CN113228435A - 激光元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方案提供了激光元件及其制造方法，该激光元件包括第一包覆层、设置在第一包覆层上的光波导、设置在光波导上的第二包覆层、设置在第二包覆层上的第一电极、和设置在光波导上并与第二包覆层和第一电极分开的虚拟包覆。

Description

激光元件及其制造方法
技术领域
本发明实施方案涉及激光元件及其制造方法。
背景技术
光通信中使用的光学收发器与光纤(optical fiber)进行光学耦合。为了经济地生产光学收发器，需要以最小的成本无损地耦合能够在光学元件中传输信号的波导(waveguide)和光纤。这是因为更高的耦合效率(coupling efficiency)导致经济可行性。
对于激光二极管和光纤之间的模式匹配，可以使用模式尺寸转换器(光斑尺寸转换器(spot size converter；SSC))。对于激光二极管和光纤之间的模式匹配，激光二极管的近场图案(near field pattern；NFP)必须较大，并且远场图案(far filed pattern；FFP)必须较小，其中远场图案是NFP的衍射图案(diffracted pattern)。具有SSC的激光二极管通过减少FFP可以在激光二极管和光纤之间获得模式匹配。
此外，当有源区域和无源区域单片集成于一个元件中时，无源区域具有不同的材料组成，以进行诸如放大、光学调制等功能。对于这些区域之间的耦合，可以使用对接结构。
参照图1的(a)，对于传统的激光元件，在形成有源波导AL1之后，使用掩模201部分蚀刻有源波导AL1，并且无源波导SL1和SL2再生。无源波导SL1和SL2在除掩模201、202和203之外的区域中再生，而并不在掩模201、202和203上生长。此后，如图1的(b)所示，蚀刻上包覆层31以形成SSC结构32，其中，在SSC结构32上形成电极204。然后，切割每个芯片单元区域以制造多个激光二极管21、22和23。
然而，当芯片单元区域的SSC结构32彼此面对时，无源波导SL1和SL2具有不同的厚度和组成。
例如，第一掩模201和第二掩模202之间的第一区域D1的面积较小，因此再生在其中相对较快，而第二掩模202和第三掩模203之间的第二区域D2的区域较大，因此在其中再生相对较慢。因此，第一区域D1和第二区域D2的再生厚度彼此不同。此外，由于选择区域生长(selective area growth,SAG)效应，第一区域D1和第二区域D2的组成彼此不同。因而产生了钝化材料的定性差异，使得基于折射率的反射光的吸收量不同，导致元件的质量缺陷。
此外，如图2a所示，当对于每个芯片单元区域形成SSC结构时，上包覆层的宽度随着芯片的切割位置急剧变化，使得成品率降低。
如图2b所示，当由于工艺容限(process margin)而在位置X1处进行切割时，第二激光二极管22的上包覆层经历尖锐的宽度变化，使得第二激光二极管22不可用。
如图2c所示，当在位置X2处进行切割时，第一激光二极管21的上包覆层经历尖锐的宽度变化，使得第一激光二极管21不可用。
发明内容
[技术问题]
本发明提供了激光元件及其制造方法，其中可以改善无源光波导的再生厚度和组成的均匀性。
还提供了激光元件及其制造方法，其中在芯片的切割位置处尽管存在工艺误差，仍可以保持成品率。
在实施方案中要解决的问题并不限于此，并且包括可以从以下问题的解决方案或实施方案来理解发明目的或效果。
[技术方案]
根据本公开的一个方面，提供了激光元件，包括第一包覆层；设置在第一包覆层上的光波导；设置在光波导上的第二包覆层；设置在第二包覆层上的第一电极；和设置在光波导上并与第二包覆层和第一电极分开的虚拟包覆。
虚拟包覆可以包括第一虚拟包覆和第二虚拟包覆，并且第一虚拟包覆的面积可以大于第二虚拟包覆的面积。
第二包覆层的厚度、第一虚拟包覆的厚度和第二虚拟包覆的厚度可以彼此相等。
第一虚拟包覆的长度可以等于第二虚拟包覆的长度。
第一电极可以设置在第一虚拟包覆和第二虚拟包覆之间。
第一虚拟包覆和第二虚拟包覆的组成与第二包覆层的组成可以相同。
第一虚拟包覆可以等于第二包覆层的最大宽度，并且
第二虚拟包覆可以等于第二包覆层的最小宽度。
虚拟包覆可以包括设置在第一角部的第一虚拟包覆，设置在第二角部的第二虚拟包覆，设置在第四角部的第三虚拟包覆，以及设置在第三角部的第四虚拟包覆，第一虚拟包覆和第三虚拟包覆可以具有相同的宽度，并且第二虚拟包覆和第四虚拟包覆可以具有相同的宽度。
第一虚拟包覆的宽度可以是光波导的最大宽度的一半，并且第二虚拟包覆的宽度可以是光波导的最小宽度的一半。
光波导可以包括第一光波导和围绕第一光波导的第二光波导。
第二包覆层可以形成为具有沿一个方向上变窄的宽度。
根据本公开的另一方面，提供了用于制造激光元件的方法，方法包括：在第一包覆层上形成第一光波导；在第一包覆层上形成第二光波导；在第一光波导和第二光波导上形成第二包覆层；通过蚀刻第二包覆层将第二包覆层分成多个第二包覆层；以及进行切割以形成多个芯片，其中，第二光波导的形成包括通过蚀刻第一光波导将第一光波导分成多个第一光波导，并在第一光波导被蚀刻的区域中形成第二光波导，多个第一光波导在第一方向上交替设置。
分成多个第二包覆层可以包括通过蚀刻第二包覆层将第二包覆层分成多个第二包覆层，多个第二包覆层分别设置在多个第一光波导上。
多个第二包覆层可以在纵向方向上交替设置。
多个第二包覆层可以分别设置在多个芯片单元区域中，并且第二包覆层的两端可以延伸至芯片单元区域的外部。
在进行切割以形成多个芯片的步骤中，芯片可以被分离以使得多个第二包覆层的两端在垂直于第二包覆层纵向的方向上进行切割时，被部分地切割。
形成多个第二包覆层可以包括形成多个第二包覆层，使得第二包覆层的端部的宽度变窄。
[有益的效果]
根据实施方案，可以提高无源光波导再生厚度和组成的均匀性。因此，可以增强发光表面AR和光反射表面HR的发光性能和反光性能。
此外，即使在芯片分离的切割位置发生误差时，也可以保持成品率。
另外，在诸如光斑尺寸转换器(SSC)结构的各种芯片结构的应用中，可以保持成品率。
此外，可以减少耦合损耗(Coupling loss)。
本公开的各种有用的优点和效果不限于前述描述，并且在描述本公开的具体实施方式的过程中可以更容易地理解上述优点和效果。
附图简要说明
图1示出了传统激光元件制造过程的平面图和剖面图。
图2a是示出另一传统的激光元件制造过程的平面图。
图2b是示出由于加工误差而在位置X1处切割芯片的视图。
图2c是示出由于加工误差而在位置X2处切割芯片的视图。
图3是根据本公开的实施方案的激光元件的概念图。
图4是根据本公开的实施方案的激光元件的透视图。
图5是图的平面图。
图6是根据本公开另一实施方案的激光元件的概念图。
图7至图15是示出了用于制造根据本公开的实施方案的激光元件的方法的视图。
图16是示出用于制造根据本公开的实施方案的激光元件的方法中的多个芯片单元区域在基板上被切割的状态的平面图。
图17是剪切芯片的平面图。
图18是表示本公开的另一个实施方案的用于制造激光元件的方法的方法中划分多个芯片单元区域的状态的平面图。
图19是芯片的平面图。
图20是示出根据本公开的又一实施方案的用于制造激光元件的方法的衬底上划分多个芯片单元区域的状态的平面图。
图21是切割芯片的平面图。
图22是示出了根据本公开的又一实施方案的用于制造激光元件的方法的中的多个芯片单元区域在基板上被切割的状态的平面图。
图23是切割芯片的平面图。
具体实施方式
现有的实施方案可以被修改为其它形式或者多个实施方案可以进行组合，并且本公开的范围并不限于以下描述的各实施方案。
即使当特定实施方案中描述的细节在另一实施方案中未被描述时，所描述的那些细节也可以理解为与另一实施方案相关的描述，除非存在与另一实施方案中的细节相反或相矛盾的描述。
例如，当在特定的实施方案中描述了组件A的特征，在另一实施方案中描述了组件B的特征时，其中组件A和组件B彼此组合的实施方案，尽管没有明确描述，应该被理解为落在本公开的范围内，除非存在相反或矛盾的描述。
在实施方案的描述中，当任何一个元件被描述为形成在另一元件“上或下(on orunder)”时，“上或下(on or under)”可以包括两个元件相互直接(directly)接触，或者一个或多个其他元件间接(indirectly)设置在两个元件之间。表述“上或下(on or under)”可以包括关于一个元件的向下方向的含义和向上方向的含义。
在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施方案，以允许本领域普通技术人员容易地实施本公开的实施方案。
图3是根据本公开的实施方案的激光元件的概念图，图4是图3的平面图，以及图5是根据本公开的另一实施方案的激光元件的概念图。
参照图3，根据实施方案的激光元件可以包括第一包覆层121、光波导125和140、第二包覆层150和第一电极170。
激光元件可以包括有源区域10和无源区域20。光波导可以包括设置在有源区域10中的第一光波导(有源光波导)S1和设置在无源区域的第二光波导(无源光波)140。第一光波导S1和第二光波导140可以彼此光学连接。例如，第一光波导S1和第二光波导140可以以对接(Butt-Joint)方式彼此耦合。
第一光波导S1可以包括有源层123。该有源层123可以具有多量子阱(MultiQuantum well,MQW)结构，其中阱层和阻挡层交替层叠。阱层和阻挡层的组成可以包括但不限于InAlGaAs或InGaAsp。
第一分离的限制异质结构(Seperated Confinment Heterostructure,SCH)层122可以是用于引导激光束的振荡的光波导层，并且可以由例如未掺杂的InAlGaAs或InGaAsP形成在第一包覆层121上。
第二SCH层124可以是用于引导激光束的振荡的光波导层，并且可以由例如未掺杂的InAlGaAs或InGaAsP形成在有源层123上。
第一SCH层122和第二SCH层124可以具有比第一包覆层121和第二包覆层150更小的带隙，并且阱层可以具有比第一SCH层123和第二SCH层124更小的带隙。因此，可以在量子阱(Quantum Well)中捕获通过第一包覆层121和第二包覆层150注入的电子和空穴以提供光学增益。
第一光波导S1和第二光波导140可以设置在第一包覆层121和第二包覆层150之间。第一包覆层121和第二包覆层150可以包括，但不必限于InP或InGaAsP。
光栅131可以设置在第二包覆层150和第二SCH层124之间。光栅131选择并反射单个波长，从而实现单模激光输出。然而，不限于此，光栅可以设置在第一SCH层122之下。
欧姆电极层160和第一电极170可以设置在第二包覆层150上。第二电极126可以设置在基板110下方。
参照图4和图5，根据实施方案的激光元件可以包括呈带状的第二包覆层150。波导模式发生在光波导与第一包覆层和第二包覆层重叠的区域中，使得第二包覆层150的形状可以对应于光波导模式区域。
第二包覆层150可以包括设置在有源层123上的第一子包覆层151和设置在再生无源区域上的第二子包覆层152。第二子包覆层层152的端部152a可以形成为具有朝向前方更窄的宽度以具有SSC结构。利用这种结构，可以调节待输出的激光束的尺寸。
根据实施方案，激光元件可以包括与第二包覆层150和第一电极170分开设置的虚拟包覆(dummy clad)154和153。虚拟包覆154和153可以具有与第二包覆层150相同的组成。例如，虚拟包覆154和153和第二包覆层150可包含InP或InGaAsP。
虚拟包覆154和153可以包括第一虚拟包覆154和第二虚拟包覆153。第一虚拟包覆154可以设置在第一电极170的一侧，第二虚拟包覆153可以设置第一电极170的另一侧。换而言之，第一电极170可以设置在第一虚拟包覆154和第二虚拟包覆153之间。然而，不限于此，第一电极170可以不设置在第一虚拟包覆154和第二虚拟包覆153之间。在激光元件中可以仅存在第一虚拟包覆154和第二虚拟包覆153中的任意一个。
第二包覆层150、第一虚拟包覆154和第二虚拟包覆153可以具有相同的厚度。这是因为第二包覆层150、第一虚拟包覆154和第二虚拟包覆153通过相同的过程生长并且通过蚀刻分离。
第一虚拟包覆154的面积可以与第二虚拟包覆153的面积不同。例如，第一虚拟包覆154的面积可以大于第二虚拟包覆153的面积。根据这种结构，甚至当由于加工误差而导致芯片的切割位置发生改变时，也可以保持期望的SSC宽度，从而提高成品率。将在后续进行详细描述。
第一虚拟包覆154的宽度W11可以等于第二包覆层150的最大宽度W3，第二虚拟包覆153的宽度W21可以等于第二包覆层150的最小宽度W4。第二包覆层150的最小宽度W4可以小于第二包覆层150的最大宽度W3，以调节激光束的尺寸。此处，宽度可以是图5中的垂直长度。
第一虚拟包覆154的长度W12可以等于第二虚拟包覆153的长度W22，而不必限于此。例如，第一虚拟包覆154的长度W12可以大于或小于第二虚拟包覆153的长度W22。此处，该长度可以是图5中的水平长度。
参照图6，虚拟包覆可以包括设置在第一角部的第一虚拟包覆154a，设置在第二角部的第二虚拟包覆153a，设置在第四角部的第三虚拟包覆154a，以及设置在第三角部的第四虚拟包覆153a。
第一虚拟包覆154a和第三虚拟包覆154a可以具有相同的宽度，第二包覆153a和第四虚拟包覆153a可以具有相同的宽度。
第一虚拟包覆154a的宽度可以是第二包覆层150的另一端152b的宽度的一半，第二虚拟包覆153a的宽度可以是第二包覆层150的一端152a的宽度的一半。然而，本公开不必限于此。换而言之，宽度可以大于或小于一半。
图7至图15是示出了根据本公开的实施方案的用于制造激光元件的方法的视图。图16是示出了在根据本公开的实施方案的用于制造激光元件的方法中，多个芯片区域在基板上被切割的状态的平面图。图17是切割芯片的平面图。
参照图7，第一包覆层121、第一SCH层122、有源层123、第二SCH层124和光栅层130可以依次形成在基板110上。可以在基板110和第一包覆层121之间进一步形成缓冲层，但不限于此。
有源层123可以具有MQW结构，其中阱层和阻挡层交替堆叠。阱层和阻挡层的组成可以包含但不限于InAlGaAs或InGaAsP。
第一SCH层122可以是用于引导激光束的振荡的光波导层，并且可以由例如未掺杂的InAlGaAs或InGaAsP形成在第一包覆层121上。
第二SCH层124可以是用于引导激光束的振荡的光波导层，并且可以由例如未掺杂的InAlGaAs或InGaAsP形成在有源层123上。
第一SCH层122和第二SCH层124可以具有比第一包覆层121和第二包覆层150更小的带隙，并且阱层可以具有比第一SCH层123和第二SCH层124更小的带隙。因此，可以在量子阱中捕获通过第一包覆层121和第二包覆层150注入的电子和空穴以提供光学增益。
参照图8，光栅层130可以图案化以形成多个光栅131。多个光栅131可以选择和反射单个波长，从而实现单模激光输出。然而，不限于此，光栅131可以设置在第一包覆层121下方。
参照图9，掩模132可以形成在多个光栅131上。掩模132可以包括但不限于SiO2或SiNx。掩模132可以具有但不限于具有两个倾斜表面的平行四边形的形状。
参照图10，第一光波导S1可以部分地蚀刻WE1。因此，仅可以保持位于掩模132下方的第一光波导S1的区域。因此，第一光波导S1的表面S11和S12可以根据掩模132的形状倾斜。
参照图11，第二光波导140可以形成在移除第一光波导S1的区域中。第二光波导140可以形成为完全围绕具有矩形形状的第一光波导S1。第二光波导140可以具有比包覆层小的能带隙。例如，第二光波导140的组成可以包含但不限于InGaAsP。
参照图12，第二包覆层150可以形成在第一光波导S1和第二光波导140上。欧姆电极层160可以形成在第二包覆层150上。
参照图13，可以蚀刻第二包覆层150。在这种情况下，剩余的第二包覆层150的横截面可以具有垂直形状，该垂直形状是矩形形状。然而，不必限于此，横截面可以具有脊的形状，宽度朝向其下部变窄。当第二包覆层150的横截面具有脊的形状时，虚拟包覆也可以具有脊的形状。
第二包覆层150的第一子包覆层151的宽度是恒定的，而第二子包覆层152可以具有SSC结构，该SSC结构具有朝向发光表面逐渐变窄的宽度。
图13示出了其中通过整个蚀刻第二包覆层150暴露第二光波导140的结构，但不限于此，结构可以是掩埋的外差(buried heterodyne；BH)结构，其中在蚀刻第二包覆层150之后，第二包覆层150的两侧重生。
参照图14和图15，平坦化层180和保护层171可以形成在其中第二包覆层150被蚀刻的区域，并且可以形成接触欧姆电极层160的第一电极170。保护层171可以设置在第一光波导和第二光波导上，所述第一光波导和第二光波导上通过蚀刻第二包覆层150而暴露。保护层171可以设置在虚拟包覆上。
参照图16，根据实施方案的制造激光元件的方法可以在一个晶片衬底上形成外延层(epi)和电极，然后将晶片衬底分开到多个芯片单元区域11至22中。换而言之，结合图7至图11所示，可以在晶片衬底上顺序地形成第一包覆层、第一光波导和第二光波导。
通过蚀刻(参见图10)分割的多个第一光波导S1可以在第一方向(Y轴方向)上彼此交替设置。例如，设置在第一芯片单元区域11中的第一光波导S1可以与设置在第三芯片单元区域13中的第一光波导S1交替地设置在第一方向(Y轴方向)中。另外，设置在第一芯片单元区域11中的第一光波导S1可以设置为面向设置在第六芯片单元区域16中的第一光波导S1。换而言之，多个第一光波导S1可以在第一方向上锯齿形布置。
设置在第一芯片单元区域11中的第一光波导S1和设置在第六芯片单元区域16中的第一光波导S1之间的第一区域L1，可以与设置在第六芯片单元区域16中的第一光波导S1和设置在第二十芯片单元区域21中的第一光波导S1之间的第二区域L2，具有相同的距离。因此，在第一方向(Y轴方向)中彼此面对的第一光波导S1之间的间隔可以相等。
第一区域L1和第二区域L2可以是其中第二光波导重生的区域。因此，由于第二光波导重生的区域的面积彼此相等，因此厚度和组成可以变得均匀。
参照图17，在第六芯片单元区域16中，设置在第一光波导S1的前面的无源光波导141的组成和厚度可以与设置在第一光波导S1的后部的无源光波导142相同。因此，设置在无源光波导中的发光表面AR和光反射表面HR的品质变得均匀，改善了反射和发光性能。
参照图16，多个第二包覆层150可以通过台面蚀刻分别设置在芯片单元区域11至22中。可以设置多个第二包覆层150以与第一光波导S1重叠。
多个第二包覆层150可以沿第一方向(纵向)彼此隔开设置。换而言之，多个第二包覆层150没有继续沿纵向方向设置，而可以彼此错开交替地设置。其中多个第二包覆层150在第一方向(Y轴方向)交替设置的结构可以与第一光波导S1的结构相同。
在这种情况下，第二包覆层150在沿纵向方向上形成的长度比芯片单元区域的长度长。例如，设置在第六芯片单元区域16中的第二包覆层150的端部153可以形成为较长以延伸至第八芯片单元区域18，并且设置在第六芯片单元区域16中的第二包覆层150的另一端154可以形成为较长以延伸至第三芯片单元区域13。利用这种结构，即使当由于容差而将第二包覆层150分成较长或较短，也可以保持期望的宽度，从而防止成品率降低。
在芯片切割过程中，芯片可以主要沿着第二方向切割线C1、C2、C11和C12切割，并沿着第一方向切割线C3至C8切割，从而允许芯片单元分离。在这种情况下，即使在由于容差导致切割偏离第二方向切割线C1、C2、C11和C12时，第二包覆层150的两端也延伸超过芯片单元区域11至17，使得可以保持第二包覆层150的宽度，使得成品率增加。因此，如图17所示，当芯片全部分离时，相邻的第二包覆层150的其余部分153和154可以存在于芯片中。
图18是示出了其中在根据本公开的另一实施方案的用于制造激光元件的方法中，在基板上切割多个芯片区域的状态的平面图。图19是切割芯片的平面图。
如上所述，第一光波导S1和第二包覆层150彼此交替地设置，但在图18中，两个相邻的第二包覆层150可以设置成在一个芯片单元区域中彼此重叠。因此，如图19所示，通过切割芯片，虚拟包覆153a和154a可以形成在四个角部中的每一个中。
更具体地，虚拟包覆153a和154a可以包括设置在第一角部VX1处的第一虚拟包覆154a，设置在第二角部VX2处的第二虚拟包覆153a，设置在第四角部VX4处的第三虚拟包覆154a，以及设置在第三角部VX3处的第四虚拟包覆153a。
第一虚拟包覆154a和第三虚拟包覆154a可以具有相同的宽度，第二包覆层153a和第四虚拟包覆153a可以具有相同的宽度。
第一虚拟包覆154a的宽度可以是第二包覆层150的另一端152b的宽度的一半，第二虚拟包覆153a的宽度可以是第二包覆层150的一端152a的宽度的一半。
图20是示出了在根据本公开的又一实施方案的用于制造激光元件的方法中，多个芯片单元区域在基板上切割的状态的平面图。图21是切割芯片的平面图。
在根据图20所示的其中多个芯片区域被切割的状态中使用了图16的结构，不同之处在于，多个包覆层150设置成彼此面对。
例如，第一芯片单元层11和第二芯片单元区域12中的第二包覆层150可以在第一方向上具有SSC结构153，而设置在第三芯片单元区域到第五芯片单元区域13、14和15的第二包覆层150可以在与第一方向相反的方向上具有SSC结构153。
因此，如图21所示，与发光表面AR连接的虚拟包覆153的宽度可以小于与光反射表面HR连接的虚拟包覆154的宽度。
图22是示出了在根据本公开的又一实施方案的用于制造激光元件的方法中，多个芯片单元区域在基板上切割的状态的平面图。图23是切割芯片的平面图。
在根据图22所示的其中多个芯片区域被切割的状态中使用了图18的结构，不同之处在于多个包覆层150设置成彼此面对。例如，第一芯片单元层11和第二芯片单元区域12中的第二包覆层150可以在第一方向上具有SSC结构，而设置在第三芯片单元区域到第五芯片单元区域13、14和15中的第二包覆层150可以在与第一方向相反的方向上具有SSC结构153。
因此，如图23所示，与发光表面AR连接的虚拟包覆153a的宽度可以小于与光反射表面HR连接的虚拟包覆154a的宽度。
虽然以上已经描述了实施方案，但是这些实施方案仅是示例，而并没有限制本公开，并且本领域普通技术人员应该理解的是，在不脱离基本特征的情况下，本发明以上没有记载的多种修改和应用是可能的。例如，在实施方案中详细描述的各组件可以通过修改实施。与这种修改和应用相关的差异应该被解释为落入权利要求所限定的本公开的范围内。

Claims (17)

1.激光元件，包括：
第一包覆层；
设置在所述第一包覆层上的光波导；
设置在所述光波导上的第二包覆层；
设置在所述第二包覆层上的第一电极；和
设置在所述光波导上并与所述第二包覆层和所述第一电极分开的虚拟包覆。
2.根据权利要求1所述的激光元件，其中，
所述虚拟包覆包括第一虚拟包覆和第二虚拟包覆，并且
所述第一虚拟包覆的面积大于所述第二虚拟包覆的面积。
3.根据权利要求2所述的激光元件，其中，
所述第二包覆层的厚度、所述第一虚拟包覆的厚度和所述第二虚拟包覆的厚度彼此相等。
4.根据权利要求2所述的激光元件，其中，
所述第一虚拟包覆的长度等于所述第二虚拟包覆的长度。
5.根据权利要求2所述的激光元件，其中，
所述第一电极设置在所述第一虚拟包覆和所述第二虚拟包覆之间。
6.根据权利要求2所述的激光元件，其中，
所述第一虚拟包覆和所述第二虚拟包覆的组成与所述第二包覆层的组成相同。
7.根据权利要求2所述的激光元件，其中，
所述第一虚拟包覆的宽度等于所述第二包覆层的最大宽度，并且
所述第二虚拟包覆的宽度等于所述第二包覆层的最小宽度。
8.根据权利要求1所述的激光元件，其中，
所述虚拟包覆包括设置在第一角部的第一虚拟包覆，设置在第二角部的第二虚拟包覆，设置在第四角部的第三虚拟包覆，以及设置在第三角部的第四虚拟包覆，
第一虚拟包覆和第三虚拟包覆具有相同的宽度，并且
第二虚拟包覆和第四虚拟包覆具有相同的宽度。
9.根据权利要求8所述的激光元件，其中，
所述第一虚拟包覆的宽度是所述光波导的最大宽度的一半，并且
所述第二虚拟包覆的宽度是所述光波导的最小宽度的一半。
10.根据权利要求1所述的激光元件，其中，
所述光波导包括第一光波导和围绕所述第一光波导的第二光波导。
11.根据权利要求1所述的激光元件，其中，
所述第二包覆层形成为具有沿一个方向上减小的宽度。
12.用于制造激光元件的方法，所述方法包括：
在第一包覆层上形成第一光波导；
在所述第一包覆层上形成第二光波导；
在所述第一光波导和所述第二光波导上形成第二包覆层；
通过蚀刻所述第二包覆层将所述第二包覆层分成多个第二包覆层；以及
进行切割以形成多个芯片，
其中，所述第二光波导的形成包括通过蚀刻所述第一光波导将所述第一光波导分成多个第一光波导，并在所述第一光波导被蚀刻的区域中形成所述第二光波导，
多个所述第一光波导在第一方向上交替设置。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，
所述分成多个第二包覆层包括通过蚀刻所述第二包覆层将所述第二包覆层分成多个第二包覆层，所述多个第二包覆层分别设置在所述多个第一光波导上。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述多个第二包覆层在纵向方向上交替设置。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述多个第二包覆层分别设置在多个芯片单元区域中，并且
所述第二包覆层的两端延伸至所述芯片单元区域的外部。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，
在所述进行切割以形成所述多个芯片的步骤中，所述芯片被分离以使得所述多个第二包覆层的两端在垂直于所述第二包覆层纵向的方向上进行切割时，被部分地切割。
17.根据权利要求12所述的方法，其中，
所述形成多个第二包覆层包括形成所述多个第二包覆层，使得所述第二包覆层的端部的宽度变窄。
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