CN113179090A - 声表面波器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了声表面波器件，包括：压电基板；叉指换能器，设置在所述压电基板上；介质层，其设置在所述压电基板上且不覆盖或至少部分覆盖所述叉指换能器；电感，其设置在所述介质层之上或之中；所述电感位于所述叉指换能器的上方并避开所述叉指换能器的工作区域。本发明还公开了声表面波器件制造方法。本发明中采用在前道工序中直接制作电感，无需采用LTCC封装，降低了声表面波器件的封装成本，为后道工序提供了更多的选择。
Description
技术领域
本发明属于声表面波技术领域，具体涉及声表面波器件及其制造方法。
背景技术
相关技术中制作声表面波（SAW）器件的工序分为前道和后道。其中前道工序主要是器件的制备，包括沉积压电层、在压电层的上表面进行叉指换能器（IDT）制备，在TC-SAW制备时还包括在叉指换能器上制备温度补偿层。后道是指对上述器件的封装，封装可以是LTCC封装（还可以是HTCC封装等）。其中LTCC主要指低温共烧陶瓷（Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC），该技术是1982年开始发展起来的整合组件技术，目前是成为无源集成的主流技术。LTCC整合型组件包括各种基板承载或内埋各式主动或被动组件的产品，整合型组件产品项目包含零组件（components）、基板（substrates）与模块（modules ）。LTCC封装可进一步将电路小型化与高密度化，特别适合用于高频通讯用组件，在声表面波器件技术领域，目前所使用的主要是LTCC上设置有电感（IND），在声表面波器件制作完成后再将设置有电感的LTCC倒装在声表面波器件上，完成封装。上述过程业内称之为后道。
然而相关技术中，由于电感是在封装过程中才整合进声表面波器件，其制作成本较高，封装工艺的选择面窄。
发明内容
针对相关技术中所存在的不足，本发明提供了制作成本低、封装工艺选择面更宽的声表面波器件及制造方法。
第一方面，声表面波器件，包括：
压电基板；
叉指换能器，设置在所述压电基板上；
介质层，其设置在所述压电基板上且不覆盖或至少部分覆盖所述叉指换能器；
电感，其设置在所述介质层之上或之中；
所述电感位于所述叉指换能器的上方并避开所述叉指换能器的工作区域。
第二方面，声表面波器件制造方法，包括如下步骤：
准备压电基板，在所述压电基板上制作叉指换能器；
在所述压电基板上制作介质层，所述介质层不覆盖或至少部分覆盖所述叉指换能器；
在所述介质层上避开所述叉指换能器的工作区域制作电感，或在所述介质层中避开所述叉指换能器的工作区域制作电感。
作为优化，所述在所述介质层之上避开所述叉指换能器的工作区域制作电感，可包括如下步骤：
在所述介质层上制作第一金属层；
图形化所述第一金属层，形成电感，所述电感位置避开所述叉指换能器的工作区域。
作为优化，所述在所述介质层之中避开所述叉指换能器的工作区域制作电感，可包括如下步骤：
在所述介质层上制作对应于电感图形的凹槽，所述凹槽位置避开所述叉指换能器的工作区域；
在所述凹槽中填充金属材料以形成电感。
作为优化，所述电感围绕所述叉指换能器的工作区域设置。
相比于现有技术，本发明具有如下有益效果：
通过在前道工序中直接制作电感，而非像传统后道工序那样将电感封装进来，不但降低了声表面波器件的封装成本，还为后道工序提供了更多的选择。相比现有的声表面波器件，本发明中声表面波器件的散热性能也有一定的提升，频率温度系数（TCF）更低。另外，本申请中采用的电感制备方式相对于相关技术中对于封装的电感方式，在一定程度上对器件的Q值也有提高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明声表面波器件实施例1的一种结构示意图；
图2为本发明声表面波器件实施例1的另一种结构示意图；
图3为本发明声表面波器件实施例1中电感围绕工作区域的结构示意俯视图；
图4为本发明声表面波器件实施例2的一种结构示意图；
图5为本发明声表面波器件实施例2的另一种结构示意图；
图6为本发明声表面波器件制造方法实施例3的流程示意图；
图7为本发明声表面波器件制造方法实施例4的流程示意图；
图8为本发明声表面波器件制造方法中在介质层上制作电感的流程示意图；
图9为本发明声表面波器件制造方法中在介质层中制作电感的流程示意图。
其中，1、压电基板；2、叉指换能器；3、介质层；31、温度补偿层；4、电感。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下面结合附图，对本申请示例性实施例进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施方式中的特征可以相互补充或相互组合。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
第一方面：
实施例1：如图1、2所示，声表面波器件，包括：
压电基板1；
叉指换能器2，设置在所述压电基板1上；
介质层3，其设置在所述压电基板1上且至少部分覆盖所述叉指换能器2；
电感4，其设置在所述介质层3之上或之中；
所述电感4位于所述叉指换能器2的上方并避开所述叉指换能器2的工作区域。
其中，所述压电基板可采用钽酸锂（LT），也可以是铌酸锂（LN）、石英、硅酸镓镧（LGS）等材料。图1为电感设置在所述介质层之中，图2为所述电感设置在所述介质层之上。所述叉指换能器的工作区域是指所述叉指换能器的震动-能量转换区域（即压电基板与叉指电极接触的一侧表面上用于实现电-声转换的区域）。所述电感位于所述叉指换能器的上方是指电感的位置高于所述叉指换能器。所述电感避开工作区域是指电感的位置不与所述叉指换能器所在的位置上下对应。发明人发现，由于声表面波器件通过压电基板表面的声波震动传递信号，如果在所述震动-能量转换区域上方的重量过高，会导致震动效果不佳，进而对器件的效果产生不良影响，所以本实施例中采用电感避开所述工作区域的设计。
一种实施例中，如图2所示，所述介质层3是温度补偿层31。
其中，本实施例中为TC-SAW器件。所述温度补偿层通过具有正温度系数的材料制成，以一定程度补偿压电基板以及电极导电材料的负温度系数。
一种实施例中，所述介质层3采用磷硅玻璃（PSG）或多晶硅（poly-Si）材料制成。
一种实施例中，如图3所示，所述电感4围绕所述叉指换能器2的工作区域设置。
其中，所述电感避开所述工作区域，一般可以设置在所述工作区域的外侧；而本实施例还让所述电感围绕所述工作区域设置（即电感以所述工作区域为中心螺旋环绕设置，所述螺旋形可以近圆形也可以近矩形），这样可以减小面积，使结构更加紧凑。
实施例2：如图4、5所示，声表面波器件，包括：
压电基板1；
叉指换能器2，设置在所述压电基板1上；
介质层3，其设置在所述压电基板1上且不覆盖所述叉指换能器2；
电感4，其设置在所述介质层3之上或之中；
所述电感4位于所述叉指换能器2的上方并避开所述叉指换能器2的工作区域。
其中，所述压电基板可采用钽酸锂（LT），也可以是铌酸锂（LN）、石英、硅酸镓镧（LGS）等材料。图1为电感设置在所述介质层之中，图2为所述电感设置在所述介质层之上。图4为电感设置在所述介质层中，图5为电感设置在所述介质层上。所述电感位于所述叉指换能器的上方是指电感的位置高于所述叉指换能器。所述电感避开工作区域是指电感的位置不与所述叉指换能器所在的位置上下对应。
一种实施例中，如图5所示，还可包括温度补偿层31，设置在所述压电基板1上，其至少覆盖所述叉指换能器2的一部分。
其中，本实施例中为TC-SAW器件。所述温度补偿层通过具有正温度系数的材料制成，以一定程度补偿压电基板以及电极导电材料的负温度系数。所述温度补偿层覆盖在所述叉指换能器上，可不与所述介质层重合。
一种实施例中，所述介质层3采用磷硅玻璃（PSG）或多晶硅（poly-Si）材料制成。
一种实施例中，所述电感4围绕所述叉指换能器2的工作区域设置。
本申请中采用在前道工序中制作电感，而非像一般后道工序那样将电感封装进来，一定程度上降低了声表面波器件的封装成本，还为后道工序提供了更多的选择。相对于相关技术中将电感与声表面波器件设置在同一平面的方案，本申请中的方案占用面积更小，结构更紧凑。另外的，一定程度上，器件的散热性能也有一定提升。另外，本申请中制得的器件相对于相关技术中封装的器件，其Q值也有一定程度的提高。本申请中上述技术方案可应用于多种声表面波器件中，如滤波器或双工器。除了声表面波器件之外，本申请中的电感避开震动-能量转换区域的发明构思也可以用于体声波（BAW）滤波器。
第二方面：
实施例3：如图1、2、6所示，声表面波器件制造方法，包括如下步骤：
准备压电基板1，在所述压电基板1上制作叉指换能器2；
在所述压电基板1上制作介质层3，所述介质层3至少部分覆盖所述叉指换能器2；
在所述介质层3之上避开所述叉指换能器2的工作区域制作电感4（如图2所示），或在所述介质层3之中避开所述叉指换能器2的工作区域制作电感4（如图1所示）。
其中，所述制作叉指换能器，具体可以在压电基板上制备金属镀层，图形化所述金属镀层形成叉指电极；其中，所述图形化可以是一般的半导体刻蚀工艺，所述叉指电极的宽度可以根据需要预设，此处不做限制。所述叉指换能器的工作区域是指所述叉指换能器的震动-能量转换区域。所述电感避开工作区域是指电感的位置不与所述工作区域对应。
一种实施例中，所述介质层3为温度补偿层31。
实施例4：如图4、5、7所示，声表面波器件制造方法，包括如下步骤：
准备压电基板1，在所述压电基板1上制作叉指换能器2；
在所述压电基板1上制作介质层3，所述介质层3不覆盖所述叉指换能器2；
在所述介质层3之上避开所述叉指换能器2的工作区域制作电感4（如图5所示），或在所述介质层3之中避开所述叉指换能器2的工作区域制作电感4（如图4所示）。
其中，所述制作叉指换能器，具体可以在压电基板上制备金属镀层，图形化所述金属镀层形成叉指电极；其中，所述图形化可以是一般的半导体刻蚀工艺，所述叉指电极的宽度可以根据需要预设，此处不做限制。所述叉指换能器的工作区域是指所述叉指换能器的震动-能量转换区域。所述电感避开工作区域是指电感的位置不与所述工作区域对应。
一种实施例中，在制作叉指换能器后，制作电感之前，还可包括如下步骤：
在所述压电基板1上制作温度补偿层31，所述温度补偿层31至少覆盖所述叉指换能器的一部分。
其中，如图5所示，所述温度补偿层覆盖在所述叉指换能器上，可不与所述介质层重合。
对于上述实施例3和实施例4，还可包括如下优化实施例：
一种实施例中，如图8所示，所述在所述介质层3之上避开所述叉指换能器2的工作区域制作电感4，可包括如下步骤：
在所述介质层上制作第一金属层；
图形化所述第一金属层，形成电感，所述电感位置避开所述叉指换能器的工作区域。
其中，本实施例是对应图2和图5结构的可选的一种制作方法。可以理解，所述电感的制作方式不限于本实施例提出的方式，只要能获得避开叉指换能器工作区域的电感即可。此外，在形成电感后，还可在所述介质层上再制作一层用于保护所述电感的介质层，其制作材料可以与介质层相同也可以不同，这样相当于获得在所述介质层中制作电感的一种替代方案。
一种实施例中，如图9所示，所述在所述介质层3之中避开所述叉指换能器2的工作区域制作电感4，可包括如下步骤：
在所述介质层上制作对应于电感图形的凹槽，所述凹槽位置避开所述叉指换能器的工作区域；
在所述凹槽中填充金属材料以形成电感。之后可通过平坦化、减薄等工艺来调整电感的厚度。
其中，本实施例是对应图1和图4结构的可选的一种制作方法。可以理解，所述电感的制作方式不限于本实施例提出的方式，只要能获得避开叉指换能器工作区域的电感即可。
一种实施例中，所述介质层3采用磷硅玻璃（PSG）或多晶硅（poly-Si）材料制成。
一种实施例中，如图3所示，所述电感4围绕所述叉指换能器2的工作区域设置。
其中，本实施例让所述电感围绕所述工作区域设置（即电感以所述工作区域为中心螺旋环绕设置，所述螺旋形可以近圆形也可以近矩形），这样可以减小面积，使结构更加紧凑。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.声表面波器件，其特征在于，包括：
压电基板；
叉指换能器，设置在所述压电基板上；
介质层，其设置在所述压电基板上且至少部分覆盖所述叉指换能器；
电感，其设置在所述介质层之上或之中；
所述电感位于所述叉指换能器的上方并避开所述叉指换能器的工作区域。
2.声表面波器件，其特征在于，包括：
压电基板；
叉指换能器，设置在所述压电基板上；
介质层，其设置在所述压电基板上且不覆盖所述叉指换能器；
电感，其设置在所述介质层之上或之中；
所述电感位于所述叉指换能器的上方并避开所述叉指换能器的工作区域。
3.根据权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于，还包括：
温度补偿层，设置在所述压电基板上，其至少覆盖所述叉指换能器的一部分。
4.根据权利要求1-3任一项所述的声表面波器件，其特征在于：
所述介质层采用磷硅玻璃或多晶硅材料制成；或
所述电感围绕所述叉指换能器的工作区域设置。
5.声表面波器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
准备压电基板，在所述压电基板上制作叉指换能器；
在所述压电基板上制作介质层，所述介质层至少部分覆盖所述叉指换能器；
在所述介质层上避开所述叉指换能器的工作区域制作电感，或在所述介质层中避开所述叉指换能器的工作区域制作电感。
6.声表面波器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
准备压电基板，在所述压电基板上制作叉指换能器；
在所述压电基板上制作介质层，所述介质层不覆盖所述叉指换能器；
在所述介质层上避开所述叉指换能器的工作区域制作电感，或在所述介质层中避开所述叉指换能器的工作区域制作电感。
7.根据权利要求5-6任一项所述的声表面波器件制造方法，其特征在于，所述在所述介质层之上避开所述叉指换能器的工作区域制作电感，包括如下步骤：
在所述介质层上制作第一金属层；
图形化所述第一金属层，形成电感，所述电感位置避开所述叉指换能器的工作区域。
8.根据权利要求5-6任一项所述的声表面波器件制造方法，其特征在于，所述在所述介质层之中避开所述叉指换能器的工作区域制作电感，包括如下步骤：
在所述介质层上制作对应于电感图形的凹槽，所述凹槽位置避开所述叉指换能器的工作区域；
在所述凹槽中填充金属材料以形成电感。
9.根据权利要求5-6任一项所述的声表面波器件制造方法，其特征在于：
所述介质层采用磷硅玻璃或多晶硅材料制成；或
所述电感围绕所述叉指换能器的工作区域设置。
10.根据权利要求1所述的声表面波器件或权利要求5所述的声表面波器件制造方法，其特征在于：
所述介质层为温度补偿层。
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|---|---|---|---|---|
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002232259A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| US6437479B1 (en) * | 2001-06-29 | 2002-08-20 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device |
| CN1496174A (zh) * | 2002-08-29 | 2004-05-12 | ������������ʽ���� | 弹性表面波装置、通信装置 |
| US20100237962A1 (en) * | 2009-03-20 | 2010-09-23 | Epcos Ag | Compact highly integrated electrical module with interconnection of baw filter and balun circuit and production method |
| US20170141756A1 (en) * | 2015-11-17 | 2017-05-18 | Qualcomm Incorporated | Acoustic resonator devices |
| US20180269848A1 (en) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device including interdigital electrodes covered by silicon oxynitride film |
| US20200252044A1 (en) * | 2019-02-01 | 2020-08-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | High-frequency device and multiplexer |
-
2021
- 2021-05-08 CN CN202110501203.9A patent/CN113179090A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002232259A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| US6437479B1 (en) * | 2001-06-29 | 2002-08-20 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device |
| CN1496174A (zh) * | 2002-08-29 | 2004-05-12 | ������������ʽ���� | 弹性表面波装置、通信装置 |
| US20100237962A1 (en) * | 2009-03-20 | 2010-09-23 | Epcos Ag | Compact highly integrated electrical module with interconnection of baw filter and balun circuit and production method |
| US20170141756A1 (en) * | 2015-11-17 | 2017-05-18 | Qualcomm Incorporated | Acoustic resonator devices |
| US20180269848A1 (en) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device including interdigital electrodes covered by silicon oxynitride film |
| US20200252044A1 (en) * | 2019-02-01 | 2020-08-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | High-frequency device and multiplexer |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108692824A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-10-23 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种无源无线声表面波温度传感器 |
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