料相同或类似的材料。
例如，在第一连接线CL1包括与存储电容器Cst的顶部电极CE2的材料相同或类似的材料的情况下，第一绝缘层IL1可包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112和第二栅极绝缘层113。第二绝缘层IL2可包括层间绝缘层115、第一平坦化层117和第二平坦化层118。例如，在第一连接线CL1包括与栅电极GE的材料相同或类似的材料的情况下，第一绝缘层IL1可包括缓冲层111和第一栅极绝缘层112。第二绝缘层IL2可包括第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115、第一平坦化层117和第二平坦化层118。
尽管图9A和图9B将第一连接线CL1描述为示例，但是第二连接线CL2可具有与第一连接线CL1的结构相同的结构。第一连接线CL1和第二连接线CL2可布置或设置在相同的层上，并且可包括相同或类似的材料。
图10至图13是根据实施例的显示装置1的一部分或区的平面视图。图10至图13示出了图7的变形。
除了第一像素组Pg1和第二像素组Pg2可设置为多个之外，图10中所示的实施例可与图7中所示的实施例基本上相同。在下文中，主要描述差异并且省略了图7、图8、图9A和图9B中的重复描述。
参照图10，第一像素组Pg1和第二像素组Pg2可设置为多个。第一像素组Pg1-1和Pg1-2可在第一方向上以预定间隔d彼此间隔开，并且第二像素组Pg2-1和Pg2-2可在第一方向上以预定间隔d彼此间隔开。透射区域TA可布置或设置在第一像素组Pg1-1和Pg1-2与第二像素组Pg2-1和Pg2-2之间。第一像素组Pg1-1和Pg1-2与第二像素组Pg2-1和Pg2-2可在透射区域TA设置在其间的情况下在第二方向上彼此间隔开。在实施例中，可通过调整第一像素组Pg1-1与Pg1-2之间以及第二像素组Pg2-1与Pg2-2之间的预定间隔d来调整透射区域TA的面积。
第一像素组Pg1-1和Pg1-2以及第二像素组Pg2-1和Pg2-2中的每个像素组可包括像素。第一像素组Pg1-1和Pg1-2中的每个可包括第一像素Pa1，并且第二像素组Pg2-1和Pg2-2中的每个可包括第二像素Pa2。
多个第一像素组Pg1可分别电连接到在第一方向上延伸的多个第一连接线CL1。在实施例中，第(1-1)像素组Pg1-1可电连接到第(1-1)连接线CL1-1，并且第(1-2)像素组Pg1-2可电连接到第(1-2)连接线CL1-2。在这种情况下，一些或预定数量的第(1-2)连接线CL1-2可横穿第(1-1)像素组Pg1-1，并且可与第(1-1)像素组Pg1-1重叠。
类似地，第二像素组Pg2中的每个可分别电连接到在第一方向上延伸的第二连接线CL2。在实施例中，第(2-1)像素组Pg2-1可电连接到第(2-1)连接线CL2-1，并且第(2-2)像素组Pg2-2可电连接到第(2-2)连接线CL2-2。在这种情况下，一些或预定数量的第(2-2)连接线CL2-2可横穿第(2-1)像素组Pg2-1，并且可与第(2-1)像素组Pg2-1重叠。
在第二方向上延伸的第三连接线CL3-1和CL3-2可布置或设置在第一区域CA外部，例如，布置或设置在第三区域PA中。第(1-1)连接线CL1-1和第(2-1)连接线CL2-1可分别电连接到第(3-1)连接线。第(1-2)连接线CL1-2和第(2-2)连接线CL2-2可分别电连接到第(3-2)连接线CL3-2。
参照图11，图11的实施例可类似于图10的实施例，并且与图10的实施例的不同之处可在于第三连接线CL3-1和CL3-2可布置或设置在第一区域CA的相对的两侧(例如，左侧和右侧)上。
在第二方向上延伸的第(3-1)连接线CL3-1可位于或设置在第一区域CA的一侧的第三区域PA中，并且在第二方向上延伸的第(3-2)连接线CL3-2可位于或设置在第一区域CA的另一侧的第三区域PA中。第(3-1)连接线CL3-1和第(3-2)连接线CL3-2可将数据信号提供给布置或设置在相同的列上的像素组。
在实施例中，第(1-1)像素组Pg1-1可电连接到第(1-1)连接线CL1-1，并且第(2-1)像素组Pg2-1可电连接到第(2-1)连接线CL2-1。第(1-1)连接线CL1-1和第(2-1)连接线CL2-1可分别电连接到第(3-1)连接线CL3-1。
类似地，第(1-2)像素组Pg1-2可电连接到第(1-2)连接线CL1-2，并且第(2-2)像素组Pg2-2可电连接到第(2-2)连接线CL2-2。第(1-2)连接线CL1-2和第(2-2)连接线CL2-2可分别电连接到第(3-2)连接线CL3-2。
在这种情况下，与图10不同，第(1-2)连接线CL1-2可不与第(1-1)像素组Pg1-1重叠。电连接到第一像素组Pg1-1和Pg1-2的第一连接线CL1-1和CL1-2可分别电连接到第三连接线CL3-1和CL3-2之中的相邻的第三连接线CL3-1和CL3-2。因此，第(1-2)连接线CL1-2可不与第(1-1)像素组Pg1-1重叠，并且第(1-1)连接线CL1-1可不与第(1-2)像素组Pg1-2重叠。这可同等地适用于第二像素组Pg2。
尽管图7的实施例描述了在第二方向上延伸的数据线DL可在透射区域TA中断开的结构，但是该实施例可适用于在第一方向上延伸的线VL、SL-1、SL和EL。
参照图12，首先，第一像素组Pg1-1和Pg1-2可在第二方向上以预定间隔d彼此间隔开，并且第二像素组Pg2-1和Pg2-2可在第二方向上以预定间隔d彼此间隔开。透射区域TA可位于或设置在第一像素组Pg1-1和Pg1-2与第二像素组Pg2-1和Pg2-2之间，并且第一像素组Pg1-1和Pg1-2与第二像素组Pg2-1和Pg2-2可在透射区域TA设置在其间的情况下在第一方向上彼此间隔开。在实施例中，可通过调整第一像素组Pg1-1与Pg1-2之间以及第二像素组Pg2-1与Pg2-2之间的预定间隔d来调整透射区域TA的面积。
多个第一像素组Pg1可分别电连接到在第二方向上延伸的多个第一连接线CL1。在实施例中，第(1-1)像素组Pg1-1可电连接到第(1-1)连接线CL1-1，并且第(1-2)像素组Pg1-2可电连接到第(1-2)连接线CL1-2。在这种情况下，一些或预定数量的第(1-1)连接线CL1-1可横穿第(1-2)像素组Pg1-2，并且可与第(1-2)像素组Pg1-2重叠。
类似地，多个第二像素组Pg2可分别电连接到在第二方向上延伸的多个第二连接线CL2。在实施例中，第(2-1)像素组Pg2-1可电连接到第(2-1)连接线CL2-1，并且第(2-2)像素组Pg2-2可电连接到第(2-2)连接线CL2-2。在这种情况下，一些或预定数量的第(2-1)连接线CL2-1可横穿第(2-2)像素组Pg2-2，并且可与第(2-2)像素组Pg2-2重叠。
在第一方向上延伸的第三连接线CL3-1和CL3-2可布置或设置在第一区域CA外部，例如，布置或设置在第三区域PA中。第(1-1)连接线CL1-1和第(2-1)连接线CL2-1可分别电连接到第(3-1)连接线CL3-1。第(1-2)连接线CL1-2和第(2-2)连接线CL2-2可分别电连接到第(3-2)连接线CL3-2。
实施例示出了第三连接线CL3-1和CL3-2均可包括四条线，并且四条线可分别将初始化电压、前一扫描信号、扫描信号和发射控制信号传送到每个像素。
均在第一方向上延伸的辅助线VL'、SL-1'、SL'和EL'可布置或设置在第二像素组Pg2中。辅助线VL'、SL-1'、SL'和EL'可分别将初始化电压、前一扫描信号、扫描信号和发射控制信号传送到相同的行上的第二像素Pa2。
图13的实施例可类似于图12的实施例，但是图13的实施例与图12的实施例的不同之处可在于第三连接线CL3-1和CL3-2可布置或设置在第一区域CA的相对的两侧(例如，顶侧和底侧)。
在第一方向上延伸的多个第(3-1)连接线CL3-1可位于或设置在第一区域CA的一侧(底侧)上的第三区域PA中，并且在第一方向上延伸的多个第(3-2)连接线CL3-2可位于或设置在第一区域CA的另一侧(顶侧)上的第三区域PA中。第(3-1)连接线CL3-1和第(3-2)连接线CL3-2均可将初始化电压、前一扫描信号、扫描信号和发射控制信号传送到相同的行上的像素组。
图14A至图14D是示出根据实施例的显示装置1的像素布置的视图。图14A至图14D示出了第一区域CA的像素布置。
参照图14A，透射区域TA可布置或设置在像素组Pg之间。像素组Pg和透射区TA可交替地布置或设置。在第一区域CA具有图14A的像素布置的情况下，第一区域CA的分辨率可以是显示区域DA的分辨率的约1/2。
类似地，参照图14B，透射区域TA可布置或设置在像素组Pg之间，并且透射区域TA可具有其中透射区域TA可彼此连接为一个主体的结构。在第一区域CA具有图14B的像素布置的情况下，第一区域CA的分辨率可以是显示区域DA的分辨率的约1/4。
参照图14C，第一区域CA的分辨率可以是显示区域DA的分辨率的约3/8。参照图14D，第一区域CA的分辨率可以是显示区域DA的分辨率的约1/16。
第一区域CA可具有图14A至图14D中所示的像素布置。在实施例中，第一区域CA可具有局部不同的像素布置结构。例如，第一区域CA可采用以下结构，在该结构中，具有相对高分辨率的像素布置应用于第一区域CA的可邻近于显示区域DA的一部分，并且透射区域TA的面积可朝向其中心部分增大。在实施例中，显示装置1可具有其中第一区域CA可设置为多个并且多个第一区域CA可分别具有不同的像素布置结构的像素布置结构。
到目前为止，已主要对显示装置1进行了描述，然而，实施例不限于此。例如，制造显示装置的方法也落入本公开的范围内。
根据实施例，可实现包括扩展的显示区域使得即使在可布置或设置组件的区中也可显示图像的显示面板以及包括该显示面板的显示装置。然而，本公开的范围不受该效果限制。
应理解的是，本文中描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，并且不用于限制的目的。在每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参照图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如下面的权利要求所限定的精神和范围的情况下，可在实施例中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示面板，包括：
衬底，包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域包括透射区域，所述第二区域和所述第三区域邻近于所述第一区域；
第一像素组和第二像素组，均设置在所述第一区域中，所述透射区域设置在所述第一像素组与所述第二像素组之间；
多个第一连接线，在第一方向上延伸并且电连接到所述第一像素组的多个第一像素；
多个第二连接线，在所述第一方向上延伸并且电连接到所述第二像素组的多个第二像素；以及
多个第三连接线，在第二方向上延伸并且设置在所述第三区域中，所述多个第三连接线电连接到所述多个第一连接线和所述多个第二连接线，
其中，所述第二方向与所述第一方向相交。
2.根据权利要求1所述的显示面板，还包括多个布线，所述多个布线在所述第二区域中在所述第二方向上延伸，
其中，所述多个布线电连接到所述第一像素组并且在所述第一像素组与所述第二像素组之间断开。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述多个布线包括供应数据信号的数据线。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述多个布线和所述多个第三连接线设置在相同的层上。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个第一连接线和所述多个第二连接线设置在相同的层上。
6.根据权利要求1所述的显示面板，还包括多个辅助布线，所述多个辅助布线在所述第二方向上延伸并且电连接到所述多个第二像素。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述多个第二连接线电连接到所述多个辅助布线。
8.根据权利要求1所述的显示面板，还包括第一金属层，所述第一金属层设置在所述第一区域中，
其中，所述第一金属层与所述第一像素组和所述多个第一连接线重叠。
9.根据权利要求8所述的显示面板，还包括设置在所述第一区域中的第二金属层，所述第二金属层与所述第一金属层间隔开，
其中，所述第二金属层与所述第二像素组和所述多个第二连接线重叠。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述第一金属层和所述第二金属层从导线接收恒定电压。
11.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述多个第一像素和所述多个第二像素中的每个像素包括像素电路，所述像素电路包括薄膜晶体管，
所述薄膜晶体管包括半导体层和与所述半导体层的至少一部分重叠的栅电极，并且
所述第一金属层和所述第二金属层设置在所述衬底与所述半导体层之间。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第三区域包括围绕所述第二区域的非显示区域。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第三区域围绕所述第一区域的至少一部分，并且设置在所述第一区域与所述第二区域之间。
14.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：
第一导电层，设置在所述衬底上方；以及
第二导电层，设置在所述第一导电层上方，其中，
绝缘层设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间，
所述多个第三连接线与所述第一导电层包括相同的材料，并且
所述多个第一连接线和所述多个第二连接线与所述第二导电层包括相同的材料。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述多个第一像素和所述多个第二像素中的每个像素包括：
显示元件，以及
像素电路，包括薄膜晶体管，
所述薄膜晶体管包括：
半导体层；
栅电极，与所述半导体层的至少一部分重叠，以及
电极层，电连接到所述半导体层，并且
所述多个第三连接线和所述电极层包括相同的材料。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其中，
所述多个第一像素和所述多个第二像素中的每个像素包括接触金属层，所述接触金属层设置在所述显示元件与所述薄膜晶体管之间并且将所述显示元件电连接到所述薄膜晶体管，并且
所述多个第一连接线和所述多个第二连接线与所述接触金属层包括相同的材料。
17.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一区域至少部分地被所述第二区域围绕。
18.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一区域的分辨率低于所述第二区域的分辨率。
19.一种显示装置，包括：
显示面板，包括衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域包括透射区域，并且所述第二区域和所述第三区域邻近于所述第一区域设置；以及
组件，设置在所述显示面板的所述第一区域中，
其中，所述显示面板包括：
第一像素组和第二像素组，均设置在所述第一区域中，所述透射区域介于所述第一像素组与所述第二像素组之间；
多个第一连接线，在第一方向上延伸并且电连接到所述第一像素组的多个第一像素；
多个第二连接线，在所述第一方向上延伸并且电连接到所述第二像素组的多个第二像素；以及
多个第三连接线，在第二方向上延伸并且设置在所述第三区域中，所述多个第三连接线电连接到所述多个第一连接线和所述多个第二连接线，所述第二方向与所述第一方向相交。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述组件包括成像元件。
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